JPH113889A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH113889A JPH113889A JP15407397A JP15407397A JPH113889A JP H113889 A JPH113889 A JP H113889A JP 15407397 A JP15407397 A JP 15407397A JP 15407397 A JP15407397 A JP 15407397A JP H113889 A JPH113889 A JP H113889A
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- Japan
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- wiring
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体集積回路装置のストレスマイグレーショ
ンによるＡＬ配線の断線現象を防止すること。 【解決手段】ＡＬ配線の下層にダミーの段差構造を作る
ことにより、ＡＬ配線に立体的な湾曲部を作り、この部
分でＡＬ配線が受ける伸び側或いは縮み側ストレスを吸
収し、ストレスマイグレーションによる断線現象を防止
する。線幅が１．２μｍ以下で直線部の総配線長が０．
５ｍｍを越えるＡＬ配線１の下層に、絶縁膜４を介して
ゲート電極材料等で使われるポリシリコンまたは下層の
ＡＬ配線２が配されている。ここで、このポリシリコン
または下層ＡＬ配線は、半導体電子回路の動作上、全く
機能しないものである。この下層の段差により、ＡＬ配
線は立体的に湾曲することとなり、上層の絶縁膜３と下
層の絶縁膜４とから、ＡＬ配線が受ける伸び側および縮
み側のストレスを吸収することができる。
ンによるＡＬ配線の断線現象を防止すること。 【解決手段】ＡＬ配線の下層にダミーの段差構造を作る
ことにより、ＡＬ配線に立体的な湾曲部を作り、この部
分でＡＬ配線が受ける伸び側或いは縮み側ストレスを吸
収し、ストレスマイグレーションによる断線現象を防止
する。線幅が１．２μｍ以下で直線部の総配線長が０．
５ｍｍを越えるＡＬ配線１の下層に、絶縁膜４を介して
ゲート電極材料等で使われるポリシリコンまたは下層の
ＡＬ配線２が配されている。ここで、このポリシリコン
または下層ＡＬ配線は、半導体電子回路の動作上、全く
機能しないものである。この下層の段差により、ＡＬ配
線は立体的に湾曲することとなり、上層の絶縁膜３と下
層の絶縁膜４とから、ＡＬ配線が受ける伸び側および縮
み側のストレスを吸収することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術的分野】本発明は半導体集積回路の
配線構造に関するものであって、特に、ＡＬ配線の下層
に回路構成上意味を持たない段差構造を作ることによ
り、ＡＬ配線の上層或いは下層から受けるＡＬ配線への
ストレスを緩和し、ストレスマイグレーションによるＡ
Ｌ配線の断線現象を防止することを特徴とする半導体集
積回路装置に関する。
配線構造に関するものであって、特に、ＡＬ配線の下層
に回路構成上意味を持たない段差構造を作ることによ
り、ＡＬ配線の上層或いは下層から受けるＡＬ配線への
ストレスを緩和し、ストレスマイグレーションによるＡ
Ｌ配線の断線現象を防止することを特徴とする半導体集
積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置においては、昨今の
微細化ならびにチップサイズの大型化により、しばしば
微細なＡＬ配線を長い距離にわたって引き回す必要が生
じている。一般にこのようなＡＬ配線パターンでは、Ａ
Ｌ配線の上層或いは下層から受けるストレス等により、
ＡＬ配線にくさび形の切れ込みが生じたり、そのＡＬ配
線が断線する事があることが知られている。
微細化ならびにチップサイズの大型化により、しばしば
微細なＡＬ配線を長い距離にわたって引き回す必要が生
じている。一般にこのようなＡＬ配線パターンでは、Ａ
Ｌ配線の上層或いは下層から受けるストレス等により、
ＡＬ配線にくさび形の切れ込みが生じたり、そのＡＬ配
線が断線する事があることが知られている。
【０００３】そこで、このような不良の発生を防止する
ために、従来のＡＬのみによる配線の代わりに、ＴｉＮ
／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ等の複合材質積層構造による配線材
料を用いたり、或いはＡＬのみの配線を用いた場合、微
細なＡＬ配線にかかるストレスを緩和することを目的と
して、部分的にＡＬ配線を回路レイアウトの都合によら
ずに平面的な湾曲部を作るなどしていた。
ために、従来のＡＬのみによる配線の代わりに、ＴｉＮ
／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ等の複合材質積層構造による配線材
料を用いたり、或いはＡＬのみの配線を用いた場合、微
細なＡＬ配線にかかるストレスを緩和することを目的と
して、部分的にＡＬ配線を回路レイアウトの都合によら
ずに平面的な湾曲部を作るなどしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術であ
るＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ等の複合材質積層構造によ
る配線材料では、従来以前の配線金属形成装置（スパッ
タ装置）が使用できない場合が多く、装置購入のために
新たな投資が必要となる。一方、部分的にＡＬ配線を回
路レイアウトの都合によらずに平面的な湾曲部を作る方
法では、半導体集積回路装置の平面的なレイアウトに無
駄ができるため、半導体集積回路装置のチップサイズが
大きくなってしまうという欠点があった。
るＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ等の複合材質積層構造によ
る配線材料では、従来以前の配線金属形成装置（スパッ
タ装置）が使用できない場合が多く、装置購入のために
新たな投資が必要となる。一方、部分的にＡＬ配線を回
路レイアウトの都合によらずに平面的な湾曲部を作る方
法では、半導体集積回路装置の平面的なレイアウトに無
駄ができるため、半導体集積回路装置のチップサイズが
大きくなってしまうという欠点があった。
【０００５】そこで、本発明の目的とするところは、Ｔ
ｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ等の複合材質積層構造を使うこ
となく、従来以前の配線金属形成装置が使用でき、か
つ、半導体集積回路装置の平面的なレイアウトの無駄を
発生することなく、微細で長いＡＬ配線へのストレスに
よるＡＬ配線の断線を防ぐことができる半導体集積回路
装置を提供することにある。
ｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ等の複合材質積層構造を使うこ
となく、従来以前の配線金属形成装置が使用でき、か
つ、半導体集積回路装置の平面的なレイアウトの無駄を
発生することなく、微細で長いＡＬ配線へのストレスに
よるＡＬ配線の断線を防ぐことができる半導体集積回路
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、半導
体集積回路装置におけるＡＬ配線の線幅が１．２μｍ以
下で、かつ直線配線長０．５ｍｍ以上の長配線におい
て、ＡＬ配線の上層或いは下層からＡＬ配線が受けるス
トレスにより起こる、ストレスマイグレーションによる
ＡＬ配線の断線を防止するために、ＡＬ配線の下層にス
トレス緩和のためのダミーの段差構造を持つことを特徴
とする。
体集積回路装置におけるＡＬ配線の線幅が１．２μｍ以
下で、かつ直線配線長０．５ｍｍ以上の長配線におい
て、ＡＬ配線の上層或いは下層からＡＬ配線が受けるス
トレスにより起こる、ストレスマイグレーションによる
ＡＬ配線の断線を防止するために、ＡＬ配線の下層にス
トレス緩和のためのダミーの段差構造を持つことを特徴
とする。
【０００７】請求項１の発明では、ＡＬ配線の下層にダ
ミーの段差構造パターンを形成することにより、段差が
ある部分のＡＬ配線部で、ＡＬ配線が受ける伸び側およ
び縮み側のストレスを吸収することで、ＡＬ配線の断線
を防止するものである。
ミーの段差構造パターンを形成することにより、段差が
ある部分のＡＬ配線部で、ＡＬ配線が受ける伸び側およ
び縮み側のストレスを吸収することで、ＡＬ配線の断線
を防止するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した一実施例
について、図面を参照して説明する。
について、図面を参照して説明する。
【０００９】図１に本発明を適用した半導体集積回路の
平面図と、図２に図１内で示したＡ−Ａ’断面が示され
ている。図１および図２の中では、線幅が１．２μｍ以
下で直線部の総配線長が０．５ｍｍを越えるＡＬ配線１
の下層に、絶縁膜４を介してゲート電極材料等で使われ
るポリシリコンまたは下層のＡＬ配線２が配されてい
る。ここで、このポリシリコンまたは下層ＡＬ配線は、
半導体電子回路の動作上、全く機能しないものである。
なお、このポリシリコンまたは下層ＡＬ配線は、ＡＬ配
線の段差被覆率を低下させるような厚さ及び間隔であっ
てはならない。
平面図と、図２に図１内で示したＡ−Ａ’断面が示され
ている。図１および図２の中では、線幅が１．２μｍ以
下で直線部の総配線長が０．５ｍｍを越えるＡＬ配線１
の下層に、絶縁膜４を介してゲート電極材料等で使われ
るポリシリコンまたは下層のＡＬ配線２が配されてい
る。ここで、このポリシリコンまたは下層ＡＬ配線は、
半導体電子回路の動作上、全く機能しないものである。
なお、このポリシリコンまたは下層ＡＬ配線は、ＡＬ配
線の段差被覆率を低下させるような厚さ及び間隔であっ
てはならない。
【００１０】この下層の段差により、ＡＬ配線は立体的
に湾曲することとなり、上層の絶縁膜３と下層の絶縁膜
４とから、ＡＬ配線が受ける伸び側および縮み側のスト
レスを吸収することができる。これにより、ＡＬ配線の
断線を防止することができるのである。
に湾曲することとなり、上層の絶縁膜３と下層の絶縁膜
４とから、ＡＬ配線が受ける伸び側および縮み側のスト
レスを吸収することができる。これにより、ＡＬ配線の
断線を防止することができるのである。
【００１１】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、ＴｉＮ／Ａｌ
−Ｃｕ／Ｔｉ等の複合材質積層構造を用いなくても、現
有する従来以前の配線金属形成装置（スパッタ装置）が
使用でき、かつ、部分的にＡＬ配線を回路レイアウトの
都合によらずに平面的な湾曲部を作ることによる、半導
体集積回路装置のチップサイズが大型化を避けながら、
ストレスマイグレーションによる微細で長いＡＬ配線の
断線を防止できる。
−Ｃｕ／Ｔｉ等の複合材質積層構造を用いなくても、現
有する従来以前の配線金属形成装置（スパッタ装置）が
使用でき、かつ、部分的にＡＬ配線を回路レイアウトの
都合によらずに平面的な湾曲部を作ることによる、半導
体集積回路装置のチップサイズが大型化を避けながら、
ストレスマイグレーションによる微細で長いＡＬ配線の
断線を防止できる。
【図１】本発明に係わる半導体集積回路装置の実施例を
示す平面構成説明図である。
示す平面構成説明図である。
【図２】本発明に係わる半導体集積回路装置の実施例を
示す断面構成説明図である。
示す断面構成説明図である。
１．ＡＬ配線 ２．下層のダミーパターン ３．上層の絶縁膜 ４．下層の絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】半導体集積回路装置におけるＡＬ配線の線
幅が１．２μｍ以下で、かつ直線配線長０．５ｍｍ以上
の配線であって、下層に段差構造を持つことを特徴とす
る半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15407397A JPH113889A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15407397A JPH113889A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113889A true JPH113889A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15576309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15407397A Withdrawn JPH113889A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH113889A (ja) |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP15407397A patent/JPH113889A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |