JPH1172637A - 平面光導波路の製造方法 - Google Patents
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路内の有効屈折率が均一になって、よ
り精密な光素子を得ることができる、均一な平面光導波
路の製造方法を提供する。特にAWG DeMUX の場合、各チ
ャンネルでの位相差が望みの値に一致して漏話が減少す
る。 【解決手段】 基板に下位被覆層を堆積した後、堆積さ
れた表面を研磨する第１段階と、第１段階の結果物上に
コア層を堆積した後、堆積された表面を研磨する第２段
階と、光導波路を形成するために前記第２段階で表面研
磨されたコア層をパターニングする第３段階と、第３段
階でパターニングされて形成された光導波路上に上位被
覆層を堆積した後、堆積された表面を研磨する第４段階
よりなる。
り精密な光素子を得ることができる、均一な平面光導波
路の製造方法を提供する。特にAWG DeMUX の場合、各チ
ャンネルでの位相差が望みの値に一致して漏話が減少す
る。 【解決手段】 基板に下位被覆層を堆積した後、堆積さ
れた表面を研磨する第１段階と、第１段階の結果物上に
コア層を堆積した後、堆積された表面を研磨する第２段
階と、光導波路を形成するために前記第２段階で表面研
磨されたコア層をパターニングする第３段階と、第３段
階でパターニングされて形成された光導波路上に上位被
覆層を堆積した後、堆積された表面を研磨する第４段階
よりなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は均一な平面光導波路
の製造方法に関する。特に、堆積後に研磨を行う平面光
導波路の製造方法に関する。
の製造方法に関する。特に、堆積後に研磨を行う平面光
導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】平面光波回路は、光通信用素子を製造す
るマイクロ・オプティクス方法の短所を補完し、大量生
産するために開発された。図３は従来の平面光導波路の
製造過程を大きく区分して示すことであって、図３Ａは
基板１００上に下位被覆層１０２及びコア層１０４の堆
積段階を示す。図３Ｂは図３Ａのコア層をパターニング
して導波路１０６を形成するパターンニング工程段階を
示し、図３Ｃは図３Ｂで形成された導波路上に上位被覆
層１０８の堆積段階を示す。
るマイクロ・オプティクス方法の短所を補完し、大量生
産するために開発された。図３は従来の平面光導波路の
製造過程を大きく区分して示すことであって、図３Ａは
基板１００上に下位被覆層１０２及びコア層１０４の堆
積段階を示す。図３Ｂは図３Ａのコア層をパターニング
して導波路１０６を形成するパターンニング工程段階を
示し、図３Ｃは図３Ｂで形成された導波路上に上位被覆
層１０８の堆積段階を示す。
【０００３】図４は図３の製造方法を細分化したフロー
チャートである。まず、膜堆積工程により下位被覆及び
コア層が堆積される（１１２段階）。膜堆積はポリマー
のような有機物質はスピンコーティング、無機物質は化
学気相堆積法（ＣＶＤ）、変形したＣＶＤ、火炎加水堆
積法（ＦＨＤ）の方法でなされる。この際、膜堆積方法
と条件によって少し差はあるが、厚さの不均一が存在す
る。スピンコーティングは有機物質を合成した後、所定
の溶媒を利用してその濃度及び粘度を調節した後、スピ
ンコータ上に噴射させた後、高速で回転させて数ミクロ
ンの有機膜を形成する方法である。ＣＶＤ方法は堆積し
ようとする膜の原料になる物質のガスを注入させて反応
炉でエネルギーを加えて基板に膜を形成する方法であ
る。変形されたＣＶＤには低圧ＣＶＤ、ＡＰＣＶＤ、Ｐ
ＥＣＶＤの方法がある。ＦＨＤは水素と酸素炎を利用し
て反応ガスを合成して小さな粒子を作った後、基板上に
堆積させる方法である。各々の膜堆積工程時基板として
は主にシリコン基板が使われ、以外にも石英、酸化アル
ミニウム、ガリウム砒素、インジウムリン化物及びＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板が使われる。
チャートである。まず、膜堆積工程により下位被覆及び
コア層が堆積される（１１２段階）。膜堆積はポリマー
のような有機物質はスピンコーティング、無機物質は化
学気相堆積法（ＣＶＤ）、変形したＣＶＤ、火炎加水堆
積法（ＦＨＤ）の方法でなされる。この際、膜堆積方法
と条件によって少し差はあるが、厚さの不均一が存在す
る。スピンコーティングは有機物質を合成した後、所定
の溶媒を利用してその濃度及び粘度を調節した後、スピ
ンコータ上に噴射させた後、高速で回転させて数ミクロ
ンの有機膜を形成する方法である。ＣＶＤ方法は堆積し
ようとする膜の原料になる物質のガスを注入させて反応
炉でエネルギーを加えて基板に膜を形成する方法であ
る。変形されたＣＶＤには低圧ＣＶＤ、ＡＰＣＶＤ、Ｐ
ＥＣＶＤの方法がある。ＦＨＤは水素と酸素炎を利用し
て反応ガスを合成して小さな粒子を作った後、基板上に
堆積させる方法である。各々の膜堆積工程時基板として
は主にシリコン基板が使われ、以外にも石英、酸化アル
ミニウム、ガリウム砒素、インジウムリン化物及びＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板が使われる。
【０００４】パターン製造は清浄室内で行われる。膜の
堆積されたウェーハは洗浄及び乾燥過程を経てフォトレ
ジスト（ＰＲ）スピンコーティングが行われる（１１６
段階）。この際、前述した１１２段階と１１６段階との
間に食刻条件によって金属マスクが堆積される場合もあ
る（１１４段階）。ＰＲスピンコーティングした後、Ｐ
Ｒパターンが固くなるようにベーキングされ（１１８段
階）、マスクアライメント器を利用して設計パターンが
ウェーハ上に転写された後、紫外線が照射される（１２
０段階）。紫外線照射によりパターンが形成されると現
像液を使用して反応しないＰＲを剥がし（１２２段
階）、露出されたコア層を乾式食刻する（１２４段
階）。食刻方法は誘導結合プラズマあるいは反応性イオ
ンエッチングが使われる。食刻が終わるとパターンマス
クとして使われた物質（ＰＲや金属膜）が除去され（１
２６段階）、後熱処理された後（１２８段階）、膜堆積
工程により上位被覆が形成される（１３０段階）。この
ような過程が完了するとウェーハ単位の工程は終わり、
各素子単位で切断加工された後パッケージング過程を経
て素子として完成される。
堆積されたウェーハは洗浄及び乾燥過程を経てフォトレ
ジスト（ＰＲ）スピンコーティングが行われる（１１６
段階）。この際、前述した１１２段階と１１６段階との
間に食刻条件によって金属マスクが堆積される場合もあ
る（１１４段階）。ＰＲスピンコーティングした後、Ｐ
Ｒパターンが固くなるようにベーキングされ（１１８段
階）、マスクアライメント器を利用して設計パターンが
ウェーハ上に転写された後、紫外線が照射される（１２
０段階）。紫外線照射によりパターンが形成されると現
像液を使用して反応しないＰＲを剥がし（１２２段
階）、露出されたコア層を乾式食刻する（１２４段
階）。食刻方法は誘導結合プラズマあるいは反応性イオ
ンエッチングが使われる。食刻が終わるとパターンマス
クとして使われた物質（ＰＲや金属膜）が除去され（１
２６段階）、後熱処理された後（１２８段階）、膜堆積
工程により上位被覆が形成される（１３０段階）。この
ような過程が完了するとウェーハ単位の工程は終わり、
各素子単位で切断加工された後パッケージング過程を経
て素子として完成される。
【０００５】前述したように従来の平面光導波路の製造
方法は基本的に膜を堆積する過程が３度反復され、多層
構造の素子を作る時はその以上が必要である。この場
合、膜堆積条件を最適化させても厚さの均一度が２〜３
％程度である。膜の厚さが一定でないとこれを基本とし
て作られる導波路の厚さも共に不均一になり、これは結
局素子特性の不均一を招く。図５Ａは厚さの不均一な光
導波路の断面を示すことであって、図５Ｂは図５Ａに示
した厚さの不均一な光導波路の側断面を示すことであ
る。参照番号２００は基板、２０２はコア層、それから
２０４は被覆層を示し、ｄは光導波路の厚さ、ｗは光導
波路の幅、それからｌは光導波路の長さを示す。前述し
た厚さの不均一が素子特性に及ぼす影響は次の通りであ
る。例えば、アレイ導波路デマルチプレクサ(AWG DEMU
X) は色々な波長が混ざってくる入力光信号の波長を分
離して各々の独立したチャンネルに分ける。この際、各
チャンネルの位相差△φは一定の間隔に決まるべきであ
り、この位相差は△Ｌが経路差、βが導波路の伝播指数
の時、△φ＝△Ｌ・βによって与えられる。導波路の伝
播指数βは、ｋ0 が波属(wave factor) 、ｄが導波路の
厚さ、θが入射角である時、β＝ｋ0 ×ｄ・sinθによっ
て与えられるが、導波路が均一でないと光が伝播される
途中でｄが変わるようになり、結局各チャンネルの終端
で望みの特定波長に分離できなくなって漏話が大きくな
る。これが実際の素子製造に問題点として作用する。
方法は基本的に膜を堆積する過程が３度反復され、多層
構造の素子を作る時はその以上が必要である。この場
合、膜堆積条件を最適化させても厚さの均一度が２〜３
％程度である。膜の厚さが一定でないとこれを基本とし
て作られる導波路の厚さも共に不均一になり、これは結
局素子特性の不均一を招く。図５Ａは厚さの不均一な光
導波路の断面を示すことであって、図５Ｂは図５Ａに示
した厚さの不均一な光導波路の側断面を示すことであ
る。参照番号２００は基板、２０２はコア層、それから
２０４は被覆層を示し、ｄは光導波路の厚さ、ｗは光導
波路の幅、それからｌは光導波路の長さを示す。前述し
た厚さの不均一が素子特性に及ぼす影響は次の通りであ
る。例えば、アレイ導波路デマルチプレクサ(AWG DEMU
X) は色々な波長が混ざってくる入力光信号の波長を分
離して各々の独立したチャンネルに分ける。この際、各
チャンネルの位相差△φは一定の間隔に決まるべきであ
り、この位相差は△Ｌが経路差、βが導波路の伝播指数
の時、△φ＝△Ｌ・βによって与えられる。導波路の伝
播指数βは、ｋ0 が波属(wave factor) 、ｄが導波路の
厚さ、θが入射角である時、β＝ｋ0 ×ｄ・sinθによっ
て与えられるが、導波路が均一でないと光が伝播される
途中でｄが変わるようになり、結局各チャンネルの終端
で望みの特定波長に分離できなくなって漏話が大きくな
る。これが実際の素子製造に問題点として作用する。
【０００６】AWG DEMUX 素子のみならず光導波路を基本
とする素子ではこのような問題点が発生する恐れがあ
る。基本的にこれによって発生する誤差が許容範囲内で
あれば使用可能であるが、多層構造になってより精密な
光信号の制御が必要な素子の場合にはより正確な光導波
路が要求される。
とする素子ではこのような問題点が発生する恐れがあ
る。基本的にこれによって発生する誤差が許容範囲内で
あれば使用可能であるが、多層構造になってより精密な
光信号の制御が必要な素子の場合にはより正確な光導波
路が要求される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明が達成しようと
する技術的課題は２〜３％の厚さ偏差を有する上／下位
被覆層、コア層の厚さの不均一を解決するために表面平
坦化工程を追加して膜の厚さの差を最小化することによ
って、表面均一度を増加させる均一な平面光導波路の製
造方法を提供することにある。
する技術的課題は２〜３％の厚さ偏差を有する上／下位
被覆層、コア層の厚さの不均一を解決するために表面平
坦化工程を追加して膜の厚さの差を最小化することによ
って、表面均一度を増加させる均一な平面光導波路の製
造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の技術的な課題を達
成するための、本発明による均一な平面光導波路の製造
方法は、基板に下位被覆層を堆積した後、堆積された表
面を研磨する第１段階と、前記第１段階の結果物上にコ
ア層を堆積した後、堆積された表面を研磨する第２段階
と、光導波路を形成するために前記第２段階で表面研磨
されたコア層をパターニングする第３段階と、前記第３
段階でパターニングされて形成された光導波路上に上位
被覆層を堆積した後、堆積された表面を研磨する第４段
階とを含むことが望ましい。
成するための、本発明による均一な平面光導波路の製造
方法は、基板に下位被覆層を堆積した後、堆積された表
面を研磨する第１段階と、前記第１段階の結果物上にコ
ア層を堆積した後、堆積された表面を研磨する第２段階
と、光導波路を形成するために前記第２段階で表面研磨
されたコア層をパターニングする第３段階と、前記第３
段階でパターニングされて形成された光導波路上に上位
被覆層を堆積した後、堆積された表面を研磨する第４段
階とを含むことが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明をより詳細に説明する。図１は本発明による均一な
平面光導波路の製造方法に関するフローチャートであ
る。図１による均一な平面光導波路の製造方法は、下位
被覆層堆積段階３００、第１表面研磨段階３１０、コア
層堆積段階３２０、第２表面研磨段階３３０、パターニ
ング段階３４０、上位被覆層堆積段階３５０及び第３表
面研磨段階３６０よりなる。
発明をより詳細に説明する。図１は本発明による均一な
平面光導波路の製造方法に関するフローチャートであ
る。図１による均一な平面光導波路の製造方法は、下位
被覆層堆積段階３００、第１表面研磨段階３１０、コア
層堆積段階３２０、第２表面研磨段階３３０、パターニ
ング段階３４０、上位被覆層堆積段階３５０及び第３表
面研磨段階３６０よりなる。
【００１０】上／下位被覆層とコア層の膜堆積段階３０
０、３２０、３５０は前述したようなスピンコーティン
グ、ＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＰＣＶＤ及び
ＦＨＤの中で一つの方法が使われる。基板も前述したシ
リコン、石英、Ａｌ2 Ｏ3 、ＧａＡｓ、ＩｎＰ及びＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板中一つが使われる。
０、３２０、３５０は前述したようなスピンコーティン
グ、ＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＰＣＶＤ及び
ＦＨＤの中で一つの方法が使われる。基板も前述したシ
リコン、石英、Ａｌ2 Ｏ3 、ＧａＡｓ、ＩｎＰ及びＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板中一つが使われる。
【００１１】第１、第２及び第３表面研磨段階３１０、
３３０、３６０は表面を平坦化するための過程である。
表面研磨には機械的研磨と化学的研磨方法があるが、機
械的研磨は研磨しようとする表面物質の硬度以上の物質
を使用して物理的に表面を少しずつ削る方法である。化
学的研磨は表面と反応する化学物質を使用して表面を少
しずつ溶かす方法である。前述した二つの研磨方法を結
合した機械化学的研磨法が使われる場合もある。機械化
学的研磨方法は化学薬品を使用して研磨しようとする表
面と化学反応させて表面の特性を変化させて機械的研磨
効率を増進させる方法である。この方法は特にウェーハ
を用いた大量生産工程と微細な表面研磨の可能な半導体
工程に多用される。図２は前述した機械化学的研磨方法
を示すことである。図２Ａは研磨されない堆積面を示
し、図２Ａの４００は基板、４０２は堆積膜を示す。図
２Ｂは４０４の研摩器具と研磨剤、化学薬品を利用して
研磨する過程を示し、図面の○は研磨剤、●は化学薬品
を示す。図２Ｃは研磨された後表面が均一になったこと
を示す図面である。
３３０、３６０は表面を平坦化するための過程である。
表面研磨には機械的研磨と化学的研磨方法があるが、機
械的研磨は研磨しようとする表面物質の硬度以上の物質
を使用して物理的に表面を少しずつ削る方法である。化
学的研磨は表面と反応する化学物質を使用して表面を少
しずつ溶かす方法である。前述した二つの研磨方法を結
合した機械化学的研磨法が使われる場合もある。機械化
学的研磨方法は化学薬品を使用して研磨しようとする表
面と化学反応させて表面の特性を変化させて機械的研磨
効率を増進させる方法である。この方法は特にウェーハ
を用いた大量生産工程と微細な表面研磨の可能な半導体
工程に多用される。図２は前述した機械化学的研磨方法
を示すことである。図２Ａは研磨されない堆積面を示
し、図２Ａの４００は基板、４０２は堆積膜を示す。図
２Ｂは４０４の研摩器具と研磨剤、化学薬品を利用して
研磨する過程を示し、図面の○は研磨剤、●は化学薬品
を示す。図２Ｃは研磨された後表面が均一になったこと
を示す図面である。
【００１２】例えば、シリカ光導波路の場合、表面研磨
対象がＢＰＳＧで主成分が珪素酸化物であるので、これ
と反応するアルカリ、例えばＫＯＨが添加された研磨剤
（ＳｉＯ2 微粒子、セラミック微粒子）が使われればシ
リカガラスの表面特性が変わる。このように化学反応に
より膜の表面特性が変わることによって機械的研磨効率
が増進される。
対象がＢＰＳＧで主成分が珪素酸化物であるので、これ
と反応するアルカリ、例えばＫＯＨが添加された研磨剤
（ＳｉＯ2 微粒子、セラミック微粒子）が使われればシ
リカガラスの表面特性が変わる。このように化学反応に
より膜の表面特性が変わることによって機械的研磨効率
が増進される。
【００１３】一方、本発明の均一な平面光導波路の製造
方法によると、まず下位被覆層膜が堆積され（３００段
階）、前述した方法で表面研磨作業が遂行される（３１
０段階）。その上にコア層膜が堆積され（３２０段
階）、また表面研磨作業が遂行される（３３０段階）。
コア層の堆積及び表面研磨作業が完了するとパターニン
グが行われる（３４０段階）。
方法によると、まず下位被覆層膜が堆積され（３００段
階）、前述した方法で表面研磨作業が遂行される（３１
０段階）。その上にコア層膜が堆積され（３２０段
階）、また表面研磨作業が遂行される（３３０段階）。
コア層の堆積及び表面研磨作業が完了するとパターニン
グが行われる（３４０段階）。
【００１４】パターニング過程は次の通りである。ま
ず、ウェーハが洗浄された後、ＰＲスピンコーティング
が行われる（３４２段階）。３４２段階の遂行以前に食
刻条件によって金属マスクが堆積される場合もある（３
４１段階）。ＰＲスピンコーティング後、ＰＲパターン
が固くなるようにベーキングされ（３４３段階）、マス
ク整列して設計パターンがウェーハ上に転写された後、
紫外線が照射される（３４４段階）。紫外線照射により
パターンが形成されると、所定の溶液に浸して現像し
（３４５段階）、露出されたコア層を乾式食刻する（３
４６段階）。食刻方法はプラズマ食刻方法、例えば誘導
結合プラズマあるいは反応性イオンエッチングが使われ
る。食刻が終わるとパターンマスクとして使われた物質
（ＰＲや金属膜）が除去され（３４７段階）、後熱処理
されて（３４８段階）、膜パターニング過程が完了す
る。
ず、ウェーハが洗浄された後、ＰＲスピンコーティング
が行われる（３４２段階）。３４２段階の遂行以前に食
刻条件によって金属マスクが堆積される場合もある（３
４１段階）。ＰＲスピンコーティング後、ＰＲパターン
が固くなるようにベーキングされ（３４３段階）、マス
ク整列して設計パターンがウェーハ上に転写された後、
紫外線が照射される（３４４段階）。紫外線照射により
パターンが形成されると、所定の溶液に浸して現像し
（３４５段階）、露出されたコア層を乾式食刻する（３
４６段階）。食刻方法はプラズマ食刻方法、例えば誘導
結合プラズマあるいは反応性イオンエッチングが使われ
る。食刻が終わるとパターンマスクとして使われた物質
（ＰＲや金属膜）が除去され（３４７段階）、後熱処理
されて（３４８段階）、膜パターニング過程が完了す
る。
【００１５】パターニングした後、膜堆積工程により上
位被覆層が形成され（３５０段階）、表面研磨作業が遂
行される（３６０段階）。
位被覆層が形成され（３５０段階）、表面研磨作業が遂
行される（３６０段階）。
【００１６】前述した過程が全て終了すると、この過程
を反復して多層構造の素子が製造できる。
を反復して多層構造の素子が製造できる。
【００１７】前述した方法に従って研磨を行って製造さ
れた単一モードシリカ導波路の場合、導波路の厚さの偏
差は５００Å以内に抑えられる。単一モードシリカ導波
路の場合、コア層の厚さが約８μｍであるので、厚さの
偏差率が０．６％になって従来の２〜３％に比べて均一
度が３〜５倍ほど向上する。多重モードの場合には導波
路の大きさがさらに大きくなり、厚さの偏差は変わらな
いので偏差率はさらに抑えられる。従って、いくつかの
波長を扱う素子、光の伝播距離が長い素子または多層の
導波路を有する素子に利用できる。
れた単一モードシリカ導波路の場合、導波路の厚さの偏
差は５００Å以内に抑えられる。単一モードシリカ導波
路の場合、コア層の厚さが約８μｍであるので、厚さの
偏差率が０．６％になって従来の２〜３％に比べて均一
度が３〜５倍ほど向上する。多重モードの場合には導波
路の大きさがさらに大きくなり、厚さの偏差は変わらな
いので偏差率はさらに抑えられる。従って、いくつかの
波長を扱う素子、光の伝播距離が長い素子または多層の
導波路を有する素子に利用できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によると、表面平坦化工程が追加
されて光導波路の厚さの均一度が増加することによって
光導波路内の有効屈折率が均一になり、より精密な光素
子が製造できる。特にAWG DeMUX の場合、各チャンネル
での位相差が望みの値に一致して漏話が減少する。
されて光導波路の厚さの均一度が増加することによって
光導波路内の有効屈折率が均一になり、より精密な光素
子が製造できる。特にAWG DeMUX の場合、各チャンネル
での位相差が望みの値に一致して漏話が減少する。
【図１】本発明による均一な平面光導波路の製造方法を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２】本発明による表面平坦化過程を示した図であ
る。
る。
【図３】従来の平面光導波路の製造過程を示した図であ
る。
る。
【図４】従来の平面光導波路の製造方法を細分化したフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図５】図５Ａは厚さの不均一な光導波路の断面図であ
り、図５Ｂは図５Ａに示した厚さの不均一な光導波路の
側断面図である。
り、図５Ｂは図５Ａに示した厚さの不均一な光導波路の
側断面図である。
Claims (9)
- 【請求項１】 基板に下位被覆層を堆積した後、堆積さ
れた表面を研磨する第１段階と、前記第１段階の研磨済
み表面上にコア層を堆積した後、堆積された表面を研磨
する第２段階と、光導波路を形成するために前記第２段
階で表面研磨されたコア層をパターニングする第３段階
と、第３段階でパターニングされて形成された光導波路
上に上位被覆層を堆積した後、堆積された表面を研磨す
る第４段階とを含むことを特徴とする均一な平面光導波
路の製造方法。 - 【請求項２】 前記基板の材質が、シリコン、石英、酸
化アルミニウム、ガリウム砒素、インジウムリン化物、
又はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のうちのいずれかであ
る、請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記下位被覆層の堆積が、スピンコーテ
ィング、化学気相堆積法、プラズマ強化化学気相堆積
法、低圧化学気相堆積法、大気圧化学気相堆積法、又は
火炎加水堆積法のうちのいずれかによって行われる、請
求項１に記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記研磨が、機械的研磨、化学的研磨、
又は機械化学的研磨のうちのいずれかによって行われ
る、請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記コア層の堆積が、スピンコーティン
グ、化学気相堆積法、プラズマ強化化学気相堆積法、低
圧化学気相堆積法、大気圧化学気相堆積法、又は火炎加
水堆積法のうちのいずれかによって行われる、請求項１
に記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記上位被覆層の堆積が、スピンコーテ
ィング、化学気相堆積法、プラズマ強化化学気相堆積
法、低圧化学気相堆積法、大気圧化学気相堆積法、又は
火炎加水堆積法のうちのいずれかによって行われる、請
求項１に記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記パターニングを行う第３段階が、前
記表面研磨されたコア層表面にフォトレジストをスピン
コーティングする段階と、熱を加えてフォトレジストを
硬化させるベーキング段階と、マスクをアライメントし
て設計パターンをフォトレジストに転写させた後に紫外
線を照射する段階と、所定の溶液に浸してフォトレジス
トパターンを現像する段階と、設計パターンに従ってコ
ア層を食刻した後、パターンマスクとして使用した物質
を除去する食刻段階と、後熱処理段階とを具備すること
を特徴とする、請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項８】 前記フォトレジストをスピンコーティン
グする段階よりも前に前記表面研磨されたコア層に金属
マスクを堆積する段階をさらに具備することを特徴とす
る、請求項７に記載の製造方法。 - 【請求項９】 前記食刻がプラズマ食刻方法を利用して
なることを特徴とする、請求項７に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970032888A KR100509510B1 (ko) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 균일한 평면 광도파로 제작방법 |
| KR1997-32888 | 1997-07-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1172637A true JPH1172637A (ja) | 1999-03-16 |
| JP2902640B2 JP2902640B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=19514551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10193029A Expired - Fee Related JP2902640B2 (ja) | 1997-07-15 | 1998-07-08 | 平面光導波路の製造方法 |
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| KR (1) | KR100509510B1 (ja) |
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| GB (1) | GB2327280B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009205112A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波体および光導波体製造方法 |
| JP2021504760A (ja) * | 2017-12-15 | 2021-02-15 | エルジー・ケム・リミテッド | ウェアラブルデバイス |
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| CN100356216C (zh) * | 2005-12-29 | 2007-12-19 | 天津大学 | 在光学玻璃表面制备长周期条形波导光栅的方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4169009A (en) * | 1977-03-30 | 1979-09-25 | United Technologies Corporation | Large area microstructure processing |
| JPS5540477A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-21 | Nec Corp | Production of diffraction grating |
| JPS5930508A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路 |
| NL8701478A (nl) * | 1987-06-25 | 1989-01-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire optische component. |
| JPH0563296A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光導波路の形成方法 |
| US5613995A (en) * | 1993-04-23 | 1997-03-25 | Lucent Technologies Inc. | Method for making planar optical waveguides |
| JPH0727937A (ja) * | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路の製造方法 |
| JPH07294760A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路の製造方法 |
| JP3674061B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2005-07-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜多層回路基板および光導波路の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-15 KR KR1019970032888A patent/KR100509510B1/ko active IP Right Grant
-
1998
- 1998-07-08 JP JP10193029A patent/JP2902640B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-13 CN CN98103201A patent/CN1105927C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-14 GB GB9815126A patent/GB2327280B/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009205112A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波体および光導波体製造方法 |
| JP2021504760A (ja) * | 2017-12-15 | 2021-02-15 | エルジー・ケム・リミテッド | ウェアラブルデバイス |
| JP2022103280A (ja) * | 2017-12-15 | 2022-07-07 | エルジー・ケム・リミテッド | ウェアラブルデバイス |
| US11681154B2 (en) | 2017-12-15 | 2023-06-20 | Lg Chem, Ltd. | Wearable device including a plastic lens substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| GB2327280B (en) | 1999-08-11 |
| GB9815126D0 (en) | 1998-09-09 |
| CN1105927C (zh) | 2003-04-16 |
| KR19990010190A (ko) | 1999-02-05 |
| JP2902640B2 (ja) | 1999-06-07 |
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