JPH10288786A - 液晶素子及びこれを備えた液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向欠陥によるコントラストの減少や、焼き
付きの発生し難い液晶素子及びこれを備えた液晶装置を
提供する。 【解決手段】 液晶１を挟持する一対の基板２，３の一
方に能動素子２２を設けると共に、能動素子２２が設け
られた断差が相対的に多く生じている一方の基板２に一
軸配向処理がなされていない配向制御層２０を、他方の
基板３に一軸配向処理のなされた配向制御層３０をそれ
ぞれ設けることにより、液晶１の配向状態を制御するよ
うにして微細な配向欠陥の発生や反転ドメイン、ゆらぎ
の発生等を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
ー等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子及
びそれらを使用した表示装置をはじめとする液晶装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、広範に用いられている液晶（表
示）素子として、例えばエム・シャット（Ｍ．ｓｃｈａ
ｄｔ）とダブリェー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｒｉｃ
ｈ）著Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｔｓ第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）第
１２７頁〜１２８頁において示されたツイステッド・ネ
マチック（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ：ＴＮ）液
晶を用いたものが知られている。また、代表的な液晶素
子として知られているものに単純マトリクスタイプの液
晶素子がある。

【０００３】ここで、このタイプの液晶素子は、作成が
容易であり、コスト面で優位性があるが、画素密度を高
くしたマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、ク
ロストークが発生するという問題点があるため、画素数
が制限されていた。また、コントラストが低く、ディス
プレイとしての用途が制限されていた。

【０００４】そこで、近年このような単純マトリクスタ
イプの素子に対して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を用
いたアクティブ駆動タイプの液晶素子の開発が行われて
いる。ここで、このタイプの液晶素子は、１つ１つの画
素にトランジスタ等の能動素子を作成するため、クロス
トークの問題は解決されるが、応答速度については依然
不十分であり、特に動画表示において尾引き・残像・一
部コントラスト低下（動態像）等の欠点を有していた。

【０００５】また、このような従来型の液晶素子の応答
速度の欠点を改善するものとして、液晶分子が双安定性
を示す液晶素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガウ
ェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書）。そして、この双安定性を示す液晶とし
ては、一般にカイラノレスメクチックＣ相またはカイラ
ルスメクチックＨ相からなる強誘電性液晶が用いられて
いる。

【０００６】ここで、この強誘電性液晶は、自発分極に
より反転スイッチングを行うため、非常に早い応答速度
からなる上にメモリー性のある双安定状態を発現させる
ことができる。さらに、視野角特性も優れていることか
ら、高速、高精細、大面積の表示素子あるいはライトバ
ルブとして適していると考えられている。さらに最近で
は、このような強誘電性液晶の中でも非双安定なタイプ
のものとＴＦＴによるアクティブ駆動とを組み合わせ
て、高コントラストを得るような試みも成されている
（特開昭６２−４８２７１９号公報）。

【０００７】ところで、このようなカイラルスメクチッ
ク液晶素子においては、たとえば「強誘電液晶の構造と
物性」（コロナ社、福田敦夫、竹添秀男著、１９９０
年）に記載されているように、ジグザグ状の配向欠陥が
発生してコントラストを著しく低下させるという問題が
あった。ここで、この欠陥は、上下基板間に配されたカ
イラルスメクチック液晶の層状構造が２種類のシエプロ
ン構造を形成しており、その層構造の折れ曲がり角度
（層の傾斜角δ）が、かなり大きいことに起因してい
る。

【０００８】そこで、最近、このような欠点を持つシェ
ブロン構造を解消し、ブックシェルフといわれる層状構
造あるいはそれに近い構造を現出させ、高コントラスト
な良好な液晶素子を実現しようという動きがある。例え
ば、ブックシェルフに近い構造を現出する液晶材料とし
てパーフルオロエーテル側鎖を持つ液晶性化合物（米国
特許５２６２０８２、国際出願特許ＷＯ９３／２２３９
６、１９９３年第４回強誘電液晶国際会議Ｐ４６、Ｍａ
ｒｃ Ｄ．Ｒａｄｃｌｉｆｆｅら）が開示されており、
この液晶は、電場等の外部場を用いずともブックシェル
フに近い層傾き角の小さな構進を現出することができ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らによる詳細な観察によると、層の傾斜角δの大きさ
は、層間隔の大きさの温度特性によって生み出されてお
り、数度以下であっても零ではない有限の値をもってい
ることがあり、はっきりとしたジグザグ欠陥は見られな
い場合が多いが、やはり層構造の不連続性に起因した欠
陥、ディスクリネーションラインがみとめられる。

【００１０】そして、このような配向状態を有した従来
の液晶素子を、アクティブマトリックス駆動方式のディ
スプレイとして用いた場合、ＴＦＴ基板側に存在するＴ
ＦＴによる段差や印可され続ける交流の情報信号によ
り、上述の欠陥、ディスクリネーションラインから発生
する反転ドメインやスイッチングコーン上の分子のゆら
ぎの程度の増大が起きていた。このため、このような液
晶素子を備えた液晶装置においては、駆動時のコントラ
ストが急激に減少するなどの現象が起こっていた。

【００１１】また、強誘電性液晶を用いた表示素子が高
速応答性を有するのは、強誘電性液晶がＴＮ液晶等に比
較して２〜３桁スイッチングスピードは速い為である
が、それは液晶分子が自発分極（Ｐｓ［ｎＣ／ｃｍ
² ］）を有していることによる。その理由は、スイッチ
ングモデルから、そのスピードがＰｓ・Ｅ／η（Ｐｓ：
自発分極、Ｅ：電界、η：粘性係数）に比例するからで
ある。

【００１２】しかしながら、この自発分極（Ｐｓ［ｎＣ
／ｃｍ² ］）の存在は、実際に液晶素子として駆動させ
る時に、問題を派生させる。それは「反電界」の問題と
して知られている。つまり自発分極によって、絶縁膜、
配向膜に電荷が蓄積され、書き込み用の外部電界が取り
除かれたときに、その蓄積電荷の作る内部「反電界」に
よって強誘電性液晶の動作が影響を受けてしまういわゆ
る「焼き付き」現象が発生することである。

【００１３】そして、この現象は自発分極の大きい物ほ
ど顕著であるため、応答速度向上への要求と矛盾し、こ
の内部「反電界」の存在による「焼き付き」の発生によ
り著しく表示晶位が低下するという問題があった。

【００１４】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたものであり、上述したような配向欠陥による
コントラストの減少や、焼き付きの発生し難い液晶素子
及びこれを備えた液晶装置を提供することを目的とする
ものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
に液晶を挟持してなると共に複数の画素を有する一方、
前記一対の基板の一方に前記画素の夫々に対応して能動
素子を設けた液晶素子において、前記能動素子が設けら
れた一方の基板の表面に一軸配向処理がなされない配向
制御層を、前記一対の基板の他方の基板の表面に一軸配
向処理が施された配向制御層をそれぞれ設けたことを特
徴とするものである。

【００１６】また本発明は、前記一対の基板間に挟持さ
れる液晶が、カイラルスメクチック相を示す液晶である
ことを特徴とするものである。

【００１７】また本発明は、前記カイラルスメクチック
相を示す液晶は降温下でコレスティリック相をとらない
液晶であることを特徴とするものである。

【００１８】また本発明は、前記能動素子が薄膜トラン
ジスタであることを特徴とするものである。

【００１９】また本発明は、前記カイラルスメクチック
相を示す液晶が、フルオロカーボン末端部分及び炭化水
素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結合
され、スメクチック中間層または潜在的スメクチック中
間層を持つフッ素含有液晶化合物を含有するカイラルス
メクチック組成物からなることを特徴とするものであ
る。

【００２０】また本発明は、前記一対の基板間に挟持さ
れる液晶が、強誘電性液晶であることを特徴とするもの
である。

【００２１】また本発明は、前記一対の基板の夫々に設
ける配向制御層は、基板間で表面エネルギーが異なる膜
であることを特徴とするものである。

【００２２】また本発明は、前記一軸配向処理がなされ
ない配向制御層の表面エネルギーが、前記一軸配向処理
が施された配向制御層の表面エネルギーよりも小さいこ
とを特徴とするものである。

【００２３】また本発明は、前記一対の基板の夫々に設
けられた配向制御層のうち少なくとも一方が導電化成分
を含んでいることを特徴とするものである。

【００２４】また本発明は、前記液晶の配向状態が非双
安定（単安定）状態であることを特徴とするものであ
る。

【００２５】また本発明は、液晶素子と、前記液晶素子
を駆動するための駆動手段と、前記液晶素子の背面側に
設けられ、赤、緑、青の３原色を発光する色バックライ
トとを具備した液晶装置において、前記液晶素子は、少
なくとも請求項１乃至１２のいずれかに記載の液晶素子
であることを特徴とするものである。

【００２６】また本発明のように、液晶を挟持する一対
の基板の一方に能動素子を設けると共に、能動素子が設
けられた断差が相対的に多く生じている一方の基板に一
軸配向処理がなされていない配向制御層を、他方の基板
に一軸配向処理のなされた配向制御層をそれぞれ設ける
ことにより、液晶の配向状態を制御するようにして微細
な配向欠陥の発生や反転ドメイン、ゆらぎの発生等を防
止するようにする。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００２８】図１は、本発明の実施の形態に係る液晶素
子の拡大断面図であり、同図において、１Ａは液晶素
子、１はカイラルスメクティック液晶組成物からなる液
晶、２、３はこれら液晶１を挟持する一対の基板であ
る。ここで、この液晶部分の層厚（基板間距離）は、好
ましくは、既述したクラーク及びラガウェルのモデルを
実現されるため５μｍ以下が好ましい。また、４はギャ
ップ制御スペーサーであり、たとえばシリカビーズ等が
用いられる。

【００２９】ところで、一対の基板２，３の一方の基板
（以下ＴＦＴ基板という）２のガラス基板２１上には、
能動素子であるＴＦＴ２２、画素電極２３、情報ライン
電極２４、走査ライン電極２５等がマトリックス状に形
成されており、一対の基板２，３の他方の基板（以下対
向基板という）３のガラス基板３１上には、ＩＴＯから
成る対向透明電極３３が形成されている。

【００３０】そして、信号源（図示せず）からの駆動信
号と各種制御信号により、各ＴＦＴ２２のスイッチング
及び各画素電極２３への駆動信号（所定電圧）印加が行
われると、この信号電圧に応じて各画素電極２３上の液
晶１がライトバルブ動作を行うようになっている。な
お、６、７は偏光板であり、それぞれ対向基板２と、Ｔ
ＦＴ基板３の外側表面にクロスニコル状に貼り合わされ
ている。

【００３１】一方、３０は、対向基板３に設けられ、液
晶１の配向状態に影響を与える配向制御層（以下配向膜
という）であり、この配向膜３０には一軸配向処理がな
されている。また、２０はＴＦＴ基板２に設けられた配
向膜であり、この配向膜２０には一軸配向処理はなされ
ていない。

【００３２】ここで、このような一軸配向処理をなる側
の配向膜３０を形成する場合において、特性における観
点から、好ましく用いられる材料の具体的な構造として
は、以下の一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位か
らなるポリイミドが挙げられる。

【００３３】

【化３】 または、炭素数１から２０のアルキル基を示し、Ｐｌ、
Ｐ２は、イミド結合を表す。Ｍは、単結合または−Ｏ−
を表し、ａは、０、１、２を表す。） さらに、このような一軸性配向層の形成方法としては、
例えばガラス基板３１上に溶液塗工または蒸着あるいは
スパッタリング等により、一酸化珪素、二酸化珪素、酸
化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸
化セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコ
ン炭化物、ホウ素窒化物などの無機物や、ポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエステ
ル、ポリアミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレ
ン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリビ
ニルクロライド、ポリスチレン、ポリシロキサン、セル
ロース樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂
などの有機物を用いて被膜形成したのち、表面をビロー
ド、布あるいは紙等の繊維状のもので摺擦（ラビング）
することようにする。また、ＳｉＯ等の酸化物あるいは
窒化物などをガラス基板３１の斜方から蒸着する方法な
ども用いられ得る。

【００３４】また、自発分極Ｐｓのスイッチングに伴っ
て発生する反電界の大きさを抑制し、良好な駆動性能を
有する観点で、配向層３０の膜厚は２００Å以下が好ま
しい。１００Å以下であるとき、さらに好ましい場合が
ある。

【００３５】なお、本実施の形態においては、一軸配向
処理をなす配向層形成の１実施例として、透明電極３３
として約７０ｎｍ厚のＩＴＯ膜を形成した１．１ｍｍ厚
のガラス基板３１の表面に以下の手法により配向膜３０
を形成した。

【００３６】まず、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
と、ｎ−ブチルセロソルブ（ｎＢＣ）との４：１溶媒中
に、下記繰り返し単位を有するポリイミド前駆体が０．
５ｗｔ％となるよう溶解させた。次に、この溶液を回転
数１５００ｒｐｍ、３０秒の条件にて、スピンコート法
により対向電極３３が形成されたガラス基板３１上に塗
布した。その後、８０℃、５分間の前乾燥を行った後、
２００℃で１時間加熱焼成を施し、配向膜３０を形成し
た。なお、このときの配向膜３０の膜厚は、５０Åであ
った（得られた基板を基板Ａとする）。

【００３７】そして、最後に、このように形成した配向
膜３０に対して一軸配向処理としてナイロン布によるラ
ビング処理を施した。なお、この基板の表面エネルギー
の分散項は４１．２［ｄｙｎｅ／ｃｍ］、極性項は８．
０［ｄｙｎｅ／ｃｍ］、水素結合項は１．７［ｄｙｎｅ
／ｃｍ］であった。

【００３８】なお、本実施の形態において、この表面エ
ネルギーは、協和界面化学（株）製の接触角測定装置
（形式ＣＡ−ＤＴ）を用いて測定した。なお、この測定
手順としては、まず配向膜が形成されたガラス基板３１
を用意し、その膜上にα−ブロモナフレン、ヨウ化メチ
レン、純水を垂らし、各々と配向膜界面の接触角θ₁ ，
θ₂ ，θ₃ を測定した。そして、これら接触角θ₁ ，θ
₂ ，θ₃ を、それぞれ以下の３つの数式に代入すること
により、配向膜３０の分散項ｒ_s ^d、極性項ｒ_s ^p、水素結
合項ｒ_s ^h を算出した。

【００３９】

【数１】 ここで、上記式において、４４．６は、α−ブロモナフ
レンの表面エネルギー、４６．８は、ヨウ化メチレンの
表面エネルギーの分散項、４．０は、ヨウ化メチレンの
表面エネルギーの極性項、２９．１は純水の表面エネル
ギーの分散項、１．３は純水の表面エネルギーの極性
項、４２．４は純水の表面エネルギーの水素結合項であ
る。

【００４０】一方、一軸配向処理を施さないＴＦＴ基板
２の配向膜２０において用いられる主な膜材料として
は、多結晶乃至は非晶質金属酸化膜、多結晶乃至は非晶
質半導体膜、必要に応じて微粒子が分散された絶縁性ポ
リマー膜などが上げられる。また、上記金属酸化物や半
導体微粒子には、導電性制御不純物が必要に応じて添加
され、その導電性が制御される。

【００４１】ここで、このような多結晶乃至は非晶質の
金属酸化膜としてはＺｎＯ，ＣｄＯ，ＺｎＣｄＯｘのＩ
Ｉ族酸化膜、ＧｅＯ₂ ，ＳｎＯ₂ ，ＧｅＳｎＯｘ，Ｔｉ
Ｏ₂，ＺｒＯ₂ ，ＴｉＺｒＯｘのＩＶ族酸化膜、また多
結晶乃至は非晶質半導体としてはＳｉ，ＳｉＣのＩＶ族
半導体があげられる。さらに、添加される導電性制御不
純物としては、ＩＩ族酸化物に対し、ｎ型不純物（ドナ
ー：電子伝導を高める不純物）にはＩＩＩ族元素である
Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎが、ｐ型不純物（アクセプター：
ホール伝導を高める不純物）にはＩ族元素であるＣｕ，
Ａｇ，Ａｕ，Ｌｉがあげられる。またさらに、ＩＶ族酸
化物乃至は半導体に対して、ｎ型不純物にはＶ族元素で
あるＰ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉが、ｐ型不純物にはＩＩＩ族
元素であるＢｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎがあげられる。

【００４２】さらにまた、導電性制御不純物が添加され
た微粒子を含む絶縁性ポリマー膜については、母材の絶
縁性材料にはＳｉＯｘ，ＴｉＯｘ，ＺｒＯｘ，その他の
酸化物溶融母材、シロキサンポリマーがあげられる。ま
た、微粒子にはＺｎＯ，ＣｄＯ，ＺｎＣｄＯｘのＩＩ族
酸化物、ＧｅＯ₂ ，ＳｎＯ₂ ，ＧｅＳｎＯｘ，ＴｉＯ
₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＴｉＺｒＯｘのＩＶ族酸化物が用いられ
る。また、導電性制御不純物としては、ＩＩ族酸化物に
対しｎ型不純物にはＩＩＩ族元素であるＢ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎが、ｐ型不純物には、Ｉ族元素であるＣｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｌｉがあげられる。また、ＩＶ族酸化物乃至
は半導体に対して、ｎ型不純物にはＶ族元素であるＰ，
Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉが、ｐ型不純物にはＩＩＩ族元素であ
るＢｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎがあげられる。

【００４３】そして、本実施の形態においては、一軸配
向処理を施さない配向層を形成する具体例として、ＴＦ
Ｔ基板２の配向膜２０を次のようにして作成した。

【００４４】まず、ラダー型のポリシロキサンの母材と
アンチモンドープのＳｎＯｘの酸化物超微粒子（粒径約
１００Å）を分散した固形分濃度１０ｗｔ％のエタノー
ル溶液を１５００ｒｐｍ、１０秒の条件でスピンコート
法により膜厚２１００ÅでＴＦＴ基板２上に塗布した。
次に、８０℃、５分間の前乾燥を行った後、２００℃１
時間加熱乾燥を施した。ここで、この基板の表面エネル
ギーの分散項は２５．７［ｄｙｎｅ／ｃｍ］、極性項は
２．９［ｄｙｎｅ／ｃｍ］、水素結合項は０．１［ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ］であった。なお、この表面エネルギーは、
既述した協和界面化学（株）製の接触角測定装置（形式
ＣＡ−ＤＴ）を用いて測定した（得られた基板を基板Ｂ
とする）。

【００４５】また、一軸配向処理を施さない配向層を形
成する他の例として、まずシリカバインダー母材と、導
電性制御不純物としてアンチモンをドープしたＳｎＯｘ
の酸化物超微粒子（粒径約１００Å）を分散した固形分
濃度５ｗｔ％のエタノール溶液を１１００ｒｐｍ、１０
秒の前条件でスピンコート法により膜厚１８００ÅでＴ
ＦＴ基板２上に塗布した。次に、８０℃、５分間の前乾
燥を行った後、２００℃、１時間加熱乾燥を施した。こ
こで、この基板の表面エネルギーの分散項は３５［ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ］、極性項は０．８［ｄｙｎｅ／ｃｍ］、水
素結合項は３．７［ｄｙｎｅ／ｃｍ］であった（得られ
た基板を基板Ｃとする）。

【００４６】一方、液晶１としては、カイラルスメクチ
ック相を示すと共に、降温下でコレスティリック相をと
らない液晶であり、本実施の形態においては、フルオロ
カーボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末
端部分が中心核によって結合され、スメクチック中間層
または潜在的スメクチック中間層を持つフッ素含有液晶
化合物を含有するカイラルスメクチック組成物からなる
ものを用いるようにした。

【００４７】尚、ここで潜在的スメクチック中間相を持
つ化合物とは、それ自身でスメクチック中間相を示さな
くとも、スメクチック中間相を持つ化合物又は他の潜在
的スメクチック中間相を持つ化合物との混合物におい
て、適当な条件下でスメクチック中間相を発現する化合
物を言う。

【００４８】また、上記フッ素含有化合物における中心
核とは、少なくとも２つの芳香族環、複素芳香族環、脂
肪族環、置換芳香族環、置換複素芳香族環、置換脂肪族
環から選ばれ、これらの環は、互いに−ＣＯＯ−，−Ｃ
Ｏｓ−，−ＨＣ＝Ｎ−，−ＣＯＳｅ−から選ばれる官能
基によって結合されていてもよい。これらの環は縮合し
ていても、縮合していなくてもよい。複素芳香環中のヘ
テロ原子はＮ，Ｏ又はＳから選ばれる少なくとも１つの
原子を含む。脂肪族環中に隣接していないメチレン基
は、Ｏによって置換されていてもよい。

【００４９】上記フッ素含有液晶化合物の具体例として
は、特開平２−１４２７５３、米国特許５，０８２，５
８７号、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５
０６３６８等に記載されている化合物が挙げられる。

【００５０】このスメクチック中間相または潜在的スメ
クチック中間相を持つフッ素含有液晶化合物は、好まし
くは、以下の一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表わさ
れる化合物である。

【００５１】

【化４】 を表わす。

【００５２】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。

【００５３】夫々のＬ¹ とＬ² は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
Ｔｅ−ＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−
Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ
−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００５４】夫々のＸ¹ 、Ｙ¹ 、Ｚ¹ はＡ¹ 、Ａ² 、Ａ
³ の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂ
ｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、−ＣＮ又は
−ＮＯ₂ を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０
〜４の整数を表わす。

【００５５】Ｊ¹ は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−
Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂
−、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−
（ＣＨ₂ ）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_rb−、−（ＣＨ２）_ra−
Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＳＯ₂ −、又は−（ＣＨ₂ ）_ra−
Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＣＯ−を表わす。

【００５６】ｒａ及びｒｂは、独立に１〜２０であり、
ｐａは０〜４である。

【００５７】Ｒ¹ は、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qbＨ
_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ
_2qa −Ｒ³ 、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³ 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
_qaＨ_2qa −Ｒ³又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³ を表
わし、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、
Ｒ³ は、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qb
Ｈ_2qb+1、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ₂ 、
−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０であ
る）。Ｒ² はＣ_xaＦ_2xa-Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆ
を表わし、ｘａは１〜２０の整数である）。〕

【００５８】

【化５】 を表わす。

【００５９】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。

【００６０】夫々のＬ³ 、Ｌ⁴ は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ
−、−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ
−、−Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ ）_ka−（ｋａは
１〜４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ
−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、
−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００６１】夫々のＸ² 、Ｙ² 、Ｚ² はＡ⁴ 、Ａ⁵ 、Ａ
⁶ の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂ
ｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、−ＣＦ₃ 、
−ＯＣＦ₃ 、−ＣＮ又は−ＮＯ₂ を表わし、夫々のｊ
ｂ、ｍｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。

【００６２】Ｊ² は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ
−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa
−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd 、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −、
−ＳＯ₂ −Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ
_2pb+1 ）−ＳＯ₂ −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ
_2pb+1 ）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２
０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）に独立
に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４
である。

【００６３】Ｒ⁴ は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ
_qdＨ_2qd+1 、−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1 ，
−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−ＣＯ
−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc −
Ｒ⁶ を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い
（但し、Ｒ⁶ は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−ＣＯ−Ｏ
−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ₂ 、
−ＣＮ又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２
０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。

【００６４】Ｒ⁵ は、（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ
_2ya+1 で表わされる（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの
（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１
〜１０であり、ｚａは１〜１０である）。〕 なお、このカイラルスメクチック液晶組成物中には、そ
の他の化合物、例えば染料、顔料、酸化防止剤、紫外線
吸収剤等の添加物を含有することが可能である。また、
上記配向膜とは別に一対の基板間のショート防止層とし
て、有機物または無機物から成る絶縁層が対向基板側の
配向膜３０の下側（基板側）に形成されていても良い。

【００６５】ところで、液晶素子において、液晶組成物
としてコレステリック相を持たない材料を選択した場
合、液晶物質の等方相−スメクチック相転移でバトネが
徐々に発生しながら配向状態を形成するが、この際非対
称な配向膜構成、より好ましくは液晶を挟持する基板の
一方が一軸配向処理の施された表面を持ち、他方には表
面に一軸配向処理がなされないという非対称構成とした
方が、一方の基板からバトネが発生しはじめ、他方の基
板側へ成長していくという状態を現出し、良好な均一配
向を実現し易い。

【００６６】このことから、本実施の形態においては、
既述したようにＴＦＴ基板２及び対向基板３において異
なる配向材料を用い異なる配向処理を施こしている。即
ち、構造上平面性の良い対向基板３に設けられた配向膜
３０は一軸配向処理が施されているのに対して、ＴＦＴ
２２が設けられ、相対的に段差が多く生じているＴＦＴ
基板２側の配向膜２０は一軸配向処理が施こされていな
い非対称構成として液晶の配向状態を制御するようにし
ている。そして、このように構成することで微細な配向
欠陥の発生や反転ドメイン、ゆらぎの発生等が効果的に
防止され、均一な液晶配向状態、駆動特性が得られる。

【００６７】ここで、上述した一軸配向処理を施した基
板Ａに対し、ＴＦＴ基板Ｂ及びＣを用い液晶素子１Ａを
作製した。一軸配向処理が施された配向膜３０を有する
基板Ａである対向基板３上にスペーサーとして、図１に
示す平均粒径２．０μｍのシリカビーズ４を散布した
後、基板Ｂ又はＣであるＴＦＴ基板２を貼り合わせてセ
ル化を行い、これに液晶を注入し、さらに封止、周辺駆
動部実装等を施すことにより液晶素子１Ａを作製した。

【００６８】なお、液晶としては、下記化合物Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ及びＥを成分とする組成物を用いた。

【００６９】

【化６】 なお、このように構成された液晶素子１Ａは、液晶１の
層の傾斜角δは６°以下であり、実質的にブックシェル
フ構造に近い構造を示した。ここで、この液晶１は非双
安定状態（単安定）となり、ＴＦＴによるアクティブ駆
動のもとで階調表示が達成された。

【００７０】また、ＴＦＴ部分による段差が０．７μあ
ったにもかかわらず、ディスクリネーション、ジグザグ
欠陥等の配向欠陥も少なく、偏光度９９．９８のクロス
ニコル偏光板５のもとで５０以上のハイコントラストが
得られた。一方、市松パターンテスト信号表示（ＤＣ成
分０．１Ｖ以下の駆動信号）にて１００時間の連続耐久
駆動を実施したところ、焼く付き現象の発生は皆無であ
った。

【００７１】一軸配向処理を施さないＴＦＴ基板２の配
向層２０は、表面エネルギーは対向基板側の配向膜３０
に比べて小さくなっている。ここで、このように配向層
２０の表面エネルギーを対向基板側の配向膜３０に比べ
て小さくすることにより、より良好な配向状態を実現す
ることができる。

【００７２】また、少なくとも一方の配向制御層である
ＴＦＴ基板２の配向層２０に、導電化成分である導電性
制御不純物としてのアンチモンを添加することにより、
配向層２０の導電率を高めるようにしている。そして、
このように配向層２０の導電率を高めることにより、
「内部反電界」の低減を図ることができ、従来の強誘電
性液晶より自発分極の大きい強誘電性液晶を使用するこ
とができる。これにより、より高速のスイッチングを可
能にすると共に、前述した「焼き付き」の防止をも実現
することができる。

【００７３】ところで、このような構成の液晶素子１Ａ
は、パーソナルコンピューター、ワークステーション用
ディスプレイ及び液晶プロジェクター用等の各種表示素
子をその主な用途として種々応用展開することが出来
る。また、その他の用途としては、例えばプリンター用
等のライトバルブとしても用いることも可能である。

【００７４】次に、このような液晶素子１Ａを表示パネ
ル部に使用した液晶装置の一例である継時加法混色カラ
ー液晶表示装置について説明する。

【００７５】図２は、このような継時加法混色カラー液
晶表示装置を示す概略図であり、この液晶表示装置は、
カラーフィルタを備えていないカラーフィルターレス液
晶素子１Ａより成る液晶表示パネル１０と、その背面側
にＲＧＢ各原色にて発光する面状発光部４１を有する色
バックライトであるバックライト４０とを備えている。

【００７６】ここで、この液晶表示パネル１０はアクテ
ィブマトリックス構成からなり、液晶１としては単安定
モードの強誘電性液晶を用いている（以後ＦＬＣと呼
ぶ）。この液晶表示パネル１０は、多数の画素１１を有
している。そして、各画素１１のＦＬＣは、図１に示す
ＴＦＴ基板２のＴＦＴ２２、画素電極２３、情報ライン
電極２４、走査ライン電極２５及び対向基板３の対向透
明電極３３により、いわゆるアクティブマトリックス駆
動されるようになっている。

【００７７】また、バックライト４０は、ＲＧＢ−３原
色発光のＬＥＤ９を光源とするものであり、導光板と拡
散板による光反射及び散乱作用により面状発光し、ＬＥ
Ｄ９を色毎に順次点灯することにより、色切り換え型の
ＲＧＢ原色面状発光を可能にしたものである。また、Ｒ
ＧＢ原色ＬＥＤ色切り換え点灯回路４２を備えており、
タイミング制御信号により任意にバックライト光の色切
り換え動作ができるようになっている。

【００７８】一方、液晶表示パネル１０とバックライト
４０の駆動系は、図３に示すように構成されている。な
お、同図において、５１は情報ラインドライバーであ
り、情報ライン電極２４を通じて画像表示信号を各画素
に伝送するようになっている。また、５２は走査ライン
ドライバーであり、走査ライン電極２５を通じて走査ラ
イン上の各ＴＦＴ２２を駆動するようになっている。

【００７９】さらに、５３は液晶駆動信号発生回路、５
４はタイミングコントローラー５４であり、これら各回
路５３，５４が液晶表示パネル１０の周辺に配置されて
いる。

【００８０】なお、同図に示す、外部から加わるクロッ
ク、制御信号、温度制御信号は不図示のＭＣＵ（制御マ
イコン）を中心とした総括制御回路からのものである。
また、デジタルＲＧＢ画像信号についてはパソコン及び
ビデオ機器とのやはり不図示のインターフェース回路か
らのものであり、画像フレームメモリーからの読み出し
をフレーム毎にＲＧＢ順に行ったシリアル変換後の原色
画像信号である。

【００８１】そして、このような駆動系において、まず
タイミングコントローラー５４からの制御信号により、
液晶表示パネル１０の各水平ライン画素を走査ラインド
ライバー５２により走査ライン電極２５および各ＴＦＴ
２２を通じて順次スキャン駆動していく。なお、この
際、同時に各水平ライン画素（水平方向に並ぶ１画素
列）に適宜画像表示信号が供給されるように、各情報ラ
イン電極２４に情報ラインドライバー５１により各画像
表示信号が供給される。

【００８２】その結果、各画素電極に画像表示信号（電
圧）が供給され、これに対応した液晶の応答および表示
動作が起こる。さらに、このような画像表示信号書き込
み動作に同期して、バックライト４０も色切り換え点灯
回路４２により該書き込み画像表示信号（原色）に対応
した発光色にて点灯し、同原色の画像表示信号を表示し
ている液晶パネル１０を照明する。

【００８３】このような駆動がフレーム順次でＲＧＢ順
に繰り返され、フレーム画像はＲＧＢ順次に切り替わっ
て行く。該フレーム周期としてはフリッカー限界を越え
るべく１８０Ｈｚ（６０×３）相当以上に設定するのが
好ましく、このようにすることによりいわゆる継時加法
混色カラー表示が発現する。

【００８４】ここで、この継時加法混色の利点として
は、ＲＧＢの混色が従来のような空間的モザイク配列に
よるものではなく、同一の画素にて行われるため、画素
構造も目立ちい難くなり、全く色ズレのない、理想的な
混色が行われる。一方、フレーム周期は徒来の１／３以
下となるため、液晶の応答速度もこれに対応できること
が必要になるが、この点は前述したようにモードによら
ずＦＬＣの特徴として全く問題はない（但し、通常のＴ
Ｎ−ＬＣでは応答出来ない）。

【００８５】ところで、このように構成された継時加法
混色カラー液晶表示装置の液晶素子１Ａでは、既述した
ように単安定モードを採用しているが、このモードの概
念図を図４に示す。

【００８６】同図において、ＰとＡはクロスニコルのポ
ラライザーとアナライザーの偏光方向を表している。８
は、ＦＬＣ分子を模式的に表しており、Ｐに沿った分子
の向きが、単安定状態の方向（ホームポジション）であ
り、黒表示状態となる。そして、このＦＬＣに書き込み
電圧Ｖｗを印可すると、ＦＬＣ分子８は角度θａチルト
する。ここで、このチルト角θａは、ＦＬＣ分子８のス
プレー弾性と書き込み電圧Ｖｗによる駆動力とのバラン
スにより決まるため、飽和値までは書き込み電圧Ｖｗと
比例的関係となる。従って、透過光強度も書き込み電圧
Ｖｗとほぼ比例的関係を持ち、書き込み電圧Ｖｗの値に
より濃淡の中間調を表示することが可能となる。

【００８７】一方、書き込み後には次の書き込みへの影
響を無くすため、上記ホームポジションに戻すことが好
ましく、この為に所定の逆電圧ＶｒをＶｗ印加の直前に
印可している。なお、この逆電圧Ｖｒは液晶セルに対す
るＤＣ分をキャンセルするべく書き込み電圧Ｖｗと逆極
性で絶対値が等しい電圧とすることが好ましい。また、
単安定のためＦＬＣ分子は書き込み電圧Ｖｗのｏｆｆの
みでもホームポジションに戻るが、より早く戻す為にも
この逆電圧Ｖｒを掛けたほうが好ましい。

【００８８】以上説明したように、カラーフィルターレ
ス表示パネル１０とバックライト４０とを組み合わせ、
各ＲＧＢ原色画像表示を交互にかつフレーム順次で行う
ことにより、フルカラー自然動画画像の表示を行ったと
ころ、質感と動画レスポンスに優れたシャープな映像が
得られた。また、連続１００時間の長期間の表示に於い
ても焼き付き現象の生じない安定した映像が得られた。

【００８９】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、液晶
を挟持する一対の基板の一方の基板に一軸配向処理がな
されていない配向制御層を設け、他方の基板に一軸配向
処理のなされた配向制御層を設けて液晶の配向状態を制
御することにより、微細な配向欠陥の発生や反転ドメイ
ン、ゆらぎの発生等を防止することができ、これにより
高いコントラストを実現すると共に焼き付きの発生し難
い液晶素子、特にカイラルスメクチック液晶を用いた液
晶素子及びこれを備えた液晶装置を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る液晶素子の拡大断面
図。

【図２】上記液晶素子を用いた継時加法混色カラー液晶
表示装置を示す概略図。

【図３】上記液晶素子を用いた継時加法混色カラー液晶
表示装置の駆動系ブロック図。

【図４】上記液晶素子に用いられるＦＬＣの単安定モー
ドの説明図。

【符号の説明】

１Ａ 液晶素子 １ 液晶 ２ ＴＦＴ基板 ３ 対向基板 １０ 液晶表示パネル １１ 画素 ２０ 配向膜（１軸配向処理無し） ２２ ＴＦＴ ３０ 配向膜（１軸配向処理有り） ４０ バックライト ４２ 色切り換え点灯回路 ５３ 液晶駆動信号発生回路

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に液晶を挟持してなると共
   に複数の画素を有する一方、前記一対の基板の一方に前
   記画素の夫々に対応して能動素子を設けた液晶素子にお
   いて、 前記能動素子が設けられた一方の基板の表面に一軸配向
   処理がなされない配向制御層を、前記一対の基板の他方
   の基板の表面に一軸配向処理が施された配向制御層をそ
   れぞれ設けたことを特徴とする液晶素子。
2. 【請求項２】 前記一対の基板間に挟持される液晶が、
   カイラルスメクチック相を示す液晶であることを特徴と
   する請求項１記載の液晶素子。
3. 【請求項３】 前記カイラルスメクチック相を示す液晶
   は降温下でコレスティリック相をとらない液晶であるこ
   とを特徴とする請求項２記載の液晶素子。
4. 【請求項４】 前記能動素子が薄膜トランジスタである
   ことを特徴とする請求項１記載の液晶素子。
5. 【請求項５】 前記カイラルスメクチック相を示す液晶
   が、フルオロカーボン末端部分及び炭化水素末端部分を
   有し、該両末端部分が中心核によって結合され、スメク
   チック中間層または潜在的スメクチック中間層を持つフ
   ッ素含有液晶化合物を含有するカイラルスメクチック組
   成物からなることを特徴とする請求項２又は３記載の液
   晶素子。
6. 【請求項６】 前記フッ素含有液晶化合物が、以下の一
   般式（Ｉ）で表わされることを特徴とする請求項５記載
   の液晶素子。 【化１】 を表わす。ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数（但
   し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表わ
   す。夫々のＬ¹ とＬ² は独立に、単結合、−ＣＯ−Ｏ
   −、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ
   −Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔｅ−
   ＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ
   −、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−
   Ｏ−ＣＨ₂ −、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ
   ¹ 、Ｙ¹ 、Ｚ¹ はＡ¹ 、Ａ² 、Ａ³ の置換基であり、独
   立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−Ｏ
   ＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、−ＣＮ又は−ＮＯ₂ を表わし、夫々
   のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の整数を表わす。Ｊ
   ¹ は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）
   _ra−、−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂
   −、−ＳＯ₂ −（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−
   Ｏ−（ＣＨ₂ ）_rb−、−（ＣＨ２）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
   _2pa+1 ）−ＳＯ₂ −、又は−（ＣＨ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
   _2pa+1 ）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１
   〜２０であり、ｐａは０〜４である。Ｒ¹ は、−Ｏ−Ｃ
   _qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qb
   Ｈ_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³ 、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ
   ³ 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ
   _qaＨ_2qa −Ｒ³ を表わし、直鎖状、分岐状のいずれであ
   っても良い（但し、Ｒ³ は、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ
   _2qb+1 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−Ｈ、−Ｃｌ、−
   Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ₂ 、−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑ
   ｂは独立に１〜２０である）。Ｒ² はＣ_xaＦ_2xa-Ｘを表
   わす（Ｘは−Ｈ又は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整
   数である）。〕
7. 【請求項７】 前記フッ素含有液晶化合物が、下記一般
   式（ＩＩ）で表わされることを特徴とする請求項５記載
   の液晶素子。 【化２】 を表わす。ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３の
   整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２である）
   を表わす。夫々のＬ³ 、Ｌ⁴ は独立に、単結合、−ＣＯ
   −Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
   −ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
   Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ ）_ka−（ｋａは１〜
   ４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
   Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、−ＣＯ
   −又は−Ｏ−を表わす。夫々のＸ² 、Ｙ² 、Ｚ² はＡ
   ⁴ 、Ａ⁵ 、Ａ⁶ の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、
   −Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、
   −ＣＦ₃ 、−ＯＣＦ₃ 、−ＣＮ又は−ＮＯ₂ を表わし、
   夫々のｊｂ、ｍｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わ
   す。Ｊ² は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−Ｃ_rcＨ
   _2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）_ta
   −Ｃ_rdＨ_2rd 、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂
   −Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1 ）−
   ＳＯ₂ −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1 ）−ＣＯ−
   であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２０であり、ｓａは
   それぞれの（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）に独立に１〜１０であ
   り、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。Ｒ⁴
   は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−
   （Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1 ，−Ｃ_qcＨ_2qc −
   Ｒ⁶ 、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qcＨ
   _2qc −Ｒ⁶又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ を表わ
   し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
   ⁶ は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qdＨ
   _2qd+1 、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ₂ 、−ＣＮ又
   は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２０の整
   数、ｗａは１〜１０の整数である）。Ｒ⁵ は、（Ｃ_xbＦ
   _2xb −Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ_2ya+1 で表わされる（但し、上記
   式中ｘｂはそれぞれの（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）に独立に１〜
   １０であり、ｙａは１〜１０であり、ｚａは１〜１０で
   ある）。〕
8. 【請求項８】 前記一対の基板間に挟持される液晶が、
   強誘電性液晶であることを特徴とする請求項１記載の液
   晶素子。
9. 【請求項９】 前記一対の基板の夫々に設ける配向制御
   層は、基板間で表面エネルギーが異なる膜であることを
   特徴とする請求項１記載の液晶素子。
10. 【請求項１０】 前記一軸配向処理がなされない配向制
    御層の表面エネルギーが、前記一軸配向処理が施された
    配向制御層の表面エネルギーよりも小さいことを特徴と
    する請求項９記載の液晶素子。
11. 【請求項１１】 前記一対の基板の夫々に設けられた配
    向制御層のうち少なくとも一方が導電化成分を含んでい
    ることを特徴とする請求項１記載の液晶素子。
12. 【請求項１２】 前記液晶の配向状態が非双安定（単安
    定）状態であることを特徴とする請求項１記載の液晶素
    子。
13. 【請求項１３】 液晶素子と、前記液晶素子を駆動する
    ための駆動手段と、前記液晶素子の背面側に設けられ、
    赤、緑、青の３原色を発光する色バックライトとを具備
    した液晶装置において、 前記液晶素子は、少なくとも請求項１乃至１２のいずれ
    かに記載の液晶素子であることを特徴とする液晶装置。