JPH1177756A - 半導体装置用樹脂封止金型 - Google Patents
半導体装置用樹脂封止金型Info
- Publication number
- JPH1177756A JPH1177756A JP27637197A JP27637197A JPH1177756A JP H1177756 A JPH1177756 A JP H1177756A JP 27637197 A JP27637197 A JP 27637197A JP 27637197 A JP27637197 A JP 27637197A JP H1177756 A JPH1177756 A JP H1177756A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- base material
- lower mold
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置を樹脂封止する
際、金型のキャビティー内で発生する空気溜まりを回避
し、半導体チップへの過大な応力負荷を防いで、半導体
チップ折損を防止する。 【構成】 平面構造を有する金型のキャビティー領
域に貫通した細孔を設ける。
際、金型のキャビティー内で発生する空気溜まりを回避
し、半導体チップへの過大な応力負荷を防いで、半導体
チップ折損を防止する。 【構成】 平面構造を有する金型のキャビティー領
域に貫通した細孔を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造に使用される樹脂封止金型に関し、特に金属、樹
脂またはセラミック等で形成された基材の片側のみを樹
脂封止した半導体装置（以下、片側樹脂封止型半導体装
置と記す）に使用される樹脂封止金型の構造に関するも
のである。
の製造に使用される樹脂封止金型に関し、特に金属、樹
脂またはセラミック等で形成された基材の片側のみを樹
脂封止した半導体装置（以下、片側樹脂封止型半導体装
置と記す）に使用される樹脂封止金型の構造に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図５は片側樹脂封止型半導体装置の一般
的な形状を示したものであり、図６はその断面図を示し
たものである。通常、片側樹脂封止型半導体装置の製造
は表面に回路パターン及び外部電極１３が形成された短
尺状、テープ状またはシート状の基材７の上に半導体チ
ップ９を装着し、半導体チップ９上の電極と基材７上の
電極を金線１４等で接続した後、金型で挟んで封止樹脂
６を注入硬化させる方法を用いている。図７は封止樹脂
注入時の状態を模式的に示したもので、キャビティー４
が設けられた上金型１と、平面構造の下金型２に基材７
が挟まれており、樹脂注入口５から溶融した封止樹脂６
が注入されている。なお、図には示していないが、キャ
ビティー４の隅には空気抜き用のベント穴が通常設けら
れている。
的な形状を示したものであり、図６はその断面図を示し
たものである。通常、片側樹脂封止型半導体装置の製造
は表面に回路パターン及び外部電極１３が形成された短
尺状、テープ状またはシート状の基材７の上に半導体チ
ップ９を装着し、半導体チップ９上の電極と基材７上の
電極を金線１４等で接続した後、金型で挟んで封止樹脂
６を注入硬化させる方法を用いている。図７は封止樹脂
注入時の状態を模式的に示したもので、キャビティー４
が設けられた上金型１と、平面構造の下金型２に基材７
が挟まれており、樹脂注入口５から溶融した封止樹脂６
が注入されている。なお、図には示していないが、キャ
ビティー４の隅には空気抜き用のベント穴が通常設けら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】金型への基材のセット
は通常、両金型を開いた状態で下金型２の上に基材７を
セットし、金型を閉じる順序で行われる。一般に金型は
昇温されているため、下金型２の上にのせられた基材７
は熱膨張のためたわみ、そのまま金型を閉じると図８に
示すように下金型２と基材７の間に空気溜まり８を形成
する可能性がある。したがって、もしこの状態で封止樹
脂を注入すると空気溜まり８の空気は逃げ場がないため
半導体チップ９を上方に押しやり、一方、注入樹脂は半
導体チップ９を下に押し下げようとするため、半導体チ
ップ９に対して曲げ応力が作用し、半導体チップ９を折
損するおそれがあった。
は通常、両金型を開いた状態で下金型２の上に基材７を
セットし、金型を閉じる順序で行われる。一般に金型は
昇温されているため、下金型２の上にのせられた基材７
は熱膨張のためたわみ、そのまま金型を閉じると図８に
示すように下金型２と基材７の間に空気溜まり８を形成
する可能性がある。したがって、もしこの状態で封止樹
脂を注入すると空気溜まり８の空気は逃げ場がないため
半導体チップ９を上方に押しやり、一方、注入樹脂は半
導体チップ９を下に押し下げようとするため、半導体チ
ップ９に対して曲げ応力が作用し、半導体チップ９を折
損するおそれがあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる問題点を
解決することを目的としてなされたもので、図１は本発
明の一実施例である金型の断面図を示したものである。
キャビティー４に対向する下金型２の領域に複数個の細
孔３を設けている。また、図２は図１の金型を用いて封
止樹脂を注入する状態を示した模式図である。
解決することを目的としてなされたもので、図１は本発
明の一実施例である金型の断面図を示したものである。
キャビティー４に対向する下金型２の領域に複数個の細
孔３を設けている。また、図２は図１の金型を用いて封
止樹脂を注入する状態を示した模式図である。
【０００５】
【作用】図２を用いて本発明の金型に封止樹脂を注入す
る際のキャビティー内の基材の動きを説明する。高温に
保たれている下金型２の上に、位置決めピンなどにより
物理的な拘束を伴なう方法で基材７をセットした場合、
熱膨張により基材７は伸びるため、下金型２に密着せず
空気溜まり８を生ずる。この状態で上金型１を閉じると
図２に示したように空気溜まり８はキャビティ４の中に
形成される。その後溶融した封止樹脂６をキャビティー
４の中に注入すると、注入樹脂の圧力により半導体チッ
プ９及び基材７は下金型２に押さえつけられるが、空気
溜まり８の空気は細孔３より排出されるため、半導体チ
ップ９には折損を生ずるような大きな曲げ応力は加わら
ない。
る際のキャビティー内の基材の動きを説明する。高温に
保たれている下金型２の上に、位置決めピンなどにより
物理的な拘束を伴なう方法で基材７をセットした場合、
熱膨張により基材７は伸びるため、下金型２に密着せず
空気溜まり８を生ずる。この状態で上金型１を閉じると
図２に示したように空気溜まり８はキャビティ４の中に
形成される。その後溶融した封止樹脂６をキャビティー
４の中に注入すると、注入樹脂の圧力により半導体チッ
プ９及び基材７は下金型２に押さえつけられるが、空気
溜まり８の空気は細孔３より排出されるため、半導体チ
ップ９には折損を生ずるような大きな曲げ応力は加わら
ない。
【０００６】
【実施例】図３は本発明の他の実施例を示したもので、
図１の下金型２に多孔質材を用いたもので、作用は図１
と同様である。図４は本発明のさらに他の実施例を示し
たもので、下金型２のキャビティー領域を梨地１１とし
て樹脂注入時の基材下部の空気溜まりを相互に接続し、
下金型２を貫通する細孔３または下金型２に形成した排
気溝１２を経由して空気溜まりの空気を排出するもので
ある。
図１の下金型２に多孔質材を用いたもので、作用は図１
と同様である。図４は本発明のさらに他の実施例を示し
たもので、下金型２のキャビティー領域を梨地１１とし
て樹脂注入時の基材下部の空気溜まりを相互に接続し、
下金型２を貫通する細孔３または下金型２に形成した排
気溝１２を経由して空気溜まりの空気を排出するもので
ある。
【０００７】
【発明の効果】以上説明してきたように、片側樹脂封止
型半導体装置製造工程において金型を用いて樹脂封止す
る場合、本発明の金型を用いれば基材と平面構造の金型
の間に形成される空気溜まりを回避できるため、半導体
装置内の半導体チップに曲げ応力がかからず折損のおそ
れのない樹脂封止が可能となる。
型半導体装置製造工程において金型を用いて樹脂封止す
る場合、本発明の金型を用いれば基材と平面構造の金型
の間に形成される空気溜まりを回避できるため、半導体
装置内の半導体チップに曲げ応力がかからず折損のおそ
れのない樹脂封止が可能となる。
【図１】本発明の金型の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１の金型の作用を示す模式図である。
【図３】本発明の金型の他の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の金型の他の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】片側樹脂封止型半導体装置の外観図である
【図６】片側樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図７】片側樹脂封止型半導体装置の樹脂封止時の説明
図である。
図である。
【図８】片側樹脂封止型半導体装置の樹脂封止時の問題
点を示す説明図である。
点を示す説明図である。
１ 上金型 ２ 下金型 ３ 細孔
４ キャビティー ５ 樹脂注入口 ６ 封止樹脂 ７ 基材
８ 空気溜まり ９ 半導体チップ １０ 多孔質材による下金型
１１ 梨地 １２ 排気溝 １３ 外部端子 １４ 金線
４ キャビティー ５ 樹脂注入口 ６ 封止樹脂 ７ 基材
８ 空気溜まり ９ 半導体チップ １０ 多孔質材による下金型
１１ 梨地 １２ 排気溝 １３ 外部端子 １４ 金線
Claims (3)
- 【請求項１】 二つに分割した構造の金型で、一方は平
面構造、他方は凹状のキャビティーを有する片側樹脂封
止型半導体装置用樹脂封止金型において、平面構造を有
する金型のキャビティー対応領域に細孔を設けた半導体
装置用樹脂封止金型。 - 【請求項２】 平面構造を有する金型を多孔質材料を用
いて構成した請求項１の半導体装置用樹脂封止金型。 - 【請求項３】 平面構造を有する金型のキャビティー対
応領域を梨地加工とし、さらに梨地部分に連結した排気
溝または細孔を設けた請求項１の半導体装置用樹脂封止
金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27637197A JPH1177756A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27637197A JPH1177756A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1177756A true JPH1177756A (ja) | 1999-03-23 |
Family
ID=17568505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27637197A Pending JPH1177756A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1177756A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073586A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7163846B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-01-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing circuit devices |
| US7309919B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-12-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| CN103854964A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 改善沟槽栅分立功率器件晶圆内应力的方法 |
-
1997
- 1997-09-01 JP JP27637197A patent/JPH1177756A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7309919B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-12-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| US7800221B2 (en) | 2001-03-27 | 2010-09-21 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| US8044507B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-10-25 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| US7163846B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-01-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing circuit devices |
| CN1309283C (zh) * | 2002-09-27 | 2007-04-04 | 三洋电机株式会社 | 电路装置的制造方法 |
| JP2006073586A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN103854964A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 改善沟槽栅分立功率器件晶圆内应力的方法 |
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