JPH1146004A

JPH1146004A - 光伝送モジュール

Info

Publication number: JPH1146004A
Application number: JP9200262A
Authority: JP
Inventors: Yoshiki Shibuya; 佳樹澁谷; Naoyuki Mineo; 尚之峯尾; Shunji Sakai; 俊二坂井
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1997-07-25
Filing date: 1997-07-25
Publication date: 1999-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】受光部への入射光と受光部との光結合部分の
位置合わせを容易に行うことができ、より小型化が図
れ、高周波の信号伝送が可能であること。【解決手段】少なくとも、光素子１１と、電流制御部
１３と、光素子と電流制御部とが搭載される支持部１５
と、光素子、電流制御部および支持部が収納される筐体
とを具えていて、支持部１５の主表面１５ｂ上に、直接
電流制御部１３が固定してあり、および支持部の側面１
５ａ上に光素子が固定してある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光通信等に用い
る光伝送モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】光伝送用の受光モジュールとして、例え
ば、文献（１９９１年電子情報通信学会秋季大会Ｂ−
６５２１０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用広帯域受信モジュー
ル北村圭一、他）に記載されるものがある。このよう
な受光モジュールについて、図４（Ａ）および図４
（Ｂ）を参照して説明する。図４（Ａ）は、受光モジュ
ールの光ファイバからの出射光の方向に沿って切った図
で、切り口の断面で示している。また、図４（Ｂ）は、
受光モジュールの筐体（ケース）内に固定する構造体を
概略的に示す斜視図である。

【０００３】この受光モジュールは、光ファイバ１０１
からの光を受けるための受光素子１０３と、受光素子１
０３で変換された受光電流を増幅するための増幅器１０
５（アンプ）と、これら受光素子１０３とアンプ１０５
とを搭載する基板１０７と、この基板１０７を固定する
支持体１０９（キャリア）と、このキャリア１０９を収
納する筐体１１１（ケース）とを具えている（図４
（Ａ）および図４（Ｂ））。また、このケース１１１に
は、ケース１１１の外側にある光ファイバ１０１からの
光をケース１１１内に取り入れるための窓部１１１ａが
設けられていて、この窓部１１１ａには光ファイバ１０
１からの光を集光するレンズ１１３が固定されている
（図４（Ａ））。なお、アンプ１０５は、ＩＣ化され、
Ｓｉ等の半導体基板内につくり込まれているような構造
であるが、ここでは、この基板も含めた構造体をアンプ
と称している。また、受光素子１０３およびアンプ１０
５はセラミック基板１０７上にハンダ等によってダイス
ボンドされている。また、このセラミック基板１０７
は、セラミック製のキャリア１０９の側面１０９ａにハ
ンダで固定されている（図４（Ｂ）。そして、このキャ
リア１０９はケース１１１内にハンダによって固定され
ている。このとき、キャリア１０９に実装された受光素
子１０３の受光部１０３ａと、光ファイバ１０１からケ
ース１１１内に入ってくる光との光結合部分の高さ方向
の位置を合わせるために、必要に応じて、キャリア１０
９とケース１１１との間にスペーサー１１５を入れる
（図４（Ａ））。

【０００４】光ファイバ１０１の先端部から出射した光
はレンズ１１３によって集光されてケース１１１内の受
光素子１０３の受光部１０３ａに到達する。

【０００５】基板１０７を固定するキャリア１０９の側
面１０９ａは、光ファイバ１０１からの光が受光素子１
０３に達した後、受光素子１０３の表面で反射して光フ
ァイバ１０１に戻らないようにするために、受光素子１
０３への入射光に対して斜面となるように形成されてい
る（図４（Ａ））。このため、受光素子１０３の表面で
は、光は光ファイバ１０１とは異なる方向に反射するた
め、光ファイバ１０１には戻らない。

【０００６】また、キャリア１０９の上面１０９ｂに
は、金メッキによる配線パターン１１７が形成されてい
て、受光素子１０３とアンプ１０５、およびアンプ１０
５と配線パターン１１７とは、それぞれワイヤボンディ
ングによってワイヤ１１９で電気的に接続されている
（図４（Ｂ））。

【０００７】受光素子１０３で光から受光電流に変換さ
れる。この受光電流はアンプ１０５で増幅および電圧変
換されて、例えば、キャリア１０９の配線パターン１１
７の直下のキャリア１０９内に形成されたスルーホール
を通る。この後、このスルーホールと電気的に接続させ
てケースに設けた配線パターンから、増幅され電圧変換
された受光電流を、出力電圧としてケースの外部へ取り
出すことができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、受光素
子１０３は、受光部１０３ａにおける、光ファイバ１０
１からの入射光の光結合効率が良くなるように、位置合
わせをして固定を行う必要がある。この固定は、受光素
子１０３と基板１０７とのダイスボンドによる固定、お
よび基板１０７とキャリア１０９とのダイスボンドによ
る固定という２段階での固定であるために、それぞれの
固定の段階で、固定位置の位置ずれが生じる。この位置
ずれのために、光ファイバ１０１から受光部１０３ａへ
入射する光と受光部１０３ａとの光結合部分の位置合わ
せが困難となるという問題が生じた。

【０００９】このため、受光部への入射光と受光部との
光結合部分の位置合わせを容易に行うことのできる光伝
送モジュールの出現が望まれていた。

【００１０】また、アンプ１０５の大きさは２ｍｍ角程
度であり、その他にアンプ１０５と配線パターン１１７
とのボンディング用のボンディングパッドの領域や基板
１０７のキャリア１０９へのボンディング領域等の大き
さを考慮すると、基板１０７を固定するキャリア１０９
の側面１０９ａの高さは少なくても４ｍｍ程度必要であ
る。また、４ｍｍ程度という高さ方向の幅を有する、キ
ャリア１０９を収納するケースの高さは通常１０ｍｍ程
度必要であるため、光伝送モジュールの小型化は図れな
い。従って光モジュールを含む装置の小型化も困難とな
る。

【００１１】このため、より小型化が図れる光伝送モジ
ュールの出現が望まれていた。

【００１２】また、この光伝送モジュールにおいては、
受光素子とアンプとの間の配線が比較的長い。このため
共振周波数が低周波側にあって共振しやすい。よって高
周波の信号伝送が困難であった。

【００１３】このため、高周波の信号伝送が可能な光伝
送モジュールの出現が望まれていた。

【００１４】

【課題を解決するための手段】したがって、この発明の
光伝送モジュールは、少なくとも、光素子と、電流制御
部と、光素子と電流制御部とが搭載される支持部と、光
素子、電流制御部および支持部が収納される筐体とを具
えていて、支持部の主表面上に、直接電流制御部が固定
してあり、および支持部の側面上に光素子とが固定して
ある。

【００１５】光素子は、筐体の外に設けられている光フ
ァイバの位置もしくは筐体に設けられた窓部に固定され
たレンズの位置に対応させて、位置決めをして固定する
必要がある。この発明では支持部に直接光素子が取り付
けられているため、従来よりも、光素子の固定位置にず
れを生じさせる原因である固定工程を減らすことができ
る。よって光素子として受光素子を用いている場合に
は、光ファイバからの出射光と受光素子の受光部との光
結合部分の位置合わせを容易に行うことができる。ま
た、光素子として発光素子を用いている場合には、発光
素子から発生する光を、光ファイバに効率良く入射する
ことができるような位置に発光素子を固定するのが容易
となる。

【００１６】また、支持部の高さは、側面に固定する光
素子の高さ方向の幅のみに依存するため、支持部の高さ
を従来よりも低くすることができる。このため、この支
持部を収納する筐体の高さも低くすることができる。よ
って光伝送モジュールの小型化が図れる。

【００１７】また、好ましくは、支持部の主表面に、電
流制御部が収納される凹部が設けられているのがよい。

【００１８】上述したように、支持部の高さを従来より
低くすることができるのに加えて、この支持部の主表面
に凹部が設けられて、この凹部に電流制御部を収納する
ことができれば、支持部に光素子および電流制御部を実
装した構造体の高さを実質的に支持部のみの高さとする
ことができる。このため、光伝送モジュールの、より小
型化を図ることができる。

【００１９】また、支持部と電流制御部とを、ワイヤボ
ンディング等で電気的に接続する必要がある場合、上記
のように支持部の主表面に設けられた凹部に電流制御部
を収納することができれば、支持部の主表面と電流制御
部の上面との段差を小さくすることができる。よって、
配線の長さを短くすることができる。従って共振周波数
を上げることができて、より高周波の信号伝送が可能と
なり、また耐振動性も向上する。

【００２０】また、支持部を、セラミック層とフィルム
コンデンサ層との積層構造とするのがよい。例えば、支
持部を、下層から順に、第１セラミック層、フィルムコ
ンデンサ層および第２セラミック層の３層構造とする。

【００２１】従来、光伝送モジュールの発振を防ぐため
に、光素子を設けている下地面と同一の面であって、こ
の光素子に近接させてチップコンデンサを設けていた。
しかしながら、このチップコンデンサと光素子とを支持
体のひとつの面上に固定する場合、どうしても支持体は
大きくなってしまって小型化が図れなかった。このた
め、ここでは、チップコンデンサの代わりにフィルムコ
ンデンサを用いていて、このフィルムコンデンサを、支
持部の構成要素のひとつにしている。このような支持部
の主表面に電流制御部を固定して、側面に光素子を固定
すれば、側面にはチップコンデンサを設ける必要がない
ため、この側面は光素子の面積のみに依存する面積に形
成することができる。

【００２２】このため、支持部をより小型化することが
できて、光伝送モジュールの小型化も図れる。

【００２３】また、この光モジュールに高周波信号を伝
送するとき、支持部内に例えば電源（VCC)とグランド(G
ND) との間に挿入されるように設けたフィルムコンデン
サによって発振を防止することができる。

【００２４】また、好ましくは、光素子を受光素子と
し、電流制御部をアンプとするのがよい。この受光素子
はチップ状の１つの受光素子としてもよいし、複数の受
光素子を用いてなる受光素子アレイとしてもよい。ま
た、このアンプは半導体基板に増幅回路としてつくりこ
まれたものとするのがよい。

【００２５】また、光素子を発光素子とし、電流制御部
をドライバＩＣとしてもよい。

【００２６】また、光素子を受光素子としたとき、この
受光素子が固定されている支持部の側面は、筐体の外側
からこの筐体内に向かって入射される光ファイバからの
入射光に対して、斜面となっているのが好ましい。

【００２７】この斜面に受光素子を固定するため、光フ
ァイバからの光は受光部に対して垂直ではなくなる。こ
のようにすると、光ファイバからの光が受光素子の受光
部に到達した後、この受光部で反射した光が光ファイバ
へ戻る、いわゆる戻り光を防ぐことができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図を参照してこの発明の実
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に概略的に示してあるに過ぎず、したがって発明
を図示例に限定するものではない。また、図において、
図を分かり易くするために断面を示すハッチング（斜
線）は一部分を除き省略してある。

【００２９】＜第１の実施の形態＞第１の実施の形態と
して、少なくとも、光素子と、電流制御部と、光素子と
電流制御部とが搭載される支持部と、光素子、電流制御
部および支持部が収納される筐体とを具えた光伝送モジ
ュールにおいて、支持部の主表面上に、直接電流制御部
が固定してあり、および支持部の側面上に光素子とが固
定してある例につき図１を参照して説明する。

【００３０】ここでは、光伝送モジュールを受光モジュ
ールとし、光素子を受光素子とし、かつ電流制御部をア
ンプとする。

【００３１】図１は、受光モジュールのケース（筐体）
内に収納される、支持部（キャリアとも称する。）に受
光素子およびアンプが実装された構造体を概略的に示す
斜視図である。

【００３２】受光素子は、ここでは受光素子アレイ１１
内に複数併設している。また、アンプ１３は基板にＩＣ
化されてなる厚さ３５０μｍ程度のチップ状の構造物で
ある。ここでは、このチップ状の構造物全体をアンプと
称する。キャリア１５はセラミック製のキャリアで、少
なくとも１つの側面１５ａを斜面になるように形成して
ある。キャリア１５の表面の、受光素子アレイ１１や、
アンプ１３を設ける領域および配線用のパッドの領域に
は金メッキによるパターンが形成されている。キャリア
１５の主表面１５ｂには、少なくともアンプ用のパター
ン１７ａと、アンプ１３と受光素子との接続用の第１配
線パターン１７ｂと、アンプ１３からの出力電流を筐体
外へ取り出すための、アンプ１３と外部端子との接続用
の第２配線パターン１７ｃとが形成されている。また、
キャリア１５の斜面形状を有する側面１５ａには受光素
子アレイ用のパターン１７ｄが形成されている。

【００３３】上記金メッキされた受光素子アレイ用パタ
ーン１７ｄおよびアンプ用パターン１７ａの上面にハン
ダもしくは銀ペースト等のチップ固定材を塗布した後、
まず、受光素子アレイ１１を受光素子アレイ用パターン
１７ｄ上にダイスボンドし、各受光素子と、これらの素
子に対応する、キャリア上に設けた第１配線パターン１
７ｂとを金線１９を用いてワイヤボンドする。次に、ア
ンプ１３をアンプ用パターン１７ａ上にダイスボンドし
て、アンプ１３と第１配線パターン１７ｂ、およびアン
プ１３と第２配線パターン１７ｃとを、それぞれ金線１
９を用いてワイヤボンドする（図１参照）。

【００３４】この構造体をケース（図示せず）にハンダ
等を用いて固定する。

【００３５】このような受光モジュールによれば、従来
のように基板に受光素子およびアンプをダイスボンドし
て、さらにこの基板をキャリアに固定するという２段階
の固定の工程を、キャリアに直接受光素子およびアンプ
をダイスボンドするという工程のみで行うことができ
る。このため、各固定の工程で発生する固定位置のずれ
を低減することができる。よって受光素子の受光部と光
ファイバからの出射光との光結合部分の位置合わせを容
易に行うことができるようになる。

【００３６】また、キャリアの側面には受光素子アレイ
のみが固定されているので、キャリアの高さ方向の長さ
は、少なくとも受光素子アレイの幅の長さと配線パター
ンの長さがあればよい。この例では、受光素子アレイの
幅が０．５ｍｍであるため、キャリアの高さを最大でも
２ｍｍ程度にすることができる。この結果、このキャリ
アに受光素子やアンプを固定して配線を施した、上記構
造体は従来よりずっと小型となり、よって受光モジュー
ルの小型化も図れる。

【００３７】＜第２の実施の形態＞第２の実施の形態と
して、支持部の主表面に、電流制御部が収納される凹部
が設けられている例につき図を参照して説明する。図２
は、この実施の形態の光伝送モジュールである受光モジ
ュールの主要部を表す概略図である。

【００３８】以下、第１の実施の形態と相違する点につ
き説明し、第１の実施の形態と同様の点についてはその
詳細な説明を省略する。

【００３９】図２（Ａ）は、支持部としてのキャリアの
斜視図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示されるキ
ャリアに受光素子アレイおよびアンプを実装して、配線
を施した構造体を、図２（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った縦断
面図である。ここでは、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に
示しているように、キャリア１５の主表面１５ｂに凹部
２１が形成されている。この凹部２１の大きさは、アン
プ１３が中に収納される大きさであればよい。ここで用
いられているアンプ１３の厚さは３５０μｍ程度であ
る。また、ここでは、アンプ１３と他の素子とを電気的
に接続する配線用のワイヤ１９の、配線に必要な、アン
プ１３の表面からの高さは８０μｍ程度である。このた
め、キャリア１５の主表面１５ｂに設ける凹部２１の深
さを、例えば４５０μｍ程度にする。

【００４０】第１の実施の形態と同様にキャリア１５の
表面に金メッキによるパターンを形成する。キャリア１
５の凹部２１の底面上に、少なくともアンプ用のパター
ン１７ａが形成されている。また、凹部２１以外の主表
面１５ｂに、その他、接続用の第１配線パターン１７ｂ
および第２配線パターン１７ｃが形成されている。ま
た、キャリア１５の斜面形状を有する側面１５ａには受
光素子用のパターン１７ｄが形成されている（図２
（Ａ））。

【００４１】上記金メッキされた受光素子用パターン１
７ｄおよびアンプ用パターン１７ａの上面にチップ固定
材を塗布した後、受光素子アレイ１１を受光素子用パタ
ーン１７ｄ上にダイスボンドし、各受光素子と、これら
の素子に対応するキャリア１５上に設けた第１配線パタ
ーン１７ｂとを金線１９を用いてワイヤボンドする。次
に、アンプ１３をアンプ用パターン１７ａ上にダイスボ
ンドして、アンプ１３と第１配線パターン１７ｂ、およ
びアンプ１３と第２配線パターン１７ｃとをワイヤボン
ドする（図２（Ｂ）参照）。ここで、アンプ１３の対環
境信頼性、例えば耐湿特性を向上させるために、アンプ
１３の上からシリコン樹脂を塗布してアンプ１３を封止
してもよい。この後、この構造体をケース（図示せず）
にハンダ等を用いて固定する。

【００４２】この結果、第１の実施の形態の場合と同様
に、光ファイバからの出射光と受光素子との光結合部の
位置合わせを容易に行うことができ、また、キャリアの
高さを従来よりも低くすることができる。また、キャリ
アの主表面に凹部が設けてあって、この凹部にアンプを
収納するような構造であるため、アンプおよび受光素子
を実装した後の構造体の大きさを、より小さくすること
ができる。さらに、キャリアの凹部に収納されたアンプ
の上面と、凹部以外のキャリアの主表面上に形成された
配線パターンとをワイヤボンドするとき、アンプの上面
と配線パターンとの高さ方向の段差を低減することがで
きるので、ワイヤの長さを短くすることができる。具体
的にはキャリアに凹部を設けないときよりも、５０μｍ
程度短くすることができる。

【００４３】伝送する信号が高周波の信号になると、ワ
イヤに由来するキャパシタンスやインダクタンスによっ
て共振回路が形成される。ここで、ワイヤの長さを短く
することができれば、共振周波数を上げることができ
る。従って、より高周波の信号の伝送が可能となる。

【００４４】また、光伝送モジュールを具える装置に、
この光伝送モジュールを実装すると、装置内の冷却用フ
ァン等により光伝送モジュールには低周波の振動が伝わ
る。この振動によってワイヤが振動して断線するおそれ
があるが、共振周波数を上げることができるため、耐振
動性を向上させることができる。

【００４５】＜第３の実施の形態＞第３の実施の形態と
して、支持部（キャリア）を、セラミック層とフィルム
コンデンサ層との積層構造とする例につき、図３を参照
して説明する。ここでは、例えば、キャリア１５を、下
層から順に、第１セラミック層３１、フィルムコンデン
サ層３３および第２セラミック層３５の３層構造とす
る。支持部以外の構成は第１の実施の形態の場合と同様
である。

【００４６】以下、第１の実施の形態の場合と相違する
点につき説明し、第１の実施の形態の場合と同様の点に
ついてはその詳細な説明を省略する。

【００４７】図３（Ａ）は、キャリアを、光ファイバか
らの出射光の方向に沿って切った図で、切り口の断面の
形状を表している。また、図３（Ｂ）は、ここでは、キ
ャリアの斜面形状を有する側面部分の斜視図で、一部を
切り欠いて示してある。

【００４８】キャリア１５は、第１セラミック層３１
と、フィルムコンデンサ層３３と、第２セラミック層３
５とを順次積層した後、焼結して形成する。

【００４９】このキャリア１５に第１の実施例と同様に
金メッキによるパターン１７を形成する。このとき、受
光素子アレイ１１を固定する斜面形状を有する側面１５
ａの一部に、フィルムコンデンサの端面３７が露出して
いるが、パターン１７はこの露出部分を避けて形成する
（図３（Ｂ））。

【００５０】この後、このキャリア１５のパターン１７
上に、アンプおよび受光素子をそれぞれダイスボンドし
た後、配線を施す。

【００５１】また、発振を防ぐために電源とグランドと
の間にキャパシタンスを入れる。キャリアの表面に形成
されているパターン１７のうち電源用のパターン１７ｘ
とフィルムコンデンサ層３３の一方の面の側とが導通す
る第１スルーホール３９をキャリア１５内に形成し、ま
た、グランド用のパターン１７ｙとフィルムコンデンサ
層３３の他方の面の側とが導通する第２スルーホール４
１を、同様にしてキャリア１５内に形成する（図３
（Ａ））。これにより、電源とグランドとの間のキャパ
シタンスを確保する。

【００５２】この構造体をケース（図示せず）内にハン
ダ等を用いて固定する。

【００５３】この結果、第１の実施の形態の場合と同様
に、キャリアに直接、受光素子を固定しているので、従
来よりも固定のときに発生する位置ずれを低減すること
ができる。よって光ファイバからの出射光と、受光素子
との光結合部分の位置合わせを容易に行うことができ
る。

【００５４】また、キャリアの高さ方向の長さを、受光
素子アレイの幅のみに依存する長さにすることができる
ので、従来よりもキャリアの高さを低くすることができ
る。よってキャリアを収納するケースの小型化が図れる
ことから、受光モジュールをより小型化することができ
る。

【００５５】また、従来は発振を防止する手段として、
受光素子に近接してチップコンデンサを設けて、このチ
ップコンデンサにより電源とグランドとの間のキャパシ
タンスを確保していた。ところが、受光素子を設けるキ
ャリア表面、ここでは斜面形状を有する側面に受光素子
とチップコンデンサとを設けると、この側面の面積が大
きくなってしまって、受光モジュールの小型化を妨げる
要因となってしまう。

【００５６】このため、この実施の形態では、キャパシ
タンスを、キャリア内に設けたフィルムコンデンサによ
って確保することにより、キャリアの表面に固定する素
子の数を最低限に抑えることができる。よって、キャリ
アを従来よりも小型化することができる。従って、受光
モジュールの小型化を図ることができる。

【００５７】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の光伝送モジュールは、少なくとも、光素子であ
る受光素子と、電流制御部としてのアンプと、受光素子
とアンプとが搭載される支持部（キャリア）と、受光素
子、アンプおよびキャリアが収納される筐体（ケース）
とを具えていて、キャリアの主表面上に、直接アンプが
固定してあり、およびキャリアの側面上に受光素子とが
固定してある。

【００５８】このため、従来よりも受光素子およびアン
プの筐体への固定段階を減らすことができる。よって固
定するときに生じる位置ずれを低減することができて、
光ファイバからの出射光と受光素子の受光部との光結合
部の位置合わせを容易に行うことができるようになる。

【００５９】また、キャリアの側面には、受光素子のみ
が固定されているので、キャリアの高さ方向の長さを従
来よりも短くすることができる。このため受光モジュー
ルの小型化を図ることができる。

【００６０】また、キャリアの主表面に、アンプが収納
される凹部が設けられていると、キャリアにアンプおよ
び受光素子を実装した構造体の大きさを、より小さくす
ることができる。よってさらに受光モジュールの小型化
を図れる。また、アンプと凹部以外の主表面に形成され
た配線パターンとを配線するワイヤの長さを短くするこ
とができる。このため、共振周波数を上げることができ
て、より高周波の信号伝送をするのが可能となる。さら
に耐振動性を向上させることができる。

【００６１】また、キャリアを、セラミック層とフィル
ムコンデンサ層との積層構造とする。発振を防止するた
めに電源とグランドとの間に入れるキャパシタンスを、
従来のようにチップコンデンサでキャリアの表面に設け
ずに、フィルムコンデンサとしてキャリア内に設けて確
保している。このため、キャリアの大きさをコンデンサ
を設ける領域の分だけ大きくする必要はないために受光
モジュールの小型化が図れる。

【００６２】また、このような積層構造のキャリアにお
いても、主表面に凹部を設けて、この凹部内にアンプを
収納させてもよい。これにより、受光モジュールのさら
なる小型化が期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の説明に供する、概略的な斜
視図である。

【図２】（Ａ）は、第２の実施の形態の説明に供する、
支持部の概略的な斜視図であり、（Ｂ）は、第２の実施
の形態の説明に供する、概略的な断面図である。

【図３】（Ａ）は、第３の実施の形態の説明に供する、
支持部の概略的な断面図であり、（Ｂ）は、第３の実施
の形態の説明に供する、概略的な部分拡大図である。

【図４】（Ａ）は、従来の光伝送モジュールとその周辺
の構造を示す概略的な断面図であり、（Ｂ）は、従来の
光伝送モジュールの一部の構造を示す概略的な斜視図で
ある。

【符号の説明】

１１：受光素子アレイ、光素子１３：アンプ、電流制御部１５：キャリア、支持部１５ａ：側面１５ｂ：主表面１７：金メッキによるパターン１７ａ：アンプ用のパターン１７ｂ：第１配線パターン１７ｃ：第２配線パターン１７ｄ：受光素子用のパターン１７ｘ：電源用のパターン１７ｙ：グランド用のパターン１９：金線、ワイヤ２１：凹部３１：第１セラミック層３３：フィルムコンデンサ層３５：第２セラミック層３７：端面３９：第１スルーホール４１：第２スルーホール１０１：光ファイバ１０３：受光素子１０３ａ：受光部１０５：増幅器（アンプ）１０７：基板、セラミック基板１０９：支持体（キャリア）１０９ａ：側面１０９ｂ：上面１１１：筐体（ケース）１１１ａ：窓部１１３：レンズ１１５：スペーサー１１７：配線パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、光素子と、電流制御部と、
前記光素子と電流制御部とが搭載される支持部と、前記
光素子、電流制御部および支持部が収納される筐体とを
具えた光伝送モジュールにおいて、前記支持部の主表面上に、直接前記電流制御部が固定し
てあり、および前記支持部の側面上に前記光素子とが固
定してあることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項２】請求項１に記載の光伝送モジュールにお
いて、前記支持部の主表面に、前記電流制御部が収納される凹
部が設けられていることを特徴とする光伝送モジュー
ル。
【請求項３】請求項１に記載の光伝送モジュールにお
いて、前記支持部を、セラミック層とフィルムコンデンサ層と
の積層構造とすることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項４】請求項３に記載の光伝送モジュールにお
いて、前記支持部を、下層から順に、第１セラミック層、フィ
ルムコンデンサ層および第２セラミック層の３層構造と
することを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項５】請求項１に記載の光伝送モジュールにお
いて、前記光素子を受光素子とし、前記電流制御部をアンプと
することを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項６】請求項１に記載の光伝送モジュールにお
いて、前記光素子を発光素子とし、前記電流制御部をドライバ
ＩＣとすることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項７】請求項５に記載の光伝送モジュールにお
いて、前記光素子が固定されている前記支持部の側面は、前記
筐体の外側から該筐体内に向かって入射される光ファイ
バからの入射光に対して、斜面となっていることを特徴
とする光伝送モジュール。