JPH1187119A - 表面処理膜付磁石 - Google Patents
表面処理膜付磁石Info
- Publication number
- JPH1187119A JPH1187119A JP9236360A JP23636097A JPH1187119A JP H1187119 A JPH1187119 A JP H1187119A JP 9236360 A JP9236360 A JP 9236360A JP 23636097 A JP23636097 A JP 23636097A JP H1187119 A JPH1187119 A JP H1187119A
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- JP
- Japan
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- magnet
- hydrogen
- earth magnet
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- rare earth
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0253—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets
- H01F41/026—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing permanent magnets protecting methods against environmental influences, e.g. oxygen, by surface treatment
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水素ガス雰囲気中で使用される場合に、水素
脆性を引き起こすことがなく、そのため粉状に分解せず
にかつクラックが入ることのない表面処理膜付磁石を提
供する。 【解決手段】 希土類磁石2の表面処理膜に温度400
K以上で、プラトー圧が0.001〜0.1MPaを示
す水素吸蔵合金を含ませる。希土類磁石をNd2Fe14
B1とし、前記表面処理膜はこのNd2Fe14B1の表面
にPdめっき層1を施してなることが好ましい。
脆性を引き起こすことがなく、そのため粉状に分解せず
にかつクラックが入ることのない表面処理膜付磁石を提
供する。 【解決手段】 希土類磁石2の表面処理膜に温度400
K以上で、プラトー圧が0.001〜0.1MPaを示
す水素吸蔵合金を含ませる。希土類磁石をNd2Fe14
B1とし、前記表面処理膜はこのNd2Fe14B1の表面
にPdめっき層1を施してなることが好ましい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、サーボモータ等に
使用される希土類磁石に関し、特に水素脆化のない表面
処理膜付磁石に関するものである。
使用される希土類磁石に関し、特に水素脆化のない表面
処理膜付磁石に関するものである。
【0002】
【従来の技術】サーボモータ等の永久磁石に希土類磁石
が利用されるようになっているが、希土類磁石は酸化さ
れ易いので、磁石表面の酸化を防止するために、各種の
表面処理法が提案されている。例えば、特開平8−23
6328号公報には、R−T−B系永久磁石(ここで、
RはYを含む希土類元素の1種または2種以上の組合
せ、Bはボロン、Tは鉄または鉄およびコバルトの合
金)において、電解めっき法または無電解めっき法によ
り磁気特性の劣化を防止し、密着性に優れた永久磁石を
提供するため、磁石表面に耐酸化性皮膜を有し、この耐
酸化性皮膜下に磁石の主相であるR2T14B相よりも希
土類量に富む層を有する希土類磁石が開示されている。
が利用されるようになっているが、希土類磁石は酸化さ
れ易いので、磁石表面の酸化を防止するために、各種の
表面処理法が提案されている。例えば、特開平8−23
6328号公報には、R−T−B系永久磁石(ここで、
RはYを含む希土類元素の1種または2種以上の組合
せ、Bはボロン、Tは鉄または鉄およびコバルトの合
金)において、電解めっき法または無電解めっき法によ
り磁気特性の劣化を防止し、密着性に優れた永久磁石を
提供するため、磁石表面に耐酸化性皮膜を有し、この耐
酸化性皮膜下に磁石の主相であるR2T14B相よりも希
土類量に富む層を有する希土類磁石が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
電解めっき法および無電解めっき法は、希土類磁石の防
湿や酸化防止を目的とした表面処理方法であるため、水
素ガス雰囲気中で使用される場合は、水素脆性を引き起
こして、磁石素材が粉状に分解したり、クラックが入る
という問題があった。そこで本発明は、水素ガス雰囲気
中で使用される場合に、水素脆性を引き起こすことがな
く、そのため粉状に分解せずにかつクラックが入ること
のない表面処理膜付磁石を提供することを目的とする。
電解めっき法および無電解めっき法は、希土類磁石の防
湿や酸化防止を目的とした表面処理方法であるため、水
素ガス雰囲気中で使用される場合は、水素脆性を引き起
こして、磁石素材が粉状に分解したり、クラックが入る
という問題があった。そこで本発明は、水素ガス雰囲気
中で使用される場合に、水素脆性を引き起こすことがな
く、そのため粉状に分解せずにかつクラックが入ること
のない表面処理膜付磁石を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、希土類磁石の
表面処理膜に温度400K以上で、プラトー圧が0.0
01〜0.1MPaを示す水素吸蔵合金を含ませてな
る。前記希土類磁石をNd2Fe14B1とし、前記表面処
理膜はこのNd2Fe14B1の表面にPdめっき層を施し
てなることが好ましい。
表面処理膜に温度400K以上で、プラトー圧が0.0
01〜0.1MPaを示す水素吸蔵合金を含ませてな
る。前記希土類磁石をNd2Fe14B1とし、前記表面処
理膜はこのNd2Fe14B1の表面にPdめっき層を施し
てなることが好ましい。
【0005】
【発明の実施の形態】水素吸蔵合金が水素ガス雰囲気に
曝された場合、水素吸蔵合金が水素を吸蔵し金属水素化
物となる。水素吸蔵合金は、体積当たり液体水素と同等
以上、あるいは圧縮水素の10倍以上の水素を貯蔵する
ことができる。水素吸蔵合金と水素との反応式は以下の
とおりである。
曝された場合、水素吸蔵合金が水素を吸蔵し金属水素化
物となる。水素吸蔵合金は、体積当たり液体水素と同等
以上、あるいは圧縮水素の10倍以上の水素を貯蔵する
ことができる。水素吸蔵合金と水素との反応式は以下の
とおりである。
【数1】 この反応は、水素圧が高くなるか温度が下がると、水素
が吸蔵され、水素圧が低くなるか温度が上がると、プラ
トー圧に相当する水素が放出される。図2は水素吸蔵合
金のプラトー圧と温度の関係を示すグラフである。図2
に示されるとおり、400K以上の温度でプラトー圧が
0.001〜0.1MPaを示すTi、Mg、Mg2N
i、Mg2Cu、Pd等の水素吸蔵合金は、400K以
上の温度に加熱されないと水素を放出しないので、希土
類磁石の使用温度範囲(約273〜393K、あるいは
400K以上)では、水素を吸蔵するが、放出はしない
ことになる。このために、希土類磁石は水素ガスの攻撃
を受けなくなり水素脆性を防止できる。本発明におい
て、温度を400K以上に限定した理由は、400K未
満では、磁石の使用温度範囲であり、この温度範囲で水
素の放出が起こると、磁石が水素脆性を起こすからであ
る。また、プラトー圧が0.001〜0.1MPaに限
定した理由は、0.001MPaは水素圧の下限であ
り、0.1MPaを超えると水素圧が高くなりすぎ磁石
を通常使用する環境下での水素圧を超えるからである。
が吸蔵され、水素圧が低くなるか温度が上がると、プラ
トー圧に相当する水素が放出される。図2は水素吸蔵合
金のプラトー圧と温度の関係を示すグラフである。図2
に示されるとおり、400K以上の温度でプラトー圧が
0.001〜0.1MPaを示すTi、Mg、Mg2N
i、Mg2Cu、Pd等の水素吸蔵合金は、400K以
上の温度に加熱されないと水素を放出しないので、希土
類磁石の使用温度範囲(約273〜393K、あるいは
400K以上)では、水素を吸蔵するが、放出はしない
ことになる。このために、希土類磁石は水素ガスの攻撃
を受けなくなり水素脆性を防止できる。本発明におい
て、温度を400K以上に限定した理由は、400K未
満では、磁石の使用温度範囲であり、この温度範囲で水
素の放出が起こると、磁石が水素脆性を起こすからであ
る。また、プラトー圧が0.001〜0.1MPaに限
定した理由は、0.001MPaは水素圧の下限であ
り、0.1MPaを超えると水素圧が高くなりすぎ磁石
を通常使用する環境下での水素圧を超えるからである。
【0006】
【実施例】図1は本発明の希土類磁石上のPdめっきを
示す断面図である。図1において、1はPdめっき、2
は希土類磁石である。希土類磁石には、Nd2−Fe14
−B1を使用し、組成が亜硝酸パラジウムソーダ10g
/リットル、塩化ソーダ30g/リットルの無電解めっ
き液を使用して、50℃、pH4.6〜4.8、30分
のめっき条件で希土類磁石表面に膜厚20μm±5μm
の無電解めっきを施した。本発明のPdめっき希土類磁
石との比較例として、従来の15μmNiめっき、13
μmアルミクロメートを施した同一の希土類磁石とを各
10個ずつ用意し、100ppm水素ガス試験を100
0時間行った。試験温度は30℃、120℃とした。
示す断面図である。図1において、1はPdめっき、2
は希土類磁石である。希土類磁石には、Nd2−Fe14
−B1を使用し、組成が亜硝酸パラジウムソーダ10g
/リットル、塩化ソーダ30g/リットルの無電解めっ
き液を使用して、50℃、pH4.6〜4.8、30分
のめっき条件で希土類磁石表面に膜厚20μm±5μm
の無電解めっきを施した。本発明のPdめっき希土類磁
石との比較例として、従来の15μmNiめっき、13
μmアルミクロメートを施した同一の希土類磁石とを各
10個ずつ用意し、100ppm水素ガス試験を100
0時間行った。試験温度は30℃、120℃とした。
【0007】本発明のPdめっきを施した希土類磁石
は、30℃、120℃共に水素脆化によるクラック及び
粉状化は認められなかった。しかし、Niめっきを施し
た希土類磁石については、30℃で200時間後、12
0℃で10時間後に水素脆化によるクラック及び粉状化
が認められた。また、アルミクロメートを施した希土類
磁石については30℃では認められなかったが、120
℃で700時間後に水素脆化が認められた。また、めっ
きに代えて蒸着やスパッタ法によりPd層を施した場合
もめっきの場合と同様の効果が確認できた。さらに、P
d層をNiめっきされている希土類磁石表面に形成した
場合、あるいはさらにその上に再度Niめっきを行った
場合も同様の効果が確認され、表面処理膜中にPd層が
含まれていればよいことが判明した。水素吸蔵合金とし
てMg2Niをスパッタ法により表面処理膜として形成
した層についてもPd層と同様の効果があることを確認
した。
は、30℃、120℃共に水素脆化によるクラック及び
粉状化は認められなかった。しかし、Niめっきを施し
た希土類磁石については、30℃で200時間後、12
0℃で10時間後に水素脆化によるクラック及び粉状化
が認められた。また、アルミクロメートを施した希土類
磁石については30℃では認められなかったが、120
℃で700時間後に水素脆化が認められた。また、めっ
きに代えて蒸着やスパッタ法によりPd層を施した場合
もめっきの場合と同様の効果が確認できた。さらに、P
d層をNiめっきされている希土類磁石表面に形成した
場合、あるいはさらにその上に再度Niめっきを行った
場合も同様の効果が確認され、表面処理膜中にPd層が
含まれていればよいことが判明した。水素吸蔵合金とし
てMg2Niをスパッタ法により表面処理膜として形成
した層についてもPd層と同様の効果があることを確認
した。
【0008】
【発明の効果】本発明によれば、希土類磁石の表面処理
膜に温度400K以上でプラトー圧が0.001〜0.
1MPaを示すPd層を施すことで、水素ガス雰囲気中
における希土類磁石の耐水素ガス性を向上させることが
できる。このため希土類磁石を使用した高性能サーボモ
ータの使用環境の範囲を広げることができる。また、水
素ガス雰囲気中で使用される場合に、水素脆性を引き起
こすことがなく、そのため粉状に分解せずにかつクラッ
クが入ることがない。
膜に温度400K以上でプラトー圧が0.001〜0.
1MPaを示すPd層を施すことで、水素ガス雰囲気中
における希土類磁石の耐水素ガス性を向上させることが
できる。このため希土類磁石を使用した高性能サーボモ
ータの使用環境の範囲を広げることができる。また、水
素ガス雰囲気中で使用される場合に、水素脆性を引き起
こすことがなく、そのため粉状に分解せずにかつクラッ
クが入ることがない。
【図1】 本発明の実施例を示す断面図である。
【図2】 水素吸蔵合金のプラトー圧と温度の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
1 Pdめっき、2 希土類磁石
Claims (2)
- 【請求項1】 希土類磁石の表面処理膜に温度400K
以上で、プラトー圧が0.001〜0.1MPaを示す
水素吸蔵合金を含ませてなることを特徴とする表面処理
膜付磁石。 - 【請求項2】 前記希土類磁石をNd2Fe14B1とし、
前記表面処理膜はこのNd2Fe14B1の表面にPdめっ
き層を施してなることを特徴とする請求項1記載の表面
処理膜付磁石。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9236360A JPH1187119A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 表面処理膜付磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9236360A JPH1187119A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 表面処理膜付磁石 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1187119A true JPH1187119A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=16999653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9236360A Pending JPH1187119A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 表面処理膜付磁石 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1187119A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6623541B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-09-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sintered rare earth magnet and making method |
EP1569251A2 (en) | 2004-02-26 | 2005-08-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sealed rare earth magnet and method for manufacturing the same |
US7713360B2 (en) | 2004-02-26 | 2010-05-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth permanent magnet |
US7760059B2 (en) | 2004-01-22 | 2010-07-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Permanent magnet type magnetic field generating apparatus |
-
1997
- 1997-09-01 JP JP9236360A patent/JPH1187119A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6623541B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-09-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sintered rare earth magnet and making method |
US7760059B2 (en) | 2004-01-22 | 2010-07-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Permanent magnet type magnetic field generating apparatus |
EP1569251A2 (en) | 2004-02-26 | 2005-08-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sealed rare earth magnet and method for manufacturing the same |
US7391291B2 (en) | 2004-02-26 | 2008-06-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sealed rare earth magnet and method for manufacturing the same |
US7713360B2 (en) | 2004-02-26 | 2010-05-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth permanent magnet |
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