JPH1186930A

JPH1186930A - 中継基板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1186930A
Application number: JP9248661A
Authority: JP
Inventors: Hajime Saiki; 一斉木
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1997-09-12
Filing date: 1997-09-12
Publication date: 1999-03-30
Anticipated expiration: 2017-09-12
Also published as: JP3272993B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板と取付基板との間に介在させて両者を接
続させる中継基板において、基板と取付基板との相互の
接続を容易にし、しかも、接続時の振動や衝撃によって
もずれを生じ難い、耐久性、信頼性の高い接続を可能と
する中継基板、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】中継基板１０は、第１面１ａと第２面１
ｂとを有する略板形状をなし、第１面１ａと第２面１ｂ
との間を貫通する複数の貫通孔Ｈを有する中継基板本体
１と、貫通孔Ｈ内にそれぞれ貫挿され、第２面１ｂより
突出した第２突出部６ｂを備え、かつ第２突出部６ｂの
先端６ｓが平坦面にされてなる軟質金属体６を有してい
る。この中継基板１０を、面接続パッド２２を有する基
板２０と面接続取付パッド４２を有する取付基板４０と
の間に介在させて基板２０と取付基板４０とを接続させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一主平面（基板
面）上に複数の接続端子（接続パッド）を有するＢＧＡ
型集積回路基板等の基板と、この接続端子に対応する位
置に同様に接続端子（取付パッド）を備え、この基板を
取付けるためのマザーボード等の取付基板との間に介在
させる中継基板、およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の集積回路（ＩＣ）技術の進展によ
り、ＩＣチップに設けられる入出力端子の数が増大し、
それに伴い、ＩＣチップを搭載するＩＣ搭載基板に形成
される入出力端子も増大している。しかし、入出力端子
を基板の周縁部に設ける場合には、端子の数に従って基
板サイズの増大を招き、ＩＣ搭載基板のコストアップや
歩留りの低下を生じ好ましくない。

【０００３】そこで、ＩＣ搭載基板の主表面（平面）に
ピンを格子状または千鳥状に並べるいわゆるＰＧＡ（ピ
ングリッドアレイ）型基板が広く用いられている。しか
し、更に端子数を増加したり、サイズを小さくするに
は、基板表面にピンを取付けるＰＧＡ型基板では限界が
ある。

【０００４】そこで、以下のような手法が行われてい
る。即ち、基板表面上にピンに代えてパッド（ランド）
を格子状または千鳥状に並べて形成し、このパッドに、
略球状（ボール状）の高温ハンダやＣｕ、Ａｇ等のハン
ダ濡れ性の良い金属からなる端子部材を予め共晶ハンダ
付けしたバンプを設けておく。一方、相手方のマザーボ
ードなどのプリント基板（ＰＣＢ）にもＩＣ搭載基板の
パッドと対応する位置にパッドを形成し、このパッド
に、共晶ハンダペーストを塗布しておく。その後、両者
を重ねて加熱し、ハンダペーストを溶融させてハンダ付
けによって端子部材を介して両者を接続することが行わ
れる。一般には、パッドのみ格子状に設けた基板はＬＧ
Ａ（ランドグリッドアレイ）型基板と、パッド上にボー
ル状の端子部材（接続端子）を備えた基板はＢＧＡ（ボ
ールグリッドアレイ）型基板と呼ばれる。

【０００５】ところで、このようにしてＩＣ搭載基板、
プリント基板の平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）
にパッドやバンプなどの端子を形成し、ＩＣ搭載基板と
プリント基板を接続する場合には、ＩＣ搭載基板とプリ
ント基板の材質の違いにより熱膨張係数が異なるので、
平面方向に熱膨張差が発生する。即ち、端子部材から見
ると、接続しているＩＣ搭載基板およびプリント基板が
平面方向についてそれぞれ逆方向に寸法変化しようとす
るので、端子部材やパッドにはせん断応力が働くことと
なる。

【０００６】このせん断応力は、接続される端子のう
ち、最も離れた２つの端子間で最大となる。即ち、例え
ば端子群が格子状にかつ最外周の端子が正方形をなすよ
うに形成されている場合、それぞれこの正方形の最外周
の対角上に位置する２つの端子間で最も大きな熱膨張差
が発生し、最も大きなせん断応力が掛かることとなる。
特に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型などの基板をプリント基板と
接続する場合には、端子間の間隔（ピッチ）が比較的大
きく、従って、最も離れた端子間の距離が大きくなりや
すい。特に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型基板にセラミック製基
板を用いた場合、一般に用いられるガラスエポキシ製の
プリント基板とは、熱膨張係数が大きく異なるので、発
生するせん断応力が大きくなる。

【０００７】このようなせん断応力が掛かると、パッド
から端子部材と共にハンダが外れることがある。また、
繰り返し熱応力によってパッドの近傍のハンダに、パッ
ド表面に沿ってハンダの薄皮１枚残すようにして、パッ
ドに略平行なクラックが入り、ついには破壊（破断）す
ることもあり、高い接続信頼性を得ることはできなかっ
た。パッド近傍のハンダは、多くの場合上述のように共
晶ハンダが用いられ、比較的硬くて脆く、また熱や応力
により経時変化を生じやすいため繰り返し応力でクラッ
クを生ずるからである。

【０００８】この問題は、特に、比較的熱膨張係数の小
さいセラミック製ＬＧＡ型基板（またはＢＧＡ型基板）
と比較的熱膨張係数の大きいガラスエポキシ等の樹脂製
プリント基板との間で生じやすい。なお、この場合に
は、クラックはセラミック基板側のパッド近傍の共晶ハ
ンダ部分で生ずることが多い。セラミックは硬く、応力
を吸収しがたいが、樹脂製プリント基板は比較的柔らか
く、また樹脂製プリント基板上に形成されたＣｕ等から
なるパッドも柔らかいので応力を吸収するからである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】これに対して、本発明
者らは、特願平９−８２０３３号および特願平９−８２
１２３号において、基板と取付基板との間に中継基板を
介在させることで、基板と取付基板との接続を容易に
し、しかも、その中継基板本体に貫挿した軟質金属体の
突出部の変形等により応力を緩和させることを提案して
いる。

【００１０】しかし、この中継基板を用いた場合に、基
板や取付基板とこの中継基板とを重ねて接続するにあた
り、ハンドリングする際、あるいはリフロー炉中を移動
する際に振動や衝撃を受け、中継基板が基板や取付基板
とずれて接続されることがあった。このようにずれたま
ま両者を接続されると、中継基板と基板や取付基板との
接続強度が低下したり、端子間の絶縁距離が小さくなっ
て絶縁性が低下するなどの不具合を生じる危険性があ
る。

【００１１】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、基板と取付基板との相互の接続を容易に
し、しかも、接続時の振動や衝撃によってもずれを生じ
難い、耐久性、信頼性の高い接続を可能とする中継基
板、およびその製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】まず、請求項１に記載の
解決手段は、一主平面に接続パッドを有する基板と、一
主平面のうち該接続パッドに対応する位置に取付パッド
を有する取付基板と、の間に介在させ、第１面側で該接
続パッドと接続させ、第２面側で該取付パッドと接続さ
せることにより該基板と該取付基板とを接続させるため
の中継基板であって、第１面と第２面とを有する略板形
状をなし、該第１面と第２面との間を貫通する複数の貫
通孔を有する中継基板本体と、上記貫通孔内にそれぞれ
貫挿され、上記第１面より突出した第１突出部および第
２面より突出した第２突出部のうち少なくともいずれか
を備え、かつ該第１突出部および第２突出部のうち少な
くともいずれかの先端が平坦面または凹部を有する面に
されてなる軟質金属体と、を有する中継基板である。

【００１３】本発明によれば、第１または第２突出部の
先端が平坦面または凹部を有する面にされている。この
中継基板を基板あるいは取付基板と接続させるには、ハ
ンダペーストを介して、第１突出部と基板の接続パッ
ド、あるいは第２突出部の先端と取付基板の取付パッド
とを突き当てるように配置し、ハンダペーストを溶融さ
せて両者を接続させる。このときに、突出部の先端とパ
ッドとが、ハンドリングやハンダリフロー炉内を移動す
るときの振動や衝撃等による横ずれを生じたまま接続さ
れる不具合が生じ難くなり、中継基板と基板（あるいは
取付基板）とを確実に接続させることができる。

【００１４】さらに、中継基板本体に貫挿された軟質金
属体が、熱膨張係数の違いなどによって生ずる基板と取
付基板あるいは基板と中継基板、中継基板と取付基板の
間に生じる応力を変形（例えば塑性変形）によって吸収
する。したがって、軟質金属体が破断することもなく、
また、この軟質金属体と接続する基板の接続パッドや取
付基板の取付パッドあるいはその近傍のハンダや軟質金
属体が応力によって破壊したり破断したりすることがな
くなる。しかも、中継基板本体が軟質金属体から受ける
応力は、中継基板本体の貫通孔壁面に対して垂直方向か
ら受けるので、中継基板本体自身が破壊し難い。

【００１５】さらに、軟質金属体は第１面側と第２面側
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じることがない。

【００１６】ここで、基板としては、ＩＣチップやその
他の電子部品などが実装されるＩＣ搭載基板等の配線基
板が挙げられる。また、接続パッドは、取付基板との電
気的接続のために基板の一主平面（基板面）上に線状や
格子状（千鳥状も含む）に設けられる端子であり、接続
パッドが設けられた基板面を有する基板の例としては、
パッド（ランド）を格子状に配列したＬＧＡ基板が挙げ
られるが、必ずしもパッドが格子状に配列されていなく
とも良い。

【００１７】一方、取付基板は、前記基板を取付けるた
めの基板であって、マザーボード等のプリント基板が挙
げられる。この取付基板には、一主平面（基板面）上に
基板との電気的接続のための取付パッドが形成されてい
る。取付パッドを有する取付基板の例としては、パッド
を格子状に配列したプリント基板が挙げられるが、必ず
しもパッドが格子状に配列されていなくても良いし、複
数の基板を取り付けるために、それぞれ基板に対応する
位置に取付パッドの群を有していても良い。

【００１８】なお、本発明の中継基板は、基板と取付基
板の間に介在して、それぞれと接続するものであるの
で、便宜的に基板と接続する側を第１面側、取付基板と
接続する側を第２面側として両者を区別することとす
る。また、中継基板本体の材質は、接続する基板や取付
基板の材質や熱膨張係数等を考慮して選択すればよい
が、例えば、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、
ガラスセラミックなどのセラミックが挙げられる。ま
た、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ポリイミド樹脂、
ガラス−ＢＴ樹脂等の複合材料、エポキシ等の樹脂とセ
ラミック粉末の複合材料等を用いることもできる。な
お、中継基板本体の材質をセラミックとすると、中継基
板本体の強度が高く、さらには耐熱性が高いので、高強
度で、リワークなどによって繰り返し加熱されても変形
等を生じない点で好ましい。

【００１９】さらに、貫通孔は、単一の孔で構成される
のが通常であるが、その他、互いに近接して設けられた
複数の小貫通孔の集まり（小貫通孔群）をも含む。この
場合には、小貫通孔それぞれに貫挿された軟質金属が全
体として１つの軟質金属体を構成する。

【００２０】また、軟質金属体とは、熱膨張係数の違い
などによって、基板と取付基板間、あるいは、基板と中
継基板本体間や中継基板本体と取付基板間で発生する応
力を変形によって吸収する柔らかい金属からなるもので
ある。具体的な材質としては、鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓ
ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金などが挙
げられ、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダ（例えば、Ｐｂ９０％
−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％合金等）やホ
ワイトメタルなどが挙げられる。なお、鉛、ズス等は再
結晶温度が常温にあるので、塑性変形をしても再結晶す
る。したがって、繰り返し応力がかかっても容易に破断
（破壊）に至らないので都合がよい。その他、純度の高
い銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）も柔らかいので用いることが
できる。

【００２１】なお、中継基板と基板や取付基板との接
続、即ち、軟質金属体と接続パッドや取付パッドとの接
続は、軟質金属体よりも融点の低いハンダを用いれば良
い。このようなハンダを用いる場合には、両者の融点に
適度の差を持つように選択するのが好ましく、例えば、
軟質金属体としてＰｂ９０％−Ｓｎ１０％の高温ハンダ
（融点３０１℃）を用いた場合には、Ｐｂ３６％−Ｓｎ
６４％共晶ハンダ（融点１８３℃）やその近傍の組成
（Ｐｂ２０〜５０％、Ｓｎ８０〜５０％程度）のＰｂ−
Ｓｎ合金などを用いればよい。また、その他の成分とし
て、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｓｂ等を適当量添加したものを
用いても良い。このハンダは、予め接続パッドや取付パ
ッドに取り付けておき、いわゆるハンダバンプとしてお
いても良い。

【００２２】なお、中継基板に設けた軟質金属体の第１
面側と第２面側の突出高さは、それぞれ中継基板本体の
材質や基板や取付基板の材質等に応じて適当な高さを選
択するれば良い。基板と取付基板の間に中継基板を介在
させて接続したとき、基板と中継基板本体との間隔（距
離）、および、取付基板と中継基板本体との間隔を適当
なものとすることができるからである。従って、第１面
側と第２面側で異なる突出高さであっても良い。一般
に、これらの間隔が大きいほど応力を吸収できる。ただ
し、基板と取付基板との間隔には制限があるのが通常で
ある。そこで、材質等の違いによる熱膨張差の大きくな
る側の突出高さを高くするようにするとよい。

【００２３】ここで、突出高さとは、中継基板本体表面
から突出している軟質金属体の先端までの高さをいい、
表面と軟質金属体とが面一の場合や表面より窪んでいる
ばあいには、突出高さはゼロである。即ち、第１突出高
さ（Ｚ１）は、中継基板本体第１面からこの第１面側に
突出する軟質金属体の先端までの高さを指し、第２突出
高さ（Ｚ２）は、中継基板本体第２面からこの第２面側
に突出する軟質金属体の先端までの高さを指す。

【００２４】さらに、請求項２に記載の解決手段は、請
求項１に記載の中継基板であって、前記軟質金属体は、
前記第１面側には該軟質金属体より融点の低いハンダか
らなるハンダ層を有し、かつ、前記先端が平坦面または
凹部を有する面にされてなる第２突出部を有することを
特徴とする中継基板である。

【００２５】本発明によれば、第１面側には、ハンダ層
を有するので、基板の接続パッドとの接続が容易にでき
る。しかも、この接続時にはハンダのみ溶融させ、軟質
金属体は溶融させないで、基板と中継基板とを接続させ
ることができる。さらに、本発明の中継基板は、第２突
出部を有するので、この中継基板と取付基板とを接続さ
せたときに、熱膨張係数の違い等に起因して両者の間に
発生する熱応力等を、軟質金属体で吸収させることがで
きる。また、第２突出部の先端が平坦面または凹部を有
する面とされているので、中継基板と取付基板との接続
時には、この第２突出部と取付パッドとが、ずれて接続
される不具合が生じ難くなり、中継基板と取付基板とを
確実に接続させることができる。

【００２６】また、請求項３に記載の解決手段は、請求
項１に記載の中継基板であって、前記先端に平坦面また
は凹部を有する面にされた第１突出部または第２突出部
が、その径よりも大きい突出高さを有する柱状とされて
いることを特徴とする中継基板である。

【００２７】本発明によれば、先端が平坦面等にされた
突出部は、その径よりも突出高さが大きい柱状とされて
いる。基板や取付基板との熱膨張率の違いなどに起因す
る応力が大きく生じる場合、中継基板が横ずれして取り
付けられると、即ち、突出部の先端と基板や取付基板の
パッドとが正しく接続されず、横ずれして接続されてい
ると、接続部分に応力が集中してクラックを生じやすく
なる。これに対して、本発明では、突出部の先端が平坦
面等にされて横ずれを防止でき、さらに、この柱状にさ
れた突出部はその径よりも突出高さが大きいので容易に
屈曲（たわみ変形）し、それによって応力を吸収するこ
とができる。

【００２８】さらに、請求項４に記載の解決手段は、請
求項１に記載の中継基板の製造方法であって、前記中継
基板本体の貫通孔内に貫挿された軟質金属体の第１突出
部または第２突出部の頂部を除去して先端を平坦面とす
る工程を有する中継基板の製造方法である。

【００２９】本発明によれば、一旦形成した第１あるい
は第２突出部の頂部を除去して平坦面とするので、各突
出部の先端の有するコプラナリティを小さくすることが
できる。従って、基板や取付基板との接続性を向上させ
ることができる。なお、コプラナリティとは、互いに平
行な２つの平面内に各突出部の先端が位置するようにし
たときの、この２つの平面間の距離の最小値をいい、突
出部の接続性の良否を示す指標である。

【００３０】ここで、突出部の頂部を除去する方法は、
軟質金属体の材質等を考慮して選択すればよいが、例え
ば、ラップ研磨や平面研削等が挙げられる。

【００３１】さらに、請求項５に記載の解決手段は、請
求項１に記載の中継基板の製造方法であって、前記中継
基板本体の貫通孔内に貫挿された軟質金属体の第１突出
部または第２突出部の頂部をプレスして先端を平坦面ま
たは凹部を有する面とする工程を有する中継基板の製造
方法である。

【００３２】本発明によれば、突出部の頂部をプレスし
て平坦面とするれば、各先端の有するコプラナリティが
向上し、基板や取付基板との接続性を向上させることが
できる。また、プレスによって平坦面または凹部を有す
る面とするので、加工が困難な高温ハンダ等の軟質金属
でも容易に加工することができる。

【００３３】さらに、請求項６に記載の解決手段は、請
求項１に記載の中継基板の製造方法であって、溶融した
軟質金属に濡れない材質からなり、前記貫通孔に対応し
た位置にそれぞれ凹部を有し、かつ該凹部の底面がそれ
ぞれ平坦面または凸部を有する面とされた溶融軟質金属
受け治具を用意し、該凹部上端面から盛り上がるように
凹部内に溶融した軟質金属を満たす工程と、上記凹部上
に前記貫通穴が重なり溶融軟質金属が該貫通穴内に入り
込むように、前記中継基板本体を上記溶融軟質金属受け
治具に重ねる工程と、溶融軟質金属を、上記凹部の底面
に接触させ、かつ少なくとも上記凹部内および貫通孔内
に保持しながら冷却し、軟質金属を凝固させる工程と、
を有する中継基板の製造方法である。

【００３４】本発明によれば、凹部を有し、かつその底
面が平坦面または凸部を有する面とされた軟質金属受け
治具を用い、溶融軟質金属を凹部内に満たし底面に接触
させつつ冷却・凝固させる。したがって、研磨等の工程
を経ることなく軟質金属を溶融させた後に凝固させるだ
けで突出部の先端を平坦面あるいは凹部を有する面とす
ることができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図とともに
説明する。（実施形態１）図１は、本実施形態にかかる中継基板１
０の部分拡大断面図である。即ち、この中継基板１０
は、アルミナを主成分（９０％）とするアルミナセラミ
ックからなり、厚さ０．３ｍｍ、一辺２５ｍｍの正方形
の平板形状をなし、第１面１ａと第２面１ｂとの間を貫
通する複数の貫通孔Ｈ（内径０．８ｍｍ）を有する中継
基板本体１を有する。この貫通孔Ｈは、１．２７ｍｍピ
ッチで格子状に縦横各１９ヶ（合計３６１ヶ）穿孔され
ている。また、この貫通孔Ｈ内に貫挿され、両面より突
出した第１及び第２突出部６ａ、６ｂを備え、第２突出
部６ｂの先端（図中下端）は平坦面６ｓとされた、高温
ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％）からなる軟質金属体
６を有する。さらに、第１突出部６ａの上部には共晶ハ
ンダ（Ｐｂ３７％−Ｓｎ６３％）からなるハンダ層７
（高さ０．０８ｍｍ）を備えている。

【００３６】なお、中継基板本体１の貫通穴Ｈの内周お
よび貫通穴縁には、タングステン下地金属層２（厚さ約
１０μｍ）およびその上に形成された無電解Ｎｉ−Ｂメ
ッキ層３（厚さ約２μｍ）が形成され、このＮｉ−Ｂメ
ッキ層３に軟質金属体６が溶着している。ここで、第１
突出部６ａの第１面１ａからの突出高さ（第１突出高
さ）Ｚ１は０．０１２ｍｍであり、第２突出部６ｂの第
２面１ｂからの突出高さ（第２突出高さ）Ｚ２は１．４
５ｍｍとされている。即ち、突出高さＺ１とＺ２が異な
るようにされており、更にいえば、突出高さはＺ１＜Ｚ
２とされている。また、略柱状とされた第２突出部６ｂ
の径は、０．８８ｍｍとされている。

【００３７】次いで、この中継基板１０を、例えば以下
のようにして基板および取付基板と接続する。まず、中
継基板１０と接続する基板として、図２(a) に示すよう
な、厚さ１．０ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧ
Ａ型基板２０を用意した。このＬＧＡ型基板２０は、中
継基板本体１と同様のアルミナセラミックからなり、図
中上面２０ａにＩＣチップをフリップチップ接続により
載置するためのフリップチップパッド２１を備え、図中
下面２０ｂに外部接続端子として接続パッド２２を備え
ている。この接続パッド２２は、直径０．８６ｍｍで、
中継基板１０の軟質金属体６の位置に適合するように、
ピッチ１．２７ｍｍの格子状に縦横各１９ヶ配列され、
下地のモリブデン層上に無電解Ｎｉ−Ｂメッキが施さ
れ、さらに酸化防止のために薄く無電解金メッキが施さ
れている。また、図示しない内部配線によって、フリッ
プチップパッド２１と接続パッド２２とがそれぞれ接続
している。

【００３８】また、取付基板として、図２(b) に示すよ
うなプリント基板４０を用意した。プリント基板４０
は、厚さ１．６ｍｍ、一辺３０ｍｍの略正方形板状で、
ガラス−エポキシ樹脂複合材料（ＪＩＳ：ＦＲ−４）か
らなり、主面４０ａには、ＬＧＡ型基板２０の接続パッ
ド２２と、したがって、中継基板１０の軟質金属体６と
も対応する位置に、取付パッド４２が形成されている。
この取付パッド４２は、厚さ２５μｍの銅からなり、直
径０．７２ｍｍで、ピッチ１．２７ｍｍで格子状に縦横
各１９ヶ、計３６１ヶ形成されている。

【００３９】まず、中継基板１０とＬＧＡ型基板２０と
を重ねて最高温度２２０℃のリフロー炉を通過させ、共
晶ハンダからなるハンダ層７を溶融させ、両者を接続
し、図３(a) に示すように、接続体６０を形成する。こ
の接続体６０では、基板２０の下面２０ｂと中継基板本
体１の第１面１ａとの間隔Ａ１は０．１０ｍｍとなっ
た。一方、中継基板本体１（第２面１ｂ）から図中下方
に突出する第２突出部６ｂの突出高さＺ２は１．４５ｍ
ｍである。

【００４０】その後、予め取付パッド４２上に低融点ハ
ンダペースト（共晶ハンダペースト）Ｓを約２５０μｍ
の厚さに塗布したプリント基板４０と接続体６０とを接
続する。即ち、第２突出部６ｂを取付パッド４２と位置
を合わせるようにして突き当てて、接続体６０をプリン
ト基板４０上に載置する。その後、最高温度２２０℃の
リフロー炉を通過させて加熱することにより、取付パッ
ド４２上の低融点ハンダペーストＳを溶融させてハンダ
層８とし、図３(b) に示すように、基板２０−中継基板
１０−プリント基板４０の三者を接続した構造体５０を
形成した。この構造体５０では、基板２０の下面２０ｂ
と中継基板本体１の第１面１ａとの間隔Ａ１は０．１０
ｍｍとなり、一方、中継基板本体１の第２面１ｂとプリ
ント基板４０の上面４０ａとの間隔Ａ２は１．４８ｍｍ
となった。なお、本例では、ハンダ層７とハンダ層８
（低融点ハンダペーストＳ）に同じ共晶ハンダを用いた
例を示したが、例えば、ハンダ層７に融点の高いハンダ
を用いることにより、ハンダ層８を形成するときに、ハ
ンダ層７が溶融しないようにするなど、ハンダ層７の融
点をハンダ層８の融点より高くしてもよい。

【００４１】ところで、第２突出部６ｂの先端は、通常
平坦になることはなく、軟質金属を溶融させて貫挿する
場合には、溶融した軟質金属の表面張力によって通常は
略半球状となる。図４(b) に示すように、第２突出部６
ｂの先端６ｓ’が半球状にされている場合を考える。す
ると、プリント基板４０と接続体６０の接続時、即ち、
プリント基板４０と中継基板１０との接続時に、ハンダ
ペーストＳを介して両者を重ねた後に、ハンドリングす
る際、あるいはリフロー炉中を移動する際に振動や衝撃
を受けると、取付パッド４２と軟質金属体６の第２突出
部６ｂとの位置がずれる（横ずれする）可能性がある。
このようにずれたまま両者を接続した場合には、中継基
板と取付基板との接続強度が低下したり、端子間の絶縁
距離が小さくなって絶縁性が低下するなどの不具合を生
じることが考えられる。

【００４２】これに対し、本実施形態の中継基板１０に
おいては、第２突出部６ｂの先端は、軟質金属体６の軸
線に対して略垂直な平坦面６ｓにされている。このた
め、上述のような振動や衝撃を受けても、図４(a) に示
すように取付パッド４２と軟質金属体６の第２突出部６
ｂとの位置がずれることが無くなる。ペーストＳと第２
突出部６ｂの先端とが密着し、横ずれに対する抵抗力が
高くなるからである。なお、本実施形態においては、第
２突出部６ｂの先端は平坦面とした場合を示したが、一
部に凹部が形成された面としても良い。同様に横ずれに
対する抵抗力を高くすることができるからである。

【００４３】さらに、本例における構造体５０において
は、基板２０と中継基板本体１の間ではほとんど応力は
生じない。これは、基板２０と中継基板本体１とは同じ
材質であり、熱膨張差が生じないからである。一方、中
継基板本体１とプリント基板４０の間では応力が発生す
る。中継基板本体１とプリント基板４０とは材質が異な
るからである。この場合、最大応力は、軟質金属体６の
プリント基板４０側の第２突出部６ｂ部、およびプリン
ト基板４０近傍のハンダ層８に発生する。ところが、軟
質金属体６（第２突出部６ｂ）は、容易に塑性変形する
から、第２突出部６ｂにおいて変形して応力を緩和す
る。したがって、中継基板本体１とプリント基板４０の
間に発生した応力が結果として小さくなり、破壊しにく
い信頼性のある接続とすることができる。

【００４４】特に、従来では、破壊が生じ易かった基板
２０側の接続パッド２２近傍のハンダ層７には、中継基
板１０により応力がかからない。一方、中継基板１０と
プリント基板４０との間の応力は軟質金属体６が変形し
て吸収するので、軟質金属体６の第２突出部６ｂは破壊
し難く、また、プリント基板４０の取付パッド４２のハ
ンダ層８も破壊し難くなる。

【００４５】また、中継基板本体１とプリント基板４０
の間隔Ａ２を大きくできた。第２突出部６ｂの突出高さ
Ｚ２が大きくされているからである。このようにする
と、この間隔Ａ２が大きくなった分、中継基板本体１と
プリント基板４０との間に生ずる応力を緩和することが
できる。また、第２突出部６ｂは、その径（０．８８ｍ
ｍ）に比して第２突出高さＺ２（１．４５ｍｍ）が大き
い柱状の形状となっているので、この形状自体も屈曲が
容易なようになっており、ここでも応力を吸収できる。
さらに、軟質金属体からできた第２突出部６ｂは、それ
自身が塑性変形しても応力を吸収できる。

【００４６】通常の場合、隣接する軟質金属体の間隔
（接続パッド相互の間隔）は、所定の値にされているの
で、突出部の最大径は、この間隔によって制限される。
一方、突出部の高さについては、許容範囲の大きい場合
が多いと考えられる。突出部を柱状とすると突出部の最
大径の制限内で、高さの許容範囲まで高い突起を形成で
きるので、基板や取付基板と中継基板本体との間隔をよ
り大きく、しかも突出部を相対的に細くできるので、よ
り多くの応力緩和ができる。したがって、このような略
柱状の突出部を介在させた基板−中継基板間、あるいは
中継基板−取付基板間の接続信頼性を向上させ、接続部
の寿命をより長くすることができる。

【００４７】しかも、本実施形態では、第２突出部６ｂ
の先端は平坦面６ｓとされているので、応力が発生する
中継基板１０とプリント基板４０との間の位置ずれも防
止できる。このため、第２突出部６ｂとプリント基板４
０の取付パッド４２とが位置ずれなく接続され、応力に
対して接続部でのクラックを生じにくくする。従って、
突出部を柱状とすることで応力をより緩和することがで
き、しかも、その先端を平坦面（あるいは凹部を有する
面）とすることで、横ずれを防ぎ正しい位置で接続し、
位置ずれによる応力の集中によるクラックをも防止する
ので、さらに信頼性の高い接続とすることができる。

【００４８】なお、上述の例では、中継基板１０を、い
ったんＬＧＡ型基板２０に取付けて基板と中継基板との
接続体（中継基板付基板）６０とした後に、さらにプリ
ント基板４０に接続した例を示したが、一挙に製作する
方法を採ることもできる。即ち、プリント基板４０と中
継基板１０とＬＧＡ型基板２０とをこの順に重ね、リフ
ローして、基板２０と中継基板１０、および中継基板１
０とプリント基板４０とを一挙に接続（ハンダ付け）し
ても良い。また、中継基板１０とプリント基板４０とを
先に接続しておいても良い。いずれにしても、本例の中
継基板１０を使用すれば、端子部材を接続パッドや取付
パッド上に１つずつ載置する必要はなく、１回ないしは
２回の加熱（リフロー）によって、基板と取付基板とを
中継基板を介して接続することができる。したがって、
ＩＣチップメーカやユーザにおいて、面倒な工程や設備
を省略することができる。

【００４９】ついで、この中継基板１０の製造方法につ
いて説明する。まず、周知のセラミックグリーンシート
形成技術によって、貫通孔Ｈを有するアルミナセラミッ
クグリーンシートＧを用意する。このシートＧの貫通孔
Ｈの内周面及び貫通孔周縁Ｈ１に、図５(a) に示すよう
に、タングステンペーストＰを塗布する。

【００５０】次いで、このシートＧを還元雰囲気中で最
高温度約１５５０℃にて焼成し、図５(b) に示すような
セラミック製中継基板本体１およびタングステンを主成
分とする下地金属層２を形成する。焼成後の中継基板本
体（以下、本体ともいう）１は、厚さ０．３ｍｍで、一
辺２５ｍｍの略正方板形状を有し、第１面１ａと第２面
１ｂとの間を貫通する貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍｍ
で、１．２７ｍｍのピッチで格子状に、縦横各１９ヶ、
計３６１ヶ（=19×19）の貫通孔が形成されている。ま
た、下地金属層２の厚さは約１０μｍである。

【００５１】さらに、この下地金属層２上に、図５(c)
に示すように、厚さ約２μｍの無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層
３を形成して、両者で後述するように軟質金属を溶着す
る金属層４を形成する。さらに、Ｎｉ−Ｂメッキ層３の
酸化防止のため、Ｎｉ−Ｂメッキ層３上に厚さ０．１μ
ｍの無電解金メッキ層（図示しない）を形成する。

【００５２】次いで、貫通孔Ｈ内に軟質金属体６を貫挿
する。本実施形態では溶融軟質金属受け治具Ｎを用いて
柱状の軟質金属体６を形成する。即ち、図６(a) に示す
ように、耐熱性があり溶融した高温ハンダに濡れない材
質であるカーボンからなるハンダ片保持治具Ｎの上面に
は、貫通孔Ｈにそれぞれ対応した位置に、直径０．９ｍ
ｍ、深さ１．９５ｍｍで、先端が円錐状の凹部Ｎ１が形
成されている。また、保持治具Ｎの凹部Ｎ１の頂部（図
中最下部）には、保持治具Ｎを下方に貫通する小径（φ
０．２ｍｍ）のガス抜き孔Ｎ２がそれぞれ形成されてい
る。

【００５３】まず、この保持治具Ｎの各凹部Ｎ１に直径
０．８ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％ハン
ダ）ボールＤ１を投入しておく。本例では、各凹部にそ
れぞれ２ヶ投入した。次いで、凹部Ｎ１の端部（上端）
に直径１．０ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０
％ハンダ）ボールＤ２を載置する。このとき、凹部Ｎ１
内に既に投入されているボールＤ１とボールＤ２とが接
触しないで、かつ後述する高温ハンダの溶融時には両者
が接触するように、間隔をわずかに空けておくのが好ま
しい。このようにするとボールＤ２が凹部Ｎ１の上端縁
にぴったりと接触して動かなくなり（あるいは動き難く
なり）、後述する中継基板本体１を載せるときの位置合
わせが容易になるからである。

【００５４】その後、図６(b) に示すように、ボールＤ
２の図中上方に中継基板本体１を載置する。このとき、
貫通孔ＨにボールＤ２がはまるように位置決めをする。
さらに、中継基板本体１の上方、即ち、ボールＤ２のあ
る側とは反対側から、耐熱性があり溶融した高温ハンダ
に濡れない材質であるステンレスからなる荷重治具Ｑの
平面（図中下面）Ｑ１を本体１の上面に押し当てるよう
にして載せて、下方に圧縮する。

【００５５】次いで、窒素雰囲気下で、最高温度３６０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させる。する
と、溶融した高温ハンダＤ２は、荷重治具Ｑにより図中
下方に押し下げられた本体１の貫通孔Ｈ内に貫挿される
とともに、貫通孔Ｈの内周の金属層４と溶着する。一
方、貫通孔Ｈの上端部では、荷重治具Ｑの平面Ｑ１に倣
って平面状になる。また、高温ハンダＤ２は、保持治具
Ｎの凹部Ｎ１内にも注入される。すると、溶融した高温
ハンダＤ１と接触し、両者は表面張力により一体となろ
うとする。ところが、はんだＤ２は、金属層４と溶着し
本体１と一体となっているので、本体１から離れて下方
に落下することができないため、重力に抗して高温ハン
ダＤ１を上方に引き上げる形で一体化する。なお、本体
１は荷重治具Ｑにより保持治具Ｎの上面Ｎ３に押し当て
られた状態まで押し下げられる。

【００５６】また、ガス抜き孔Ｎ２は、高温ハンダボー
ルＤ１、Ｄ２を溶融させるときに、凹部Ｎ１内に閉じこ
められた空気を逃がす役割をする。ただし、受け治具Ｎ
がハンダに濡れず、ガス抜き孔Ｎ２が小径であるので、
ハンダがガス抜き孔Ｎ２に浸入することはない。

【００５７】その後、冷却して高温ハンダを凝固させる
と、図７に示すように、中継基板本体１の図中下方側に
は、側面は凹部Ｎ１の側壁の形状に倣い、図中下端即
ち、頂部は略半球状となった第２突出部６ｂを有し、上
方側にはほとんど突出しない形状の軟質金属体６が貫挿
された中継基板１０が形成された。

【００５８】なお、Ｎｉ−Ｂメッキ層３上の金メッキ層
は、溶融した高温ハンダ中に拡散して消滅するので、高
温ハンダとＮｉ−Ｂメッキ層３とが直接溶着し、高温ハ
ンダからなる軟質金属体６は、中継基板本体１に固着さ
れる。

【００５９】ついで、図８に示すように、第２突出部６
ｂの頂部（図中下端部）をラップ研磨により除去し、そ
の先端を軟質金属体６の軸線に略垂直な平坦面６ｓとし
た。これにより、本例では、第２突出部６ｂは、横断面
の直径（最大径）０．８８ｍｍ、突出高さＺ２は１．４
５ｍｍであり、その直径（最大径）よりも頂部までの高
さの高い略円柱状となった。一方、図中上面側において
は上面からの第１突出高さＺ１は０．０１２ｍｍであっ
た。なお、研磨により各第２突出部６ｂの先端の平坦面
６ｓが、いずれも略同一平面上に位置するようにしたの
で、第２突出部６ｂの先端のコプラナリティを小さくで
きる。

【００６０】ついで、図９に示すように、軟質金属体６
の上面に直径０．４ｍｍの低融点ハンダボール（Ｐｂ−
Ｓｎ共晶ハンダボール）Ｅｙを載置する。なお、このボ
ールＥｙを載置するには、軟質金属体の上方にボール規
制板Ｒの透孔ＲＨが位置するようにセットし、この規制
板Ｒ上にボールＥｙを散播いて揺動し、透孔ＲＨにボー
ルＥｙを落とし込む方法によると容易に載置できる。本
例においては、規制板Ｒの厚みは０．５ｍｍ、透孔ＲＨ
の直径は０．６ｍｍである。本例においては、図９(a)
に示すように、第２突出部６ｂの先端がそれぞれはまり
こむ凹部Ｕ１を有する軟質金属体保持治具Ｕを用い、こ
の治具Ｕの凹部Ｕ１に第２突出部６ｂの先端をそれぞれ
嵌め込んだ状態で行うと都合がよい。軟質金属体６は柔
らかく変形しやすい高温ハンダから形成されているから
である。

【００６１】しかる後、窒素雰囲気下で、最高温度２２
０℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投
入し、低融点ハンダボールＥｙを溶融させる。なお、こ
の温度条件では軟質金属体６は溶融しない。溶融した低
融点ハンダは、軟質金属体６の図中上面に濡れて拡が
り、ハンダ層７となる（図１参照）。このハンダ層７
は、低融点ハンダボールＥｙの体積が一定に規制されて
いるので、一定量（体積）となり、高さも均一になる。
本例においては、基板本体１の図中上面からハンダ層７
の頂部（図中最上端）までの高さが０．０８ｍｍであっ
た。

【００６２】このようにして、図１に示すように、図中
第１、第２面１ａ，１ｂの間を貫通する貫通孔Ｈを有す
る中継基板本体１と、貫通孔Ｈ内に貫挿され図中下面よ
り突出した第２突出部６ｂを有する軟質金属体６とを有
する中継基板１０が形成できた。また、この中継基板１
０の第１面１ａ側の軟質金属体６上には、軟質金属体６
よりも低い融点を有するハンダ層７が形成されている。
なお、本実施形態においては、第２突出部６ｂを円柱状
としたが、先が細くなっているようにしたり、角柱状で
あっても良い。ただし、先端の平坦面は、広くする方が
横ずれを生じにくい。また、本実施形態においては、軟
質金属体６のすべての第２突出部６ｂについて研磨によ
り平坦面６ｓを設けた例を示したが、必ずしもすべての
突出部について平坦面を有するようにする必要はなく、
一部の突出部のみ平坦面を有するように研磨等によって
加工しても良い。この場合には、平坦面を有する突出部
によって中継基板の横ずれが防止される。

【００６３】（実施形態２）ついで、実施形態２につい
て説明する。本実施形態の中継基板２１０は、上述した
実施形態１の中継基板１０とほぼ同様な形状であり、製
造方法も第２突出部の先端の加工のみが異なっているの
で、同様な部分については省略し、異なる部分のみ説明
する。即ち、上記実施形態１においては、図７に示した
ように中継基板本体１に軟質金属体６を貫挿した後、第
２突出部６ｂの頂部を研磨によって除去し、平坦面を有
する先端６ｓとした。これに対して、本実施形態におい
ては、プレスによって頂部を加工する。即ち、図１０
(a) に示すように、第２突出部６ｂに対応した位置に形
成され、底面が平坦で、いずれの底面も共通平面（同一
平面）に属するように形成にされた所定深さの凹部Ｖ１
を有するプレス治具Ｖ（ステンレス製）を用意してお
き、このプレス治具Ｖの凹部Ｖ１内に第２突出部６ｂを
それぞれ挿入する。

【００６４】ついで、図中上下方向にプレスすると、高
温ハンダからなる軟質金属体６は容易に変形して、凹部
Ｖ１の形状に倣う。そのため、本実施形態の中継基板２
１０では、図１０(b) に示すように、軟質金属体２０６
の第２突出部２０６ｂは、その先端が凹部Ｖ１の底面に
倣って平坦面２０６ｓにされ、第２突出高さ１．５ｍｍ
となる。その後は、上記実施形態１と同様にして、第１
面側にハンダ層を形成したり、基板や取付基板と接続す
る。本実施形態においては、単にプレスするだけで容易
に平坦面２０６ｓを形成することができる。また、平坦
面２０６ｓは、いずれも略同一平面の属するようにする
ことができ、良好なコプラナリティを得ることができ
る。さらに、研磨による研磨くず等が発生することもな
く、砥粒の洗浄除去工程も不要である。

【００６５】なお、上記例においては、凹部Ｖ１を形成
したプレス治具Ｖを用いたが、凹部Ｖ１を形成せず、平
坦な表面のプレス治具で圧縮しても先端を平坦面とする
こともできる。この場合には、第２突出部２０６ｂ先端
の平坦面は、プレス治具の平坦面に倣って形成されるの
で、各先端のコプラナリティは良好になる。ただし、凹
部Ｖ１内に第２突出部６ｂを挿入するので、横ずれを生
じにくく、また、第２突出部の曲がり変形を防止できる
点で凹部Ｖ１を形成した場合のメリットがある。

【００６６】さらに、図１０(c) に示すように、底面に
凸部Ｖ２’を形成した凹部Ｖ１’をもつプレス治具Ｖ’
を用いても良い。この場合には、上記と同様な圧縮によ
り、図１０(d) に示すように、先端２０６ｓ’に凹部を
有する面が形成された中継基板２１０’を形成すること
ができる。このようにしても、前記実施形態１と同様
に、中継基板２１０’と取付基板４０との接続時に、両
者を重ねた後、ハンドリングの際、あるいはリフロー炉
中を移動する際に振動や衝撃を受けたときに、取付パッ
ド４２と軟質金属体２０６’の第２突出部２０６ｂ’と
の位置がずれることが無くなる。ペーストと第２突出部
６ｂの先端とが密着し、凹部内にペーストを抱えるよう
になるので、横ずれに対する抵抗力が高くなるからであ
る。

【００６７】（実施形態３）ついで、実施形態３につい
て説明する。本実施形態の中継基板３１０も、上述した
実施形態１の中継基板１０とほぼ同様な形状であり、製
造方法も軟質金属を貫通穴に貫挿する部分等が異なって
いるのみであるので、同様な部分については省略し、異
なる部分のみ説明する。即ち、上記実施形態１において
は、図６及び７に示したように、下端部が円錐状となっ
た凹部Ｎ１を有する溶融軟質金属受け治具Ｎを用い、高
温ハンダボールＤ１，Ｄ２を溶融させて、中継基板本体
１に軟質金属体６を貫挿した後、第２突出部６ｂの頂部
を研磨によって除去し、平坦面を有する先端６ｓとし
た。

【００６８】これに対して、本実施形態においては、底
面Ｍ２が平坦面で、しかもいずれの底面も共通平面に属
するように形成された凹部Ｍ１を有する溶融軟質金属受
け治具Ｍを用い、この凹部Ｍ１に溶融軟質金属Ｆを注入
して満たし、軟質金属を凝固させて先端が平坦面とされ
た第２突出部を形成する。即ち、図１１(a) に示すよう
に、第２突出部６ｂに対応した位置に形成され、底面Ｍ
２が平坦にされた直径０．９ｍｍ、深さ１．９ｍｍの凹
部Ｍ１を有する溶融軟質金属受け治具Ｍ（カーボン製）
を用意しておき、この溶融軟質金属受け治具Ｍの凹部Ｍ
１内に溶融した高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％ハ
ンダ）Ｆをそれぞれ注入する。このとき、注入した溶融
高温ハンダＦが、凹部Ｍ１内に充填され、さらに、治具
Ｍの上面Ｍ３よりも若干（本例では、０．６ｍｍ程度）
の高さに盛り上がるように注入する。

【００６９】ついで、図１１(b) に示すように、前記実
施形態１において製作したのと同様な中継基板本体１
を、治具Ｍの上方から各貫通穴Ｈが凹部Ｍ１に対応する
ように位置決めをし、前記実施形態１において用いた加
重治具Ｑを用いて、上方から押さえる。これにより、溶
融高温ハンダＦは、金属層４と溶着し、貫通穴Ｈ内にも
入り込んで充填される。溶融高温ハンダＦを凹部Ｍ１の
上端面即ち治具上面Ｍ３より盛り上がるようにして注入
しておいたからである。その後、溶融高温ハンダＦを凹
部Ｍ１の底面Ｍ２に接触させながら冷却し高温ハンダを
凝固させると、図１２に示すように、貫通穴Ｈ内に軟質
金属体３０６が貫挿され、しかも、その第２突出部３０
６ｂは、凹部Ｍ１の形状に倣って第２突出高さＺ２’が
１．９ｍｍの柱状で、その先端３０６ｓは、凹部Ｍ１の
底面Ｍ２に倣って平坦面になる。本実施形態によれば、
先端を平坦面にするのに、上述した２つの実施形態に比
較して、研磨やプレス等の後加工が不要となる。

【００７０】なお、本実施形態では、凹部Ｍ１の底面Ｍ
２が平坦な治具Ｍを用いた例を示したが、その他、図１
３(a)、(b)に示すように、底面Ｍ２’、Ｍ２”に凸部を
有する形状としても良い。このような形状の底面Ｍ
２’、Ｍ２”を持つ治具Ｍ’、Ｍ”を用いると、第２突
出部の先端は、凹部を有する面となる。

【００７１】上記３つの実施形態においては、軟質金属
体の第２突出部を柱状とし、その先端を平坦面あるいは
凹部を有する面としたが、第１突出部に適用し、基板の
接続パッドに第１突出部を突き当てて接続ても良いこと
は明らかである。また、本発明は上記実施形態に限定さ
れることはなく、本発明の範囲内において適宜変更して
適用することができることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかる中継基板の部分拡大断面図
である。

【図２】中継基板と接続する基板及び取付基板の断面図
である。

【図３】中継基板と基板及び取付基板とを接続した状態
を示す断面図である。

【図４】第２突出部先端の形状と横ずれとの関係を説明
する説明図である。

【図５】中継基板の製造工程のうち、中継基板本体の製
造までを説明する説明図である。

【図６】中継基板の製造工程のうち、高温ハンダボール
を貫通穴に貫挿する工程を説明する説明図である。

【図７】中継基板の製造工程のうち、軟質金属体を貫通
穴に貫挿した状態を説明する説明図である。

【図８】中継基板の部分拡大断面図である。

【図９】中継基板の第１面側に、さらにハンダ層を形成
する工程を説明する説明図である。

【図１０】実施形態２にかかる中継基板のプレス工程を
説明する説明図である。

【図１１】実施形態３にかかる中継基板の製造工程のう
ち溶融軟質金属体の貫挿工程を説明する説明図である。

【図１２】実施形態３にかかる中継基板の部分拡大断面
図である。

【図１３】実施形態３にかかる他の治具の形状例を示す
説明図である。

【符号の説明】

１０、２１０、３１０中継基板１中継基板本体２下地金属層３メッキ層４金属層６、２０６、３０６軟質金属体６ａ第１突出部６ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ第２突出部６ｓ、２０６ｓ、３０６ｓ先端７ハンダ層Ｈ貫通穴２０基板２２接続パッド４０取付基板４２取付パッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一主平面に接続パッドを有する基板と、
一主平面のうち該接続パッドに対応する位置に取付パッ
ドを有する取付基板と、の間に介在させ、第１面側で該
接続パッドと接続させ、第２面側で該取付パッドと接続
させることにより該基板と該取付基板とを接続させるた
めの中継基板であって、第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１面と
第２面との間を貫通する複数の貫通孔を有する中継基板
本体と、上記貫通孔内にそれぞれ貫挿され、上記第１面より突出
した第１突出部および第２面より突出した第２突出部の
うち少なくともいずれかを備え、かつ該第１突出部およ
び第２突出部のうち少なくともいずれかの先端が平坦面
または凹部を有する面にされてなる軟質金属体と、を有
する中継基板。
【請求項２】請求項１に記載の中継基板であって、前記軟質金属体は、前記第１面側には該軟質金属体より
融点の低いハンダからなるハンダ層を有し、かつ、前記
先端が平坦面または凹部を有する面にされてなる第２突
出部を有することを特徴とする中継基板。
【請求項３】請求項１に記載の中継基板であって、前記先端に平坦面または凹部を有する面にされた第１突
出部または第２突出部が、その径よりも大きい突出高さ
を有する柱状とされていることを特徴とする中継基板。
【請求項４】請求項１に記載の中継基板の製造方法で
あって、前記中継基板本体の貫通孔内に貫挿された軟質金属体の
第１突出部または第２突出部の頂部を除去して先端を平
坦面とする工程を有する中継基板の製造方法。
【請求項５】請求項１に記載の中継基板の製造方法で
あって、前記中継基板本体の貫通孔内に貫挿された軟質金属体の
第１突出部または第２突出部の頂部をプレスして先端を
平坦面または凹部を有する面とする工程を有する中継基
板の製造方法。
【請求項６】請求項１に記載の中継基板の製造方法で
あって、溶融した軟質金属に濡れない材質からなり、前記貫通孔
に対応した位置にそれぞれ凹部を有し、かつ該凹部の底
面がそれぞれ平坦面または凸部を有する面とされた溶融
軟質金属受け治具を用意し、該凹部上端面から盛り上が
るように凹部内に溶融した軟質金属を満たす工程と、上記凹部上に前記貫通穴が重なり溶融軟質金属が該貫通
穴内に入り込むように、前記中継基板本体を上記溶融軟
質金属受け治具に重ねる工程と、溶融軟質金属を、上記凹部の底面に接触させ、かつ少な
くとも上記凹部内および貫通孔内に保持しながら冷却
し、軟質金属を凝固させる工程と、を有する中継基板の
製造方法。