JPH1153298A - メモリアドレスラッチ方式 - Google Patents

メモリアドレスラッチ方式

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Publication number
JPH1153298A
JPH1153298A JP20892197A JP20892197A JPH1153298A JP H1153298 A JPH1153298 A JP H1153298A JP 20892197 A JP20892197 A JP 20892197A JP 20892197 A JP20892197 A JP 20892197A JP H1153298 A JPH1153298 A JP H1153298A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory
address latch
latched
memory controller
Prior art date
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Pending
Application number
JP20892197A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Fugo
正敏 普後
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yonezawa Ltd
Original Assignee
NEC Yonezawa Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yonezawa Ltd filed Critical NEC Yonezawa Ltd
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Publication of JPH1153298A publication Critical patent/JPH1153298A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリコントローラの端子数を少なくし、既
存のメモリを使用して小型化を実現する。 【解決手段】 メモリコントローラ1と、メモリ2と、
ラッチされないアドレス5と、アドレスラッチ信号6に
よってアドレスをラッチするアドレスラッチ回路3と、
アドレスラッチ回路3によってラッチされたラッチされ
たアドレス4とを備える。メモリコントローラ1は、予
めラッチされたアドレス4を出力し、アドレスラッチ信
号6によってアドレスラッチ回路3にラッチされたアド
レス4をラッチし、アドレスラッチ回路3は、アドレス
を一時的に保持し、その後、メモリコントローラ1は、
ラッチされないアドレス5を出力する。メモリ2は、S
RAM2aまたはROM2bを使用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、SRAMまたはR
OMの回路に関し、特に、コンピュータ装置の小型化に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来のバス方式では、中央処理装置がよ
り広いメモリ空間をアクセスできるように、アドレスの
幅を広げたり、また、一度に処理可能なデータ量を増や
すために、データバスの幅を広げたりしていた。しか
し、これにより、アドレスおよびデータのバス信号線に
対するプリント基板上のパターン配線面積、およびこれ
らの信号とやりとりする入出力端子数が増え、中央処理
装置、およびメモリを構成するICパッケージのサイズ
が増大するという欠点があった。
【0003】また、上記欠点を解消する手段が、特開平
7−168783号公報により開示されている。この公
報によれば、アドレスと信号とのやりとりを共通バス上
で行うアドレス/データバスと、このアドレス/データ
バス上にアドレスとデータとの信号を時分割に出力する
中央処理装置と、アドレスとデータとの信号のやりとり
を行う共通端子を有し、上記アドレス/データバスに接
続されるメモリとを具備することによって小型化ができ
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来例
では、アドレスとデータとが時分割されている一時的な
メモリがない。従って、特別なメモリを開発する必要が
あるという問題があった。
【0005】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
すべく、メモリコントローラの端子数を少なくし、既存
の技術を使用して小型化を実現することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のメモリアドレスラッチ方式は、アドレスお
よびデータ信号のやりとりを共通バス上で行うアドレス
/データバスに接続される共通端子を有するメモリと、
アドレスおよびデータ信号を出力するメモリコントロー
ラと、メモリとメモリコントローラとに接続され、アド
レスをアドレスラッチ信号によってラッチするアドレス
ラッチ回路とを備え、アドレスラッチ回路が、アドレス
ラッチ信号によってラッチしたアドレスを、一時的に保
持する手段を有することを特徴とする。
【0007】また、メモリが、SRAMであるのが好ま
しい。
【0008】さらに、メモリが、ROMであるのが好ま
しい。
【0009】またさらに、メモリが、アドレスラッチ信
号をメモリ自身のチップセレクト信号として使用するの
が好ましい。
【0010】また、メモリコントローラが、アドレスラ
ッチ回路がアドレスをラッチした後に、ラッチされない
アドレスを出力するのが好ましい。
【0011】さらに、メモリが、メモリコントローラが
ラッチされないアドレスを出力することによって、メモ
リデータを入出力する準備を行うのが好ましい。
【0012】本発明のメモリアドレスラッチ方式は、特
に、SRAM,ROMのアドレスに対してアドレスラッ
チ回路を設けて、メモリのコントローラの端子数を削減
することを特徴としている。
【0013】また、メモリのアドレスのラッチ回路を有
しているため、メモリコントローラが出力するアドレス
の本数を削減することができる。
【0014】
【発明に実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
【0015】図1は、本発明のメモリアドレスラッチ方
式の実施の形態の構成を示すブロック図である。この方
式は、メモリコントローラ1と、メモリ2と、ラッチさ
れないアドレス5と、アドレスラッチ信号6によってア
ドレスをラッチするアドレスラッチ回路3と、アドレス
ラッチ回路3によってラッチされたラッチされたアドレ
ス4とを備える。メモリコントローラ1は、予めラッチ
されたアドレス4を出力し、アドレスラッチ信号6によ
ってアドレスラッチ回路3にラッチされたアドレス4を
ラッチする。アドレスラッチ回路は3は、アドレスを一
時的に保持する。その後、メモリコントローラ1は、ラ
ッチされないアドレス5を出力する。メモリ2は、アド
レスラッチ信号6をメモリ2自身のチップセレクト信号
7として使用し、メモリコントローラ1が、ラッチされ
ないアドレス5を出力することによって、メモリ2が、
メモリデータ8を入出力する準備を行う。
【0016】図2は、本発明のメモリアドレスラッチ方
式の第1の実施例の構成を示すブロック図である。この
第1の実施例は、メモリ2としてSRAM2aを使用し
ている。すなわち、メモリコントローラ1と、SRAM
2aと、ラッチされないアドレス5と、アドレスラッチ
信号6によってアドレスをラッチするアドレスラッチ回
路3と、アドレスラッチ回路3によってラッチされたラ
ッチされたアドレス4とを備える。メモリコントローラ
1は、予めラッチされたアドレス4を出力して、アドレ
スラッチ信号6によってアドレスラッチ回路3にラッチ
されたアドレス4をラッチする。アドレスラッチ回路3
は、アドレスを一時的に保持する。その後、メモリコン
トローラ1は、ラッチされないアドレス5を出力する。
SRAM2は、アドレスラッチ信号6をSRAM2a自
身のチップセレクト信号7として使用し、メモリコント
ローラ1が、ラッチされないアドレス5を出力すること
によって、SRAM2aが、メモリデータ8を入出力す
る準備を行う。
【0017】図3は、本発明のメモリアドレスラッチ方
式の第2の実施例の構成を示すブロック図である。この
第2の実施例は、メモリ2としてROM2bを使用して
いる。すなわち、メモリコントローラ1と、ROM2b
と、ラッチされないアドレス5と、アドレスラッチ信号
6によってアドレスをラッチするアドレスラッチ回路3
と、アドレスラッチ回路3によってラッチされたラッチ
されたアドレス4とを備える。メモリコントローラ1
は、ラッチされないアドレス5を出力し、アドレスラッ
チ信号6によってアドレスラッチ3にラッチされたアド
レス4をラッチする。アドレスラッチ回路3は、アドレ
スを一時的に保持する。その後、メモリコントローラ1
は、ラッチされないアドレス5を出力する。ROM2b
は、アドレスラッチ信号6をROM2b自身のチップセ
レクト信号7として使用して、メモリコントローラ1が
ラッチされないアドレス5を出力することによって、R
OM2bは、メモリデータ8を入出力する準備を行う。
【0018】図4は、本発明のメモリアドレスラッチ方
式の動作を示す実際のタイミングチャートである。メモ
リコントローラ1は、ラッチされないアドレス5を出力
し、そのアドレスをアドレスA,Bとする。次に、アド
レスラッチ信号6を送出し、ラッチされたアドレス4と
して、アドレスAを一時的に保持する。
【0019】以上の構成により、SRAM2a,ROM
2bのアドレスに対してアドレスラッチ回路3を設け、
メモリのコントローラの端子数を削減することができ
る。また、メモリアドレスラッチ回路3を有しているた
め、メモリコントローラ1が出力するアドレスの本数を
削減することができる。
【0020】
【発明の効果】上述したように、本発明のメモリアドレ
スラッチ回路は、特殊なメモリを使用しない。従って、
既存のSRAMおよびROMを使用してメモリコントロ
ーラの小型化を可能にすることができるという効果を奏
する。
【0021】また、外部にメモリアドレスのラッチ回路
を付加している。従って、メモリコントローラの小型化
を可能にすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のメモリアドレスラッチ方式の実施の形
態の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施例の構成を示すブロック図
である。
【図3】本発明の第2の実施例の構成を示すブロック図
である。
【図4】本発明のメモリアドレス方式の動作を示すタイ
ミングチャートである。
【符号の説明】
1 メモリコントローラ 2 メモリ 2a SRAM 2b ROM 3 アドレスラッチ回路 4 ラッチされたアドレス 5 ラッチされないアドレス 6 アドレスラッチ信号 7 チップセレクト信号 8 メモリデータ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アドレスおよびデータ信号のやりとりを共
    通バス上で行うアドレス/データバスに接続される共通
    端子を有するメモリと、 前記アドレスおよびデータ信号を出力するメモリコント
    ローラと、 前記メモリと前記メモリコントローラとに接続され、前
    記アドレスをアドレスラッチ信号によってラッチするア
    ドレスラッチ回路とを備え、 前記アドレスラッチ回路が、前記アドレスラッチ信号に
    よってラッチしたアドレスを、一時的に保持する手段を
    有することを特徴とするメモリアドレスラッチ方式。
  2. 【請求項2】前記メモリが、SRAMであることを特徴
    とする、請求項1に記載のメモリアドレスラッチ方式。
  3. 【請求項3】前記メモリが、ROMであることを特徴と
    する、請求項1に記載のメモリアドレスラッチ方式。
  4. 【請求項4】前記メモリが、前記アドレスラッチ信号を
    メモリ自身のチップセレクト信号として使用することを
    特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のメモリア
    ドレスラッチ方式。
  5. 【請求項5】前記メモリコントローラが、前記アドレス
    ラッチ回路が前記アドレスをラッチした後に、ラッチさ
    れないアドレスを出力することを特徴とする、請求項1
    〜4のいずれかに記載のメモリアドレスラッチ方式。
  6. 【請求項6】前記メモリが、前記メモリコントローラが
    前記ラッチされないアドレスを出力することによって、
    メモリデータを入出力する準備を行うことを特徴とす
    る、請求項5に記載のメモリアドレスラッチ方式。
JP20892197A 1997-08-04 1997-08-04 メモリアドレスラッチ方式 Pending JPH1153298A (ja)

Priority Applications (1)

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JP20892197A JPH1153298A (ja) 1997-08-04 1997-08-04 メモリアドレスラッチ方式

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JP20892197A JPH1153298A (ja) 1997-08-04 1997-08-04 メモリアドレスラッチ方式

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Publication Number Publication Date
JPH1153298A true JPH1153298A (ja) 1999-02-26

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ID=16564340

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JP20892197A Pending JPH1153298A (ja) 1997-08-04 1997-08-04 メモリアドレスラッチ方式

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