JPH11190847A

JPH11190847A - 液晶素子

Info

Publication number: JPH11190847A
Application number: JP35875697A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Mihara; 正三原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-12-26
Filing date: 1997-12-26
Publication date: 1999-07-13

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶素子においてセル内における液晶分子の
移動を防止すると同時に、カイラルスメクチック液晶素
子における、ＤＣ電界や絶縁層に蓄積された電荷による
スイッチング不良を防止する。【解決手段】それぞれにストライプ状の透明電極１
１、２１と配向膜を１４、２４を形成した一対の基板１
１、２１間を、接着性樹脂からなる隔壁部材１５によっ
て接着すると同時に、該基板間隔を保持し、且つ、上記
隔壁部材１５を形成する接着性樹脂に導電性微粒子を添
加して該隔壁部材１５の導電性を液晶化合物１６の導電
性よりも一桁以上高くすることにより、ＤＣ電界や電荷
をリークする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置や液
晶光シャッター等に用いる液晶素子に関し、特に自発分
極の作用を利用して駆動する強誘電性液晶（ＦＬＣ）や
反強誘電性液晶等カイラルスメクチック液晶を用いた液
晶素子に好適な液晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータのディス
プレイや小型テレビに用いられる表示装置として、薄型
軽量の液晶表示装置が注目されている。さらに、この液
晶表示装置は、壁掛けテレビやコンピュータ用の大型の
ディスプレイとしての用途も期待されている。

【０００３】液晶表示装置における表示容量の大型化に
際しての問題点は、第１に従来多く用いられているＴＮ
型もしくはＳＴＮ型液晶は、視角依存性があるために画
面の上下左右や見る位置によって色が違って見えたり、
コントラスト比が落ちてしまうことである。

【０００４】また、１４インチを超える大きさになる
と、液晶素子を縦置きにした状態で使用していると、液
晶が自重で下に溜ってくる。そしてこの液晶が下に溜っ
てくる力でセル厚を押し広げ、セル厚むらを発生させ
る。これにより液晶素子の表示品位を著しく低下させる
という問題があった。

【０００５】さらに、従来のＴＮ型液晶が持つ根本的な
画質問題を解決するものとして、クラークとラガーウォ
ルによる米国特許第４，３６７，９２４号明細書に記載
されているような、双安定性を有する強誘電性液晶素子
が知られている。この強誘電性液晶としては使用状態に
おいてカイラルスメクチック相を呈するカイラルスメク
チック液晶が知られている。この液晶は、理想的には二
つの安定状態のいずれかに安定しようとして、中間的な
分子位置を取りにくい。

【０００６】また、上記強誘電性液晶素子は、印加電界
の下で分子が基板の面方向に移動することがある。この
ような移動が起こると、液晶素子のセル厚（液晶材料を
挟む基板間隔）が変動し、画面内が黄色に色付いて見え
る「黄変」という現象が生じる。

【０００７】また、カイラルスメクチック液晶では、対
向する電極間にわずかなＤＣ（直流）電界が印加されて
もスイッチングの妨げとなり、画質が著しく低下すると
いう問題があった。これを防止するために、ＤＣ電界が
液晶層に常に印加されないよう絶縁層を電極上に形成す
ると、カイラルスメクチック液晶の持つ自発分極（Ｐ
ｓ）の影響でこの絶縁層に電荷が蓄積し、この電荷の蓄
積が液晶のスイッチングを妨げるために、画質が低下し
てしまうという問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した、従来、液晶素子を大画面にした時や長時間使用し
た時のセル厚むらの発生を防止し、同時に、液晶のＴＮ
型液晶における焼き付きの問題やカイラルスメクチック
液晶におけるＤＣ電界や絶縁層に蓄積された電荷による
スイッチング不良を防止することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、それぞれに電
極を有する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶素子
であって、上記一対の基板間隔が該基板にそれぞれ接着
された隔壁部材によって保持され、且つ該隔壁部材が導
電性を有することを特徴とする液晶素子である。

【００１０】本発明においては、上下基板を接着し且つ
上下基板間隔を一定に保持する隔壁部材を形成すること
により、セル厚むらの発生を防止することができる。ま
た、液晶の流れを堰き止める方向にストライプ状に該隔
壁を形成すれば、液晶の流れ自体を防止でき、良好な表
示を保つことができる。

【００１１】また、本発明においては、上記隔壁部材に
導電性を持たせることにより、液晶層にＤＣ電界が印加
された場合でも、当該隔壁部材によって該ＤＣ電界をリ
ークし、液晶層に印加されるのを防止して、耐久性、表
示品位の優れた液晶素子とすることができる。また、カ
イラルスメクチック液晶の持つ自発分極による内部電界
が発生しても、該隔壁部材によってリークし、液晶層に
該内部電界が印加されるのを防止して、スイッチング不
良を防止することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１に本発明の液晶素子の一実施
形態の部分断面模式図を示す。図中、１１，２１は基
板、１２，２２はストライプ状の電極、１３は絶縁層、
１４，２４は配向膜、１５は隔壁部材、１６は液晶化合
物である。

【００１３】本発明において、基板１１，２１としては
通常用いられるガラス基板が用いられるが、これに限定
されるものではなく、透明性や強度等必要な特性を備え
ていればプラスチックなども好ましく用いられる。ま
た、電極１２，２２は通常ＩＴＯ等透明導電材で形成さ
れ、本実施形態において、電極１２は紙面に平行に、電
極２２は紙面に垂直方向にストライプ状に形成され、互
いに直交するように配置されている。

【００１４】配向膜１４，２４は、少なくとも一方の基
板の液晶との界面に設けられ、通常一軸配向処理を施さ
れる。該配向膜の形成方法としては、例えば基板上に溶
液塗工または蒸着、スパッタリング等により、一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、ジルコニア、
フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、
シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの
無機物やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリイミ
ドアミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエステルイ
ミド、ポリパラキシレン、ポリカーボネート、ポリビニ
ルアセタール、ポリビニルクロライド、ポリスチレン、
ポリシロキサン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ウレ
ア樹脂、アクリル樹脂などの有機物を用いて被膜形成し
た後、表面をビロード、布或いは紙等の繊維状のもので
摺擦（ラビング）することにより得られる。また、Ｓｉ
Ｏ等の酸化物或いは窒化物などを基板の斜方から蒸着す
る、斜方蒸着法なども用いられ得る。また、自発分極Ｐ
ｓのスイッチングに伴って発生する反電場の大きさを抑
制し、良好なスイッチング性能を有する観点で、配向膜
の膜厚は２００Å以下が好ましい。望ましくは１００Å
以下である。

【００１５】本発明において好ましく選択される上記配
向膜の素材としては、以下の一般式Ｐで表わされる繰り
返し単位を有するポリイミドが挙げられる。

【００１６】

【化１】

【００１７】また、上記したポリイミドの具体的構造と
しては、例えば以下の繰り返し単位構造を有する重合体
が挙げられる。

【００１８】

【化２】

【００１９】

【化３】

【００２０】

【化４】

【００２１】

【化５】

【００２２】本発明においては、好ましくは、基板上の
少なくとも一方の配向膜に、導電性微粒子を分散させる
等の手段により導電性を付与し、好ましくは液晶層の導
電性よりも１０倍以上高い導電性とすることが好まし
い。こうして隔壁部材と同様に液晶層に加わるＤＣ電界
をリークさせることができる。尚、この場合、配向膜と
下層の電極間には配向膜の導電性に応じて絶縁層を設け
ることが望ましい。例えば導電性制御不純物が添加され
た酸化物等の導電性微粒子を、母材中に分散させてなる
材料の膜を用いる。具体的には、シリカ或いはシロキサ
ンポリマー等の母材中に必要に応じてＳｂ等の導電性不
純物をドープしたＳｎＯ₂ 等の酸化物の微粒子を分散し
た塗布型の膜を用いることができる。

【００２３】本発明においては、必要に応じて絶縁層１
３や、パッシベーション層（図示せず）を形成しても良
い。絶縁層１３の膜厚は好ましくは１００〜２０００Å
である。

【００２４】また、上記パッシベーション層を設ける場
合には、好ましくは誘電率が１０以上の高誘電率誘電体
薄膜を用いる。かかる薄膜は、特に液晶としてカイラル
スメクチック液晶を用いる場合に、ショート防止及び液
晶に印加される駆動実効電圧低下を抑制する観点で好適
である。当該高誘電率誘電体薄膜の材料の具体例として
は、ＴａＯ_x 、ＳｒＴｉＯ₃ 、ＢａＴａ₂ Ｏ₆ 等が挙げ
られる。

【００２５】本発明においては、隔壁部材１５を用いて
上下基板の間隔（セルギャップ保持）及び上下基板の接
着を行う。該隔壁部材１５には上記配向膜と同様に、導
電性微粒子を分散させる等の手段により導電性を付与
し、好ましくは液晶層の導電性よりも１０倍以上高い導
電性とすることが好ましい。隔壁部材に分散させる導電
性微粒子としては、ＳｎＯ₂粒子、カーボン粒子、スズ
をメッキしたＳｉＯ₂粒子等が用いられる。該微粒子の
平均粒径は好ましくは０．１〜１μｍであり、配向膜へ
の添加量は５〜３０重量％程度が好ましい。

【００２６】また、上記導電性微粒子を分散させる母材
としては、接着樹脂、例えばポリイミド、ポリアミド、
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等が好ましく用いられ
る。これら接着樹脂は、通常のフォトリソ工程により容
易にパターニングして所望の形状を形成することができ
る。

【００２７】本発明において隔壁部材１５は、ストライ
プ状或いはドット状に形成されるが、好ましくは、画素
の開口率を低下させないように、一方の基板上の電極
（本実施形態では電極２２）の間隙に形成する。隔壁部
材１５の高さ、即ちセルギャップは例えばカイラルスメ
クチック液晶を用いる場合で５μｍ以下に形成される。
本発明に用いられる液晶としては、ＴＮモードやＳＴＮ
モードに用いられるネマチック液晶、またはスメクチッ
ク液晶、特に強誘電性や反強誘電性を示すカイラルスメ
クチック液晶が用いられる。カイラルスメクチック液晶
として、例えば、フルオロカーボン末端部分と炭化水素
末端部分を有し、該両末端部分が中心核によって結合さ
れ、スメクチック中間相或いは潜在的スメクチック中間
相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する液晶組成物が
好適に用いられる。このような液晶材料としては、国際
公開ＷＯ８６−０４０６０、特開平４−２７２９８９号
公報、米国特許第５，２６２，０８２号、ＷＯ９３／２
２３９６、ＷＯ９５／１７４８１に開示の化合物が挙げ
られる。

【００２８】また、本発明で用いる液晶中には、その他
の化合物、例えば染料、顔料、酸化防止剤、紫外線吸収
材等の添加物を必要に応じて加えることが可能である。

【００２９】本発明の液晶素子は、基板１１、２１にそ
れぞれ電極１２、２２、絶縁層１３、配向膜１４、２４
等必要な部材を作り込み、一方の基板（２１）に隔壁部
材１５を形成し、一方の基板の周縁部にシール材を描画
して両基板を重ね、加圧・加熱してシール材及び上記隔
壁部材１５を硬化して得られたセルに、液晶を注入し、
該液晶注入口を封止して得られる。また、本発明の液晶
素子は通常、一対の偏光板の間に挟持して用いる（透過
型の場合）。

【００３０】上記実施形態においては、単純マトリクス
構造の液晶素子について説明したが、本発明は当該電極
構造の液晶素子に限定されるものではなく、ＴＦＴ等ス
イッチング素子を用いたアクティブマトリクスタイプの
液晶素子にも適用し得るものである。

【００３１】また、本発明は上記実施形態の構成に限定
されるものではなく、本発明の請求項１において限定し
た構成以外は従来の液晶素子の技術を適用することがで
きる。

【００３２】本発明の液晶素子は種々の機能を持った液
晶装置を構成するが、図２、図３に示した走査線アドレ
ス情報を持つ画像情報なるデータフォーマット及びＳＹ
Ｎ信号による通信同期手段を取ることにより液晶表示装
置を実現する。図中の符号はそれぞれ以下の通りであ
る。

【００３３】１０１液晶表示装置１０２グラフィックコントローラ１０３表示パネル１０４走査線駆動回路１０５情報線駆動回路１０６デコーダ１０７走査信号発生回路１０８シフトレジスタ１０９ラインメモリ１１０情報信号発生回路１１１駆動制御回路１１２ＧＣＰＵ１１３ホストＣＰＵ１１４ＶＲＡＭ画像情報の発生は、本体装置側のグラフィックコントロ
ーラ１０２にて行われ、図２及び図３に示した信号転送
手段（画像情報通信タイミングチャート）に従って表示
パネル１０３へと転送される。グラフィックコントロー
ラ１０２は、ＣＰＵ（中央演算処理装置、ＧＣＰＵと略
す。）及びＶＲＡＭ（画像情報格納用メモリ）１１４を
核にホストＣＰＵ１１３と液晶表示装置１０１間の画像
情報の管理や通信を司っている。尚、該表示パネルの裏
面には、光源が配置されている。

【００３４】本表示装置は表示媒体である本発明の液晶
素子が良好なスイッチング特性を有するため、優れた駆
動特性、信頼性を発揮し、高精細、高速、大面積の表示
画像を得ることができる。

【００３５】本発明の液晶素子の駆動法としては、例え
ば特開昭５９−１９３４２６号公報、特開昭５９−１９
３４２７号公報、特開昭６０−１５６０４６号公報、特
開昭６０−１５６０４７号公報などに開示された駆動法
を適用することができる。

【００３６】図６は、上記駆動法の波形図の一例であ
る。また、図５は、マトリクス電極を配置した本発明の
液晶素子の一例の平面図である。図５の液晶パネル５１
には、走査電極群５２の走査線と情報電極群５３のデー
タ線とが互いに交差して配線され、その交差部の走査線
とデータ線との間にはカイラルスメクチック液晶が配置
されている。

【００３７】図６（Ａ）中のＳ_S は選択された走査線に
印加する選択走査波形を、Ｓ_N は選択されていない非選
択走査波形を、Ｉ_S は選択されたデータ線に印加する選
択情報波形（黒）を、Ｉ_N は選択されていないデータ線
に印加する非選択情報信号（白）を表わしている。ま
た、図中（Ｉ_S −Ｓ_S ）と（Ｉ_N −Ｓ_S ）は選択された
走査線上の画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉ_S −Ｓ
_S ）が印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（Ｉ
_N −Ｓ_S ）が印加された画素は白の表示状態をとる。

【００３８】図６（Ｂ）は図６（Ａ）に示す駆動波形
で、図４に示す表示を行った時の時系列波形である。

【００３９】図６に示す駆動例では、選択された走査線
上の画素に印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔ
が書込み位相ｔ₂ の時間に相当し、１ラインクリヤｔ₁
位相の時間が２Δｔに設定されている。

【００４０】さて、図６に示した駆動波形の各パラメー
タＶ_S ，Ｖ_I ，Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチ
ング特性によって決定される。

【００４１】図７は後述するバイアス比を一定に保った
まま駆動電圧（Ｖ_S ＋Ｖ_I ）を変化させた時の透過率Ｔ
の変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここでは
Δｔ＝５０μｓｅｃ、バイアス比Ｖ_I ／（Ｖ_I ＋Ｖ_S ）
＝１／３に固定されている。図７の正側は図６で示した
（Ｉ_N −Ｓ_S ）、負側は（Ｉ_S −Ｓ_S ）で示した波形が
印加された際の最終的な状態の素子の透過率を示す。
尚、波形（Ｉ_N −Ｓ_S ）及び（Ｉ_S −Ｓ_S ）ではＶ_R に
より前状態がクリアされ、それぞれＶ_B1，Ｖ_B2により次
の書込み状態が決定される。正側は前状態が黒（透過率
が小さい状態）であり、負側は前状態が白（透過率が大
きい）状態であり、いずれもリセットにより白状態とな
る。

【００４２】ここで、Ｖ₁ ，Ｖ₃ をそれぞれ実駆動しき
い値電圧及びクロストーク電圧と呼ぶ。また、Ｖ₂ ＜Ｖ
₁ ＜Ｖ₃ の時、Ｍ２（Ｖ）＝（Ｖ₃ −Ｖ₁ ）／（Ｖ₃ ＋
Ｖ₁）を電圧マージンパラメータと呼び、マトリクス駆
動可能な電圧幅のパラメータとなる。Ｖ₁ は図６（Ａ）
のＶ_B2によりスイッチングを起こす電圧値である。Ｖ₃
はカイラルスメクチック液晶素子駆動上、一般的に存在
すると言ってよい。具体的には、図６（Ａ）（Ｉ_N −Ｓ
_S ）の波形におけるＶ_B1によるスイッチングを起こす電
圧値である。もちろん、バイアス比を大きくすることに
よりＶ₃ の値を大きくすることは可能であるが、バイア
ス比を増すことは情報信号の振幅を大きくすることを意
味し、画質的にはちらつきの増大、コントラストの低下
を招き好ましくない。

【００４３】本発明者の検討では、バイアス比１／３〜
１／４程度が実用的であった。ところで、バイアス比を
固定すれば、電圧マージンパラメータＭ２（Ｖ）は液晶
材料のスイッチング特性及び素子構成に強く依存し、Ｍ
２（Ｖ）の大きい素子がマトリクス駆動上非常に有利で
あることは言うまでもない。

【００４４】また、同様に上述した電圧を一定に保ち、
電圧印加時間Δｔを変化させていくことにより、駆動す
ることも可能である。上述した電圧をそのまま電圧印加
時間とすればよく、その際電圧印加時間しきい値をΔｔ
₁ とし、電圧印加時間クロストーク値をΔｔ₂ とし、
（Δｔ₂ −Δｔ₁ ）／（Δｔ₂ ＋Δｔ₁ ）＝Ｍ２（Δ
Ｔ）を電圧印加時間マージンパラメータという。

【００４５】このようなある一定温度において、情報信
号の２通りの向きによって選択画素に「黒」及び「白」
の２状態を書き込むことが可能であり、非選択画素はそ
の「黒」または「白」の状態を保持することが可能であ
る電圧マージンまたは電圧印加時間マージンは液晶材料
及び素子構成によって差が有り、特有なものである。ま
た、環境温度の変化によっても駆動マージンはズレてい
くため、実際の表示装置の場合、液晶材料、素子構成や
環境温度に対して最適な駆動条件にしておく必要があ
る。

【００４６】

【実施例】［実施例１］下記液晶性化合物（ａ）〜
（ｅ）を使用し、液晶組成物ＦＬＣ−１を調整した。

【００４７】

【化６】

【００４８】尚、上記自発分極は、Ｋ．ミヤサト他「三
角波による強誘電性液晶の自発分極の直接測定方法」
（日本応用物理学会誌、２２、１０号（６６１）１９８
３、”ＤｉｒｅｃｔＭｅｔｈｏｄｗｉｔｈＴｒｉ
ａｎｇｕｌａｒＷａｖｅｓｆｏｒＭｅａｓｕｒｉｎ
ｇＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓＰｏｌａｒｉｚａｔｉｏ
ｎｉｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ”，ａｓｄｅｓｃｒｉｂｅｄｂｙ
Ｋ．Ｍｉｙａｓａｔｏｅｔａｌ．（Ｊａｐ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１０，Ｌ６６１（１
９８３）））によって測定した。

【００４９】本実施例に使用する４種類の基板を以下の
ごとく作製した。

【００５０】基板Ａ：厚さ１．１ｍｍのガラス基板上に
透明電極として１５０ｎｍの厚みのＩＴＯ膜を形成し、
パターニングして幅２００μｍ、間隙１０μｍのストラ
イプ状電極を形成した。その上に９００Å厚のＴａＯ_x
膜をスパッタ法で形成し、さらにスピンコート法により
配向膜を形成した。該配向膜は、１回目が５００ｒｐｍ
で１０ｓｅｃ、２回目が１５００ｒｐｍで３０ｓｅｃの
条件で下記繰り返し単位を有する化合物の前駆体の０．
５重量％溶液を塗布し、８０℃で５分間の前乾燥の後、
２００℃で１時間加熱焼成して得た。この時の膜厚は５
ｎｍであった。この膜に対して、一軸配向処理としてナ
イロン布によりラビング処理を施した。

【００５１】

【化７】

【００５２】基板Ｂ：厚さ１．１ｍｍのガラス基板上に
透明電極として１５０ｎｍの厚みのＩＴＯ膜を形成し、
パターニングして幅２００μｍ、間隙１０μｍのストラ
イプ状電極を形成した。その上にスピンコート法により
配向膜を形成した、該配向膜は、ラダー型のポリシロキ
サン母材中にＳｎＯ₂ の超微粒子（粒径１００Å）を６
０重量％分散し、その１０重量溶液を膜厚２０００Åと
なる条件で塗布し、８０℃で５分間の前乾燥を行った
後、２００℃で１時間加熱乾燥を施して得た。

【００５３】基板Ｃ：基板Ｂ上に、ＰＶＡ溶液（東洋合
成工業社製「ＳＰＰ−７７６」）中に導電性微粒子（触
媒化成社製のＳｎＯ₂ビーズを円心分離機を用いて０．
１μｍ以下のものだけを取り出して用いた。）を２０重
量％となるように分散させたものをスピンナーで５００
ｒｐｍ、２０ｓｅｃの条件で塗布し、１００℃で１０分
間のプリベークを行い、フォトマスクを介してＵＶ照射
を行い、ストライプ状にパターニングした。現像は純水
で行った。その後、１３０℃で３０分間乾燥させた。こ
れにより、高さ２μｍのストライプ状の隔壁部材を上記
ＩＴＯ電極間隙に形成した。

【００５４】基板Ｄ：基板Ｃのストライプ状の隔壁部材
中に導電性微粒子を分散しなかった以外は基板Ｃと同様
にして隔壁部材を形成した。

【００５５】各基板の電気物性値に関して、シート方向
の抵抗と形成した膜の総容量を測定した結果を以下の表
１に示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】上記基板を組み合わせ、両基板における電
極がマトリクス構造をなすように対向配置して貼り合わ
せ、セルを作製した。尚、基板ＡとＢの組み合わせにお
いては、隔壁部材を形成していないので、粒径が２μｍ
のＳｉＯ₂ のビーズスペーサを平均３００個／ｍｍ² に
なるように散布した。各セルに、前記液晶組成物ＦＬＣ
−１を加熱封入して液晶素子を形成した。基板の組み合
わせは下記表２に通りである。

【００５８】

【表２】

【００５９】上記各液晶素子について、セルと直列に抵
抗を接続し、矩形波印加時に流れる電流値からセル抵抗
値を求めた。結果を表３に示す。

【００６０】

【表３】

【００６１】上記素子において、導電性を付与した隔壁
部材によって実質的に抵抗値が低減されていることが予
測される。

【００６２】尚、上記素子抵抗値は０℃〜６０℃の温度
範囲でほとんど変化しなかった。これは、基板Ａにおい
てＩＴＯ電極上にショート防止のための絶縁層ＴａＯ_x
が形成されているためである。

【００６３】次に、上記各液晶素子において、単発パル
スにより反転の挙動を測定した結果、素子１−２は均一
な反転挙動を示し、これに比較して素子１−１と１−３
は液晶分子は十分に反転しなかった。

【００６４】さらに、上記各液晶素子においてマトリク
ス駆動を連続１０００時間行い、黄変の発生有無を確認
した。駆動波形としては図６の波形を用い、駆動電圧Ｖ
_S ＋Ｖ_I ＝２０Ｖ、パルス幅：最適条件、駆動温度：３
０℃、書込み表示パターン：全黒、バイアス比：１／
３．５の条件で行った。その結果、素子１−１について
は黄変が発生したが、素子１−２、１−３については黄
変は認められなかった。

【００６５】以上の結果から、導電性を付与した隔壁部
材を用いることにより、黄変現象とスイッチング不良と
を同時に防止できることがわかった。

【００６６】［実施例２］実施例１において基板ＡのＴ
ａＯ_x 膜を形成しなかった以外は全く同様にして基板
Ａ’〜Ｄ’を作製し、実施例１と同様に組み合わせて液
晶素子を作製し、抵抗値を測定した。結果を表４に示
す。

【００６７】

【表４】

【００６８】上記表４より明らかなように、実施例１に
おいて、導電性を付与した隔壁部材を形成した素子１−
２については、該隔壁部材により抵抗値が実質的に低減
されたことがわかった。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶分子の移動によるセル厚分布の発生を妨げ、液晶素
子の黄変現象を防止すると同時に、カイラルスメクチッ
ク液晶を用いた液晶素子における、ＤＣ電界や絶縁層に
蓄積された電荷によるスイッチング不良を防止し、耐久
性及び表示特性に優れた液晶素子が提供され、各種表示
装置に広く適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の一実施形態の部分断面模式
図である。

【図２】本発明の液晶素子を備えた液晶表示装置とグラ
フィックコントローラを示すブロック図である。

【図３】液晶表示装置とグラフィックコントローラとの
間の画像情報通信タイミングチャートを示す図である。

【図４】図６に示す時系列駆動波形で実際の駆動を行っ
た時の表示パターンの模式図である。

【図５】マトリクス電極を配置した液晶パネルの平面図
である。

【図６】カイラルスメクチック液晶素子の駆動に用いら
れる駆動波形の一例を示す図である。

【図７】カイラルスメクチック液晶素子における、駆動
電圧を変化させた時の透過率の変化を表すグラフ（Ｖ−
Ｔ特性図）である。

【符号の説明】

１１，２１基板１２，２２電極１３絶縁層１４，２４配向膜１５隔壁部材１６液晶化合物５１液晶パネル５２走査電極群５３情報電極群１０１液晶表示装置１０２グラフィックコントローラ１０３表示パネル１０４走査線駆動回路１０５情報線駆動回路１０６デコーダ１０７走査信号発生回路１０８シフトレジスタ１０９ラインメモリ１１０情報信号発生回路１１１駆動制御回路１１２ＧＣＰＵ１１３ホストＣＰＵ１１４ＶＲＡＭ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれに電極を有する一対の基板間に
液晶を挟持してなる液晶素子であって、上記一対の基板
間隔が該基板にそれぞれ接着された隔壁部材によって保
持され、且つ該隔壁部材が導電性を有することを特徴と
する液晶素子。
【請求項２】上記電極がそれぞれストライプ状の電極
群からなり、互いに直交するように配置され、上記隔壁
部材が一方の基板上の電極間隙に形成されている請求項
１記載のカラー液晶素子。
【請求項３】上記隔壁部材がストライプ状である請求
項１または２記載のカラー液晶素子。
【請求項４】上記隔壁部材がドット状である請求項１
または２記載のカラー液晶素子。
【請求項５】上記隔壁部材の導電性が液晶層の導電性
よりも１０倍以上高い請求項１〜４いずれかに記載の液
晶素子。
【請求項６】上記隔壁部材が、導電性粒子を分散した
接着性樹脂からなる請求項１〜５いずれかに記載の液晶
素子。
【請求項７】上記接着性樹脂がポリアミド、ポリイミ
ド、ポリビニルアルコールのいずれかである請求項６記
載の液晶素子。
【請求項８】上記一対の基板の少なくとも一方の液晶
と接する面に導電性を有する配向膜が形成されている請
求項１〜７いずれかに記載の液晶素子。
【請求項９】上記導電性を有する配向膜が導電性粒子
を含有してなる請求項８記載の液晶素子。
【請求項１０】上記導電性を有する配向膜の導電性が
液晶層の導電性よりも一桁以上高い請求項８または９記
載の液晶素子。
【請求項１１】上記液晶がカイラルスメクチック液晶
である請求項１〜１０いずれかに記載の液晶素子。
【請求項１２】上記液晶が強誘電性液晶である請求項
１１記載の液晶素子。
【請求項１３】上記液晶が反強誘電性液晶である請求
項１１記載の液晶素子。
【請求項１４】上記液晶が、フルオロカーボン末端部
分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核
によって結合され、スメクチック中間相或いは潜在的ス
メクチック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有す
る液晶組成物である請求項１１記載の液晶素子。
【請求項１５】上記液晶素子の対角が１４インチ以上
である請求項１〜１４いずれかに記載の液晶素子。