JPH1168113A

JPH1168113A - 半導体装置及びその作製方法

Info

Publication number: JPH1168113A
Application number: JP24606497A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1997-08-26
Filing date: 1997-08-26
Publication date: 1999-03-09
Anticipated expiration: 2017-08-26
Also published as: JP3754189B2

Abstract

(57)【要約】【課題】結晶化に利用した触媒元素を活性層中から徹
底的に排除する技術を提供する。【解決手段】下地となる絶縁基板１０１上に意図的に
凹部１０２〜１０４を形成する。そして、その上に非晶
質珪素膜１０５を設け、結晶化する。さらに、ハロゲン
元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い、結晶化に利用し
た触媒元素を気相中に除去すると同時に、凹部１０２〜
１０４に偏析させることで徹底的に触媒元素が除去され
た珪素膜１１４を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
結晶性珪素膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、非晶質珪素膜を用いた薄膜ト
ランジスタ（以下ＴＦＴと称する）が知られている。こ
れは、主にアクティブマトリクス型の液晶表示装置のア
クティブマトリクス回路を構成するために利用されてい
る。

【０００３】しかし、非晶質珪素膜を用いたＴＦＴは、
動作速度が遅く、またＰチャネル型が実用化できないと
いう問題がある。

【０００４】このような問題もあり、周辺駆動回路を一
体型したアクティブマトリクス型液晶表示装置に利用し
たり、ＴＦＴを用いて各種集積回路を構成したりするこ
とはできなかった。

【０００５】この問題を解決するための手段として、結
晶性珪素膜を用いる構成が知られている。

【０００６】結晶性珪素膜を作製する方法としては、加
熱による方法とレーザー光の照射による方法とに大別さ
れる。

【０００７】加熱による方法は、再現性や生産性に優れ
るという特徴を有するが、結晶性に問題がある。

【０００８】他方、レーザー光の照射による方法は、基
板に熱ダメージを与えることがないプロセスを実現でき
るが、結晶性の均一性や再現性、さらには結晶性の程度
といった点で満足できるものではない。また生産性にも
問題がある。

【０００９】このような問題を解決するための一つの手
段として、本出願人らの発明である所定の金属元素を用
いて結晶化を促進させる方法がある。

【００１０】これは、非晶質珪素膜にニッケルに代表さ
れる金属元素を導入し、その後に加熱処理により結晶性
珪素膜を得る方法である。（本出願人による特願平８−
３３５１５２号参照）

【００１１】この方法では、従来の結晶化技術では得ら
れなかったような良好な結晶性を有した結晶性珪素膜を
得ることができる。

【００１２】しかしながら、得られる結晶性珪素膜中に
ニッケル元素が残留するという問題がある。

【００１３】上記出願にも詳細に記載されているよう
に、ゲッタリング技術を用いることにより、ある程度ニ
ッケル元素を除去することは可能である。しかし、上記
出願に記載されているような方法では、時としてニッケ
ル元素の除去が不完全にな場合がある。

【００１４】具体的には、得られたＴＦＴの活性層中に
ニッケル元素の塊（主にニッケルシリサイド成分でな
る）が存在する場合が観察される。

【００１５】一般的にニッケルに代表されるような金属
元素は、活性層中から極力排除するに越したことはな
い。

【００１６】特にデバイスの実用性を高めるには、活性
層中から金属元素を極力排除することが求められる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上述した金属元素を用
いて結晶性珪素膜を得る技術は、高い結晶性を得るため
には有用である。しかし、デバイスを作製する場合には
金属元素の存在が邪魔となる。

【００１８】そこで、本明細書で開示する発明は、珪素
の結晶化を助長する金属元素を利用して得られる結晶性
珪素膜を用いてＴＦＴに代表される半導体装置を作製す
る際に、当該金属元素を半導体装置の活性層中からより
徹底的に排除する技術を提供することを課題とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、絶縁表面を有する基体の表面に意図的にエッ
ジ部が形成され、前記エッジ部を避けて前記絶縁表面上
に結晶性珪素膜でなる活性層が形成されている構成を有
する半導体装置である。

【００２０】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基体
の表面に意図的に凹部が形成され、前記凹部の底部には
結晶性珪素膜でなる活性層が形成されている構成を有す
る半導体装置である。

【００２１】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基体
の表面に意図的に凸部が形成され、前記凸部の頂上部に
は結晶性珪素膜でなる活性層が形成されている構成を有
する半導体装置である。

【００２２】上記３つの発明に構成においては、結晶性
珪素膜の代わりに珪素を主成分とする結晶性半導体膜が
用いることができる。例えば、Ｓｉ_xＧｅ_1-x（0.5 ＜
ｘ＜1)で示される膜を用いることができる。またその他
珪素成分が半分以上を占める珪化物を用いることができ
る。

【００２３】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基体
の表面に意図的にエッジ部を形成する工程と、前記絶縁
表面上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、前記非晶質珪
素膜の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元
素を導入する工程と、加熱処理を施し、前記非晶質珪素
膜の少なくとも一部を結晶化させる工程と、前記基体の
表面に形成されたエッジ部の近傍に当該金属元素を集中
させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の
作製方法である。

【００２４】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基体
の表面に意図的に凹部を形成する工程と、前記絶縁表面
上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、前記非晶質珪素膜
の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を
導入する工程と、加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の
少なくとも一部を結晶化させる工程と、前記基体の表面
に形成されたエッジ部の近傍に当該金属元素を集中させ
る工程と、得られた珪素膜をパターニングし、前記凹部
の底部に活性層を形成する工程と、を有することを特徴
とする半導体装置の作製方法である。

【００２５】他の発明の構成は、絶縁表面を有する基体
の表面に意図的に凸部を形成する工程と、前記絶縁表面
上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、前記非晶質珪素膜
の少なくとも一部に珪素の結晶化を助長する金属元素を
導入する工程と、加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の
少なくとも一部を結晶化させる工程と、前記基体の表面
に形成されたエッジ部の近傍に当該金属元素を集中させ
る工程と、得られた珪素膜をパターニングし、前記凸部
の頂上部に活性層を形成する工程と、を有することを特
徴とする半導体装置の作製方法である。

【００２６】上記３つの構成において、金属元素とし
て、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ｉｎから選ばれた
一種または複数種類の元素を用いることができる。特に
Ｎｉ（ニッケル）を用いることが望ましい。

【００２７】また、非晶質珪素膜の代わりに珪素を主成
分とする非晶質半導体膜が用いることができる。例え
ば、Ｓｉ_xＧｅ_1-x（0.05＜ｘ＜1)で示される非晶質半
導体膜を用いることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の実施する場合の１形態を
以下に示す。本明細書で開示する発明では、結晶性珪素
膜の出発膜となる非晶質珪素膜の下地（絶縁膜やガラス
基板）の表面に意図的にエッジ部を形成する。例えば、
長細い溝状の凹部を形成する。

【００２９】この凹部は、予め後に形成されるＴＦＴの
活性層パターンの周辺部に形成するようにする。

【００３０】凹部の形成は、物理的に傷を形成する方法
や、エッチングによる方法、レーザー光の照射による方
法等によって行う。

【００３１】そして、非晶質珪素膜を成膜し、さらにニ
ッケル元素を非晶質珪素膜の少なくとも一部に接して保
持させる。そしてさらに加熱処理を施すことにより結晶
性珪素膜を得る。

【００３２】また、必要に応じてさらに加熱処理を加え
る。こうすると、先に凹部を形成した部分の珪素膜内に
ニッケルシリサイドの固まりが形成される。

【００３３】これは、凹部のエッジ部分には応力が集中
しており、また欠陥が局所的に集中していることに起因
する。

【００３４】即ち、意図的に形成された応力が集中し、
また欠陥が集中した領域に動き回ったニッケル元素がト
ラップされ、そこで安定化される。そして安定な状態の
一つとしてニッケルシリサイド成分となる。

【００３５】この状態は、部分的にニッケルが集中した
領域が形成されたことを意味している。

【００３６】そして、ニッケルシリサイドの固まりが形
成された部分を避けて活性層を形成することで、ニッケ
ルの存在が排除された結晶性珪素膜でなる活性層を形成
することができる。

【００３７】

【実施例】

〔実施例１〕図１及び図２を用いて本実施例の作製工程
を示す。本実施例では、（１）ニッケル元素を用いた横成長と呼ばれる結晶成長
手段（２）ハロゲンゲッタリングと呼ばれるハロゲン元素を
含んだ雰囲気中での加熱処理によりニッケル除去手段（３）基板の一部に凹部を形成することにより、その領
域にニッケルを集中させる手段を用いてＰチャネル型のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦＴ
とを同時に作製する工程を示す。

【００３８】ここでは、図１（Ａ）に示すように石英基
板１０１を用意する。石英基板はその表面の状態がなる
べく平滑であることが好ましい。具体的には、基板表面
に存在する微小な穴（ピットと呼ぶ）が後に成膜される
非晶質珪素膜の膜厚の寸法以下であることが好ましい。
より好ましくは、後に成膜される非晶質珪素膜の膜厚の
１／２以下（好ましくは１／５以下）の段差を有する凹
部であることが望まれる。

【００３９】まず、石英基板の表面に公知のエッチング
技術を用いて、凹部１０２、１０３、１０４を形成す
る。

【００４０】凹部を形成する方法としては、公知のエッ
チング技術以外に機械的に傷を形成する方法、レーザー
光の照射による方法等を採用することができる。

【００４１】凹部の形状は、凹部内部の側面がなるべく
垂直になるようにし、エッジ部分の角度が９０°になる
ようにする。これは、後に成膜される珪素膜において、
凹部を形成してエッジ部を形成することにより、その部
分における応力集中を助長し、さらにその部分における
欠陥密度を局所的に高めるためである。

【００４２】なお、凹部の形状としては、単なる矩形形
状以外に内部を広くした台形型のものとした方がより応
力集中を高めることができる。

【００４３】図１に示す凹部は、紙面の手前側と向こう
側に長手形状を有するスリット形状を有したものとす
る。その寸法は、深さを２００ｎｍ、幅を２５０ｎｍと
する。またスリット形状の長さは、最終的に形成するＴ
ＦＴの寸法よりも大きなものとする。

【００４４】図３に後に形成される活性層パターン１１
９、１２０と凹部１０２、１０３、１０４との位置関係
を示す。なお、図３のＡ−Ａ’で切った断面が図１及び
図２に示す断面作製工程図に対応する。

【００４５】図１（Ａ）に示す状態を得たら、図１
（Ｂ）に示すように非晶質珪素膜１０５を５０ｎｍの厚
さに成膜する。ここでは、減圧熱ＣＶＤ法により、非晶
質珪素膜１０５を成膜する。

【００４６】非晶質珪素膜の膜厚は、３０ｎｍ〜１５０
ｎｍ程度の範囲から選択することができる。

【００４７】非晶質珪素膜の成膜方法としては、プラズ
マＣＶＤ法やスパッタ法を用いることができる。しか
し、膜質の点からは減圧熱ＣＶＤ法を用いることが好ま
しい。

【００４８】非晶質珪素膜１０５を成膜したら、プラズ
マＣＶＤ法を用いて１５０ｎｍ厚の図示しない酸化珪素
膜を成膜する。そしてこの酸化珪素膜をパターニングす
ることにより、マスク１０６を形成する。（図１
（Ｂ））

【００４９】このマスク１０６は、開口部１０７を有し
ている。この開口１０７は、紙面の手前側から向こう側
へと延在した細長いスリット形状を有している。

【００５０】マスク１０６を形成したら、１０ｐｐｍの
ニッケル濃度（重量換算）に調整したニッケル酢酸塩溶
液をスピンコート法を用いて塗布する。この状態で、ニ
ッケル元素が１０８で示されるように表面に接して保持
された状態が得られる。

【００５１】この状態では、マスク１０６に形成された
開口１０７の部分において、ニッケル元素が非晶質珪素
膜１０５の表面に一部に接して保持された状態が得られ
る。

【００５２】ニッケル元素の導入方法としては、上記の
溶液を用いる方法が最も簡便であるが、他にＣＶＤ法、
スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理、ガス吸着法、イオ
ン注入法等を用いることができる。このことは、他の金
属元素を用いる場合でも同様である。

【００５３】次に５７０℃、１４時間の加熱処理を窒素
雰囲気中において行う。この工程では、開口部１０７の
部分から非晶質珪素膜中へのニッケル元素が拡散し、そ
れに従って、１０９、１１０で示されるような結晶成長
が進行する。この結晶成長は、１００μｍ以上に渡って
行わすことができる。（図１（Ｃ））

【００５４】この結晶成長は、膜面に平行は方向に向か
って進行する特異なものとなる。この結晶成長形態を横
成長と称する。

【００５５】この結晶成長工程における加熱の温度は、
５００℃〜５８０℃程度の範囲から選択することが好ま
しい。これは、この温度以下では結晶成長速度が低過
ぎ、生産性が低下するからである。また、この温度以上
では自然各発生（ニッケルの作用によらない結晶成長）
が顕著になり、１０９で示されるような結晶成長が阻害
されるからである。

【００５６】この結晶成長のための加熱処理において、
基板に凹部を形成した領域において、１１１、１１２、
１１３で示されるようにニッケル元素が集中する。ニッ
ケルの一部はニッケルシリサイドとして存在している。
（図１（Ｃ））

【００５７】上記の現象は、１１１、１１２、１１３の
領域においては、基板に形成された凹部が存在する関係
上、膜中に応力が手中し、また欠陥が集中していること
に起因する。

【００５８】即ち、応力集中や高密度欠陥が存在するこ
とで、ニッケルをトラップする、あるいは、ニッケルが
安定して存在するような状態が実現されているからであ
る。

【００５９】ただし、この状態では、１１１、１１２、
１１３の部分におけるニッケルの集中はそれ程顕著でな
く、未だ膜中にはニッケル元素が分散して存在してい
る。

【００６０】次にハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中
での加熱処理を行う。ここでは、ＨＣｌを３体積％含ん
だ酸素雰囲気中において、９５０℃、３０分に加熱処理
を行う。

【００６１】この工程では、熱酸化膜１１５が３０ｎｍ
の厚さに成膜される。３０ｎｍ厚の熱酸化膜１１５が成
膜されることで、珪素膜１１４の膜厚は５０ｎｍから３
５ｎｍへと１５ｎｍ減少する。（図１（Ｄ））

【００６２】この工程では、Ｃｌとニッケルとが結合し
て塩化ニッケルとして雰囲気中に気化する。そして、珪
素膜１１４の全面において、珪素膜中のニッケル元素濃
度が減少する。

【００６３】そして、それと同時に１１６、１１７、１
１８の部分においてニッケルシリサイドが成長し、これ
らの部分にニッケル成分がより集中する。（図１
（Ｄ））

【００６４】即ち、珪素膜１１４中においては、全面か
ら膜該へのニッケル元素の除去が行われるのと同時に膜
中の一部にニッケル元素が集中する状態が実現される。

【００６５】なお、この工程において成膜される熱酸化
膜１１５は、塩素（Ｃｌ）のエッチング作用による珪素
膜表面の荒れを防ぐために作用する。

【００６６】上記の加熱処理の温度は、８００℃〜１１
００℃の範囲から選択することができる。また、ＨＣｌ
ガスの代わりに他のハロゲン元素を含んだガスを用いて
もよい。例えば、ハロゲン元素を含んだガスとして、Ｐ
ＯＣｌ₃ ガスを用いることができる。

【００６７】次に熱酸化膜１１５を選択的にエッチング
する。そして珪素膜１１４を露呈させる。

【００６８】次に珪素膜１１４をパターニングし、図１
（Ｅ）に示すように活性層パターン１１９及び１２０を
形成する。活性層パターン１１９及び１２０は、図３に
示すようなパターン形状を有している。

【００６９】この活性層パターンは、１１６、１１７、
１１８のようなニッケルを集中させた場所を避けて形成
することが重要でなる。即ち、最初に基板にエッジを形
成した部分を避けて活性層パターンの位置取りを設定す
ることが重要である。

【００７０】次に後にその一部がゲイト絶縁膜となる酸
化珪素膜１２１をプラズマＣＶＤ法によって成膜する。
（図１（Ｅ））

【００７１】次にゲイト電極の基のパターンとなる図示
しないアルミニウム膜を４００ｎｍの厚さにスパッタ法
によって成膜する。

【００７２】そしてレジストマスク２００、２０１を用
いてこのアルミニウム膜をパターニングする。こうして
図２（Ａ）に示す２０１と２０２のパターンを形成す
る。

【００７３】次にレジストマスク２００と２０１を残存
させた状態でアルミニウムパターン２０２と２０３とを
陽極とした陽極酸化を行う。この工程では、電解溶液と
して、３体積％の蓚酸を含んだ水溶液を用い、アルミニ
ウムパターンを陽極、白金を陰極として陽極酸化が行わ
れる。

【００７４】この陽極酸化工程において、多孔質状の陽
極酸化膜２０４、２０５を４００ｎｍの厚さに成膜す
る。この陽極酸化膜は、上面にレジストマスクが存在す
る関係から、アルミニウムパターンの側面に形成され
る。（図２（Ｂ）参照）

【００７５】次にレジストマスク２００、２０１を除去
する。そして、再度の陽極酸化を行う。この工程では、
電解溶液として、３体積％の酒石酸を含んだエチレング
リコール溶液をアンモニア水で中和したものを用いる。

【００７６】この工程では、最終的に残存するアルミニ
ウムパターン２０８及び２０９の周囲表面に２０６や２
０７で示されるように陽極酸化膜（酸化アルミニウム
膜）が成膜される。（図２（Ｂ））

【００７７】この工程で成膜される陽極酸化膜は緻密な
膜質を有したものとなる。

【００７８】また、残存したアルミニウムパターン２０
８と２０９がＴＦＴのゲイト電極となる。ここでは、２
０８がＰチャネル型ＴＦＴのゲイト電極、２０９がＮチ
ャネル型ＴＦＴのゲイト電極となる。（図２（Ｂ））

【００７９】次に露呈した酸化珪素膜１２１を垂直異方
性を有するドライエッチング法によって除去する。こう
して図２（Ｃ）に示すように２１０、２１１で示される
酸化珪素膜が残存した状態が得られる。

【００８０】この状態でそれぞれの活性層にＰ及びＮ型
を付与する不純物のドーピングを行う。ここでは、左側
の活性層にボロンのドーピングを、右側の活性層に燐の
ドーピングをプラズマドーピング法でもって行う。

【００８１】本実施例では、ドーピングを行う際には、
ドーピングを行わない領域をレジストマスクでマスクし
ておく。

【００８２】こうして、２１２、２１３の領域にボロン
のドーピングが行われる。また、２１４、２１５の領域
に燐のドーピングが行われる。（図２（Ｃ））

【００８３】この工程におけるドーピング条件は、通常
のソース及びドレイン領域を形成する場合の条件でもっ
て行えばよい。

【００８４】次に多孔質状の陽極酸化膜２０４、２０５
を除去する。そして再度のドーピングを行う。このドー
ピングも必要とする箇所に選択的に行う。

【００８５】またこのドーピングは、先のドーピングよ
りもドーズ量を１桁程度下げた条件でもって行う。

【００８６】この工程では、２１６、２１８の領域にボ
ロンのライトドーピングが行われ、２１９、２２１の領
域にリンのライトドーピングが行われる。また、２１
７、２２０の領域には、ドーピングは行われない。（図
２（Ｄ））

【００８７】こうして、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース領
域２１２、ドレイン領域２１３、さらにチャネル領域２
１７、低濃度不純物領域２１６と２１８とが形成され
る。

【００８８】また、Ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域２
１５、ドレイン領域２１４、さらにチャネル領域２２
０、低濃度不純物領域２２０と２２１とが形成される。

【００８９】ドーピングの終了後にレーザー光または赤
外光の照射を行い、被ドーピング領域における結晶構造
の改善と、ドーンパントの活性化とを行う。

【００９０】次に層間絶縁膜として、窒化珪素膜２２２
を２５０ｎｍの厚さにプラズマＣＶＤ法でもって行い、
さらにアクリル樹脂膜２２３をスピンコート法でもって
成膜する。アクリル樹脂膜２２３の膜厚は、最小の部分
で７００ｎｍとなるようにする。（図２（Ｅ））

【００９１】ここで樹脂膜を層間絶縁膜として用いるこ
とにより、図１に示す凹部によって発生する凹凸を吸収
することができる。

【００９２】そしてコンタクトホールの形成を行い、Ｐ
チャネル型ＴＦＴのソース電極２２４とドレイン電極２
２５とを形成する。また同時にＮチャネル型ＴＦＴのソ
ース領域２２７とドレイン電極２２６とを形成する。
（図２（Ｅ））

【００９３】本実施例では、チャネル領域になにもドー
ピングを行わない場合の例を示したが、ＴＦＴのしきい
値を制御するためにＮまたはＰ型を付与する不純物を活
性層中の特にチャネル領域にドーピングする構成として
もよい。

【００９４】また、本実施例では、ゲイト電極としてア
ルミニウムを用いる場合の例を示したが、他の金属材料
や珪素材料、さらにはシリサイド材料を用いた構成とし
てもよい。

【００９５】〔実施例２〕本実施例では、非晶質珪素膜
表面の全面にニッケルを元素を導入し、全体を一斉に結
晶化させる場合の例を示す。なお、特に断らない部分
は、実施例１に示すのと同じ作製工程に従う。

【００９６】まず、図４（Ａ）に示すように、石英基板
１０１上に開口１０２、１０３、１０４を形成する。開
口の形状は図３に示すのと同様なものとする。

【００９７】次に非晶質珪素膜１０５を５０ｎｍの厚さ
に成膜する。（図４（Ｂ））

【００９８】そして、６００℃、８時間の加熱処理を行
い、非晶質珪素膜の全面を結晶化させ、結晶性珪素膜１
０５を得る。この際、部分的に基板に開口が形成されて
いた部分１１１、１１２、１１３の領域にニッケル元素
が集中する。（図４（Ｃ））

【００９９】上記の加熱処理は、５００℃〜７００℃の
温度範囲から選択された温度で行えばよい。

【０１００】さらにＨＣｌガスを３体積％含有した酸素
雰囲気中での加熱処理を９５０℃、３０分の条件で行
う。この際、熱酸化膜１１５が３０ｎｍの厚さに成膜す
る。

【０１０１】またこの際、ニッケルシリサイドの固まり
１１６、１１７、１１８が形成される。このニッケルシ
リサイドの固まりは、石英基板１０１に開口１０２、１
０３、１０４が形成された部分に形成される。（図４
（Ｄ））

【０１０２】上記加熱処理工程は、塩化ニッケルとして
ニッケル元素を膜外に除去する工程と、１１６、１１
７、１１８で示されるように所定の部分にニッケル元素
を集中させる工程とを同時に行うものである。

【０１０３】次に熱酸化膜１１５を除去し、さらにニッ
ケルシリサイドが形成された領域を避けて活性層パター
ン１１９、１２０を形成する。さらにゲイト絶縁膜とし
て機能する酸化珪素膜１２１を成膜する。（図４
（Ｅ））

【０１０４】その後は、図２に示す作製工程に従って、
Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとを作製す
る。

【０１０５】〔実施例３〕図５及び図６に本実施例の作
製工程を示す。本実施例では、石英基板に活性層の寸法
よりも大きい凹部を形成し、そのエッジの部分にニッケ
ル元素を集中させる構成に関する。

【０１０６】本実施例では、Ｎチャネル型のＴＦＴを作
製する例を示す。

【０１０７】まず、図５（Ａ）に示すように石英基板５
０１の表面に公知のフォトリソグラフィーを用いたエッ
チング手段により、開口５０２を形成する。この開口の
底部には、後にＴＦＴの活性層が形成される。

【０１０８】開口５０２を形成するのは、その端部（周
辺部）にエッジ５０３、５０４を形成するためである。
このエッジの部分で後に珪素膜中に局所的に応力が集中
し、さらに欠陥密度の高い部分を形成する。

【０１０９】ここでは、開口の深さは１５０nmとする。
また、基板表面の平滑性としては、この開口のエッジ５
０３、５０４の段差（即ち１５０nm）よりも小さいピッ
トを有していることが要求される。より好ましくは、開
口のエッジの段差の１／３以下、即ち５０nmよりも小さ
いことが要求される。さらにより好ましくは開口のエッ
ジの段差の１／１０以下、即ち１５nmよりも小さいこと
が要求される。

【０１１０】具体的には凹部の深さが３０nm以下（好ま
しくは１０nm以下）であることが要求される。これは、
この開口のエッジの段差部分における珪素膜中における
応力の集中や欠陥密度の高さを発明が利用しているから
である。

【０１１１】即ち、石英基板の表面のいたる部分に開口
のエッジに相当するような凹凸が存在していては、開口
５０２を設けることも意味がなくなってしまうので、上
記のような関係を満足する必要がある。

【０１１２】一般的に開口のエッジ５０３、５０４の段
差は、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択すること
ができる。

【０１１３】また図１１（Ｂ）に示されるような開口の
エッジ部の角度θは、９０°〜３０°の範囲から選択す
るとよい。なお、ｄで示される１１０２が段差部の寸法
（エッジ部の寸法）となる。

【０１１４】図５（Ａ）に示す開口５０２を形成した
ら、プラズマＣＶＤ法により非晶質珪素膜５０５を５０
ｎｍの厚さに成膜する。（図５（Ｂ））

【０１１５】本実施例で示す結晶成長形態においては、
非晶質珪素膜の成膜方法としてプラズマＣＶＤ法を選択
しても特に問題はない。

【０１１６】次に重量換算で１０ｐｐｍの濃度にニッケ
ル濃度を調整したニッケル酢酸塩溶液をスピンコート法
で塗布し、５０６で示されるようにニッケル元素が表面
に接して保持された状態を得る。（図５（Ｂ））

【０１１７】次に６００℃、８時間の加熱処理を加える
ことにより、非晶質珪素膜５０５を結晶化させ、結晶性
珪素膜５１０を得る。

【０１１８】この結晶性珪素膜５１０においては、５１
２、５１３で示す開口５０２のエッジの部分において応
力が集中したものとなる。またその部分には欠陥が高密
度で存在した状態となる。

【０１１９】結晶化が終了したら、ＨＣｌガスを３体積
％含んだ酸素雰囲気中において、９５０℃、３０分の加
熱処理を行う。

【０１２０】この工程では、熱酸化膜５１１が形成され
る。この工程においては、ニッケル元素が塩化ニッケル
として膜外に除去されるのと同時に、５１２、５１３の
領域にニッケルシリサイドとしてニッケル元素が集中す
る。また、珪素膜５１０の膜厚は、５０ｎｍから３５ｎ
ｍに減少する。（図５（Ｃ））

【０１２１】次に熱酸化膜５１１を除去する。そして、
レジストマスク５１４を形成する。このレジストマスク
によって、ＴＦＴの活性層のパターンが決定される。
（図５（Ｄ））

【０１２２】レジストマスク５１４は、開口５０２の内
部（底部）に形成されるようにすることが重要である。
これは、開口５０２のエッジ５０３や５０４が活性層パ
ターンの周囲に存在するようにするためである。

【０１２３】こうすることで、活性層の内部からニッケ
ル元素を排除することができる。

【０１２４】次にレジストマスク５１４を用いて珪素膜
５１１をパターニングする。こうして活性層のパターン
５１５を形成する。（図５（Ｅ））

【０１２５】この際、活性層パターンの外側（エッチン
グで除去される領域）に５１２や５１３で示されるニッ
ケルが集中した領域が存在するので、結果として活性層
パターン内にニッケル元素が残留することを抑制するこ
とができる。

【０１２６】即ち、図５（Ａ）の石英基板に形成された
凹部周辺のエッジ５０３、５０４が、活性層パターン５
１５の外側（活性層パターンが形成されない領域）に存
在するようにすることで、活性層内にニッケル元素に残
留するがニッケル元素の量を低減することができる。

【０１２７】また、活性層を形成した後にフッ素系エッ
チャントによるウェットエッチング処理を行うことも有
効である。エッチャントとしてはＬＡＬ５００（NH₄:17
〜20% 、HF:0〜10% 、界面活性剤を混合した溶液、橋本
化成（株）製）、ＦＰＭ（H₂O₂:HF:H₂O ＝0.5:0.5:99で
混合した溶液）などの溶液を用いることができる。これ
によりエッジ部に集中したニッケル元素（ニッケルシリ
サイドの形態で存在すると考えられる）を溶去する（溶
液を利用して除去する）ことができる。

【０１２８】活性層パターン５１５を形成したら、ゲイ
ト絶縁膜となる酸化珪素膜５１６をプラズマＣＶＤ法に
より、３０ｎｍの厚さに成膜する。さらにＨＣｌガスを
３体積％含んだ酸素雰囲気中における加熱処理により、
図示しない熱酸化膜を２０ｎｍの厚さに成膜する。

【０１２９】図示しないが、この熱酸化膜はプラズマＣ
ＶＤ法で成膜された酸化珪素膜の内側（活性層の最表
面）に形成される。また、熱酸化膜を成膜する結果とし
て、活性層５１５の厚さは、３５ｎｍから２５ｎｍに減
少する。（図５（Ｅ））

【０１３０】次に図示しないアルミニウム膜をスパッタ
法で成膜し、さらにレジストマスク５１８を用いてそれ
をパターニングすることにより、５１７で示すパターン
を得る。（図５（Ｆ））

【０１３１】次にレジストマスク５１８を残存させた状
態で陽極酸化法により、多孔質状の陽極酸化膜６０１を
４００ｎｍの厚さに形成する。多孔質状の陽極酸化膜の
形成方法は実施例１に示したのと同じである。（図６
（Ａ）参照）

【０１３２】さらにレジストマスク５１８を除去し、再
度の陽極酸化法により、緻密な膜質を有する陽極酸化膜
６０２を７０ｎｍの厚さに形成する。（図６（Ａ））

【０１３３】この状態において、残存するアルミニウム
パターン６０３がＴＦＴのゲイト電極となる。

【０１３４】次に図６（Ｂ）に示すように露呈した酸化
珪素膜５１６をエッチングする。こうして６０４で示さ
れる酸化珪素膜が残存する。

【０１３５】さらに燐のドーピングをプラズマドーピン
グ法でもって行う。この工程で６０５、６０６の領域に
燐のドーピングが自己整合的に行われえる。

【０１３６】次に図６（Ｃ）に示すように多孔質状の陽
極酸化膜６０１を除去する。そして、再度燐のドーピン
グを行う。ここでは、先のドーピングよりもドーズ量を
１桁下げた条件でドーピングを行う。

【０１３７】この工程では、６０７、６０９の領域にラ
イトドーピングが行われる。なお、ドーピングが行われ
なかった６０８の領域がＴＦＴのチャネル領域となる。

【０１３８】次に層間絶縁膜として、窒化珪素膜６１０
をプラズマＣＶＤ法により、２５０ｎｍの厚さに成膜す
る。さらにアクリル樹脂膜６１１をスピンコート法でも
って成膜する。アクリル樹脂膜６１１の膜厚は、その最
小の部分の膜厚が７００ｎｍとなるようにする。（図６
（Ｄ））

【０１３９】本実施例では、Ｎチャネル型のＴＦＴを作
製する例を示したが、ドーパント元素を変更することで
Ｐチャネル型のＴＦＴを作製することもできる。

【０１４０】また、本実施例では、ゲイト電極としてア
ルミニウムを用いる場合の例を示したが、他の金属材料
や珪素材料、さらにはシリサイド材料を用いた構成とし
てもよい。

【０１４１】〔実施例４〕図７及び図８に本実施例の作
製工程を示す。本実施例では、その上部が石英基板に活
性層の寸法よりも大きい凸部を形成し、そのエッジの部
分にニッケル元素を集中させる構成に関する。

【０１４２】本実施例では、Ｎチャネル型のＴＦＴを作
製する例を示す。

【０１４３】まず、石英基板を用意し、その表面を平滑
にする。これは、ＣＭＰ法を利用して行う。なお、基板
表面のピットの深さは実施例３で示した様に、後に形成
するエッジ部７０３、７０４の高さの１／３以下（好ま
しくは１／１０以下）、代表的には３０nm以下（好まし
くは１０nm以下）となる様にする。

【０１４４】次にマスクを用いて図７（Ａ）に示すよう
に石英基板７０１の表面に凸部７０２を形成する。この
際、ドライエッチング法を用いることで、凸部の上部は
平滑性を残存させ、エッチングした部分は荒れた表面と
することができる。この凸部の上部に後にＴＦＴの活性
層が形成される。

【０１４５】凸部の端部（周辺部）にはエッジ７０３、
７０４が形成される。後にこの部分を利用して、珪素膜
中に局所的に応力が集中し、さらに欠陥密度の高い部分
を形成する。そしてその部分にニッケル元素を集中させ
る。

【０１４６】ここでは、凸部の高さは１５０ｎｍとす
る。

【０１４７】図１１（Ａ）に凸部の形状を拡大したもの
を示す。ここで、θの値は、９０°〜３０°の範囲から
選択することができる。またｄで示される１１０１が凸
部の高さとなる。

【０１４８】また、図１１（Ｃ）に示すのは、（Ａ）に
示す形状において、θ＜９０°となった場合を誇張して
示したものである。この様な形状の方が応力集中の度合
いが高いのでより効果的にニッケル元素を集中させるこ
とができる。

【０１４９】また、エッジ部の丸み（曲率半径ｒ）は、
（Ｄ）に示すように、ｒ_t及び／又はｒ_dが、ｄの１／
３以下、好ましくは１／１０以下であることが望まし
い。理想的にはｒ_t＝ｒ_d＝０となる条件（エッジ部が
全く丸みを持たない状態）が望ましく、これに可能な限
り近づけるのが有効である。

【０１５０】また、特に（Ａ）に示す構成においては、
ｒ_tの寸法が上記条件を満足していることが望ましい。
これは、エッジ部を急峻にするほど、発明の効果が得ら
れるからである。

【０１５１】なお、上記構成は実施例３に示した凹部を
形成する場合にも適用される。即ち、図１１（Ｂ）の各
エッジ部においてもｒ_t及びｒ_dの最適条件は本実施例
と同様である。

【０１５２】こうして図７（Ａ）に示す状態を得たら、
非晶質珪素膜７０５をプラズマＣＶＤ法でもって５０ｎ
ｍの厚さに成膜する。（図７（Ｂ））

【０１５３】さらにニッケル酢酸塩溶液を塗布し、７０
６で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持さ
れた状態を得る。

【０１５４】次に６００℃、８時間の加熱処理を加える
ことにより、非晶質珪素膜７０５を結晶化させ、結晶性
珪素膜７０７を得る。（図７（Ｃ））

【０１５５】次にＨＣｌガスを３体積％含有した酸素雰
囲気中において、９５０℃、３０分の加熱処理を加える
ことにより、熱酸化膜７０８を３０ｎｍの厚さに成膜す
る。

【０１５６】この際、結晶性珪素膜７０７の膜厚は５０
ｎｍから３５ｎｍに減少する。

【０１５７】またこの際、ニッケルシリサイドの固まり
７０９と７１０とが形成される。即ち、ニッケル元素が
７０９と７１０の部分に集中する。（図７（Ｃ））

【０１５８】これは、石英基板７０１に形成された凸部
のエッジ部７０３、７０４の部分において、珪素膜中に
応力の集中し、またその部分に欠陥が集中するからであ
る。

【０１５９】次に熱酸化膜７０８を除去する。そしてレ
ジストマスク７１１を形成する。（図７（Ｄ））

【０１６０】次にレジストマスク７１１を利用して活性
層パターン７１２を形成する。この活性層パターンの位
置取りをその外側に７０９や７１０の部分が存在してい
た状態とすることで、その内部における残留ニッケル元
素の濃度を低減させることができる。（図７（Ｅ））

【０１６１】次にゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜７１３
をプラズマＣＶＤ法により、５０ｎｍの厚さに成膜す
る。

【０１６２】さらに熱酸化法により、酸化珪素膜７１３
の内側に図示しない熱酸化膜を２０ｎｍの厚さに成膜す
る。こうすることで、活性層の厚さは３５ｎｍから２５
ｎｍとなる。

【０１６３】次に４００ｎｍの厚さのアルミニウム膜を
スパッタ法で成膜し、それをレジストマスク７１４でパ
ターニングすることにより、７１５で示されるアルミニ
ウムパターンを形成する。

【０１６４】次にレジストマスク７１４を残存させた状
態で陽極酸化を行う。この工程では、多孔質状の陽極酸
化膜８０１を４００ｎｍの厚さに成膜する。（図８
（Ａ）参照）

【０１６５】次にレジストマスク７１４を除去し、再度
の陽極酸化を行う。この工程では、緻密な膜質を有する
陽極酸化膜８０２を７０ｎｍの厚さに成膜する。この状
態で残存したアルミニウムパターン８０３がゲイト電極
となる。（図８（Ａ））

【０１６６】次にドライエッチング法により、酸化珪素
膜７１３をエッチングし、図８（Ｂ）に示す状態を得
る。ここで、８０４が残存した酸化珪素膜でなある。

【０１６７】この状態で燐のヘビードーピングを行い、
８０５と８０６の領域に燐のヘビードーピングを行う。
（図８（Ｂ））

【０１６８】次に多孔質状の陽極酸化膜８０１を除去す
る。そして再度、燐のドーピングを行う。ここでは、先
のドーピングよりもライトドーピングの条件でもって行
う。

【０１６９】この工程では、８０７、８０９の領域にラ
イトドーピングが行われる。こうして、低濃度不純物領
域８０７と８０９とが形成される。ここで、ドーピング
が行われなかった８０８の領域が後にチャネル領域とな
る。

【０１７０】次にレーザー光または赤外光を照射するこ
とにより、ドーピングが行われた領域のアニールを行
う。

【０１７１】さらに層間絶縁膜として、窒化珪素膜８１
０をプラズマＣＶＤ法で２００ｎｍの厚さに成膜する。
さらにアクリル樹脂膜８１１をスピンコート法でもって
成膜する。アクリル樹脂膜の膜厚は、最小の部分におけ
る膜厚が７００ｎｍとなるようにする。（図８（Ｄ））

【０１７２】層間絶縁膜として、樹脂膜を形成すること
で、基板の表面に形成された凸部の凹凸はならされる。
即ち、最終的な表面を平坦化することができる。

【０１７３】次にコンタクトホールの形成を行い、ソー
ス電極８１２とドレイン電極８１３とを形成する。こう
してＮチャネル型のＴＦＴが完成する。

【０１７４】〔実施例５〕本実施例では、石英基板上に
形成された凸部の上部において横成長を行わせた結晶性
珪素膜の領域を形成し、そこを用いてＴＦＴを作製する
場合の例を示す。なお、本実施例は実施例４と結晶成長
方法が異なるだけであり、その他の構成は実施例４と同
様である。

【０１７５】図９に本実施例の作製工程を示す。まず、
石英基板７０１の表面に凸部７０２を形成する。（図９
（Ａ））

【０１７６】石英基板の表面は予め研磨しておき、その
表面が平滑になるようにしておく。平滑性は極力高い方
が好ましい。詳細な条件は実施例３、４に示した条件に
従えば良い。

【０１７７】凸部７０２を形成する際には、被エッチン
グ面が荒れるようなエッチング手段を利用する。こうす
ると、基板表面の９０１、９０３の領域７００は、荒れ
ており、また９０２の領域（凸部上部の領域）は平滑な
表面を有している状態とすることができる。

【０１７８】また凸部７０２を形成することで、段差を
有するエッジ部分７０３、７０４を形成することができ
る。

【０１７９】次に減圧熱ＣＶＤ法を用いて、厚さ５０ｎ
ｍ厚の非晶質珪素膜９００を成膜する。さらに図示しな
い酸化珪素膜を１５０ｎｍの厚さに成膜し、それをパタ
ーニングすることにより、マスクパターン９０４を形成
する。（図９（Ｂ））

【０１８０】このマスクパターン９０４には、開口９０
５が形成されている。この開口は、図面の手前側から向
こう側へと長手形状を有するスリット形状を有してい
る。そしてこの開口部において、非晶質珪素膜９００が
露呈した状態となっている。

【０１８１】マスクパターン９０４を形成したら、ニッ
ケル酢酸塩溶液を塗布し、９０６で示されるようにニッ
ケル元素が表面に接して保持された状態を得る。

【０１８２】次に５７０℃、１４時間の加熱処理を窒素
雰囲気中で行うことにより、９０７で示されるような結
晶成長を行わせる。この結晶成長を横成長と称する。

【０１８３】この結晶成長の結果、９０８や９０９の部
分にニッケル元素が集中する。これは、これらの部分に
は応力や欠陥が集中しているからである。

【０１８４】なお、上述のようにニッケル元素を集中さ
せるには、９０７で示される結晶成長の距離と凸部７０
２の寸法との関係を考慮する必要がある。

【０１８５】即ち、凸部のエッジとエッジとの間の距
離、換言すれば７０３の部分と７０４の部分との間の距
離を最大結晶成長距離の２倍以下に設定することで、意
図的に９０８や９０９の部分にニッケル元素を集中させ
ることができる。

【０１８６】次に酸化珪素膜でなるマスク９０４を除去
する。そしてＨＣｌガスを３体積％含有した酸素雰囲気
中において、９５０℃、３０分の加熱処理を行うことに
より、熱酸化膜９１０を３０ｎｍの厚さに成膜する。
（図９（Ｄ））

【０１８７】この際、９１１、９１２の領域にニッケル
シリサイド成分は形成される。そしてニッケルこの部分
にニッケル元素がさらに集中した状態が得られる。（図
９８Ｄ））

【０１８８】次に熱酸化膜９１０を除去し、さらに露呈
した珪素膜をパターニングすることにより、９１３、９
１４で示されるパターンを形成する。

【０１８９】９１３、９１４で示されるパターンは、そ
れぞれＴＦＴの活性層となる。後は、９１３、９１４で
示される活性層パターンを利用して、他の実施例に示す
ような作製工程に従ってＴＦＴを作製すればよい。

【０１９０】本実施例では、凸部７０２の上部が平滑で
あるので、（Ｃ）に示す横成長を効果的に行わすことが
できる。

【０１９１】他方、凸部７０２の上部以外の領域では、
表面の平滑性が損なわれているので、その表面に形成さ
れる珪素膜中に欠陥が形成されやすく、そのことで９１
１や９１２で示される領域や凸部上部以外の領域におけ
る珪素膜中にニッケル元素が集中しやすくすることがで
きる。

【０１９２】即ち、得られる珪素膜において、活性層と
して利用する部分以外に領域にニッケル元素を追いやる
構成をより効果的に実現することができる。

【０１９３】〔実施例６〕本実施例は、図７及び図８に
その作製工程を示す例において、ゲイト電極としてモリ
ブデンシリサイド（ＭｏＳｉ_X）を用いた場合の例であ
る。

【０１９４】図１０に本実施例の作製工程を示す。まず
図７に示す作製工程に従って、石英基板７０１上に結晶
性珪素膜でなる活性層７１２を形成する。

【０１９５】次にモリブデンシリサイドでもってゲイト
電極１００１を形成する。（図１０（Ａ））

【０１９６】モリブデンシリサイド以外には、タングス
テンシリサイド（ＷＳｉ_x）、チタンシリサイド（Ｔｉ
Ｓｉ_x）を用いることもできる。

【０１９７】ゲイト電極１００１を形成したら、層間絶
縁膜として窒化珪素膜１００２をプラズマＣＶＤ法で成
膜する。さらにアクリル樹脂膜１０３をスピンコート法
でもって成膜する。こうして、図１０（Ｂ）に示すシリ
サイドゲイトを用いたＴＦＴを完成させる。

【０１９８】なお、本実施例は実施例１〜５に示した全
ての構成と組み合わせることが可能である。

【０１９９】〔実施例７〕本実施例では、基板に直接凹
部や凸部を形成するのではなく、基板上に絶縁膜を成膜
し、その膜に他の実施例で示すような加工を施す場合の
例を示す。

【０２００】絶縁膜としては、酸化珪素膜、窒化珪素
膜、酸化窒化珪素膜等を挙げることができる。

【０２０１】具体的な例としては、基板として単結晶珪
素ウエハーを用い、その表面に熱酸化膜を形成し、その
熱酸化膜に他の実施例で示すように加工を施す例を挙げ
ることができる。

【０２０２】なお、本実施例は実施例１〜６に示した全
ての構成と組み合わせることが可能である。

【０２０３】〔実施例８〕本実施例は、図９に示すよう
な作製工程において、基板の表面を平滑する技術に関す
る。

【０２０４】図９に示す作製工程においては、最初に石
英基板の表面を平滑することが必要となる。

【０２０５】本実施例では、石英基板の表面を直接平滑
にするのではなく、まず石英基板上に膜厚分布を良好に
する条件で（即ち、平坦性の高い条件で）非晶質珪素膜
を成膜し、その後に熱酸化法により、この非晶質珪素膜
を熱酸化膜に変成する。

【０２０６】こうすることで、石英基板上に平滑性の高
い絶縁膜を形成することができる。

【０２０７】後はこの熱酸化膜を加工することにより、
他の実施例に示すような構成を実現すればよい。

【０２０８】なお、本実施例は実施例１〜７に示した全
ての構成と組み合わせることが可能である。

【０２０９】〔実施例９〕本実施例では、発明を利用し
て作製される各種装置の例を示す。本明細書で開示する
発明は、ＴＦＴでもって集積回路を構成した回路を備え
た各種装置に利用することができる。

【０２１０】本実施例は、ＴＦＴを利用して集積回路を
構成した場合の例を示す。集積回路としては、ＣＰＵ回
路、メモリー回路等を挙げることができる。図１２にＴ
ＦＴを利用した集積回路の概要を示す。

【０２１１】図１３（Ａ）に示すのは、携帯型の情報処
理端末である。この情報処理端末は、本体２００１に表
示装置２００５として、アクティブマトリクス型の液晶
ディスプレイまたはアクティブマトリクス型のＥＬディ
スプレイを備え、さらに内部に集積化回路２００６を備
え、また外部から情報を取り込むためのカメラ部２００
２を備えている。

【０２１２】カメラ部２００２には、受像部２００３と
操作スイッチ２００４が配置されている。

【０２１３】情報処理端末は、今後益々その携帯性を向
上させるために薄く、また軽くなるもと考えられてい
る。

【０２１４】このような構成においては、アクティブマ
トリクス型のディスプレイ２００５が形成された基板上
周辺駆動回路や演算回路や記憶回路がＴＦＴでもって集
積化されることが好ましい。

【０２１５】図１３（Ｂ）に示すのは、ヘッドマウント
ディスプレイである。この装置は、アクティブマトリク
ス型の液晶ディスプレイやＥＬディスプレイ２１０２を
本体２１０１に備えている。また、本体２１０１は、バ
ンド２１０３で頭に装着できるようになっている。

【０２１６】図１３（Ｃ）に示すのは、カーナビゲーシ
ョン装置である。この装置は、本体２２０１に液晶表示
装置２２０２と操作スイッチ２２０３を備え、アンテナ
２２０４で受診した信号によって、地理情報等を表示す
る機能を有している。

【０２１７】図１３（Ｄ）に示すのは、携帯電話であ
る。この装置は、本体２３０１にアクティブマトリクス
型の液晶表示装置２３０４、操作スイッチ２３０５、音
声入力部２３０３、音声出力部２３０２、アンテナ２３
０６を備えている。

【０２１８】また、最近は、（Ａ）に示す携帯型情報処
理端末と（Ｄ）に示す携帯電話とを組み合わせたような
構成も商品化されている。このような構成においてもア
クティブマトリクス型のディスプレイとその他の回路を
同一基板上にＴＦＴでもって集積化する構成が有用とな
る。

【０２１９】図１３（Ｅ）に示すのは、携帯型のビデオ
カメラである。これは、本体２４０１に受像部２４０
６、音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、アク
ティブマトリクス型の液晶ディスプレイ２４０２、バッ
テリー２４０５を備えている。

【０２２０】図１３（Ｆ）に示すのは、プロジェクシン
型の液晶表示装置である。この構成は、本体２５０１に
光源２５０２、アクティブマトリクス型の液晶表示装置
２５０３、光学系２５０４を備え、装置の外部に配置さ
れたスクリーン２５０５に画像を表示する機能を有して
いる。

【０２２１】ここでは、液晶表示装置としては、透過型
ものもでも反射型のものでも利用することができる。

【０２２２】また、図１３（Ａ）〜（Ｅ）に示す装置で
は、液晶表示装置の代わりにＥＬ素子を利用したアクテ
ィブマトリクス型のディスプレイを用いることもでき
る。

【０２２３】

【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用すること
で、珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られ
る結晶性珪素膜を用いてＴＦＴに代表される半導体装置
を作製する際に、当該金属元素を半導体装置の活性層中
からより徹底的に排除する技術を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示
す図。

【図２】発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示
す図。

【図３】ＴＦＴの活性層の位置取りの状態を示す
図。

【図４】発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示
す図。

【図５】発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示
す図。

【図６】発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示
す図。

【図７】発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示
す図。

【図８】発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示
す図。

【図１０】発明を利用してＴＦＴを作製する工程を示
す図。

【図１１】基板表面に形成される凸部及び凹部の形状
を説明する図。

【図１２】ＴＦＴを利用した集積回路の概要を示す
図。

【図１３】ＴＦＴを利用した装置の概要を示す図。

【符号の説明】

１０１石英基板１０２凹部（溝）１０３凹部（溝）１０４凹部（溝）１０５非晶質珪素膜１０６酸化珪素膜でなるマスク１０７開口部１０８表面に接して保持されたニッケル１０９結晶成長方向１１０結晶成長方向１１１ニッケルが集中する領域１１２ニッケルが集中する領域１１３ニッケルが集中する領域１１４珪素膜１１５熱酸化膜１１６ニッケルシリサイドを主とするニッケル
が集中した領域１１７ニッケルシリサイドを主とするニッケル
が集中した領域１１８ニッケルシリサイドを主とするニッケル
が集中した領域１１９活性層パターン１２０活性層パターン１２１酸化珪素膜

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【手続補正書】

【提出日】平成９年１２月１１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】