JPH114003A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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JPH114003A
JPH114003A JP9310878A JP31087897A JPH114003A JP H114003 A JPH114003 A JP H114003A JP 9310878 A JP9310878 A JP 9310878A JP 31087897 A JP31087897 A JP 31087897A JP H114003 A JPH114003 A JP H114003A
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film
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尚幸 島田
Yozo Narutaki
陽三 鳴▲瀧▼
Mikio Katayama
幹雄 片山
Hiroko Maruyama
裕子 丸山
Kazuhiro Maekawa
和広 前川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光透過率を向上させて明るい表示が得られる
ようにする。 【解決手段】 ＴＦＴ２と、ゲート電極１２を一部とす
るゲート信号線と、ソース電極やドレイン電極となるｎ
+−Ｓｉ層１６ａ、１６ｂと、ＩＴＯ膜９ａや金属層１
７ａからなるソース信号線と、ＩＴＯ膜９ｂや金属層１
７ｂからなる接続電極などを覆って設けられた層間絶縁
膜１９が、光透過部において基板１１に直接接してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばワードプロ
セッサ、パーソナルコンピュータ等のＯＡ（オフィスオ
ートメーション）機器やＴＶ（テレビジョン）セット等
に用いられる液晶表示装置等の表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１９に従来の液晶表示装置の一部であ
るアクティブマトリクス基板の構成を示す。この液晶表
示装置はアクティブマトリクス型であり、液晶等からな
る表示媒体を挟むようにアクティブマトリクス基板と対
向基板とが対向配設されている。アクティブマトリクス
基板にはスイッチング素子である薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）２および画素容量１がマトリクス状に形成されて
いる。ＴＦＴ２を制御する走査線としてのゲート信号線
３は、ＴＦＴ２のゲート電極に接続され、そこに入力さ
れる信号によってＴＦＴ２が駆動される。ＴＦＴ２にデ
ータ信号を供給する信号線としてのソース信号線５は、
ＴＦＴ２のソース電極に接続され、そこからビデオ信号
などが入力される。各ゲート信号線３とソース信号線５
とは、各ＴＦＴ２の近傍で互いに交差するように形成さ
れている。ＴＦＴ２のドレイン電極には、画素電極６お
よび画素容量１の一方の端子（電極）が接続されてい
る。各画素容量１の他方の端子（電極）は画素容量配線
４に接続され、画素容量配線４は液晶表示装置の構成と
された場合に対向基板上に形成された対向電極と電気的
に接続される。
【０００３】図２０に、従来のアクティブマトリクス基
板の断面図を示す。このアクティブマトリクス基板は、
透明絶縁性の基板１１上にゲート信号線３の一部である
ゲート電極１２が形成され、その上を覆ってゲート絶縁
膜１３が形成されている。その上にはゲート電極１２と
重畳するように半導体層１４が形成され、その中央部上
にチャネル保護層１５が形成されている。チャネル保護
層１５の端部および半導体層１４の一部を覆い、かつ、
チャネル保護層１５の上で分断された状態で、ソース電
極およびドレイン電極となるｎ+−Ｓｉ層１６ａ、１６
ｂが形成されている。一方のｎ+−Ｓｉ層１６ａの上に
はソース信号線５となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）膜９ａおよび金属層１７ａが形成され、
他方のｎ+−Ｓｉ層１６ｂの上にはドレイン電極と画素
電極２０とを接続する接続電極となるＩＴＯ膜９ｂおよ
び金属層１７ｂが形成されている。その上に無機薄膜か
らなるパッシベーション膜１８が設けられ、さらにその
上にＴＦＴ２、ゲート信号線３およびソース信号線５を
覆って透明度の高い有機薄膜からなる層間絶縁膜１９が
形成されている。層間絶縁膜１９の上には画素電極６が
形成されている。この画素電極６はパッシベーション膜
１８および層間絶縁膜１９を貫くコンタクトホール７を
介して、接続電極であるＩＴＯ膜９ｂによりＴＦＴのド
レイン電極であるｎ+−Ｓｉ層１６ｂと接続されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように透明絶縁性の基板１１と透明度の高い有機薄膜か
らなる層間絶縁膜１９との間にゲート絶縁膜１３と無機
薄膜からなるパッシベーション膜１８とが存在する場
合、基板１１とゲート絶縁膜１３との界面、およびパッ
シベーション膜１８と層間絶縁膜１９との界面で、屈折
率の差による光の反射が生じて光透過率が低下するとい
う問題がある。
【０００５】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、光透過率を向上させて明
るい表示が得られる表示装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、表
示媒体を挟んで対向配設された一対の基板のうちの一方
の基板上に、マトリクス状に設けられたスイッチング素
子と、互いに交差して設けられた走査線および信号線
と、該スイッチング素子、該走査線および該信号線を片
面側に、かつ、もう一方の片面側に画素電極を配するよ
うに設けられた層間絶縁膜とを有し、該画素電極が該層
間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して該スイッチン
グ素子のドレイン電極と電気的に接続されている表示装
置において、該層間絶縁膜が透明度の高い有機薄膜から
なり、該スイッチング素子、該走査線および該信号線を
少なくとも覆い、かつ、少なくとも遮光性のある該スイ
ッチング素子、該走査線および該信号線で遮光されない
光透過部で、該一方の基板と直接接するように形成され
ており、そのことにより上記目的が達成される。
【０００７】前記一方の基板の光透過部以外の部分と前
記層間絶縁膜部分との間に、前記スイッチング素子のゲ
ート電極を少なくとも覆うゲート絶縁膜と前記スイッチ
ング素子を少なくとも覆う無機薄膜からなるパッシベー
ション膜とを有し、該ゲート絶縁膜が、該一方の基板上
の光透過部と光透過部以外の部分とにわたって形成した
ゲート絶縁膜形成用膜をパターニングして光透過部の膜
部分を除去したものからなり、該パッシベーション膜
が、該一方の基板上の光透過部と光透過部以外の部分と
にわたって形成したパッシベーション膜形成用膜をパタ
ーニングして光透過部の膜部分を除去したものからなっ
ていてもよい。
【０００８】前記一方の基板の光透過部以外の部分と前
記層間絶縁膜部分との間に、前記スイッチング素子のゲ
ート電極を少なくとも覆うゲート絶縁膜を有し、該ゲー
ト絶縁膜が、該一方の基板上の光透過部と光透過部以外
の部分とにわたって形成したゲート絶縁膜形成用膜をパ
ターニングして光透過部の膜部分を除去したものからな
っていてもよい。
【０００９】前記層間絶縁膜の光屈折率が１．５以上
２．０以下であってもよい。
【００１０】前記一方の基板の光透過部以外の部分と前
記層間絶縁膜との間であって、前記スイッチング素子の
ゲート電極上の部分、前記走査線上の部分および前記信
号線下の部分にゲート絶縁膜を有し、該ゲート絶縁膜
が、該一方の基板上の光透過部と光透過部以外の部分と
にわたって形成したゲート絶縁膜形成用膜をパターニン
グして該ゲート電極上、該走査線上および該信号線下の
膜部分を残すと共に光透過部の膜部分を除去したものか
らなっていてもよい。
【００１１】前記一方の基板の光透過部以外の部分と前
記層間絶縁膜との間であって、前記スイッチング素子上
の部分、前記走査線上の部分および前記信号線上の部分
に無機薄膜からなるパッシベーション膜を有し、該パッ
シベーション膜が、該一方の基板上の光透過部と光透過
部以外の部分とにわたって形成したパッシベーション膜
形成用の膜をパターニングして該スイッチング素子上、
該走査線上および該信号線上の膜部分を残すと共に光透
過部の膜部分を除去したものからなっていてもよい。
【００１２】前記走査線上のパッシベーション膜部分が
該走査線上のゲート絶縁膜部分のエッジを覆うように設
けられ、かつ、前記信号線上のパッシベーション膜部分
が該走査線下のゲート絶縁膜部分のエッジを覆うように
設けられていてもよい。
【００１３】前記パッシベーション膜が、前記一方の基
板上の光透過部と光透過部以外の部分とにわたって形成
したパッシベーション膜形成用の膜をドライエッチング
によりパターニングして光透過部の膜部分を除去したも
のからなっていてもよい。
【００１４】前記走査線と前記信号線との交差部、該走
査線のパターンの屈曲部および該信号線のパターンの屈
曲部において、前記ゲート絶縁膜のパターン幅が広げて
あってもよい。
【００１５】前記走査線と前記信号線との交差部、該走
査線のパターンの屈曲部および該信号線のパターンの屈
曲部において、前記パッシベーション膜のパターン幅が
広げてあってもよい。
【００１６】本発明の表示装置は、表示媒体を挟んで対
向配設された一対の基板のうちの一方の基板上に、マト
リクス状に設けられたスイッチング素子と、互いに交差
して設けられた走査線および信号線と、該スイッチング
素子、該走査線および該信号線を片面側に、かつ、もう
一方の片面側に画素電極を配するように設けられた層間
絶縁膜とを有し、該画素電極が該層間絶縁膜を貫くコン
タクトホールを介して該スイッチング素子のドレイン電
極と電気的に接続されている表示装置において、該一方
の基板と該層間絶縁膜との間に、該スイッチング素子の
ゲート電極を少なくとも覆うゲート絶縁膜と、該スイッ
チング素子を少なくとも覆う無機薄膜からなるパッシベ
ーション膜とのうちの前者を少なくとも有し、該層間絶
縁膜が、透明度が高い光屈折率が１．８以上２．０以下
である絶縁膜からなり、そのことにより上記目的が達成
される。
【００１７】以下に、本発明の作用について説明する。
【００１８】請求項１に記載の本発明にあっては、少な
くともスイッチング素子、走査線および信号線で遮光さ
れない光透過部において、層間絶縁膜と基板とが直接接
している。よって、従来の表示装置のように、基板とゲ
ート絶縁膜との界面やパッシベーション膜と層間絶縁膜
との界面が存在せず、これらの界面での屈折率の差によ
る光の反射が生じない。
【００１９】請求項２に記載の本発明にあっては、基板
上の光透過部と光透過部以外の部分とにわたってパッシ
ベーション膜形成用膜を形成し、これをパターニングし
て光透過部の膜部分を除去することにより、基板の光透
過部以外の部分と層間絶縁膜部分との間に、少なくとも
スイッチング素子を覆うパッシベーション膜が設けられ
る。この場合、イオン性物質を含んだ透明度の高い有機
薄膜からなる層間絶縁膜とスイッチング素子との間に、
無機薄膜からなるパッシベーション膜が存在するので、
スイッチング素子の信頼性が向上する。また、基板上の
光透過部と光透過部以外の部分とにわたってゲート絶縁
膜形成用膜を形成し、これをパターニングして光透過部
の膜部分を除去することにより、基板の光透過部以外の
部分と層間絶縁膜部分との間に、少なくともスイッチン
グ素子のゲート電極を覆うゲート絶縁膜が設けられる。
【００２０】請求項３に記載の本発明にあっては、基板
の光透過部以外の部分と層間絶縁膜部分との間にゲート
絶縁膜を設けてパッシベーション膜を設けていないた
め、光透過部とそれ以外の部分との間の段差がゲート絶
縁膜の膜厚分だけになり、層間絶縁膜による基板表面の
平坦化が容易である。また、パッシベーション膜形成用
膜の成膜工程やパターニング工程が不要であるので、製
造工程が簡略化される。
【００２１】ところで、基板がガラスからなる場合には
屈折率が約１．５〜１．６であり、画素電極がＩＴＯか
らなる場合には屈折率が約１．８〜２．０である。そこ
で、請求項４に記載の本発明にあっては、上記層間絶縁
膜の光屈折率を１．５以上２．０以下にすることによ
り、基板と層間絶縁膜との界面や層間絶縁膜と画素電極
との界面での屈折率の差を小さくして、これらの界面で
の光反射の発生を低くすることが可能である。
【００２２】このように、光透過部において透明絶縁性
の基板と透明度の高い有機薄膜からなる層間絶縁膜を直
接接する構造にすることにより、基板とゲート絶縁膜と
の界面や無機薄膜からなるパッシベーション膜と層間絶
縁膜との界面が存在しないので、これらの界面での屈折
率の差による光の反射による表示装置の透過率の低下は
生じない。
【００２３】しかしながら、光透過部のゲート絶縁膜部
分をパターニングして除去する際に走査線上の部分を除
去してしまうと、ゲート絶縁膜のエッチングや信号線の
エッチングの際に走査線にダメージが生じて走査線の断
線等による表示不良が生じることがある。また、信号線
の下にゲート絶縁膜が無い部分があると、ゲート絶縁膜
がある部分と無い部分との境界部で段差が生じて信号線
の断線等による表示不良が生じることがある。そこで、
請求項５に記載の本発明にあっては、ゲート絶縁膜のパ
ターニング時にゲート電極上、走査線上および信号線下
の膜部分を残して光透過部の膜部分を除去することによ
り、走査線および信号線の断線不良を防ぐことが可能で
ある。
【００２４】パッシベーション膜を設けた構成において
は、光透過部の膜部分をパターニングして除去する際に
走査線上の部分を除去してしまうと、パッシベーション
膜のエッチングの際にゲート絶縁膜にダメージを与える
ことがあり、さらに、ゲート絶縁膜の欠陥が走査線上に
ある場合にはそこから走査線にダメージを与えて表示不
良が生じることもある。また、光透過部のパッシベーシ
ョン膜部分をパターニングして除去する際に信号線上の
部分を除去してしまうと、パッシベーション膜のエッチ
ングの際に信号線にダメージが生じて走査線の断線等に
よる表示不良が生じることがある。そこで、請求項６に
記載の本発明にあっては、パッシベーション膜のパター
ニング時にスイッチング素子上、走査線上および信号線
上の膜部分を残して光透過部の膜部分を除去することに
より、ゲート絶縁膜の不良や走査線および信号線の断線
不良を防ぐことが可能である。
【００２５】請求項７に記載の本発明にあっては、走査
線上および信号線下のゲート絶縁膜部分のエッジを覆う
ようにパッシベーション膜を設けることにより、ゲート
絶縁膜のエッジ下のガラス基板がエッチングされるのを
防ぐことができる。一般に、ゲート絶縁膜およびパッシ
ベーション膜の材料としては窒化シリコン等の絶縁性材
料が用いられるが、ゲート絶縁膜については、デバイス
の信頼性を確保するために組織上密に成膜する必要があ
る。一方、パッシベーション膜については、その上に透
明度の高い有機薄膜からなる層間絶縁膜が存在するの
で、ゲート絶縁膜ほど組織上密に成膜する必要はなく、
パッシベーション膜成膜時に下層に有害なダメージを与
えない程度に組織上粗に成膜する。このため、ゲート絶
縁膜とパッシベーション膜とに対してウェットエッチン
グを行った場合、ゲート絶縁膜に比べてパッシベーショ
ン膜のエッチングレートが格段に大きくなる。例えば、
窒化シリコン膜のエッチングにはＢＨＦが用いられる
が、ゲート絶縁膜に比べてパッシベーション膜のエッチ
ングレートが格段に大きく、ガラス基板とパッシベーシ
ョン膜のエッチングレートはほぼ等しい。さらに、パッ
シベーション膜にはドレイン電極と画素電極とを接続す
るためのコンタクトホールが形成されるが、このコンタ
クトホールが充分に開いていない画素は表示上の輝点と
なるため、パッシベーション膜のエッチング条件はジャ
ストエッチ（エッチングによりパッシベーション膜の膜
厚が調度ゼロになる）時間よりも充分に長くする必要が
ある。ここで、ゲート絶縁膜のエッジがパッシベーショ
ン膜で覆われていない場合には、パッシベーション膜の
エッチングの際にジャストエッチ時間を超えてからはガ
ラス基板がエッチングされ始めるが、ゲート絶縁膜はガ
ラスよりもエッチングレートが小さいため、ゲート絶縁
膜のエッジの下のガラス基板がエッチングされてしま
う。その結果、ゲート絶縁膜のエッジがひさしのように
浮き、ゲート絶縁膜が剥離して不良が発生する。そこ
で、走査線上および信号線上のゲート絶縁膜部分のエッ
ジを覆うようにパッシベーション膜を設けることによ
り、パッシベーション膜のエッチング時にはゲート絶縁
膜のエッジ上にパッシベーション膜とレジストパターン
とが存在するため、ゲート絶縁膜のエッジ下のガラス基
板がエッチングされるのを防いでゲート絶縁膜の膜剥が
れによる表示不良を抑制することができる。
【００２６】請求項８に記載の本発明にあっては、パッ
シベーション膜をドライエッチングによりパターニング
することによりゲート絶縁膜の膜剥がれを防ぐことが可
能である。一般に、窒化シリコンのドライエッチングに
はＣＦ4＋Ｏ2が用いられるが、このガスはガラス基板と
は反応しないため、ゲート絶縁膜のエッジをパッシベー
ション膜で覆わなくてもゲート絶縁膜のエッジ下のガラ
ス基板はエッチングされず、ゲート絶縁膜の膜剥がれに
よる表示不良を抑制することができる。
【００２７】一方、ウェットエッチングにより各層のエ
ッチングを行う場合には、エッチング槽から基板を引き
出す際に、走査線と信号線との交差部、走査線のパター
ンの屈曲部および信号線のパターンの屈曲部にエッチン
グ液が溜まってエッチング異常を起こし易い。また、走
査線と信号線との交差部はエッチング液の染み込みが生
じ易く、走査線と信号線との短絡が発生し易い。そこ
で、請求項９に記載の本発明にあっては走査線と信号線
との交差部、走査線のパターンの屈曲部および信号線の
パターンの屈曲部においてゲート絶縁膜のパターン幅を
広げ、請求項１０に記載の本発明にあっては走査線と信
号線との交差部、走査線のパターンの屈曲部および信号
線のパターンの屈曲部においてパッシベーション膜のパ
ターン幅を広げることにより、エッチング液の溜まりや
染み込みが起こり難くなる。
【００２８】請求項１１に記載の本発明にあっては、層
間絶縁膜として、その光屈折率が１．８以上２．０以下
であるものを用いる。層間絶縁膜と基板との間にゲート
絶縁膜とパッシベーション膜とが設けられている場合、
基板とゲート絶縁膜との界面やパッシベーション膜と層
間絶縁膜との界面が存在するが、ゲート絶縁膜やパッシ
ベーション膜の屈折率は通常１．８〜２．０であり、画
素電極の屈折率も通常１．８〜２．０であるので、基板
とゲート絶縁膜との界面やパッシベーション膜と層間絶
縁膜との界面での屈折率の差が小さい。よって、光透過
部において層間絶縁膜と基板との間にゲート絶縁膜とパ
ッシベーション膜とが設けられていても、光反射による
透過率の低下が生じない。このことは、光透過部におい
て層間絶縁膜と基板との間にゲート絶縁膜が設けられて
いる場合も同様である。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。尚、以下の図におい
て、同一の機能を有する部分については、従来の液晶表
示装置と同じ符号を用いて示している。
【００３０】（実施形態１）図１は実施形態１の液晶表
示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素分を
示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線断面図であ
る。
【００３１】このアクティブマトリクス基板は、透明絶
縁性の基板１１上にゲート信号線３およびその一部であ
るゲート電極１２が形成され、その上を覆って光透過部
以外の部分にゲート絶縁膜１３が形成されている。その
上にはゲート電極１２と重畳するように半導体層１４が
形成され、その中央部上にチャネル保護層１５が形成さ
れている。チャネル保護層１５の端部および半導体層１
４の一部を覆い、かつ、チャネル保護層１５の上で分断
された状態で、ソース電極およびドレイン電極となるｎ
+−Ｓｉ層１６ａ、１６ｂが形成されている。一方のｎ+
−Ｓｉ層１６ａの上にはソース信号線５となるＩＴＯ膜
９ａおよび金属層１７ａが形成され、他方のｎ+−Ｓｉ
層１６ｂの上にはドレイン電極と画素電極６とを接続す
る接続電極となるＩＴＯ膜９ｂおよび金属層１７ｂが形
成されている。ＩＴＯ膜９ｂは、後述するようにして形
成される画素容量配線４の上部まで延在しており、ゲー
ト絶縁膜１３を挟んで設けられたＩＴＯ膜９ｂおよび画
素容量配線４の重畳部が画素容量１となっている。その
上を覆って光透過部以外の部分に無機薄膜からなるパッ
シベーション膜１８が設けられ、さらにその上にＴＦＴ
２、ゲート信号線３およびソース信号線５を覆って透明
度の高い有機薄膜からなる層間絶縁膜１９が形成されて
いる。層間絶縁膜１９の上には画素電極６が形成されて
いる。この画素電極６は、パッシベーション膜１８およ
び層間絶縁膜１９を貫くコンタクトホール７を介して、
接続電極であるＩＴＯ膜９ｂによりＴＦＴのドレイン電
極であるｎ+−Ｓｉ層１６ｂと接続されている。このア
クティブマトリクス基板は、対向電極が形成された対向
基板と対向配設され、両基板の間に液晶等からなる表示
媒体が挟持される。
【００３２】この液晶表示装置は、例えば以下のように
して作製することができる。
【００３３】まず、アクティブマトリクス基板は、透明
絶縁性の基板１１上に、ゲート信号線３とその一部であ
るゲート電極１２および画素容量配線４を形成し、その
上にゲート絶縁膜１３、半導体層１４、チャネル保護層
１５、ソース電極およびドレイン電極となるｎ+−Ｓｉ
層１６ａ、１６ｂを順に形成する。ここまでの製造工程
は、ゲート絶縁膜１３の形成以外は従来の液晶表示装置
の製造工程と同様にして行うことができる。ゲート絶縁
膜１３は、ゲート絶縁膜形成用膜を基板上に形成した
後、エッチングを行って光透過部である開口部の膜を取
り除くことにより形成する。ここで、光透過部は、少な
くともＴＦＴ、ゲート信号線およびソース信号線で遮光
されない領域である。但し、上記接続電極、画素容量配
線や他の部材で遮光される場合、その部分は光透過部に
含まれない。また、対向基板上にカラーフィルタやブラ
ックマトリクスを設ける場合、ブラックマトリクスで遮
光される部分も光透過部ではなくなる。
【００３４】次に、ソース信号線および接続電極を構成
する透明導電膜であるＩＴＯ膜９ａ、９ｂおよび金属層
１７ａ、１７ｂを、スパッタ法により順に形成してパタ
ーニングする。ソース信号線は金属層のみで構成しても
よいが、このように金属層１７ａとＩＴＯ膜９ａとの２
層構造とすると、金属層１７ａの一部に膜の欠損があっ
てもＩＴＯ膜９ａにより電気的に接続されるので、ソー
ス信号線の断線を少なくすることができる。
【００３５】続いて、無機薄膜からなるパッシベーショ
ン膜形成用膜としてＳｉ−Ｎ膜を基板上に形成し、コン
タクトホール７を形成すると共に光透過部である開口部
の膜を取り除くことによりパッシベーション膜１８を形
成する。その後、層間絶縁膜１９として、例えば感光性
のアクリル樹脂をスピン塗布法により３μｍの膜厚に形
成し、所望のパターンに従って露光してアルカリ性の溶
液により処理する。これにより露光された部分のみがア
ルカリ性の溶液によりエッチングされて、層間絶縁膜１
９を貫通するコンタクトホール７が形成される。このア
ルカリ現像によるパターニングにおいては、コンタクト
ホール７のテーパ形状を良好なものにすることができ
る。また、層間絶縁膜１９として感光性のアクリル樹脂
を用いると、スピン塗布法により薄膜を形成できるので
数μｍという膜厚の薄膜を容易に形成できること、パタ
ーニングにフォトレジストの塗布工程が不要であること
等、生産性の上で有利な点がある。なお、感光性のアク
リル樹脂は、塗布前には着色していることもあるが、パ
ターニング後に全面に露光処理を施すことにより透明化
することができる。このような透明化処理は化学的にも
行うことができ、その化学的方法を用いてもよいことは
言うまでもない。
【００３６】その後、画素電極６となる透明導電膜をス
パッタ法により形成してパターニングする。これにより
画素電極６は、層間絶縁膜１９およびパッシベーション
膜１８を貫くコンタクトホール７を介して、ＴＦＴ２の
ドレイン電極であるｎ+−Ｓｉ層１６ｂと接続されてい
る接続電極であるＩＴＯ膜９ｂと接続される。このよう
にＴＦＴ２のドレイン電極と画素電極とを接続する接続
電極として透明導電膜を用いることにより光の透過率を
向上させることができる。
【００３７】上記アクティブマトリクス基板は、透明絶
縁性の基板上に対向電極が設けられた対向基板と貼り合
わせられ、両基板の間に液晶が注入されて液晶表示装置
の構成とされる。
【００３８】このようにして得られる実施形態１の液晶
表示装置は、図３に示すように、アクティブマトリクス
基板の光透過部である開口部において、ゲート絶縁膜１
３がエッチングにより除去され、さらに、パッシベーシ
ョン膜１８がコンタクトホール７を形成するためのエッ
チング時に同時に除去されているため、透明絶縁性の基
板１１の上に層間絶縁膜１９が直接接しており、その上
に画素電極６が設けられた構成となる。
【００３９】ここで、基板１１としてガラス板を用いた
場合、基板１１の屈折率ｎ１１は１．５〜１．６であ
り、層間絶縁膜１９として感光性アクリル樹脂膜を用い
た場合、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９は１．５〜１．
６である。基板１１側から光が入射すると、基板１１と
層間絶縁膜１９との界面における反射率Ｒ４（％）は、 Ｒ４＝（ｎ１１−ｎ１９）2／（ｎ１１＋ｎ１９）2×１
００ で表され、Ｒ４＝０〜０．１％となる。よって、基板１
１と層間絶縁膜１９との界面において光の反射がほとん
ど生じず、ほとんど透過光量が減衰しないため、明るい
白表示が得られる。
【００４０】これに対して、従来のアクティブマトリク
ス基板においては、図２１に示すように、光透過部であ
る開口部において透明絶縁性の基板１１の上に、ゲート
絶縁膜１３、パッシベーション膜１８、層間絶縁膜１９
および画素電極６が順に設けられた構成である。
【００４１】ここで、基板１１の屈折率ｎ１１は１．５
〜１．６であり、ゲート絶縁膜１３としてＳｉ−Ｎ膜を
用いた場合、ゲート絶縁膜１３の屈折率ｎ１３は１．８
〜２．０である。基板１１側から光が入射すると、基板
１１とゲート絶縁膜１３との界面における反射率Ｒ１
（％）は、 Ｒ１＝（ｎ１１−ｎ１３）2／（ｎ１１＋ｎ１３）2×１
００ で表され、Ｒ１＝０．３５％〜２．０％となる。よっ
て、基板１１とゲート絶縁膜１３との界面において、こ
の反射分だけ入射光量に対して透過光量が減衰するた
め、白表示時の明るさが低下する。
【００４２】また、パッシベーション膜１８としてＳｉ
−Ｎ膜を用いた場合、パッシベーション膜１８の屈折率
ｎ１８は１．８〜２．０であり、層間絶縁膜１９として
感光性アクリル樹脂膜を用いた場合、層間絶縁膜１９の
屈折率ｎ１９は１．５〜１．６である。基板１１側から
光が入射すると、パッシベーション膜１８と層間絶縁膜
１９との界面における反射率Ｒ２（％）は、 Ｒ２＝（ｎ１８−ｎ１９）2／（ｎ１８＋ｎ１９）2×１
００ で表され、Ｒ２＝０．３５％〜２．０％となる。よっ
て、パッシベーション膜１８と層間絶縁膜１９との界面
において、この反射分だけ入射光量に対して透過光量が
減衰するため、白表示時の明るさが低下する。
【００４３】このように従来のアクティブマトリクス基
板においては、基板１１とゲート絶縁膜１３との界面に
おいて反射が生じると共に、パッシベーション膜１８と
層間絶縁膜１９との界面においても反射が生じるので、
これらによる以下に示す反射率Ｒ３（％）の存在により
透過光量の減衰が生じる。
【００４４】 Ｒ３＝Ｒ１＋（１００−Ｒ１）／１００×Ｒ２ よって、Ｒ３＝０．７０％〜４．０％の反射分だけ透過
光量が減衰して、白表示時の明るさが低下する。
【００４５】このように、実施形態１の液晶表示装置
は、光透過部において基板１１とゲート絶縁膜１３との
界面が存在せず、パッシベーション膜１８と層間絶縁膜
１９との界面も存在しないので、白表示時の明るさを向
上させて、低消費電力の液晶表示装置を得ることができ
る。このことは、光をアクティブマトリクス基板側から
入射した場合でも、対向基板側から入射した場合でも同
様である。
【００４６】また、この実施形態１の液晶表示装置は、
層間絶縁膜１９とＴＦＴ２との間にパッシベーション膜
１８が設けられているので、ＴＦＴ２の信頼性を向上さ
せることができる。
【００４７】（実施形態２）図４は実施形態２の液晶表
示装置におけるアクティブマトリクス基板の部分断面図
である。
【００４８】このアクティブマトリクス基板は、無機薄
膜からなるパッシベーション膜が形成されておらず、Ｔ
ＦＴ２、ゲート信号線およびソース信号線の上に透明性
の高い有機薄膜からなる層間絶縁膜１９が直接形成され
ている。その他の構成は実施形態１と同様にすることが
できる。
【００４９】この実施形態２の液晶表示装置は、図５に
示すように、光透過部とそれ以外の部分とでゲート絶縁
膜１３の膜厚分の段差ｄ２が生じるだけであるので、層
間絶縁膜１９による基板表面の平坦化が容易である。こ
れに対して、実施形態１の液晶表示装置では、図６に示
すように、光透過部とそれ以外の部分とでゲート絶縁膜
１３の膜厚とパッシベーション膜１８の膜厚との合計の
段差ｄ１が生じ、層間絶縁膜１９による平坦化が困難に
なる。また、開口部以外の部分ではソース信号線やゲー
ト信号線等の配線も形成されており、実際の段差はｄ１
よりも大きくなり、層間絶縁膜１９による平坦化がさら
に困難になるため、段差部での光漏れを誘発して表示特
性が劣化することもある。
【００５０】また、この実施形態２の液晶表示装置は、
ゲート絶縁膜形成用膜を形成してエッチングすることに
より光透過部の膜部分を取り除くだけでよいが、上記実
施形態１の液晶表示装置では、さらに、パッシベーショ
ン膜形成用膜を形成してエッチングすることによりコン
タクトホール７を形成すると共に光透過部の膜部分を取
り除く工程が必要になる。
【００５１】このように実施形態２の液晶表示装置は、
層間絶縁膜１９による基板表面の平坦化が容易になると
共に、製造工程の削減が可能となり、液晶表示装置の原
価の低廉化を図ることができる。
【００５２】（実施形態３）図７は実施形態３の液晶表
示装置におけるアクティブマトリクス基板の光透過部で
の膜構成を示す図である。
【００５３】このアクティブマトリクス基板は、光透過
部において、透明絶縁性の基板１１の上に透明性の高い
有機薄膜からなる層間絶縁膜１９が直接接しており、そ
の上に画素電極６が設けられている。上記層間絶縁膜１
９は、屈折率ｎ１９が１．５〜２．０の材料からなる。
その他の構成は、実施形態１または実施形態２と同様に
することができる。
【００５４】ここで、基板１１の屈折率ｎ１１は１．５
〜１．６であり、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９は１．
５〜２．０である。基板１１側から光が入射すると、基
板１１と層間絶縁膜１９との界面における反射率Ｒ５
（％）は、 Ｒ５＝（ｎ１１−ｎ１９）2／（ｎ１１＋ｎ１９）2×１
００ で表され、Ｒ５＝０％〜２．０％となる。
【００５５】また、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９は
１．５〜２．０であり、画素電極６としてＩＴＯ膜を用
いた場合、画素電極６の屈折率ｎ６は１．８〜２．０で
ある。基板１１側から光が入射すると、層間絶縁膜１９
と画素電極６との界面における反射率Ｒ６（％）は、 Ｒ６＝（ｎ１９−ｎ６）2／（ｎ１９＋ｎ６）2×１００ で表され、Ｒ６＝０％〜２．０％となる。
【００５６】このように基板１１と層間絶縁膜１９との
界面における反射および層間絶縁膜１９と画素電極６と
の界面における反射を考慮すると、光の透過する開口部
での反射率Ｒ７（％）は、 Ｒ７＝Ｒ５＋（１００−Ｒ５）／１００×Ｒ６ で表され、Ｒ７＝０．４％〜２．０％となる。
【００５７】基板１１の屈折率ｎ１１が１．５〜１．６
であり、画素電極６の屈折率ｎ６が１．８〜２．０であ
る場合、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９が１．５〜２．
０の範囲を外れると、上記Ｒ５およびＲ６の組み合わせ
で決定されるＲ７が０．４〜２．０％よりも大きくなる
ため、光の透過する開口部での透過光量の減衰が生じて
光透過率が低下する。
【００５８】図８に基板１１の屈折率ｎ１１が１．５で
あり、画素電極６の屈折率ｎ６が２．０である場合につ
いて、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９と反射率Ｒ７との
関係を示す。この図より理解されるように、層間絶縁膜
１９の屈折率ｎ１９が１．５〜２．０の範囲では反射率
Ｒ７を２．０％以下に抑えることができる。
【００５９】このように、実施形態３の液晶表示装置
は、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９が１．５〜２．０の
範囲であるので、白表示時の明るさを向上させて、低消
費電力とすることができる。
【００６０】このような屈折率ｎ１９＝１．５〜２．０
である層間絶縁膜１９の材料としては、例えばアクリル
樹脂、ポリイミド、ポリアイミド、エポキシ等を用いる
ことができる。
【００６１】（実施形態４）図９は実施形態４の液晶表
示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素分を
示す平面図である。
【００６２】このアクティブマトリクス基板は、光透過
部のゲート絶縁膜１３をパターニングにより除去する際
に、ゲート電極１２上、ゲート信号線３上およびソース
信号線５下のゲート絶縁膜１３部分を残してある。
【００６３】上述の実施形態１や実施形態２で説明した
ように、アクティブマトリクス基板の光透過部におい
て、ゲート絶縁膜１３やパッシベーション膜１８をエッ
チングにより除去して透明絶縁性の基板１１の上に層間
絶縁膜１９が直接接する構成とすることにより、白表示
時の明るさを向上させて低消費電力の液晶表示装置を得
ることができる。
【００６４】しかしながら、光透過部のゲート絶縁膜１
３をパターニングにより除去する際に、ゲート信号線３
上の部分を除去してしまうと、ゲート絶縁膜１３のエッ
チングの際にゲート信号線３にダメージを与えて断線等
による表示不良が生じるおそれがある。また、ゲート絶
縁膜１３のパターニング以降の各層のエッチングにおい
ても、ゲート信号線３が剥きだしになっているとダメー
ジを受けて断線不良が発生する。そこで、図９に示すよ
うに、ゲート信号線３上のゲート絶縁膜１３部分をパタ
ーニング時に残しておくことにより、ゲート絶縁膜１３
やそれ以降のエッチングの際にゲート信号線３にダメー
ジを与えることなくゲート絶縁膜１３や各層のパターニ
ングを行うことがことができ、ゲート信号線３のパター
ンに断線等の不良が生じるのを防ぐことができる。
【００６５】また、図１０に示すように、ソース信号線
５下にゲート絶縁膜１３が無い部分があると、ゲート絶
縁膜１３がある部分と無い部分との境界部で段差が生じ
てソース信号線５の断線等による表示不良が生じるおそ
れがある。そこで、図９に示すように、ゲート絶縁膜１
３のパターニング時にソース信号線５下のゲート絶縁膜
１３部分を残しておくことにより、ソース信号線５下に
ゲート絶縁膜１３がある部分と無い部分との境界部での
段差が発生せず、ソース信号線５のパターンに断線等の
不良が生じるのを防ぐことができる。
【００６６】さらに、図９に示すように、画素電極６と
ＴＦＴ２のドレイン電極を接続する接続電極としてのＩ
ＴＯ膜９ｂの下にもゲート絶縁膜１３を残しておけば、
ＩＴＯ膜９ｂの断線による不良を防止することができ
る。
【００６７】（実施形態５）この実施形態５では、アク
ティブマトリクス基板の光透過部においてパッシベーシ
ョン膜１８をパターニングにより除去する際に、ゲート
電極１２上、ゲート信号線３上およびソース信号線５上
のパッシベーション膜１８部分を残してある。
【００６８】上述の実施形態１で説明したように、透明
度の高い有機薄膜からなる層間絶縁膜１９の下層に無機
薄膜からなるパッシベーション膜１８を形成することに
より、ＴＦＴ２の信頼性を向上させることができる。ま
た、アクティブマトリクス基板の光透過部において、ゲ
ート絶縁膜３やパッシベーション膜１８をエッチングに
より除去して透明絶縁性の基板１１の上に層間絶縁膜１
９が直接接する構成とすることにより、白表示時の明る
さを向上させて低消費電力の液晶表示装置を得ることが
できる。
【００６９】しかしながら、光透過部のパッシベーショ
ン膜１８をパターニングにより除去する際に、ゲート信
号線３上の部分を除去してしまうと、パッシベーション
膜１８のエッチングの際にゲート絶縁膜１３にダメージ
を与えることがあり、ゲート絶縁膜１３の欠陥がゲート
信号線３上にある場合にはそこからゲート信号線３にダ
メージを与えて不良が生じるおそれがある。そこで、ゲ
ート信号線３上のパッシベーション膜１８部分をパター
ニング時に残しておくことにより、パッシベーション膜
１８のエッチングの際にゲート信号線３にダメージが生
じるのを防ぐことができる。ここで、ゲート信号線３に
対するダメージとは、直接的なダメージだけではなく、
ゲート信号線３下の基板１１に対してダメージが与えら
れ、その結果、ゲート信号線３のパターンが剥がれる等
の間接的なダメージも含むものとする。
【００７０】また、光透過部のパッシベーション膜１８
をパターニングにより除去する際に、ソース信号線５上
の部分を除去してしまうと、パッシベーション膜１８の
エッチングの際にソース信号線５にダメージを与えて不
良が生じるおそれがある。そこで、ソース信号線５上の
パッシベーション膜１８部分をパターニング時に残して
おくことにより、パッシベーション膜１８のエッチング
の際にソース信号線３にダメージが生じるのを防ぐこと
ができる。ここで、ソース信号線５に対するダメージと
は、直接的なダメージだけではなく、ソース信号線５下
のゲート絶縁膜１３や基板１１に対してダメージが与え
られ、その結果、ソース信号線５のパターンが剥がれる
等の間接的なダメージも含むものとする。
【００７１】さらに、画素電極６とＴＦＴ２のドレイン
電極を接続する接続電極としてのＩＴＯ膜９ｂの上にも
パッシベーション膜１８を残しておけば、ＩＴＯ膜９ｂ
に対するダメージも防ぐことができる。
【００７２】（実施形態６）図１１は、実施形態６の液
晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の部分断
面図である。
【００７３】このアクティブマトリクス基板は、ゲート
信号線３上のゲート絶縁膜１３部分のエッジを覆うよう
にゲート信号線３上のパッシベーション膜１８部分が設
けられ、ソース信号線５下のゲート絶縁膜１３部分のエ
ッジを覆うようにソース信号線上のパッシベーション膜
１８部分が設けられている。
【００７４】一般に、窒化シリコン等からなるゲート絶
縁膜１３およびパッシベーション膜１８のパターニング
はＢＨＦ等を用いたウェットエッチングにより行われる
が、組織上密なゲート絶縁膜１３に比べて組織上粗なパ
ッシベーション膜１８のエッチングレートが格段に大き
く、一方、ガラス基板１１とパッシベーション膜１８の
エッチングレートはほぼ等しい。さらに、パッシベーシ
ョン膜１８にはドレイン電極と画素電極６とを接続する
ためのコンタクトホール７が形成され、このコンタクト
ホールが充分に開いていない画素は表示上の輝点となる
ため、パッシベーション膜１８のエッチング条件はジャ
ストエッチ時間よりも充分に長くする必要がある。
【００７５】ここで、図１２に示すように、ゲート絶縁
膜１３のエッジがパッシベーション膜１８で覆われてい
ない場合には、パッシベーション膜１８のエッチングの
際にジャストエッチ時間を超えてからはガラス基板１１
がエッチングされ始めるが、ゲート絶縁膜１３はガラス
よりもエッチングレートが小さいため、ゲート絶縁膜１
３のエッジの下のガラス基板１１がエッチングされてし
まう。その結果、ゲート絶縁膜１３のエッジがひさしの
ように浮き、ゲート絶縁膜１３が剥離して不良が発生し
てしまう。
【００７６】そこで、図１１に示すように、ゲート信号
線３上およびソース信号線５上のゲート絶縁膜１３部分
のエッジをパッシベーション膜１８が覆うようにすれ
ば、図１３に示すように、パッシベーション膜１８のエ
ッチング時にはゲート絶縁膜１３のエッジ上にパッシベ
ーション膜１８とレジストパターン２１とが存在するこ
とになる。よって、ゲート絶縁膜１３のエッジ下の基板
１１がエッチングされるのを防いでゲート絶縁膜１３の
膜剥がれによる表示不良を抑制することができる。
【００７７】この実施形態６において、製造方法の条件
を、 マスクのアライメント精度：１．５μｍ、 ゲート信号線のパターン、ソース信号線のパターンの仕
上がり精度：±１．５μｍ、 ゲート信号線の幅：１３．８”ＸＧＡ（Ｃｓ ｏｎ Ｇａｔｅ） ４０μｍ １４．１”ＸＧＡ（Ｃｓ ｏｎ Ｃｏｍ） ２３μｍ、 ソース信号線の幅：１３．８”ＸＧＡ １３μｍ １４．１”ＸＧＡ １３μｍ、 ゲート絶縁膜のマスク：ゲート信号線およびソース信号
線の仕上がり幅より片側４μｍ広くする、パッシベーシ
ョン膜のマスク：ゲート信号線およびソース信号線の仕
上がり幅より片側５μｍ広くするとして、光透過部にお
いてゲート絶縁膜およびパッシベーション膜を除去して
いない従来の液晶表示装置と比較したところ、１３．
８”ＸＧＡのパネル透過率について、本実施形態の液晶
表示装置は２０．５％であり、従来の液晶表示装置の１
９．８％に比べて透過率を３．５％向上させることがで
きた。また、１３．８”ＸＧＡの良品率については、本
実施形態の液晶表示装置は従来の液晶表示装置に比べて
０．３％〜１．４％向上させることができた。このよう
に液晶表示装置の良品率を向上させることができるの
は、ゲート絶縁膜をパターニングして開口部の膜部分を
除去する際に、前工程で発生した膜残り不良を除去する
ことが可能になるからである。
【００７８】（実施形態７）この実施形態７では、パッ
シベーション膜１８をドライエッチングによりパターニ
ングしている。
【００７９】一般に、窒化シリコンのドライエッチング
にはＣＦ4＋Ｏ2ガスが用いられるが、このガスはガラス
基板１１と反応しないため、ゲート絶縁膜１３のエッジ
をパッシベーション膜１８で覆わずに剥きだしにして
も、ゲート絶縁膜１３のエッジ下のガラス基板１１がエ
ッチングされず、実施形態６で懸念したようなゲート絶
縁膜１３の膜剥がれによる表示不良が生じない。
【００８０】また、パッシベーション膜１８のエッチン
グ時に基板１１がエッチングされないので、ウェットエ
ッチング法を用いた場合に比べて基板表面の段差が少な
く、感光性アクリル樹脂等からなる層間絶縁膜１９によ
る表面の平坦化を容易に行うことができる。
【００８１】（実施形態８）図１４は実施形態８の液晶
表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素分
を示す平面図である。
【００８２】このアクティブマトリクス基板は、ゲート
信号線３とソース信号線５との交差部、ゲート信号線３
のパターンの屈曲部およびソース信号線５のパターンの
屈曲部において、ゲート絶縁膜１３のパターン幅を広げ
てある。
【００８３】ウェットエッチングにより各層のエッチン
グを行う場合には、エッチング槽から基板を引き出す際
に、ゲート信号線３とソース信号線５との交差部、ゲー
ト信号線３のパターンの屈曲部およびソース信号線５の
パターンの屈曲部にエッチング液が溜まってエッチング
異常を起こし易い。そこで、ゲート信号線３とソース信
号線５との交差部、ゲート信号線３のパターンの屈曲部
およびソース信号線５のパターンの屈曲部においてゲー
ト絶縁膜１３のパターン幅を広げることにより、このよ
うな異常エッチングを防ぐことができる。また、ゲート
信号線３とソース信号線５との交差部はエッチング液の
染み込みが生じ易く、ゲート信号線３とソース信号線５
との短絡が発生し易い。よって、ゲート信号線３とソー
ス信号線５との交差部においてゲート絶縁膜１３のパタ
ーン幅を広げることにより、このようなエッチング液の
染み込みによるゲート信号線３とソース信号線５との短
絡を防ぐことができる。
【００８４】また、ゲート信号線３とソース信号線５と
の交差部、ゲート信号線３のパターンの屈曲部およびソ
ース信号線５のパターンの屈曲部においてパッシベーシ
ョン膜１８のパターン幅を広げることによっても、同様
に、このような異常エッチングやエッチング液の染み込
みによる不良を防ぐことが可能である。
【００８５】さらに、画素電極６とＴＦＴ２のドレイン
電極を接続する接続電極としてのＩＴＯ膜９ｂの屈曲部
やソース信号線５と画素容量配線４との交差部において
もゲート絶縁膜１３やパッシベーション膜１８のパター
ン幅を広げることにより、これらの屈曲部や交差部にお
ける異常エッチングやエッチング液の染み込み等による
不良を防ぐことができる。
【００８６】（実施形態９）図１５は実施形態９の液晶
表示装置におけるアクティブマトリクス基板の部分断面
図である。
【００８７】このアクティブマトリクス基板は、透明絶
縁性の基板１１上に、ゲート信号線３およびその一部で
あるゲート電極１２を覆うゲート絶縁膜１３が、光透過
部およびそれ以外の部分にわたって設けられている。ま
た、ＴＦＴ２、ソース信号線５および接続電極を覆う無
機薄膜からなるパッシベーション膜１８が、光透過部お
よびそれ以外の部分にわたって設けられ、その上に透明
度の高い屈折率ｎ１９が１．８〜２．０の有機薄膜から
なる層間絶縁膜１９が設けられている。
【００８８】この液晶表示装置は、図１６に示すよう
に、アクティブマトリクス基板の光透過部である開口部
において、透明絶縁性の基板１１の上にゲート絶縁膜１
３、パッシベーション膜１８、層間絶縁膜１９および画
素電極６が順に設けられた構成となる。
【００８９】ここで、基板１１の屈折率ｎ１１は１．５
〜１．６であり、ゲート絶縁膜１３としてＳｉ−Ｎ膜を
用いた場合、ゲート絶縁膜１３の屈折率ｎ１３は１．８
〜２．０である。基板１１側から光が入射すると、基板
１１とゲート絶縁膜１３との界面における反射率Ｒ８
（％）は、 Ｒ８＝（ｎ１１−ｎ１３）2／（ｎ１１＋ｎ１３）2×１
００ で表される。
【００９０】また、パッシベーション膜１８としてＳｉ
−Ｎ膜を用いた場合、パッシベーション膜１８の屈折率
ｎ１８は１．８〜２．０であり、層間絶縁膜１９の屈折
率ｎ１９は１．８〜２．０である。基板１１側から光が
入射すると、パッシベーション膜１８と層間絶縁膜１９
との界面における反射率Ｒ９（％）は、 Ｒ９＝（ｎ１８−ｎ１９）2／（ｎ１８＋ｎ１９）2×１
００ で表される。
【００９１】さらに、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９は
１．８〜２．０であり、画素電極６としてＩＴＯ膜を用
いた場合、画素電極６の屈折率ｎ６は１．８〜２．０で
ある。基板１１側から光が入射すると、層間絶縁膜１９
と画素電極６との界面における反射率Ｒ１０（％）は、 Ｒ１０＝（ｎ１９−ｎ６）2／（ｎ１９＋ｎ６）2×１０
０ で表される。
【００９２】このように基板１１とゲート絶縁膜１３と
の界面における反射、パッシベーション膜１８と層間絶
縁膜１９との界面における反射および層間絶縁膜１９と
画素電極６との界面における反射を考慮すると、光の透
過する開口部での反射率Ｒ１２（％）は、 Ｒ１２＝Ｒ１１＋（１００−Ｒ１１）／１００×Ｒ１０ で表される。
【００９３】但し、Ｒ１１＝Ｒ８＋（１００−Ｒ８）／
１００×Ｒ９である。
【００９４】図１７に、ｎ１３＝ｎ１８＝ｎ６＝２．０
の場合についての層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９と反射
率Ｒ１２との関係を実線で示し、ｎ１３＝ｎ１８＝ｎ６
＝１．８の場合についての層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１
９と反射率Ｒ１２との関係を点線で示す。この図より理
解されるように、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９が１．
８〜２．０の範囲で、上記Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０の組
み合わせで決定されるＲ１２が２．０％程度で最小とな
り、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９がこの範囲から外れ
ると、光の透過する開口部での透過光量の減衰が生じて
光透過率が低下する。
【００９５】このように、実施形態９の液晶表示装置
は、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９が１．８〜２．０の
範囲であるので、光透過部において基板１１と層間絶縁
膜１９との間にゲート絶縁膜１３およびパッシベーショ
ン膜１８が存在していても、白表示時の明るさを向上さ
せて、低消費電力とすることができる。
【００９６】また、図１８に示すように、光透過部にお
いて基板１１と層間絶縁膜１９との間にパッシベーショ
ン膜１８が存在せずにゲート絶縁膜１３が存在する場合
でも同様に、白表示時の明るさを向上させて、低消費電
力とすることができる。
【００９７】このような屈折率ｎ１９＝１．８〜２．０
である層間絶縁膜１９の材料としては、例えば無機膜と
してＭｇＯ、ＳｉＯ、ＴｈＯ2、Ｐｒ6Ｏ11、ＺｒＯ2、
ＴｉxＯy等を用いることができ、その他、有機膜等を用
いることもできる。
【００９８】なお、光透過率や誘電率等によっては、層
間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９が１．８〜２．０の範囲か
ら外れる場合でも、この範囲に近い値であれば、光透過
部である開口部での光透過率を良好にすることができる
ので、層間絶縁膜１９の屈折率ｎ１９が１．８〜２．０
に近い値であれば、明るい表示を得ることが可能であ
る。
【００９９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
光透過部において層間絶縁膜が基板と直接接しているの
で、基板とゲート絶縁膜との界面やパッシベーション膜
と層間絶縁膜との界面での屈折率の差による光の反射が
生じず、光の透過率を向上させて明るい表示が得られ
る。
【０１００】また、基板の光透過部以外の部分と層間絶
縁膜との間にゲート絶縁膜とパッシベーション膜とを設
けた場合、層間絶縁膜とスイッチング素子との間に無機
薄膜からなるパッシベーション膜が存在するので、スイ
ッチング素子の信頼性を向上させることができる。
【０１０１】また、基板の光透過部以外の部分と層間絶
縁膜部分との間にパッシベーション膜を設けずにゲート
絶縁膜だけを設けた場合、光透過部とそれ以外の部分と
の間の段差が低くなり、層間絶縁膜による基板表面の平
坦化が容易になるので、表示特性を向上させることがで
きる。また、パッシベーション膜のパターニング工程が
不要であるので、製造工程を簡略化して原価の低廉化を
図ることができる。
【０１０２】層間絶縁膜の屈折率を１．５以上２．０以
下の範囲にすれば、基板と層間絶縁膜との界面や層間絶
縁膜と画素電極との界面での屈折率の差を小さくするこ
とができるので、さらに光透過率を向上させて明るい表
示が得られる。
【０１０３】また、ゲート絶縁膜のパターニング時にゲ
ート電極上、走査線上および信号線下の膜部分を残して
光透過部の膜部分を除去することにより、走査線および
信号線の断線不良を防ぐことが可能であり、パッシベー
ション膜のパターニング時にスイッチング素子上、走査
線上および信号線上の膜部分を残して光透過部の膜部分
を除去することによりゲート絶縁膜の不良や走査線およ
び信号線の断線不良を防ぐことが可能である。従って、
良品率を低下させることなく液晶表示装置の光透過率を
向上させることが可能となる。
【０１０４】他の本発明にあっては、層間絶縁膜の屈折
率が１．８以上２．０以下の範囲であるので、光透過部
において層間絶縁膜と基板との間にゲート絶縁膜やパッ
シベーション膜が存在しても、光の反射による透過率の
低下が生じず、明るい表示を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の１画素分を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】実施形態１の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の光透過部における膜構成を示す図であ
る。
【図４】実施形態２の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の部分断面図である。
【図５】実施形態２の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の光透過部付近における膜構成を示す図
である。
【図６】実施形態１の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の光透過部付近における膜構成を示す図
である。
【図７】実施形態３の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の光透過部における膜構成を示す図であ
る。
【図８】実施形態３の液晶表示装置について、層間絶縁
膜の屈折率ｎ１９と反射率Ｒ７との関係を示すグラフで
ある。
【図９】実施形態４の液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の１画素分を示す平面図である。
【図１０】実施形態４において、ソース信号線下のゲー
ト絶縁膜部分を除去したアクティブマトリクス基板を示
す平面図である。
【図１１】実施形態６の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の部分断面図である。
【図１２】実施形態６において、パッシベーション膜が
ゲート絶縁膜のエッジを覆わないアクティブマトリクス
基板を示す部分断面図である。
【図１３】実施形態６におけるアクティブマトリクス基
板の製造工程を示す部分断面図である。
【図１４】実施形態８の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の１画素分を示す平面図である。
【図１５】実施形態９の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の部分断面図である。
【図１６】実施形態９の液晶表示装置におけるアクティ
ブマトリクス基板の光透過部における膜構成を示す図で
ある。
【図１７】実施形態９の液晶表示装置について層間絶縁
膜の屈折率ｎ１９と反射率Ｒ１２との関係を示すグラフ
である。
【図１８】実施形態９の他の液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板の光透過部における膜構成を示す
図である。
【図１９】従来の液晶表示装置の等価回路を示す図であ
る。
【図２０】従来のアクティブマトリクス基板の断面図で
ある。
【図２１】従来のアクティブマトリクス基板の光透過部
における膜構成を示す図である。
【符号の説明】
１ 画素容量 ２ ＴＦＴ ３ ゲート信号線 ４ 画素容量配線 ５ ソース信号線 ６ 画素電極 ７ コンタクトホール ９ａ ＩＴＯ膜 ９ｂ ＩＴＯ膜 １１ 基板 １２ ゲート電極 １３ ゲート絶縁膜 １４ 半導体層 １５ チャネル保護膜 １６ａ ｎ+−Ｓｉ層 １６ｂ ｎ+−Ｓｉ層 １７ａ 金属層 １７ｂ 金属層 １８ パッシベーション膜 １９ 層間絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 丸山 裕子 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 前川 和広 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表示媒体を挟んで対向配設された一対の
    基板のうちの一方の基板上に、マトリクス状に設けられ
    たスイッチング素子と、互いに交差して設けられた走査
    線および信号線と、該スイッチング素子、該走査線およ
    び該信号線を片面側に、かつ、もう一方の片面側に画素
    電極を配するように設けられた層間絶縁膜とを有し、該
    画素電極が該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介し
    て該スイッチング素子のドレイン電極と電気的に接続さ
    れている表示装置において、 該層間絶縁膜が透明度の高い有機薄膜からなり、該スイ
    ッチング素子、該走査線および該信号線を少なくとも覆
    い、かつ、少なくとも遮光性のある該スイッチング素
    子、該走査線および該信号線で遮光されない光透過部
    で、該一方の基板と直接接するように形成されている表
    示装置。
  2. 【請求項２】 前記一方の基板の光透過部以外の部分と
    前記層間絶縁膜部分との間に、前記スイッチング素子の
    ゲート電極を少なくとも覆うゲート絶縁膜と前記スイッ
    チング素子を少なくとも覆う無機薄膜からなるパッシベ
    ーション膜とを有し、該ゲート絶縁膜が、該一方の基板
    上の光透過部と光透過部以外の部分とにわたって形成し
    たゲート絶縁膜形成用の膜をパターニングして光透過部
    の膜部分を除去したものからなり、該パッシベーション
    膜が、該一方の基板上の光透過部と光透過部以外の部分
    とにわたって形成したパッシベーション膜形成用膜をパ
    ターニングして光透過部の膜部分を除去したものからな
    る請求項１に記載の表示装置。
  3. 【請求項３】 前記一方の基板の光透過部以外の部分と
    前記層間絶縁膜部分との間に、前記スイッチング素子の
    ゲート電極を少なくとも覆うゲート絶縁膜を有し、該ゲ
    ート絶縁膜が、該一方の基板上の光透過部と光透過部以
    外の部分とにわたって形成したゲート絶縁膜形成用膜を
    パターニングして光透過部の膜部分を除去したものから
    なる請求項１に記載の表示装置。
  4. 【請求項４】 前記層間絶縁膜の光屈折率が１．５以上
    ２．０以下である請求項１乃至３のいずれか１つに記載
    の表示装置。
  5. 【請求項５】 前記一方の基板の光透過部以外の部分と
    前記層間絶縁膜との間であって、前記スイッチング素子
    のゲート電極上の部分、前記走査線上の部分および前記
    信号線下の部分にゲート絶縁膜を有し、該ゲート絶縁膜
    が、該一方の基板上の光透過部と光透過部以外の部分と
    にわたって形成したゲート絶縁膜形成用膜をパターニン
    グして該ゲート電極上、該走査線上および該信号線下の
    膜部分を残すと共に光透過部の膜部分を除去したものか
    らなる請求項１に記載の表示装置。
  6. 【請求項６】 前記一方の基板の光透過部以外の部分と
    前記層間絶縁膜との間であって、前記スイッチング素子
    上の部分、前記走査線上の部分および前記信号線上の部
    分に無機薄膜からなるパッシベーション膜を有し、該パ
    ッシベーション膜が、該一方の基板上の光透過部と光透
    過部以外の部分とにわたって形成したパッシベーション
    膜形成用の膜をパターニングして該スイッチング素子
    上、該走査線上および該信号線上の膜部分を残すと共に
    光透過部の膜部分を除去したものからなる請求項５に記
    載の表示装置。
  7. 【請求項７】 前記走査線上のパッシベーション膜部分
    が該走査線上のゲート絶縁膜部分のエッジを覆うように
    設けられ、かつ、前記信号線上のパッシベーション膜部
    分が該走査線下のゲート絶縁膜部分のエッジを覆うよう
    に設けられている請求項６に記載の表示装置。
  8. 【請求項８】 前記パッシベーション膜が、前記一方の
    基板上の光透過部と光透過部以外の部分とにわたって形
    成したパッシベーション膜形成用の膜をドライエッチン
    グによりパターニングして光透過部の膜部分を除去した
    ものからなる請求項２、４、６または７に記載の表示装
    置。
  9. 【請求項９】 前記走査線と前記信号線との交差部、該
    走査線のパターンの屈曲部および該信号線のパターンの
    屈曲部において、前記ゲート絶縁膜のパターン幅が広げ
    てある請求項５乃至８のいずれかに記載の表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記走査線と前記信号線との交差部、
    該走査線のパターンの屈曲部および該信号線のパターン
    の屈曲部において、前記パッシベーション膜のパターン
    幅が広げてある請求項６乃至９のいずれかに記載の表示
    装置。
  11. 【請求項１１】 表示媒体を挟んで対向配設された一対
    の基板のうちの一方の基板上に、マトリクス状に設けら
    れたスイッチング素子と、互いに交差して設けられた走
    査線および信号線と、該スイッチング素子、該走査線お
    よび該信号線を片面側に、かつ、もう一方の片面側に画
    素電極を配するように設けられた層間絶縁膜とを有し、
    該画素電極が該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介
    して該スイッチング素子のドレイン電極と電気的に接続
    されている表示装置において、 該一方の基板と該層間絶縁膜との間に、該スイッチング
    素子のゲート電極を少なくとも覆うゲート絶縁膜と、該
    スイッチング素子を少なくとも覆う無機薄膜からなるパ
    ッシベーション膜とのうちの前者を少なくとも有し、該
    層間絶縁膜が、透明度が高い光屈折率が１．８以上２．
    ０以下である絶縁膜からなる表示装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001242803A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2007281511A (ja) * 2007-06-20 2007-10-25 Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd スライド式電子部品
JP2011142289A (ja) * 2010-01-05 2011-07-21 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
JP2011142290A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
JP2011150992A (ja) * 2010-01-21 2011-08-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
JP2013015866A (ja) * 2012-10-09 2013-01-24 Sony Corp 表示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102034751B (zh) * 2009-09-24 2013-09-04 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US20140340607A1 (en) * 2011-11-18 2014-11-20 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device and display device
TWI611566B (zh) * 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
JP2016051101A (ja) * 2014-09-01 2016-04-11 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3137518C2 (de) * 1981-09-21 1985-11-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Reflexionsarme Flüssigkristallanzeige
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
DE69332142T2 (de) 1992-12-25 2003-03-06 Sony Corp., Tokio/Tokyo Substrat mit aktiver Matrix
JPH0815719A (ja) * 1994-06-29 1996-01-19 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
JP3059915B2 (ja) * 1994-09-29 2000-07-04 三洋電機株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US5706064A (en) * 1995-03-31 1998-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer
US5641974A (en) 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
JPH0975567A (ja) * 1995-09-14 1997-03-25 Singer Nikko Kk ミシンの押え調節ねじ装置
KR100218293B1 (ko) * 1995-12-08 1999-09-01 구본준 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법
KR100223899B1 (ko) * 1996-01-15 1999-10-15 구자홍 액정표시장치의 구조 및 제조방법
KR100223153B1 (ko) * 1996-05-23 1999-10-15 구자홍 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
KR100255592B1 (ko) * 1997-03-19 2000-05-01 구본준 액정 표시 장치 구조 및 그 제조 방법
US5909263A (en) * 1997-11-06 1999-06-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel array structure at a pixel contact hole

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001242803A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2007281511A (ja) * 2007-06-20 2007-10-25 Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd スライド式電子部品
JP4484906B2 (ja) * 2007-06-20 2010-06-16 帝国通信工業株式会社 スライド式電子部品
JP2011142289A (ja) * 2010-01-05 2011-07-21 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
US8638030B2 (en) 2010-01-05 2014-01-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including pixel electrode not formed in light transmissive region
JP2011142290A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
US8659218B2 (en) 2010-01-08 2014-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2011150992A (ja) * 2010-01-21 2011-08-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
US8530910B2 (en) 2010-01-21 2013-09-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including transmitting regions between pixel regions
JP2013015866A (ja) * 2012-10-09 2013-01-24 Sony Corp 表示装置

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