JPH1167424A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100643661B1 (ko) 2005-04-11 2006-11-10 (주)비에이치티 열처리 장치의 히터 어셈블리 및 그 제조 방법
WO2007023855A1 (ja) 2005-08-24 2007-03-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及びこれに用いられる加熱装置並びにこれらを利用した半導体の製造方法
KR100808766B1 (ko) 2007-01-09 2008-02-29 홍진혁 절연내화 애자 및 이를 이용한 원통형 전기가열로
JP5114449B2 (ja) * 2009-03-31 2013-01-09 株式会社ハナガタ ヒートトンネル用加熱装置
JP5787563B2 (ja) 2010-05-11 2015-09-30 株式会社日立国際電気 ヒータ支持装置及び加熱装置及び基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板の製造方法及び保持用ピース
JP5565188B2 (ja) * 2010-08-10 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 ヒータ装置
JP7432286B2 (ja) * 2019-03-11 2024-02-16 ニコベンチャーズ トレーディング リミテッド エアロゾル供給デバイス
CN111650237B (zh) * 2020-07-01 2024-07-12 西安交通大学 一种利用纳米力学测试仪测试微小试样热膨胀系数的装置
CN120313356A (zh) * 2024-01-12 2025-07-15 北京北方华创微电子装备有限公司 炉体结构和半导体工艺设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5623675Y2 (enrdf_load_html_response) * 1977-03-16 1981-06-03
JPH0110921Y2 (enrdf_load_html_response) * 1984-11-05 1989-03-29
JPH047598Y2 (enrdf_load_html_response) * 1987-03-16 1992-02-27
JPH086237Y2 (ja) * 1990-03-13 1996-02-21 株式会社リケン 縦型環状炉の発熱体保持具
JPH079036Y2 (ja) * 1990-11-13 1995-03-06 東京エレクトロン東北株式会社 縦型熱処理炉
US5506389A (en) * 1993-11-10 1996-04-09 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Thermal processing furnace and fabrication method thereof
JPH0963963A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置及び半導体基板処理方法

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