CN117063273A - 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 - Google Patents

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 Download PDF

Info

Publication number
CN117063273A
CN117063273A CN202280023182.7A CN202280023182A CN117063273A CN 117063273 A CN117063273 A CN 117063273A CN 202280023182 A CN202280023182 A CN 202280023182A CN 117063273 A CN117063273 A CN 117063273A
Authority
CN
China
Prior art keywords
space
substrate
conveyance
processing apparatus
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280023182.7A
Other languages
English (en)
Inventor
广谷博史
高桥哲
齐藤择弥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Publication of CN117063273A publication Critical patent/CN117063273A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/42—Auxiliary equipment or operation thereof
    • B01D46/44—Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种技术，其具备：搬送室，其包括搬送从基板收纳容器搬入的基板的搬送空间；气体循环路，其将搬送空间的一端和另一端连接；风扇，其设置于气体循环路内或其端部，使搬送空间及气体循环路内的气氛循环；搬入口，其从基板收纳容器向搬送空间内搬入基板；侧面开口，其设置于形成搬送室的多个侧面中的夹着设有搬入口的搬送室的侧面的两侧面的至少一个侧面，且与搬送空间连通；门，其设置成堵塞侧面开口；以及循环管道，其以与门一体地可动的方式固定于门的内侧，且设置成在门关闭的状态下构成气体循环路。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序。
背景技术
在半导体装置(器件)的制造工序中所使用的基板处理装置，例如，有时具备：从收纳基板的晶圆盒搬出/搬入基板的装载端口单元；以及在装载端口单元与密闭装载室或基板处理室之间搬送基板的搬送室。另外，为了在搬送室内形成清洁空气或非活性气体的气流，有时在搬送室内设有使清洁空气、非活性气体循环的系统(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/022366号
发明内容
发明所要解决的课题
本公开的课题在于提供一种能够提高具备气流的循环系统的搬送室内的维护性的技术。
用于解决课题的方案
根据本公开的一方案，提供一种技术，其具备：
搬送室，其包括搬送从基板收纳容器搬入的基板的搬送空间；
气体循环路，其将所述搬送空间的一端和另一端连接；
风扇，其设置于所述气体循环路内或其端部，使所述搬送空间及所述气体循环路内的气氛循环；
搬入口，其将所述基板从所述基板收纳容器搬入所述搬送空间内；
侧面开口，其设置于形成所述搬送室的多个侧面中的、夹着设有所述搬入口的所述搬送室的侧面的两侧面中的至少一个侧面，且与所述搬送空间连通；
门，其设置成堵塞所述侧面开口；以及
循环管道，其以与所述门一体地可动的方式固定于所述门的内侧，且设置成在所述门关闭的状态下构成所述气体循环路。
发明效果
根据本公开的技术，可以提高具备气流的循环系统的搬送室内的维护性。
附图说明
图1是本公开的一实施方式的基板处理装置的概略结构图。
图2是本公开的一实施方式的基板处理装置的概略纵剖视图。
图3是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的控制部的结构的图。
图4是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的第一搬送室及其周边机构的构造的概略立体图。
图5是表示在本公开的一实施方式的基板处理装置中维护门打开的状态的概略立体图。
图6是表示在本公开的一实施方式的基板处理装置中维护门打开的状态下的循环管道的连接口的周边构造的放大立体图。
图7是表示在本公开的一实施方式的基板处理装置中将维护门及循环管道拆下的状态的概略立体图。
图8是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的第一搬送室及其周边机构的构造的概略结构图。
具体实施方式
<本公开的一实施方式>
以下，使用图1～图8等对本公开的一实施方式(第一实施方式)进行说明。此外，在以下的说明中使用的图均是示意性的，图中所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实的情况一致。另外，在多个附图的彼此之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
(1)基板处理装置的结构
如图1和图2所示，本实施方式的基板处理装置10具备：作为大气侧搬送室(EFEM：Equipment Front End Module)的第一搬送室12；作为晶圆容器开闭机构的装载端口单元29-1～29-3，其与第一搬送室12连接，载置作为基板收纳容器的晶圆容器27-1～27-3，并且用于开闭晶圆容器27-1～27-3的盖，将基板100相对于第一搬送室12搬入/搬出；作为被进行压力控制的预备室的密闭装载室14A、14B；作为真空搬送室的第二搬送室16；以及进行对基板100的处理的处理室18A、18B。另外，处理室18A和处理室18B之间被边界壁20遮挡。在本实施方式中，作为基板100，例如使用硅晶圆等制造半导体装置的半导体晶圆。
在本实施方式中，密闭装载室14A、14B的各结构分别为相同的结构。因此，有时将密闭装载室14A、14B统称为“密闭装载室14”。另外，在本实施方式中，处理室18A、18B的各结构分别为相同的结构。因此，有时将处理室18A、18B统称为“处理室18”。
如图2所示，在密闭装载室14与第二搬送室16之间形成有将相邻的室连通的连通部22。该连通部22通过闸阀24开闭。
如图2所示，在第二搬送室16与处理室18之间形成有将相邻的室连通的连通部26。该连通部26通过闸阀28开闭。
在第一搬送室12中，在分别载置于装载端口单元29-1～29-3的晶圆容器27-1～27-3与密闭装载室14之间设有搬送基板100的作为大气侧搬送装置的第一机器人30。该第一机器人30构成为能够在第一搬送室12内同时搬送多张基板100。另外，第一搬送室12内构成为，通过使由清洁空气或非活性气体等构成的吹扫气体循环而被吹扫。
作为非活性气体，例如能够使用氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)、氖气(Ne)、氙气(Xe)等稀有气体。作为非活性气体，可以使用它们中的一种以上。这一点在后述的其他非活性气体中也同样。
晶圆容器27-1～27-3的盖分别通过装载端口单元29-1～29-3所具备的作为盖开闭机构的开启器135被开闭，晶圆容器27-1～27-3构成为，在盖开放的状态下，经由设于第一搬送室12的壳体180的作为搬入口的开口部134分别与第一搬送室12内连通。
在密闭装载室14搬入及搬出基板100。具体而言，由第一机器人30向密闭装载室14搬入未处理的基板100，搬入的未处理的基板100由第二机器人70搬出。另一方面，由第二机器人70向密闭装载室14搬入处理完毕的基板100，搬入的处理完毕的基板100由第一机器人30搬出。
另外，在密闭装载室14的室内设有作为支撑基板100的支撑件的晶圆盒32。晶圆盒32形成为以预定间隔多层地支撑多张基板100，并且水平地收纳基板100。
在密闭装载室14连接有与密闭装载室14的内部连通的未图示的气体供给管，且构成为能够向密闭装载室14内供给非活性气体。另外，在密闭装载室14连接有与密闭装载室14的内部连通的排气管44。在排气管44，朝向下游侧设置有阀门45、作为排气装置的真空泵46。
在此，在利用闸阀24、28将连通部22、26封闭的状态下，成为停止从气体供给管供给非活性气体的状态。在该状态下，当打开阀门45并且使真空泵46工作时，密闭装载室14的内部被真空排气，能够使密闭装载室14的内部真空化(或者减压化)。另外，在利用闸阀24、28将连通部22、26封闭的状态下，将阀门45封闭或使其开度减小，并且从气体供给管向密闭装载室14的内部导入非活性气体，由此使密闭装载室14的内部大气压化。
如图2所示，在构成密闭装载室14的外周壁部设置有作为用于将基板100搬入及搬出密闭装载室14内的搬出口的开口部102。具体而言，开口部102设置于外周壁部的第一机器人30侧。第一机器人30经由开口部102将基板100支撑于晶圆盒32，且经由开口部102将基板100从晶圆盒32取出。另外，在外周壁部设置有用于开闭开口部102的闸阀104。在密闭装载室14的下方设有经由开口部48使晶圆盒32升降及旋转的驱动装置50。
在第二搬送室16设置有在密闭装载室14与处理室18之间搬送基板100的作为真空侧搬送装置的第二机器人70。第二机器人70具备支撑并搬送基板100的基板搬送部72和使该基板搬送部72升降及旋转的搬送驱动部74。在基板搬送部72设置有臂部76。在该臂部76设置有载置基板100的指部78。指部78构成为在大致水平方向上伸缩自如。
基板100从密闭装载室14向处理室18的移动通过如下方式进行：利用第二机器人70经由连通部22使支撑于晶圆盒32的基板100移动到第二搬送室16内，接着，经由连通部26移动至处理室18内。另外，基板100从处理室18向密闭装载室14的移动通过如下方式进行：利用第二机器人70经由连通部26使处理室18内的基板100移动至第二搬送室16内，接着，经由连通部22支撑于晶圆盒32。
在处理室18设置有第一处理部80、配置于比该第一处理部80远离第二搬送室16的位置的第二处理部82、以及在该第二处理部82与第二机器人70之间搬送基板100的基板移动部84。第一处理部80具备载置基板100的第一载置台92和对该第一载置台92进行加热的第一加热器94。第二处理部82具备载置基板100的第二载置台96以及对该第二载置台96进行加热的第二加热器98。
基板移动部84由支撑基板100的移动部件86和设置于边界壁20附近的移动轴88构成。另外，基板移动部84通过使移动部件86向第一处理部80侧旋转，在该第一处理部80侧在与第二机器人70之间交接基板100。这样，基板移动部84使由第二机器人70搬送的基板100移动到第二处理部82的第二载置台96，而且使载置于第二载置台96的基板100移动至第二机器人70。
接着，使用图2、图4以及图8对本实施方式的第一搬送室12的结构进行详细说明。在以下的说明中，将图2所示的基板处理装置10中设有装载端口单元29-1～29-3的侧称为正面，将其相反侧称为背面。另外，从基板处理装置10(第一搬送室12)的正面观察，称呼右侧、左侧进行说明。图4是从正面的右上侧观察的立体图，将正面侧的构成壳体180的面板、装载端口单元、第一机器人30等去除而示出。此外，在本说明书中，第一搬送室12除了主要用于指代由壳体180或其内部结构、所连接的气体供给/排气系统等构成的单元，有时还用作指代由壳体180划分出的内部空间。
如图2及图4所示，在第一搬送室12设有：吹扫气体供给机构162，其向形成于第一搬送室12的上部且搬送空间175的上方周围的管道即上方空间(缓冲空间)167供给吹扫气体；以及作为气体供给机构的清洁单元166，其去除灰尘、杂质，向第一搬送室12内供给吹扫气体。通过从吹扫气体供给机构162供给非活性气体等作为吹扫气体，能够降低第一搬送室12内的氧浓度。
(吹扫气体供给系统)
如图8所示，在壳体180设置有向第一搬送室12内供给非活性气体的吹扫气体供给机构162和向第一搬送室12内供给空气的空气供给机构(大气取入机构)158。也可以将吹扫气体供给机构162以及空气供给机构158统称为吹扫气体供给系统(吹扫气体供给部)。
吹扫气体供给机构162由与非活性气体供给源连接的供给管162a和设置在供给管162a上的流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)162b构成。也可以在供给管162a上且MFC162a的下游还设置作为开闭阀的阀门。
空气供给机构158由设置于与大气侧连通的壳体180的开口的进气风门158a构成。主要由空气供给机构158构成空气供给系统(空气供给部)。
(排气系统)
如图8所示，在壳体180设置有构成对第一搬送室12内的气体(气氛)进行排气的排气系统(排气部)的排气路152以及压力控制机构150。压力控制机构150构成为，通过控制调整风门154和排气风门156的开闭，能够将第一搬送室12内控制为任意的压力。压力控制机构150由构成为将第一搬送室12内保持为预定的压力的调整风门154和构成为使排气路径152全开或全闭的排气风门156构成。通过这样的结构，能够进行第一搬送室12内的压力控制。调整风门154由自动风门(背压阀)151和按压风门153构成，自动风门(背压阀)151构成为当第一搬送室12内的压力高于预定的压力时便打开，按压风门153构成为控制自动风门151的开闭。压力控制机构150的下游侧的排气路152与鼓风机、排气泵等排气装置连接。排气装置可以是例如设置基板处理装置的设施的设备，也可以是构成基板处理装置的装置。另外，也能够将排气装置视为排气系统(排气部)的一部分。
在第一搬送室12内设置有作为检测第一搬送室12内的氧浓度的氧浓度传感器的氧浓度检测器160。另外，在第一搬送室12内设置有作为检测第一搬送室12内的水分浓度的水分浓度传感器的水分浓度检测器161。
(清洁单元)
如图4及图8所示，在搬送空间175的顶部，左右各配置有一个清洁单元166。如图2所示，清洁单元166包括将上方空间167内的吹扫气体向搬送空间175内送出的风扇171和设于风扇171的下表面侧(搬送空间175侧)且由多个过滤器170-A、170-B、170-C构成的过滤器单元170。
过滤器单元170是用于去除从风扇171送出的吹扫气体中的灰尘、杂质的过滤器。过滤器单元170也可以包括捕集并除去通过的气体中的水分的水分除去过滤器。水分除去过滤器例如能够由吸附水分的化学过滤器构成。另外，过滤器单元170可以设置在风扇171的上部，也可以设置在风扇171的上部及下部。
如图7所示，多个过滤器170-A、170-B、170-C设置为能够分别独立地沿水平方向滑动，且构成为能够经由设于基板处理装置10的正面面板侧(装载端口单元29-1～29-3的上方的面板面)的未图示的开口、及设于第一搬送室12的侧面侧的侧面开口(通过打开后述的维护门190而开放的维护开口191)中的至少任一个进行安装/拆卸。
(气体循环构造)
如图8所示，在第一搬送室12内设置有气体循环路，该气体循环路包括：搬送空间175，其为搬送基板的空间；吸出部164，其为设于搬送空间175的一端的吸出口；开口165，其为设于搬送空间175的另一端的送出口；循环管道168及上方空间167，其构成连接吸出部164和开口165的循环路；以及风扇171，其设置于循环路上或其端部，使第一搬送室12内(循环路及搬送空间175内)的气体(气氛)在从送出口朝向吸出口的方向上循环。导入到第一搬送室12内的吹扫气体通过这些结构在包含搬送空间175的第一搬送室12内循环。
(搬送空间)
如图8所示，搬送空间175在其内部设置有第一机器人30，且构成为能够经由图1所示的开口部134及图2所示的开口部102分别与图1所示的晶圆容器27-1～27-3及密闭装载室14连通。在第一机器人30的水平移动臂的正下方设置有调整吹扫气体的流动的作为整流板的多孔板174。多孔板174具有多个孔，例如由冲孔面板形成。搬送空间175隔着多孔板174被划分为上侧的第一空间和下侧的第二空间。也将第二空间称为下部空间(第二缓冲空间)176。
(循环路)
如图8所示，在第一搬送室12的下部(至少比第一机器人30靠下方的位置)，隔着第一机器人30在左右分别各配置有一个将在第一搬送室12内的搬送空间175流动的吹扫气体吸出而使其循环的吸出部164。另外，在搬送空间175的上部(例如，搬送空间175的顶部)，隔着第一机器人30在左右分别各配置有一个用于向搬送空间175内送出吹扫气体而使其循环的开口165。
在经由开口165及清洁单元170的搬送空间175的上方配置有连接吹扫气体供给系统及排气系统的上方空间167。搬送空间175的下部和上方空间167分别通过循环管道168的吸出部164和连接口169连接。
另外，作为将左右一对吸出部164和左右一对清洁单元166分别连接的循环路径的循环管道168也隔着第一机器人30分别形成于左右。
接着，对第一搬送室12内的吹扫气体的流动进行说明。首先，作为进行了流量控制的吹扫气体的非活性气体从吹扫气体供给机构162被导入清洁单元166的上方空间167内。吹扫气体经由清洁单元166从搬送空间175的顶部供给到搬送空间175内，在搬送空间175内形成从开口165朝向吸出部164的方向的下降流。
循环管道168连接至清洁单元166的上游侧的上方空间167，构成使被吸出部164从搬送空间175的下部空间176吸出的吹扫气体再次向上方空间167内循环的流路。换言之，由上方空间167和循环管道168构成循环路。利用该结构，供给到第一搬送室12内的吹扫气体以围绕搬送空间175和作为循环路的循环管道168以及上方空间167的方式循环。
另外，如上所述，在搬送空间175的下部形成有由多孔板174分隔出的下部空间176。也可以说，包括上方空间167、下部空间176以及循环管道168的流路构成气体循环路。由此，能够对吹扫气体的流动进行调整(整流)，并且能够抑制向搬送空间175的第一空间内的微粒的返回。
此外，在循环管道168的传导性小的情况下，也可以在下部空间176内设置与左右的吸出部164连接的开口，在该开口内设置促进吹扫气体的循环的风扇。
接着，使用图5至图7对本实施方式的第一搬送室12的维护构造进行详细说明。另外，图5及图6是从背面侧观察的立体图，示出右侧的维护门打开的状态。图7是从正面侧观察的立体图，将右侧的维护门以及正面侧的一部分面板去除而示出。
在第一搬送室12的左右侧面、即隔着装载端口单元29-1～29-3及第一机器人30的第一搬送室12的两侧面，分别设置有用于维护第一搬送室12内的开口部即维护开口191。另外，在第一搬送室12的两侧面分别设置有构成为封闭作为侧面开口的维护开口191的维护门190。维护开口191及维护门190也可以仅设置于第一搬送室12的左右侧面中的任一侧面。如图5所示，维护门190以基板处理装置10的正面侧的沿铅垂方向延伸的一边为旋转轴安装于第一搬送室12的侧面。通过设置这样的维护门190，能够使向第一搬送室12内的访问容易。另外，通过将形成第一搬送室12的多个侧面中的构成气体循环路的循环管道168设置于第一搬送室12的左右两侧面，能够提高设置密闭装载室14及使密闭装载室14和第一搬送室12连通的开口部102的位置的自由度。即，密闭装载室14、开口部102的位置不被循环管道168限制。
而且，如图5所示，在维护门190的内侧以固定的方式安装有循环管道168。由此，维护门190和循环管道168一体地可动。通过具备这样的结构，循环管道168通过维护门190的开闭与第一搬送室12连接。另外，即使在将循环管道168设于第一搬送室12的侧面的构造的情况下，仅通过打开维护门190，不进行拆卸循环管道168的作业就能够容易地进行向第一搬送室12内的访问。即，能够提高维护性。另外，通过能够省略循环管道168与维护门190的间隙，能够实现装置占用面积的减少。
另外，在循环管道168的上端设置有与清洁单元166的上游侧的空间即上方空间167连接的作为上端开口的连接口169。连接口169以与上方空间167的开口对置的方式设置，通过关闭维护门190，成为连接口169和上方空间167连接的状态。其中，维护开口191的上端以及循环管道168的上端设置为至少延伸至设有与循环管道168连接的上方空间167的开口的高度。通过维护门190的开闭，能够将循环管道168的连接口169按压并紧贴于上方空间167的开口，因此容易密封开口的连接。
另外，在连接口169的缘部配置有例如由具有弹性的树脂、橡胶形成的密封部件(封闭部件、密封部)192。由此，在关闭了维护门190时，能够将循环管道168的连接口169按压并紧贴于上方空间167的开口，因此连接口169与上方空间167之间被密封，能够使循环管道168内的吹扫气体不泄漏地高效地循环。另外，能够防止来自外部的微粒的流入。另外，密封部件也可以设置于与连接口169分别连接的上方空间167的开口的缘部。
在循环管道168的下端设置有与下部空间176连接的作为下端开口的吸出部164。吸出部164以与下部空间176的开口对置的方式设置，通过关闭维护门190，成为吸出部164和下部空间176连接的状态。
设置有作为循环管道168的吸出部164的缘部的第二密封部的密封部件193，循环管道168在维护门190关闭的状态下，经由密封部件193与下部空间176的开口连接。与循环管道168的连接口169的连接部的情况相同，即使在循环管道168通过维护门190的开闭而与下部空间176的开口分离的情况下，也能够使下部空间176内的吹扫气体不泄漏地向循环管道168排出且高效地循环。另外，能够防止来自外部的微粒的流入。此外，密封部件193也可以设置在与吸出部164分别连接的下部空间176的开口的缘部。
另外，本实施方式中的维护门190构成为以基板处理装置10的沿铅垂方向延伸的一边为旋转轴在水平方向上开闭，因此即使在由于循环管道168为一体而重量变大的情况下，作业者也能够安全地进行门的开闭。而且，在打开时，能够以安全的状态维持门的打开状态。
设置有锁定机构，该锁定机构在维护门190关闭的状态下，将维护门190按压于第一搬送室12(在内侧包含第一搬送室12的壳体180)的侧面。作为锁定机构，能够应用使用了通过螺钉、弹簧、通过杠杆原理进行按压的杆构造等的机构等。能够更可靠地确保上方空间167与循环管道168的开口之间的密封状态。
如图4及图7所示，过滤器单元170配置在维护开口191及循环管道168延伸的高度。通过打开维护门190，使循环管道168移动，容易访问过滤器单元170。即，维护性提高。另外，如图7所示，构成过滤器单元170的多个过滤器170-A、170-B、170-C的侧面面向维护开口191(露出)。在维护门190打开的状态下，过滤器170-A、170-B、170-C的装卸更容易。
并且，在本实施方式中，如图7所示，能够使构成过滤器单元170的多个过滤器170-A、170-B、170-C沿水平方向滑动，经由维护开口191分别独立地进行安装/拆卸。在维护门190打开的状态下，过滤器170-A、170-B、170-C的装卸变得容易。
如图8所示，在维护门190以及循环管道168分别设置有能够对搬送空间175内进行目视确认的窗(透明窗、观察窗)195、196。即使在维护门190关闭的状态下也能够对搬送空间175内进行目视确认，因此能够提高维护性。
如图3所示，基板处理装置10具备作为控制部的控制器120。该控制器120构成为具备CPU(Central Processing Unit)121A、RAM(Random Access Memory)121B、存储装置121C、I/O端口121D的计算机。
RAM121B、存储装置121C、I/O端口121D构成为能够经由内部总线121E与CPU121A进行数据交换。在控制器120连接有例如构成为触摸面板等的输入/输出装置122。
存储装置121C由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。在存储装置121C内能够读出地保存有控制基板处理装置的动作的控制程序、记载有后述的基板处理的步骤、条件等的制程配方等。制程配方是将后述的基板处理工序中的各步骤以使控制器120执行而能够得到预定的结果的方式组合而成的，作为程序发挥作用。以下，将该制程配方、控制程序等总称为程序。另外，也将制程配方简称为配方。在本说明书中使用了程序这样的术语的情况下，存在仅包含配方单体的情况、仅包含控制程序单体的情况、或者包含这两者的情况。RAM121B构成为临时保持由CPU121A读出的程序、数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口121D连接于风扇171、第一机器人30、第二机器人70、驱动装置50、闸阀24、闸阀28、闸阀104、吹扫气体供给机构162、阀门45、真空泵46、基板移动部84、第一加热器94、第二加热器98等。
CPU121A构成为从存储装置121C读出控制程序并执行，并且根据来自输入/输出装置122的操作指令的输入等从存储装置121C读出配方。CPU121A构成为能够按照读出的配方的内容控制由第一机器人30、第二机器人70、驱动装置50以及基板移动部84进行的基板100的搬送动作、由吹扫气体供给机构162以及风扇171进行的第一搬送室12内的吹扫气体供给、循环动作、闸阀24、闸阀28以及闸阀104的开闭动作、由阀门45以及真空泵46进行的流量、压力调节动作、由第一加热器94以及第二加热器98进行的温度调整动作等。
控制器120能够通过将保存于外部存储装置(例如，硬盘等磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器)123的上述程序安装于计算机而构成。存储装置121C、外部存储装置123构成为计算机可读取的存储介质。以下，也将它们总称地简称为存储介质。在本说明书中使用存储介质这样的术语的情况下，有时仅包含存储装置121C单体，有时仅包含外部存储装置123单体，或者有时包含这两者。此外，向计算机提供程序也可以不使用外部存储装置123，而使用因特网、专用线路等通信手段。
(2)基板处理工序
接着，对使用了基板处理装置10的半导体装置的制造方法、即基板100的处理工序(步骤)进行说明。此外，基板处理装置10的各构成部如上述那样由控制器120控制。
首先，通过装载端口单元29-1～29-3所具备的开闭机构，打开载置于装载端口单元29-1～29-3上的晶圆容器27-1～27-3的盖。之后，通过第一机器人30将收纳于晶圆容器27-1～27-3的基板100搬出到第一搬送室12内。此时，向第一搬送室12内导入从吹扫气体供给机构162供给的作为吹扫气体的非活性气体，吹扫气体经由清洁单元166及循环管道168循环，由此第一搬送室12内被吹扫。
接着，在将密闭装载室14内大气压化后，打开闸阀104。具体而言，从气体供给管向密闭装载室14内供给非活性气体。这样，在将密闭装载室14内大气压化后，打开闸阀104。
接着，将基板100搬入密闭装载室14内。具体而言，通过第一机器人30将搬入到第一搬送室12内的基板100搬送到密闭装载室14内，将基板100载置于室内的晶圆盒32上。
接着，在封闭闸阀104后，将密闭装载室14内真空化。具体而言，在晶圆盒32支撑预定张数的基板100后，打开排气管44的阀门45，利用真空泵46对密闭装载室14内进行排气。这样，将密闭装载室14内真空化。另外，此时，第二搬送室16及处理室18真空化。
接着，将基板100从密闭装载室14向处理室18搬送。具体而言，首先，打开闸阀24。此时，驱动装置50使晶圆盒32升降，以利用第二机器人70取出支撑于晶圆盒32的基板100。而且，驱动装置50使该晶圆盒32旋转，以使晶圆盒32的基板取出口朝向第二搬送室16侧。
第二机器人70将臂部76的指部78向晶圆盒32方向延伸，将基板100载置于这些指部78。在将指部78收缩后，使臂部76以朝向处理室18侧的方式旋转。接着，使指部78延伸，经由打开了闸阀28的连通部26，将基板100搬入处理室18内。
在处理室18中，载置于指部78的基板100被交接到载置于第一处理部80的第一载置台92或在第一处理部80侧待机的移动部件86。移动部件86在接收基板100之后，向第二处理部82侧旋转，将该基板100载置于第二载置台96。
然后，在处理室18中，对基板100进行例如灰化处理等预定的处理。在这些预定的处理中，通过被加热器加热、或者被由处理产生的反应热等加热，基板100的温度上升。
接着，将处理后的基板100从处理室18搬送至密闭装载室14。从处理室18向密闭装载室14的基板100的搬送(搬入)以与将基板100搬入处理室18的动作相反的步骤进行。此时，密闭装载室14内维持真空化状态。
当向密闭装载室14搬入处理完毕的基板100，且基板100以预定的间隔多层地支撑于晶圆盒32时，封闭闸阀24，将密闭装载室14内大气压化。具体而言，从气体供给管向密闭装载室14内供给非活性气体。这样，利用非活性气体使密闭装载室14内大气压化。
接着，控制器120控制驱动装置50使晶圆盒32旋转，以使该晶圆盒32的基板取出口朝向第一搬送室12侧。
接着，打开闸阀104，从密闭装载室14向大气侧搬出基板100。具体而言，使用第一机器人30从打开了闸阀104的密闭装载室14向第一搬送室12搬出基板100。
接着，通过装载端口单元29-1～29-3所具备的开闭机构，打开载置于装载端口单元29-1～29-3上的晶圆容器27-1～27-3的盖。之后，通过第一机器人30将从密闭装载室14搬出的基板100搬入晶圆容器27-1～27-3内。这样，完成基板100的搬送动作。
<本公开的其他实施方式>
在上述的实施方式中，以基板处理装置10为退火装置的情况为例进行了列举。但是，本公开的基板处理装置并不限定于退火装置。即，本公开能够与处理室内的处理内容无关地应用于在处理室中发生基板的升温的基板处理装置。作为基板处理装置，例如可举出进行成膜处理、蚀刻处理、扩散处理、氧化处理、氮化处理或灰化处理等其他处理的装置。
另外，在上述的实施方式中，以作为搬送对象物的基板为基板100的情况为例进行列举。但是，作为搬送对象物的基板并不限定于基板100。即，在本公开中成为搬送对象物的基板也可以是光掩模、印刷布线基板或液晶面板等。
另外，在上述的实施方式中，列举了基板处理装置10具有作为基板处理室的多个处理室18A、18B的情况。但是，基板处理装置能够具有至少一个基板处理室。
如上所述，本公开能够以各种方式实施，因此本公开的技术范围不限定于上述的实施方式。例如，在上述的实施方式中说明的基板处理装置10的结构(例如，处理室18A、18B等的结构)只不过是一个具体例，当然能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。
符号说明
10—基板处理装置，12—第一搬送室，27-1～27-3—晶圆容器(基板收纳容器)，100—基板，134—开口部(搬入口)，171—风扇，175—搬送空间，168—循环管道，190—维护门，191—维护开口(侧面开口)。

Claims (17)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
搬送室，其包括搬送从基板收纳容器搬入的基板的搬送空间；
气体循环路，其将所述搬送空间的一端和另一端连接；
风扇，其设于所述气体循环路内或其端部，使所述搬送空间及所述气体循环路内的气氛循环；
搬入口，其从所述基板收纳容器向所述搬送空间内搬入所述基板；
侧面开口，其设于形成所述搬送室的多个侧面中的夹着设有所述搬入口的所述搬送室的侧面的两侧面的至少一个侧面，且与所述搬送空间连通；
门，其设为堵塞所述侧面开口；以及
循环管道，其以与所述门一体地可动的方式固定于所述门的内侧，且设置成在所述门关闭的状态下构成所述气体循环路。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述搬送空间的上方设有隔着所述风扇配置且构成所述气体循环路的缓冲空间。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述循环管道的上端开口的缘部及与所述循环管道连接的所述缓冲空间的开口的缘部中的至少任一方设置有密封部件，
所述循环管道在所述门关闭的状态下经由所述密封部件与所述缓冲空间连接。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述侧面开口的上端及所述循环管道的上端设置成至少延伸至设置有与所述循环管道连接的所述缓冲空间的开口的高度。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述风扇的上方及下方中的至少一方设置有过滤器，所述过滤器配置于所述侧面开口及所述循环管道延伸的高度。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述过滤器的侧面面向所述侧面开口。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述过滤器构成为能够通过沿水平方向可动而经由所述侧面开口装卸。
8.根据权利要求2～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述缓冲空间连接有供给吹扫气体的吹扫气体供给系统。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述门构成为能够以沿铅垂方向配置的旋转轴为中心在水平方向上开闭。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在形成所述搬送室的所述多个侧面中的与设有所述搬入口的所述搬送室的侧面对置的侧面，设置有从所述搬送空间内搬出所述基板的搬出口。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述搬送空间的下部设有构成所述气体循环路的第二缓冲空间。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述循环管道的下端开口的缘部及与所述循环管道连接的所述第二缓冲空间的开口的缘部中的至少任一方设置有第二密封部，所述循环管道在所述门关闭的状态下经由所述第二密封部与所述第二缓冲空间的开口连接。
13.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述搬送空间的下部设有构成所述气体循环路的第二缓冲空间。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述循环管道的下端开口的缘部及与所述循环管道连接的所述第二缓冲空间的开口的缘部中的至少任一方设置有第二密封部，所述循环管道在所述门关闭的状态下经由所述第二密封部与所述第二缓冲空间的开口连接。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述门及所述循环管道设有能够目视确认所述搬送空间内的透明窗。
16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
在基板处理装置中通过风扇使搬送空间及气体循环路内的气氛循环，其中，所述基板处理装置具备包括搬送基板的所述搬送空间的搬送室、将所述搬送空间的一端和另一端连接的所述气体循环路、设于所述气体循环路内或其端部的所述风扇、从基板收纳容器向所述搬送空间内搬入所述基板的搬入口、设于形成所述搬送室的多个侧面中的夹着设有所述搬入口的所述搬送室的侧面的两侧面的至少一个侧面且与所述搬送空间连通的侧面开口、设为堵塞所述侧面开口的门、以及以与所述门一体地可动的方式固定于所述门的内侧且设置成在所述门关闭的状态下构成所述气体循环路的循环管道；
在通过所述风扇使所述搬送空间内的气氛循环的状态下，将收纳于所述基板收纳容器的所述基板从所述搬入口搬入所述搬送空间内；以及
在所述搬送空间内搬送所述基板。
17.一种程序，其特征在于，
通过计算机使基板处理装置执行以下步骤：
在所述基板处理装置中通过风扇使搬送空间及气体循环路内的气氛循环，其中，所述基板处理装置具备包括搬送基板的所述搬送空间的搬送室、将所述搬送空间的一端和另一端连接的所述气体循环路、设于所述气体循环路内或其端部的所述风扇、从基板收纳容器向所述搬送空间内搬入所述基板的搬入口、设于形成所述搬送室的多个侧面中的夹着设有所述搬入口的所述搬送室的侧面的两侧面的至少一个侧面且与所述搬送空间连通的侧面开口、设为堵塞所述侧面开口的门、以及以与所述门一体地可动的方式固定于所述门的内侧且设置成在所述门关闭的状态下构成所述气体循环路的循环管道；
在通过所述风扇使所述搬送空间内的气氛循环的状态下，将收纳于所述基板收纳容器的所述基板从所述搬入口搬入所述搬送空间内；以及
在所述搬送空间内搬送所述基板。
CN202280023182.7A 2021-05-13 2022-03-25 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 Pending CN117063273A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-081500 2021-05-13
JP2021081500 2021-05-13
PCT/JP2022/014654 WO2022239538A1 (ja) 2021-05-13 2022-03-25 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117063273A true CN117063273A (zh) 2023-11-14

Family

ID=84029584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280023182.7A Pending CN117063273A (zh) 2021-05-13 2022-03-25 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240006200A1 (zh)
JP (1) JPWO2022239538A1 (zh)
KR (1) KR20230165338A (zh)
CN (1) CN117063273A (zh)
WO (1) WO2022239538A1 (zh)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004349619A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Tdk Corp インターフェースシール
JP2005050897A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Sony Corp フロントエンドモジュール
JP2011091071A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ティーチング支援ユニットおよびティーチング方法
US9972444B2 (en) 2015-05-29 2018-05-15 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor element for use in dry conditions
US10763134B2 (en) * 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
JP7037049B2 (ja) * 2018-03-15 2022-03-16 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
JP6368882B1 (ja) * 2018-05-14 2018-08-01 株式会社ブイテックス ゲートバルブの制御方法
JP6591711B2 (ja) * 2019-03-27 2019-10-16 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
KR102208017B1 (ko) * 2019-08-14 2021-01-27 로체 시스템즈(주) 기판 반송 장치
JP6853489B2 (ja) * 2019-09-04 2021-03-31 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022239538A1 (ja) 2022-11-17
KR20230165338A (ko) 2023-12-05
JPWO2022239538A1 (zh) 2022-11-17
US20240006200A1 (en) 2024-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8443484B2 (en) Substrate processing apparatus
JP4540953B2 (ja) 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置
KR100269414B1 (ko) 열처리방법 및 열처리장치
KR19990023508A (ko) 처리장치 및 처리장치내의 기체의 제어방법
CN111463118A (zh) 基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法
JP5334261B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法
CN111415884B (zh) 基板处理装置
TW202023932A (zh) 側面儲存盒、設備前端模組、及用於操作efem的方法
US8794896B2 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
US6409503B1 (en) Heat treatment method and heat treatment apparatus
US11404291B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JPH04269825A (ja) 縦型熱処理装置
JPH11340301A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN117063273A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
KR20100059712A (ko) 기판의 보관 장치 및 기판의 처리 장치
CN111755367A (zh) 基板处理装置
KR101646824B1 (ko) 기판 반송 설비
CN111712904B (zh) 处理装置、排气系统、半导体器件的制造方法
US20230102035A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-transitory Computer-readable Recording Medium
CN114864432A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
JP2005347667A (ja) 半導体製造装置
CN111696887B (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质
JPH09321117A (ja) 真空処理装置
JP2017092245A (ja) 基板処理装置
KR20230123435A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination