JP3270353B2 - 光導波路の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線を照射する
ことにより生じる光誘起屈折率変化を利用した光導波路
の製造方法に関する。
ことにより生じる光誘起屈折率変化を利用した光導波路
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｇｅ等の物質をドープした石英系光導波
路は、紫外線を照射することにより、永続的な屈折率の
変化を示す。このため、光導波路内へ光を照射するのみ
で簡単に光導波路内に回折格子等が形成できるため、フ
ィルター、波長分散素子等の様々な方面で実用化が進め
られている。
路は、紫外線を照射することにより、永続的な屈折率の
変化を示す。このため、光導波路内へ光を照射するのみ
で簡単に光導波路内に回折格子等が形成できるため、フ
ィルター、波長分散素子等の様々な方面で実用化が進め
られている。
【０００３】光照射による光誘起屈折率変化の変化量
は、無処理の石英系光導波路の場合、１０-4程度あり、
反射率９９．９％以上のブラック回折格子を作製するた
めには、２０ｍｍ以上の長さを必要とする。このため、
デバイスの小型化を図る上では、１０-3以上の変化量が
望まれる。屈折率の変化量を増加する方策としては、高
圧水素処理及び火炎による還元処理等が知られている。
前者は、１００気圧以上の水素中に、数週間光導波路を
保持し、光導波路中に水素を拡散させる方法であり、細
井らによる水素処理ファイバを用いた高反射率ファイバ
グレーティングの作製（電子情報通信学会秋季大会、Ｃ
−２０８（１９９４））に詳細に記述されている。彼ら
は、光導波路を室温、２００気圧の水素中で１６８時間
処理し、光に対する感度を高め、２×１０-3の光屈折率
変化量を得ている。後者の火炎還元処理については、
Ｆ．Ｂｉｌｏｄｅａｕらによる“Ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉ
ｔｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉｂｅｒ
ａｎｄ ｓｉｌｉｃａ−ｏｎ−ｓｉｌｉｃａ／ｓｉｌ
ｉｃａ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ”（ＯＰＴＩＣＳ ＬＥ
ＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．１８ Ｎｏ１２ ｐ９５３−９５
５（１９９３））に詳細に記述されている。
は、無処理の石英系光導波路の場合、１０-4程度あり、
反射率９９．９％以上のブラック回折格子を作製するた
めには、２０ｍｍ以上の長さを必要とする。このため、
デバイスの小型化を図る上では、１０-3以上の変化量が
望まれる。屈折率の変化量を増加する方策としては、高
圧水素処理及び火炎による還元処理等が知られている。
前者は、１００気圧以上の水素中に、数週間光導波路を
保持し、光導波路中に水素を拡散させる方法であり、細
井らによる水素処理ファイバを用いた高反射率ファイバ
グレーティングの作製（電子情報通信学会秋季大会、Ｃ
−２０８（１９９４））に詳細に記述されている。彼ら
は、光導波路を室温、２００気圧の水素中で１６８時間
処理し、光に対する感度を高め、２×１０-3の光屈折率
変化量を得ている。後者の火炎還元処理については、
Ｆ．Ｂｉｌｏｄｅａｕらによる“Ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉ
ｔｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉｂｅｒ
ａｎｄ ｓｉｌｉｃａ−ｏｎ−ｓｉｌｉｃａ／ｓｉｌ
ｉｃａ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ”（ＯＰＴＩＣＳ ＬＥ
ＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．１８ Ｎｏ１２ ｐ９５３−９５
５（１９９３））に詳細に記述されている。
【０００４】図７は光導波路の構造を示す図である。基
板３１上に形成された石英系光導波路は、通常、クラッ
ドａ３３−コア３２−クラッドｂ３４の３層からなる。
図８は火炎還元処理を用いた従来の光導波路の製造方法
のフローを示す図である。従来の光導波路の製造方法と
しては、クラッドａ３３膜、コア３２膜を形成する第１
の工程３５、光導波路のパターンを形成するための第２
の工程３６、クラッドｂ３４を形成するための第３の工
程、火炎による還元処理、波長２４８ｎｍのクリプトン
フロライドエキシマレーザ（ＫｒＦ）光照射を行いコア
の一部の屈折率を変調するための第４の工程３８からな
る。従来例では、第１及び第３の工程３５、３７におけ
る膜の形成方法として火炎堆積（ＦＨＤ）法が用いられ
ている。火炎堆積法は、Ｇｅ等を含む石英の粉を基板上
に堆積した後に、１５００℃前後の火炎による熱処理に
より石英を透明化し、膜を形成する方法である。図９は
第４の工程３８の中の火炎による還元処理の工程を説明
するための図である。この方法は、酸素（Ｏ2）をわず
かに含む水素（Ｈ2）を燃料とする温度１７００℃前後
の火炎３９により、約２０分程度コア３２を部分的に繰
り返しあぶる方法である。これにより、光に対する感度
が高められ、ＫｒＦ光照射により１０-3以上の屈折率の
変化量が得られる。このように、高圧水素処理、及び火
炎還元処理を含む石英系光導波路の製造方法を用いるこ
とによって、光誘起屈折率変化量が増加し、実用的な光
導波路デバイスを作製する光導波路の製造が可能とな
る。
板３１上に形成された石英系光導波路は、通常、クラッ
ドａ３３−コア３２−クラッドｂ３４の３層からなる。
図８は火炎還元処理を用いた従来の光導波路の製造方法
のフローを示す図である。従来の光導波路の製造方法と
しては、クラッドａ３３膜、コア３２膜を形成する第１
の工程３５、光導波路のパターンを形成するための第２
の工程３６、クラッドｂ３４を形成するための第３の工
程、火炎による還元処理、波長２４８ｎｍのクリプトン
フロライドエキシマレーザ（ＫｒＦ）光照射を行いコア
の一部の屈折率を変調するための第４の工程３８からな
る。従来例では、第１及び第３の工程３５、３７におけ
る膜の形成方法として火炎堆積（ＦＨＤ）法が用いられ
ている。火炎堆積法は、Ｇｅ等を含む石英の粉を基板上
に堆積した後に、１５００℃前後の火炎による熱処理に
より石英を透明化し、膜を形成する方法である。図９は
第４の工程３８の中の火炎による還元処理の工程を説明
するための図である。この方法は、酸素（Ｏ2）をわず
かに含む水素（Ｈ2）を燃料とする温度１７００℃前後
の火炎３９により、約２０分程度コア３２を部分的に繰
り返しあぶる方法である。これにより、光に対する感度
が高められ、ＫｒＦ光照射により１０-3以上の屈折率の
変化量が得られる。このように、高圧水素処理、及び火
炎還元処理を含む石英系光導波路の製造方法を用いるこ
とによって、光誘起屈折率変化量が増加し、実用的な光
導波路デバイスを作製する光導波路の製造が可能とな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来方法には以下のような問題点があった。すなわち、高
圧水素処理を用いた石英系光導波路の製造方法の場合、
数１００気圧の水素を用いており、取り扱いが危険であ
ること、更に、数週間にわたる処理が必要であるため
に、スループットの向上が困難であるということが問題
点となっていた。また、Ｓｉを基板として用いた場合、
火炎による還元処理を用いた石英系光導波路の製造方法
の場合は、１７００℃前後の部分的な熱処理を加えるた
めに、熱ひずみが大きく、石英系膜にクラック、複屈折
性が生じ易いという問題もあった。
来方法には以下のような問題点があった。すなわち、高
圧水素処理を用いた石英系光導波路の製造方法の場合、
数１００気圧の水素を用いており、取り扱いが危険であ
ること、更に、数週間にわたる処理が必要であるため
に、スループットの向上が困難であるということが問題
点となっていた。また、Ｓｉを基板として用いた場合、
火炎による還元処理を用いた石英系光導波路の製造方法
の場合は、１７００℃前後の部分的な熱処理を加えるた
めに、熱ひずみが大きく、石英系膜にクラック、複屈折
性が生じ易いという問題もあった。
【０００６】本発明の目的は、安全性、簡便性に優れ、
熱ひずみ等の問題の少ない光誘起屈折率変化を用いた石
英系光導波路の製造方法を提供することにある。
熱ひずみ等の問題の少ない光誘起屈折率変化を用いた石
英系光導波路の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の光導波路の製造方法は、石英系材料よりなる光導波
路の製造方法において、有機材料を含む原料を用い３０
０〜５００℃で常圧化学気相堆積（ＡＰ-ＣＶＤ）法に
より基板上に石英系光導波路層を形成した後、該光導波
路層の少なくとも一部に波長２００ｎｍ以下の紫外光を
照射し、該紫外光を照射した部分の屈折率を変調させる
ことを特徴とする。また本発明によれば、石英系材料よ
りなる光導波路の製造方法において、有機材料を含む原
料を用い３００〜５００℃で常圧化学気相堆積（ＡＰ-
ＣＶＤ）法により基板上に石英系光導波路層を形成した
後、該石英系光導波路層の少なくとも一部に、アルゴン
フロライド（ＡｒＦ）エキシマレーザを光源とする紫外
光を照射し、該紫外光を照射した部分の屈折率を変調さ
せることを特徴とする光導波路の製造方法が提供され
る。本発明によれば、光導波路層を低温で成膜すること
ができるので、安全性、簡便性に優れ、膜歪み等の問題
も解消できる。
明の光導波路の製造方法は、石英系材料よりなる光導波
路の製造方法において、有機材料を含む原料を用い３０
０〜５００℃で常圧化学気相堆積（ＡＰ-ＣＶＤ）法に
より基板上に石英系光導波路層を形成した後、該光導波
路層の少なくとも一部に波長２００ｎｍ以下の紫外光を
照射し、該紫外光を照射した部分の屈折率を変調させる
ことを特徴とする。また本発明によれば、石英系材料よ
りなる光導波路の製造方法において、有機材料を含む原
料を用い３００〜５００℃で常圧化学気相堆積（ＡＰ-
ＣＶＤ）法により基板上に石英系光導波路層を形成した
後、該石英系光導波路層の少なくとも一部に、アルゴン
フロライド（ＡｒＦ）エキシマレーザを光源とする紫外
光を照射し、該紫外光を照射した部分の屈折率を変調さ
せることを特徴とする光導波路の製造方法が提供され
る。本発明によれば、光導波路層を低温で成膜すること
ができるので、安全性、簡便性に優れ、膜歪み等の問題
も解消できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における光導波路の基板と
しては、シリコン、もしくは石英基板が用いられる。光
導波路層としては、例えば、ＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5（クラッ
ド層）とＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5＋ＧｅＯ2（コア層）、ＳｉＯ
2＋Ｐ2Ｏ5＋Ｂ2Ｏ3（クラッド層）とＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5＋
ＧｅＯ2（コア層）等から構成される。それぞれの層の
Ｐ2Ｏ5は、ＳｉＯ2に対して３ｍｏｌ％以上の濃度でド
ープされる。Ｐ2Ｏ5濃度の上限については特に制限がな
いが、Ｐ2Ｏ5の融点が５８０℃と低いことから、例えば
６００〜８００℃の高温アニールの工程を有する場合に
は、２０ｍｏｌ％以下とすることが好ましく、１０ｍｏ
ｌ％以下とすることがさらに好ましい。
しては、シリコン、もしくは石英基板が用いられる。光
導波路層としては、例えば、ＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5（クラッ
ド層）とＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5＋ＧｅＯ2（コア層）、ＳｉＯ
2＋Ｐ2Ｏ5＋Ｂ2Ｏ3（クラッド層）とＳｉＯ2＋Ｐ2Ｏ5＋
ＧｅＯ2（コア層）等から構成される。それぞれの層の
Ｐ2Ｏ5は、ＳｉＯ2に対して３ｍｏｌ％以上の濃度でド
ープされる。Ｐ2Ｏ5濃度の上限については特に制限がな
いが、Ｐ2Ｏ5の融点が５８０℃と低いことから、例えば
６００〜８００℃の高温アニールの工程を有する場合に
は、２０ｍｏｌ％以下とすることが好ましく、１０ｍｏ
ｌ％以下とすることがさらに好ましい。
【０００９】本発明における光導波路層は紫外領域に実
質上吸収帯を有し、これにより紫外光を照射した部分の
屈折率を変化させることが可能となる。したがって、照
射する紫外光の波長領域が光導波路層の吸収帯に含まれ
ることが好ましい。本発明における光導波路のコア層に
おける吸収係数は波長２５０ｎｍで２０ｃｍ-1以下であ
るのに対し、波長２００ｎｍ以下では１００ｃｍ-1以上
である。したがって、照射する紫外光の波長としては、
２００ｎｍ以下の波長であることが好ましい。
質上吸収帯を有し、これにより紫外光を照射した部分の
屈折率を変化させることが可能となる。したがって、照
射する紫外光の波長領域が光導波路層の吸収帯に含まれ
ることが好ましい。本発明における光導波路のコア層に
おける吸収係数は波長２５０ｎｍで２０ｃｍ-1以下であ
るのに対し、波長２００ｎｍ以下では１００ｃｍ-1以上
である。したがって、照射する紫外光の波長としては、
２００ｎｍ以下の波長であることが好ましい。
【００１０】本発明における石英系光導波路層は、有機
材料を含む原料を用いた常圧化学気相堆積（ＡＰ-ＣＶ
Ｄ）法により基板上に形成される。
材料を含む原料を用いた常圧化学気相堆積（ＡＰ-ＣＶ
Ｄ）法により基板上に形成される。
【００１１】このような有機材料として、（ａ）シリコ
ン系有機化合物と、（ｂ）リン系有機化合物と、（ｃ）
ゲルマニウム系有機化合物またはボロン系有機化合物と
を含む有機材料を用いることができる。シリコン系有機
化合物としては、テトラエトキシシラン、テトラメチル
オルソシリケート等を用いることができる。また、リン
系有機化合物としては、トリエチルホスフェート、トリ
メチルホスフェート等を用いることができる。また、ゲ
ルマニウム系有機化合物としては、テトラメトキシゲル
マニウム等を、ボロン系有機化合物としては、トリメチ
ルボレート、トリエチルボレート等を用いることができ
る。
ン系有機化合物と、（ｂ）リン系有機化合物と、（ｃ）
ゲルマニウム系有機化合物またはボロン系有機化合物と
を含む有機材料を用いることができる。シリコン系有機
化合物としては、テトラエトキシシラン、テトラメチル
オルソシリケート等を用いることができる。また、リン
系有機化合物としては、トリエチルホスフェート、トリ
メチルホスフェート等を用いることができる。また、ゲ
ルマニウム系有機化合物としては、テトラメトキシゲル
マニウム等を、ボロン系有機化合物としては、トリメチ
ルボレート、トリエチルボレート等を用いることができ
る。
【００１２】本発明の光導波路層の形成方法によれば、
２００℃から５００℃程度の低温で１０μｍ以上の膜が
堆積できる。
２００℃から５００℃程度の低温で１０μｍ以上の膜が
堆積できる。
【００１３】本発明における紫外光の光源は、波長２０
０ｎｍ以下の光を発振するパルスレーザを用いることが
できる。また、１秒当たり５０パルス以下の繰り返し周
波数で動作させるアルゴンフロライド（ＡｒＦ）エキシ
マレーザを用いることができる。このような光源を用い
ることにより変化量の大きい屈折率の変調が可能とな
る。
０ｎｍ以下の光を発振するパルスレーザを用いることが
できる。また、１秒当たり５０パルス以下の繰り返し周
波数で動作させるアルゴンフロライド（ＡｒＦ）エキシ
マレーザを用いることができる。このような光源を用い
ることにより変化量の大きい屈折率の変調が可能とな
る。
【００１４】本発明の光導波路の製造方法は、マッハチ
ェンダー（ＭＺ）型光干渉計の製造方法にも応用するこ
とができる。すなわち、干渉計を構成する一方の光導波
路の一部に紫外線を照射し、干渉する波長を所定値にシ
フトさせることによりマッハチェンダー（ＭＺ）型光干
渉計を製造することができる。
ェンダー（ＭＺ）型光干渉計の製造方法にも応用するこ
とができる。すなわち、干渉計を構成する一方の光導波
路の一部に紫外線を照射し、干渉する波長を所定値にシ
フトさせることによりマッハチェンダー（ＭＺ）型光干
渉計を製造することができる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の光導波路の製造方法の実施例
について図面を参照して詳細に説明する。図１を参照す
ると、本発明の光導波路の製造方法は、ＡＰ−ＣＶＤ法
によりクラッドａ３３膜、コア３２膜を形成する第１の
工程１、光導波路のパターンを形成するための第２の工
程２、ＡＰ−ＣＶＤ法によりクラッドｂ３４を形成する
ための第３の工程３、波長１９３ｎｍのＡｒＦ光照射を
行いコアの一部の屈折率を変調するための第４の工程４
からなる。本発明では、第１及び第３の工程における膜
の堆積は、約３００から５００℃の低温で行い、膜の堆
積後、６００℃から８００℃の温度において、膜中の水
分を除くためにアニールを行っている。
について図面を参照して詳細に説明する。図１を参照す
ると、本発明の光導波路の製造方法は、ＡＰ−ＣＶＤ法
によりクラッドａ３３膜、コア３２膜を形成する第１の
工程１、光導波路のパターンを形成するための第２の工
程２、ＡＰ−ＣＶＤ法によりクラッドｂ３４を形成する
ための第３の工程３、波長１９３ｎｍのＡｒＦ光照射を
行いコアの一部の屈折率を変調するための第４の工程４
からなる。本発明では、第１及び第３の工程における膜
の堆積は、約３００から５００℃の低温で行い、膜の堆
積後、６００℃から８００℃の温度において、膜中の水
分を除くためにアニールを行っている。
【００１６】次に、本発明の光導波路の製造方法の第１
及び第３の工程について図面を参照にして詳細に説明す
る。図２は、コア及びクラッド膜を形成する本発明のＡ
Ｐ−ＣＶＤ法を説明するための図であり、ＧｅＯ2及び
Ｐ2Ｏ5をドーピングする場合を示す。本発明の成膜装置
は、Ｓｉ基板１１を加熱するためのヒータ１０、オゾン
を発生させるためのオゾナイザー５、及び、ＳｉＯ2の
原料が含まれるＳｉ系容器１３、Ｐ2Ｏ5をドープするた
めのＰ系容器１４、ＧｅＯ2をドープするためのＧｅ系
容器１５から構成される。Ｓｉ系容器１３には、テトラ
エトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4：ＴＥＯＳ）やテ
トラメチルオルソシリケートなどのＳｉ系有機材料６
が、Ｐ系容器１４には、トリメチルホスファイト（ＰＯ
（ＯＣＨ3）3）、トリメチルホスフェート（ＰＯ（ＯＣ
Ｈ3）3）、トリエチルホスフェート（ＰＯ（ＯＣ2Ｈ5）
3）等のＰ系有機材料７が、Ｇｅ系容器１５には、テト
ラメトキシゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＣＨ3））4）等のＧ
ｅ系有機材料８が含まれている。Ｓｉ系有機材料６、Ｐ
系有機材料７、Ｇｅ系有機材料８は、窒素（Ｎ2）の流
れに沿って、オゾナイザー５によって発生したオゾンと
ともに、 ディスパージョンヘッド１２を通して、加熱
された基板１１に導かれる。基板上１１に導かれたＳｉ
系有機材料６、Ｐ系有機材料７、Ｇｅ系有機材料８、オ
ゾンは化学反応し、Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2をドーパントとす
る石英系の膜が形成される。
及び第３の工程について図面を参照にして詳細に説明す
る。図２は、コア及びクラッド膜を形成する本発明のＡ
Ｐ−ＣＶＤ法を説明するための図であり、ＧｅＯ2及び
Ｐ2Ｏ5をドーピングする場合を示す。本発明の成膜装置
は、Ｓｉ基板１１を加熱するためのヒータ１０、オゾン
を発生させるためのオゾナイザー５、及び、ＳｉＯ2の
原料が含まれるＳｉ系容器１３、Ｐ2Ｏ5をドープするた
めのＰ系容器１４、ＧｅＯ2をドープするためのＧｅ系
容器１５から構成される。Ｓｉ系容器１３には、テトラ
エトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4：ＴＥＯＳ）やテ
トラメチルオルソシリケートなどのＳｉ系有機材料６
が、Ｐ系容器１４には、トリメチルホスファイト（ＰＯ
（ＯＣＨ3）3）、トリメチルホスフェート（ＰＯ（ＯＣ
Ｈ3）3）、トリエチルホスフェート（ＰＯ（ＯＣ2Ｈ5）
3）等のＰ系有機材料７が、Ｇｅ系容器１５には、テト
ラメトキシゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＣＨ3））4）等のＧ
ｅ系有機材料８が含まれている。Ｓｉ系有機材料６、Ｐ
系有機材料７、Ｇｅ系有機材料８は、窒素（Ｎ2）の流
れに沿って、オゾナイザー５によって発生したオゾンと
ともに、 ディスパージョンヘッド１２を通して、加熱
された基板１１に導かれる。基板上１１に導かれたＳｉ
系有機材料６、Ｐ系有機材料７、Ｇｅ系有機材料８、オ
ゾンは化学反応し、Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2をドーパントとす
る石英系の膜が形成される。
【００１７】Ｐ2Ｏ5、ＧｅＯ2の濃度はそれぞれの容器
中を流れるＮ2の流量を変化させることにより調整でき
る。Ｐ2Ｏ5の濃度は、堆積されるＳｉＯ2に対し、例え
ば３〜５ｍｏｌ％とする。更に、酸化ボロン（Ｂ2Ｏ3）
をドープする場合は、Ｇｅ系有機材料８の代わりに、ト
リエチルボレート（Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）、トリチルボレ
ート（Ｂ（ＯＣＨ3）3）等のホウ素系有機材料を用いれ
ばよい。
中を流れるＮ2の流量を変化させることにより調整でき
る。Ｐ2Ｏ5の濃度は、堆積されるＳｉＯ2に対し、例え
ば３〜５ｍｏｌ％とする。更に、酸化ボロン（Ｂ2Ｏ3）
をドープする場合は、Ｇｅ系有機材料８の代わりに、ト
リエチルボレート（Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）、トリチルボレ
ート（Ｂ（ＯＣＨ3）3）等のホウ素系有機材料を用いれ
ばよい。
【００１８】本発明の成膜方法によれば、５００℃以下
の低温により成膜が可能となるため、膜歪みが小さく、
複屈折性の少ない光導波路の形成が可能となる。更に、
Ｐ2Ｏ5を３ｍｏｌ％以上ドープすることにより、酸素不
足型等の構造欠陥に起因する２００ｎｍ以下の真空紫外
線領域の吸収係数が大きく増加する。
の低温により成膜が可能となるため、膜歪みが小さく、
複屈折性の少ない光導波路の形成が可能となる。更に、
Ｐ2Ｏ5を３ｍｏｌ％以上ドープすることにより、酸素不
足型等の構造欠陥に起因する２００ｎｍ以下の真空紫外
線領域の吸収係数が大きく増加する。
【００１９】図３は、Ｐ2Ｏ5をドープした場合の吸収係
数ａ１６及びＰ2Ｏ5をドープしない場合の吸収係数ｂ１
７を表している。Ｐ2Ｏ5をドープしたことにより２５０
ｎｍ近辺の吸収係数は低下するが、２００ｎｍ以下の波
長において、大きく吸収係数が増加していることがわか
る。
数ａ１６及びＰ2Ｏ5をドープしない場合の吸収係数ｂ１
７を表している。Ｐ2Ｏ5をドープしたことにより２５０
ｎｍ近辺の吸収係数は低下するが、２００ｎｍ以下の波
長において、大きく吸収係数が増加していることがわか
る。
【００２０】次に、本発明の光導波路の製造方法の第４
の工程４について、図面を参照して説明する。図４は、
本発明の光導波路の製造方法のうち、第１〜第３の工程
１〜３を用いて作製した中心波長１．５５μｍ、フリー
スペクトル間隔１．８ｎｍのマッハチェンダー（ＭＺ）
型の周波数分割（ＦＤＭ）カプラ１８にＡｒＦ光２２を
照射し、屈折率の変調を行った例を示してある。図で
は、ＭＺ型ＦＤＭカプラ１８の光路長付与部の一部にマ
スク２３を通して、ＡｒＦ光２２を照射している。照射
部分の長さは０．５ｍｍである。
の工程４について、図面を参照して説明する。図４は、
本発明の光導波路の製造方法のうち、第１〜第３の工程
１〜３を用いて作製した中心波長１．５５μｍ、フリー
スペクトル間隔１．８ｎｍのマッハチェンダー（ＭＺ）
型の周波数分割（ＦＤＭ）カプラ１８にＡｒＦ光２２を
照射し、屈折率の変調を行った例を示してある。図で
は、ＭＺ型ＦＤＭカプラ１８の光路長付与部の一部にマ
スク２３を通して、ＡｒＦ光２２を照射している。照射
部分の長さは０．５ｍｍである。
【００２１】図５は、ＡｒＦ光２２の照射前後で測定し
たクロスポ−トの出力光の１．５５μｍ帯の波長特性の
測定結果である。光出力ａ２５は、ＡｒＦ光２２の照射
により、光出力ｂ２６へと０．８ｎｍ（屈折率の変化量
として１０-3の上昇）移動していることが判る。更に、
本発明によれば、複屈折性の非常に小さな光誘起屈折率
変調が可能となる。１０-3の屈折率変調を行ったブラッ
ク回折格子は、長さ約２ｍｍで９９．９％の反射率を得
ることができるため、十分に実用に耐える光導波路デバ
イスを作製することが可能となる。
たクロスポ−トの出力光の１．５５μｍ帯の波長特性の
測定結果である。光出力ａ２５は、ＡｒＦ光２２の照射
により、光出力ｂ２６へと０．８ｎｍ（屈折率の変化量
として１０-3の上昇）移動していることが判る。更に、
本発明によれば、複屈折性の非常に小さな光誘起屈折率
変調が可能となる。１０-3の屈折率変調を行ったブラッ
ク回折格子は、長さ約２ｍｍで９９．９％の反射率を得
ることができるため、十分に実用に耐える光導波路デバ
イスを作製することが可能となる。
【００２２】図６は、本発明の光導波路の製造方法にお
ける他の光照射方法を示す図である。図面を参照する
と、ＭＺ型ＦＤＭカプラ１８は移動ステージ２７の上に
保持されており、本実施例の場合、移動ステージ２７を
移動させることにより、ＭＺ型ＦＤＭカプラ１８の全面
に光照射するように設定されている。本発明による成膜
方法では、低温プロセスのため、熱歪みが生じにくく複
屈折性が小さいという特徴がある。しかしながら、基板
と膜の膨張係数等の相違により、引っ張り応力が生じ、
わずかながら複屈折性が生じる。本実施例には、ＡｒＦ
光照射により屈折率の上昇、すなわち膜密度の増加が生
じるために、全面に光照射を行うことにより、圧縮応力
が生じ、引っ張り応力をキャンセルするため、複屈折性
を改善することが可能となる。
ける他の光照射方法を示す図である。図面を参照する
と、ＭＺ型ＦＤＭカプラ１８は移動ステージ２７の上に
保持されており、本実施例の場合、移動ステージ２７を
移動させることにより、ＭＺ型ＦＤＭカプラ１８の全面
に光照射するように設定されている。本発明による成膜
方法では、低温プロセスのため、熱歪みが生じにくく複
屈折性が小さいという特徴がある。しかしながら、基板
と膜の膨張係数等の相違により、引っ張り応力が生じ、
わずかながら複屈折性が生じる。本実施例には、ＡｒＦ
光照射により屈折率の上昇、すなわち膜密度の増加が生
じるために、全面に光照射を行うことにより、圧縮応力
が生じ、引っ張り応力をキャンセルするため、複屈折性
を改善することが可能となる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光導波路層を低温で成膜することができるので、安全
性、簡便性に優れ、膜歪み等の問題も解消できる。
光導波路層を低温で成膜することができるので、安全
性、簡便性に優れ、膜歪み等の問題も解消できる。
【００２４】また、光導波路層中に酸化リンをドープす
ることにより、波長２００ｎｍ以下に大きな吸収帯を形
成することができ、波長２００ｎｍのパルスレーザを照
射することにより、変化量の大きい屈折率の変調が可能
となる。
ることにより、波長２００ｎｍ以下に大きな吸収帯を形
成することができ、波長２００ｎｍのパルスレーザを照
射することにより、変化量の大きい屈折率の変調が可能
となる。
【図１】本発明の光導波路の製造方法のフローを示す図
である。
である。
【図２】本発明の光導波路の製造方法における石英系材
料膜の成膜方法を説明するための図である。
料膜の成膜方法を説明するための図である。
【図３】本発明の光導波路の製造方法における石英系材
料膜の成膜方法により成膜した膜の吸収係数を示す図で
ある。
料膜の成膜方法により成膜した膜の吸収係数を示す図で
ある。
【図４】本発明の光導波路の製造方法における光照射方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図５】本発明の光導波路の製造方法により作製したＭ
Ｚ型ＦＤＭカプラの特性を示す図である。
Ｚ型ＦＤＭカプラの特性を示す図である。
【図６】本発明の光導波路の製造方法における他の光照
射方法を説明するための図である。
射方法を説明するための図である。
【図７】光導波路の基本構造を示す図である。
【図８】従来の光導波路の製造方法のフローを説明する
ための図である。
ための図である。
【図９】従来の光導波路の製造方法における火炎による
還元処理を示す図である。
還元処理を示す図である。
１ 第１の工程 ２ 第２の工程 ３ 第３の工程 ４ 第４の工程 ５ オゾナイザー ６ Ｓｉ系有機材料 ７ Ｐ系有機材料 ８ Ｇｅ系有機材料 ９ 常圧反応チャンバー １０ ヒータ １１ 基板 １２ ディスパージョンヘッド １３ ＮＳＧ容器 １４ ＰＳＧ容器 １５ ＧＳＧ容器 １６ 吸収係数ａ １７ 吸収係数ｂ １８ ＭＺ型ＦＤＭカプラ １９ ミラー ２０ コア ２１ ＡｒＦエキシマレーザ ２２ ＡｒＦ光 ２３ マスク ２４ 開口部 ２５ 光出力ａ ２６ 光出力ｂ ２７ 移動ステージ ３１ 基板 ３２ コア ３３ クラッドａ ３４ クラッドｂ ３５ 第１の工程 ３６ 第２の工程 ３７ 第３の工程 ３８ 第４の工程 ３９ 火炎 ４０ バーナー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−248249（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−160657（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−196334（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−334641（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−286055（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−298702（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−269427（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/138
Claims (10)
- 【請求項１】 石英系材料よりなる光導波路の製造方法
において、有機材料を含む原料を用い３００〜５００℃
で常圧化学気相堆積（ＡＰ-ＣＶＤ）法により基板上に
３ｍｏｌ％以上の酸化リン（Ｐ 2 Ｏ 5 ）が添加された石英
系光導波路層を形成した後、該石英系光導波路層の少な
くとも一部に波長２００ｎｍ以下の紫外光を照射し、該
紫外光を照射した部分の屈折率を変調させることを特徴
とする光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 石英系材料よりなる光導波路の製造方法
において、有機材料を含む原料を用い３００〜５００℃
で常圧化学気相堆積（ＡＰ-ＣＶＤ）法により基板上に
３ｍｏｌ％以上の酸化リン（Ｐ 2 Ｏ 5 ）が添加された石英
系光導波路層を形成した後、該石英系光導波路層の少な
くとも一部に、アルゴンフロライド（ＡｒＦ）エキシマ
レーザを光源とする紫外光を照射し、該紫外光を照射し
た部分の屈折率を変調させることを特徴とする光導波路
の製造方法。 - 【請求項３】 前記紫外光の光源が、１秒当たり５０パ
ルス以下の繰り返し周波数で動作させるアルゴンフロラ
イド（ＡｒＦ）エキシマレーザであることを特徴とする
請求項２に記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 前記有機材料が、（ａ）シリコン系有機
化合物と、（ｂ）リン系有機化合物と、（ｃ）ゲルマニ
ウム系有機化合物またはボロン系有機化合物とを含み、
前記有機材料をオゾンにより分解し、前記石英系光導波
路層を形成することを特徴とする請求項１乃至３いずれ
かに記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項５】 前記シリコン系有機化合物がテトラエト
キシシランおよび／またはテトラメチルオルソシリケー
トである請求項４に記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項６】 前記リン系有機化合物がトリエチルホス
フェートおよび／またはトリメチルホスフェートである
請求項４または５に記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項７】 前記ゲルマニウム系有機化合物がテトラ
メトキシゲルマニウムであり、前記ボロン系有機化合物
がトリメチルボレートおよび／またはトリエチルボレー
トである請求項４乃至６いずれかに記載の光導波路の製
造方法。 - 【請求項８】 前記紫外光の光源が、パルスレーザであ
る請求項１乃至７いずれかに記載の光導波路の製造方
法。 - 【請求項９】 前記光導波路の全面に対し前記紫外線を
一括もしくはスキャニングにより照射する請求項１乃至
８いずれかに記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項１０】 マッハチェンダー（ＭＺ）型光干渉計
の製造方法において、該マッハチェンダー（ＭＺ）型光
干渉計を構成する一の光導波路の少なくとも一部を請求
項１乃至９いずれかに記載の光導波路の製造方法により
形成することを特徴とするマッハチェンダー（ＭＺ）型
光干渉計の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP05045797A JP3270353B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 光導波路の製造方法 |
| US09/035,076 US6192712B1 (en) | 1997-03-05 | 1998-03-05 | Optical waveguide fabrication method |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05045797A JP3270353B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 光導波路の製造方法 |
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| JPH10246826A JPH10246826A (ja) | 1998-09-14 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|---|---|---|
| KR100322135B1 (ko) * | 1999-03-11 | 2002-02-04 | 윤종용 | 잔류 기계적 스트레스를 최대화하는 광섬유 및 이를 이용한 광섬유 격자 제작방법 |
| US6796148B1 (en) * | 1999-09-30 | 2004-09-28 | Corning Incorporated | Deep UV laser internally induced densification in silica glasses |
| US6650803B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-11-18 | Xros, Inc. | Method and apparatus for optical to electrical to optical conversion in an optical cross-connect switch |
| US6328807B1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-11 | Corning Incorporated | Chuck heater for improved planar deposition process |
| CA2324419A1 (en) * | 2000-10-25 | 2002-04-25 | Tellamon Photonic Networks Inc. | Method and apparatus for frequency tuning of an unbalanced mach-zehnder interferometer |
| US6705124B2 (en) * | 2001-06-04 | 2004-03-16 | Lightwave Microsystems Corporation | High-density plasma deposition process for fabricating a top clad for planar lightwave circuit devices |
| US6615615B2 (en) | 2001-06-29 | 2003-09-09 | Lightwave Microsystems Corporation | GePSG core for a planar lightwave circuit |
| US6614977B2 (en) | 2001-07-12 | 2003-09-02 | Little Optics, Inc. | Use of deuterated gases for the vapor deposition of thin films for low-loss optical devices and waveguides |
| US7043133B2 (en) * | 2001-07-12 | 2006-05-09 | Little Optics, Inc. | Silicon-oxycarbide high index contrast, low-loss optical waveguides and integrated thermo-optic devices |
| CN1402027A (zh) * | 2001-08-03 | 2003-03-12 | Asml美国公司 | 能用于光波导的氧化物构件及其制造方法 |
| US20030033834A1 (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-20 | Michael Bazylenko | Method of depositing a cladding layer |
| US20030070451A1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Luc Ouellet | Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical components |
| US20030110808A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Applied Materials Inc., A Delaware Corporation | Method of manufacturing an optical core |
| US20030113085A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation | HDP-CVD film for uppercladding application in optical waveguides |
| GB0206483D0 (en) * | 2002-03-19 | 2002-05-01 | Denselight Semiconductors Pte | Gratings on planar lightwave circuits |
| US7080528B2 (en) * | 2002-10-23 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a phosphorus doped optical core using a PECVD process |
| US9329341B2 (en) * | 2012-08-22 | 2016-05-03 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Radiation scribed waveguide coupling for photonic circuits |
| US20140161385A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Method and Apparatus for Coupling to an Optical Waveguide in a Silicon Photonics Die |
| US20150212271A1 (en) * | 2012-12-11 | 2015-07-30 | Acacia Communications Inc. | Optical waveguide terminators with doped waveguides |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8515814D0 (en) * | 1985-06-21 | 1985-07-24 | British Telecomm | Fabrication of optical waveguides |
| JPS63223712A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | 光導波路およびその製造方法 |
| JPH04298702A (ja) | 1991-02-07 | 1992-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光回路及びその特性調節方法 |
| AU657845B2 (en) * | 1992-03-17 | 1995-03-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for producing glass thin film |
| US5235659A (en) * | 1992-05-05 | 1993-08-10 | At&T Bell Laboratories | Method of making an article comprising an optical waveguide |
| US5500031A (en) * | 1992-05-05 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Method for increasing the index of refraction of a glassy material |
| US5287427A (en) * | 1992-05-05 | 1994-02-15 | At&T Bell Laboratories | Method of making an article comprising an optical component, and article comprising the component |
| US5478371A (en) * | 1992-05-05 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Method for producing photoinduced bragg gratings by irradiating a hydrogenated glass body in a heated state |
| JP2900732B2 (ja) | 1992-11-24 | 1999-06-02 | 三菱電機株式会社 | 光導波路の製造方法 |
| US5495548A (en) * | 1993-02-17 | 1996-02-27 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Communications | Photosensitization of optical fiber and silica waveguides |
| US5387269A (en) * | 1993-09-03 | 1995-02-07 | At&T Bell Laboratories | Methods for making planar waveguides with removal of a sacrifical member which surrounds the core |
| JPH07294760A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路の製造方法 |
| US5506925A (en) * | 1995-02-28 | 1996-04-09 | At&T Corp. | Radiolytic modification of birefringence in silica planar waveguide structures |
| JPH08334641A (ja) | 1995-06-09 | 1996-12-17 | Fujikura Ltd | 光導波路作製方法 |
| DK172355B1 (da) * | 1995-12-22 | 1998-04-06 | Brueel & Kjaer As | Fremgangsmåde til fremstilling af germaniumdoterede glasser samt anvendelse af fremgangsmåden |
| JP3292031B2 (ja) | 1996-03-29 | 2002-06-17 | 三菱電機株式会社 | 導波路型グレーティング及びその製造方法並びにその導波路型グレーティングを用いた光フィルタ及び波長多重光伝送システム |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP05045797A patent/JP3270353B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-05 US US09/035,076 patent/US6192712B1/en not_active Expired - Fee Related
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