JPH11340301A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number
JPH11340301A
JPH11340301A JP14858398A JP14858398A JPH11340301A JP H11340301 A JPH11340301 A JP H11340301A JP 14858398 A JP14858398 A JP 14858398A JP 14858398 A JP14858398 A JP 14858398A JP H11340301 A JPH11340301 A JP H11340301A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
space
substrate processing
pressure
processing chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP14858398A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3884570B2 (ja
Inventor
Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP14858398A priority Critical patent/JP3884570B2/ja
Publication of JPH11340301A publication Critical patent/JPH11340301A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3884570B2 publication Critical patent/JP3884570B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Ventilation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】搬送ロボット4が収容された搬送空間43
には、搬送空間43の底面を閉塞するように閉塞板44
が設けられており、この閉塞板44によって、搬送空間
43に臨むグレーチング開口13はすべて閉塞されてい
る。これにより、グレーチング開口13からのダウンフ
ローDFの流出が閉塞板44で妨げられるから、搬送空
間43は空間33に比べて高い気圧となり、その結果、
搬送空間43から空間33に向かう気流が形成される。 【効果】搬送空間43から空間33に向かう気流が形成
されることにより、駆動機構配置部29から発生するパ
ーティクルが搬送空間43に流れ込むのを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびプラズマディスプレイパ
ネル(PDP)用ガラス基板などの各種の被処理基板に
対して処理を施すための基板処理装置および基板処理方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、液晶表示装置の製造工程にお
いては、ガラス基板に対して熱処理などの処理を施すた
めの基板処理装置が用いられる。この種の基板処理装置
の中には、基板を収容して処理を施すための複数の基板
処理室を上下に積層して構成された多段式処理部を備え
ているものがある。
【0003】図5は、多段式処理部を備えた基板処理装
置の構成例を簡略化して示す断面図である。基板処理装
置は、清浄な気体を供給するための複数の清浄気体供給
装置101が天面全域に配設されて、この複数の清浄気
体供給装置101から多数の開口を有するグレーチング
床102へ向かうダウンフローが形成されたクリーンル
ーム103内に設置されている。
【0004】基板処理装置は、2つの多段式処理部10
4,105と、この2つの多段式処理部104,105
の間に配置されて、多段式処理部104,105に対し
て基板Sを搬入/搬出するための搬送ロボット106と
を備えている。
【0005】多段式処理部104,105は、略直方体
形状の外装カバー107を有している。外装カバー10
7内の下部には、ユニット載置台108が配置されてお
り、このユニット載置台108上には、3つの処理チャ
ンバ109(基板処理室)が上下に積層された状態に設
けられている。外装カバー107は、その上面110が
大きく開口されており、外装カバー107内に清浄気体
供給装置101からのダウンフローを受け入れることが
できるようになっている。また、外装カバー107の搬
送ロボット106に対向する面111には、外装カバー
107内に対して基板Sを搬入/搬出するための搬出入
口112が、それぞれの処理チャンバ109に対応して
形成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常、複数
の清浄気体供給装置101の送風能力の制御は行われて
おらず、複数の清浄気体供給装置101の送風能力は一
様ではない。そのため、清浄気体供給装置101への気
体供給量の変化や、クリーンルーム103内における基
板処理装置の配置によっては、搬送ロボット106が配
置された搬送空間113の気圧が外装カバー107内の
気圧よりも高くなったり、逆に、外装カバー107内の
気圧が搬送空間113の気圧よりも低くなったりする。
【0007】外装カバー107内の気圧が搬送空間11
3の気圧よりも高い場合、外装カバー107内に流入し
たダウンフローは、搬出入口112を介して搬送空間1
13へ流出する。すると、この外装カバー107内から
搬送空間113へ向かう気流によって、処理チャンバ1
09内で基板Sを上下動させるためのリフトピンの駆動
機構や処理チャンバ109内に基板Sを搬入/搬出する
ための基板通過口114を開閉するシャッタ115の駆
動機構など、外装カバー107内に収容されている駆動
機構116から発生したパーティクルが搬送空間113
に流れ込む。そして、この搬送空間113に流れ込んだ
パーティクルが、搬送ロボット106によって搬送され
る基板Sの表面に付着して、その基板Sを汚染するおそ
れがある。
【0008】さらに、処理チャンバ109内を換気する
ために、基板通過口114が開放された状態で処理チャ
ンバ109から強制的な排気を行う構成が採用されてい
る場合には、外装カバー107から搬送空間113内に
流れ込んだパーティクルが、処理チャンバ109内に吸
い込まれて、処理チャンバ109内の基板Sを汚染する
おそれがある。
【0009】特に、処理チャンバ109が上下に積層さ
れている場合には、搬送空間113内に形成されている
ダウンフローによって、搬送空間113内に流れ込んだ
パーティクルが、下方の処理チャンバ109内に入り込
みやすい。
【0010】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、基板処理室の外部の基板通過口側の空間
にパーティクルが持ち込まれて基板が汚染されるのを防
止できる基板処理装置および基板処理方法を提供するこ
とである。
【0011】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、気体がダ
ウンフローとして供給される環境において基板を処理す
る基板処理装置であって、基板が通過するための基板通
過口を有し、基板を収容して処理を施すための基板処理
室と、上記基板通過口を介して、上記基板処理室に対し
て基板を受け渡しするための基板搬送機構と、上記基板
処理室の外部の上記基板通過口側の第1空間の気圧を、
上記基板処理室の外部の上記基板通過口側とは反対側の
第2空間の気圧よりも高くする気圧調整手段とを含むこ
とを特徴とする基板処理装置である。
【0012】なお、上記第1空間は、上記基板処理室の
外部の上記基板通過口側の空間であって、上記基板通過
口を介して上記基板処理室に対して基板を受け渡しする
際に、上記基板搬送機構によって搬送される基板が通過
する搬送空間であってもよいし、あるいは、上記基板搬
送機構と上記基板処理室の間に設けられた中間室であっ
てもよい。
【0013】この構成によれば、第1空間(搬送空間ま
たは中間室)の気圧が第2空間の気圧よりも高くなる結
果、基板処理装置内には、第1空間から第2空間に向か
う気流が形成される。これにより、第2空間内や基板処
理室周辺で発生するパーティクルが第1空間内に持ち込
まれるのを防止できる。また、第1空間と第2空間との
間の基板処理室周辺でパーティクルが発生しても、その
パーティクルが第1空間に持ち込まれるのを防ぐことが
できる。ゆえに、第1空間内に位置する基板(搬送空間
内や中間室内を搬送される基板)が、第2空間側や基板
処理室周辺から持ち込まれるパーティクルで汚染される
おそれをなくすことができる。
【0014】また、第2空間側や基板処理室周辺から第
1空間内にパーティクルが持ち込まれるおそれがないか
ら、基板処理室内を換気するために、基板通過口が開放
された状態で基板処理室内から強制的な排気を行う構成
が採用されている場合であっても、第2空間側や基板処
理室周辺から第1空間に持ち込まれたパーティクルが基
板通過口を介して基板処理室内に吸い込まれるといった
ことはない。ゆえに、基板処理室内に収容された基板
が、基板通過口から流入するパーティクルによって汚染
されるおそれを少なくすることができる。
【0015】請求項2記載の発明は、上記気圧調整手段
は、上記第1空間に接続され、上記第1空間の気圧を上
昇させる気圧上昇手段を含むことを特徴とする請求項1
記載の基板処理装置である。
【0016】上記気圧上昇手段は、上記第1空間内に供
給されるダウンフローを排気するために上記第1空間の
底面に形成された開口を閉塞する閉塞板であってもよ
い。
【0017】また、上記気圧上昇手段は、上記第1空間
内に供給されるダウンフローの流量を調整して、上記第
1空間の気圧を上昇させる供給流量調整手段であっても
よい。
【0018】さらに、上記気圧上昇手段は、上記第1空
間内から流出する気体の流量を調整して、上記第1空間
の気圧を上昇させる流出流量調整手段であってもよい。
【0019】この構成によれば、気圧上昇手段によって
第1空間の気圧を上昇させることにより、第1空間の気
圧を第2空間の気圧よりも高くすることができる。
【0020】請求項3記載の発明は、上記気圧調整手段
は、上記第2空間に接続され、上記第2空間の気圧を降
下させる気圧降下手段を含むことを特徴とする請求項1
または2に記載の基板処理装置である。
【0021】上記気圧降下手段は、上記第2空間に接続
されて、上記第2空間内の気体を排気するための排気手
段であってもよい。
【0022】この構成によれば、気圧降下手段によって
第2空間の気圧を降下させることにより、第1空間の気
圧を第2空間の気圧よりも高くすることができる。
【0023】また、上記排気手段には、上記排気手段の
排気流量を調節するための排気流量調整手段が含まれて
いてもよく、この場合、第2空間の気圧を精密に調整で
きるので、より正確に第1空間の気圧を第2空間の気圧
よりも高くすることができる。
【0024】請求項4記載の発明は、上記基板処理室
は、上下方向に積層された状態に複数個設けられている
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の
基板処理装置である。
【0025】複数の基板処理室が上下に積層された状態
に設けられている場合には、第2空間側や基板処理室周
辺から第1空間にパーティクルが流れ込むと、その第1
空間に流れ込んだパーティクルが第1空間に供給される
ダウンフローで運ばれて、下方の基板処理室内に入り込
みやすい。
【0026】そこで、この発明を複数の基板処理室を上
下に積層して構成された装置に適用することにより、第
2空間側や基板処理室周辺から第1空間へのパーティク
ルの流入を防止することができ、ひいては下方の基板処
理室内にパーティクルが流入するおそれを少なくするこ
とができる。
【0027】請求項5記載の発明は、上記第1空間と第
2空間との間で流通する気体の方向を検出する検出手段
と、この検出手段で得られた検出結果に基づいて、上記
気圧調整手段の動作を制御する制御部とをさらに含むこ
とを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基
板処理装置である。
【0028】この構成によれば、検出手段の検出結果に
基づいて気圧調整手段の動作を制御することにより、第
1空間から第2空間に向かう気流を確実に形成すること
ができる。よって、第2空間側や基板処理室周辺から第
1空間にパーティクルが流れ込むのを一層確実に防止で
きるたとえば、気圧調整手段が上記気圧上昇手段として
の上記供給流量調整手段を含む場合には、検出手段によ
って第2空間から第1空間に向けて気体が流れていると
検出された場合に、供給流量調整手段の動作を制御し
て、第1空間に供給されるダウンフローの流量を多くす
ればよい。これにより、第1空間の気圧を上げることが
でき、第1空間と第2空間の間で流通し、基板処理室の
外部近傍を流れる気体の方向を、第1空間から第2空間
に向かう方向に変更することができる。
【0029】また、気圧調整手段が上記流出流量調整手
段を含む場合には、検出手段によって第2空間から第1
空間に向けて気体が流れていると検出された場合に、流
出流量調整手段の動作を制御して、第1空間から流出す
る気体の流量を少なくすればよい。これにより、第1空
間の気圧を上げることができ、第1空間と第2空間との
間で流通し、基板処理室の外部近傍を流れる気体の方向
を、第1空間から第2空間に向かう方向に変更すること
ができる。
【0030】またさらに、気圧調整手段が上記排気手段
を含む場合には、検出手段によって第2空間から第1空
間に向けて気体が流れていると検出された場合に、排気
手段の動作を制御して、たとえば、その排気流量を調整
する排気流量調整手段を制御して、第2空間から排気さ
れる排気流量を多くすればよい。これにより、第2空間
の気圧を下げることができ、第1空間と第2空間との間
で流通し、基板処理室の外部近傍を流れる気体の方向
を、第1空間から第2空間に向かう方向に変更すること
ができる。
【0031】請求項6記載の発明は、気体がダウンフロ
ーとして供給される環境において基板を処理する基板処
理方法であって、基板搬送機構によって基板が受け渡さ
れる際に基板が通過するための基板通過口を有し、基板
を収容して処理を施すための基板処理室の外部の気圧に
関して、上記基板通過口側の空間の気圧を、上記基板通
過口とは反対側の空間の気圧よりも高くした状態で、基
板を処理することを特徴とする基板処理方法である。
【0032】この方法によれば、請求項1記載の発明と
同様な効果を得ることができる。
【0033】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の一実施形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0034】図1は、この発明の一実施形態に係る基板
処理装置の構成を示す簡略化された平面図である。ま
た、図2は、図1に示す基板処理装置の内部構成を示す
簡略化された断面図である。この基板処理装置は、液晶
表示装置用ガラス基板などの基板Sに対して処理を施す
ための装置であり、清浄な空気のダウンフローDFが形
成されたクリーンルーム1内に設置されて使用される。
この基板処理装置で実施される処理としては、たとえ
ば、基板Sを加熱または冷却するための熱処理や、基板
Sの表面を洗浄するための洗浄処理、基板Sの表面にフ
ォトレジスト液などを塗布するための塗布処理、基板S
の表面にレジストパターンを形成するための現像処理、
基板Sの表面に形成されたレジストパターン以外の部分
を腐食させるエッチング処理などを例示することができ
る。
【0035】クリーンルーム1の天面には、クリーンル
ーム1内に清浄な空気を供給するための複数の清浄気体
供給装置11が全域に配設されている。この清浄気体供
給装置11は、クリーンルーム1に向けて空気を送るた
めの送風装置と、この送風装置からの送風を浄化するた
めの浄化フィルタとを備えている。一方、クリーンルー
ム1の床12は、多数のグレーチング開口13が全域に
形成されたグレーチング床であり、清浄気体供給装置1
1からクリーンルーム1内に供給される清浄な空気は、
グレーチング開口13を介して、グレーチング床12の
下方の空間14へ流出するようになっている。これによ
り、クリーンルーム1内には、清浄気体供給装置11か
らグレーチング床12へ向かう清浄な空気のダウンフロ
ーDFが形成されている。
【0036】この基板処理装置は、それぞれ3つの処理
チャンバ21を備えた処理部2,3と、この2つの処理
部2,3の間に配置されて、処理部2,3に対して基板
Sを搬入/搬出するための搬送ロボット4とを備えてい
る。
【0037】処理部2,3は、略直方体形状の外装カバ
ー22を有している。外装カバー22内の下部には、ユ
ニット載置台23が配置されており、このユニット載置
台23の上方の空間は、ほぼ水平に延びた2枚の棚板2
4,25によって上下方向に沿って3段に分割されてい
る。3つの処理チャンバ21は、外装カバー22内の3
つの分割空間にそれぞれ収容されて、上下に積層された
状態に設けられている。
【0038】外装カバー22の搬送ロボット4に対向す
る側面22Aには、3つの処理チャンバ21に対向する
部分に開口26がそれぞれ形成されている、また、各処
理チャンバ21の搬送ロボット4に対向する面には、処
理チャンバ21内に対して基板Sを搬入/搬出するため
のスロット状の基板通過口27が形成されている。これ
により、搬送ロボット4は、外装カバー22の開口26
および基板通過口27を介して、各処理チャンバ21に
対して処理対象の基板Sを搬入/搬出することができ
る。さらに、外装カバー22の天面は閉塞されており、
清浄気体供給装置11からのダウンフローDFは、外装
カバー22の天面から流入しないようになっている。
【0039】各処理チャンバ21に形成された基板通過
口27に関連して、基板通過口27を開閉するためのシ
ャッタ28が設けられている。このシャッタ28は、た
とえばエアシリンダを含む開閉駆動機構によって、基板
通過口27を開放する開状態と基板通過口27を閉塞す
る閉状態とに開閉駆動されるようになっている。シャッ
タ28の開閉駆動機構は、処理チャンバ21の下方の駆
動機構配置部29に設けられている。なお、この基板処
理装置が基板Sに対して熱処理を施す装置である場合、
駆動機構配置部29には、上記開閉駆動機構の他に、処
理チャンバ21内に配置された熱処理プレートの上面に
対して基板Sを近接/離間させるためのリフトピンの駆
動機構などが備えられる。
【0040】外装カバー22の底面には、外装カバー2
2の側面22Aに対向する側面22Bとユニット載置台
23との間の隙間部30に臨むように、外装カバー22
内の雰囲気を排気するための排気口31が形成されてい
る。この排気口31は、排気管32を介して、工場内の
排気用ユーティリティ配管または排気ブロアなどの排気
設備に接続されている。また、排気管32の途中部に
は、排気流量調整手段としての排気ダンパ32aが介装
されている。これにより、側面22Bとユニット載置台
23との間の隙間部30、排気口31および排気管32
を介して、側面22Bと処理チャンバ21との間の空間
33の雰囲気を排気することができ、この空間33の気
圧を下げることができる。また、排気ダンパ32aの開
度を調整することにより排気口31および排気管32か
ら排気される排気流量を調整することができる。
【0041】搬送ロボット4は、位置固定された基部4
1と水平面内で回動可能な複数本のアーム42とを有す
る多関節式スカラーロボットであり、処理部2,3の側
面22Aおよび処理部2,3を連結する一対の装置側板
5に囲まれた搬送空間43内に配置されている。グレー
チング床12の搬送空間43に臨む部分には、その全域
を覆うように閉塞板44が配置されており、この閉塞板
44上に搬送ロボット4が配設されている。すなわち、
搬送空間43とグレーチング床12の下方の空間14と
を連通するすべてのグレーチング開口13は、グレーチ
ング床12上に配置された閉塞板44によって閉塞され
ている。
【0042】外装カバー22の側面22Aの下部には、
搬送ロボット4で搬送される基板Sよりも下方の位置
に、搬送空間43とユニット載置台23の内部空間とを
連通する流出口45が形成されている。この流出口45
は、流出管46によってグレーチング床12の下方の空
間14と連通されている。また、流出口45に関連し
て、流出口45を通過する空気の流量を調整するための
流出調整板47が設けられており、流出口45からは流
出調整板47の開度に応じた所定流量の気体の流出が行
われるようになっている。なお、流出調整板47には図
示しない駆動機構が接続されており、流出調整板47の
開度を自由に設定することができる。
【0043】以上の構成によれば、清浄気体供給装置1
1から搬送空間43にダウンフローDFが供給される一
方、搬送空間43に臨むグレーチング開口13が閉塞板
44によって閉塞されていることにより、搬送空間43
からは、流出口45および流出管46を介して所定流量
の気体の流出のみが行われる。これにより、搬送空間4
3は空間33に比べて高い気圧となり、その結果、この
基板処理装置内には、搬送空間43から開口26を介し
て空間33に向かう気流が形成される。したがって、駆
動機構配置部29から発生するパーティクルが搬送空間
43に流れ込むのを防止できるから、搬送空間43内を
搬送される基板Sが、駆動機構配置部29からのパーテ
ィクルで汚染されるおそれをなくすことができる。
【0044】また、駆動機構配置部29から発生するパ
ーティクルが搬送空間43内に流れ込むおそれがないか
ら、基板Sの処理終了後に処理チャンバ21内を換気す
るために、基板通過口27が開放された状態で処理チャ
ンバ21内から強制的な排気を行う構成が採用されてい
ても、外装カバー22から搬送空間43に流れ込んだパ
ーティクルが基板通過口27を介して処理チャンバ21
内に吸い込まれるといったことはない。ゆえに、処理チ
ャンバ21内に収容された基板Sが、基板通過口27か
ら流入したパーティクルによって汚染されるおそれを少
なくすることができる。
【0045】さらに、搬送空間43に供給されるダウン
フローDFの一部は、搬送ロボット4を通過して、搬送
ロボット4の側方に形成された流出口45を介して流出
される。したがって、搬送ロボット4から発生するパー
ティクルは、流出口45からの排気によって搬送空間4
3外に排出されるから、そのパーティクルによって搬送
空間43内の基板Sが汚染されたり、処理チャンバ21
内の基板Sが汚染されたりするおそれをなくすことがで
きる。
【0046】また、この実施形態においては、外装カバ
ー22の上面は閉塞されており、外装カバー22の上方
の清浄気体供給装置11から供給されるダウンフローD
Fが、外装カバー22内に流入しないようになってい
る。さらに、外装カバー22の底面に形成された排気口
31が、排気管32を介して排気設備に接続されてお
り、この排気設備の働きによって側面22Bと処理チャ
ンバ21との間の空間33の雰囲気を排気できるように
なっている。これにより、上記空間33(外装カバー2
2内)の気圧を下げることができ、搬送空間43から空
間33に向かう気流を良好に形成することができる。ゆ
えに、駆動機構配置部29から発生するパーティクルが
搬送空間43に流入するのをより確実に防止できる。
【0047】図3は、この基板処理装置の電気的構成を
示すブロック図である。この基板熱処理装置は、CP
U、RAMおよびROMを含む制御部51を備えてお
り、この制御部51によって清浄気体供給装置11、排
気ダンパ32a、および流出調整板47の動作が制御さ
れるようになっている。
【0048】制御部51には、外装カバー22の側面2
2Bとユニット載置台23との間の隙間部30内に配設
された風速センサ52が接続されている。この風速セン
サ52は、隙間部30を流れる空気の方向および速度を
検出するためのものであり、制御部51には、風速セン
サ52によって検出される風向および風速を表す信号が
入力される。
【0049】制御部51は、風速センサ52からの入力
信号に基づいて、清浄気体供給装置11、排気ダンパ3
2a、および流出調整板47の動作を制御する。具体的
に説明すれば、制御部51は、隙間部30を排気口31
に向けて流れる空気の速度が所定速度よりも小さい場合
には、清浄気体供給装置11の送風能力を上げて、搬送
空間43に供給されるダウンフローDFの流量を増すと
ともに、流出調整板47の開度を小さくして、流出口4
5から流出する空気の流量を減らしたり、排気ダンパ3
2aの開度を大きくして、排気口31から排気される空
気の流量を増やしたりする。また、隙間部30を排気口
31に向けて流れる空気の速度が所定速度よりも大きい
場合には、清浄気体供給装置11の送風能力を下げて、
搬送空間43に供給されるダウンフローDFの流量を減
らすとともに、流出調整板47の開度を大きくして、流
出口45から流出する空気の流量を増やしたり、排気ダ
ンパ32aの開度を小さくして、排気口31から排気さ
れる空気の流量を減らしたりする。
【0050】これにより、隙間部30を排気口31に向
けて流れる空気の速度を所定速度に保つことができ、そ
の結果、搬送空間43から空間33に向かう気流を確実
に形成することができる。よって、駆動機構配置部29
から発生するパーティクルが搬送空間43に流れ込むの
を一層確実に防止できる。
【0051】なお、搬送空間43から空間33内に向か
う気流を確保するために、必ずしも清浄気体供給装置1
1、排気ダンパ32a、および流出調整板47のすべて
の動作が制御される必要はなく、いずれか1つのみの動
作が制御されて、隙間部30を排気口31に向けて流れ
る空気の速度が所定速度に保たれてもよい。
【0052】また、風速センサ52に代えて、隙間部3
0を流れる空気の方向および流量を検出できる風量セン
サや、隙間部30を流れる空気の方向のみを検出できる
風向センサが採用されてもよい。この風向センサが採用
された場合であっても、風向センサの出力信号に基づい
て、隙間部30内に排気口31に向かう気流が形成され
るように、清浄気体供給装置11、排気ダンパ32a、
および流出調整板47の動作を制御することによって、
風速センサ52を設けた構成とほぼ同様な効果を得るこ
とができる。
【0053】なお、風速センサ、風量センサ、または風
向センサ等のセンサが配置される場所は、隙間部33で
ある必要はなく、多段に上下に配置された処理チャンバ
21同士の間の、たとえば棚板24,25の上面や下面
であってもよい。この場合は、さらに精密に搬送空間4
3と空間33との間で流通する気体の風速、風量、また
は風向を検出することができる。
【0054】この発明の一実施形態の説明は以上の通り
であるが、この発明は、上述の一実施形態に限定される
ものではない。たとえば、上述の実施形態においては、
2つの処理部2,3の間に搬送空間43が形成された構
成(図1参照)を例にとって説明したが、たとえば図4
に示すように、2つの処理部2,3が隣接して配置さ
れ、この隣接した処理部2,3の一方側に搬送空間43
が形成されていてもよい。この構成が採用される場合に
は、各処理部2,3ごとに搬送ロボット4が設けられる
のが好ましく、こうすることによって、各処理部2,3
にアクセスするために搬送ロボット4が長い距離を移動
することがなく、搬送ロボット4から発生するパーティ
クルの量を減らすことができる。
【0055】また、処理部の個数も2つには限定され
ず、1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。
3つ以上の処理部が備えられる場合には、搬送空間の周
囲を取り囲むように処理部が配置されるとよい。こうす
ることによって、1つの搬送ロボット4によって各処理
部に基板Sを搬入/搬出することができる。
【0056】さらに、上述の実施形態においては、グレ
ーチング床12上に閉塞板44を配置することによっ
て、搬送空間43とグレーチング床12の下方空間14
とを遮断しているが、たとえば、グレーチング床12の
搬送空間43に臨む部分を、グレーチング開口13を有
しない床板と交換することにより、搬送空間43とグレ
ーチング床12の下方空間14とが遮断されてもよい。
【0057】さらにまた、搬送空間43内の空気を排気
するための流出口45は、必ずしも外装カバー22の側
面22Aの下部に形成されている必要はなく、たとえ
ば、グレーチング床12上に配置された閉塞板44に形
成されていてもよい。また、グレーチング床12の搬送
空間43に臨む部分が、グレーチング開口13を有しな
い床板と交換された場合には、その床板に流出口45が
形成されてもよい。
【0058】さらには、流出口45および流出調整板4
7に代えて、グレーチング床12が、その開口度を可変
できるように構成されていてもよい。
【0059】さらに、上述の実施形態においては、液晶
表示装置用ガラス基板を処理するための装置を例にとっ
たが、この発明は、フォトマスク用ガラス基板や半導体
ウエハなど他の種類の基板を処理するための装置に適用
することができる。
【0060】また、上述の実施形態においては、処理部
2,3の周囲を外装カバー22で取り囲む構成(図2参
照)を例にとって説明したが、外装カバー22自体、外
装カバーの天面、あるいはその側面を特に設ける必要は
ない。ただし、上述の実施形態の図2ような外装カバー
22を設けたほうが、処理部2,3の気流の制御がより
容易に行えるという利点がある。
【0061】さらにまた、上述の実施形態においては、
処理部2,3と搬送空間43とが隣接する構成(図2参
照)を例にとって説明したが、たとえば、処理部2,3
の外装カバー22のうちの開口26が形成された側面と
搬送空間43との間において、開口26に対向する位置
にそれぞれ基板通過用の開口が形成されたほぼ垂直な仕
切板を設けて、中間室(上記開口26が形成された側面
と仕切板との間の空間)を形成するようにしてもよい。
この場合、中間室の気圧は空間33よりも高くなるよう
に設定され、中間室は第1空間に相当することとなる。
さらにこの場合、中間室の気圧は搬送空間43よりも高
くするのが好ましい。このようにすれば、中間室から搬
送空間43の方向に気流が形成されるので、たとえ、搬
送空間43内のたとえば搬送ロボット4等でパーティク
ルが発生したとしても、処理部2、3側へパーティクル
が流入することもなく、さらに処理部での基板の汚染を
防止することができる。
【0062】その他、特許請求の範囲に記載された技術
的事項の範囲内で、種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を簡略化して示す平面図である。
【図2】上記基板処理装置の内部構成を簡略化して示す
断面図である。
【図3】上記基板処理装置の電気的構成を示すブロック
図である。
【図4】処理部および搬送空間の他の配置構成を示す平
面図である。
【図5】従来の基板処理装置の構成を簡略化して示す断
面図である。
【符号の説明】
S 基板 DF ダウンフロー 4 搬送ロボット(基板搬送機構) 11 清浄気体供給装置(気圧上昇手段) 12 グレーチング床(第1空間の底面) 13 グレーチング開口(第1空間の底面に形成された
開口) 21 処理チャンバ(基板処理室) 27 基板通過口 31 排気口(気圧降下手段) 32 排気管(気圧降下手段) 32a 排気ダンパ 33 空間(第2空間) 43 搬送空間(第1空間) 44 閉塞板(気圧上昇手段) 47 流出調整板(気圧上昇手段) 51 制御部 52 風速センサ(検出手段)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】気体がダウンフローとして供給される環境
    において基板を処理する基板処理装置であって、 基板が通過するための基板通過口を有し、基板を収容し
    て処理を施すための基板処理室と、 上記基板通過口を介して、上記基板処理室に対して基板
    を受け渡しするための基板搬送機構と、 上記基板処理室の外部の上記基板通過口側の第1空間の
    気圧を、上記基板処理室の外部の上記基板通過口側とは
    反対側の第2空間の気圧よりも高くする気圧調整手段と
    を含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】上記気圧調整手段は、上記第1空間に接続
    され、上記第1空間の気圧を上昇させる気圧上昇手段を
    含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】上記気圧調整手段は、上記第2空間に接続
    され、上記第2空間の気圧を降下させる気圧降下手段を
    含むことを特徴とする請求項1または2に記載の基板処
    理装置。
  4. 【請求項4】上記基板処理室は、上下方向に積層された
    状態に複数個設けられていることを特徴とする請求項1
    ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 【請求項5】上記第1空間と第2空間との間で流通する
    気体の方向を検出する検出手段と、 この検出手段で得られた検出結果に基づいて、上記気圧
    調整手段の動作を制御する制御部とをさらに含むことを
    特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処
    理装置。
  6. 【請求項6】気体がダウンフローとして供給される環境
    において基板を処理する基板処理方法であって、 基板搬送機構によって基板が受け渡される際に基板が通
    過するための基板通過口を有し、基板を収容して処理を
    施すための基板処理室の外部の気圧に関して、上記基板
    通過口側の空間の気圧を、上記基板通過口とは反対側の
    空間の気圧よりも高くした状態で、基板を処理すること
    を特徴とする基板処理方法。
JP14858398A 1998-05-29 1998-05-29 基板処理装置 Expired - Fee Related JP3884570B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14858398A JP3884570B2 (ja) 1998-05-29 1998-05-29 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14858398A JP3884570B2 (ja) 1998-05-29 1998-05-29 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11340301A true JPH11340301A (ja) 1999-12-10
JP3884570B2 JP3884570B2 (ja) 2007-02-21

Family

ID=15456001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14858398A Expired - Fee Related JP3884570B2 (ja) 1998-05-29 1998-05-29 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3884570B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198348A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
KR100687008B1 (ko) 2005-05-26 2007-02-26 세메스 주식회사 파티클을 효과적으로 흡입 배출할 수 있는 기판 반송 장치
JP2008045782A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Denso Corp クリーンルーム用局所排気装置
JP2009030899A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Ihi Corp 薄板処理装置及びクリーン薄板処理システム
KR101001511B1 (ko) * 2007-06-29 2010-12-14 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치
JP2012017879A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Orbotech Ltd 汚染空気の拡散防止装置
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering
WO2018173562A1 (ja) * 2017-03-23 2018-09-27 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び基板処理装置
CN110366774A (zh) * 2018-01-12 2019-10-22 株式会社爱发科 真空装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2444993A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-25 Applied Materials, Inc. Load lock chamber, substrate processing system and method for venting

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198348A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
KR100687008B1 (ko) 2005-05-26 2007-02-26 세메스 주식회사 파티클을 효과적으로 흡입 배출할 수 있는 기판 반송 장치
JP2008045782A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Denso Corp クリーンルーム用局所排気装置
US9230834B2 (en) 2007-06-29 2016-01-05 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus
KR101001511B1 (ko) * 2007-06-29 2010-12-14 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치
KR101036420B1 (ko) * 2007-06-29 2011-05-23 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치
US10290521B2 (en) 2007-06-29 2019-05-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe
US8851008B2 (en) 2007-06-29 2014-10-07 Sokudo Co., Ltd. Parallel substrate treatment for a plurality of substrate treatment lines
US9165807B2 (en) 2007-06-29 2015-10-20 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with vertical treatment arrangement including vertical blowout and exhaust units
US9174235B2 (en) 2007-06-29 2015-11-03 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus using horizontal treatment cell arrangements with parallel treatment lines
JP2009030899A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Ihi Corp 薄板処理装置及びクリーン薄板処理システム
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9687874B2 (en) 2007-11-30 2017-06-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering
JP2012017879A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Orbotech Ltd 汚染空気の拡散防止装置
WO2018173562A1 (ja) * 2017-03-23 2018-09-27 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び基板処理装置
JP2018160551A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び基板処理装置
US11056359B2 (en) 2017-03-23 2021-07-06 Ebara Corporation Cleaning apparatus and substrate processing apparatus
CN110366774A (zh) * 2018-01-12 2019-10-22 株式会社爱发科 真空装置
CN110366774B (zh) * 2018-01-12 2023-06-02 株式会社爱发科 真空装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3884570B2 (ja) 2007-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7828928B2 (en) Vacuum processing apparatus
KR100483428B1 (ko) 기판 가공 장치
US7635244B2 (en) Sheet-like electronic component clean transfer device and sheet-like electronic component manufacturing system
KR102059725B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
EP0810634A2 (en) Substrate treating system and substrate treating method
EP1184895B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate inspection method
JPH11340301A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6792958B2 (en) System for processing substrate with liquid
JP5030410B2 (ja) 真空処理装置
WO2020012669A1 (ja) 局所パージ機能を有する搬送装置
JP6583482B2 (ja) Efem
JP2004207279A (ja) 薄板状物製造設備
CN111712904B (zh) 处理装置、排气系统、半导体器件的制造方法
JP2012114456A (ja) 搬送容器
KR102675104B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2002164408A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102570523B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH11317339A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4000174B2 (ja) 処理システム
JP4127391B2 (ja) 処理ユニット収納棚および基板処理装置
JPH11274271A (ja) 基板処理装置
JP3138875B2 (ja) クリーンエア装置
CN117063273A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
KR20200025653A (ko) 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치
JP2912687B2 (ja) フィルタ装置及び縦型熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Effective date: 20060216

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20060411

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Effective date: 20060607

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Effective date: 20061114

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Effective date: 20061117

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees