KR100309300B1 - 포토리소그래피용으로 사용된 에퍼처 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
포토리소그래피용으로 사용된 에퍼처 장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100309300B1 KR100309300B1 KR1019980036297A KR19980036297A KR100309300B1 KR 100309300 B1 KR100309300 B1 KR 100309300B1 KR 1019980036297 A KR1019980036297 A KR 1019980036297A KR 19980036297 A KR19980036297 A KR 19980036297A KR 100309300 B1 KR100309300 B1 KR 100309300B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- aperture
- holder
- adhesive
- opening
- grooves
- Prior art date
Links
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31794—Problems associated with lithography affecting masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
전자빔으로 포토리소그래피에 의해 기판상에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 장치가 제공되는데, 그 장치는 (1) 전자빔이 통과하는 적어도 하나의 개구부를 가지고 형성된 에퍼처 (10) 및 (2) 접착제 (30) 에 의해 에퍼처 (10) 를 견고하게 지지하기 위한 홀더 (20) 를 포함하고, 에퍼처 (10) 가 홀더 (20) 에 접착하여 고정된 에퍼처 (10) 의 표면이 접착제 (30) 의 잉여분이 흘러들어가는 적어도 하나의 홈을 가지고 형성되는 것을 특징으로 한다. 에퍼처 (10) 가 접착제 (30) 로 홀더 (20) 에 고정된 때에 접착제 (30) 는 에퍼처 (10) 또는 홀더 (20) 의 표면에 과도하게 발라질 수도 있다. 그러나, 상기 장치에 의하면, 잉여의 접착제 (30) 가 홈에 고이므로 잉여 접착제 (30) 가 에퍼처 (10) 의 개구부로 밀려나오는 것을 피할 수 있고, 따라서, 포토레지스트 막상에 부정확한 패턴을 형성하는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 회로 패턴을 형성하기 위하여 반도체 기판상에 형성된 패턴된 포토레지스트 막상에 전자빔이 조사되는 에퍼처 및 에퍼처를 고정 지지하기 위한 홀더를 포함하는 장치에 관한 것이다. 또한 본 발명은 그와 같은 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 기판으로서 웨이퍼상에 미세 패턴을 형성하기 위하여 포토리소그래피가 널리 사용되어져 왔다. 포토리소그래피에서, 패턴된 포토레지스트 막을 광에노출시키기 위하여 스텝 앤드 리피트 노광 시스템 (스텝퍼) 이 사용되어져 왔다. 스텝퍼는 처음에는 광원으로서 자외선빔을 사용했다. 그러나 최근에 미세한 사이즈의 패턴을 형성하기 위해 더 짧은 단파장을 갖는 광을 발산하는 광원이 사용되어져 왔다. 예를 들어, 수은 램프의 436nm 의 파장을 갖는 g-선, 수은 램프의 365nm 의 파장을 갖는 i-선, 그리고 249nm 의 파장을 갖는 KrF 엑시머 레이저 빔이 지금까지 사용되어져 왔다.
단파장을 갖는 광을 발산하는 광원을 사용하여 해상도가 증가될 수 있다. 그러나, 그와 같은 광원은 초점 심도를 저하시켜, 초점의 번짐으로 인하여 패턴의 미세화가 저하되는 문제점을 발생시킨다.
이와 같은 이유 때문에, 전자빔 노광은 주목을 받았다. 전자빔 노광이 광노광보다 더 큰 초점심도를 갖기 때문이다. 전자빔 노광은 노광보다 더 높은 해상의 패턴을 형성을 가능하게 하나, 낮은 처리능력을 갖는 단점이 있다.
그러나, 상기 문제점을 해결하기 위한 노광 프로세스가 개발되어져, 현저하게 처리능력을 증가시켰다. 노광 프로세스에서, 전자빔은 에퍼처에 의해 일정한 사이즈의 직사각형 패턴으로 집광되어, 집광된 패턴은 웨이퍼에 일괄 전사되고, 이 패턴들을 서로 연결하여 전체의 회로 패턴을 웨이퍼상에 전사한다.
도 1a 내지 1d 는 상기 노광 시스템에 사용된 에퍼처의 단면도로서, 에퍼처를 제조하는 방법의 각각의 공정을 도시한다.
도 1a 에서 도시한 바와 같이, 제 1 및 제 2 실리콘 기판 (1a, 1b) 은 서로 접착되어 웨이퍼 (1) 를 형성한다. 제 1 및 제 2 실리콘 기판 (1a, 1b) 은 경계선표면 (2) 에서 서로 접착된다. 그런 후, 웨이퍼 (1) 가 종래의 포토리소그래피 및 에칭에 의해 소망 패턴의 개구부 (1c) 가 면방향 (100) 을 갖는 표면에 형성된다. 그런 후 습식에칭으로 부터 웨이퍼 (1) 를 보호하기 위한 보호막 (3) 이 화학 기상 증착법 (CVD) 에 의해 웨이퍼 (1) 의 상면, 측면 및 하면에 전체적으로 형성된다. 예를 들어, 보호막 (3) 은 질화 실리콘 막이다.
도 1b 에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 막은 웨이퍼 (1) 의 하면에 형성되고, 웨이퍼 (1) 의 개구부 (1c) 아래에 개구부를 갖도록 포토레지스트 막이 패턴된다. 그런 후, 보호막 (3) 이 마스크로서 사용되는 패턴된 포토레지스트 막 (4) 에 의해 건식 에칭되어, 보호막 (3) 에 창 (5) 을 형성한다.
도 1c 에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 (1) 가 창 (5) 을 통하여 노출된 영역의 하면에서 다시 에칭된다. 제 1 실리콘 기판 (1a) 이 나타날 때까지, 웨이퍼 (1) 는 습식 에칭 용액에 의해 에칭된다. 즉 제 2 실리콘 기판 (1b) 의 전체 두께 뿐만 아니라 경계면 (2) 까지 에칭된다. 따라서 웨이퍼 (1) 의 하면에 개구부 (6) 가 형성된다. 예를 들어, 습식 에칭 용액으로, 수산화 칼륨 및 히드라진과 같은 가열된 알카리 용액이 사용될 수도 있다.
면방위 (111) 가 습식 에칭 동안에 개구부 (6) 에 나타나므로, 개구부 (6) 는 끝이 가늘어지는 벽을 가지도록 설계될 수가 있다.
도 1d 에 도시된 바와 같이, 패턴된 포토레지스트 막(4) 및 보호막 (3) 은 모두 제거된다. 그런 후 전자 빔이 웨이퍼 (1) 의 상면에 조사될 때 발생하는 차아지 업(charge-up)을 방지하기 위해, 스퍼터링에 의해 웨이퍼 (1) 의 상면에 전기도전 막 (7) 이 형성된다. 예를 들어, 전기 도전 막 (7) 은 Au로 구성되어 있다.
따라서, 도 2a 내지 2c 에는 완성된 에퍼처 (10) 가 도시된다. 도 2a 는 에퍼처 (10) 의 단면도이고, 도 2b 는 에퍼처 (10) 의 평면도이고, 도 2c 는 개구부 (6) 의 확대도이다. 도 2b 에 도시한 바와 같이, 에퍼처 (10) 에 형성된 개구부 (6) 는 4×3 로 배열된 미세한 개구부 (6a) 로 이루어진다. 개구부 (6a) 들 각각은 도 2c 에 도시된 바와 같은 패턴을 갖도록 설계된다. 즉, 개구부 (6a) 들 각각은 상호 평행하게 놓여진 다수의 수평적으로 연장되는 슬릿 (6b) 을 포함한다. 전자 빔이 슬릿을 포함하는 다수의 미세한 개구부 (6a) 를 가진 개구부 (6) 를 통하여 포토레지스트 막에 조사될 때, 슬릿 (6b) 이 정렬된 포토레지스트 막의 부분이 노출되어, 그와 같은 포토레지스트의 부분이 에칭되거나, 또는 에칭되지 않는다.
도 3a 및 3b 에 도시된 바와 같이, 이와 같이 완성된 에퍼처 (10) 는 홀더 (20) 에 고정된다. 홀더 (20) 는 에퍼처 (10) 의 개구부 (6) 가 노출되는 중앙 창 (21) 을 갖는 프레임으로서 구성되고, 중앙 창 (21) 주변에, 감소된 두께를 가진 계단부 (22) 을 갖는다. 계단부 (22) 는 접착면 (23) 으로서 상면을 가지며, 이 상면에는 예를 들어, 은 페이스트로 구성된 접착층 (30) 에 의해 에퍼처 (10) 의 가장자리부가 접착된다. 예를 들어, 에퍼처 (10) 는 첫째로 접착 표면 (23) 에 접착제를 바르고, 계단부 (22) 에 에퍼처 (10) 를 압착시킴으로써 홀더 (20) 의 계단부 (22) 에 고정된다.
도 1a 내지 도 3b를 참조하여 설명된, 홀더 (20) 에 고정된 에퍼처 (10) 를 포함하는 장치는, 에퍼처 (10) 와 홀더 (20) 사이에서 통과하는, 접착제 (30) 의일부 (30a) 가 홀더 (20) 의 중앙 창 (21) 으로 들어갈 수도 있고, 또한 일부 (30b) 가 에퍼처 (10) 의 상면위로 들어갈 수도 있는 문제점이 있다. 접착제 (30) 의 일부가 (30a, 30b) 은 장치를 오염시키고, 그리하여 전자빔으로 묘화하는데 있어서 정확성을 저하시키고 에퍼처 (10) 의 수명을 감소시키는 문제점을 발생시킨다.
특히, 도 4b 에 도시한 바와 같이, 접착제 (30) 의 일부 (30a) 가 상당히 과도한 양으로 중앙 창 (21) 으로 들어온다면, 그 일부 (30a) 는 에퍼처 (10) 의 개구부 (6) 에 불리하게 도달할 수도 있고, 개구부 (6) 의 슬릿 (6b) 을 부분적으로 덮을 수도 있다. 전자빔이 접착제 (30b) 에 의해 덮여진 슬릿 (6b) 을 가진 포토레지스트 막위에 조사된다면, 도 4c 에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴 (PR) 에 결함 (31) 이 발생된다.
본 발명의 목적은, 접착제가 에퍼처의 개구부 안으로 또는 에퍼처의 상면에 들어가는 것을 방지할 수 있는 에퍼처 장치와 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에서,
전자 빔이 통과하는 적어도 하나의 개구부 (6) 를 가지고 형성된 에퍼처 (10) ; 및
접착제 (30) 에 의해 상기 에퍼처 (10) 를 견고하게 지지하기 위한 홀더 (20) 를 포함하고,
상기 에퍼처 (10) 가 상기 홀더 (20) 에 접착하여 고정된 상기 에퍼처 (10)및 상기 홀더 (20) 의 표면 중 적어도 하나가 상기 접착제 (30) 의 잉여 부분이 흘러 들어오게 하기 위한 적어도 하나의 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔으로 포토리소그래피에 의해 기판상에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 실시예에서는,
제 1 및 제 2 반도체 기판 (1a, 1b) 을 서로 접착하는 공정 ;
상기 제 1 반도체 기판 (1a) 의 표면상에 패턴된 오목부 (1c) 를 형성하는 공정 ;
전체 두께만큼 상기 제 2 반도체 기판 (1b) 을 에칭하여 상기 제 1 반도체 기판 (1a) 의 상기 패턴된 오목부 (1c) 의 아래의 하면에 개구부 (6) 를 형성하는 공정 ;
상기 개구부 (6) 주위의 상기 제 2 반도체 기판의 하면 또는 제 1 및 제 2 반도체 기판 (1a, 1b) 이 고정된 홀더 (20) 의 표면 (23) 중 하나에, 상기 접착된 제 1 및 제 2 반도체 기판 (1a, 1b) 이 상기 홀더 (20) 상에 고정된 때 상기 홈 (9) 이 상기 개구부 (6) 의 주위에 위치하는 방식으로 적어도 하나의 홈을 형성하는 공정 ; 및
접착제 (30) 에 의해 상기 홀더 (20) 상의 하면에 상기 접착된 제 1 및 제 2 반도체 기판 (1a, 1b) 을 고정하는 공정을 포함하는 전자빔으로 포토리소그래피에 의해 기판상에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 장치를 제조하는 방법이 제공된다.
에퍼처가 접착제에 의해 홀더에 고정된 때 상기 장치 또는 방법에 의하면,접착제의 잉여부분은 홈에 흘러 들어가므로, 접착제의 잉여부분이 에퍼처의 개구부 또는 에퍼처의 상면으로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 개구부 또는 에퍼처의 상면은 접착제에 의해 손상되지 않아서, 낮은 고장율과 더 높은 제조 수율을 보장한다. 게다가, 접착제가 에퍼처의 개구부로 들어가는 것을 방지하기 때문에, 개구부의 패턴은 더 이상 접착제로 인해 손상되지 않아서, 높은 정확성과 신뢰성을 갖는 패턴 형성을 보장한다.
도 1a 내지 도 1d 는 공지의 에퍼처의 단면도로서, 그 제조방법의 각각의 공정을 도시한 도면이다.
도 2a 는 도 1a 내지 도 1d 에 도시된 공지의 에퍼처의 단면도이다.
도 2b 는 도 2a 에 도시한 공지의 에퍼처의 평면도이다.
도 2c 는 개구부의 확대도이다.
도 3a 는 공지의 에퍼처 장치의 평면도이다.
도 3b 는 도 3a의 라인 IIIB-IIIB를 따라 취해진 단면도이다.
도 4a 는 공지의 에퍼처 장치의 단면도이다.
도 4b 는 도 4a 에 도시된 에퍼처 장치의 개구부의 확대도이다.
도 4c 는 도 4a 에 도시된 에퍼처 장치에 의해 형성된 패턴의 확대도이다.
도 5a 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 에퍼처 장치의 평면도이다.
도 5b 는 도 5a의 라인 VB-VB를 따라 취해진 단면도이다.
도 6a 는 도 5a에 도시된 에퍼처 장치의 에퍼처의 단면도이다.
도 6b 는 도 6a에 도시된 에퍼처의 저면도이다.
도 7a 내지 7f 는 도 5a 에 도시된 에퍼처 장치의 단면도로서, 각각은 그 제조방법의 각각의 공정을 도시한다.
도 8a 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 에퍼처 장치의 평면도이다.
도 8b 는 도 8a 의 라인 VIIIB-VIIIB를 따라 취해진 단면도이다.
도 9a 는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 에퍼처 장치의 평면도이다.
도 9b 는 도 9a 의 라인 IXB-IXB 를 따라 취해진 단면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
6 : 개구부 8 : 포토레지스트 마스크
10 : 에퍼처 20 : 홀더
21 : 중앙 창 22 : 계단부
24 : 홈 25 : 관통홀
26 : 부가된 홈 30 : 접착제
본 발명의 상기 및 다른 목적, 장점 및 특징은 첨부 도면과 관련하여 설명되는 다음의 기재로부터 더 명백하게 될 것이다.
도 5a 및 도 5b 는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 에퍼처 장치를 도시한 도면이다. 도시된 에퍼처 장치는 하면에 개구부 (6) 를 포함하는 에퍼처 (10) 와 에퍼처 (10) 가 고정된 홀더 (20) 를 포함한다.
홀더 (20) 는 에퍼처 (10) 의 개구부 (6) 가 노출된 중앙 창 (21) 을 포함하는 프레임으로서 구성되고, 중앙 창 (21) 주변에 감소된 두께를 갖는 계단부 (22) 를 갖는다. 계단부 (22) 는 접착면 (23) 으로서 상면을 포함하며, 이 상면상에는 접착층 (30) 에 의해 에퍼처 (10) 의 가장자리 부분이 접착되어 있다. 도 5b에서 도시한 바와 같이, 에퍼처 (10) 는, 먼저 접착제 (30) 를 접착 표면 (23) 에 도포하고 에퍼처 (10) 를 계단부 (22) 상에 압착함으로써 홀더 (20) 의 계단부 (22) 부에 고정된다.
도 6a 및 도 6b 는 에퍼처 (10) 의 단면도와 저면도이다. 도시된 바와 같이, 에퍼처 (10) 의 하면에는 다수의 직사각형의 홈 (9) 이 형성되어 있다. 홈 (9) 은 상호 평행하게 에퍼처 (10) 의 모서리를 따라 연장되게 설계된다.
도 7a 내지 7f 는 도 6a, 6b 에 도시된 에퍼처 (10) 의 단면도로서, 각각은 에퍼처 (10) 제조방법의 각각의 공정을 도시한다.
도 7a 에 도시한 바와 같이, 제 1 및 제 2 실리콘 기판 (1a, 1b) 은 서로 접착되어 웨이퍼 (1) 를 형성한다. 제 1 및 제 2 실리콘 기판 (1a, 1b) 은 경계 면 (2) 에서 서로 접착된다. 그런 후, 종래의 포토리소그래피 및 에칭에 의해 웨이퍼 (1) 의 면방위 (100)을 포함하는 표면에 소망하는 패턴의 개구부 (1c) 를 형성한다.
그런 후, 습식 에칭으로부터 웨이퍼 (1) 를 보호하기 위한 보호 막 (3) 이 화학 기상 증착법 (CVD) 에 의해 웨이퍼 (1) 의 상면, 측면 및 하면 전부에 형성된다. 예를 들어, 보호 막 (3) 은 질화 실리콘 막이다.
그런 후, 도 7b에 도시한 바와 같이, 포토레지스트 막은 웨이퍼 (1) 의 하면상에 형성되고, 포토레지스트 막이 웨이퍼 (1) 의 개구부 (1c) 아래에 개구부를 갖도록 패턴된다. 그런 후 보호 막 (3) 은 마스크로서 사용되는 패턴된 포토레지스트 막 (4) 으로 건식 에칭되어, 웨이퍼 (1) 의 개구부 (1c) 아래의 보호막 (3) 에 창 (5) 을 형성한다.
그런 후, 도 7c에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 (1) 는 창 (5) 을 통하여 노출된 영역의 하면에서 에치백된다. 제 1 실리콘 기판 (1a) 이 나타날 때까지, 웨이퍼 (1) 는 습식 에칭 용액에 의해 에칭된다. 즉, 도 7c 에 도시된 바와 같이, 제2 실리콘 기판 (1b) 의 전체 두께 뿐만 아니라 경계면 (2) 까지 에칭된다. 그런 후, 웨이퍼 (1) 의 하면에 개구부 (6) 가 형성된다. 예를 들어, 수산화칼륨 및 히드라진과 같은 가열된 알카리 용액이 습식 에칭용액으로 사용될 수도 있다.
면방위 (111) 가 습식 에칭 동안에 개구부 (6) 에 나타나므로, 개구부 (6) 는 테이퍼되는 벽을 가지도록 설계될 수가 있다.
도 7d 에 도시된 바와 같이, 패턴된 레지스트 막 (4) 및 보호막 (3) 은 모두 제거된다. 그런 후 전자 빔이 웨이퍼 (1) 의 상면에 조사될 때 발생하는 차아지 업 (charge-up) 을 방지하기 위해 전기 도전 막 (7) 이 스퍼터링에 의해 웨이퍼 (1) 의 상면에 형성된다. 예를 들어, 전기 도전 막 (7) 은 Au로 구성되어 있다.
그런 후, 도 7e 에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 마스크 (8) 가 개구부 (6) 주위의 웨이퍼 (1) 의 하면에 형성된다. 포토레지스트 마스크 (8) 에는 다수의 홈 모양의 개구부가 형성된다. 에칭 마스크로서 사용되는 포토레지스트 마스크로 웨이퍼 (1) 의 하면이 에치백된다. 그 결과, 다수의 홈 (9) 들이, 도 6b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 (1) 의 하면에 형성된다.
그런 후, 포토레지스트 마스크 (8) 는 제거된다. 따라서 도 7f에 도시된 바와 같이, 제 1 실시예에서 사용된 에퍼처 (10) 가 완성된다.
이렇게 제조된 에퍼처 (10) 는, 도 5b에서 도시된 바와 같이, 홀더 (20) 의 계단부 (22) 의 접착 표면 (23) 상에 접착제 (30) 를 도포하고, 그런 후 홀더 (20) 상에 에퍼처 (10) 를 압착함으로써 접착제 (30) 에 의해 홀더 (20) 에 고정된다. 에퍼처 (10) 가 홀더 (20) 의 계단부 (22) 상에 압착될 때, 접착제 (30) 의 잉여분은 에퍼처 (10) 의 하면에 형성된 홈 (9) 속으로 흘러들어 가게 된다. 그리하여, 접착제 (30) 가 에퍼처 (10) 의 개구부 (6) 또는 상면상에 흘러들어 가는 것을 방지한다. 따라서, 접착제 (30) 로 인한 개구부 (6) 의 오염, 전자빔의 묘화 정확도의 저하 및 에퍼처 (10) 의 수명 감소의 문제점은 모두 해결된다.
도 8a 및 8b 는 제 2 실시예에 따른 에퍼처 장치를 도시한다. 제 1 실시예에 대응하거나 동일한 부분들 또는 소자는 동일한 참조번호를 가지고 제공된다.
제 2 실시예에서, 도 2a 에 도시된 종래의 에퍼처가 에퍼처 (10) 로서 사용된다. 홀더 (20) 의 계단부 (22) 의 접착면 (23) 에 계단부 (22) 부의 모서리를 따라 연장된 홈 (24) 이 형성되어 있다.
홀더 (20) 의 4 측면의 안쪽에는 수평적으로 연장하는 관통홀 (25) 이 형성되어 있다. 각각의 관통홀 (25) 은 홈 (24) 에 수직으로 연장하며, 홈 (24) 이 홀더 (20) 의 외부 표면과 통하도록 한다. 즉, 홈 (24) 을 홀더 (20) 의 외부와 통하도록 한다. 홀더 (20) 는 금속 판을 기계적으로 가공함으로써 형성된다. 계단부 (22), 홈 (24) 및 관통홀 (25) 을 절삭가공에 의해 형성할 수 있다.
에퍼처 (10) 는 종래의 방식으로 홀더 (20) 에 고정된다. 즉, 에퍼처 (10) 는 홀더 (20) 의 계단부 (22) 의 접착면 (23) 에 접착제 (30) 를 도포하고 계단부 (22) 상에 에퍼처 (10) 를 압착함으로써 홀더 (20) 에 고정된다. 에퍼처 (10) 를 계단부 (22) 상에 압착하는 동안, 에퍼처 (10) 와 계단부 (22) 사이에 끼워진 접착제 (30) 의 잉여분은 계단부 (22) 부의 접착면 (23) 에 형성된 홈 (24) 으로 흘러들어가게 한다. 홈 (24) 에 있는 공기가 관통홀 (25) 을 통하여 외부로 방출되므로, 접착제 (30) 의 잉여분은 원활하게 홈 (24) 안으로 흘러들어 갈 수 있다.
접착제 (30) 가 너무 과도하게 홈 (24) 으로 흘러 들어가면, 접착제 (30) 의 일부는 관통홀 (25) 속으로 밀려들어간다. 그 결과, 접착제 (30) 가 개구부 (6) 로 또는 에퍼처 (10) 의 상면에 밀려들어가는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 개구부 (6) 를 접착제 (30) 로 오염시키는 문제, 전자빔의 묘화 정확도의 저하 및 에퍼처 (10) 의 수명의 감소의 문제들이 모두 해결된다.
도 9a 및 9b 에 도시한 바와 같이, 부가된 홈 (26) 은 먼저 형성된 홈 (24) 과 평행하게 계단부 (22) 부의 접착면 (23) 에 형성될 수도 있다. 홈의 증가된 수는 접착제 (30) 의 잉여분이 반드시 홈 (24, 26) 안으로 흘러들어가게 하는 것을 보장하고, 그 결과, 반드시 접착제 (30) 가 개구부 (6) 안으로 또는 에퍼처 (10) 의 상면상에 밀려들어오는 것을 방지한다.
부가된 홈 (26) 이 적어도 부분적으로 홈 (24) 과 통해 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 부가된 홈 (26) 이 홈 (24) 과 통하도록 하기 위해 관통홀 (25) 이 부가된 홈 (26) 까지 연장되도록 설계될 수도 있다. 부가된 홈 (26) 과 홈 (24) 이 서로 통하도록 함으로써, 부가된 홈 (26) 에 존재하는 공기는 즉시 방출되고, 잉여의 접착제 (30) 는 원활하게 부가된 홈 (26) 으로 흘러 들어간다.
비록 도시되지는 않았지만, 에퍼처 (10) 및 홀더 (20) 에는 모두 홈 또는 홈들이 형성될 수도 있다. 구체적으로, 도 6a 에 도시된 바와 같이, 에퍼처 (10) 의 하면에는 홈 또는 홈들이 형성될 수도 있다. 게다가, 도 8b 및 9b 에 도시된 바와 같이, 홀더 (20) 의 계단부의 접착면 (23) 에는 홈 또는 홈들이 형성될 수 있다.그러나 너무 많은 홈이 에퍼처의 하면 및/또는 접착면 (23) 에 형성된다면, 에퍼처 (10) 및 홀더 (20) 사이에서 충분한 접촉면이 보장될 수 없어서, 접착 강도가 저하되는 문제가 발생한다. 따라서, 적절한 수의 홈과 적절한 폭의 홈을 선택할 필요가 있다.
여기에 기술된 본 발명의 실시예에 대해 여러 가지 변형이 본 발명을 실현하는데 있어 채용될 수 있는 것으로 이해되어져야 한다. 따라서, 다음의 청구범위가 본 발명의 범위를 규정하는 것으로, 그리고 이들 청구범위 내의 방법 및 구성들 그리고 그들의 등가적인 것들이 청구범위에 의해 포함되는 것으로 의도된다.
Claims (5)
- 전자 빔이 통과하는 적어도 하나의 개구부 (6) 가 형성된 에퍼처 (10) ; 및접착제 (30) 에 의해 상기 에퍼처 (10)를 고정 지지하기 위한 홀더 (20) 를 포함하고,상기 에퍼처 (10) 의 상기 표면에는 상기 에퍼처 (10) 의 모서리를 따라 상기 접착제 (30) 의 잉여 부분이 흘러들어 오게 하기 위한 다수의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 전자빔으로 포토리소그래피에 의해 기판상에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 장치.
- 전자 빔이 통과하는 적어도 하나의 개구부 (6) 가 형성된 에퍼처 (10) ; 및접착제 (30) 에 의해 상기 에퍼처 (10)를 고정 지지하기 위한 홀더 (20) 를 포함하고,상기 홀더 (20) 의 표면 (23) 에는 상기 홀더 (20) 의 모서리를 따라 상기 접착제의 잉여 부분이 흘러 들어오게 하기 위한 다수의 홈 (24, 26) 이 형성되고,상기 홀더 (20) 에는 상기 홈 (24, 26) 중 적어도 하나를 홀더의 외부로 소통시키는 적어도 하나의 관통홀 (25) 이 형성되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 홈 (24, 26) 은 서로 소통되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 1 및 제 2 반도체 기판 (1a, 1b) 을 서로 접착하는 공정 ;상기 제 1 반도체 기판 (1a) 의 표면상에 패턴된 오목부 (1c) 를 형성하는 공정 ;전체 두께만큼 상기 제 2 반도체 기판 (1b) 을 에칭하여 상기 제 1 반도체 기판 (1a) 의 상기 패턴된 오목부 (1c) 의 아래의 하면에 개구부 (6) 를 형성하는 공정 ;상기 접착된 제 1 및 제 2 반도체 기판 (1a, 1b) 이 상기 홀더 (20) 상에 고정될 때 상기 홈 (9) 이 상기 개구부 (6) 의 주위에 위치하도록, 상기 개구부 (6) 주위의 상기 제 2 반도체 기판의 하면 및 접착된 제 1 및 제 2 반도체 기판 (1a, 1b) 이 고정된 홀더 (20) 의 표면 (23) 중 하나에 적어도 하나의 홈 (9, 24, 26) 을 형성하는 공정 ; 및접착제 (30) 에 의해 상기 홀더 (20) 상에 상기 접착된 제 1 및 제 2 반도체 기판 (1a, 1b) 의 하면을 고정하는 공정을 포함하는 전자빔으로 포토리소그래피에 의해 기판상에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 장치를 제조하는 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 홈 (24, 26) 을 홀더의 외부로 소통시키는 적어도 하나의 관통홀 (25) 을 가진 상기 홀더 (20) 를 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23815597A JP3168952B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 電子ビーム描画用アパーチャ装置とその製造方法 |
| JP97-238155 | 1997-09-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990029500A KR19990029500A (ko) | 1999-04-26 |
| KR100309300B1 true KR100309300B1 (ko) | 2001-11-22 |
Family
ID=17026017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980036297A KR100309300B1 (ko) | 1997-09-03 | 1998-09-03 | 포토리소그래피용으로 사용된 에퍼처 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6198109B1 (ko) |
| JP (1) | JP3168952B2 (ko) |
| KR (1) | KR100309300B1 (ko) |
| CN (1) | CN1129172C (ko) |
| TW (1) | TW405173B (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5310660B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2013-10-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP6819509B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2021-01-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4804600A (en) * | 1984-07-06 | 1989-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithographic mask structure and process for preparing the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4254174A (en) * | 1979-03-29 | 1981-03-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Supported membrane composite structure and its method of manufacture |
| JPH0650719B2 (ja) | 1985-03-29 | 1994-06-29 | キヤノン株式会社 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
| US4800458A (en) * | 1985-09-24 | 1989-01-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Recording sheet bonded to a substrate in a magnetic disk |
| ATA331185A (de) * | 1985-11-13 | 1994-05-15 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Verfahren zum stabilisieren von masken |
| DE3677005D1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-02-21 | Ibm Deutschland | Maske fuer die ionen-, elektronen- oder roentgenstrahllithographie und verfahren zur ihrer herstellung. |
| US5258091A (en) * | 1990-09-18 | 1993-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing X-ray window |
| JPH0992610A (ja) | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Nec Corp | 荷電ビーム描画装置 |
-
1997
- 1997-09-03 JP JP23815597A patent/JP3168952B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-03 TW TW087114794A patent/TW405173B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-03 CN CN98117900A patent/CN1129172C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-03 US US09/146,531 patent/US6198109B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-03 KR KR1019980036297A patent/KR100309300B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4804600A (en) * | 1984-07-06 | 1989-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithographic mask structure and process for preparing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990029500A (ko) | 1999-04-26 |
| US6198109B1 (en) | 2001-03-06 |
| JP3168952B2 (ja) | 2001-05-21 |
| CN1211818A (zh) | 1999-03-24 |
| CN1129172C (zh) | 2003-11-26 |
| JPH1187211A (ja) | 1999-03-30 |
| TW405173B (en) | 2000-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100289373B1 (ko) | 리쏘그래피용 마스크 및 그 제조방법 | |
| US5485495A (en) | X-ray mask, and exposure apparatus and device production using the mask | |
| US5770336A (en) | Lithography mask and fabrication method thereof | |
| WO2001022171A1 (en) | A photolithography mask having a subresolution alignment mark window | |
| JP2001028334A (ja) | Ｘ線用マスクのペリクルの構造およびその製造 | |
| KR100309300B1 (ko) | 포토리소그래피용으로 사용된 에퍼처 장치 및 그 제조방법 | |
| EP1263028A1 (en) | Exposure mask, method for manufacturing the mask, and exposure method | |
| KR20010015438A (ko) | 전자빔 노광 마스크 및 그 제조 방법 | |
| CA1070855A (en) | Mask for optical exposure | |
| US5759722A (en) | Electron beam aperture structure and method for fabricating the same | |
| EP0030117B1 (en) | Method of forming an opening in a negative resist film | |
| JP2785790B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置用アパーチャマスクとその製造方法 | |
| GB2089524A (en) | High Resolution Lithographic Progress | |
| KR100338934B1 (ko) | 엑스레이 마스크 제조방법 | |
| KR20040047235A (ko) | 포토마스크 | |
| JP2001350269A (ja) | 半田印刷用マスクの製造方法 | |
| KR100343457B1 (ko) | 스텐실 마스크 제조방법 | |
| US4557986A (en) | High resolution lithographic process | |
| KR100532979B1 (ko) | 엑스레이 마스크 제조방법 | |
| JPH03235321A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH06104171A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0562888A (ja) | Ｘ線マスクおよびそれを用いたパターン転写方法 | |
| JP2002072447A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100532945B1 (ko) | 스텐실 마스크 및 그의 제조방법 | |
| KR20010011794A (ko) | 실리콘 스텐실 마스크 제작방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |