JPH1150271A - シリコン材料のエッチング方法 - Google Patents
シリコン材料のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH1150271A JPH1150271A JP21595297A JP21595297A JPH1150271A JP H1150271 A JPH1150271 A JP H1150271A JP 21595297 A JP21595297 A JP 21595297A JP 21595297 A JP21595297 A JP 21595297A JP H1150271 A JPH1150271 A JP H1150271A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- soln
- solution
- hydroxide
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング面荒れが防止でき，エッチングの
加工品質が途中で変動しないシリコン材料のエッチング
方法を提供すること。 【解決手段】 Ｃｕを含有するアルカリ溶液よりなるエ
ッチング液を用いてシリコン材料をエッチングするに当
たり，上記アルカリ溶液にはＭｇを添加する。
加工品質が途中で変動しないシリコン材料のエッチング
方法を提供すること。 【解決手段】 Ｃｕを含有するアルカリ溶液よりなるエ
ッチング液を用いてシリコン材料をエッチングするに当
たり，上記アルカリ溶液にはＭｇを添加する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，半導体圧力センサのダイヤフラ
ム，半導体加速度センサのカンチレバー等，シリコン材
料を三次元加工した構造物の加工表面を平滑とする，又
はシリコン材料を高精度に加工する場合に利用されるシ
リコン材料のエッチング方法に関する。
ム，半導体加速度センサのカンチレバー等，シリコン材
料を三次元加工した構造物の加工表面を平滑とする，又
はシリコン材料を高精度に加工する場合に利用されるシ
リコン材料のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来，シリコン単結晶，多結晶シリコン等
のシリコン材料は，その電気的特性からＬＳＩなどに代
表される半導体集積回路に欠くことができない材料とし
て重視されている。
のシリコン材料は，その電気的特性からＬＳＩなどに代
表される半導体集積回路に欠くことができない材料とし
て重視されている。
【０００３】更に，近年はシリコン材料の機械的特性が
注目され，理想的な弾性材料として種々のデバイスに応
用されている。尚，この応用例としては，バルブ，ノズ
ル，プリンタ用ヘッド，流量，圧力及び加速度等の各種
半導体センサ（例えば半導体圧力センサのダイヤフラ
ム，半導体加速度センサのカンチレバー）が挙げられ
る。
注目され，理想的な弾性材料として種々のデバイスに応
用されている。尚，この応用例としては，バルブ，ノズ
ル，プリンタ用ヘッド，流量，圧力及び加速度等の各種
半導体センサ（例えば半導体圧力センサのダイヤフラ
ム，半導体加速度センサのカンチレバー）が挙げられ
る。
【０００４】上記シリコン材料の加工方法としては，一
般にエッチング方法が多用されていた。上記エッチング
方法はドライエッチングとウェットエッチングとに大別
される。ここに上記ウェットエッチングとは，エッチン
グ液を充填したエッチング槽にシリコン材料を投入し，
エッチング液との化学反応を利用してシリコン材料の不
要部分を溶解させて行う加工方法である。
般にエッチング方法が多用されていた。上記エッチング
方法はドライエッチングとウェットエッチングとに大別
される。ここに上記ウェットエッチングとは，エッチン
グ液を充填したエッチング槽にシリコン材料を投入し，
エッチング液との化学反応を利用してシリコン材料の不
要部分を溶解させて行う加工方法である。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記エッチン
グ方法には，以下に示す問題点がある。即ち，上記エッ
チング方法においてエッチング液中にＣｕが１００ｐｐ
ｂ以上混入した場合，後述の図３に示すごとく，エッチ
ング面が荒れる（エッチング面の表面粗度が高くなる）
ことを発明者らは明らかにした。また，上記Ｃｕの混入
はエッチング液の純度不足，エッチング装置材料からの
溶け込みにより発生し，完全に防止することが非常に困
難である。
グ方法には，以下に示す問題点がある。即ち，上記エッ
チング方法においてエッチング液中にＣｕが１００ｐｐ
ｂ以上混入した場合，後述の図３に示すごとく，エッチ
ング面が荒れる（エッチング面の表面粗度が高くなる）
ことを発明者らは明らかにした。また，上記Ｃｕの混入
はエッチング液の純度不足，エッチング装置材料からの
溶け込みにより発生し，完全に防止することが非常に困
難である。
【０００６】以上により，従来のエッチング方法におい
ては，エッチング中，定期的にエッチング液を交換する
必要があった。しかしながら，エッチング液の新品交換
はエッチング温度，エッチング液の濃度変動を伴うた
め，シリコン材料の加工品質に変動が生じるおそれがあ
った。
ては，エッチング中，定期的にエッチング液を交換する
必要があった。しかしながら，エッチング液の新品交換
はエッチング温度，エッチング液の濃度変動を伴うた
め，シリコン材料の加工品質に変動が生じるおそれがあ
った。
【０００７】更に，上記エッチング液はＣｕの含有が問
題となっており，他の面ではエッチング液として充分な
品質を保持していることから，このようなエッチング液
を再生させる方法についての要求が高かった。
題となっており，他の面ではエッチング液として充分な
品質を保持していることから，このようなエッチング液
を再生させる方法についての要求が高かった。
【０００８】本発明は，かかる問題点に鑑み，エッチン
グ面荒れが防止でき，エッチングの加工品質を維持可
能，更にＣｕを含有したエッチング液を継続して利用可
能な，シリコン材料のエッチング方法を提供しようとす
るものである。
グ面荒れが防止でき，エッチングの加工品質を維持可
能，更にＣｕを含有したエッチング液を継続して利用可
能な，シリコン材料のエッチング方法を提供しようとす
るものである。
【０００９】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，Ｃｕを含有する
アルカリ溶液よりなるエッチング液を用いてシリコン材
料をエッチングするに当たり，上記アルカリ溶液にはＭ
ｇを添加することを特徴とするシリコン材料のエッチン
グ方法にある。
アルカリ溶液よりなるエッチング液を用いてシリコン材
料をエッチングするに当たり，上記アルカリ溶液にはＭ
ｇを添加することを特徴とするシリコン材料のエッチン
グ方法にある。
【００１０】上記Ｍｇの添加は，例えば分析用の金属
（Ｍｇ）標準液又はＭｇ塩を溶解した水溶液を所定量を
添加することにより行うことが好ましい。又，上記エッ
チング液としては後述するＫＯＨ水溶液の他に，ＴＭＡ
Ｈ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水
溶液，ＥＤＰ（エチレンジアンミンピロカテコール）水
溶液等を使用することができる。
（Ｍｇ）標準液又はＭｇ塩を溶解した水溶液を所定量を
添加することにより行うことが好ましい。又，上記エッ
チング液としては後述するＫＯＨ水溶液の他に，ＴＭＡ
Ｈ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水
溶液，ＥＤＰ（エチレンジアンミンピロカテコール）水
溶液等を使用することができる。
【００１１】又，本発明のエッチング方法は，単結晶シ
リコンあるいは多結晶シリコン等の加工に適用すること
ができる。例えば，シリコンウェハのシリコン（１０
０），シリコン（１１０）面等の加工に適用することが
できる。又，上記シリコン材料としてはシリコン単体よ
りなる材料ばかりでなく，例えば他の物質を含んだ材
料，又は他の物質よりなる構造を設けた材料にも適用す
ることができる。
リコンあるいは多結晶シリコン等の加工に適用すること
ができる。例えば，シリコンウェハのシリコン（１０
０），シリコン（１１０）面等の加工に適用することが
できる。又，上記シリコン材料としてはシリコン単体よ
りなる材料ばかりでなく，例えば他の物質を含んだ材
料，又は他の物質よりなる構造を設けた材料にも適用す
ることができる。
【００１２】又，本発明のエッチング方法により，シリ
コン材料よりなる各種半導体集積回路，バルブ，ノズ
ル，プリンタ用ヘッド，流量，圧力及び加速度等の各種
半導体センサ（例えば半導体圧力センサのダイヤフラ
ム，半導体加速度センサのカンチレバー），各種マイク
ロマシン等を作製することができる。
コン材料よりなる各種半導体集積回路，バルブ，ノズ
ル，プリンタ用ヘッド，流量，圧力及び加速度等の各種
半導体センサ（例えば半導体圧力センサのダイヤフラ
ム，半導体加速度センサのカンチレバー），各種マイク
ロマシン等を作製することができる。
【００１３】本発明の作用につき，以下に説明する。本
発明にかかるエッチング方法においては，Ｃｕが含有さ
れたエッチング液に対してＭｇを添加する。
発明にかかるエッチング方法においては，Ｃｕが含有さ
れたエッチング液に対してＭｇを添加する。
【００１４】エッチング液中のＣｕはシリコン材料の表
面に析出し，エッチングマスクとしての役割を果たすこ
とを発明者らは明らかにした。即ち，シリコン材料の表
面でＣｕが析出していない部分はエッチングされるが，
Ｃｕが析出した部分はエッチングされ難い。よって，エ
ッチング面に凹凸が形成され，表面粗度が高まり，エッ
チング面が荒れてしまう。
面に析出し，エッチングマスクとしての役割を果たすこ
とを発明者らは明らかにした。即ち，シリコン材料の表
面でＣｕが析出していない部分はエッチングされるが，
Ｃｕが析出した部分はエッチングされ難い。よって，エ
ッチング面に凹凸が形成され，表面粗度が高まり，エッ
チング面が荒れてしまう。
【００１５】ところで，上記エッチング液はアルカリ溶
液であることから，添加されたＭｇは水酸化物を形成す
る。また，Ｍｇの水酸化物は水に溶け難い。そして，水
酸化物は生成する際にＣｕを取り込むことができる。更
に，水酸化物は生成後にＣｕのシリコン材料表面への拡
散を抑制できる。このため，Ｃｕのシリコン材料表面へ
の析出が防止され，エッチング面の荒れを防止すること
ができる。
液であることから，添加されたＭｇは水酸化物を形成す
る。また，Ｍｇの水酸化物は水に溶け難い。そして，水
酸化物は生成する際にＣｕを取り込むことができる。更
に，水酸化物は生成後にＣｕのシリコン材料表面への拡
散を抑制できる。このため，Ｃｕのシリコン材料表面へ
の析出が防止され，エッチング面の荒れを防止すること
ができる。
【００１６】また，本発明によればＭｇの添加によりエ
ッチング液中からＣｕの影響を排除できるため，継続し
てエッチングを行うことができる。従って，エッチング
の加工品質を維持することができる。また，同一のエッ
チング液をより長期間使用できるため，エッチング液に
かかるコストを低減することができる。
ッチング液中からＣｕの影響を排除できるため，継続し
てエッチングを行うことができる。従って，エッチング
の加工品質を維持することができる。また，同一のエッ
チング液をより長期間使用できるため，エッチング液に
かかるコストを低減することができる。
【００１７】以上のように，本発明によれば，エッチン
グ面荒れが防止でき，エッチングの加工品質を維持可
能，更にＣｕを含有したエッチング液を継続して利用可
能な，シリコン材料のエッチング方法を提供することが
できる。
グ面荒れが防止でき，エッチングの加工品質を維持可
能，更にＣｕを含有したエッチング液を継続して利用可
能な，シリコン材料のエッチング方法を提供することが
できる。
【００１８】又，上記アルカリ溶液中のＣｕ含有量より
もＭｇ添加量が大であることが好ましい。これにより，
Ｃｕの影響を排除できるため，継続してエッチングを行
うことができる。なお，上記アルカリ溶液はＫＯＨ水溶
液であることが好ましい。これにより，単結晶シリコン
材料において，異方性エッチング加工（面方位によって
エッチング速度が異なる加工）を実施できる。また，ア
ルカリ溶液の中でもＫＯＨ水溶液のエッチング速度は早
い。この点において優れている。
もＭｇ添加量が大であることが好ましい。これにより，
Ｃｕの影響を排除できるため，継続してエッチングを行
うことができる。なお，上記アルカリ溶液はＫＯＨ水溶
液であることが好ましい。これにより，単結晶シリコン
材料において，異方性エッチング加工（面方位によって
エッチング速度が異なる加工）を実施できる。また，ア
ルカリ溶液の中でもＫＯＨ水溶液のエッチング速度は早
い。この点において優れている。
【００１９】又，上記Ｍｇ添加量は上記アルカリ溶液に
対して１０〜１０００ｐｐｍであることが好ましい。こ
れにより，シリコン材料におけるＣｕの面荒れ作用を防
止して平滑な面を得ることができる。上記Ｍｇ添加量が
１０ｐｐｍ未満の場合には，本発明にかかる効果が得ら
れないおそれがある。一方，１０００ｐｐｍを越えた場
合には（即ち０．１％を越えた場合には），アルカリ水
溶液の濃度に対して無視できない量のＭｇが添加された
こととなり，大きなエッチング速度の低下や添加する水
溶液量が多くなり，エッチング液自体の濃度（アルカリ
濃度）が変化してしまう。
対して１０〜１０００ｐｐｍであることが好ましい。こ
れにより，シリコン材料におけるＣｕの面荒れ作用を防
止して平滑な面を得ることができる。上記Ｍｇ添加量が
１０ｐｐｍ未満の場合には，本発明にかかる効果が得ら
れないおそれがある。一方，１０００ｐｐｍを越えた場
合には（即ち０．１％を越えた場合には），アルカリ水
溶液の濃度に対して無視できない量のＭｇが添加された
こととなり，大きなエッチング速度の低下や添加する水
溶液量が多くなり，エッチング液自体の濃度（アルカリ
濃度）が変化してしまう。
【００２０】
実施形態例 本発明の実施形態例にかかるエッチング方法につき，図
１〜図３を用いて説明する。尚，本例はシリコンウェハ
のシリコン（１１０）面のエッチング加工を行うもので
ある。本例のエッチング方法は，Ｃｕを含有するアルカ
リ溶液よりなるエッチング液を用いてシリコン材料をエ
ッチングする。そして，上記アルカリ溶液にはＭｇを添
加する。上記エッチング液は３２ｗｔ％ＫＯＨ水溶液よ
りなる。
１〜図３を用いて説明する。尚，本例はシリコンウェハ
のシリコン（１１０）面のエッチング加工を行うもので
ある。本例のエッチング方法は，Ｃｕを含有するアルカ
リ溶液よりなるエッチング液を用いてシリコン材料をエ
ッチングする。そして，上記アルカリ溶液にはＭｇを添
加する。上記エッチング液は３２ｗｔ％ＫＯＨ水溶液よ
りなる。
【００２１】以下に本例にかかるエッチング方法及びそ
の性能につき詳細に説明する。まず，３２ｗｔ％ＫＯＨ
水溶液を準備し，該水溶液に原子吸光分析用の金属標準
液を用いて，Ｃｕを１７０ｐｐｂ添加した。この水溶液
をいくつか準備し，それぞれの水溶液に原子吸光分析用
の金属標準液を用いて，Ｍｇを所定量添加した。以上に
かかる水溶液を用いて温度１００℃，時間２０分という
条件でシリコン材料をエッチングした。
の性能につき詳細に説明する。まず，３２ｗｔ％ＫＯＨ
水溶液を準備し，該水溶液に原子吸光分析用の金属標準
液を用いて，Ｃｕを１７０ｐｐｂ添加した。この水溶液
をいくつか準備し，それぞれの水溶液に原子吸光分析用
の金属標準液を用いて，Ｍｇを所定量添加した。以上に
かかる水溶液を用いて温度１００℃，時間２０分という
条件でシリコン材料をエッチングした。
【００２２】エッチングを終えたシリコン材料のそれぞ
れについて，針触式の表面粗さ計や共焦点型レーザー顕
微鏡による形態観察等にてエッチング面の表面粗さ（十
点平均粗さ）を測定した。
れについて，針触式の表面粗さ計や共焦点型レーザー顕
微鏡による形態観察等にてエッチング面の表面粗さ（十
点平均粗さ）を測定した。
【００２３】以上の試験結果について，横軸にＭｇの添
加量を，縦軸にエッチング面の表面粗さを採った線図に
プロットし，図１とした。同図によれば，Ｍｇの添加量
が少ない（１ｐｐｂ）場合には２μｍ以上あった表面粗
さが，Ｍｇの添加量が５０００ｐｐｂを越えた付近から
急激に減少することが分かった。そして，Ｍｇの添加量
が１００００ｐｐｂを越えることにより，Ｃｕが極微量
含まれたエッチング液（図３参照，１００ｐｐｂ以下）
にてエッチングした場合と同程度の滑らかなエッチング
面（表面粗さ；１μｍ未満）を達成できたことが分かっ
た。
加量を，縦軸にエッチング面の表面粗さを採った線図に
プロットし，図１とした。同図によれば，Ｍｇの添加量
が少ない（１ｐｐｂ）場合には２μｍ以上あった表面粗
さが，Ｍｇの添加量が５０００ｐｐｂを越えた付近から
急激に減少することが分かった。そして，Ｍｇの添加量
が１００００ｐｐｂを越えることにより，Ｃｕが極微量
含まれたエッチング液（図３参照，１００ｐｐｂ以下）
にてエッチングした場合と同程度の滑らかなエッチング
面（表面粗さ；１μｍ未満）を達成できたことが分かっ
た。
【００２４】また，上記と同様の試験をＣｕが３５０ｐ
ｐｂ含有されたエッチング液について行い，この結果に
ついて図２に記載した。同図によれば，上記と同様に，
Ｍｇの添加量が５０００ｐｐｂを越えた付近から表面粗
さが急激に減少し，添加量が１００００ｐｐｂを越える
ことにより，Ｃｕが極微量含まれたエッチング液（図３
参照，１００ｐｐｂ以下）にてエッチングした場合と同
程度の滑らかなエッチング面（表面粗さ；１μｍ未満）
を達成できたことが分かった。
ｐｂ含有されたエッチング液について行い，この結果に
ついて図２に記載した。同図によれば，上記と同様に，
Ｍｇの添加量が５０００ｐｐｂを越えた付近から表面粗
さが急激に減少し，添加量が１００００ｐｐｂを越える
ことにより，Ｃｕが極微量含まれたエッチング液（図３
参照，１００ｐｐｂ以下）にてエッチングした場合と同
程度の滑らかなエッチング面（表面粗さ；１μｍ未満）
を達成できたことが分かった。
【００２５】また，比較例として，上記と同様の３２ｗ
ｔ％ＫＯＨ水溶液に所定量のＣｕを添加して得られたエ
ッチング液を準備し，上記と同様にしてシリコン材料の
エッチングを行い，上記と同様にエッチング面の表面粗
さを測定した。そして，横軸にＣｕの含有量を，縦軸に
表面粗さを採った線図を作製した。これが図３である。
同図によれば，Ｃｕの含有率が０．１ｐｐｍ，即ち１０
０ｐｐｂを越えた付近より急激に表面粗さが増大してい
ることが分かった。
ｔ％ＫＯＨ水溶液に所定量のＣｕを添加して得られたエ
ッチング液を準備し，上記と同様にしてシリコン材料の
エッチングを行い，上記と同様にエッチング面の表面粗
さを測定した。そして，横軸にＣｕの含有量を，縦軸に
表面粗さを採った線図を作製した。これが図３である。
同図によれば，Ｃｕの含有率が０．１ｐｐｍ，即ち１０
０ｐｐｂを越えた付近より急激に表面粗さが増大してい
ることが分かった。
【００２６】次に，本例における作用効果につき説明す
る。本例において，上記エッチング液はアルカリ溶液で
あることから，添加されたＭｇは水酸化物を形成する。
また，Ｍｇの水酸化物は水に溶け難い。そして，水酸化
物は生成する際にＣｕを取り込むことができる。更に，
水酸化物は生成後にＣｕのシリコン材料表面への拡散を
抑制できる。このため，Ｃｕのシリコン材料表面への析
出が防止され，エッチング面の荒れを防止することがで
きる。
る。本例において，上記エッチング液はアルカリ溶液で
あることから，添加されたＭｇは水酸化物を形成する。
また，Ｍｇの水酸化物は水に溶け難い。そして，水酸化
物は生成する際にＣｕを取り込むことができる。更に，
水酸化物は生成後にＣｕのシリコン材料表面への拡散を
抑制できる。このため，Ｃｕのシリコン材料表面への析
出が防止され，エッチング面の荒れを防止することがで
きる。
【００２７】また，Ｍｇの添加によりＣｕの影響を排除
できるため，継続してエッチングを行うことができる。
従って，エッチングの加工品質を維持することができ
る。また，同一のエッチング液をより長期間使用できる
ため，エッチング液にかかるコストを低減することがで
きる。
できるため，継続してエッチングを行うことができる。
従って，エッチングの加工品質を維持することができ
る。また，同一のエッチング液をより長期間使用できる
ため，エッチング液にかかるコストを低減することがで
きる。
【００２８】以上のように，本例によれば，エッチング
面荒れが防止でき，エッチングの加工品質を維持可能，
更にＣｕを含有したエッチング液を継続して利用可能
な，シリコン材料のエッチング方法を提供することがで
きる。
面荒れが防止でき，エッチングの加工品質を維持可能，
更にＣｕを含有したエッチング液を継続して利用可能
な，シリコン材料のエッチング方法を提供することがで
きる。
【図１】実施形態例における，エッチング液におけるＣ
ｕの含有量が１７０ｐｐｂである場合のＭｇの添加量と
シリコン材料の表面粗さとの関係を示す線図。
ｕの含有量が１７０ｐｐｂである場合のＭｇの添加量と
シリコン材料の表面粗さとの関係を示す線図。
【図２】実施形態例における，エッチング液におけるＣ
ｕの含有量が３５０ｐｐｂである場合のＭｇの添加量と
シリコン材料の表面粗さとの関係を示す線図。
ｕの含有量が３５０ｐｐｂである場合のＭｇの添加量と
シリコン材料の表面粗さとの関係を示す線図。
【図３】実施形態例における，エッチング液におけるＣ
ｕの含有量とシリコン材料の表面粗さとの関係を示す線
図。
ｕの含有量とシリコン材料の表面粗さとの関係を示す線
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 吉次 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 井上 和之 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｃｕを含有するアルカリ溶液よりなるエ
ッチング液を用いてシリコン材料をエッチングするに当
たり，上記アルカリ溶液にはＭｇを添加することを特徴
とするシリコン材料のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21595297A JP3570865B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | シリコン材料のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21595297A JP3570865B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | シリコン材料のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1150271A true JPH1150271A (ja) | 1999-02-23 |
| JP3570865B2 JP3570865B2 (ja) | 2004-09-29 |
Family
ID=16680976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21595297A Expired - Fee Related JP3570865B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | シリコン材料のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3570865B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147945A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP2006156459A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP21595297A patent/JP3570865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147945A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP4552615B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2010-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP2006156459A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP4635580B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3570865B2 (ja) | 2004-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101217431B1 (ko) | 실리콘 이방성 에칭액 조성물 | |
| JP4684869B2 (ja) | シリコンエッチング液 | |
| TWI538990B (zh) | 具有改良之功率頻譜密度（ｐｓｄ）表現之矽拋光組合物 | |
| JP5109261B2 (ja) | シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物 | |
| Tabata | pH-controlled TMAH etchants for silicon micromachining | |
| Pal et al. | Study of rounded concave and sharp edge convex corners undercutting in CMOS compatible anisotropic etchants | |
| JP2006351813A (ja) | シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法 | |
| KR20120092583A (ko) | 실리콘 에칭액 및 에칭 방법 | |
| CN104677715B (zh) | 一种用于原位记录观察镁合金微观组织腐蚀行为的方法 | |
| Brockmeier et al. | Surface tension and its role for vertical wet etching of silicon | |
| JPH1150271A (ja) | シリコン材料のエッチング方法 | |
| JP5017709B2 (ja) | シリコンウェーハのエッチング方法および半導体シリコンウェーハの製造方法 | |
| US9938155B2 (en) | Method for producing purified alkali silicate aqueous solution and silica sol | |
| CN104975293B (zh) | 硅衬底及其制备方法 | |
| KR101992224B1 (ko) | 실리콘 에칭액 및 에칭방법 그리고 미소전기기계소자 | |
| Van der Heijden et al. | Size distribution of embryos produced by crystal-rod contacts | |
| JPH11233482A (ja) | シリコンウェハのエッチング方法 | |
| JP4975430B2 (ja) | 異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 | |
| JP2007088402A (ja) | エッチング液及びエッチング方法 | |
| CN102103058B (zh) | 可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法 | |
| JP2006351811A (ja) | シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法。 | |
| Radenović et al. | Pyramids on {1 0 0} NaCl after formamide etching | |
| JPH04338643A (ja) | シリコンウェハーの加工方法 | |
| US20240140786A1 (en) | Inattentive HF Concentration Vapors Phase Release of Micro-electro-mechanical Systems and Optical Systems | |
| JPS63114128A (ja) | 表面処理液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040122 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040608 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040615 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20040622 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070702 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110702 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |