JPH1174202A5 - - Google Patents
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- JPH1174202A5 JPH1174202A5 JP1997233620A JP23362097A JPH1174202A5 JP H1174202 A5 JPH1174202 A5 JP H1174202A5 JP 1997233620 A JP1997233620 A JP 1997233620A JP 23362097 A JP23362097 A JP 23362097A JP H1174202 A5 JPH1174202 A5 JP H1174202A5
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23362097A JPH1174202A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化ガリウム系iii−v族化合物半導体の気相成長装置並びに窒化ガリウム系iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23362097A JPH1174202A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化ガリウム系iii−v族化合物半導体の気相成長装置並びに窒化ガリウム系iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174202A JPH1174202A (ja) | 1999-03-16 |
| JPH1174202A5 true JPH1174202A5 (enExample) | 2005-08-11 |
Family
ID=16957909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23362097A Pending JPH1174202A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化ガリウム系iii−v族化合物半導体の気相成長装置並びに窒化ガリウム系iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1174202A (enExample) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6331212B1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-12-18 | Avansys, Llc | Methods and apparatus for thermally processing wafers |
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| JP5995302B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2016-09-21 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
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-
1997
- 1997-08-29 JP JP23362097A patent/JPH1174202A/ja active Pending
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