JPH0735936A - 光導波路の作製方法 - Google Patents

光導波路の作製方法

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JPH0735936A
JPH0735936A JP18149793A JP18149793A JPH0735936A JP H0735936 A JPH0735936 A JP H0735936A JP 18149793 A JP18149793 A JP 18149793A JP 18149793 A JP18149793 A JP 18149793A JP H0735936 A JPH0735936 A JP H0735936A
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JP
Japan
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glass
phosphorus
flow rate
optical waveguide
raw material
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Application number
JP18149793A
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English (en)
Inventor
Tomotaka Hirose
智財 広瀬
Hiroo Kanamori
弘雄 金森
Akira Urano
章 浦野
Takashi Kogo
隆司 向後
Masahide Saito
眞秀 齋藤
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 再現性良く所望のリン濃度をもつ光導波路を
作製し得る方法を提供する。 【構成】 本発明の光導波路の作製方法は、火炎バーナ
に原料ガスを供給してガラス微粒子を基板に堆積させ、
このガラス微粒子が堆積した基板を加熱処理することに
よって、ガラス微粒子が透明ガラス化したガラス膜の形
成がなされる光導波路の作製方法において、原料ガスと
して、リン元素を含む原料とSi元素を含む原料とを含
むガスを供給し、形成しようとするガラス膜のリン濃度
X(wt%)が低い場合に、ガラス微粒子を堆積する際の
リン元素を含む原料の総供給量S(cc)を、「(220
−30)×X≦S≦(220+30)×X」としてガラ
ス微粒子を堆積することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、火炎堆積法を用いた光
導波路の作製方法であって、燐を含んだガラス膜でコア
若しくはクラッド層を形成する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】光導波路は、光システムを構成するため
の基本的な要素であり、将来性のあるデバイスとして期
待されている。光導波路は様々な形状が提案されている
が、その一つとして、石英を主成分とするコアとこれを
囲むクラッド層とを形成し、コアに信号光を閉じ込めて
伝搬させるタイプがある。このタイプの光導波路は、不
純物を含んだコア及びクラッド層を火炎堆積法で形成す
ることにより作製される。このような火炎堆積法とし
て、例えば、火炎バーナからのガラス微粒子を基板上に
堆積して多孔質状のガラス微粒子層を形成した後、この
ガラス微粒子層を加熱・透明化してガラス膜を形成する
ものがしられている(特開昭58−105111)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の火炎堆積法で
は、ガラス化温度、屈折率等の調節を目的として組成中
にリンが添加されるが、本件発明者の実験により火炎バ
ーナに一定の割合でリンを含むガスを原料ガスに混ぜて
供給しても、必ずしもリンがその割合に応じたリンの濃
度のガラス膜を得ることができないことが判明した。し
たがって、要求仕様に応じたデバイス設計をしたとして
も、その設計どうりに光導波路を容易に作製することは
容易ではなく、意図した光導波路を作製するには、多く
の試作を繰り返すといった試行錯誤をおこなうことを余
儀なくされていた。
【0004】そこで、本発明は、再現性良く所望のリン
濃度をもつ光導波路を作製し得る方法を提供することを
目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光導波路の作製方法は、火炎バーナに原料
ガスを供給してガラス微粒子を基板に堆積させ、このガ
ラス微粒子が堆積した基板を加熱処理することによっ
て、ガラス微粒子が透明ガラス化したガラス膜の形成が
なされる光導波路の作製方法において、原料ガスにリン
元素を含む原料を混合し、形成しようとするガラス膜の
リン濃度X(wt%)に対し、ガラス微粒子を堆積する際
のリン元素を含む原料の総供給量S(cc)を、 「(220−30)×X≦S≦(220+30)×X」 としてガラス微粒子を堆積することを特徴とする。
【0006】ここで、火炎バーナへのリン元素を含む原
料の供給の供給流量V(cc/分)を一定としても良く、
この場合、その供給時間t(分)との間に、 「(220−30)×X≦V×t≦(220+30)×
X」 なる関係をもたせる。
【0007】また、火炎バーナへのリン元素を含む原料
の供給流量V(cc/分)を経時的に変化させてガラス微
粒子を堆積することを特徴としても良い。
【0008】ガラス微粒子を堆積する際の基板の温度
は、360℃以上800℃以下であることを特徴として
も良い。
【0009】ガラス微粒子を堆積する際に火炎バーナへ
の燃焼ガスとして、水素ガスを供給流量1 l/分以上6
l/分以下で、酸素ガスを供給流量2 l/分以上10 l
/分以下で供給することを特徴としても良い。
【0010】
【作用】リン元素を含む原料をまぜた原料ガスを用いた
火炎堆積法によってガラス膜の作製を行った場合、ガラ
ス膜中のリンの濃度はリン元素を含む原料の供給流量の
割合だけでなく、供給流量が一定であるとこの原料によ
る堆積時間にも依存する。すなわち、ガラス膜中のリン
の濃度はリン元素を含む原料の総供給量Sに依存する。
【0011】本発明では、形成しようとするガラス膜の
リン濃度X(wt%)が低い場合、リン元素を含む原料の
総供給量S(cc)に、上述の関係をもたせてガラス微粒
子を堆積し、このガラス微粒子を透明ガラス化すること
により、所望のリン濃度X(wt%)をもつガラス膜を得
ることができる。
【0012】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【0013】図1は、光導波路の作製工程の概要を示し
たものである。ガラス微粒子の堆積は、図2に示すよう
に、内部にヒータが埋め込まれた反応容器内のターンテ
ーブル16上にSi基板10を載置し、Si基板10の
表面温度を約600℃に保ちつつターンテーブルを回転
させ、火炎バーナ12をその動径方向に往復移動させて
なされる。この点に付いては周知の技術であり、これに
より、火炎バーナからのガラス微粒子14はガラス微粒
子層120としてSi基板上に一様に堆積される。符号
20は、余剰のガラス微粒子を排出するためのものであ
る。そして、この堆積したガラス微粒子を基板10ごと
高温下で加熱して透明ガラス化し、ガラス膜の形成がな
される。
【0014】まず、Si基板10上に、SiO2 −P2
5 −B2 3 組成の下部クラッド層用のガラス微粒子
層120を堆積する(図1(a))。ガラス微粒子層1
20を基板10ごと高温下で加熱して透明ガラス化し、
下部クラッド層122をする(図1(b))。このと
き、下部クラッド層122を低いリン濃度で形成しよう
とする場合、リン濃度X(wt%)とすると、火炎バーナ
へのリン元素を含む原料の供給の供給流量V(cc/分)
をその供給時間t(分)との間に、式(1)で示される
関係をもたせてガラス微粒子を堆積する。
【0015】 (220−30)×X≦V×t≦(220+30)×X…(1) ここで、V×tは、供給流量Vが一定の場合のリン元素
を含む原料の総供給量Sを示し、供給流量Vを変化させ
て供給する場合は、供給時間tで供給流量Vを積分した
ものになる。
【0016】これを、表1に示すように条件を変えて
(形成しようとするリン濃度Xはそれぞれ 4.5, 0.5,
1wt%)、下部クラッド層122を形成した。このと
き、原料ガスは、SiCl4 、BCl3 にこれにリン元
素を含む原料としてPOCl3 を流量100cc/min加え
たものとし、燃焼ガスとして、流量2 l/minのH2 ,流
量6 l/minのO2 を火炎バーナに供給してガラス微粒子
を堆積する。
【0017】
【表1】
【0018】この条件で、原料供給時間tと同じ時間堆
積した後、基板10に堆積したガラス微粒子層120
を、加熱炉を用いて加熱処理し、透明なガラス膜(下部
クラッド層)122を得た(図1(b))。このとき、
室温から昇温速度1℃/minで加熱処理温度1300℃ま
で加熱し、この温度で6時間保持した後降温速度10℃
/minで室温まで冷却する、という加熱条件とした。
【0019】こうして得られたガラス膜122を分析し
たところ、リンはガラス膜全体に均一に分布し、条件1
では、その濃度はP2 5 が0.45wt%という比較的
低い値であった。また、ガラス膜の厚さは、13μmで
あった。条件2では、その濃度はP2 5 が0.5wt%
で、ガラス膜の厚さは、30μmであった。条件3で
は、同じ条件で2回形成することにより、濃度及びガラ
ス膜の厚さが条件2と同等のものが得られた。条件4で
は、その濃度はP2 5 が1wt%で、ガラス膜の厚さ
は、30μmであった。
【0020】気相軸付け法による光ファイバ用ガラス母
材作製の場合は、ガラス中の添加物濃度は原料供給量の
割合だけで決定する。すなわち、添加物濃度は原料供給
流量の割合に比例し、堆積時間を変化させても添加物濃
度は変化しない。しかし、火炎堆積法によるガラス膜作
製の場合は、ガラス膜中の添加物濃度は原料供給量の割
合だけでなく、堆積時間にも依存することになる。上述
の条件1〜4では、光ファイバ用ガラス母材作製の場合
は、原料ガスに対するリンの供給量Vの割合が大きいも
の、例えば、条件1の場合にリンの濃度が大きくなる。
しかし、火炎堆積法によるガラス膜作製の場合は、リン
の供給量Vと原料供給時間tとの積V×tが最も大きい
条件4の場合にリンの濃度が大きくなる。
【0021】このように、式1に示される関係でガラス
微粒子を堆積することにより所望の組成を持つガラス膜
を形成することができる。
【0022】つぎに、SiO2 −GeO2 −P2 5
2 3 組成のコア用のガラス微粒子層を堆積する。こ
の条件は上述の場合と同様であるが、屈折率を上げるた
めのドーパントとしてGeCl4 を原料ガスに加える。
このガラス微粒子層を加熱処理し、コア用の透明なガラ
ス膜132を得た(図2(c))。このガラス膜を、フ
ォトリソグラフィと反応性イオンエッチング(RIE)
を用いて所定のパターンでエッチングし、コア132を
形成する(図2(d))。そして、下部クラッド層12
2と同様にガラス膜の形成工程を繰り返して、上部クラ
ッド層142を形成する。ここで、ガラス微粒子層14
0の堆積の際の原料ガスは、BCl3 を増加させるのが
望ましく、これによってより低温で加熱処理してガラス
膜を形成することができる。
【0023】こうして図示のように、Siウェハ110
上に、下部クラッド層122が形成され、その上に直線
リッジ状のコア132が形成され、さらにこれらを覆う
ように上部クラッド層142が形成された導波路を完成
する(図2(e))。そして、上記式1で示される条件
でリン元素を含む原料を火炎バーナに供給して形成した
ことにより、所望のリン濃度Xをもつクラッド層、コア
層になり、ほぼ仕様どうりの屈折率を有するガラス膜が
形成された光導波路が得られる。
【0024】つぎに硼素を含む原料をかえた場合でも、
上記式1で示される条件でリン元素を含む原料を火炎バ
ーナに供給してガラス膜を形成することで所望のリン濃
度Xが得られるかどうかを確かめた。表2は、下部クラ
ッド層122についてその実験結果を示したもので、リ
ン(POCl3 )の供給流量V(cc/min),POCl3
の供給時間t(min )及びBCl3 の流量(cc/min)を様
々に変えて得られたガラス膜のリンの濃度(wt%)を示
したものである。
【0025】
【表2】
【0026】図3は、その結果(プロット「●」)と表
1で示した条件1〜4の結果(プロット「×」)とを示
したもので、これらのプロットは、上記式1で示される
領域内によく収まっている(但し、リンの濃度が非常に
低い領域は、点線で示すように測定誤差のため変動が大
きい)。このことから、上記式1で示される条件でガラ
ス膜を形成することにより、再現性良く所望のリン濃度
Xが得られることが明らかである。
【0027】さらに、原料ガスに対するリン元素を含む
原料(POCl3 )の分圧の依存性をさらに詳しく調べ
るために、SiCl4 の流量を変え、POCl3 の分圧
Pすなわち「POCl3 の流量/(SiCl4 の流量+
BCl3 の流量)」をかえてガラス膜の形成を行った。
表3は、下部クラッド層122についてその結果を示し
たものである。
【0028】
【表3】
【0029】この表において、「/ 」の左側ははじめの
供給流量Vと供給時間t、右側はその後の供給流量Vと
供給時間tを示す。例えば、最上欄のデータについてい
えば、はじめに供給流量Vを3.8cc/minとして22.
2分間ガラス微粒子層を堆積し、その後供給流量Vを
5.7cc/minとして44.2分間ガラス微粒子層を堆積
した。これは、リン(P2 5 )の濃度が大きくなる
と、Si基板10側のリンの分布が大きくなるので、は
じめはPOCl3 の供給流量Vを小さくした後に、供給
流量Vを大きくしている。POCl3 の総供給量Sを
「V×t」で示している。
【0030】上述のような燐の偏析が現れるのは、ガラ
ス微粒子の堆積時間がおよそ30分以上要し、かつ、リ
ン元素を含む原料(POCl3 )の供給流量がおよそ5
cc/min以上の場合に発生しやすいものであることが、本
件発明者により見出だされており、このような場合は、
上述のようにリン元素を含む原料の供給流量を変化させ
るのが望ましい。
【0031】図4は表3の結果をプロットしたもので、
ガラス膜中のPOCl3 の添加量はPOCl3 の総供給
量Sに比例するが(領域I)、総供給量Sがあるレベル
に達するとPOCl3 の添加量は飽和する。その飽和す
るレベルは、原料ガス中のPOCl3 の分圧Pによって
決まり、光ファイバ製造方法の一つであるVAD法は、
図の領域IIでなされている。このように、SiCl4
流量以外の原料ガス流量が変化しても、上記式1の関係
は成り立ち、再現性良く所望のリン濃度Xを持つガラス
膜が得られることが明らかである。
【0032】本発明は前述の実施例に限らず様々な変形
が可能である。
【0033】例えば、リン元素を含む原料としてPOC
3 を例に示したが、PCl3 でも同じ効果が得られ
る。また、ガラス微粒子層の堆積は、基板の温度が36
0℃以下で堆積を行うとガラス微粒子層はカサ密度0.
14g/cm2 となって非常に柔らかく、われや剥がれ
が生じやすくなり、800℃以上で堆積を行うと屈折率
を上げるために添加したGeO2 が拡散しやすくなるの
で、基板の温度を360〜800℃の範囲で行うのが望
ましい。
【0034】さらに、火炎バーナに供給する燃焼ガスに
ついても、H2 ,O2 を小流量或いは大流量にすると、
ガラス微粒子の収率は低下し、また、ガラス微粒子に添
加するリンの濃度は式1の関係を満たさなくなって低濃
度になるので、水素ガスを供給流量1 l/分以上6 l/
分以下で、酸素ガスを供給流量2 l/分以上10 l/分
以下で供給するのが望ましい。
【0035】
【発明の効果】以上の通り本発明によれば、形成しよう
とするガラス膜のリン濃度X(wt%)に対し、リン元素
を含む原料の総供給量に所定の関係をもたせてガラス微
粒子を堆積し、このガラス微粒子を透明ガラス化するこ
とにより、所望のリン濃度X(wt%)をもつガラス膜を
得ることができるので、再現性良く所望の光導波路を作
製し得るため、意図した光導波路の作製が容易なものに
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】光導波路の製造工程を示す図。
【図2】ガラス微粒子層の堆積工程を示す図。
【図3】硼素を含む原料をかえた場合について、形成さ
れたガラス膜のリン濃度Xを示す図。
【図4】ガラス膜中のPOCl3 の添加量とPOCl3
の総供給量Sの関係を示す図。
【符号の説明】 10…基板、12…火炎バーナ、120,130,14
0…ガラス微粒子層、122…下部クラッド層、132
…コア、144…上部クラッド層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 向後 隆司 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 齋藤 眞秀 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 火炎バーナに原料ガスを供給してガラス
    微粒子を基板に堆積させ、このガラス微粒子が堆積した
    前記基板を加熱処理することによって、前記ガラス微粒
    子が透明ガラス化したガラス膜の形成がなされる光導波
    路の作製方法において、 前記原料ガスにリン元素を含む原料を混合し、 形成しようとする前記ガラス膜のリン濃度X(wt%)に
    対し、前記ガラス微粒子を堆積する際の前記リン元素を
    含む原料の総供給量S(cc)を、 「(220−30)×X≦S≦(220+30)×X」 として前記ガラス微粒子を堆積することを特徴とする光
    導波路の作製方法。
  2. 【請求項2】 前記火炎バーナへのリン元素を含む原料
    の供給流量を一定にして、前記ガラス微粒子を堆積する
    ことを特徴とする請求項1記載の光導波路の作製方法。
  3. 【請求項3】 前記火炎バーナへのリン元素を含む原料
    の供給流量V(cc/分)を経時的に変化させて、前記ガ
    ラス微粒子を堆積することを特徴とする請求項1記載の
    光導波路の作製方法。
  4. 【請求項4】 前記ガラス微粒子を堆積する際の前記基
    板の温度は、360℃以上800℃以下であることを特
    徴とする請求項1記載の光導波路の作製方法。
  5. 【請求項5】 前記ガラス微粒子を堆積する際に前記火
    炎バーナへの燃焼ガスとして、水素ガスを供給流量1 l
    /分以上6 l/分以下で、酸素ガスを供給流量2 l/分
    以上10 l/分以下で供給することを特徴とする請求項
    1記載の光導波路の作製方法。
JP18149793A 1993-07-22 1993-07-22 光導波路の作製方法 Pending JPH0735936A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008292257A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Espec Corp 気体導入構造、並びに、環境試験装置

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