JPH07294760A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPH07294760A JPH07294760A JP6084630A JP8463094A JPH07294760A JP H07294760 A JPH07294760 A JP H07294760A JP 6084630 A JP6084630 A JP 6084630A JP 8463094 A JP8463094 A JP 8463094A JP H07294760 A JPH07294760 A JP H07294760A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
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- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光導波路を構成する各層の屈折率が安定した
光導波路を製造する。 【構成】 基板上に下部クラッド層と下部クラッド層の
露出表面の第１の領域上にコア層とを形成する。次に、
焼結炉内において、下部クラッド層の表面の第１の領域
以外の領域上およびコア層の露出表面上に、Ｐ2 Ｏ5 お
よびＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光導波路用ガ
ラス膜を火炎堆積法を用いて焼結し、上部クラッド層を
堆積する。この上部クラッド層の堆積後、あるいは所定
の温度まで再加熱した後、所定の温度まで徐冷して室温
へ取り出す。
光導波路を製造する。 【構成】 基板上に下部クラッド層と下部クラッド層の
露出表面の第１の領域上にコア層とを形成する。次に、
焼結炉内において、下部クラッド層の表面の第１の領域
以外の領域上およびコア層の露出表面上に、Ｐ2 Ｏ5 お
よびＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光導波路用ガ
ラス膜を火炎堆積法を用いて焼結し、上部クラッド層を
堆積する。この上部クラッド層の堆積後、あるいは所定
の温度まで再加熱した後、所定の温度まで徐冷して室温
へ取り出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、火炎堆積法（以後、Ｆ
ＨＤ法とも呼ぶ）を用いた光導波路の製造方法に関する
ものである。
ＨＤ法とも呼ぶ）を用いた光導波路の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンなどからなる基板上に形成可能
な石英系光導波路は、伝送損失が低く、石英系光ファイ
バと整合性の良いことから導波型光部品や光集積回路へ
の優れた応用性により注目されており、従来から様々な
製造方法が提案されている。
な石英系光導波路は、伝送損失が低く、石英系光ファイ
バと整合性の良いことから導波型光部品や光集積回路へ
の優れた応用性により注目されており、従来から様々な
製造方法が提案されている。
【０００３】こうした従来の光導波路の製造方法の１つ
にＦＨＤ法を使用した光導波路の製造方法があり、例え
ば、特開昭５８−１０５１１１に開示の方法が代表的な
ものである。図７は、この光導波路の製造方法を説明し
た図である。この方法では、まず、ガラス微粒子合成用
のバーナ４にＳｉＣｌ4 、ＢＣｌ3 及びＰＯＣｌ3 ある
いはＰＣｌ3 を供給することによって、シリコンなどの
基板１上に下部クラッド層となるべき多孔質ガラス層２
（ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐ2 Ｏ5 ）が形成される（図７
（ａ）参照）。次に、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 あるいは
ＴｉＣｌ4 、ＢＣｌ3 、及びＰＯＣｌ3 あるいはＰＣｌ
3 をガラス微粒子合成用のバーナに供給することによっ
て、多孔質ガラス層２上にコア層となるべき多孔質ガラ
ス層３（ＳｉＯ2 ＋ＧｅＯ2 あるいはＴｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ
3 ＋Ｐ2 Ｏ5 ）が形成される（図７（ｂ）参照）。次い
で、各多孔質ガラス層２、３が焼結・透明化され、透明
ガラスからなる下部クラッド層２′及びコア層３′が得
られる（図７（ｃ）参照）。その後、透明ガラスからな
るコア層３′に適当なパターニング加工を施しコア部を
形成し（図７（ｄ）参照）、上部クラッド層となる多孔
質ガラス層５が図７（ａ）と同様に形成され、焼結・透
明化される（図７（ｅ）参照）。
にＦＨＤ法を使用した光導波路の製造方法があり、例え
ば、特開昭５８−１０５１１１に開示の方法が代表的な
ものである。図７は、この光導波路の製造方法を説明し
た図である。この方法では、まず、ガラス微粒子合成用
のバーナ４にＳｉＣｌ4 、ＢＣｌ3 及びＰＯＣｌ3 ある
いはＰＣｌ3 を供給することによって、シリコンなどの
基板１上に下部クラッド層となるべき多孔質ガラス層２
（ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐ2 Ｏ5 ）が形成される（図７
（ａ）参照）。次に、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 あるいは
ＴｉＣｌ4 、ＢＣｌ3 、及びＰＯＣｌ3 あるいはＰＣｌ
3 をガラス微粒子合成用のバーナに供給することによっ
て、多孔質ガラス層２上にコア層となるべき多孔質ガラ
ス層３（ＳｉＯ2 ＋ＧｅＯ2 あるいはＴｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ
3 ＋Ｐ2 Ｏ5 ）が形成される（図７（ｂ）参照）。次い
で、各多孔質ガラス層２、３が焼結・透明化され、透明
ガラスからなる下部クラッド層２′及びコア層３′が得
られる（図７（ｃ）参照）。その後、透明ガラスからな
るコア層３′に適当なパターニング加工を施しコア部を
形成し（図７（ｄ）参照）、上部クラッド層となる多孔
質ガラス層５が図７（ａ）と同様に形成され、焼結・透
明化される（図７（ｅ）参照）。
【０００４】他の製造方法としては、下部クラッド層用
に多孔質ガラス層のみを形成しこれを焼結・透明化した
後、コア用の多孔質ガラス層を形成する場合もあり、基
板として石英ガラスなど光透過性を有するものを使用し
これを下部クラッド層とし、これにコア用多孔質ガラス
層を形成する場合もある。また、ＰＣＶＤ法など全く別
の手法でコア、下部クラッドなどを形成する場合もあ
る。
に多孔質ガラス層のみを形成しこれを焼結・透明化した
後、コア用の多孔質ガラス層を形成する場合もあり、基
板として石英ガラスなど光透過性を有するものを使用し
これを下部クラッド層とし、これにコア用多孔質ガラス
層を形成する場合もある。また、ＰＣＶＤ法など全く別
の手法でコア、下部クラッドなどを形成する場合もあ
る。
【０００５】こうした方法の中で、下部クラッド層およ
びコア層を形成した後、上部クラッド層を上記ＦＨＤ法
を用いて形成する際には、特開平３−７５６０６号公報
に開示されているように、上部クラッド層の軟化温度が
下部クラッド或いはコアの軟化温度より低くなるよう、
上部クラッド層に添加するＰ2 Ｏ5 、Ｂ2 Ｏ3 の量を下
部クラッドやコアより多くし、上部クラッド層の焼結温
度を低下せしめ、上部クラッド層の焼結時のコアの変形
を防止する手法が知られている。
びコア層を形成した後、上部クラッド層を上記ＦＨＤ法
を用いて形成する際には、特開平３−７５６０６号公報
に開示されているように、上部クラッド層の軟化温度が
下部クラッド或いはコアの軟化温度より低くなるよう、
上部クラッド層に添加するＰ2 Ｏ5 、Ｂ2 Ｏ3 の量を下
部クラッドやコアより多くし、上部クラッド層の焼結温
度を低下せしめ、上部クラッド層の焼結時のコアの変形
を防止する手法が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記に示した、上部ク
ラッド層の焼結温度を低下せしめ、上部クラッド層の焼
結時のコアの変形を防止する手法を用いるのにあたっ
て、上部クラッド層の軟化温度と、下部クラッド層或い
はコア層との軟化温度とに差がある場合、特にＰ2Ｏ3
およびＢ2 Ｏ5 の総添加量が上部クラッドと下部クラッ
ド或いはコアとで異なる場合に、膜厚方向の組成分布に
有意差がないにも拘らず、膜厚方向の屈折率分布に差が
生じる現象が新たに見出された。
ラッド層の焼結温度を低下せしめ、上部クラッド層の焼
結時のコアの変形を防止する手法を用いるのにあたっ
て、上部クラッド層の軟化温度と、下部クラッド層或い
はコア層との軟化温度とに差がある場合、特にＰ2Ｏ3
およびＢ2 Ｏ5 の総添加量が上部クラッドと下部クラッ
ド或いはコアとで異なる場合に、膜厚方向の組成分布に
有意差がないにも拘らず、膜厚方向の屈折率分布に差が
生じる現象が新たに見出された。
【０００７】図８および図９は、この膜厚方向の屈折率
分布に差が生じる現象の説明図である。図８は、シリコ
ン基板１上に、下部クラッド層２′には、比較的微少量
のＰ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 を添加し、コア層３′にはＧ
ｅＯ2 とやはり微少量のＰ2Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 を添加
し、上部クラッド層５′には下部クラッド層２′の約４
倍のＰ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 を添加した構成で、従来の
ＦＨＤ法にて作製した導波路ａについて膜厚方向の組成
分布と屈折率分布を測定した結果である。図９は図８と
同様の構成で、やはりＦＨＤ法にて作製した導波路ｂに
ついて膜厚方向の組成分布と屈折率分布を測定した結果
である。そして、図８（ａ）および図９（ａ）は各々導
波路Ａと導波路Ｂの断面を示し、図８（ｂ）および図９
（ｂ）は各々導波路Ａと導波路Ｂの膜厚方向の（図８
（ａ）および図９（ａ）中の一点鎖線に沿った）Ｇｅの
濃度分布をＥＰＭＡ（電子線プローブマイクロアナリシ
ス）法で測定した結果であり、図８（ｃ）および図９
（ｃ）はＰの濃度分布をＥＰＭＡ法で測定した結果であ
り、図８（ｄ）および図９（ｄ）はＢの濃度分布をＥＰ
ＭＡ法で測定した結果である。また、図８（ｅ）および
図９（ｅ）は、Refractive Near Field (RNF) 法で測定
した屈折率を下部クラッドの平均的な屈折率との比屈折
率差を％で表示したものである。
分布に差が生じる現象の説明図である。図８は、シリコ
ン基板１上に、下部クラッド層２′には、比較的微少量
のＰ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 を添加し、コア層３′にはＧ
ｅＯ2 とやはり微少量のＰ2Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 を添加
し、上部クラッド層５′には下部クラッド層２′の約４
倍のＰ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 を添加した構成で、従来の
ＦＨＤ法にて作製した導波路ａについて膜厚方向の組成
分布と屈折率分布を測定した結果である。図９は図８と
同様の構成で、やはりＦＨＤ法にて作製した導波路ｂに
ついて膜厚方向の組成分布と屈折率分布を測定した結果
である。そして、図８（ａ）および図９（ａ）は各々導
波路Ａと導波路Ｂの断面を示し、図８（ｂ）および図９
（ｂ）は各々導波路Ａと導波路Ｂの膜厚方向の（図８
（ａ）および図９（ａ）中の一点鎖線に沿った）Ｇｅの
濃度分布をＥＰＭＡ（電子線プローブマイクロアナリシ
ス）法で測定した結果であり、図８（ｃ）および図９
（ｃ）はＰの濃度分布をＥＰＭＡ法で測定した結果であ
り、図８（ｄ）および図９（ｄ）はＢの濃度分布をＥＰ
ＭＡ法で測定した結果である。また、図８（ｅ）および
図９（ｅ）は、Refractive Near Field (RNF) 法で測定
した屈折率を下部クラッドの平均的な屈折率との比屈折
率差を％で表示したものである。
【０００８】以上の図８（ｂ）〜（ｄ）および図９
（ｂ）〜（ｄ）のデータから、導波路ａと導波路ｂの組
成分布はＥＰＭＡでの測定精度を考慮すると、有意差は
ない。ところが、図８（ｅ）と図９（ｅ）に示す両者の
屈折率分布には大きな違いがあり、特に下部クラッド層
の平均的屈折率を基準に考えると、導波路ａの上部クラ
ッド層の屈折率は低く、逆に導波路ｂの上部クラッド層
の屈折率は高くなっている。このように上部クラッド層
の屈折率が同一ガラス組成でもバラツキが生じると、例
えば、光導波路型方向性結合器を形成して光の合波分波
を行う際、その分岐特性が変化することにつながり、所
望の特性が得られないことになる。
（ｂ）〜（ｄ）のデータから、導波路ａと導波路ｂの組
成分布はＥＰＭＡでの測定精度を考慮すると、有意差は
ない。ところが、図８（ｅ）と図９（ｅ）に示す両者の
屈折率分布には大きな違いがあり、特に下部クラッド層
の平均的屈折率を基準に考えると、導波路ａの上部クラ
ッド層の屈折率は低く、逆に導波路ｂの上部クラッド層
の屈折率は高くなっている。このように上部クラッド層
の屈折率が同一ガラス組成でもバラツキが生じると、例
えば、光導波路型方向性結合器を形成して光の合波分波
を行う際、その分岐特性が変化することにつながり、所
望の特性が得られないことになる。
【０００９】本発明は、上記を鑑みてなされたものであ
り、光の導波要素であるコア層およびクラッド層に関し
て設計値とほぼ一致する所望の屈折率を付与可能な光導
波路の製造方法を提供することを目的とする。
り、光の導波要素であるコア層およびクラッド層に関し
て設計値とほぼ一致する所望の屈折率を付与可能な光導
波路の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光導波路の製造
方法は、従来配慮されていなかった光導波路用ガラス膜
の焼結後の冷却過程と、光導波路用ガラス膜の屈折率の
定量的関係について、本発明者等が鋭意検討した結果か
ら、焼結後の冷却条件を規定することにより、各層が所
望の屈折率を有する光導波路用ガラス膜を安定して提供
するものである。
方法は、従来配慮されていなかった光導波路用ガラス膜
の焼結後の冷却過程と、光導波路用ガラス膜の屈折率の
定量的関係について、本発明者等が鋭意検討した結果か
ら、焼結後の冷却条件を規定することにより、各層が所
望の屈折率を有する光導波路用ガラス膜を安定して提供
するものである。
【００１１】すなわち、本発明の第１の光導波路の製造
方法は、（ａ）下部クラッド層と、下部クラッド層の露
出表面の第１の領域上にコア層とを形成する第１の工程
と、（ｂ）焼結炉内において、下部クラッド層の表面の
第１の領域以外の領域上およびコア層の露出表面上に、
Ｐ2 Ｏ5 またはＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光
導波路用ガラス膜を火炎堆積法を用いて焼結し上部クラ
ッド層を堆積する第２の工程と、（ｃ）上部クラッド層
の焼結後、 Ｔｏｕｔ≦１１００−５０×｛［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］｝…（１） ここで、Ｔｏｕｔ：焼結炉からの取り出し温度（℃） ［Ｐ2 Ｏ5 ］：上部クラッド層へのＰ2 Ｏ5 の添加濃度
（ｍｏｌ％） ［Ｂ2 Ｏ3 ］：上部クラッド層へのＢ2 Ｏ3 の添加濃度
（ｍｏｌ％） を満たす焼結炉からの取り出し温度Ｔｏｕｔ（℃）まで
光導波路用ガラス膜の焼結物を徐冷して室温へ取り出す
第３の工程と、を備えることを特徴とする。
方法は、（ａ）下部クラッド層と、下部クラッド層の露
出表面の第１の領域上にコア層とを形成する第１の工程
と、（ｂ）焼結炉内において、下部クラッド層の表面の
第１の領域以外の領域上およびコア層の露出表面上に、
Ｐ2 Ｏ5 またはＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光
導波路用ガラス膜を火炎堆積法を用いて焼結し上部クラ
ッド層を堆積する第２の工程と、（ｃ）上部クラッド層
の焼結後、 Ｔｏｕｔ≦１１００−５０×｛［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］｝…（１） ここで、Ｔｏｕｔ：焼結炉からの取り出し温度（℃） ［Ｐ2 Ｏ5 ］：上部クラッド層へのＰ2 Ｏ5 の添加濃度
（ｍｏｌ％） ［Ｂ2 Ｏ3 ］：上部クラッド層へのＢ2 Ｏ3 の添加濃度
（ｍｏｌ％） を満たす焼結炉からの取り出し温度Ｔｏｕｔ（℃）まで
光導波路用ガラス膜の焼結物を徐冷して室温へ取り出す
第３の工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の第２の光導波路の製造方法
は、（ａ）下部クラッド層と、下部クラッド層の露出表
面の第１の領域上にコア層とを形成する第１の工程と、
（ｂ）焼結炉内において、下部クラッド層の表面の第１
の領域以外の領域上およびコア層の露出表面上に、Ｐ2
Ｏ5 またはＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光導波
路用ガラス膜を火炎堆積法を用いて焼結し上部クラッド
層を堆積する第２の工程と、（ｃ）上部クラッド層の焼
結後、焼結炉内で光導波路用ガラス膜の焼結物を再加熱
する第３の工程と、（ｄ）再加熱した後、（１）式を満
たす焼結炉からの取り出し温度Ｔｏｕｔ（℃）まで光導
波路用ガラス膜の焼結物を徐冷して室温へ取り出す第４
の工程と、を備えることを特徴とする。
は、（ａ）下部クラッド層と、下部クラッド層の露出表
面の第１の領域上にコア層とを形成する第１の工程と、
（ｂ）焼結炉内において、下部クラッド層の表面の第１
の領域以外の領域上およびコア層の露出表面上に、Ｐ2
Ｏ5 またはＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光導波
路用ガラス膜を火炎堆積法を用いて焼結し上部クラッド
層を堆積する第２の工程と、（ｃ）上部クラッド層の焼
結後、焼結炉内で光導波路用ガラス膜の焼結物を再加熱
する第３の工程と、（ｄ）再加熱した後、（１）式を満
たす焼結炉からの取り出し温度Ｔｏｕｔ（℃）まで光導
波路用ガラス膜の焼結物を徐冷して室温へ取り出す第４
の工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】ここで、第３の工程における再加熱温度
は、再加熱温度をＴａ（℃）、上部クラッド層へのＰ2
Ｏ5 添加濃度を［Ｐ2 Ｏ5 ］（ｍｏｌ％）、上部クラッ
ド層へのＢ2 Ｏ3 添加濃度を［Ｂ2 Ｏ3 ］（ｍｏｌ％）
と表わした時、 Ｔａ≧１１００−２５×｛［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］｝…（２） ここで、Ｔａ：再加熱温度（℃） ［Ｐ2 Ｏ5 ］：上部クラッド層へのＰ2 Ｏ5 の添加濃度
（ｍｏｌ％） ［Ｂ2 Ｏ3 ］：上部クラッド層へのＢ2 Ｏ3 の添加濃度
（ｍｏｌ％） を満足する温度に設定される、ことを特徴としてもよ
い。
は、再加熱温度をＴａ（℃）、上部クラッド層へのＰ2
Ｏ5 添加濃度を［Ｐ2 Ｏ5 ］（ｍｏｌ％）、上部クラッ
ド層へのＢ2 Ｏ3 添加濃度を［Ｂ2 Ｏ3 ］（ｍｏｌ％）
と表わした時、 Ｔａ≧１１００−２５×｛［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］｝…（２） ここで、Ｔａ：再加熱温度（℃） ［Ｐ2 Ｏ5 ］：上部クラッド層へのＰ2 Ｏ5 の添加濃度
（ｍｏｌ％） ［Ｂ2 Ｏ3 ］：上部クラッド層へのＢ2 Ｏ3 の添加濃度
（ｍｏｌ％） を満足する温度に設定される、ことを特徴としてもよ
い。
【００１４】また、本発明の第１の光導波路の製造方法
と同様に、第４の工程での再加熱後の焼結炉内の徐冷過
程では、降温速度は１°／ｍｉｎから２０°／ｍｉｎま
での範囲内である、ことが好適である。
と同様に、第４の工程での再加熱後の焼結炉内の徐冷過
程では、降温速度は１°／ｍｉｎから２０°／ｍｉｎま
での範囲内である、ことが好適である。
【００１５】
【作用】本発明の光導波路の製造方法の第１の方法で
は、まず、下部クラッド層と下部クラッド層の露出表面
の第１の領域上にコア層とを形成する。次に、焼結炉内
において、下部クラッド層の表面の第１の領域以外の領
域上およびコア層の露出表面上に、Ｐ2 Ｏ5 およびＢ2
Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光導波路用ガラス膜を
火炎堆積法を用いて焼結し、上部クラッド層を堆積す
る。次いで、（１）式を満たす焼結炉からの取り出し温
度Ｔｏｕｔ（℃）まで光導波路用ガラス膜の焼結物を徐
冷して室温へ取り出す。
は、まず、下部クラッド層と下部クラッド層の露出表面
の第１の領域上にコア層とを形成する。次に、焼結炉内
において、下部クラッド層の表面の第１の領域以外の領
域上およびコア層の露出表面上に、Ｐ2 Ｏ5 およびＢ2
Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光導波路用ガラス膜を
火炎堆積法を用いて焼結し、上部クラッド層を堆積す
る。次いで、（１）式を満たす焼結炉からの取り出し温
度Ｔｏｕｔ（℃）まで光導波路用ガラス膜の焼結物を徐
冷して室温へ取り出す。
【００１６】ここで、焼結後の焼結炉内での徐冷過程で
は、降温速度は１°／ｍｉｎから２０°／ｍｉｎまでの
範囲内である、ことが好適である。
は、降温速度は１°／ｍｉｎから２０°／ｍｉｎまでの
範囲内である、ことが好適である。
【００１７】こうして、焼結後の急冷によるガラス層の
屈折率の不定性を低減し、各層が所望の屈折率を有する
光導波路を製造する。
屈折率の不定性を低減し、各層が所望の屈折率を有する
光導波路を製造する。
【００１８】また、本発明の光導波路の製造方法の第２
の方法では、まず、下部クラッド層と下部クラッド層の
露出表面の第１の領域上にコア層を形成する。次に、焼
結炉内において、下部クラッド層の表面の第１の領域以
外の領域上およびコア層の露出表面上に、Ｐ2 Ｏ5 およ
びＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光導波路用ガラ
ス膜を火炎堆積法を用いて焼結し上部クラッド層を堆積
する。
の方法では、まず、下部クラッド層と下部クラッド層の
露出表面の第１の領域上にコア層を形成する。次に、焼
結炉内において、下部クラッド層の表面の第１の領域以
外の領域上およびコア層の露出表面上に、Ｐ2 Ｏ5 およ
びＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加した光導波路用ガラ
ス膜を火炎堆積法を用いて焼結し上部クラッド層を堆積
する。
【００１９】次いで、上部クラッド層の焼結後、焼結炉
内で光導波路用ガラス膜の焼結物を再加熱する。この再
加熱工程における再加熱温度は、（２）式を満足する温
度に設定されることが好ましい。引き続き、再加熱した
後、（１）式を満たす焼結炉からの取り出し温度Ｔｏｕ
ｔ（℃）まで光導波路用ガラス膜の焼結物を徐冷して室
温へ取り出す。
内で光導波路用ガラス膜の焼結物を再加熱する。この再
加熱工程における再加熱温度は、（２）式を満足する温
度に設定されることが好ましい。引き続き、再加熱した
後、（１）式を満たす焼結炉からの取り出し温度Ｔｏｕ
ｔ（℃）まで光導波路用ガラス膜の焼結物を徐冷して室
温へ取り出す。
【００２０】第２の方法においても、再加熱後の徐冷過
程では、降温速度は１°／ｍｉｎから２０°／ｍｉｎま
での範囲内である、ことが好適である。
程では、降温速度は１°／ｍｉｎから２０°／ｍｉｎま
での範囲内である、ことが好適である。
【００２１】こうして、焼結後の急冷によるガラス層の
屈折率の不安定性を低減し、各層が所望の屈折率を有す
る光導波路を製造する。
屈折率の不安定性を低減し、各層が所望の屈折率を有す
る光導波路を製造する。
【００２２】
【実施例】実施例の説明に先立って、本発明の光導波路
の製造方法で利用する現象について説明する。
の製造方法で利用する現象について説明する。
【００２３】光導波路用ガラス膜の屈折率は、原則とし
て添加物の組成によって定まる。ＦＨＤ法で作製する光
導波路用ガラス膜、特に上部クラッド用ガラス膜には、
石英ガラスの屈折率を上昇させるＰ2 Ｏ5 と屈折率を低
下させるＢ2 Ｏ3 が添加される。Ｐ2 Ｏ5 もＢ2 Ｏ3 も
石英ガラスの軟化温度を低下させる目的で、特に上部ク
ラッド層には添加されているが、上部クラッド層の屈折
率を所定の値（一般的には、下部クラッド層とほぼ同じ
値）になるように、Ｐ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の組成が決定さ
れる。
て添加物の組成によって定まる。ＦＨＤ法で作製する光
導波路用ガラス膜、特に上部クラッド用ガラス膜には、
石英ガラスの屈折率を上昇させるＰ2 Ｏ5 と屈折率を低
下させるＢ2 Ｏ3 が添加される。Ｐ2 Ｏ5 もＢ2 Ｏ3 も
石英ガラスの軟化温度を低下させる目的で、特に上部ク
ラッド層には添加されているが、上部クラッド層の屈折
率を所定の値（一般的には、下部クラッド層とほぼ同じ
値）になるように、Ｐ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の組成が決定さ
れる。
【００２４】ところが本発明者らは、上部クラッド層の
焼結後の冷却条件により上部クラッド層の屈折率が変化
する現象を見出した。つまり、焼結後の光導波路を冷却
する際、急冷すればするほど、同一組成のガラス膜の場
合、屈折率が低下する現象を見出した。すなわち、従来
技術の問題点で述べた現象は、これまで配慮されていな
かった焼結後の冷却条件の違いに帰結することを見出だ
した。
焼結後の冷却条件により上部クラッド層の屈折率が変化
する現象を見出した。つまり、焼結後の光導波路を冷却
する際、急冷すればするほど、同一組成のガラス膜の場
合、屈折率が低下する現象を見出した。すなわち、従来
技術の問題点で述べた現象は、これまで配慮されていな
かった焼結後の冷却条件の違いに帰結することを見出だ
した。
【００２５】以下、本発明の光導波路の製造方法の実施
例およびその根拠となった実験測定結果を説明する。
例およびその根拠となった実験測定結果を説明する。
【００２６】図１は実施例における光導波路の製造工程
図であり、図２はガラス微粒子堆積時に使用する装置の
構成図である。
図であり、図２はガラス微粒子堆積時に使用する装置の
構成図である。
【００２７】まず、３インチのシリコンウエハ上にＦＨ
Ｄ法を用いて、下部クラッド層用ガラス微粒子層２を形
成後焼結し（図１（ａ）参照）、その上にＦＨＤ法を用
いてコア層用ガラス微粒子層３を形成後焼結した（図１
（ｂ）参照）。下部クラッド層およびコア層形成時のバ
ーナー４に供給した原料およびガス流量は次の表１の通
りである。
Ｄ法を用いて、下部クラッド層用ガラス微粒子層２を形
成後焼結し（図１（ａ）参照）、その上にＦＨＤ法を用
いてコア層用ガラス微粒子層３を形成後焼結した（図１
（ｂ）参照）。下部クラッド層およびコア層形成時のバ
ーナー４に供給した原料およびガス流量は次の表１の通
りである。
【００２８】
【表１】
【００２９】次いで、各多孔質ガラス層２、３が焼結・
透明化され、透明ガラスからなる下部クラッド層２′及
びコア層３′が得られる（図１（ｃ）参照）。その後、
透明ガラスからなるコア層３′に適当なパターニング加
工を施しコア部を形成した（図１（ｄ）参照）。
透明化され、透明ガラスからなる下部クラッド層２′及
びコア層３′が得られる（図１（ｃ）参照）。その後、
透明ガラスからなるコア層３′に適当なパターニング加
工を施しコア部を形成した（図１（ｄ）参照）。
【００３０】ガラス微粒子堆積時には基板１はヒータ１
４により約６００℃に加熱されたターンテーブル１１上
に置かれた、ターンテーブルは１０ｒｐｍの速度で回転
した。
４により約６００℃に加熱されたターンテーブル１１上
に置かれた、ターンテーブルは１０ｒｐｍの速度で回転
した。
【００３１】また焼結は、温度８００℃のＨｅ：Ｏ2 ＝
１０：１の雰囲気の炉内にガラス微粒子堆積状態の基板
を挿入後、２０°／ｍｉｎの昇温速度で１４００℃まで
加熱し、３Ｈｏｕｒ保持後、１０°／ｍｉｎ降温速度で
８００℃まで降温し室温に取り出すことで行った。
１０：１の雰囲気の炉内にガラス微粒子堆積状態の基板
を挿入後、２０°／ｍｉｎの昇温速度で１４００℃まで
加熱し、３Ｈｏｕｒ保持後、１０°／ｍｉｎ降温速度で
８００℃まで降温し室温に取り出すことで行った。
【００３２】このようにして作成した、下部クラッド層
およびコア層が形成された基板上に、次の表２に示す
〜の条件で上部クラッド層に相当するガラス微粒子を
堆積させた（図１（ｅ）参照）。
およびコア層が形成された基板上に、次の表２に示す
〜の条件で上部クラッド層に相当するガラス微粒子を
堆積させた（図１（ｅ）参照）。
【００３３】
【表２】
【００３４】なお、ターンテーブル回転数は１０ｒｐ
ｍ、その温度は６００℃とした。
ｍ、その温度は６００℃とした。
【００３５】表２に示す条件〜のガラス微粒子層
は、８００℃，Ｈｅ：Ｏ2 ＝１０：１の雰囲気の炉に挿
入後２０°／ｍｉｎの昇温速度で各ガラス微粒子作製条
件に対応した焼結温度（表３）まで加熱後、１０°／ｍ
ｉｎの降温速度で所定温度まで降温後、室温に取り出さ
れた（図１（ｆ）参照）。
は、８００℃，Ｈｅ：Ｏ2 ＝１０：１の雰囲気の炉に挿
入後２０°／ｍｉｎの昇温速度で各ガラス微粒子作製条
件に対応した焼結温度（表３）まで加熱後、１０°／ｍ
ｉｎの降温速度で所定温度まで降温後、室温に取り出さ
れた（図１（ｆ）参照）。
【００３６】
【表３】
【００３７】この時、焼結炉から取り出す直前の温度を
各サンプルについて４００℃〜１０００℃まで変え、そ
の上部クラッド相当部の屈折率をＲＮＦ法で計測した。
図３は、この時の焼結炉からの取出し温度と上部クラッ
ド層相当部の屈折率の関係を、純石英ガラスの屈折率と
の比屈折率差で表わしたグラフである。
各サンプルについて４００℃〜１０００℃まで変え、そ
の上部クラッド相当部の屈折率をＲＮＦ法で計測した。
図３は、この時の焼結炉からの取出し温度と上部クラッ
ド層相当部の屈折率の関係を、純石英ガラスの屈折率と
の比屈折率差で表わしたグラフである。
【００３８】また、図３には同時に、表２の各条件〜
の上部クラッド相当部のＥＰＭＡで測定したＰ2 Ｏ5
とＢ2 Ｏ3 の濃度を示す。
の上部クラッド相当部のＥＰＭＡで測定したＰ2 Ｏ5
とＢ2 Ｏ3 の濃度を示す。
【００３９】図３から判るように、たとえばサンプルＮ
ｏ．の条件では、焼結炉からの取り出し温度が７００
℃以下であれば、その比屈折率差は＋０．１２〜０．１
３％と安定しているが、７００〜１０００℃の間で焼結
炉からの取出温度が高くなるほどその屈折率が低下す
る。この現象をより明確にするために、サンプルＮｏ．
で焼結炉からの取り出し温度が５００℃であったもの
を１０００℃にまで加熱し、室温まで急冷したところそ
の屈折率は＋０．０５％と焼結炉から１０００℃で取り
出したものと同等になった。逆に焼結炉から１０００℃
で取り出したものを再度１０００℃にまで加熱し、１０
°／ｍｉｎの降温速度で５００℃まで徐冷したものの屈
折率は焼結炉から５００℃で取り出したものと同等の＋
０．１２％になった。このことより、焼結炉からの取り
出し温度の違いによる急冷の程度が光導波路用のガラス
膜の屈折率の値を決定する重要な要因であることが判明
した。
ｏ．の条件では、焼結炉からの取り出し温度が７００
℃以下であれば、その比屈折率差は＋０．１２〜０．１
３％と安定しているが、７００〜１０００℃の間で焼結
炉からの取出温度が高くなるほどその屈折率が低下す
る。この現象をより明確にするために、サンプルＮｏ．
で焼結炉からの取り出し温度が５００℃であったもの
を１０００℃にまで加熱し、室温まで急冷したところそ
の屈折率は＋０．０５％と焼結炉から１０００℃で取り
出したものと同等になった。逆に焼結炉から１０００℃
で取り出したものを再度１０００℃にまで加熱し、１０
°／ｍｉｎの降温速度で５００℃まで徐冷したものの屈
折率は焼結炉から５００℃で取り出したものと同等の＋
０．１２％になった。このことより、焼結炉からの取り
出し温度の違いによる急冷の程度が光導波路用のガラス
膜の屈折率の値を決定する重要な要因であることが判明
した。
【００４０】したがって、所望の屈折率値を安定に得る
ためには焼結炉からの取り出し温度を厳重に管理する必
要がある。特に、例えばサンプルでは焼結炉からの取
り出し温度が７００℃〜１０００℃の間にある際には、
取り出し温度のわずかな変動が屈折率の変動の原因にな
る。ところが、取り出し温度が７００℃以上或いは１０
００℃以上であれば比較的得られる屈折率の変化は少な
い。しかし、取り出し温度が高すぎると急冷による導波
路本体や治具の破壊等の問題が生じることがある。ま
た、安全性の観点から好ましくない。
ためには焼結炉からの取り出し温度を厳重に管理する必
要がある。特に、例えばサンプルでは焼結炉からの取
り出し温度が７００℃〜１０００℃の間にある際には、
取り出し温度のわずかな変動が屈折率の変動の原因にな
る。ところが、取り出し温度が７００℃以上或いは１０
００℃以上であれば比較的得られる屈折率の変化は少な
い。しかし、取り出し温度が高すぎると急冷による導波
路本体や治具の破壊等の問題が生じることがある。ま
た、安全性の観点から好ましくない。
【００４１】従って、サンプルＮｏ．ではその取り出
し温度は７００℃以下とすることが望ましい。このよう
に屈折率が安定に得られる取り出し温度の上限を最高安
定取出温度と定義する。サンプル，，はいずれも
安定取出温度が約７００℃である。サンプル，，
はＰ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の組成比は異なるもののその総量
は一定（８ｍｏｌ％）である。従って、最高安定取出し
温度は光導波路中のＰ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の総量で概略決
まると考えられる。図４は、Ｐ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の総量
に対する最高安定取出し温度の実験的に得られた関係を
示すグラフである。Ｐ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の各々の添加量
をｍｏｌ％で表わしたものを［Ｐ2 Ｏ5］，［Ｂ
2 Ｏ3 ］とすると、最高安定取出し温度Ｔｏｕｔ（℃）
は図４より、 Ｔｏｕｔ＝１１００−５０×（［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］）…（１） と表わせる。
し温度は７００℃以下とすることが望ましい。このよう
に屈折率が安定に得られる取り出し温度の上限を最高安
定取出温度と定義する。サンプル，，はいずれも
安定取出温度が約７００℃である。サンプル，，
はＰ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の組成比は異なるもののその総量
は一定（８ｍｏｌ％）である。従って、最高安定取出し
温度は光導波路中のＰ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の総量で概略決
まると考えられる。図４は、Ｐ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の総量
に対する最高安定取出し温度の実験的に得られた関係を
示すグラフである。Ｐ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の各々の添加量
をｍｏｌ％で表わしたものを［Ｐ2 Ｏ5］，［Ｂ
2 Ｏ3 ］とすると、最高安定取出し温度Ｔｏｕｔ（℃）
は図４より、 Ｔｏｕｔ＝１１００−５０×（［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］）…（１） と表わせる。
【００４２】なお、ここまでの実験で焼結温度からワー
ク取出しまでの降温速度を１０°／ｍｉｎとしていた
が、降温速度が２０°／ｍｉｎ以上では十分な徐冷効果
は得られなかった。一方、降温速度が１°／ｍｉｎ未満
では徐冷に時間がかかりすぎ、非能率的であり、現実的
な応用には適さないが、特性面への悪影響はない。
ク取出しまでの降温速度を１０°／ｍｉｎとしていた
が、降温速度が２０°／ｍｉｎ以上では十分な徐冷効果
は得られなかった。一方、降温速度が１°／ｍｉｎ未満
では徐冷に時間がかかりすぎ、非能率的であり、現実的
な応用には適さないが、特性面への悪影響はない。
【００４３】上記の結果は、（１）式の範囲外で焼結炉
から取り出された光導波路の屈折率を再加熱によって所
定の値に変更できることも示唆する。図５は、上記での
最高安定取出し温度より２００℃高い温度を再加熱後５
００ｔ℃まで１０°／ｍｉｎで徐冷した時の光導波膜の
屈折率測定結果を再加熱温度に対してプロットしたグラ
フである。図５から判るように、例えば、条件のサン
プルを焼結炉から７００℃以下で取り出したサンプルは
９００℃以上に再加熱すればほぼ焼結炉から７００℃以
下で取り出したサンプルの屈折率となるが、再加熱温度
が９００℃以下の時は得られる屈折率は依然として低い
状態に留まる。このような、必要再加熱温度Ｔａ（℃）
は、Ｐ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の総量に対して図６に示すよう
にほぼ一意的に Ｔａ＝１１００−２５×（［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］）…（２） と表わすことができる。
から取り出された光導波路の屈折率を再加熱によって所
定の値に変更できることも示唆する。図５は、上記での
最高安定取出し温度より２００℃高い温度を再加熱後５
００ｔ℃まで１０°／ｍｉｎで徐冷した時の光導波膜の
屈折率測定結果を再加熱温度に対してプロットしたグラ
フである。図５から判るように、例えば、条件のサン
プルを焼結炉から７００℃以下で取り出したサンプルは
９００℃以上に再加熱すればほぼ焼結炉から７００℃以
下で取り出したサンプルの屈折率となるが、再加熱温度
が９００℃以下の時は得られる屈折率は依然として低い
状態に留まる。このような、必要再加熱温度Ｔａ（℃）
は、Ｐ2 Ｏ5 とＢ2 Ｏ3 の総量に対して図６に示すよう
にほぼ一意的に Ｔａ＝１１００−２５×（［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］）…（２） と表わすことができる。
【００４４】この関係は再加熱後の徐冷温度が１°／ｍ
ｉｎ〜２０°／ｍｉｎの範囲で成立することが実験的に
確認された。
ｉｎ〜２０°／ｍｉｎの範囲で成立することが実験的に
確認された。
【００４５】なお、上記の説明中のサンプルの温度（Ｔ
ｏｕｔ，Ｔａなど）の制御は以下の手順で実施した。ま
ず事前に炉内サンプル位置に熱電対を挿入し、放射温度
計で測定したヒーター表面温度とサンプル位置温度の関
係を把握する。サンプル加熱時には、ヒーターの温度を
放射温度計で測定制御することで、炉内サンプル温度を
所望の値に制御する。
ｏｕｔ，Ｔａなど）の制御は以下の手順で実施した。ま
ず事前に炉内サンプル位置に熱電対を挿入し、放射温度
計で測定したヒーター表面温度とサンプル位置温度の関
係を把握する。サンプル加熱時には、ヒーターの温度を
放射温度計で測定制御することで、炉内サンプル温度を
所望の値に制御する。
【００４６】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の光
導波路の製造方法の第１の方法によれば、基板上に下部
クラッド層とコア層とを形成後に、ＦＨＤ法により上部
クラッド層を形成し、（１）式を満たす温度まで徐冷し
てから室温雰囲気に取り出すことにしたので、光導波路
を構成する各層の屈折率を安定して製造することがで
き、得られる各種光部品（方向性結合器等）の特性の再
現性も大きく改善することができる。
導波路の製造方法の第１の方法によれば、基板上に下部
クラッド層とコア層とを形成後に、ＦＨＤ法により上部
クラッド層を形成し、（１）式を満たす温度まで徐冷し
てから室温雰囲気に取り出すことにしたので、光導波路
を構成する各層の屈折率を安定して製造することがで
き、得られる各種光部品（方向性結合器等）の特性の再
現性も大きく改善することができる。
【００４７】また、本発明の光導波路の製造方法の第２
の方法によれば、基板上に下部クラッド層とコア層とを
形成後に、ＦＨＤ法により上部クラッド層を形成し、
（２）式を満たす温度まで再加熱し、（１）式を満たす
温度まで徐冷してから室温雰囲気に取り出すことにした
ので、上記の第１の方法と同様に、光導波路を構成する
各層の屈折率を安定して製造することができ、得られる
各種光部品（方向性結合器等）の特性の再現性も大きく
改善することができる。
の方法によれば、基板上に下部クラッド層とコア層とを
形成後に、ＦＨＤ法により上部クラッド層を形成し、
（２）式を満たす温度まで再加熱し、（１）式を満たす
温度まで徐冷してから室温雰囲気に取り出すことにした
ので、上記の第１の方法と同様に、光導波路を構成する
各層の屈折率を安定して製造することができ、得られる
各種光部品（方向性結合器等）の特性の再現性も大きく
改善することができる。
【図１】本発明の実施例の光導波路の製造方法の工程図
である。
である。
【図２】ＦＨＤ法による光導波路の製造装置の構成図で
ある。
ある。
【図３】焼結炉からの取出し温度と光導波路用ガラス膜
の屈折率との関係を示すグラフである。
の屈折率との関係を示すグラフである。
【図４】Ｐ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 の添加濃度と最高安定
取出温度との関係を示すグラフである。
取出温度との関係を示すグラフである。
【図５】再加熱温度と光導波路用ガラス膜の屈折率との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図６】Ｐ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 の添加濃度と必要再加
熱温度との関係を示すグラフである。
熱温度との関係を示すグラフである。
【図７】従来の光導波路の製造方法の工程図である。
【図８】従来の製造方法による光導波路のＧｅ，Ｐ，Ｂ
および屈折率の第１分布例の説明図である。
および屈折率の第１分布例の説明図である。
【図９】従来の製造方法による光導波路のＧｅ，Ｐ，Ｂ
および屈折率の第２分布例の説明図である。
および屈折率の第２分布例の説明図である。
１…基板、２，３，５…多孔質ガラス層、２′…下部ク
ラッド層、３′…コア層、４…バーナ、５′…上部クラ
ッド層、１１…ターンテーブル、１２…反応容器、１３
…パイプ、１４…ヒータ。 代理人弁理士 長谷川 芳樹
ラッド層、３′…コア層、４…バーナ、５′…上部クラ
ッド層、１１…ターンテーブル、１２…反応容器、１３
…パイプ、１４…ヒータ。 代理人弁理士 長谷川 芳樹
Claims (5)
- 【請求項１】 下部クラッド層と、前記下部クラッド層
の露出表面の第１の領域上にコア層とを形成する第１の
工程と、 焼結炉内において、前記下部クラッド層の表面の前記第
１の領域以外の領域上および前記コア層の露出表面上
に、Ｐ2 Ｏ5 またはＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加し
た光導波路用ガラス膜を火炎堆積法を用いて焼結し、上
部クラッド層を堆積する第２の工程と、 前記上部クラッド層の焼結後、焼結炉からの取り出し温
度をＴｏｕｔ（℃）、Ｐ2 Ｏ5 の添加濃度を［Ｐ
2 Ｏ5 ］（ｍｏｌ％）、Ｂ2 Ｏ3 の添加濃度を［Ｂ2Ｏ
3 ］（ｍｏｌ％）と表わしたとき、 Ｔｏｕｔ≦１１００（℃）−５０（℃／ｍｏｌ％）×
｛［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］｝ を満足する焼結炉からの取り出し温度まで前記光導波路
用ガラス膜の焼結物の温度を除冷し、前記焼結炉内から
室温へ取り出す第３の工程と、 を備えることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 前記第３の工程での焼結後の前記焼結炉
内の徐冷過程では、降温速度は１（°／ｍｉｎ）から２
０（°／ｍｉｎ）までの範囲内である、ことを特徴とす
る、請求項１記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 下部クラッド層と、前記下部クラッド層
の露出表面の第１の領域上にコア層とを形成する第１の
工程と、 焼結炉内において、前記下部クラッド層の表面の前記第
１の領域以外の領域上および前記コア層の露出表面上
に、Ｐ2 Ｏ5 またはＢ2 Ｏ3 の少なくとも一方を添加し
た光導波路用ガラス膜を火炎堆積法を用いて焼結し、上
部クラッド層を堆積する第２の工程と、 前記上部クラッド層の焼結後、前記焼結炉内で前記光導
波路用ガラス膜の焼結物を再加熱する第３の工程と、 再加熱後、前記焼結炉からの取り出し温度をＴｏｕｔ
（℃）、前記上部クラッド層へのＰ2 Ｏ5 の添加濃度を
［Ｐ2 Ｏ5 ］（ｍｏｌ％）、前記上部クラッド層へのＢ
2 Ｏ3 の添加濃度を［Ｂ2 Ｏ3 ］（ｍｏｌ％）と表わし
たとき、 Ｔｏｕｔ≦１１００（℃）−５０（℃／ｍｏｌ％）×
｛［Ｐ2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］｝ を満足する焼結炉からの取り出し温度まで前記光導波路
用ガラス膜の焼結物の温度を徐冷し、前記焼結炉内から
室温へ取り出す第４の工程と、 を備えることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 前記第３の工程における再加熱温度は、
前記再加熱温度をＴａ（℃）、前記上部クラッド層への
Ｐ2 Ｏ5 添加濃度を［Ｐ2 Ｏ5 ］（ｍｏｌ％）、前記上
部クラッド層へのＢ2 Ｏ3 添加濃度を［Ｂ2 Ｏ3 ］（ｍ
ｏｌ％）と表わした時、 Ｔａ≧１１００（℃）−２５（℃／ｍｏｌ％）×｛［Ｐ
2 Ｏ5 ］＋［Ｂ2 Ｏ3 ］｝ を満足する温度に設定される、ことを特徴とする請求項
３記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項５】 前記第４の工程での再加熱後の前記焼結
炉内の徐冷過程では、降温速度は１（°／ｍｉｎ）から
２０（°／ｍｉｎ）までの範囲内である、ことを特徴と
する、請求項３記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084630A JPH07294760A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 光導波路の製造方法 |
| ES95105953T ES2138676T3 (es) | 1994-04-22 | 1995-04-21 | Procedimiento para producir una guia de ondas optica. |
| US08/426,139 US5693116A (en) | 1994-04-22 | 1995-04-21 | Process for producing optical waveguide |
| EP95105953A EP0678763B1 (en) | 1994-04-22 | 1995-04-21 | Process for producing optical waveguide |
| DE69512557T DE69512557T2 (de) | 1994-04-22 | 1995-04-21 | Herstellungsverfahren für optischen Wellenleiter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084630A JPH07294760A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294760A true JPH07294760A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13836011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6084630A Pending JPH07294760A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5693116A (ja) |
| EP (1) | EP0678763B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07294760A (ja) |
| DE (1) | DE69512557T2 (ja) |
| ES (1) | ES2138676T3 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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