JPH1187211A - 電子ビーム描画用アパーチャ装置とその製造方法 - Google Patents
電子ビーム描画用アパーチャ装置とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アパーチャをホルダに固定するための接着剤
が開口部にまではみ出てアパーチャを汚し、不良品が発
生するとともに、描画パターン欠陥を生じる原因とな
る。 【解決手段】 電子ビームでの描画に用いる開口部を有
するアパーチャ１０と、このアパーチャを固定支持する
ホルダ２０とを備え、アパーチャ１０はホルダ２０に接
着剤３０により接着固定されるとともに、アパーチャと
前記ホルダの接着面の少なくとも一方、例えば、アパー
チャ１０の接着面に、アパーチャの周縁に沿って溝９が
形成される。アパーチャ１０をホルダ２０に接着する際
に、余剰の接着剤３０は溝９内に流入されてアパーチャ
の開口面や周辺部にはみ出ることがなく、これらの面を
汚すことがなく、不良品が少なくなり歩留まりが向上
し、かつ電子ビームが照射されるアパーチャ開口部６の
パターンを汚すことがなくなり、信頼性の高いパターン
描画が実現できる。
が開口部にまではみ出てアパーチャを汚し、不良品が発
生するとともに、描画パターン欠陥を生じる原因とな
る。 【解決手段】 電子ビームでの描画に用いる開口部を有
するアパーチャ１０と、このアパーチャを固定支持する
ホルダ２０とを備え、アパーチャ１０はホルダ２０に接
着剤３０により接着固定されるとともに、アパーチャと
前記ホルダの接着面の少なくとも一方、例えば、アパー
チャ１０の接着面に、アパーチャの周縁に沿って溝９が
形成される。アパーチャ１０をホルダ２０に接着する際
に、余剰の接着剤３０は溝９内に流入されてアパーチャ
の開口面や周辺部にはみ出ることがなく、これらの面を
汚すことがなく、不良品が少なくなり歩留まりが向上
し、かつ電子ビームが照射されるアパーチャ開口部６の
パターンを汚すことがなくなり、信頼性の高いパターン
描画が実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に半
導体集積回路などの回路パターンを形成するために、半
導体基板に被着されたレジストに直接電子線で描画する
電子線描画法に用いる電子線描画用アパーチャと、この
アパーチャを固定支持するためのホルダとを備えるアパ
ーチャ装置とその製造方法に関する。
導体集積回路などの回路パターンを形成するために、半
導体基板に被着されたレジストに直接電子線で描画する
電子線描画法に用いる電子線描画用アパーチャと、この
アパーチャを固定支持するためのホルダとを備えるアパ
ーチャ装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細パターンを半導体基板であるウェハ
上に形成するためには、写真技術を利用したフォトリソ
グラフィ技術が用いられており、従来ではそのパターン
露光を行うために紫外線を光源とする縮小投影露光装置
が用いれらていた。近年、より微細なパターンの実現を
可能とするために、光源の短波長化が行われ、水銀ラン
プのｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）へ、更
にはフッ化クリプトンガスを用いたＫｒＦエキシマレー
ザ光（２４９ｎｍ）へと進展されてきている。しかし、
光源の短波長化による解像度の向上は、逆に焦点深度の
低下を生じ、いわゆる焦点ボケによるパターン鮮鋭度の
低下等の問題を招いている。そこで焦点深度が光露光法
に比べて飛躍的に広い、電子線露光法が注目されてい
る。この電子線露光法は、光露光法に比べて高解像のパ
ターンを形成することが可能であるが、処理能力が低い
事が課題とされていた。しかしながら、この課題を解決
するために、アパーチャを用いて電子ビームをある大き
さの矩形に成形した上でこれをウェハに対して一括転写
し、かつこれらの一括パターンを繋げて全体の回路パタ
ーンを転写する露光法が開発され処理能力の飛雁的な向
上が図られている。
上に形成するためには、写真技術を利用したフォトリソ
グラフィ技術が用いられており、従来ではそのパターン
露光を行うために紫外線を光源とする縮小投影露光装置
が用いれらていた。近年、より微細なパターンの実現を
可能とするために、光源の短波長化が行われ、水銀ラン
プのｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）へ、更
にはフッ化クリプトンガスを用いたＫｒＦエキシマレー
ザ光（２４９ｎｍ）へと進展されてきている。しかし、
光源の短波長化による解像度の向上は、逆に焦点深度の
低下を生じ、いわゆる焦点ボケによるパターン鮮鋭度の
低下等の問題を招いている。そこで焦点深度が光露光法
に比べて飛躍的に広い、電子線露光法が注目されてい
る。この電子線露光法は、光露光法に比べて高解像のパ
ターンを形成することが可能であるが、処理能力が低い
事が課題とされていた。しかしながら、この課題を解決
するために、アパーチャを用いて電子ビームをある大き
さの矩形に成形した上でこれをウェハに対して一括転写
し、かつこれらの一括パターンを繋げて全体の回路パタ
ーンを転写する露光法が開発され処理能力の飛雁的な向
上が図られている。
【０００３】図６は従来のこの種のアパーチャの構造と
その製造方法を説明するための工程断面図である。先
ず、図６（ａ）のように、面方位（１００）のシリコン
貼り合わせウェハ１の表面側のシリコン面に通常のフォ
トリソグラフィ技術によって所要の開口パターンを形成
した上で、前記ウェハの両面にＣＶＤ法によってウェッ
トエッチング用保護膜（シリコン窒化膜等）３を形成す
る。次に、図６（ｂ）のように、前記ウェハの裏面側に
レジストをバターニングし、窓を開口したレジストマス
ク４を用いて前記ウェットエッチング用保篠膜３をドラ
イエッチングにより除去し、バックエツチ用窓５を開口
する。次に、図６（ｃ）のように、前記バックエッチン
グ用窓５から露出している前記ウェハ１の裏面側を水酸
化カリウム、ヒドラジン等のアルカリ溶液を加熱したウ
ェットエッチング溶液により張り合わせ面２を含めてバ
ックエツチして開口部６を形成する。この開口部６はウ
ェットエッチング時に面方位（１１１）が現れる事によ
り、テーバーが持たせられる。その後、図６（ｄ）のよ
うに、前記レジストマスク４及びウェットエッチング用
保護膜３を除去し、表面に電子ビーム照射時のチャージ
アップを防ぐ為の導電層７（例えばＡｕ）をスパッタ法
により被着し、アパーチヤ１０が完成する。このアパー
チャの一例を図７（ａ），（ｂ），（ｃ）の断面図、平
面図、及び開口部の拡大図に示す。
その製造方法を説明するための工程断面図である。先
ず、図６（ａ）のように、面方位（１００）のシリコン
貼り合わせウェハ１の表面側のシリコン面に通常のフォ
トリソグラフィ技術によって所要の開口パターンを形成
した上で、前記ウェハの両面にＣＶＤ法によってウェッ
トエッチング用保護膜（シリコン窒化膜等）３を形成す
る。次に、図６（ｂ）のように、前記ウェハの裏面側に
レジストをバターニングし、窓を開口したレジストマス
ク４を用いて前記ウェットエッチング用保篠膜３をドラ
イエッチングにより除去し、バックエツチ用窓５を開口
する。次に、図６（ｃ）のように、前記バックエッチン
グ用窓５から露出している前記ウェハ１の裏面側を水酸
化カリウム、ヒドラジン等のアルカリ溶液を加熱したウ
ェットエッチング溶液により張り合わせ面２を含めてバ
ックエツチして開口部６を形成する。この開口部６はウ
ェットエッチング時に面方位（１１１）が現れる事によ
り、テーバーが持たせられる。その後、図６（ｄ）のよ
うに、前記レジストマスク４及びウェットエッチング用
保護膜３を除去し、表面に電子ビーム照射時のチャージ
アップを防ぐ為の導電層７（例えばＡｕ）をスパッタ法
により被着し、アパーチヤ１０が完成する。このアパー
チャの一例を図７（ａ），（ｂ），（ｃ）の断面図、平
面図、及び開口部の拡大図に示す。
【０００４】完成したアパーチヤ１０は、図８（ａ），
（ｂ）に平面図とＤＤ線拡大断面図を示すように、専用
のホルダ２０に固定される。ホルダ２０は前記アパーチ
ャ１０の開口部６を露呈する枠体として構成されてお
り、その中央窓部２１の周縁部には、板厚を低減した段
部２２が設けられ、この段部２２の上面が接着面２３と
して前記アパーチャ１０の周辺部が接着剤３０、例えば
銀ペースト等によって接着される。この場合には、接着
剤３０を接着面２３に塗布しておき、アパーチャ１０を
その上から押さえ付けて接着を行っている。なお、前記
アパーチャ１０の開口部６は、図７（ｂ）に示したよう
に、ここでは４×３に配列した微小な開口６ａが設けら
れており、各開口６ａは図７（ｃ）に斜線じて示したよ
うに、電子線を開口面に照射したときにパターンが得ら
れる領域である。
（ｂ）に平面図とＤＤ線拡大断面図を示すように、専用
のホルダ２０に固定される。ホルダ２０は前記アパーチ
ャ１０の開口部６を露呈する枠体として構成されてお
り、その中央窓部２１の周縁部には、板厚を低減した段
部２２が設けられ、この段部２２の上面が接着面２３と
して前記アパーチャ１０の周辺部が接着剤３０、例えば
銀ペースト等によって接着される。この場合には、接着
剤３０を接着面２３に塗布しておき、アパーチャ１０を
その上から押さえ付けて接着を行っている。なお、前記
アパーチャ１０の開口部６は、図７（ｂ）に示したよう
に、ここでは４×３に配列した微小な開口６ａが設けら
れており、各開口６ａは図７（ｃ）に斜線じて示したよ
うに、電子線を開口面に照射したときにパターンが得ら
れる領域である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のアパ
ーチャ１０をホルダ２０に接着して得られたアパーチャ
装置では、図９（ａ）に示すように、アパーチャ１０を
ホルダ２０に接着するための接着剤３０が、ホルダ２０
の中央窓部２１内へはみ出したり、ホルダ２０とアパー
チャ１０との間を通ってアパーチャ１０の表面上へはみ
出してしまうことがある。このため、これらのはみ出た
接着剤は、電子線露光装置内でアパーチャに電子線が照
射される事により装置内を汚してしまい、描画精度の低
下を招いたり、アパーチャ寿命を短くしてしまうという
弊害を生じる原因となる。また、特に、中央窓部側には
み出した接着剤のはみ出し量が大きくなると、アパーチ
ャの開口部６まで到達してしまい、開口部不良となるよ
うな開口部汚染１１を発生させてしまう。開口部６が汚
染されると、例えば、図９（ｂ）に示すように、接着剤
３０が開口６ａを覆い隠してしまうことがあり、このよ
うな状態で描画すると図９（ｃ）のようにレジストパタ
ーンＰＲの不良が生じる原因となる。
ーチャ１０をホルダ２０に接着して得られたアパーチャ
装置では、図９（ａ）に示すように、アパーチャ１０を
ホルダ２０に接着するための接着剤３０が、ホルダ２０
の中央窓部２１内へはみ出したり、ホルダ２０とアパー
チャ１０との間を通ってアパーチャ１０の表面上へはみ
出してしまうことがある。このため、これらのはみ出た
接着剤は、電子線露光装置内でアパーチャに電子線が照
射される事により装置内を汚してしまい、描画精度の低
下を招いたり、アパーチャ寿命を短くしてしまうという
弊害を生じる原因となる。また、特に、中央窓部側には
み出した接着剤のはみ出し量が大きくなると、アパーチ
ャの開口部６まで到達してしまい、開口部不良となるよ
うな開口部汚染１１を発生させてしまう。開口部６が汚
染されると、例えば、図９（ｂ）に示すように、接着剤
３０が開口６ａを覆い隠してしまうことがあり、このよ
うな状態で描画すると図９（ｃ）のようにレジストパタ
ーンＰＲの不良が生じる原因となる。
【０００６】本発明の目的は、アパーチャをホルダに固
定するための接着剤による前記した問題を解消すること
を可能にしたアパーチャ装置を提供することにある。
定するための接着剤による前記した問題を解消すること
を可能にしたアパーチャ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のアパーチャ装置
は、電子ビームでの描画に用いる開口部を有するアパー
チャと、このアパーチャを固定支持するホルダとを備え
るアパーチャ装置において、前記アパーチャは前記ホル
ダに接着剤により接着固定されるとともに、前記アパー
チャと前記ホルダの接着面の少なくとも一方には、接着
剤の流入を可能とした溝が形成されていることを特徴と
する。例えば、前記アパーチャの接着面に、アパーチャ
の周縁に沿って複数の溝が形成される。あるいは、前記
ホルダの接着面に、周縁に沿って１以上の溝が形成さ
れ、かつ少なくとも１つの溝は前記ホルダに貫通された
逃げ穴を通してホルダの外面に連通されている。
は、電子ビームでの描画に用いる開口部を有するアパー
チャと、このアパーチャを固定支持するホルダとを備え
るアパーチャ装置において、前記アパーチャは前記ホル
ダに接着剤により接着固定されるとともに、前記アパー
チャと前記ホルダの接着面の少なくとも一方には、接着
剤の流入を可能とした溝が形成されていることを特徴と
する。例えば、前記アパーチャの接着面に、アパーチャ
の周縁に沿って複数の溝が形成される。あるいは、前記
ホルダの接着面に、周縁に沿って１以上の溝が形成さ
れ、かつ少なくとも１つの溝は前記ホルダに貫通された
逃げ穴を通してホルダの外面に連通されている。
【０００８】また、本発明のアパーチャ装置の製造方法
は、２枚の半導体基板を貼り合わせたウェハの表面側の
所要領域に電子ビーム描画用の開口パターンを選択的に
開口する工程と、前記ウェハの裏面側の周辺部をマスク
した状態で中央領域を裏面側からエッチングして開口部
を形成する工程と、前記ウェハの裏面側の周辺部に溝形
状のマスクを形成し、このマスクを用いて前記ウェハの
裏面側の周辺部を浅くエッチングして溝を形成する工程
と、作製されたアパーチャを前記ウェハ裏面側の周辺部
においてホルダに接着剤により接着固定する工程を含ん
でいる。
は、２枚の半導体基板を貼り合わせたウェハの表面側の
所要領域に電子ビーム描画用の開口パターンを選択的に
開口する工程と、前記ウェハの裏面側の周辺部をマスク
した状態で中央領域を裏面側からエッチングして開口部
を形成する工程と、前記ウェハの裏面側の周辺部に溝形
状のマスクを形成し、このマスクを用いて前記ウェハの
裏面側の周辺部を浅くエッチングして溝を形成する工程
と、作製されたアパーチャを前記ウェハ裏面側の周辺部
においてホルダに接着剤により接着固定する工程を含ん
でいる。
【０００９】アパーチャをホルダに接着する際に、余剰
の接着剤は溝内に流入されてアパーチャの開口面や周辺
部に溢れでることがないため、これらの面を汚すことが
なく、不良品が少なくなり歩留まりが向上する。また、
電子ビームが照射されるアパーチャ開口部に接着剤が回
り込まないため、開口部のパターンを汚すことがなくな
り、信頼性の高いパターン描画が実現できる。
の接着剤は溝内に流入されてアパーチャの開口面や周辺
部に溢れでることがないため、これらの面を汚すことが
なく、不良品が少なくなり歩留まりが向上する。また、
電子ビームが照射されるアパーチャ開口部に接着剤が回
り込まないため、開口部のパターンを汚すことがなくな
り、信頼性の高いパターン描画が実現できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１
の実施形態のアパーチャ装置の平面図とそのＡＡ線拡大
断面図である。このアパーチャ装置は、これまでと同様
に枠体として形成されたホルダ２０の中央窓部２１の周
縁に沿って板厚を低減した段部１２を形成し、この段部
２２の上面を接着面２３として構成するとともに、この
接着面２３に接着剤を用いてアパーチャ１０の周辺部を
接着して固定支持する構成とされている。前記アパーチ
ャ１の断面図とその底面図を図２（ａ），（ｂ）に示
す。同図から判るように、前記アパーチャ１０が接着剤
で接着される裏面の周辺部には、複数条の溝９が形成さ
れている。
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１
の実施形態のアパーチャ装置の平面図とそのＡＡ線拡大
断面図である。このアパーチャ装置は、これまでと同様
に枠体として形成されたホルダ２０の中央窓部２１の周
縁に沿って板厚を低減した段部１２を形成し、この段部
２２の上面を接着面２３として構成するとともに、この
接着面２３に接着剤を用いてアパーチャ１０の周辺部を
接着して固定支持する構成とされている。前記アパーチ
ャ１の断面図とその底面図を図２（ａ），（ｂ）に示
す。同図から判るように、前記アパーチャ１０が接着剤
で接着される裏面の周辺部には、複数条の溝９が形成さ
れている。
【００１１】図３は前記アパーチャ１０の製造方法を工
程順に示す断面図である。図３（ａ）ないし（ｄ）の工
程は、これまでの工程と同じである。すなわち、図３
（ａ）のように、（１００）のシリコン貼り合わせウェ
ハ１の表面をパターン化したものにＣＶＤにより両面に
ウェットエッチング用保護膜（シリコン窒化膜等）３を
形成する。次に、図３（ｂ）のように、前記ウェハ１の
裏面にレジストをパターニングし、窓を開口したレジス
トマスク４を用いてウェットエッチング用保護膜３をド
ライエッチングにより除去し、バックエツチ用窓５を形
成する。次に、図３（ｃ）のように、このバックエッチ
用窓５から露出しているシリコンウェハ１を水酸化カリ
ウム、ヒドラジン等のアルカリ溶液を加熱したウェット
エッチング溶液により、貼り合わせ面２を含めバックエ
ツチして開口部６を形成する。開口部６は、ウェットエ
ッチング時に面方位（１１１）が現れる事により、テー
バーを持たせている。
程順に示す断面図である。図３（ａ）ないし（ｄ）の工
程は、これまでの工程と同じである。すなわち、図３
（ａ）のように、（１００）のシリコン貼り合わせウェ
ハ１の表面をパターン化したものにＣＶＤにより両面に
ウェットエッチング用保護膜（シリコン窒化膜等）３を
形成する。次に、図３（ｂ）のように、前記ウェハ１の
裏面にレジストをパターニングし、窓を開口したレジス
トマスク４を用いてウェットエッチング用保護膜３をド
ライエッチングにより除去し、バックエツチ用窓５を形
成する。次に、図３（ｃ）のように、このバックエッチ
用窓５から露出しているシリコンウェハ１を水酸化カリ
ウム、ヒドラジン等のアルカリ溶液を加熱したウェット
エッチング溶液により、貼り合わせ面２を含めバックエ
ツチして開口部６を形成する。開口部６は、ウェットエ
ッチング時に面方位（１１１）が現れる事により、テー
バーを持たせている。
【００１２】その後、図３（ｄ）のように、前記レジス
トマスク４及びウェットエッチング用保護膜３を除去
し、表面部に電子ビーム照射時のチャージアップを防ぐ
為の導電層７（例えばＡｕ）をスパッタ法により被着す
る。しかる上で、図３（ｅ）のように、前記ウェハ１の
裏面側の周辺部に溝状の開口を有するレジストマスク８
を形成し、これをマスクにして前記ウェハ１の裏面側を
浅くバックエッチングを行う事により、ウェハの裏面に
図２（ｂ）に示した複数条の溝９が形成される。その
後、前記レジストマスク８を除去することにより、図３
（ｆ）のように、本実施形態のアパーチャ１０が形成さ
れる。
トマスク４及びウェットエッチング用保護膜３を除去
し、表面部に電子ビーム照射時のチャージアップを防ぐ
為の導電層７（例えばＡｕ）をスパッタ法により被着す
る。しかる上で、図３（ｅ）のように、前記ウェハ１の
裏面側の周辺部に溝状の開口を有するレジストマスク８
を形成し、これをマスクにして前記ウェハ１の裏面側を
浅くバックエッチングを行う事により、ウェハの裏面に
図２（ｂ）に示した複数条の溝９が形成される。その
後、前記レジストマスク８を除去することにより、図３
（ｆ）のように、本実施形態のアパーチャ１０が形成さ
れる。
【００１３】したがって、このアパーチャ１０を図１に
示したように前記ホルダ２０に接着剤３０で接着すると
きには、これまでと同様に、ホルダ２０の段部２２の上
面に構成された接着面２３に接着剤３０を塗布し、その
上に前記アパーチャ１０の周辺部を押し付けて接着を行
うが、この際にアパーチャ１０と段部２２との間に挟ま
れる余剰の接着剤３０は前記溝９内に流入される。これ
により、接着剤３０がアパーチャ１０の開口部６側や表
面上にはみ出されるようなことはなくなる。これによ
り、電子線露光装置内における装置内の汚染が防止さ
れ、描画精度の低下やアパーチャ寿命が短くなるという
問題が解消される。また、アパーチャ１０の開口部６が
接着剤３０によって汚染されることが防止され、描画す
るレジストパターン不良が防止できる。
示したように前記ホルダ２０に接着剤３０で接着すると
きには、これまでと同様に、ホルダ２０の段部２２の上
面に構成された接着面２３に接着剤３０を塗布し、その
上に前記アパーチャ１０の周辺部を押し付けて接着を行
うが、この際にアパーチャ１０と段部２２との間に挟ま
れる余剰の接着剤３０は前記溝９内に流入される。これ
により、接着剤３０がアパーチャ１０の開口部６側や表
面上にはみ出されるようなことはなくなる。これによ
り、電子線露光装置内における装置内の汚染が防止さ
れ、描画精度の低下やアパーチャ寿命が短くなるという
問題が解消される。また、アパーチャ１０の開口部６が
接着剤３０によって汚染されることが防止され、描画す
るレジストパターン不良が防止できる。
【００１４】図４（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
形態のホルダの平面図とＢＢ線拡大断面図である。な
お、前記第１の実施形態と等価な部分には同一符号を付
してある。ここでは、アパーチャ１０は従来と同じもの
がそのまま用いられている。一方、ホルダ２０は中央窓
部２１の周縁に設けられている段部２２の接着面２３
に、周縁に沿って溝２４が形成されている。また、この
周縁の複数箇所、ここではホルダ２０の四辺位置には、
ホルダ２０の内部に板面方向に伸びる逃げ穴２５が貫通
されており、その内端部は前記溝２４に連通され、外端
部はホルダ２０の外周面に連通されている。なお、この
ホルダ２０は金属板を機械加工によって形成しており、
前記段部２２、溝２４、逃げ穴２５は全て切削加工によ
って形成することが可能である。
形態のホルダの平面図とＢＢ線拡大断面図である。な
お、前記第１の実施形態と等価な部分には同一符号を付
してある。ここでは、アパーチャ１０は従来と同じもの
がそのまま用いられている。一方、ホルダ２０は中央窓
部２１の周縁に設けられている段部２２の接着面２３
に、周縁に沿って溝２４が形成されている。また、この
周縁の複数箇所、ここではホルダ２０の四辺位置には、
ホルダ２０の内部に板面方向に伸びる逃げ穴２５が貫通
されており、その内端部は前記溝２４に連通され、外端
部はホルダ２０の外周面に連通されている。なお、この
ホルダ２０は金属板を機械加工によって形成しており、
前記段部２２、溝２４、逃げ穴２５は全て切削加工によ
って形成することが可能である。
【００１５】この構成のホルダ２０にアパーチャ１０を
接着する工程はこれまでと同じであり、ホルダ２０の段
部２２の接着面２３に接着剤３０を塗布し、その上に前
記アパーチャ１０の周辺部を押し付けて接着を行うが、
この際にアパーチャ１０と段部２２との間に挟まれる余
剰の接着剤３０はホルダ２０の前記溝２４内に流入され
る。このとき、溝２４内の空気は逃げ穴２５を通して外
部に排気されるため、溝２４内への接着剤３０の流入は
スムーズに行われる。また、溝２４内に流入される接着
剤３０の量が多い場合には、その一部は逃げ穴２５にま
で進入されることになる。これにより、接着剤３０がア
パーチャ１０の開口部６側や表面上にはみ出されるよう
なことはなくなり、電子線露光装置内における装置内の
汚染が防止され、描画精度の低下やアパーチャ寿命が短
くなるという問題が解消される。また、アパーチャ１０
の開口部６が接着剤によって汚染されることが防止さ
れ、描画するレジストパターン不良が防止できる。
接着する工程はこれまでと同じであり、ホルダ２０の段
部２２の接着面２３に接着剤３０を塗布し、その上に前
記アパーチャ１０の周辺部を押し付けて接着を行うが、
この際にアパーチャ１０と段部２２との間に挟まれる余
剰の接着剤３０はホルダ２０の前記溝２４内に流入され
る。このとき、溝２４内の空気は逃げ穴２５を通して外
部に排気されるため、溝２４内への接着剤３０の流入は
スムーズに行われる。また、溝２４内に流入される接着
剤３０の量が多い場合には、その一部は逃げ穴２５にま
で進入されることになる。これにより、接着剤３０がア
パーチャ１０の開口部６側や表面上にはみ出されるよう
なことはなくなり、電子線露光装置内における装置内の
汚染が防止され、描画精度の低下やアパーチャ寿命が短
くなるという問題が解消される。また、アパーチャ１０
の開口部６が接着剤によって汚染されることが防止さ
れ、描画するレジストパターン不良が防止できる。
【００１６】ここで、図５（ａ），（ｂ）に平面図とＣ
Ｃ線拡大断面図に示すように、ホルダ２０の接着面２３
に形成される溝は、複数の溝２６を配列した構成として
もよい。このように溝の数を増やすことで、余剰の接着
剤が多い場合でも、接着剤３０を溝２６内に流入させて
そのはみ出しを確実に防止することが可能となる。この
場合、各溝はその少なくとも一部において相互に連通さ
れる構成とすれば、各溝内に接着剤が流入する際に空気
を逃がして流入をスムーズに行う上で好ましい。
Ｃ線拡大断面図に示すように、ホルダ２０の接着面２３
に形成される溝は、複数の溝２６を配列した構成として
もよい。このように溝の数を増やすことで、余剰の接着
剤が多い場合でも、接着剤３０を溝２６内に流入させて
そのはみ出しを確実に防止することが可能となる。この
場合、各溝はその少なくとも一部において相互に連通さ
れる構成とすれば、各溝内に接着剤が流入する際に空気
を逃がして流入をスムーズに行う上で好ましい。
【００１７】また、図示は省略したが、アパーチャとホ
ルダが互いに接着される面のそれぞれに溝を形成するこ
とも可能である。ただし、溝の数が増えると、これに伴
ってアパーチャとホルダの接着面積が低減されることに
なり、接着強度が低下されるおそれがあるため、適切な
溝数、溝幅に設計することは必要である。
ルダが互いに接着される面のそれぞれに溝を形成するこ
とも可能である。ただし、溝の数が増えると、これに伴
ってアパーチャとホルダの接着面積が低減されることに
なり、接着強度が低下されるおそれがあるため、適切な
溝数、溝幅に設計することは必要である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
パーチャとホルダの少なくとも一方の接着面に溝を備え
ることにより、アパーチャをホルダに接着する際に接着
剤のはみ出しが生じることがない。そのため、アパーチ
ャの開口部を汚すこともなくなり、アパーチャの作製歩
留まりが向上する。また、電子ビーム照射部分に接着剤
がはみ出さないためアパーチャ寿命が向上すると共に、
電子線描画装置内を汚す事がなくなり描画精度低下を引
き起こす事がなくなる。
パーチャとホルダの少なくとも一方の接着面に溝を備え
ることにより、アパーチャをホルダに接着する際に接着
剤のはみ出しが生じることがない。そのため、アパーチ
ャの開口部を汚すこともなくなり、アパーチャの作製歩
留まりが向上する。また、電子ビーム照射部分に接着剤
がはみ出さないためアパーチャ寿命が向上すると共に、
電子線描画装置内を汚す事がなくなり描画精度低下を引
き起こす事がなくなる。
【図１】本発明の第１の実施形態の平面図とそのＡＡ線
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態のアパーチャの断面図と
底面図である。
底面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態のアパーチャの製造方
法を工程順に示す断面図である。
法を工程順に示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態のホルダの平面図とＢ
Ｂ線拡大断面図である。
Ｂ線拡大断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の変形例の平面図とＣ
Ｃ線拡大断面図である。
Ｃ線拡大断面図である。
【図６】従来のアパーチャの製造方法を工程順に示す断
面図である。
面図である。
【図７】従来のアパーチャの断面図と平面図及び開口部
の拡大図である。
の拡大図である。
【図８】従来のアパーチャ装置の平面図とＤＤ線拡大断
面図である。
面図である。
【図９】従来のアパーチャ装置における問題を説明する
ための断面図と開口部及びパターンの拡大図である。
ための断面図と開口部及びパターンの拡大図である。
１ ウェハ ２ 貼り合せ面 ３ ウェットエッチング用保護膜 ４ レジストマスク ５ バックエッチ用窓 ６ 開口部 ７ 導電膜 ８ レジストマスク ９ 溝 １０ アパーチャ ２０ ホルダ ２１ 中央窓部 ２２ 段部 ２３ 接着面 ２４ 溝 ２５ 逃げ穴 ２６ 複数の溝 ３０ 接着剤
Claims (5)
- 【請求項１】 電子ビームでの描画に用いる開口部を有
するアパーチャと、このアパーチャを固定支持するホル
ダとを備えるアパーチャ装置において、前記アパーチャ
は前記ホルダに接着剤により接着固定されるとともに、
前記アパーチャと前記ホルダの接着面の少なくとも一方
には、接着剤の流入を可能とした溝が形成されているこ
とを特徴とする電子ビーム描画用アパーチャ装置。 - 【請求項２】 前記アパーチャの接着面に、アパーチャ
の周縁に沿って複数の溝が形成されている請求項１に記
載の電子ビーム描画用アパーチャ装置。 - 【請求項３】 前記ホルダの接着面に、周縁に沿って１
以上の溝が形成され、かつ少なくとも１つの溝は前記ホ
ルダに貫通された逃げ穴を通してホルダの外面に連通さ
れている請求項１または２に記載の電子ビーム描画用ア
パーチャ装置。 - 【請求項４】 ２枚の半導体基板を貼り合わせたウェハ
の表面側の所要領域に電子ビーム描画用の開口パターン
を選択的に開口する工程と、前記ウェハの裏面側の周辺
部をマスクした状態で中央領域を裏面側からエッチング
して開口部を形成する工程と、前記ウェハの裏面側の周
辺部に溝形状のマスクを形成し、このマスクを用いて前
記ウェハの裏面側の周辺部を浅くエッチングして溝を形
成する工程と、作製されたアパーチャを前記ウェハ裏面
側の周辺部においてホルダに接着剤により接着固定する
工程を含むことを特徴とする電子ビーム描画用アパーチ
ャ装置の製造方法。 - 【請求項５】 電子ビームによる描画に用いる開口部を
有するアパーチャをホルダに接着剤で固定するに際し、
前記ホルダの製造工程に、前記アパーチャを接着する接
着面に溝を形成する工程を含むことを特徴とする電子ビ
ーム描画用アパーチャ装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23815597A JP3168952B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 電子ビーム描画用アパーチャ装置とその製造方法 |
| US09/146,531 US6198109B1 (en) | 1997-09-03 | 1998-09-03 | Aperture apparatus used for photolithography and method of fabricating the same |
| CN98117900A CN1129172C (zh) | 1997-09-03 | 1998-09-03 | 用于光刻法的孔装置及其制造方法 |
| TW087114794A TW405173B (en) | 1997-09-03 | 1998-09-03 | Aperture apparatus used for photolithography and method of fabricating the same |
| KR1019980036297A KR100309300B1 (ko) | 1997-09-03 | 1998-09-03 | 포토리소그래피용으로 사용된 에퍼처 장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23815597A JP3168952B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 電子ビーム描画用アパーチャ装置とその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187211A true JPH1187211A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3168952B2 JP3168952B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=17026017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23815597A Expired - Fee Related JP3168952B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 電子ビーム描画用アパーチャ装置とその製造方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3168952B2 (ja) |
| KR (1) | KR100309300B1 (ja) |
| CN (1) | CN1129172C (ja) |
| TW (1) | TW405173B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5310660B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2013-10-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP6819509B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2021-01-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4254174A (en) * | 1979-03-29 | 1981-03-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Supported membrane composite structure and its method of manufacture |
| DE3524196C3 (de) * | 1984-07-06 | 1994-08-04 | Canon Kk | Lithografiemaske |
| JPH0650719B2 (ja) | 1985-03-29 | 1994-06-29 | キヤノン株式会社 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
| US4800458A (en) * | 1985-09-24 | 1989-01-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Recording sheet bonded to a substrate in a magnetic disk |
| ATA331185A (de) * | 1985-11-13 | 1994-05-15 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Verfahren zum stabilisieren von masken |
| EP0244496B1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-01-16 | Ibm Deutschland Gmbh | Maske für die Ionen-, Elektronen- oder Röntgenstrahllithographie und Verfahren zur ihrer Herstellung |
| US5258091A (en) * | 1990-09-18 | 1993-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing X-ray window |
| JPH0992610A (ja) | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Nec Corp | 荷電ビーム描画装置 |
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1997
- 1997-09-03 JP JP23815597A patent/JP3168952B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-03 KR KR1019980036297A patent/KR100309300B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-03 TW TW087114794A patent/TW405173B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-03 CN CN98117900A patent/CN1129172C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-03 US US09/146,531 patent/US6198109B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6198109B1 (en) | 2001-03-06 |
| CN1211818A (zh) | 1999-03-24 |
| KR100309300B1 (ko) | 2001-11-22 |
| CN1129172C (zh) | 2003-11-26 |
| JP3168952B2 (ja) | 2001-05-21 |
| TW405173B (en) | 2000-09-11 |
| KR19990029500A (ko) | 1999-04-26 |
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