JPH11329310A - アクティブマトリクス駆動蛍光表示管及びその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス駆動蛍光表示管及びその製造方法Info
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- JPH11329310A JPH11329310A JP10138680A JP13868098A JPH11329310A JP H11329310 A JPH11329310 A JP H11329310A JP 10138680 A JP10138680 A JP 10138680A JP 13868098 A JP13868098 A JP 13868098A JP H11329310 A JPH11329310 A JP H11329310A
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】アクティブマトリクス蛍光表示管において蛍光
体層の誤発光を防止する。 【解決手段】アクティブマトリクス駆動蛍光表示管１の
外囲器の基板５上には、個々に駆動される陽極２がマト
リクス状に形成されたシリコンウエハー３がある。ウエ
ハー３は、高純度シリコン単結晶を円板状にスライスし
たシリコン基板に、必要な構造を作り込み、これを切り
出して形成する。ウエハー３の上面には制御電極１０が
ある。ウエハー３の上方にはフィラメント状の陰極１１
がある。陰極１１は芯線１２の周りに電子放出物質１３
を有する。ウエハー３の切断面１５はＧＮＤであるが、
ここは絶縁性材料１６で被覆されている。アルミナゾル
を塗布した後に焼成して得られる。駆動中、陰極１１か
ら出たＢａ等の遊離金属が切断面１５に付着しても、制
御電極１０−陽極２間の絶縁性は保たれ、ショートは発
生しない。陽極２の誤発光が防止される。
体層の誤発光を防止する。 【解決手段】アクティブマトリクス駆動蛍光表示管１の
外囲器の基板５上には、個々に駆動される陽極２がマト
リクス状に形成されたシリコンウエハー３がある。ウエ
ハー３は、高純度シリコン単結晶を円板状にスライスし
たシリコン基板に、必要な構造を作り込み、これを切り
出して形成する。ウエハー３の上面には制御電極１０が
ある。ウエハー３の上方にはフィラメント状の陰極１１
がある。陰極１１は芯線１２の周りに電子放出物質１３
を有する。ウエハー３の切断面１５はＧＮＤであるが、
ここは絶縁性材料１６で被覆されている。アルミナゾル
を塗布した後に焼成して得られる。駆動中、陰極１１か
ら出たＢａ等の遊離金属が切断面１５に付着しても、制
御電極１０−陽極２間の絶縁性は保たれ、ショートは発
生しない。陽極２の誤発光が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、個々に駆動される
複数個の陽極がマトリクス状に形成された半導体チップ
を、外囲器の基板の内面に固定した構造のアクティブマ
トリクス駆動蛍光表示管に関する。本発明は、このアク
ティブマトリクス駆動蛍光表示管において、特に電極間
の絶縁不良に起因する陽極の誤発光を防止するための技
術に関する。
複数個の陽極がマトリクス状に形成された半導体チップ
を、外囲器の基板の内面に固定した構造のアクティブマ
トリクス駆動蛍光表示管に関する。本発明は、このアク
ティブマトリクス駆動蛍光表示管において、特に電極間
の絶縁不良に起因する陽極の誤発光を防止するための技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的なアクティブマトリクス駆
動蛍光表示管は、ガラス等の絶縁性材料からなる基板
と、基板の上面に封着される容器部からなる外囲器を有
している。外囲器内の基板上には、発光部がマトリクス
状に形成された半導体チップであるシリコンウエハーが
取り付けられている。この矩形のシリコンウエハーは、
精製された円柱形の高純度シリコン単結晶を円板状にス
ライスしたものから作られる。即ち、この円板状のシリ
コンウエハーに、必要な構造が作り込まれた矩形の素子
を複数個形成し、矩形の素子をそれぞれ切り出す。
動蛍光表示管は、ガラス等の絶縁性材料からなる基板
と、基板の上面に封着される容器部からなる外囲器を有
している。外囲器内の基板上には、発光部がマトリクス
状に形成された半導体チップであるシリコンウエハーが
取り付けられている。この矩形のシリコンウエハーは、
精製された円柱形の高純度シリコン単結晶を円板状にス
ライスしたものから作られる。即ち、この円板状のシリ
コンウエハーに、必要な構造が作り込まれた矩形の素子
を複数個形成し、矩形の素子をそれぞれ切り出す。
【０００３】図４に示すように、この矩形のシリコンウ
エハー１００は基板１０１に対してダイボンドペースト
１０２で接着されている。シリコンウエハー１００の上
面には、陽極導体１０３と蛍光体層１０４からなる陽極
１０５がマトリクス状に配置されている。各陽極１０５
の下にはスイッチング素子としてのトランジスタが構成
されている。シリコンウエハー１００の上面には、各陽
極１０５の間に格子状かつ平面状の制御電極１０６が設
けられている。外囲器内において、シリコンウエハー１
００の上方には電子源としてのフィラメント状の陰極１
０７が張設されている。陰極１０７は、通電により発熱
するタングステン等の芯線１０７ａの周りに、電子放出
物質１０７ｂを被着したものである。電子放出物質とし
ては、Ｂａを含むアルカリ土類金属の酸化物等がある。
エハー１００は基板１０１に対してダイボンドペースト
１０２で接着されている。シリコンウエハー１００の上
面には、陽極導体１０３と蛍光体層１０４からなる陽極
１０５がマトリクス状に配置されている。各陽極１０５
の下にはスイッチング素子としてのトランジスタが構成
されている。シリコンウエハー１００の上面には、各陽
極１０５の間に格子状かつ平面状の制御電極１０６が設
けられている。外囲器内において、シリコンウエハー１
００の上方には電子源としてのフィラメント状の陰極１
０７が張設されている。陰極１０７は、通電により発熱
するタングステン等の芯線１０７ａの周りに、電子放出
物質１０７ｂを被着したものである。電子放出物質とし
ては、Ｂａを含むアルカリ土類金属の酸化物等がある。
【０００４】駆動時には、シリコンウエハー１００上の
所望の陽極１０５をスイッチング素子により選択し、陰
極１０７から放出された電子を蛍光体層１０４に射突さ
せる。制御電極１０６には、常時正の電位が加えられて
おり、電子を拡散して各陽極１０５に均一に電子が供給
されるようになっている。マトリクス内の所望の陽極１
０５を選択的に発光させることにより、任意のグラフィ
ック表示が行える。
所望の陽極１０５をスイッチング素子により選択し、陰
極１０７から放出された電子を蛍光体層１０４に射突さ
せる。制御電極１０６には、常時正の電位が加えられて
おり、電子を拡散して各陽極１０５に均一に電子が供給
されるようになっている。マトリクス内の所望の陽極１
０５を選択的に発光させることにより、任意のグラフィ
ック表示が行える。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記アクティブマトリ
クス駆動蛍光表示管の実駆動時、陰極１０７の電子放出
物質は活性化されて遊離金属を生じ、これがシリコンウ
エハー１００側に付着することがあった。例えば、前に
例示した電子放出物質１０７ｂの場合には遊離Ｂａが生
じ、これがシリコンウエハー１００の切断面１１０（外
周の端面、即ちシリコン単結晶の円板から切り出した時
の切断面）や、その周辺に付着することがあった。
クス駆動蛍光表示管の実駆動時、陰極１０７の電子放出
物質は活性化されて遊離金属を生じ、これがシリコンウ
エハー１００側に付着することがあった。例えば、前に
例示した電子放出物質１０７ｂの場合には遊離Ｂａが生
じ、これがシリコンウエハー１００の切断面１１０（外
周の端面、即ちシリコン単結晶の円板から切り出した時
の切断面）や、その周辺に付着することがあった。
【０００６】図４に示すシリコンウエハー１００の外周
の端面は、円板状のシリコンウエハーから切り出された
際の切断面１１０になっている。例えば、図示のように
下層のｐ型層１００ａはダイボンドペースト１０２で基
板１０１に接着されており、この部分が電気的にはＧＮ
Ｄとなっている。ここで、前述したように切断面１１０
に遊離Ｂａが付着すると、この切断面１１０のＧＮＤを
仲介として陽極１０５（蛍光体層１０４）と制御電極１
０６との間で絶縁不良が発生する。
の端面は、円板状のシリコンウエハーから切り出された
際の切断面１１０になっている。例えば、図示のように
下層のｐ型層１００ａはダイボンドペースト１０２で基
板１０１に接着されており、この部分が電気的にはＧＮ
Ｄとなっている。ここで、前述したように切断面１１０
に遊離Ｂａが付着すると、この切断面１１０のＧＮＤを
仲介として陽極１０５（蛍光体層１０４）と制御電極１
０６との間で絶縁不良が発生する。
【０００７】すると、陽極１０５がＯＦＦとされている
場合でも、制御電極１０６がＯＮであれば、陽極１０５
は実際にはＯＮとなってしまい、電子が射突して蛍光体
層１０４が発光してしまう。このような蛍光体層１０４
の誤発光は、特にシリコンウエハー１００の切断面１１
０に近い蛍光体層１０４で多く発生している。
場合でも、制御電極１０６がＯＮであれば、陽極１０５
は実際にはＯＮとなってしまい、電子が射突して蛍光体
層１０４が発光してしまう。このような蛍光体層１０４
の誤発光は、特にシリコンウエハー１００の切断面１１
０に近い蛍光体層１０４で多く発生している。
【０００８】本発明は、マトリクス状の発光部が形成さ
れたシリコンウエハーを外囲器内に収納した構造の蛍光
表示管において、シリコンウエハーの切断面に導電物質
が付着して電極間に絶縁不良が発生することによる蛍光
体層の誤発光を防止することを目的としている。
れたシリコンウエハーを外囲器内に収納した構造の蛍光
表示管において、シリコンウエハーの切断面に導電物質
が付着して電極間に絶縁不良が発生することによる蛍光
体層の誤発光を防止することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載されたア
クティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）は、外囲器
（４）と、前記外囲器の内面に設けられる半導体チップ
（３）と、前記半導体チップにマトリクス状に形成され
て個々に駆動される蛍光体層（９）を備えた複数個の陽
極（２）と、前記外囲器の内部において前記半導体チッ
プの上方に設けられたフィラメント状の陰極（１１）と
を有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管におい
て、前記半導体チップの端面（切断面１５）を絶縁性材
料（１６）で覆ったことを特徴としている。
クティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）は、外囲器
（４）と、前記外囲器の内面に設けられる半導体チップ
（３）と、前記半導体チップにマトリクス状に形成され
て個々に駆動される蛍光体層（９）を備えた複数個の陽
極（２）と、前記外囲器の内部において前記半導体チッ
プの上方に設けられたフィラメント状の陰極（１１）と
を有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管におい
て、前記半導体チップの端面（切断面１５）を絶縁性材
料（１６）で覆ったことを特徴としている。
【００１０】請求項２に記載されたアクティブマトリク
ス駆動蛍光表示管（１）は、基板（５）を有する外囲器
（４）と、前記外囲器の基板の内面に設けられた半導体
チップ（３）と、前記半導体チップにマトリクス状に形
成されて選択的に駆動されるスイッチング素子と、前記
各スイッチング素子に設けられた蛍光体層（９）を有す
る陽極（２）と、前記半導体チップにおいて前記各陽極
の間に形成された制御電極（１０）と、前記外囲器の内
部において前記半導体チップの上方に設けられた金属酸
化物からなる電子放出物質層（１３）を備えたフィラメ
ント状の陰極（１１）とを有するアクティブマトリクス
駆動蛍光表示管において、前記半導体チップの切断面
（１５）を絶縁性材料（１６）で覆ったことを特徴とし
ている。
ス駆動蛍光表示管（１）は、基板（５）を有する外囲器
（４）と、前記外囲器の基板の内面に設けられた半導体
チップ（３）と、前記半導体チップにマトリクス状に形
成されて選択的に駆動されるスイッチング素子と、前記
各スイッチング素子に設けられた蛍光体層（９）を有す
る陽極（２）と、前記半導体チップにおいて前記各陽極
の間に形成された制御電極（１０）と、前記外囲器の内
部において前記半導体チップの上方に設けられた金属酸
化物からなる電子放出物質層（１３）を備えたフィラメ
ント状の陰極（１１）とを有するアクティブマトリクス
駆動蛍光表示管において、前記半導体チップの切断面
（１５）を絶縁性材料（１６）で覆ったことを特徴とし
ている。
【００１１】請求項３に記載されたアクティブマトリク
ス駆動蛍光表示管（１）は、請求項１又は２記載のアク
ティブマトリクス駆動蛍光表示管において、前記絶縁性
材料（１６）が、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、有
機金属、フリットガラスからなる群から選択された物質
の微粉末であることを特徴としている。
ス駆動蛍光表示管（１）は、請求項１又は２記載のアク
ティブマトリクス駆動蛍光表示管において、前記絶縁性
材料（１６）が、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、有
機金属、フリットガラスからなる群から選択された物質
の微粉末であることを特徴としている。
【００１２】請求項４に記載されたアクティブマトリク
ス駆動蛍光表示管は、請求項１又は２又は３記載のアク
ティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）において、前記
半導体チップ（３）の上面の外縁に近い部分の一部には
前記陽極（２）及び前記スイッチング素子以外の電子素
子が形成されており、前記絶縁性材料（１６）は前記電
子素子に近い切断面（１５）以外の切断面に設けられて
いることを特徴としている。
ス駆動蛍光表示管は、請求項１又は２又は３記載のアク
ティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）において、前記
半導体チップ（３）の上面の外縁に近い部分の一部には
前記陽極（２）及び前記スイッチング素子以外の電子素
子が形成されており、前記絶縁性材料（１６）は前記電
子素子に近い切断面（１５）以外の切断面に設けられて
いることを特徴としている。
【００１３】請求項５に記載されたアクティブマトリク
ス駆動蛍光表示管（１）の製造方法は、基板（５）を有
する外囲器（４）と、前記外囲器の基板の内面に設けら
れた半導体チップ（３）と、前記半導体チップの上面に
マトリクス状に形成されて選択的に駆動される蛍光体層
（９）を備えた陽極（２）と、前記外囲器の内部におい
て前記半導体チップの上方に設けられたフィラメント状
の陰極（１１）とを有するアクティブマトリクス駆動蛍
光表示管の製造方法において、前記基板（５）の上に固
定された前記半導体チップ（３）の切断面（１５）に、
絶縁性材料（１６）の微粉末を溶媒に分散した液を塗
り、その後に前記基板（５）を焼成することによって前
記半導体チップ（３）の切断面（１５）を絶縁性材料
（１６）で覆うことを特徴としている。
ス駆動蛍光表示管（１）の製造方法は、基板（５）を有
する外囲器（４）と、前記外囲器の基板の内面に設けら
れた半導体チップ（３）と、前記半導体チップの上面に
マトリクス状に形成されて選択的に駆動される蛍光体層
（９）を備えた陽極（２）と、前記外囲器の内部におい
て前記半導体チップの上方に設けられたフィラメント状
の陰極（１１）とを有するアクティブマトリクス駆動蛍
光表示管の製造方法において、前記基板（５）の上に固
定された前記半導体チップ（３）の切断面（１５）に、
絶縁性材料（１６）の微粉末を溶媒に分散した液を塗
り、その後に前記基板（５）を焼成することによって前
記半導体チップ（３）の切断面（１５）を絶縁性材料
（１６）で覆うことを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の第１の例を
図１〜図４を参照して説明する。図１に示すように、本
例のアクティブマトリクス駆動蛍光表示管１（以下、表
示管１と呼ぶ）は、個々に駆動される複数個の陽極２が
マトリクス状に形成された半導体チップであるシリコン
ウエハー３を、外囲器４の基板５の内面に固定した構造
を有する。表示管１の基板５はガラス等の絶縁性の基板
５と、基板５の上に封着された箱型の容器部６とからな
る外囲器４を有している。外囲器４の内部は高真空雰囲
気に排気され、保持されている。
図１〜図４を参照して説明する。図１に示すように、本
例のアクティブマトリクス駆動蛍光表示管１（以下、表
示管１と呼ぶ）は、個々に駆動される複数個の陽極２が
マトリクス状に形成された半導体チップであるシリコン
ウエハー３を、外囲器４の基板５の内面に固定した構造
を有する。表示管１の基板５はガラス等の絶縁性の基板
５と、基板５の上に封着された箱型の容器部６とからな
る外囲器４を有している。外囲器４の内部は高真空雰囲
気に排気され、保持されている。
【００１５】外囲器４の内部において、基板５の上面に
は、矩形のシリコンウエハー３が固定されている。この
シリコンウエハー３の上面には、ドット状の多数の発光
部がマトリクス状に形成・配設されている。この矩形の
シリコンウエハー３は、精製された円柱形の高純度シリ
コン単結晶を円板状にスライスしたシリコン基板から作
られる。即ち、マトリクス状の発光ドット、各発光ドッ
トごとに設けられるスイッチング素子としてのトランジ
スタ、各発光ドットをアクティブマトリクス駆動するた
めの接続配線構造とドライバ、メモリ等の駆動素子等、
必要な構造を作り込んだ矩形の素子を、円板状のシリコ
ンウエハーに複数個形成し、各矩形の素子を切り出して
形成する。
は、矩形のシリコンウエハー３が固定されている。この
シリコンウエハー３の上面には、ドット状の多数の発光
部がマトリクス状に形成・配設されている。この矩形の
シリコンウエハー３は、精製された円柱形の高純度シリ
コン単結晶を円板状にスライスしたシリコン基板から作
られる。即ち、マトリクス状の発光ドット、各発光ドッ
トごとに設けられるスイッチング素子としてのトランジ
スタ、各発光ドットをアクティブマトリクス駆動するた
めの接続配線構造とドライバ、メモリ等の駆動素子等、
必要な構造を作り込んだ矩形の素子を、円板状のシリコ
ンウエハーに複数個形成し、各矩形の素子を切り出して
形成する。
【００１６】図２において、矩形のシリコンウエハー３
は基板５に対してダイボンドペースト７で接着されてい
る。シリコンウエハー３の上面には、陽極導体８と蛍光
体層９からなる陽極２がマトリクス状に配置されてい
る。図示しないが、各陽極２の下にはスイッチング素子
としてのトランジスタが設けられている。シリコンウエ
ハー３の上面には、各陽極２の間に格子状に平面状の制
御電極１０が設けられている。外囲器４内において、シ
リコンウエハー３の上方には電子源としてのフィラメン
ト状の陰極１１が張設されている。陰極１１は、通電に
より発熱するタングステン等の芯線１２の周りに、電子
放出物質１３を被着したものである。電子放出物質１３
としては、Ｂａを含むアルカリ土類金属の酸化物等があ
る。
は基板５に対してダイボンドペースト７で接着されてい
る。シリコンウエハー３の上面には、陽極導体８と蛍光
体層９からなる陽極２がマトリクス状に配置されてい
る。図示しないが、各陽極２の下にはスイッチング素子
としてのトランジスタが設けられている。シリコンウエ
ハー３の上面には、各陽極２の間に格子状に平面状の制
御電極１０が設けられている。外囲器４内において、シ
リコンウエハー３の上方には電子源としてのフィラメン
ト状の陰極１１が張設されている。陰極１１は、通電に
より発熱するタングステン等の芯線１２の周りに、電子
放出物質１３を被着したものである。電子放出物質１３
としては、Ｂａを含むアルカリ土類金属の酸化物等があ
る。
【００１７】図２に示すように、本例においては、シリ
コンウエハー３の外縁において電気的にＧＮＤとなる部
分、即ち円板状のシリコン基板から切断した際の切断面
１５が、絶縁性材料１６で覆われた絶縁被覆部とされて
いる。本例では、絶縁性材料１６としてアルミナゾルを
用いている。
コンウエハー３の外縁において電気的にＧＮＤとなる部
分、即ち円板状のシリコン基板から切断した際の切断面
１５が、絶縁性材料１６で覆われた絶縁被覆部とされて
いる。本例では、絶縁性材料１６としてアルミナゾルを
用いている。
【００１８】アルミナゾルは、５ｍμ〜２００ｍμのコ
ロイドの大きさを持つアルミナ水和物で、重合粒子が水
中の陰イオンを安定剤として分散している乳白色の粘性
のある液体である。粒子の形状は、羽毛粒粒子の集合体
であり、この羽毛粒粒子１つは約６０万個のアルミナが
重合してできている。表面状態は、コロイドに安定性を
持たせる陰イオンが粒子の表面及びその近辺に存在し、
アルミナ粒子の安定化の役割りをしている。また、アル
ミナ粒子自身は陽性に帯電している。
ロイドの大きさを持つアルミナ水和物で、重合粒子が水
中の陰イオンを安定剤として分散している乳白色の粘性
のある液体である。粒子の形状は、羽毛粒粒子の集合体
であり、この羽毛粒粒子１つは約６０万個のアルミナが
重合してできている。表面状態は、コロイドに安定性を
持たせる陰イオンが粒子の表面及びその近辺に存在し、
アルミナ粒子の安定化の役割りをしている。また、アル
ミナ粒子自身は陽性に帯電している。
【００１９】前記アルミナゾルは、安定剤としての酸の
種類（Ｃｌ- 、ＣＨ3 ＣＯＯＨ、ＮＯ3 - ）の異なる３
種類がある。本例では、ハロゲンを含まず、フィラメン
ト状の陰極１１に無害なＮＯ3 - を安定剤とするアルミ
ナゾルを選択した。このアルミナゾルは、Ａｌ2 Ｏ3 が
２０〜２２重量％、ＰＨが３．０〜５．０、比重が１．
１７〜１．２１、粒子形は棒〜粒状、粒子の大きさは１
０ｎｍ〜２０ｎｍ、比表面積が１３０〜２７０ｍ2 ／
ｇ、粘度は１〜２５（２０℃、ｍＰａ・ｓ）である。し
かしながら、他の種類のアルミナゾルも使用できる。
種類（Ｃｌ- 、ＣＨ3 ＣＯＯＨ、ＮＯ3 - ）の異なる３
種類がある。本例では、ハロゲンを含まず、フィラメン
ト状の陰極１１に無害なＮＯ3 - を安定剤とするアルミ
ナゾルを選択した。このアルミナゾルは、Ａｌ2 Ｏ3 が
２０〜２２重量％、ＰＨが３．０〜５．０、比重が１．
１７〜１．２１、粒子形は棒〜粒状、粒子の大きさは１
０ｎｍ〜２０ｎｍ、比表面積が１３０〜２７０ｍ2 ／
ｇ、粘度は１〜２５（２０℃、ｍＰａ・ｓ）である。し
かしながら、他の種類のアルミナゾルも使用できる。
【００２０】次に、本例の表示管１の製造工程を図３を
参照して説明する。図３中に示した各工程を示す番号に
対応した括弧つき数字ごとに項分けして説明する。 (1) スライスした円形のシリコンウエハー（直径５イン
チ、厚さ０．６ｍｍ）に、表示管１に使う矩形の素子を
作り込む。一例をあげれば、１枚の円形シリコンウエハ
ーには、１７個の矩形素子（前記シリコンウエハー３）
が形成される。
参照して説明する。図３中に示した各工程を示す番号に
対応した括弧つき数字ごとに項分けして説明する。 (1) スライスした円形のシリコンウエハー（直径５イン
チ、厚さ０．６ｍｍ）に、表示管１に使う矩形の素子を
作り込む。一例をあげれば、１枚の円形シリコンウエハ
ーには、１７個の矩形素子（前記シリコンウエハー３）
が形成される。
【００２１】(2) 円形シリコンウエハーの上面に、紫外
線感光樹脂を含むスラリー蛍光体を一様に塗布する。
線感光樹脂を含むスラリー蛍光体を一様に塗布する。
【００２２】(3) 発光ドットの形状に対応した開口部を
有するマスクを介してＵＶランプで円形シリコンウエハ
ーの上面に紫外線を露光する。
有するマスクを介してＵＶランプで円形シリコンウエハ
ーの上面に紫外線を露光する。
【００２３】(4) 水現像を行い、固まっていないスラリ
ー蛍光体を洗い流す。
ー蛍光体を洗い流す。
【００２４】(5) 蛍光体のパターンが形成された円形シ
リコンウエハーの上面にアセトンに分散したアクリルを
塗布・乾燥させ、アクリルの保護層を形成する。このア
クリル保護層は、円形シリコンウエハーから矩形の素子
を切り出す時に、切り屑を流すために水を流すが、この
水によって蛍光体が剥がされることを防ぐためである。
アクリルは低温で分解するので、後工程の焼成により除
去される。
リコンウエハーの上面にアセトンに分散したアクリルを
塗布・乾燥させ、アクリルの保護層を形成する。このア
クリル保護層は、円形シリコンウエハーから矩形の素子
を切り出す時に、切り屑を流すために水を流すが、この
水によって蛍光体が剥がされることを防ぐためである。
アクリルは低温で分解するので、後工程の焼成により除
去される。
【００２５】(6) ダイシング、即ちダイヤモンドカッタ
ー等により円形シリコンウエハーから矩形の素子（前記
シリコンウエハー３）を切り出す。
ー等により円形シリコンウエハーから矩形の素子（前記
シリコンウエハー３）を切り出す。
【００２６】(7) ダイボンド、即ち切り出した矩形の素
子を、Ａｇと有機Ｔｉを混合したダイボンドペースト７
で表示管１の基板５の上面に接着固定する。Ａｇと有機
Ｔｉからなるダイボンドペースト７は分解しやすいの
で、製品完成後に外囲器４内に残ることがない。
子を、Ａｇと有機Ｔｉを混合したダイボンドペースト７
で表示管１の基板５の上面に接着固定する。Ａｇと有機
Ｔｉからなるダイボンドペースト７は分解しやすいの
で、製品完成後に外囲器４内に残ることがない。
【００２７】(8) 矩形の素子は小さいので持ちにくい
し、また汚染を防ぐために手で持たない方がよいが、前
工程で基板５に固定したので基板５を持って取り扱うこ
とができる。前記アルミナゾル（絶縁性材料１６）を基
板５上の矩形の素子の切断面１５にステンレス製の小型
ヘラで塗布する。
し、また汚染を防ぐために手で持たない方がよいが、前
工程で基板５に固定したので基板５を持って取り扱うこ
とができる。前記アルミナゾル（絶縁性材料１６）を基
板５上の矩形の素子の切断面１５にステンレス製の小型
ヘラで塗布する。
【００２８】(9) 焼成する。ここまでの工程で使用した
蛍光体層９中の樹脂、蛍光体を覆うアクリル樹脂、ダイ
ボンドペースト７が熱で分解除去される。前記アルミナ
ゾルは焼成されて固化し、絶縁被覆膜となる。
蛍光体層９中の樹脂、蛍光体を覆うアクリル樹脂、ダイ
ボンドペースト７が熱で分解除去される。前記アルミナ
ゾルは焼成されて固化し、絶縁被覆膜となる。
【００２９】(10)ワイヤーボンディングを行う。即ち、
矩形の素子と基板５の電極とをワイヤーで接続する。
矩形の素子と基板５の電極とをワイヤーで接続する。
【００３０】(11)面付けを行う。即ち、完成したリード
フレームを前記基板５上の所定位置に置き、その上から
完成した容器部６を重ね、これらを固定手段（クリップ
等）で仮固定する。
フレームを前記基板５上の所定位置に置き、その上から
完成した容器部６を重ね、これらを固定手段（クリップ
等）で仮固定する。
【００３１】(12)約４５０℃で焼成し、封着を行う。容
器部６と基板５の間にあるシールガラスが溶けて容器部
６とリードフレームと基板５を固着する。
器部６と基板５の間にあるシールガラスが溶けて容器部
６とリードフレームと基板５を固着する。
【００３２】(13)外囲器４の内部を排気し、所定の高真
空雰囲気になったところで排気管を封止する。ゲッター
を飛ばして外囲器４の内面にゲッター膜を形成する。
空雰囲気になったところで排気管を封止する。ゲッター
を飛ばして外囲器４の内面にゲッター膜を形成する。
【００３３】(14)オーブンにより１６０℃〜３００℃位
で焼成し、残留したガスをゲッター膜に吸着させる。
で焼成し、残留したガスをゲッター膜に吸着させる。
【００３４】(15)外囲器４の外に突出したリードフレー
ムのリード端子をみがいてはんだを付けておく。
ムのリード端子をみがいてはんだを付けておく。
【００３５】(16)表示管１のエージングを行う。
【００３６】(17)表示検査を行う。
【００３７】以上のようにして製造された表示管１の駆
動は、外囲器４内に設けられたシリコンウエハー３上の
所望の陽極２をスイッチング素子により選択し、陰極１
１から放出された電子を選択した陽極２の蛍光体層９に
射突させて行う。制御電極１０には、常時正の電位が加
えられており、電子を拡散して各陽極２に均一に電子が
供給されるようになっている。マトリクス内の所望の陽
極２を選択的に発光させることにより、任意のグラフィ
ック表示が行える。
動は、外囲器４内に設けられたシリコンウエハー３上の
所望の陽極２をスイッチング素子により選択し、陰極１
１から放出された電子を選択した陽極２の蛍光体層９に
射突させて行う。制御電極１０には、常時正の電位が加
えられており、電子を拡散して各陽極２に均一に電子が
供給されるようになっている。マトリクス内の所望の陽
極２を選択的に発光させることにより、任意のグラフィ
ック表示が行える。
【００３８】本例の表示管１によれば、電気的にＧＮＤ
となるシリコンウエハー３の切断面１５を絶縁性材料１
６で被覆した。このため、表示管１の駆動中に、フィラ
メント状陰極１１から出たＢａ等の遊離金属が前記切断
面１５に付着しても、制御電極１０−陽極２間の絶縁性
は保たれ、ショートが発生することはない。よって、陽
極２の誤発光が防止される。シリコンウエハー３の上に
は、マトリクス状の陽極２のドットが形成されている部
分と、駆動用のドライバやメモリ類の素子が形成されて
いる部分があり、特に切断面１５に近い蛍光体の部分に
おいて誤発光が発生していたが、このような不都合は本
発明により解消された。
となるシリコンウエハー３の切断面１５を絶縁性材料１
６で被覆した。このため、表示管１の駆動中に、フィラ
メント状陰極１１から出たＢａ等の遊離金属が前記切断
面１５に付着しても、制御電極１０−陽極２間の絶縁性
は保たれ、ショートが発生することはない。よって、陽
極２の誤発光が防止される。シリコンウエハー３の上に
は、マトリクス状の陽極２のドットが形成されている部
分と、駆動用のドライバやメモリ類の素子が形成されて
いる部分があり、特に切断面１５に近い蛍光体の部分に
おいて誤発光が発生していたが、このような不都合は本
発明により解消された。
【００３９】また、図３に示した製造工程中の(6) ダイ
シング工程において、冷却水の影響により、わずかな量
ではあるが蛍光体が流れだしてシリコンウエハー３の切
断面１５に付着することがある。この付着した蛍光体が
そのまま残ると、表示管１として駆動した場合に漏れ発
光が発生する。従来は、このような誤発光も問題とされ
ていた。
シング工程において、冷却水の影響により、わずかな量
ではあるが蛍光体が流れだしてシリコンウエハー３の切
断面１５に付着することがある。この付着した蛍光体が
そのまま残ると、表示管１として駆動した場合に漏れ発
光が発生する。従来は、このような誤発光も問題とされ
ていた。
【００４０】しかしながら、本発明によれば、ダイシン
グされたウエハーを基板５上に固定した後、そのシリコ
ンウエハー３の切断面１５を絶縁性材料１６で被覆して
しまうので、たとえ切断面１５に蛍光体が付着していて
も、その蛍光体は絶縁物質に隠されて見えなくなるの
で、上述したような漏れ発光、誤発光の問題は発生しな
い。
グされたウエハーを基板５上に固定した後、そのシリコ
ンウエハー３の切断面１５を絶縁性材料１６で被覆して
しまうので、たとえ切断面１５に蛍光体が付着していて
も、その蛍光体は絶縁物質に隠されて見えなくなるの
で、上述したような漏れ発光、誤発光の問題は発生しな
い。
【００４１】以上説明した例では、シリコンウエハー３
の切断面１５を絶縁被覆する保護層（被覆層）の材料と
してアルミナゾルを採用した。この他、採用しうる材料
としては、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、有機金属（有機Ｔｉ
等）、フリットガラス等の絶縁材料があり、塗布時には
これらの材料の微粉末をゾル状にして使用する。
の切断面１５を絶縁被覆する保護層（被覆層）の材料と
してアルミナゾルを採用した。この他、採用しうる材料
としては、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、有機金属（有機Ｔｉ
等）、フリットガラス等の絶縁材料があり、塗布時には
これらの材料の微粉末をゾル状にして使用する。
【００４２】なお、以上説明した例では、アクティブマ
トリクス蛍光表示管１の外囲器４内で基板５上に固定さ
れる半導体チップとしてシリコンウエハー３を例示した
が、その他の半導体チップでも、その端面等一部分に電
気的にＧＮＤとなる部分があり、かつ陰極等からの導電
物質が付着することにより電気的な不都合が生じるので
あれば、本発明を有効に適用することができる。
トリクス蛍光表示管１の外囲器４内で基板５上に固定さ
れる半導体チップとしてシリコンウエハー３を例示した
が、その他の半導体チップでも、その端面等一部分に電
気的にＧＮＤとなる部分があり、かつ陰極等からの導電
物質が付着することにより電気的な不都合が生じるので
あれば、本発明を有効に適用することができる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マトリクス状に配置された多数の発光ドットを有する半
導体チップが内部に収納された表示管において、電気的
にＧＮＤとなる半導体チップの切断面を絶縁物質の層で
覆ったので、チップに形成された電極類の間で絶縁不良
が発生しなくなった。このため、発光ドットの誤発光が
防止され、表示品位が向上した。
マトリクス状に配置された多数の発光ドットを有する半
導体チップが内部に収納された表示管において、電気的
にＧＮＤとなる半導体チップの切断面を絶縁物質の層で
覆ったので、チップに形成された電極類の間で絶縁不良
が発生しなくなった。このため、発光ドットの誤発光が
防止され、表示品位が向上した。
【図１】本発明の実施の形態の一例であるアクティブマ
トリクス蛍光表示管を示す斜視図である。
トリクス蛍光表示管を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態の一例において外囲器内で
シリコンウエハーの端部を拡大して示す斜視図である。
シリコンウエハーの端部を拡大して示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態の一例における表示管の製
造工程を示す工程図である。
造工程を示す工程図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス蛍光表示管におい
て外囲器内でシリコンウエハーの端部を拡大して示す斜
視図である。
て外囲器内でシリコンウエハーの端部を拡大して示す斜
視図である。
１ アクティブマトリクス蛍光表示管（表示管） ２ 陽極 ３ 半導体チップとしてのシリコンウエハー ４ 外囲器 ５ 基板 ８ 陽極導体 ９ 蛍光体層 １１ 陰極 １５ 切断面 １６ 絶縁性材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 俊英 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 本多 健一 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 外囲器と、前記外囲器の内面に設けられ
る半導体チップと、前記半導体チップにマトリクス状に
形成されて個々に駆動される蛍光体層を備えた複数個の
陽極と、前記外囲器の内部において前記半導体チップの
上方に設けられたフィラメント状の陰極とを有するアク
ティブマトリクス駆動蛍光表示管において、 前記半導体チップの端面を絶縁性材料で覆ったことを特
徴とするアクティブマトリクス駆動蛍光表示管。 - 【請求項２】 基板を有する外囲器と、前記外囲器の基
板の内面に設けられた半導体チップと、前記半導体チッ
プにマトリクス状に形成されて選択的に駆動されるスイ
ッチング素子と、前記各スイッチング素子に設けられた
蛍光体層を有する陽極と、前記半導体チップにおいて前
記各陽極の間に形成された制御電極と、前記外囲器の内
部において前記半導体チップの上方に設けられた金属酸
化物からなる電子放出物質層を備えたフィラメント状の
陰極とを有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管に
おいて、 前記半導体チップの切断面を絶縁性材料で覆ったことを
特徴とするアクティブマトリクス駆動蛍光表示管。 - 【請求項３】 前記絶縁性材料が、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＺｒＯ2 、有機金属、フリットガラスからなる群か
ら選択された物質の微粉末である請求項１又は２記載の
アクティブマトリクス駆動蛍光表示管。 - 【請求項４】 前記半導体チップの上面の外縁に近い部
分の一部には前記陽極及び前記スイッチング素子以外の
電子素子が形成されており、前記絶縁性材料は前記電子
素子に近い切断面以外の切断面に設けられていることを
特徴とする請求項１又は２又は３記載のアクティブマト
リクス駆動蛍光表示管。 - 【請求項５】 基板を有する外囲器と、前記外囲器の基
板の内面に設けられた半導体チップと、前記半導体チッ
プの上面にマトリクス状に形成されて選択的に駆動され
る蛍光体層を備えた陽極と、前記外囲器の内部において
前記半導体チップの上方に設けられたフィラメント状の
陰極とを有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管の
製造方法において、 前記基板の上に固定された前記半導体チップの切断面
に、絶縁性材料の微粉末を溶媒に分散した液を塗り、そ
の後に前記基板を焼成することによって前記半導体チッ
プの切断面を絶縁性材料で覆うことを特徴とするアクテ
ィブマトリクス駆動蛍光表示管の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10138680A JPH11329310A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | アクティブマトリクス駆動蛍光表示管及びその製造方法 |
| US09/311,069 US6534912B1 (en) | 1998-05-20 | 1999-05-13 | Active matrix drive fluorescent display device and method for manufacturing same |
| KR1019990017544A KR100324169B1 (ko) | 1998-05-20 | 1999-05-17 | 활성 매트릭스 구동 형광 표시관 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10138680A JPH11329310A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | アクティブマトリクス駆動蛍光表示管及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329310A true JPH11329310A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15227605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10138680A Pending JPH11329310A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | アクティブマトリクス駆動蛍光表示管及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6534912B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11329310A (ja) |
| KR (1) | KR100324169B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101602891B1 (ko) | 2014-04-24 | 2016-03-15 | 최금정 | 휴대형 군용 칫솔 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4041348A (en) * | 1975-02-13 | 1977-08-09 | Futaba Denshi Kogyo K. K. | Multi-figure fluorescent display tube with electrical lead-ins having inner spring contact portions |
| US4100456A (en) * | 1976-02-06 | 1978-07-11 | Nippon Electric Kagoshima, Ltd. | Luminescent display panel comprising a sealing mass for eliminating slow leaks along leads |
| JPS5321771A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Sharp Kk | Electronic parts mounting structure |
| JPS6020724B2 (ja) * | 1979-11-26 | 1985-05-23 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH0752762B2 (ja) * | 1985-01-07 | 1995-06-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体樹脂パッケージ |
| US5001542A (en) * | 1988-12-05 | 1991-03-19 | Hitachi Chemical Company | Composition for circuit connection, method for connection using the same, and connected structure of semiconductor chips |
| US5194027A (en) * | 1991-09-09 | 1993-03-16 | Planar Systems, Inc. | Solid seal for thin film electroluminescent display panels |
| US5469333A (en) * | 1993-05-05 | 1995-11-21 | International Business Machines Corporation | Electronic package assembly with protective encapsulant material on opposing sides not having conductive leads |
| US5424605A (en) * | 1992-04-10 | 1995-06-13 | Silicon Video Corporation | Self supporting flat video display |
| US5347292A (en) * | 1992-10-28 | 1994-09-13 | Panocorp Display Systems | Super high resolution cold cathode fluorescent display |
| JPH0935670A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | フィールド・エミッション・ディスプレイ素子及びその製造方法 |
| JP3880094B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2007-02-14 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及びその製造方法 |
| JPH10123979A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Futaba Corp | 表示装置 |
| JP3734602B2 (ja) * | 1997-05-29 | 2006-01-11 | ジャパンエポキシレジン株式会社 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| US6129603A (en) * | 1997-06-24 | 2000-10-10 | Candescent Technologies Corporation | Low temperature glass frit sealing for thin computer displays |
| KR100358797B1 (ko) * | 1997-07-02 | 2003-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배기관이없는형광표시관의제조방법 |
-
1998
- 1998-05-20 JP JP10138680A patent/JPH11329310A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-13 US US09/311,069 patent/US6534912B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-17 KR KR1019990017544A patent/KR100324169B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990088329A (ko) | 1999-12-27 |
| KR100324169B1 (ko) | 2002-02-16 |
| US6534912B1 (en) | 2003-03-18 |
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