JPH1152384A - 液晶の配向方法、液晶素子の製造方法、該製造方法による液晶素子及び表示装置 - Google Patents

液晶の配向方法、液晶素子の製造方法、該製造方法による液晶素子及び表示装置

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JPH1152384A
JPH1152384A JP9220237A JP22023797A JPH1152384A JP H1152384 A JPH1152384 A JP H1152384A JP 9220237 A JP9220237 A JP 9220237A JP 22023797 A JP22023797 A JP 22023797A JP H1152384 A JPH1152384 A JP H1152384A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 カイラルスメクチック液晶素子において、特
性の異なる領域の混在による配向むらを抑制し、駆動マ
ージンを向上する。 【解決手段】 等方相の液晶をセルに注入した後、カイ
ラルスメクチック相にまで降温し、特定のスメクチック
層間隔を示す温度において１０時間以上保持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
ー等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子及
び該液晶素子を用いた表示装置とその製造方法に関し、
さらには、該液晶素子における液晶の配向方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、広範に用いられている液晶素子と
して、例えばエム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダ
ブリュ・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、ア
プライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第１８巻、第４号
（１９７１年２月１５日発行）第１２７〜１２８頁にお
いて示されたツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたものが知られている。
【０００３】また、代表的な液晶素子の構成として知ら
れているものに、単純マトリクスタイプの液晶素子があ
る。このタイプは、素子作製が容易であり、コスト面で
優位性がある。しかしながら、画素密度を高くしたマト
リクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストーク
が発生するという問題点があるため、画素数が制限され
ていた。また、応答速度が１０ミリ秒以上と遅いため、
ディスプレイとしての用途が制限されていた。
【０００４】近年、上記のような単純マトリクスタイプ
の素子に対して、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）タイプと
言われる液晶素子の開発が行なわれている。このタイプ
は一つ一つの画素にトランジスタを付設するため、クロ
ストークや応答速度の問題は解決される反面、大面積に
なればなるほど不良画素なく液晶素子を作製することが
困難になり、作製できたとしても、多大なコストを発生
する。
【０００５】このような従来型の液晶素子の問題点を改
善するものとして、双安定性を示す液晶を用いた素子が
クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウォル（Ｌａｇｅｒｗ
ａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７２
１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書）。こ
の双安定性を示す液晶としては、一般にカイラルスメク
チック液晶の一つである、カイラルスメクチックＣ（Ｓ
ｍＣ* ）相を有する強誘電性液晶が用いられている。こ
の強誘電性液晶は、自発分極により反転スイッチングを
行なうため、非常に早い応答速度が得られる上にメモリ
性のある双安定状態を発現させることができる。さらに
視野角特性も優れていることから、高速、高精細、大面
積の表示素子或いはライトバルブとして適していると考
えられる。
【０００６】一方、カイラルスメクチック液晶を用いた
液晶素子においては、例えば「強誘電性液晶の構造と物
性（コロナ社、福田敦夫、竹添秀男著、１９９０年）に
記載されているように、ジグザグ状の配向欠陥が発生し
てコントラストを著しく低下させるという問題が有っ
た。この欠陥は上下基板間に担持された強誘電性液晶の
層状構造が２種類のシェブロン構造を形成しており、そ
の層構造の折れ曲がり角度（層の傾斜角δ）がかなり大
きいことに起因している。最近、このような問題を持つ
シェブロン構造を解消し、ブックシェルフといわれる層
状構造、或いはそれに近い構造を現出させ、高コントラ
ストな良好な液晶素子を実現しようという動きがある。
例えばブックシェルフ或いはそれに近い構造を現出する
液晶材料としてパーフルオロエーテル側鎖を持つ液晶性
化合物（米国特許第５２６２０８２号公報、国際出願特
許ＷＯ９３／２２３９６号、１９９３年第４回強誘電液
晶国際会議、Ｐ−４６，マーク・ディ・ラドクリフ（Ｍ
ａｒｃ Ｄ．Ｒａｄｃｌｉｆｆｅ）等）が開示されてい
る。この液晶は、電場等の外部場を用いずともブックシ
ェルフに近い層傾き角の小さな構造を現出することがで
きる。
【０００７】上述のパーフルオロエーテル側鎖を持つ液
晶化合物がブックシェルフ構造を呈する理由として、低
温側になるに従って液晶分子間隔が増加するという特性
を有しているためであると考えられる。即ち、一般にカ
イラルスメクチック液晶素子において、高温における液
体状態（等方相状態）から冷却過程を経て液晶分子を配
向させる際には、スメクチックＡ（ＳｍＡ）相において
層構造を形成し、ＳｍＣ* 相〔またはカイラルスメクチ
ックＣA （ＳｍＣA ）相〕へと相転移することによって
液晶分子が層法線方向から傾く。この時、液晶分子が層
法線方向から傾いた分だけ層間隔が短くなってしまうこ
とから、体積収縮を補償するためにシェブロン構造をと
らざるをえなくなる。一方、パーフルオロエーテル側鎖
を持つ液晶化合物は、低温側になるに従って液晶分子間
隔が増加するという特性を有しているため、ＳｍＣ* 相
（またはＳｍＣA 相）へと相転移することによって液晶
分子が層法線方向から傾いたとしても、分子間隔が低温
側ほど長くなると言う特性によって相殺され、ＳｍＣ*
相（またはＳｍＣA 相）における層間隔はＳｍＡ相にお
ける層間隔に近い値をとることができる。そのために、
電場などの外部場を用いずとも自発的にブックシェルフ
或いはそれに近い層傾き角の小さな構造を現出させるこ
とができるのである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等が観察したところ、上記のような分子間隔が低温側
で長くなる液晶材料では、ＳｍＣ* 相（またはＳｍＣA
相）において、見かけのチルト角や情報信号電圧による
分子の揺らぎ等の素子特性の異なる領域が無秩序に分布
している配向状態を呈してしまうことがわかった。ここ
で、便宜上、相対的に見かけのチルト角が大きく情報信
号電圧による分子の揺らぎ量が少ない領域をＰ１領域、
相対的に見かけのチルト角が小さく情報信号電圧による
分子の揺らぎ量が多い領域をＰ２領域、と呼ぶ。
【０００９】上記のような特性の異なる領域が現出する
理由として、詳細な検討を重ねた結果、次のようなこと
が原因であると考えられる。
【００１０】即ち、分子間隔が低温側ほど長くなる液晶
材料では、通常ＳｍＣ* 相（またはＳｍＣA 相）だけで
なく、ＳｍＡ相においても分子間隔が低温側ほど長くな
るという特性を有している。つまり、高温側の相（等方
相またはネマチック相、或いはコレステリック相）から
ＳｍＡ相へと相転移することによってブックシェルフ或
いはそれに近い層傾き角の小さな構造が形成される。そ
の後、さらに冷却すると分子間隔を伸ばそうとする力が
働くが、液晶素子の層法線方向の長さ、即ち（層ピッ
チ）×（層数）は一定であるため、冷却によって分子間
隔が伸びる分だけ、系全体が圧縮力を受ける形となる。
【００１１】一方、この圧縮は本来全ての層に対して均
一にかかるべきであるが、セルや温度等のむらによって
強く圧縮される部分とそれほど強く圧縮されない部分と
いう圧縮むらを生じてしまう。即ち、ＳｍＡ相における
層圧縮むらがＳｍＣ* 相（またはＳｍＣA 相）における
素子特性のむらとなって現れてしまうのである。
【００１２】上記のような素子特性の異なるＰ１及びＰ
２領域が連続して変化している場合には、実用上特に問
題とはならないが、２領域が不連続的に（急激に）変化
している場合にはこれらの領域の境界部分が欠陥とな
り、コントラストの低下や異常反転ドメイン発生の原因
となり、駆動マージン低下の原因となってしまう。
【００１３】本発明の目的は、カイラルスメクチック液
晶を用いた液晶素子において、ＳｍＡ相における高温時
の層圧縮むらに起因するＳｍＣ* 相（またはＳｍＣA
相）における素子特性のむらの発生を抑制し、広い駆動
マージンを実現し、良好な表示装置を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、カイラ
ルスメクチック相を示す液晶を一対の電極基板間に挟持
してなる液晶素子において、カイラルスメクチック相温
度範囲において、相転移温度近傍でスメクチック液晶層
間隔が減少を開始する第一の変位温度における液晶層間
隔ｄＡと、該第一の変位温度以下で降温過程においてス
メクチック液晶層間隔が増加し始める第二の変位温度に
おける層間隔ｄｍｉｎと、カイラルスメクチック相内に
おけるある層間隔ｄＣ１とが、 （ｄｃ１／ｄＡ）−（ｄｍｉｎ／ｄＡ）≧０．００３ の関係を有する層間隔ｄｃ１を示す温度において、上記
液晶を１０時間以上保持することを特徴とする液晶の配
向方法である。
【００１５】また本発明の第二は、カイラルスメクチッ
ク相を示す液晶を一対の電極基板間に挟持してなる液晶
素子の製造方法であって、セルに等方相の液晶を注入し
た後降温し、カイラルスメクチック相温度範囲におい
て、相転移温度近傍でスメクチック液晶層間隔が減少を
開始する第一の変位温度における液晶層間隔ｄＡと、該
第一の変位温度以下で降温過程においてスメクチック液
晶層間隔が増加し始める第二の変位温度における層間隔
ｄｍｉｎと、カイラルスメクチック相内においてある層
間隔ｄＣ１とが、 （ｄｃ１／ｄＡ）−（ｄｍｉｎ／ｄＡ）≧０．００３ の関係を有する層間隔ｄｃ１を示す温度において、上記
液晶を１０時間以上保持する工程を有することを特徴と
する液晶素子の製造方法である。
【００１６】さらに本発明の第三は、上記製造方法によ
って製造されたことを特徴とする液晶素子であり、第四
は、該液晶素子とその駆動手段とを有することを特徴と
する表示装置である。
【００１７】本発明は、自発的にブックシェルフ或いは
それに近い層傾き角の小さな構造を示す液晶材料に特有
の、ＳｍＡ相における層圧縮むらに起因する配向むらを
解消、または緩和することによって駆動マージンを向上
させたことに特徴を有する。即ち本発明においては、液
晶の冷却による層間隔の増加によって生じた層圧縮むら
を特定の温度に液晶を保持することによって均一化して
いる。圧縮むらが緩和された液晶素子においては、素子
特性のむらが抑制され、広い駆動マージンが得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図１に示す本発明の液晶素
子の一実施形態に沿って本発明を詳細に説明する。尚、
図１は断面模式図であり、図中、１ａ，１ｂは基板、２
ａ，２ｂは電極、３，４は配向制御層、５は液晶であ
る。
【００１９】本発明の液晶素子においては、ガラス、プ
ラスチック等からなる一対の基板１ａ、１ｂが対向して
配置されており、各基板上には所定のパターン形状の電
極２ａ、２ｂがそれぞれ形成されている。これらの電極
は、例えばＩｎ2 Ｏ、ＳｎＯ2 或いはＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜が用いられ
る。また、本実施形態においては、電極２ａ、２ｂはそ
れぞれストライプ状に形成され、互いに実質的に直交す
るように配置され、マトリクス電極を構成している。本
発明においては、一方の電極２を金属等で形成して反射
型の液晶素子とすることもできる。さらに、本発明にお
いて電極構造は上記単純マトリクス構造に限られるもの
ではない。
【００２０】電極２ａ、２ｂ上には必要に応じて配向制
御層３、４がそれぞれ形成される。配向制御層３、４は
いずれか一方のみであっても良く、また、同じ膜或いは
異なる膜の組み合わせであっても良い。本実施形態で
は、後述するコレステリック相を持たない液晶を用いた
場合に好適な、配向制御層３、４を互いに異なる膜で形
成した場合の好ましい形態について述べる。
【００２１】配向制御層３は、好ましくは体積抵抗値が
１．０×１０4 〜１．０×１０10Ωｃｍの範囲にある層
である。かかる層としては、例えば、必要に応じて多結
晶または非晶質金属酸化物からなる膜、多結晶または非
晶質半導体からなる膜、及び微粒子（導電性微粒子）を
バインダー中に分散させた膜が用いられる。上記多結晶
または非晶質金属酸化物、多結晶または非晶質半導体か
らなる膜、及び微粒子には必要に応じて導電性制御不純
物が添加されていても良く、導電性が調整されている。
【００２２】前記多結晶または非晶質金属酸化物からな
る膜として、例えば、ＺｎＯ、ＣｄＯ、ＺｎＣｄＯx 等
のＩＩＢ族元素の酸化物からなる膜、ＧｅＯ2 、ＳｎＯ
2 、ＧｅＳｎＯx 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＴｉＺｒＯx
等のＩＶＡ族元素、ＩＶＢ族元素の酸化物からなる膜が
挙げられる。
【００２３】前記多結晶または非晶質半導体からなる膜
としては、Ｓｉ、ＳｉＣ等のＩＶＢ族半導体の膜が挙げ
られる。
【００２４】また、微粒子としては、例えば、上記ＩＩ
Ｂ族元素の酸化物、ＩＶＡ族元素の酸化物、ＩＶＢ族元
素の酸化物、ＩＶＢ族の半導体の微粒子が用いられる。
【００２５】必要に応じて、上記多結晶または非晶質金
属酸化物、多結晶または非晶質半導体や微粒子に添加さ
れる導電性制御不純物としては、次のものが挙げられ
る。ＩＩＢ族元素の酸化物に対してドープする導電性制
御不純物には、例えばｎ型不純物（ドナー／電子導電を
高める不純物）としてＩＩＩＢ族元素であるＢ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ等が、ｐ型不純物（アクセプタ／ホール伝導
度を高める不純物）としてＩＡ族、ＩＢ族元素であるＣ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｌｉ等が用いられる。またＩＶＢ族元
素の酸化物、半導体にドープする導電性制御不純物に
は、例えば、ｎ型不純物としてＶＢ族元素であるＰ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｂｉが、ｐ型不純物としてＩＩＩＢ族元素で
あるＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等がそれぞれ用いられる。
【００２６】このような導電性制御不純物については、
当該不純物が添加された材料を含む配向制御層を有する
基板側の表面電位が正の場合はドナーを、負の場合はア
クセプタを用いる。不純物の添加濃度については、材料
（微粒子、不純物の材料の組み合わせ）の種類、結晶状
態（結晶欠陥密度の多寡）に応じて設定されるが、不純
物が添加された状態での材料の自由電子或いは自由正孔
の濃度が１．０×１０11〜１．０×１０14ａｔｍ／ｃｍ
3 程度となるようにすることが好ましい。不純物を添加
する母体の材料として多結晶または非晶質の材料を用い
る場合は、不純物の添加効率を考慮して、１．０×１０
17〜１．０×１０20ａｔｍ／ｃｍ3 （母体材料に対して
０．０１〜１％程度）を実際の添加量とする。
【００２７】前記微粒子を分散させるバインダーとなる
材料としては、例えば、ＳｉＯx 、ＴｉＯx 、ＺｒＯ
x 、その他の酸化物溶融母材、シロキサンポリマー等が
用いられる。
【００２８】配向制御層４は、一軸配向処理がなされた
ものである。膜厚は１００Å以下、好ましくは７０Å以
下、特に好ましくは５０Åとする。
【００２９】配向制御層４は、例えば、有機物の膜を溶
液塗布等により形成した後、その膜表面をビロード、
布、紙等の繊維状材料で摺擦（ラビング処理）すること
により得ることができる。かかる配向制御層に用いる材
料としては、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリ
イミドアミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレン、ポリカーボネート、ポリ
ビニルアセタール、ポリビニルクロライド、ポリスチレ
ン、ポリシロキサン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、
ウレア樹脂、アクリル樹脂等の有機材料が挙げられる。
また、ＳｉＯ等の酸化物或いは窒化物を基板に対して斜
め方向から蒸着して成膜し、一軸配向規制力を付与する
斜方蒸着法により形成することもできる。
【００３０】上記一軸配向処理が施される配向制御層と
して、下記一般式Ｐで表わされる繰り返し単位を有する
ポリイミド膜を用いることが特に好ましい。
【００３１】
【化５】
【００３２】また、これらのポリイミドの具体的構造と
しては例えば以下の繰り返し単位構造が挙げられる。
【００３３】
【化６】
【００３４】
【化７】
【００３５】本実施形態の液晶素子においては、基板１
ａ、１ｂはその周縁部においてシール材（不図示）を介
して貼り合わされ、また該シール材で規定された領域内
でスペーサービーズ（不図示）を介して対向し、そのセ
ルギャップが形成されている。セルギャップは例えば強
誘電性液晶を用いる場合、約１〜５μｍ程度の範囲に設
定する。また基板間の接着性を高める目的でスペーサー
に加えて接着性のビーズを基板間に分散しても良い。
【００３６】本発明において用いられる液晶５は、カイ
ラルスメクチック液晶であり、ＳｍＡ相において降温時
に層間隔の増加する液晶が用いられる。よって、強誘電
性液晶に限らず、同様の特性を有する反強誘電性液晶に
おいても本発明の効果を得ることができる。特に、本発
明は、ＳｍＡ相において１％以上層間隔が増加する液晶
に好ましく適用される。
【００３７】特に、本発明において用いられる液晶とし
ては、コレステリック相を持たない液晶が挙げられる。
また、コレステリック相を持たない液晶を用いた場合に
は、等方相−スメクチック相転移でバトネが徐々に発生
しながら配向状態を形成するが、上記したような、異な
る配向制御膜の組み合わせでセルを構成しておくと、一
方の基板からバトネが発生し始め、他方の基板側へ成長
していくという状態を現出し、良好な均一配向を実現し
易い。
【００３８】さらに本発明において用いる液晶として
は、好ましくはフルオロカーボン末端部分及び炭化水素
末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結合さ
れ、スメクチック中間相又は潜在的スメクチック中間相
を持つフッ素含有液晶化合物を含有する液晶組成物が望
ましい。
【００３９】前記フッ素含有液晶化合物としては、フル
オロカーボン末端部分が、−Ｄ1−ＣxaＦ2xa−Ｘで表わ
される基、（但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘ
は−Ｈ又は−Ｆを表わし、Ｄ1は、−ＣＯ−Ｏ−（Ｃ
Ｈ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−（ＣＨ2）ra−、
−Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、
−Ｏ−（ＣＨ2）ra−Ｏ−（ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）
ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra
−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂ
は、独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。）、
或いは、−Ｄ2−（ＣxbＦ2xb−Ｏ）za−ＣyaＦ2ya+1で
表わされる基、（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ
xbＦ2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは、１〜
１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ2は、−ＣＯ−
Ｏ−ＣrcＨ2rc、−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ2rc−、
−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−Ｏ−ＳＯ
2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ2rc
−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−Ｎ（Ｃ
pbＨ2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒｃ及びｒ
ｄはそれぞれ独立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの
（ＣsaＨ2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１
〜６であり、ｐｂは０〜４である。）であるような化合
物を用いることができる。
【００４０】特に好ましくは、下記一般式（Ｉ）、或い
は（ＩＩ）で表わされるフッ素含有液晶化合物を用いる
ことができる。
【００４１】
【化８】 を表わす。
【００４２】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。
【００４３】夫々のＬ1とＬ2は独立に、単結合、−ＣＯ
−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
ｅ−ＣＯ−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡
Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ2−Ｏ−、
−Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。
【００４４】夫々のＸ1、Ｙ1、Ｚ1はＡ1、Ａ2、Ａ3の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＣＨ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ
2を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の
整数を表わす。
【００４５】Ｊ1は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ
−（ＣＨ2）ra−、−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−ＳＯ2−、
−ＳＯ2−、−ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）
ra−Ｏ−（ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ
2pa+1）−ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ
2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１
〜２０であり、ｐａは０〜４である。
【００４６】Ｒ1は、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｏ−ＣqbＨ
2qb+1、−ＣqaＨ2qa−Ｏ−ＣqbＨ2qb+1、−ＣqaＨ2qa−
Ｒ3、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3、−ＣＯ−Ｏ−ＣqaＨ2qa−
Ｒ3、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3を表わし、直鎖
状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ3は、−
Ｏ−ＣＯ−ＣqbＨ2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−ＣqbＨ2qb+1、−
Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＮＯ2、−ＣＮを表わ
し、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。
【００４７】Ｒ2はＣxaＦ2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又
は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数である）。
【００４８】
【化９】 を表わす。
【００４９】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。
【００５０】夫々のＬ3、Ｌ4は独立に、単結合、−ＣＯ
−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ2ＣＨ2）ka−（ｋａは１〜
４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＯ−
又は−Ｏ−を表わす。
【００５１】夫々のＸ2、Ｙ2、Ｚ2はＡ4、Ａ5、Ａ6の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＣＨ3、−ＣＦ3、−Ｏ−Ｃ
Ｆ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ2を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。
【００５２】Ｊ2は、−ＣＯ−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−
ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−
Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−
ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）
−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＣＯ−
であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２０であり、ｓａは
それぞれの（ＣsaＨ2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であ
り、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。
【００５３】Ｒ4は、−Ｏ−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa−Ｃqd
Ｈ2qd+1、−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa−ＣqdＨ2qd+1、−Ｃ
qcＨ2qc−Ｒ6、−Ｏ−ＣqcＨ2qc−Ｒ6、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
qcＨ2qc−Ｒ6、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣqcＨ2qc−Ｒ6を表わ
し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
6は−Ｏ−ＣＯ−ＣqdＨ2qd+1、−ＣＯ−Ｏ−ＣqdＨ
2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＮＯ2、−ＣＮ、又
は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２０の整
数、ｗａは１〜１０の整数である）。
【００５４】Ｒ5は、（ＣxbＦ2xb−Ｏ）za−ＣyaＦ
2ya+1で表わされる（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの
（ＣxbＦ2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１
〜１０であり、ｚａは１〜１０である）。
【００５５】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、
特開平２−１４２７５３号公報、米国特許第５，０８
２，５８７号に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。
【００５６】
【化１０】
【００５７】
【化１１】
【００５８】
【化１２】
【００５９】
【化１３】
【００６０】
【化１４】
【００６１】
【化１５】
【００６２】
【化１６】
【００６３】
【化１７】
【００６４】
【化１８】
【００６５】
【化１９】
【００６６】
【化２０】
【００６７】
【化２１】
【００６８】上記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物
は、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５０６
３６８号公報に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。
【００６９】
【化２２】
【００７０】
【化２３】
【００７１】
【化２４】
【００７２】
【化２５】
【００７３】
【化２６】
【００７４】本発明に用いられるカイラルスメクチック
液晶中には、その他の化合物、例えば染料、顔料、酸化
防止剤、紫外線吸収剤等の添加物を含有させることが可
能である。
【００７５】本発明の液晶素子の構成は上記実施形態の
構成に限られるものではなく、従来の液晶素子、特にカ
イラルスメクチック液晶素子に適用された構成であれ
ば、適宜応用することができる。
【００７６】本発明においては、例えば上記実施形態の
構成のセルに等方相まで加熱した液晶を注入し、カイラ
ルスメクチック相まで降温した後、カイラルスメクチッ
ク相温度範囲において、相転移温度近傍でスメクチック
液晶層間隔が減少を開始する第一の変位温度における液
晶層間隔ｄＡと、該第一の変位温度以下で降温過程にお
いてスメクチック液晶層間隔が増加し始める第二の変位
温度における層間隔ｄｍｉｎと、カイラルスメクチック
相内におけるある層間隔ｄＣ１とが、 （ｄｃ１／ｄＡ）−（ｄｍｉｎ／ｄＡ）≧０．００３ の関係を有する層間隔ｄｃ１を示す温度において、上記
液晶を１０時間以上、好ましくは１００時間以上保持す
る。
【００７７】本発明において好ましくは、ｄｍｉｎとｄ
Ａの関係が、ｄｍｉｎ／ｄＡ≧０．９９０である液晶を
用いる。
【００７８】本発明においては、上記関係式を満たすｄ
C1を示す温度は、好ましくは、ｄminを示す温度を基準
にして高温側及び低温側の２つの領域があり得るが、特
に低温側でｄC1を示す温度で上述の１０時間以上（好ま
しくは１００時間以上）の処理を行うことが好ましい。
また、コントラスト等を劣化させないために、ｄC1／ｄ
A≦１の範囲となるようなｄC1の温度で保持することが
好ましい。
【００７９】本発明において、スメクチック層構造は下
記Ｘ線回折法によって解析した。
【００８０】基本的には、クラークやラガーウォルによ
って行なわれた方法〔ジャパンディスプレイ（Ｊａｐａ
ｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）’８６，Ｓｅｐ．３０〜Ｏｃｔ．
２，１９８６．４５６〜４５８〕によりスメクチック層
の層間隔ｄ及び傾斜角δを求めた。測定装置は回転陰極
方式Ｘ線発生部を有するＸ線回折装置（ＭＡＣサイエン
ス社製）に自動温度制御装置を装着したものを用い、液
晶セルは熱容量を小さくし、ガラス基板へのＸ線の吸収
を低減させるため、基板にはコーニング社製マイクロシ
ート（８０μｍ厚）を用いた。
【００８１】先ず、層間隔ｄは試料としてバルク液晶
（セルに注入する液晶組成物）をガラス基板に５ｍｍ角
で表面が平滑になるように塗布したものを用い、通常の
粉末Ｘ線回折法により得られたピークをブラッグ（Ｂｒ
ａｇｇ）の回折条件式に当てはめて求めた。
【００８２】測定温度は、回折面の平滑性を増すために
各々の液晶組成物が等方性液体状態になる温度にした後
に３℃、変移点近傍では１℃毎に温度を降下させて、回
折ピークが得られなくなる温度まで測定を行なった。実
験に用いた自動温度制御装置は各温度で約±０．３℃の
制御精度を示した。
【００８３】次に、セル内に形成されたスメクチック層
構造を、先に求めた層間隔に相当する回折角２θにＸ線
検出器を合わせてセルをθスキャンし、前記文献に示さ
れた方法により求めた。
【００８４】上記Ｘ線回折装置の設定条件は、分析線と
して銅のκα線を用い、Ｘ線出力＝４５ＫＶ×３０ｍＡ
＝１３．５ＫＷ、発散スリット：０．５°、走査スリッ
ト：０．５°、受光スリット：０．１５ｍｍ、走査速
度：８°／ｍｉｎで、照射面積はセル治具とスリットに
よって決まり、８．０×１．８ｍｍ2 でセル厚は２．０
μｍである。尚、バックグラウンド除去にはＳｏｎｎｅ
ｖｅｌｄ法を用いた。
【００８５】本発明の液晶素子は種々の機能を持った液
晶装置に用いることができるが、その最も適した例が、
該素子を表示パネル部に使用し、図２、３に示した走査
線アドレス情報を持つ画像情報からなるデータフォーマ
ット及びＳＹＮ信号による通信同期手段をとることによ
り、液晶表示装置を実現する。図中の符号は、１０１が
液晶表示装置、１０２がグラフィックコントローラ、１
０３が表示パネル、１０４が走査線駆動回路、１０５が
情報線駆動回路、１０６がデコーダ、１０７が走査線信
号発生回路、１０８がシフトレジスタ、１０９がライン
メモリ、１１０が情報信号発生回路、１１１が駆動制御
回路、１１２がＧＣＰＵ、１１３がホストＣＰＵ、１１
４がＶＲＡＭである。
【００８６】画像情報の発生は本体装置のグラフィック
コントローラ１０２にて行なわれ、図２及び図３に示し
た信号伝達手段に従って表示パネル１０３へと転送され
る。グラフィックコントローラ１０２はＧＣＰＵ（中央
演算装置）１１２及びＶＲＡＭ（画像情報格納用メモ
リ）１１４を核にホストＣＰＵ１１３と液晶表示装置１
０１間の画像情報の管理や通信を司っている。尚、該表
示パネルの裏面には、光源が配置されている。
【００８７】本発明の表示装置は、表示媒体である液晶
素子の配向むらが抑制されて後述する駆動マージンが広
いため、優れた駆動特性を発揮し、高精細、高速、大面
積の表示画像を得ることができる。
【００８８】本発明の液晶素子の駆動法としては、例え
ば、特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９３
４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報、同６０−
１５６０４７号公報に記載の駆動法を用いることができ
る。
【００８９】以下、図面を参照して、本発明の液晶素子
におけるマトリクス駆動とその際に重要となる駆動特性
について説明する。
【００９０】図４は、マトリクス電極を配置した液晶パ
ネルの一例の平面図である。同図において、液晶パネル
６１には、走査電極群６２の走査線（Ｓ1 〜Ｓm ）と情
報電極群６３のデータ線（Ｉ1 〜Ｉn ）とが互いに交差
して配線され、走査線とデータ線との間には液晶が配置
されている。そして、走査線とデータ線の各交差部が一
表示単位である画素となり、走査線とデータ線から電圧
が印加されて液晶の駆動がなされる。
【００９１】図５、図６は、図４に示すマトリクス電極
構造において採用される駆動法（マルチプレックス駆
動）の波形の一例である。
【００９２】図５に示す駆動波形は、走査線側を基準に
して、＋側の極性で黒表示させるような設定とし、黒表
示側をリセット方向とした、リセット書き込み型の波形
である。図中Ｓ0 は走査線に印加する走査信号波形を、
Ｉ1 はデータ線に印加する情報信号波形（白表示波形）
を、Ｉ2 はデータ線に印加する情報信号波形（黒表示波
形）をそれぞれ表わしている。また、図中（Ｓ0 −Ｉ
1 ）と（Ｓ0 −Ｉ2 ）は選択された画素に印加される電
圧波形で、電圧（Ｓ0 −Ｉ1 ）が印加された画素は白表
示状態となり、電圧（Ｓ0 −Ｉ2 ）が印加された画素は
黒表示状態となる（前述したようにリセットを黒表示側
とする）。
【００９３】図６における（Ｓ2 −Ｉ0 ）と（Ｓ3 −Ｉ
0 ）は、図５に示す駆動波形で、例えば同一データ線上
で連続する４画素に「白、白、黒、黒」表示を行なった
時の第２番目の画素と第３番目の画素に印加される時系
列波形である。
【００９４】図５、図６に示す駆動波形では、選択され
た走査線上の画素に印加される書き込みパルス幅Δｔに
対し、１ラインクリアのリセットパルスが（５／２）Δ
ｔに設定され、また書き込みパルスの後にリセットパル
ス側を補助するパルスが（１／２）Δｔ存在している。
このため、図５、図６で示される駆動波形では、１ライ
ン走査期間（１Ｈ）は４Δｔとなる。ただし、図６のよ
うに走査波形を１ライン毎に重なり合う時間を設けずに
走査する他に、２以上の走査線（例えば隣接する走査
線）の走査波形を出力に重なり合う時間を設け（例え
ば、２Δｔ分）実用上の１ライン走査時間（１Ｈ）を短
く（例えば、２Δｔに）することも可能である。
【００９５】図５、図６に示した駆動波形の各パラメー
タ、走査信号電圧ＶS 、情報信号電圧ＶI 、駆動電圧Ｖ
op＝ＶS ＋ＶI 、バイアス比＝ＶI ／（ＶS ＋ＶI ）、
Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチング特性によっ
て決定される。
【００９６】図７は、図５で示した駆動波形を用いて、
上述のバイアス比を１／３．４に固定し、また駆動電圧
Ｖopを２０Ｖで一定にし、パルス幅Δｔを変化させた際
の、該当画素における駆動波形印加後（選択印加後）の
最終的な透過率Ｔの変化を示したものである。
【００９７】同図において、実線は白表示波形（Ｓ0 −
Ｉ1 ）（黒消去（リセット）、白書き込み）、波線は黒
表示波形（Ｓ0 −Ｉ2 ）（黒消去（リセット）、黒保
持）が印加された場合の透過率である。
【００９８】実線の白表示波形（Ｓ0 −Ｉ1 ）を印加す
る場合では、該当画素の波形が印加される前状態が黒表
示状態になっており、Δｔ1 以上のパルス幅で完全に白
表示状態への書き込みができるようになっており、Δｔ
2 より大きなΔｔでは、再び白表示状態への書き込みが
できなくなっている（図５に示した白表示波形（Ｓ0−
Ｉ1 ）のＷのパルスに後続する逆極性の補助パルスの印
加により再度黒表示状態となるため）。
【００９９】また、波線の黒表示波形（Ｓ0 −Ｉ2 ）で
は、該当画素の波形が印加される前状態が反対の白表示
状態となっており、Δｔ3 以上のパルス幅で完全に黒表
示状態へのリセット及び保持が実現されており、Δｔ4
より大きなΔｔでは、黒表示状態の保持ができなくなっ
ている（図５に示した黒表示波形（Ｓ0 −Ｉ2 ）のＢパ
ルスに後続する逆極性の保持パルスの印加自体で白表示
状態となる）。
【０１００】通常、Δｔ3 ＜Δｔ1 なので、Δｔ1 を閾
値パルス幅と呼び、Δｔ2 かΔｔ4の小さい方（図７の
場合にはΔｔ4 ）をクロストークパルス幅と呼ぶ（Δｔ
2 を白クロストークパルス幅、Δｔ4 を黒クロストーク
パルス幅とも呼ぶ）。
【０１０１】閾値パルス幅とクロストークパルス幅の間
のパルス幅を持った駆動波形によりマトリクス駆動がな
され、白表示波形（図５の白表示波形（Ｓ0 −Ｉ1 ））
による確実な白表示、及び黒表示波形（図５の黒表示波
形（Ｓ0 −Ｉ2 ））による確実な黒表示が可能となり、
情報信号の極性の差だけで白及び黒の良好な画像表示が
できる。
【０１０２】上述のバイアス比を大きくすることによ
り、Δｔ2 やΔｔ4 のクロストークパルス幅の値を大き
くすることは可能であるが、バイアス比を増すことは情
報信号の幅を大きくすることを意味し、画質的にはちら
つきの増大、コントラストの低下を招き好ましくない。
本発明者等の検討によれば、バイアス比は１／３〜１／
５程度が適当であった。
【０１０３】このような駆動特性に関して、駆動条件の
設定にどの程度の余裕があるかについての特性を駆動マ
ージンと呼ぶが、これを定量的に評価するための指標と
して、上述の閾値パルス幅Δｔ1 とクロストークパルス
幅Δｔ4 （場合によってはΔｔ2 ）の値の中心値からの
幅を比率で表わすパラメータ［Ｍ２］を用いることがで
きる。
【０１０４】 Ｍ２＝（Δｔ4 −Δｔ1 ）／（Δｔ4 ＋Δｔ1 ）
【０１０５】ある一定温度において、上述のように情報
信号の２通りの向きによって選択画素に黒及び白の２状
態を書き込むことが可能であり、また非選択画素はその
黒または白の状態を保持することが可能である駆動マー
ジンは、液晶材料及び素子構成によって差があり、特有
なものである。また、環境温度の変化によってもそれら
駆動マージンは異なるため、実際の液晶表示装置では、
液晶材料、素子構成や環境温度に対して最適な駆動条件
を設定しておく必要がある。上記の駆動マージンパラメ
ータＭ２が大きいほど表示素子としては当然有利であ
る。
【０１０６】尚、図７に示す駆動特性（駆動マージン）
の評価については、駆動電圧Ｖopを固定し、パルス幅Δ
ｔを変化させたが、反対にパルス幅Δｔを固定し、駆動
電圧Ｖopを変化させても良いし、両方のパラメータを変
化させても良い。
【０１０７】
【実施例】本実施例では、下記液晶化合物（ａ）〜
（ｄ）を用いて液晶組成物を調整した。
【０１０８】
【化２８】
【０１０９】尚、上記液晶組成物の自発分極（Ｐｓ）
は、Ｋ．ミヤサト他「三角波による強誘電性液晶の自発
分極の直接測定方法」（日本応用物理学会誌、２２、１
０号（６６１）１９８３、”Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏ
ｄ ｗｉｔｈ Ｔｒｉａｎｇｕｌａｒ Ｗａｖｅｓ ｆ
ｏｒ Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ ＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓＰ
ｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｉｎ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ”，ａｓ ｄｅｓ
ｃｒｉｂｅｄ ｂｙ Ｋ．Ｍｉｙａｓａｔｏｅｔ ａ
ｌ．（Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．
１０，Ｌ６６１（１９８３）））によって測定した。
【０１１０】また、上記液晶組成物のチルト角（Θ）は
次のようにして求めた。即ち、±３０〜±５０Ｖ、１〜
１００ＨｚのＡＣ（交流）を液晶素子の上下基板間に電
極を介して印加しながら、直交クロスニコル下、その間
に配置された液晶素子を偏光板と平行に回転させると同
時に、フォトマル（浜松フォトニクス社製）で光学応答
を検知しながら、第１の消光位（透過率が最も低くなる
位置）及び第２の消光位を求める。そしてこの時の第１
の消光位から第２の消光位までの角度の１／２をチルト
角Θとする。
【０１１１】基板としてガラス基板を用い、それぞれ一
般的なＤＣスパッタ装置によりＩＴＯターゲットを用
い、パワー１Ｗ／ｃｍ２ 、スパッタガスとしてＡｒ：
９０ＳＣＣＭ，Ｏ２ ：１０ＳＣＣＭを流し、２．５分
間の放電により、７００Å厚のＩＴＯ膜を堆積した。通
常の湿式エッチングにより該ＩＴＯ膜を１ｃｍ×１ｃｍ
の四角形状にパターニングし、電極とした。
【０１１２】一方の電極基板上には、ＳｉＯｘの重合体
からなるシリコン酸化物母材中に、アンチモンドープの
ＳｎＯｘの酸化物超微粒子を分散した溶液を、１０００
ｒｐｍ、１０ｓｅｃのスピン条件で塗布し、厚さ１５０
０Åの膜を成膜した。この後、２００℃、６０分の焼成
を行なって、配向制御層Ａを形成した。
【０１１３】他方の電極基板には、ＮＭＰ（Ｎ−メチル
ピロリドン）及びｎＢＣ（ｎ−ブチルセロソルブ）の混
合液（２：１）で希釈（０．５重量％）した下記繰り返
し単位を有するポリイミドを５００ｒｐｍ，１５ｓｅｃ
及び１５００ｒｐｍ，３０ｓｅｃの条件でスピンコート
し、これを２００℃で６０分間焼成して、厚さ５０Åの
ポリイミド膜を形成した。この後、１０００ｒｐｍ、押
し込み量０．４ｍｍ、送りスピード５０ｍｍ／ｓｅｃ、
片方向２回のラビング処理を上記ポリイミド膜に施し
て、配向制御層Ｂを形成した。
【０１１４】
【化２７】
【０１１５】続いて、上記配向制御層Ｂ上に、２．４μ
ｍ径のＳｉＯ２ 微粒子含有溶液をスピンコートの後加
熱して分散固着させ、引き続き、東レ社製接着粒子（粒
径約５μｍ）溶液をスピンコート、加熱し、分散固着さ
せた。
【０１１６】一方、配向制御層Ａ上には、印刷機を用い
てシール材を所望の位置に塗布し、これを９０℃で５分
間プリベークした。
【０１１７】上記２枚の基板を貼り合わせ、プレス機を
用いて５０ｇｆ／ｃｍ２ の圧力で圧着した。さらに同
じ圧力をエアークッションにて加えた状態で、１５０
℃、９０分の加熱を行ない、シール材を硬化させた。
尚、セルを互いに偏光値が直交するような一対の偏光板
間に配置した。
【０１１８】上記液晶セルに前記液晶組成物を等方相の
温度で注入した後、５℃／ｍｉｎで冷却し、下記表１に
示す保持期間を経て所定の液晶配向状態を形成し、素子
を得た。得られた素子について、図５、６に示し駆動波
形を用い、前述したような方法に準じて（実際にはＶOP
＝２０Ｖ、バイアス比＝１／３．３、デューティ比＝１
／１０００相当で、単一画素において白・黒を表示）駆
動マージンの測定を行った。結果を表１に併記する。表
１から明らかなように、特定の層間隔を示す温度におい
て１０時間以上保持することにより、均一な配向が得ら
れ、広い駆動マージンが得られる。また、１００時間以
上保持することにより、より顕著な効果が見られた。
【０１１９】
【表１】
【０１２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カイラルスメクチック液晶素子において、配向むらが抑
制され、その結果駆動マージンが広い液晶素子が得ら
れ、表示特性に優れた、高精細、高速、大面積の表示装
置を構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶素子の一実施形態の断面模式図で
ある。
【図２】本発明の液晶素子を備えた液晶表示装置とグラ
フィックコントローラを示すブロック図である。
【図３】液晶表示装置とグラフィックコントローラとの
間の画像情報通信タイミングチャートを示す図である。
【図４】マトリクス電極を配置した液晶パネルの平面図
である。
【図５】本発明の液晶素子の駆動に用いられる駆動波形
の一例を示す図である。
【図６】本発明の液晶素子の駆動に用いられる駆動波形
の一例を示す図である。
【図７】図５の駆動波形を用いた場合のパルス幅Δｔと
透過率Ｔの関係を示した図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ 基板 ２ａ，２ｂ 電極 ３，４ 配向制御層 ６１ 表示パネル ６２ 走査電極群 ６３ 情報電極群 １０１ 液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動回路 １０５ 情報線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査線信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 真一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 清水 康志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 カイラルスメクチック相を示す液晶を一
    対の電極基板間に挟持してなる液晶素子において、カイ
    ラルスメクチック相温度範囲において、相転移温度近傍
    でスメクチック液晶層間隔が減少を開始する第一の変位
    温度における液晶層間隔ｄＡと、該第一の変位温度以下
    で降温過程においてスメクチック液晶層間隔が増加し始
    める第二の変位温度における層間隔ｄｍｉｎと、カイラ
    ルスメクチック相内におけるある層間隔ｄＣ１とが、 （ｄｃ１／ｄＡ）−（ｄｍｉｎ／ｄＡ）≧０．００３ の関係を有する層間隔ｄｃ１を示す温度において、上記
    液晶を１０時間以上保持することを特徴とする液晶の配
    向方法。
  2. 【請求項２】 上記所定の温度に液晶を１００時間以上
    保持する請求項１記載の液晶の配向方法。
  3. 【請求項３】 上記ｄｍｉｎとｄＡの関係が、ｄｍｉｎ
    ／ｄＡ≧０．９９０である請求項１または２記載の液晶
    の配向方法。
  4. 【請求項４】 上記液晶がスメクチックＡ相において降
    温時に１％以上層間隔が増加する請求項１〜３のいずれ
    かに記載の液晶の配向方法。
  5. 【請求項５】 上記液晶がカイラルスメクチック相にお
    いてブックシェルフ或いはそれに近い層傾き角の小さな
    構造を有する請求項１〜４いずれかに記載の液晶の配向
    方法。
  6. 【請求項６】 上記液晶がコレステリック相を持たない
    請求項１〜５いずれかに記載の液晶の配向方法。
  7. 【請求項７】 前記液晶が、フルオロカーボン末端部分
    及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核に
    よって結合され、スメクチック中間相又は潜在的スメク
    チック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する液
    晶組成物である請求項６記載の液晶の配向方法。
  8. 【請求項８】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフル
    オロカーボン末端部分が、−Ｄ1−ＣxaＦ2xa−Ｘで表わ
    される基である請求項７記載の液晶の配向方法。（但
    し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘは−Ｈ又は−Ｆ
    を表わし、Ｄ1は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−
    （ＣＨ2）ra−、−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−ＳＯ2−、−
    ＳＯ2−、−ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）ra
    −Ｏ−（ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ
    2pa+1）−ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ
    2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１
    〜２０であり、ｐａは０〜４である。）
  9. 【請求項９】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフル
    オロカーボン末端部分が、−Ｄ2−（ＣxbＦ2xb−Ｏ）za
    −ＣyaＦ2ya+1で表わされる基である請求項７記載の液
    晶の配向方法。（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ
    xbＦ2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは、１〜
    １０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ2は、−ＣＯ−
    Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ
    2rc−、−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−
    Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−Ｃ
    rcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−
    Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒｃ
    及びｒｄはそれぞれ独立に１〜２０であり、ｓａはそれ
    ぞれの（ＣsaＨ2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔ
    ａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。）
  10. 【請求項１０】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一
    般式（Ｉ）で表わされる請求項７記載の液晶の配向方
    法。 【化１】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
    し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
    す。夫々のＬ1とＬ2は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ−、
    −Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ
    ｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−ＣＯ
    −、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−
    ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ
    Ｈ2−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ1、
    Ｙ1、Ｚ1はＡ1、Ａ2、Ａ3の置換基であり、独立に−
    Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣ
    Ｈ3、−ＣＨ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ2を表わし、夫々の
    ｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ1
    は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）
    ra−、−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、
    −ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）ra−Ｏ−
    （ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−
    ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−Ｃ
    Ｏ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であ
    り、ｐａは０〜４である。Ｒ1は、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｏ
    −ＣqbＨ2qb+1、−ＣqaＨ2qa−Ｏ−ＣqbＨ2qb+1、−Ｃ
    qaＨ2qa−Ｒ3、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
    qaＨ2qa−Ｒ3、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3を表わ
    し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
    3は、−Ｏ−ＣＯ−ＣqbＨ2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−ＣqbＨ
    2qb+1、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＮＯ2、−Ｃ
    Ｎを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。
    Ｒ2はＣxaＦ2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わ
    し、ｘａは１〜２０の整数である）。〕
  11. 【請求項１１】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一
    般式（ＩＩ）で表わされる請求項７記載の液晶の配向方
    法。 【化２】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ3、Ｌ4は独立に、単結合、−ＣＯ−
    Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
    ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
    ｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ2ＣＨ2）ka−（ｋａは１〜４）、
    −ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ
    Ｈ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＯ−又は−
    Ｏ−を表わす。夫々のＸ2、Ｙ2、Ｚ2はＡ4、Ａ5、Ａ6の
    置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
    Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＣＨ3、−ＣＦ3、−ＯＣ
    Ｆ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ2を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
    ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ2は、−Ｃ
    Ｏ−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ
    2rc−、−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−
    Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−Ｃ
    rcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−
    Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独
    立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（ＣsaＨ2sa−
    Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
    ｂは０〜４である。Ｒ4は、−Ｏ−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa
    −ＣqdＨ2qd+1、−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa−Ｃ
    qdＨ2qd+1、−ＣqcＨ2qc−Ｒ6、−Ｏ−ＣqcＨ2qc−
    Ｒ6、−ＣＯ−Ｏ−ＣqcＨ2qc−Ｒ6、又は−Ｏ−ＣＯ−
    ＣqcＨ2qc−Ｒ6を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
    っても良い（但し、Ｒ6は−Ｏ−ＣＯ−ＣqdＨ2qd+1、−
    ＣＯ−Ｏ−ＣqdＨ2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−Ｎ
    Ｏ2、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立
    に１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ
    5は、（ＣxbＦ2xb−Ｏ）za−ＣyaＦ2ya+1で表わされる
    （但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（ＣxbＦ2xb−Ｏ）
    に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａ
    は１〜１０である）。〕
  12. 【請求項１２】 上記液晶が強誘電性液晶である請求項
    １〜１１いずれかに記載の液晶の配向方法。
  13. 【請求項１３】 上記液晶が反強誘電性液晶である請求
    項１〜１１いずれかに記載の液晶の配向方法。
  14. 【請求項１４】 カイラルスメクチック相を示す液晶を
    一対の電極基板間に挟持してなる液晶素子の製造方法で
    あって、セルに等方相の液晶を注入した後降温し、カイ
    ラルスメクチック相温度範囲において、相転移温度近傍
    でスメクチック液晶層間隔が減少を開始する第一の変位
    温度における液晶層間隔ｄＡと、該第一の変位温度以下
    で降温過程においてスメクチック液晶層間隔が増加し始
    める第二の変位温度における層間隔ｄｍｉｎと、カイラ
    ルスメクチック相内においてある層間隔ｄＣ１とが、 （ｄｃ１／ｄＡ）−（ｄｍｉｎ／ｄＡ）≧０．００３ の関係を有する層間隔ｄｃ１を示す温度において、上記
    液晶を１０時間以上保持する工程を有することを特徴と
    する液晶素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 上記所定の温度に液晶を保持する工程
    が１００時間以上である請求項１４記載の液晶素子の製
    造方法。
  16. 【請求項１６】 上記ｄｍｉｎとｄＡの関係が、ｄ
    ｍｉｎ／ｄＡ≧０．９９０である請求項１４または１５
    記載の液晶素子の製造方法。
  17. 【請求項１７】 上記一対の電極基板の少なくとも一方
    の液晶と接する面に配向制御層を設けた請求項１４〜１
    ６いずれかに記載の液晶素子の製造方法。
  18. 【請求項１８】 上記一対の電極基板のそれぞれの液晶
    と接する面に配向制御層を設けた請求項１７記載の液晶
    素子の製造方法。
  19. 【請求項１９】 上記一対の電極基板の液晶と接する面
    に互いに異なる配向制御層を設けた請求項１８記載の液
    晶素子の製造方法。
  20. 【請求項２０】 上記一対の電極基板の液晶と接する面
    に同じ配向制御層を設けた請求項１８記載の液晶素子の
    製造方法。
  21. 【請求項２１】 上記液晶がスメクチックＡ相において
    降温時に１％以上層間隔が増加する請求項１４〜２０い
    ずれかに記載の液晶素子の製造方法。
  22. 【請求項２２】 上記液晶がカイラルスメクチック相に
    おいてブックシェルフ或いはそれに近い層傾き角の小さ
    な構造を有する請求項１４〜２１いずれかに記載の液晶
    素子の製造方法。
  23. 【請求項２３】 上記液晶がコレステリック相を持たな
    い請求項１４〜２２いずれかに記載の液晶素子の製造方
    法。
  24. 【請求項２４】 前記液晶が、フルオロカーボン末端部
    分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核
    によって結合され、スメクチック中間相又は潜在的スメ
    クチック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する
    液晶組成物である請求項２３記載の液晶素子の製造方
    法。
  25. 【請求項２５】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフ
    ルオロカーボン末端部分が、−Ｄ1−ＣxaＦ2xa−Ｘで表
    わされる基である請求項２４記載の液晶素子の製造方
    法。（但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘは−Ｈ
    又は−Ｆを表わし、Ｄ1は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）
    ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−
    ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−
    （ＣＨ2）ra−Ｏ−（ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）ra−Ｎ
    （ＣpaＨ2pa+1）−ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra−Ｎ
    （ＣpaＨ2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、
    独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。）
  26. 【請求項２６】 前記フッ素含有液晶化合物におけるフ
    ルオロカーボン末端部分が、−Ｄ2−（ＣxbＦ2xb−Ｏ）
    za−ＣyaＦ2ya+1で表わされる基である請求項２４記載
    の液晶素子の製造方法。（但し、上記式中ｘｂはそれぞ
    れの（ＣxbＦ2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａ
    は、１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ2は、
    −ＣＯ−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｃrc
    Ｈ2rc−、−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、
    −Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−
    ＣrcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc
    −Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＣＯ−、単結合から選ばれ、ｒ
    ｃ及びｒｄはそれぞれ独立に１〜２０であり、ｓａはそ
    れぞれの（ＣsaＨ2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であり、
    ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。）
  27. 【請求項２７】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一
    般式（Ｉ）で表わされる請求項２４記載の液晶素子の製
    造方法。 【化３】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
    し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
    す。夫々のＬ1とＬ2は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ−、
    −Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ
    ｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−ＣＯ
    −、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−
    ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ
    Ｈ2−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ1、
    Ｙ1、Ｚ1はＡ1、Ａ2、Ａ3の置換基であり、独立に−
    Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣ
    Ｈ3、−ＣＨ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ2を表わし、夫々の
    ｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ1
    は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）
    ra−、−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、
    −ＳＯ2−（ＣＨ2）ra−、−Ｏ−（ＣＨ2）ra−Ｏ−
    （ＣＨ2）rb−、−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−
    ＳＯ2−、又は−（ＣＨ2）ra−Ｎ（ＣpaＨ2pa+1）−Ｃ
    Ｏ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であ
    り、ｐａは０〜４である。Ｒ1は、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｏ
    −ＣqbＨ2qb+1、−ＣqaＨ2qa−Ｏ−ＣqbＨ2qb+1、−Ｃ
    qaＨ2qa−Ｒ3、−Ｏ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
    qaＨ2qa−Ｒ3、又は−Ｏ−ＣＯ−ＣqaＨ2qa−Ｒ3を表わ
    し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
    3は、−Ｏ−ＣＯ−ＣqbＨ2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−ＣqbＨ
    2qb+1、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＮＯ2、−Ｃ
    Ｎを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。
    Ｒ2はＣxaＦ2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わ
    し、ｘａは１〜２０の整数である）。〕
  28. 【請求項２８】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一
    般式（ＩＩ）で表わされる請求項２４記載の液晶素子の
    製造方法。 【化４】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
    整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
    を表わす。夫々のＬ3、Ｌ4は独立に、単結合、−ＣＯ−
    Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
    ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
    ｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ2ＣＨ2）ka−（ｋａは１〜４）、
    −ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ
    Ｈ−、−ＣＨ2−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＯ−又は−
    Ｏ−を表わす。夫々のＸ2、Ｙ2、Ｚ2はＡ4、Ａ5、Ａ6の
    置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
    Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ3、−ＣＨ3、−ＣＦ3、−ＯＣ
    Ｆ3、−ＣＮ、又は−ＮＯ2を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
    ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ2は、−Ｃ
    Ｏ−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−Ｏ−ＣrcＨ2rc−、−ＣrcＨ
    2rc−、−Ｏ−（ＣsaＨ2sa−Ｏ）ta−ＣrdＨ2rd−、−
    Ｏ−ＳＯ2−、−ＳＯ2−、−ＳＯ2−ＣrcＨ2rc−、−Ｃ
    rcＨ2rc−Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＳＯ2−、−ＣrcＨ2rc−
    Ｎ（ＣpbＨ2pb+1）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独
    立に１〜２０であり、ｓａはそれぞれの（ＣsaＨ2sa−
    Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐ
    ｂは０〜４である。Ｒ4は、−Ｏ−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa
    −ＣqdＨ2qd+1、−（ＣqcＨ2qc−Ｏ）wa−Ｃ
    qdＨ2qd+1、−ＣqcＨ2qc−Ｒ6、−Ｏ−ＣqcＨ2qc−
    Ｒ6、−ＣＯ−Ｏ−ＣqcＨ2qc−Ｒ6、又は−Ｏ−ＣＯ−
    ＣqcＨ2qc−Ｒ6を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
    っても良い（但し、Ｒ6は−Ｏ−ＣＯ−ＣqdＨ2qd+1、−
    ＣＯ−Ｏ−ＣqdＨ2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−Ｎ
    Ｏ2、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立
    に１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ
    5は、（ＣxbＦ2xb−Ｏ）za−ＣyaＦ2ya+1で表わされる
    （但し、上記式中ｘｂはそれぞれの（ＣxbＦ2xb−Ｏ）
    に独立に１〜１０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａ
    は１〜１０である）。〕
  29. 【請求項２９】 上記液晶が強誘電性液晶である請求項
    １４〜２８いずれかに記載の液晶素子の製造方法。
  30. 【請求項３０】 上記液晶が反強誘電性液晶である請求
    項１４〜２８いずかに記載の液晶素子の製造方法。
  31. 【請求項３１】 請求項１４〜３０いずれかに記載の製
    造方法によって製造されたことを特徴とする液晶素子。
  32. 【請求項３２】 請求項３１記載の液晶素子と、該液晶
    素子の駆動手段とを有することを特徴とする表示装置。
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