JPH1144830A - 光伝送モジュール - Google Patents
光伝送モジュールInfo
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- JPH1144830A JPH1144830A JP9200261A JP20026197A JPH1144830A JP H1144830 A JPH1144830 A JP H1144830A JP 9200261 A JP9200261 A JP 9200261A JP 20026197 A JP20026197 A JP 20026197A JP H1144830 A JPH1144830 A JP H1144830A
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- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4245—Mounting of the opto-electronic elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光部への入射光と受光部との光結合部分の
位置合わせを容易に行うことができ、小型化が図れ、高
周波の信号伝送が可能であること。 【解決手段】 少なくとも、光素子１１と、制御部基板
１３にＩＣ化されて成る電流制御部１２と、前記光素子
と電流制御部とを収納する筐体とを具えた光伝送モジュ
ールにおいて、制御部基板の側面１３ａに光素子が固定
されている。
位置合わせを容易に行うことができ、小型化が図れ、高
周波の信号伝送が可能であること。 【解決手段】 少なくとも、光素子１１と、制御部基板
１３にＩＣ化されて成る電流制御部１２と、前記光素子
と電流制御部とを収納する筐体とを具えた光伝送モジュ
ールにおいて、制御部基板の側面１３ａに光素子が固定
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光通信等に用い
る光伝送モジュールに関する。
る光伝送モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光伝送用の受光モジュールとして、例え
ば、文献（１９９１年電子情報通信学会秋季大会 Ｂ−
６５２ １０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用広帯域受信モジュー
ル 北村圭一、他）に記載されるものがある。このよう
な受光モジュールについて、図２（Ａ）および図２
（Ｂ）を参照して説明する。図２（Ａ）は、受光モジュ
ールの光ファイバからの出射光の方向に沿って切った図
で、切り口の断面で示している。また、図２（Ｂ）は、
受光モジュールの筐体（ケース）内に固定する構造体を
概略的に示す斜視図である。
ば、文献（１９９１年電子情報通信学会秋季大会 Ｂ−
６５２ １０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用広帯域受信モジュー
ル 北村圭一、他）に記載されるものがある。このよう
な受光モジュールについて、図２（Ａ）および図２
（Ｂ）を参照して説明する。図２（Ａ）は、受光モジュ
ールの光ファイバからの出射光の方向に沿って切った図
で、切り口の断面で示している。また、図２（Ｂ）は、
受光モジュールの筐体（ケース）内に固定する構造体を
概略的に示す斜視図である。
【０００３】このような受光モジュールは、光ファイバ
１０１からの光を受けるための受光素子１０３と、受光
素子１０３で変換された受光電流を増幅するための増幅
器１０５（アンプ）がつくり込まれたアンプ用基板１０
６と、これら受光素子１０３とアンプ用基板１０６とを
搭載する基板１０７と、この基板１０７を固定する支持
体１０９（キャリア）と、このキャリア１０９を収納す
る筐体１１１（ケース）とを具えている（図２（Ａ）お
よび図２（Ｂ））。また、このケース１１１には、ケー
ス１１１の外側にある光ファイバ１０１からの光をケー
ス１１１内に取り入れるための窓部１１１ａが設けられ
ていて、この窓部１１１ａには光ファイバ１０１からの
光を集光するレンズ１１３が固定されている（図２
（Ａ））。ここで、受光素子１０３およびアンプ用基板
１０６はセラミック基板１０７上にハンダ等によってダ
イスボンドされている。また、このセラミック基板１０
７は、セラミック製のキャリア１０９の側面１０９ａに
ハンダで固定されている（図２（Ｂ））。そして、この
キャリア１０９はケース１１１内にハンダによって固定
されている。このとき、キャリア１０９に実装された受
光素子１０３の受光部１０３ａと、光ファイバ１０１か
らケース１１１内に入ってくる光との光結合部分の高さ
方向の位置を合わせるために、必要に応じて、キャリア
１０９とケース１１１との間にスペーサー１１５を入れ
る（図２（Ａ））。
１０１からの光を受けるための受光素子１０３と、受光
素子１０３で変換された受光電流を増幅するための増幅
器１０５（アンプ）がつくり込まれたアンプ用基板１０
６と、これら受光素子１０３とアンプ用基板１０６とを
搭載する基板１０７と、この基板１０７を固定する支持
体１０９（キャリア）と、このキャリア１０９を収納す
る筐体１１１（ケース）とを具えている（図２（Ａ）お
よび図２（Ｂ））。また、このケース１１１には、ケー
ス１１１の外側にある光ファイバ１０１からの光をケー
ス１１１内に取り入れるための窓部１１１ａが設けられ
ていて、この窓部１１１ａには光ファイバ１０１からの
光を集光するレンズ１１３が固定されている（図２
（Ａ））。ここで、受光素子１０３およびアンプ用基板
１０６はセラミック基板１０７上にハンダ等によってダ
イスボンドされている。また、このセラミック基板１０
７は、セラミック製のキャリア１０９の側面１０９ａに
ハンダで固定されている（図２（Ｂ））。そして、この
キャリア１０９はケース１１１内にハンダによって固定
されている。このとき、キャリア１０９に実装された受
光素子１０３の受光部１０３ａと、光ファイバ１０１か
らケース１１１内に入ってくる光との光結合部分の高さ
方向の位置を合わせるために、必要に応じて、キャリア
１０９とケース１１１との間にスペーサー１１５を入れ
る（図２（Ａ））。
【０００４】光ファイバ１０１の先端部から出射した光
はレンズ１１３によって集光されてケース１１１内の受
光素子１０３の受光部１０３ａに到達する。
はレンズ１１３によって集光されてケース１１１内の受
光素子１０３の受光部１０３ａに到達する。
【０００５】基板１０７を固定するキャリア１０９の側
面１０９ａは、光ファイバ１０１からの光が受光素子１
０３に達した後、受光素子１０３の表面で反射して光フ
ァイバ１０１に戻らないようにするために、受光素子１
０３への入射光に対して斜面となるように形成されてい
る（図２（Ａ））。このため、光は受光素子１０３表面
では光ファイバ１０１とは異なる方向に反射するため、
光ファイバ１０１には戻らない。
面１０９ａは、光ファイバ１０１からの光が受光素子１
０３に達した後、受光素子１０３の表面で反射して光フ
ァイバ１０１に戻らないようにするために、受光素子１
０３への入射光に対して斜面となるように形成されてい
る（図２（Ａ））。このため、光は受光素子１０３表面
では光ファイバ１０１とは異なる方向に反射するため、
光ファイバ１０１には戻らない。
【０００６】また、キャリア１０９の上面１０９ｂ（主
表面とも称する。）には、金メッキによる配線パターン
１１７が形成されていて、受光素子１０３とアンプ用基
板１０６、およびアンプ用基板１０６と配線パターン１
１７とは、それぞれワイヤボンディングによってワイヤ
１１９で電気的に接続されている（図２（Ｂ））。
表面とも称する。）には、金メッキによる配線パターン
１１７が形成されていて、受光素子１０３とアンプ用基
板１０６、およびアンプ用基板１０６と配線パターン１
１７とは、それぞれワイヤボンディングによってワイヤ
１１９で電気的に接続されている（図２（Ｂ））。
【０００７】受光素子１０３で光から受光電流に変換さ
れる。この受光電流はアンプ１０５で増幅および電圧変
換されて、例えば、キャリア１０９の配線パターン１１
７の直下のキャリア１０９内に形成されたスルーホール
を通る。この後、このスルーホールと電気的に接続させ
てケースに設けた配線パターンから、増幅され電圧変換
された受光電流を、出力電圧としてケースの外部へ取り
出すことができる。
れる。この受光電流はアンプ１０５で増幅および電圧変
換されて、例えば、キャリア１０９の配線パターン１１
７の直下のキャリア１０９内に形成されたスルーホール
を通る。この後、このスルーホールと電気的に接続させ
てケースに設けた配線パターンから、増幅され電圧変換
された受光電流を、出力電圧としてケースの外部へ取り
出すことができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、受光素
子１０３は、受光部１０３ａにおける、光ファイバ１０
１からの入射光の光結合効率が良くなるように、位置合
わせをして固定を行う必要がある。この固定は、受光素
子１０３と基板１０７とのダイスボンドによる固定、お
よび基板１０７とキャリア１０９とのダイスボンドによ
る固定という２段階での固定であるために、それぞれの
固定の段階で、固定位置の位置ずれが生じる。この位置
ずれのために、光ファイバ１０１から受光部１０３ａへ
入射する光と受光部１０３ａとの光結合部分の位置合わ
せが困難となるという問題が生じた。
子１０３は、受光部１０３ａにおける、光ファイバ１０
１からの入射光の光結合効率が良くなるように、位置合
わせをして固定を行う必要がある。この固定は、受光素
子１０３と基板１０７とのダイスボンドによる固定、お
よび基板１０７とキャリア１０９とのダイスボンドによ
る固定という２段階での固定であるために、それぞれの
固定の段階で、固定位置の位置ずれが生じる。この位置
ずれのために、光ファイバ１０１から受光部１０３ａへ
入射する光と受光部１０３ａとの光結合部分の位置合わ
せが困難となるという問題が生じた。
【０００９】このため、受光部への入射光と受光部との
光結合部分の位置合わせを容易に行うことのできる光伝
送モジュールの出現が望まれていた。
光結合部分の位置合わせを容易に行うことのできる光伝
送モジュールの出現が望まれていた。
【００１０】また、アンプ１０５の大きさは２ｍｍ角程
度であり、その他にアンプ用基板１０６と配線パターン
１１７とのボンディング用のボンディングパッドの領域
や基板１０７のキャリア１０９へのボンディング領域等
の大きさを考慮すると、基板１０７を固定するキャリア
１０９の側面１０９ａの高さは少なくても４ｍｍ程度必
要である。また、４ｍｍ程度という高さ方向の幅を有す
る、キャリア１０９を収納するケース１１１の高さは通
常１０ｍｍ程度必要であるため、光伝送モジュールの小
型化は図れない。従って光伝送モジュールを含む装置の
小型化も困難となる。
度であり、その他にアンプ用基板１０６と配線パターン
１１７とのボンディング用のボンディングパッドの領域
や基板１０７のキャリア１０９へのボンディング領域等
の大きさを考慮すると、基板１０７を固定するキャリア
１０９の側面１０９ａの高さは少なくても４ｍｍ程度必
要である。また、４ｍｍ程度という高さ方向の幅を有す
る、キャリア１０９を収納するケース１１１の高さは通
常１０ｍｍ程度必要であるため、光伝送モジュールの小
型化は図れない。従って光伝送モジュールを含む装置の
小型化も困難となる。
【００１１】このため、より小型化が図れる光伝送モジ
ュールの出現が望まれていた。
ュールの出現が望まれていた。
【００１２】また、この光伝送モジュールにおいては、
受光素子とアンプとの間の配線が比較的長い。このため
共振周波数が低周波数側にあって共振しやすい。よって
高周波の信号伝送が困難であった。
受光素子とアンプとの間の配線が比較的長い。このため
共振周波数が低周波数側にあって共振しやすい。よって
高周波の信号伝送が困難であった。
【００１３】このため、高周波の信号伝送が可能な光伝
送モジュールの出現が望まれていた。
送モジュールの出現が望まれていた。
【００１４】
【課題を解決するための手段】したがって、この発明
の、少なくとも、光素子と、制御部基板にＩＣ化されて
成る電流制御部と、前記光素子と電流制御部とを収納す
る筐体とを具えた光伝送モジュールにおいては、制御部
基板の側面に光素子が固定されていることを特徴とす
る。
の、少なくとも、光素子と、制御部基板にＩＣ化されて
成る電流制御部と、前記光素子と電流制御部とを収納す
る筐体とを具えた光伝送モジュールにおいては、制御部
基板の側面に光素子が固定されていることを特徴とす
る。
【００１５】制御部基板の側面に光素子が固定されてい
る、すなわち、電流制御部に直接光素子が固定されてい
るので、従来よりも固定段階を減らすことができる。こ
のため、固定するときに生じる位置ずれを低減すること
ができる。よって、光素子を受光素子とする場合には、
光ファイバからの光と受光素子の受光部との光結合部の
位置合わせを容易に行うことができるようになる。ま
た、光素子を発光素子とする場合には、発光素子から発
生する光が光ファイバへ効率よく入射されるようにな
る。
る、すなわち、電流制御部に直接光素子が固定されてい
るので、従来よりも固定段階を減らすことができる。こ
のため、固定するときに生じる位置ずれを低減すること
ができる。よって、光素子を受光素子とする場合には、
光ファイバからの光と受光素子の受光部との光結合部の
位置合わせを容易に行うことができるようになる。ま
た、光素子を発光素子とする場合には、発光素子から発
生する光が光ファイバへ効率よく入射されるようにな
る。
【００１６】また、電流制御部に直接光素子が固定され
ているため、電流制御部と光素子との間の配線が短くな
る。このため、共振周波数を高周波側へ上げることがで
きるので、より高周波の信号伝送をするのが可能とな
る。
ているため、電流制御部と光素子との間の配線が短くな
る。このため、共振周波数を高周波側へ上げることがで
きるので、より高周波の信号伝送をするのが可能とな
る。
【００１７】また、筐体内に収納する構造体の大きさ
を、従来より、電流制御部と光素子とが設けられた基板
およびこの基板を固定するキャリアの分だけ小さくする
ことができる。このため、光伝送モジュールの小型化が
図れる。
を、従来より、電流制御部と光素子とが設けられた基板
およびこの基板を固定するキャリアの分だけ小さくする
ことができる。このため、光伝送モジュールの小型化が
図れる。
【００１８】また、好ましくは、光素子を受光素子と
し、電流制御部をアンプとするのがよい。この受光素子
はチップ状の１つの受光素子としてもよいし、複数の受
光素子を用いてなる受光素子アレイとしてもよい。ま
た、このアンプは半導体基板に増幅回路としてつくりこ
まれたものとするのがよい。
し、電流制御部をアンプとするのがよい。この受光素子
はチップ状の１つの受光素子としてもよいし、複数の受
光素子を用いてなる受光素子アレイとしてもよい。ま
た、このアンプは半導体基板に増幅回路としてつくりこ
まれたものとするのがよい。
【００１９】また、光素子を発光素子とし、電流制御部
をドライバＩＣとしてもよい。
をドライバＩＣとしてもよい。
【００２０】また、光素子を受光素子としたとき、制御
部基板の側面は、筐体の外側からこの筐体内に向かって
入射される光ファイバからの入射光に対して、斜面とな
っているのが好ましい。
部基板の側面は、筐体の外側からこの筐体内に向かって
入射される光ファイバからの入射光に対して、斜面とな
っているのが好ましい。
【００２１】この斜面に受光素子を固定するため、光フ
ァイバからの光は受光部に対して垂直ではない。このよ
うにすると、光ファイバからの光が受光素子の受光部に
到達した後、この受光部で反射した光が光ファイバへ戻
る、いわゆる戻り光を防ぐことができる。
ァイバからの光は受光部に対して垂直ではない。このよ
うにすると、光ファイバからの光が受光素子の受光部に
到達した後、この受光部で反射した光が光ファイバへ戻
る、いわゆる戻り光を防ぐことができる。
【００２２】また、制御部基板の側面に設ける斜面を、
制御部基板を構成するウェハの結晶面に添って形成する
面とするのがよい。
制御部基板を構成するウェハの結晶面に添って形成する
面とするのがよい。
【００２３】例えば、シリコンウェハを用いているとす
ると、まずウェハを通常行っているように垂直に切断す
る。この後シリコンの結晶面に従って選択的にエッチン
グすることのできるエッチング液を用いて、切断した上
記ウェハの斜面予定領域に対してエッチングを行う。こ
れにより、シリコンの結晶面はウェハの平坦面に対して
約４５°の角度を有する面であるから、切断面はこの結
晶面に従って約４５°の斜面となり、シリコンの結晶の
劈開面となっている。このようにして斜面を有する制御
部基板を形成すれば、斜面の角度を一定にそろえること
ができるため、この斜面に固定する受光素子の受光部
の、光ファイバからの光の入射角度も一定となる。よっ
て、受光部での光結合効率を一定にすることができる。
ると、まずウェハを通常行っているように垂直に切断す
る。この後シリコンの結晶面に従って選択的にエッチン
グすることのできるエッチング液を用いて、切断した上
記ウェハの斜面予定領域に対してエッチングを行う。こ
れにより、シリコンの結晶面はウェハの平坦面に対して
約４５°の角度を有する面であるから、切断面はこの結
晶面に従って約４５°の斜面となり、シリコンの結晶の
劈開面となっている。このようにして斜面を有する制御
部基板を形成すれば、斜面の角度を一定にそろえること
ができるため、この斜面に固定する受光素子の受光部
の、光ファイバからの光の入射角度も一定となる。よっ
て、受光部での光結合効率を一定にすることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図を参照してこの発明の実
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に概略的に示してあるに過ぎず、したがって発明
を図示例に限定するものではない。また、図において、
図を分かり易くするために断面を示すハッチング（斜
線）は一部分を除き省略してある。
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に概略的に示してあるに過ぎず、したがって発明
を図示例に限定するものではない。また、図において、
図を分かり易くするために断面を示すハッチング（斜
線）は一部分を除き省略してある。
【００２５】実施の形態として、少なくとも、光素子
と、制御部基板にＩＣ化されて成る電流制御部と、光素
子と電流制御部とを収納する筐体とを具えた光伝送モジ
ュールにおいて、電流制御部の側面に前記光素子が固定
されている例につき図１を参照して説明する。
と、制御部基板にＩＣ化されて成る電流制御部と、光素
子と電流制御部とを収納する筐体とを具えた光伝送モジ
ュールにおいて、電流制御部の側面に前記光素子が固定
されている例につき図１を参照して説明する。
【００２６】図１は、光伝送モジュールの主要部の、概
略的な斜視図（図１（Ａ））および断面図（図１
（Ｂ））である。
略的な斜視図（図１（Ａ））および断面図（図１
（Ｂ））である。
【００２７】なお、この実施の形態の光伝送モジュール
は受光モジュールとし、光素子を受光素子とし、電流制
御部を、アンプ用基板にＩＣ化されて成るアンプ（増幅
器）とする。
は受光モジュールとし、光素子を受光素子とし、電流制
御部を、アンプ用基板にＩＣ化されて成るアンプ（増幅
器）とする。
【００２８】図１（Ａ）は、この受光モジュール内にお
ける受光素子およびアンプの状態を概略的に示す斜視図
である。受光素子は、ここでは受光素子アレイ１１内に
複数併設している。アンプ１２はアンプ用基板１３にＩ
Ｃ化されてつくり込まれている。ここでは２ｍｍ角程度
のチップ形状を有していて、このチップ（アンプ用基
板）の側面１３ａのうち少なくとも１つの側面１３ａが
斜面となっている。図１（Ａ）および（Ｂ）に示す構成
例では、この斜面１３ａは、当該面１３ａが上側を向く
ような面である。すなわち、この斜面１３ａはアンプ用
基板１３の下面１３ｃに対し、角度θ（０°＜θ＜９０
°）で傾いて形成された平坦面である。この斜面１３ａ
に受光素子アレイ１１がダイスボンドされている。ま
た、アンプ用基板１３の上面１３ｂには、受光素子アレ
イ１１との電気的接続を行うための第１配線パッド１
５、およびアンプ１２によって増幅された受光電流を取
り出すための第２配線パッド１７が、それぞれ配設され
ている。このアンプ１２とそれぞれの配線パッド（１５
および１７）とはアンプ用基板１３内で電気的に接続さ
せてある。
ける受光素子およびアンプの状態を概略的に示す斜視図
である。受光素子は、ここでは受光素子アレイ１１内に
複数併設している。アンプ１２はアンプ用基板１３にＩ
Ｃ化されてつくり込まれている。ここでは２ｍｍ角程度
のチップ形状を有していて、このチップ（アンプ用基
板）の側面１３ａのうち少なくとも１つの側面１３ａが
斜面となっている。図１（Ａ）および（Ｂ）に示す構成
例では、この斜面１３ａは、当該面１３ａが上側を向く
ような面である。すなわち、この斜面１３ａはアンプ用
基板１３の下面１３ｃに対し、角度θ（０°＜θ＜９０
°）で傾いて形成された平坦面である。この斜面１３ａ
に受光素子アレイ１１がダイスボンドされている。ま
た、アンプ用基板１３の上面１３ｂには、受光素子アレ
イ１１との電気的接続を行うための第１配線パッド１
５、およびアンプ１２によって増幅された受光電流を取
り出すための第２配線パッド１７が、それぞれ配設され
ている。このアンプ１２とそれぞれの配線パッド（１５
および１７）とはアンプ用基板１３内で電気的に接続さ
せてある。
【００２９】受光素子アレイ１１の短辺方向の幅Ｗは、
０．５ｍｍ程度である。よって、アンプ１３の斜面形状
の側面１３ａの、受光素子アレイ１１の短辺方向に相当
する方向の長さ（斜面の高さ方向の幅）を少なくとも
０．５ｍｍ以上にする必要がある。通常、アンプ用基板
１３は、その厚さにばらつきがあるので、製造する工程
中でこの基板１３の裏面を研磨することによって、この
厚みを一定にするように制御している。ここでは、５０
０μｍ（０．５ｍｍ）の厚さに制御している。このため
斜面１３ａの高さ方向の幅は、少なくとも５００μｍ以
上となる。
０．５ｍｍ程度である。よって、アンプ１３の斜面形状
の側面１３ａの、受光素子アレイ１１の短辺方向に相当
する方向の長さ（斜面の高さ方向の幅）を少なくとも
０．５ｍｍ以上にする必要がある。通常、アンプ用基板
１３は、その厚さにばらつきがあるので、製造する工程
中でこの基板１３の裏面を研磨することによって、この
厚みを一定にするように制御している。ここでは、５０
０μｍ（０．５ｍｍ）の厚さに制御している。このため
斜面１３ａの高さ方向の幅は、少なくとも５００μｍ以
上となる。
【００３０】また、ここでは、この斜面１３ａの形成
を、ウェハをダイシングソーを用いて切断することによ
って行っている。このとき、ダイシングソーの切断用の
ブレードを斜めにセットしてダイシングすることにより
斜面１３ａが形成される。この斜面１３ａは光ファイバ
からの光が受光素子の受光部で反射して、その反射光が
光ファイバに戻るのを防ぐ役割を果たしている。
を、ウェハをダイシングソーを用いて切断することによ
って行っている。このとき、ダイシングソーの切断用の
ブレードを斜めにセットしてダイシングすることにより
斜面１３ａが形成される。この斜面１３ａは光ファイバ
からの光が受光素子の受光部で反射して、その反射光が
光ファイバに戻るのを防ぐ役割を果たしている。
【００３１】このアンプ１２の領域をマスクして、上記
斜面１３ａの受光素子アレイ１１をダイスボンドする領
域に金（Ａｕ）を蒸着した後、この金蒸着面に受光素子
アレイ１１をハンダ等を用いてダイスボンドする。な
お、この金蒸着面は受光素子の電極として用いられる。
この後、各受光素子とそれぞれの受光素子に対応するア
ンプ用基板１３に設けた第１配線パッド１５とをワイヤ
ボンディングにより、例えば金線１９で電気的に接続す
る（図１（Ａ）および図１（Ｂ））。
斜面１３ａの受光素子アレイ１１をダイスボンドする領
域に金（Ａｕ）を蒸着した後、この金蒸着面に受光素子
アレイ１１をハンダ等を用いてダイスボンドする。な
お、この金蒸着面は受光素子の電極として用いられる。
この後、各受光素子とそれぞれの受光素子に対応するア
ンプ用基板１３に設けた第１配線パッド１５とをワイヤ
ボンディングにより、例えば金線１９で電気的に接続す
る（図１（Ａ）および図１（Ｂ））。
【００３２】この構造体を筐体（ケース（図示せず））
の底面にハンダ等を用いて固定する。このとき、ケース
の側面の窓部に設けてある光ファイバからの出射光を集
光するレンズと、上記構造体の受光素子の受光部との高
さ方向の位置ずれに応じて、アンプ用基板とケースの底
面との間にスペーサーを介在させる。これによってレン
ズを通ってケース内に入る光と受光部との高さ方向の位
置を調節する。
の底面にハンダ等を用いて固定する。このとき、ケース
の側面の窓部に設けてある光ファイバからの出射光を集
光するレンズと、上記構造体の受光素子の受光部との高
さ方向の位置ずれに応じて、アンプ用基板とケースの底
面との間にスペーサーを介在させる。これによってレン
ズを通ってケース内に入る光と受光部との高さ方向の位
置を調節する。
【００３３】この結果、従来のように基板に受光素子を
固定して、この基板をキャリアに固定するという２段階
の固定段階を踏むことなく、側面１３ａを斜面にしたア
ンプ用基板１３に直接受光素子アレイ１１を固定してい
るため、固定段階で生じる位置ずれを低減することがで
きる。よって、光ファイバから出射される光と、受光素
子の受光部との光結合部分の位置合わせを容易に行うこ
とができる。
固定して、この基板をキャリアに固定するという２段階
の固定段階を踏むことなく、側面１３ａを斜面にしたア
ンプ用基板１３に直接受光素子アレイ１１を固定してい
るため、固定段階で生じる位置ずれを低減することがで
きる。よって、光ファイバから出射される光と、受光素
子の受光部との光結合部分の位置合わせを容易に行うこ
とができる。
【００３４】また、アンプ用基板１３の斜面１３ａに直
接受光素子アレイ１１を固定するため、受光素子アレイ
１１とアンプ１２との間の配線の長さ（主に、金線１９
の長さ）を短くすることができる。このため、配線の長
さに相当する分だけ、共振周波数を上げることができ
て、より高周波の信号の伝送を可能にすることができ
る。
接受光素子アレイ１１を固定するため、受光素子アレイ
１１とアンプ１２との間の配線の長さ（主に、金線１９
の長さ）を短くすることができる。このため、配線の長
さに相当する分だけ、共振周波数を上げることができ
て、より高周波の信号の伝送を可能にすることができ
る。
【００３５】また、この実施の形態では、アンプ用基板
１３および受光素子アレイ１１を固定するキャリアを必
要としないため、ケースの高さを低くすることができ
る。ここでは、ケース内に収納する構造体の高さを最大
でも１ｍｍ程度にすることができるため、ケースの高さ
を５ｍｍ以内に抑えることができる。このため受光素子
モジュールを小型化することができる。
１３および受光素子アレイ１１を固定するキャリアを必
要としないため、ケースの高さを低くすることができ
る。ここでは、ケース内に収納する構造体の高さを最大
でも１ｍｍ程度にすることができるため、ケースの高さ
を５ｍｍ以内に抑えることができる。このため受光素子
モジュールを小型化することができる。
【００３６】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の光伝送モジュールは、少なくとも、受光素子
と、制御部基板にＩＣ化されて成る電流制御部としての
アンプと、この受光素子とアンプとを収納するケースと
を具えていて、制御部基板の側面に受光素子が固定され
ている。
の発明の光伝送モジュールは、少なくとも、受光素子
と、制御部基板にＩＣ化されて成る電流制御部としての
アンプと、この受光素子とアンプとを収納するケースと
を具えていて、制御部基板の側面に受光素子が固定され
ている。
【００３７】このため、従来よりも、受光素子およびア
ンプの筐体への固定段階を減らすことができる。よって
固定するときに生じる位置ずれを低減することができ
て、光ファイバからの光と受光素子の受光部との光結合
部の位置合わせを容易に行うことができるようになる。
ンプの筐体への固定段階を減らすことができる。よって
固定するときに生じる位置ずれを低減することができ
て、光ファイバからの光と受光素子の受光部との光結合
部の位置合わせを容易に行うことができるようになる。
【００３８】また、アンプ用基板に直接受光素子が固定
されているため、アンプと受光素子との間の配線が短く
なる。このため、共振周波数を高周波側へ上げることが
できるので、より高周波の信号伝送をするのが可能とな
る。
されているため、アンプと受光素子との間の配線が短く
なる。このため、共振周波数を高周波側へ上げることが
できるので、より高周波の信号伝送をするのが可能とな
る。
【００３９】また、筐体内に収納する構造体の大きさ
を、従来より、アンプと受光素子とが設けられた基板お
よびこの基板を固定するキャリアの分だけ小さくするこ
とができる。このため、光伝送モジュールの小型化が図
れる。
を、従来より、アンプと受光素子とが設けられた基板お
よびこの基板を固定するキャリアの分だけ小さくするこ
とができる。このため、光伝送モジュールの小型化が図
れる。
【００４０】また、受光素子（受光素子アレイ）を固定
するアンプ用基板の側面は、光ファイバからの出射光に
対して斜面になるように形成されている。これにより受
光素子の受光部も出射光に対して入射角が垂直ではない
ために受光部で反射した光が光ファイバへ戻るのを避け
ることができる。この斜面の形成は、アンプを製造する
ときに、アンプ用基板をダイシングするが、このダイシ
ングに用いるブレードを斜めにセットしてこの基板の切
断を行ってもよい。また、通常のアンプ用基板の切断と
同様に切断を行った後、基板の材料である半導体結晶の
結晶面に従って選択的にエッチングするエッチング液を
用いて、上記基板のエッチングを行って、一定の角度
（例えばシリコンウェハであれば基板表面に対して約４
５°の結晶面を有する。）の斜面を形成してもよい。こ
のようにすれば、光ファイバからの光の入射角度を一定
にすることができる。よって受光部における光結合効率
の、光伝送モジュール間で発生するバラツキを低減する
ことができる。
するアンプ用基板の側面は、光ファイバからの出射光に
対して斜面になるように形成されている。これにより受
光素子の受光部も出射光に対して入射角が垂直ではない
ために受光部で反射した光が光ファイバへ戻るのを避け
ることができる。この斜面の形成は、アンプを製造する
ときに、アンプ用基板をダイシングするが、このダイシ
ングに用いるブレードを斜めにセットしてこの基板の切
断を行ってもよい。また、通常のアンプ用基板の切断と
同様に切断を行った後、基板の材料である半導体結晶の
結晶面に従って選択的にエッチングするエッチング液を
用いて、上記基板のエッチングを行って、一定の角度
（例えばシリコンウェハであれば基板表面に対して約４
５°の結晶面を有する。）の斜面を形成してもよい。こ
のようにすれば、光ファイバからの光の入射角度を一定
にすることができる。よって受光部における光結合効率
の、光伝送モジュール間で発生するバラツキを低減する
ことができる。
【図１】（Ａ）は、実施の形態の説明に供する、光伝送
モジュールの一部の構造を示す、概略的な斜視図であ
り、（Ｂ）は、実施の形態の説明に供する、光伝送モジ
ュールの一部の構造を示す、概略的な断面図である。
モジュールの一部の構造を示す、概略的な斜視図であ
り、（Ｂ）は、実施の形態の説明に供する、光伝送モジ
ュールの一部の構造を示す、概略的な断面図である。
【図２】（Ａ）は、従来の光伝送モジュールとその周辺
の構造を示す、概略的な断面図であり、（Ｂ）は、従来
の光伝送モジュールの一部の構造を示す、概略的な斜視
図である。
の構造を示す、概略的な断面図であり、（Ｂ）は、従来
の光伝送モジュールの一部の構造を示す、概略的な斜視
図である。
１１：受光素子アレイ、光素子 １２：アンプ、電流制御部 １３：アンプ用基板、制御部基板 １３ａ：側面、斜面 １３ｂ：上面 １３ｃ：下面 １５：第１配線パッド １７：第２配線パッド １９：金線 １０１：光ファイバ １０３：受光素子 １０３ａ：受光部 １０５：増幅器（アンプ） １０６：アンプ用基板 １０７：基板、セラミック基板 １０９：支持体（キャリア） １０９ａ：側面 １０９ｂ：上面 １１１：筐体（ケース） １１１ａ：窓部 １１３：レンズ １１５：スペーサー １１７：配線パターン １１９：ワイヤ
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも、光素子と、制御部基板にＩ
Ｃ化されて成る電流制御部と、前記光素子と電流制御部
とを収納する筐体とを具えた光伝送モジュールにおい
て、 前記制御部基板の側面に前記光素子が固定されているこ
とを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光伝送モジュールにお
いて、 前記光素子を受光素子とし、前記電流制御部をアンプと
することを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光伝送モジュールにお
いて、 前記光素子を発光素子とし、前記電流制御部をドライバ
ＩＣとすることを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項４】 請求項２に記載の光伝送モジュールにお
いて、 前記制御部基板の側面は、前記筐体の外側から該筐体内
に向かって入射される光ファイバからの入射光に対し
て、斜面となっていることを特徴とする光伝送モジュー
ル。 - 【請求項５】 請求項４に記載の光伝送モジュールにお
いて、 前記斜面を、前記制御部基板を構成するウェハの結晶面
に添って形成する面とすることを特徴とする光伝送モジ
ュール。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9200261A JPH1144830A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 光伝送モジュール |
| EP98305664A EP0893861A3 (en) | 1997-07-25 | 1998-07-16 | Optical module |
| KR1019980029482A KR19990014073A (ko) | 1997-07-25 | 1998-07-22 | 광모듈 |
| CN98116370A CN1267836A (zh) | 1997-07-25 | 1998-07-24 | 光模块 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9200261A JPH1144830A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 光伝送モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1144830A true JPH1144830A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16421414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9200261A Withdrawn JPH1144830A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 光伝送モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1144830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7021840B2 (en) | 2002-06-25 | 2006-04-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical receiver and method of manufacturing the same |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP9200261A patent/JPH1144830A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7021840B2 (en) | 2002-06-25 | 2006-04-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical receiver and method of manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |