JP2002519814A - 半導体カソードを有する電子管 - Google Patents
半導体カソードを有する電子管Info
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- JP2002519814A JP2002519814A JP2000556385A JP2000556385A JP2002519814A JP 2002519814 A JP2002519814 A JP 2002519814A JP 2000556385 A JP2000556385 A JP 2000556385A JP 2000556385 A JP2000556385 A JP 2000556385A JP 2002519814 A JP2002519814 A JP 2002519814A
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- tube
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/308—Semiconductor cathodes, e.g. cathodes with PN junction layers
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
電子を放出する半導体カソードを備える電子管であって、この半導体カソードは支持体に配されており、該カソードの自由表面（Sｉ）Ｆ２又はＨＦのような還元剤表面に面するように、放出源は該カソードの近くに配されている。この放出源は製造プロセスにおいて前記電子管の真空引き中に起こる上昇温度で、Ｆ２又はＨＦのような還元剤を放出することができる。そして、これらのＦ２又はＨＦのような還元剤は、前記カソードの自由表面（Ｓｉ）を不動態化する。
Description
【０００１】
本発明は、支持体上に配され、電子を放出する半導体カソードを有する電子管
に関する。
に関する。
【０００２】 該電子管は、ディスプレイ管又は撮像管として使用可能であるが、一方で電子
リソグラフィへの応用又は電子顕微鏡（検査法）に適するように具体的に使用さ
れてもよい。
リソグラフィへの応用又は電子顕微鏡（検査法）に適するように具体的に使用さ
れてもよい。
【０００３】
上述のタイプの電子管は、米国特許５，４４４，３２８号公報に開示されてい
る。いわゆる半導体又は“冷陰極管”では、ｐｎ−接合が、電荷担体のアバラン
シェ（avalanche）（雪崩現象）が起こるように逆方向に動作する。結果として
、電極には仕事関数の電圧を超えるような十分なエネルギーが獲得される。電子
の遊離は仕事関数の電圧を減少させる物質の存在によって促進される。
る。いわゆる半導体又は“冷陰極管”では、ｐｎ−接合が、電荷担体のアバラン
シェ（avalanche）（雪崩現象）が起こるように逆方向に動作する。結果として
、電極には仕事関数の電圧を超えるような十分なエネルギーが獲得される。電子
の遊離は仕事関数の電圧を減少させる物質の存在によって促進される。
【０００４】 Ｃｓ（セシウム）は仕事関数の電圧を減少させる物質であり、一方、酸素は仕
事関数の電圧を増加させる物質である。さらに、Cｓは酸素で汚染されている表
面から酸素をより脱着させる。そのため、カソード（陰極管）表面には清浄さが
重要である。ＳｉＯ（酸化シリコン）はＣｓを堆積させる前に、ＨＦ（弗化水素
）を用いて、前記Ｓｉ（シリコン）のカソード表面からエッチング処理で取り除
かれる。しかし、前記電子管の製造工程中に、前記管の真空引きをしなければな
らない。
事関数の電圧を増加させる物質である。さらに、Cｓは酸素で汚染されている表
面から酸素をより脱着させる。そのため、カソード（陰極管）表面には清浄さが
重要である。ＳｉＯ（酸化シリコン）はＣｓを堆積させる前に、ＨＦ（弗化水素
）を用いて、前記Ｓｉ（シリコン）のカソード表面からエッチング処理で取り除
かれる。しかし、前記電子管の製造工程中に、前記管の真空引きをしなければな
らない。
【０００５】 該管の壁から十分な程度になるまで吸着されたガスを急速に除去することがで
きるように、前記管の真空引きの間に温度を上昇させることが必要である。
きるように、前記管の真空引きの間に温度を上昇させることが必要である。
【０００６】 前記工程で真空引きされた多くのガスは、この上昇温度において前記Ｓｉ陰極
管の表面を再び酸化させうる（例えば、Ｈ２Ｏ、ＣＯ２．．．等）。
管の表面を再び酸化させうる（例えば、Ｈ２Ｏ、ＣＯ２．．．等）。
【０００７】
本発明は、上記のことが考慮されなかったり、相反することが行われたならば
、前記管の動作中、カソードの放出が期待しているよりも低くなってしまうもの
であろうという認識に基づくものである。
、前記管の動作中、カソードの放出が期待しているよりも低くなってしまうもの
であろうという認識に基づくものである。
【０００８】 結果として、前記管が加熱している間（例えば、真空引きの間）に露出された
（Ｓｉ）カソードの表面の望ましくない酸化が減少するように具現化された半導
体カソードを有する電子管を提供することが本発明の目的である。
（Ｓｉ）カソードの表面の望ましくない酸化が減少するように具現化された半導
体カソードを有する電子管を提供することが本発明の目的である。
【０００９】 この目的は、冒頭の段落で述べられたタイプの電子管であって、放出源が好適
には前記カソードの（Ｓｉの）自由表面に面するように配される。この放出源は
、該放出源が上昇温度において還元剤を発生することができるような電子管によ
って達成される。還元剤は、ここでは、上昇温度で（真空引きの場合のように）
前記Ｓｉ表面を不動態化（不活性化）することを可能とし、又は該Ｓｉ表面で形
成された酸素化合物を除去することさえ可能とするガス分子を意味すると考慮さ
れるべきである。この工程は、前記カソードの製造する際に実行される工程のス
テップと比較することができる。この工程では、ＨＦの水溶液の蒸気と窒素ガス
との混合の気体が外部から前記管へと吹き込まれ、前記カソード表面を覆うよう
にして拡散され、このようにして、前記Ｓｉ表面を水素原子又はフッ素原子によ
って不動態化させる。これらの原子は、該表面のＳｉ原子の自由結合の位置を支
配し、これによって例えば、酸素又は水蒸気による酸化を防いでいる。真空引き
の際中は、このような不動態化の工程（ガスフロー、いわゆるＨＦガスのジェッ
トを使う工程）は実行不可能であることは明らかであろう。この理由のために、
本発明は上昇温度で還元剤を放出することが可能な放出源を提供する。真空引き
の間の温度は、一般には２０℃乃至４００℃の範囲をとり、さらに特には、２０
℃乃至３４０℃の範囲をとる。
には前記カソードの（Ｓｉの）自由表面に面するように配される。この放出源は
、該放出源が上昇温度において還元剤を発生することができるような電子管によ
って達成される。還元剤は、ここでは、上昇温度で（真空引きの場合のように）
前記Ｓｉ表面を不動態化（不活性化）することを可能とし、又は該Ｓｉ表面で形
成された酸素化合物を除去することさえ可能とするガス分子を意味すると考慮さ
れるべきである。この工程は、前記カソードの製造する際に実行される工程のス
テップと比較することができる。この工程では、ＨＦの水溶液の蒸気と窒素ガス
との混合の気体が外部から前記管へと吹き込まれ、前記カソード表面を覆うよう
にして拡散され、このようにして、前記Ｓｉ表面を水素原子又はフッ素原子によ
って不動態化させる。これらの原子は、該表面のＳｉ原子の自由結合の位置を支
配し、これによって例えば、酸素又は水蒸気による酸化を防いでいる。真空引き
の際中は、このような不動態化の工程（ガスフロー、いわゆるＨＦガスのジェッ
トを使う工程）は実行不可能であることは明らかであろう。この理由のために、
本発明は上昇温度で還元剤を放出することが可能な放出源を提供する。真空引き
の間の温度は、一般には２０℃乃至４００℃の範囲をとり、さらに特には、２０
℃乃至３４０℃の範囲をとる。
【００１０】 好適には、前記還元剤はフッ素又はフッ素化合物を有する。
【００１１】 上昇温度で、フッ素又はフッ素化合物（例えばＨＦ）を放出できる物質は、例
えばマコール（macor（商標名））である。使用可能な、相応しい他の物質は、
ホウケイ酸塩のガラス又は上昇温度でフッ素を放出することが可能な他のガラス
である。
えばマコール（macor（商標名））である。使用可能な、相応しい他の物質は、
ホウケイ酸塩のガラス又は上昇温度でフッ素を放出することが可能な他のガラス
である。
【００１２】 代替可能な実施例に拠れば、前記放出源は還元剤を有する母体（マトリックス
）であってもよく、該還元剤は放出速度が減速するような態様で容易に放出可能
である。結果として、分子は、全体の真空引きの工程の間は自由に振る舞う。前
記母体は、例えば、カリウム臭化物のペレットであってもよい。このペレットを
製造するために、前記還元剤と混合されたカリウム臭化物が、ペレットへと圧縮
（成形）される。
）であってもよく、該還元剤は放出速度が減速するような態様で容易に放出可能
である。結果として、分子は、全体の真空引きの工程の間は自由に振る舞う。前
記母体は、例えば、カリウム臭化物のペレットであってもよい。このペレットを
製造するために、前記還元剤と混合されたカリウム臭化物が、ペレットへと圧縮
（成形）される。
【００１３】 前記還元剤は、支持体に備えられるかどうかにより、択一的に、前記カソード
の近くに配されるセルにスクリーン印刷されるようにしてもよい。
の近くに配されるセルにスクリーン印刷されるようにしてもよい。
【００１４】 本発明の以上の及び他の見地は以下に記載された実施例から明らかになり、該
実施例を参照して明瞭になるであろう。
実施例を参照して明瞭になるであろう。
【００１５】
図１は、電子管１、この場合、画像ディスプレイへ使用のための陰極線管を概
念的に示している。この電子管１は、ディスプレイ窓２、コーン３、及び端壁５
を持つ端部４から構成される。この内部の表面は、該端壁５の位置で、支持体６
を具備する。この支持体６上で、この実施例においては、放出表面８を有する１
つ又はそれ以上の半導体カソード（ｐｎ−エミッタ）が配置されている。この半
導体カソードは米国特許５，４４４，３２８号公報に述べられているようなアバ
ランシェ・ブレークダウンタイプ（avalanche breakdown type）である。
念的に示している。この電子管１は、ディスプレイ窓２、コーン３、及び端壁５
を持つ端部４から構成される。この内部の表面は、該端壁５の位置で、支持体６
を具備する。この支持体６上で、この実施例においては、放出表面８を有する１
つ又はそれ以上の半導体カソード（ｐｎ−エミッタ）が配置されている。この半
導体カソードは米国特許５，４４４，３２８号公報に述べられているようなアバ
ランシェ・ブレークダウンタイプ（avalanche breakdown type）である。
【００１６】 端部４には、グリッド電極９、１０、及びさらなる偏向電極１１が配置されて
いる。前記陰極線管はさらに前記ディスプレイ窓の位置で蛍光体スクリーン１２
を含んでいる。例えば、シャドウマスクのような、このような陰極線管の部分を
形成する他の要素は、簡潔のために、図１には示されていない。特に、該カソー
ドと加速電極との間の電気的接続のために、前記端壁５にはフィードスルー（fe
edthroughs）１３が備えられており、このフィードスルー１３を介して、これら
の要素のための接続用配線が接続ピンへ電気的に接続されている。
いる。前記陰極線管はさらに前記ディスプレイ窓の位置で蛍光体スクリーン１２
を含んでいる。例えば、シャドウマスクのような、このような陰極線管の部分を
形成する他の要素は、簡潔のために、図１には示されていない。特に、該カソー
ドと加速電極との間の電気的接続のために、前記端壁５にはフィードスルー（fe
edthroughs）１３が備えられており、このフィードスルー１３を介して、これら
の要素のための接続用配線が接続ピンへ電気的に接続されている。
【００１７】 酸素とオゾンとの混合ガスが、加熱されたカソード表面にわたって該管の内部
で吹き付けられ、例えば前記管の前のＳｉ表面が真空引きされる。この工程ステ
ップは、前記カソード表面から炭化水素を取り除くために実行される。その後す
ぐに、水素弗化物、水蒸気、及び窒素ガスの混合ガスが、前記カソードにわたっ
て吹き付けられる。この工程のステップは、前記カソードの表面から前記Ｓｉ酸
化物層を取り除く役目を果たす。両ステップ共、前記管の真空引き後に良好なカ
ソードからの放出を達成するのに必要である。前記Ｓｉ酸化物がＨＦガスのエッ
チング剤により取り除かれつつあるときに、前記Ｓｉ表面は水素原子とフッ素原
子とにより“不動態化”される。これらの原子は前記表面のSｉ原子の自由結合
位置を支配する。これによって、該ガスエッチングの処理の後で、例えば酸素又
は水蒸気によって酸化物が除去される。水素による不動態化は好適である。なぜ
ならば、フッ素を使用する不動態化よりも高い温度で安定した状態を維持するか
らである。
で吹き付けられ、例えば前記管の前のＳｉ表面が真空引きされる。この工程ステ
ップは、前記カソード表面から炭化水素を取り除くために実行される。その後す
ぐに、水素弗化物、水蒸気、及び窒素ガスの混合ガスが、前記カソードにわたっ
て吹き付けられる。この工程のステップは、前記カソードの表面から前記Ｓｉ酸
化物層を取り除く役目を果たす。両ステップ共、前記管の真空引き後に良好なカ
ソードからの放出を達成するのに必要である。前記Ｓｉ酸化物がＨＦガスのエッ
チング剤により取り除かれつつあるときに、前記Ｓｉ表面は水素原子とフッ素原
子とにより“不動態化”される。これらの原子は前記表面のSｉ原子の自由結合
位置を支配する。これによって、該ガスエッチングの処理の後で、例えば酸素又
は水蒸気によって酸化物が除去される。水素による不動態化は好適である。なぜ
ならば、フッ素を使用する不動態化よりも高い温度で安定した状態を維持するか
らである。
【００１８】 図２は、本発明による実施可能な電子管の一部の実施可能な構造を示している
。スカート形状となるように具現化されている第一のグリッド９の内部には、前
記半導体カソード７を支持する支持体６が存在している。前記支持体６は接続要
素１５を介して前記グリッド９に接続されている。第二のグリッド１０ばかりで
なく該グリッド９はクランプ要素１６により、より大きなアセンブリの中に固定
されている。当該装置はさらに第一のＣｓ源１８、この例ではセシウム−クロメ
ート用ディスペンサを有する。このセシウム−クロメート用ディスペンサと前記
カソードとの両方が接続用配線１９を介して互いに電気的に接触している。他の
電気的接触（例えば前記グリッド９と１０）は、平明のために図２には示されて
いない。
。スカート形状となるように具現化されている第一のグリッド９の内部には、前
記半導体カソード７を支持する支持体６が存在している。前記支持体６は接続要
素１５を介して前記グリッド９に接続されている。第二のグリッド１０ばかりで
なく該グリッド９はクランプ要素１６により、より大きなアセンブリの中に固定
されている。当該装置はさらに第一のＣｓ源１８、この例ではセシウム−クロメ
ート用ディスペンサを有する。このセシウム−クロメート用ディスペンサと前記
カソードとの両方が接続用配線１９を介して互いに電気的に接触している。他の
電気的接触（例えば前記グリッド９と１０）は、平明のために図２には示されて
いない。
【００１９】 冒頭の段落で既に議論したように、前記電子管が作動している間は、前記第一
の放出源１８からのＣｓは前記半導体カソードの仕事関数を低減するために蒸発
（蒸気化）される。有効寿命の間でＣｓは消費される。このことは様々な要因に
貢献されうる。
の放出源１８からのＣｓは前記半導体カソードの仕事関数を低減するために蒸発
（蒸気化）される。有効寿命の間でＣｓは消費される。このことは様々な要因に
貢献されうる。
【００２０】 例えば、Ｃｓは、酸化しつつあるガス（例えば、水蒸気、酸素ガス、二酸化炭
素ガス）の存在（それが使用される環境においては）に敏感である。さらに、Ｃ
ｓはそれが迅速に蒸発するような高い蒸気圧を持っている。前記カソードの消散
の結果として、その温度は上昇し、Ｃｓが消費される。さらに、ＥＳＤ（Ｅlect
ron Stimulated Desorption）が発生する。すなわち、前記カソードにより放
出された電子は、Csの脱着を特に僅かに酸化された表面から誘導する。このよう
なＣｓの消失は、その有効寿命の過程で前記陰極の電子放出係数を減少させ、こ
の有効寿命を実質的に短くさせる。Cｓを使用するための本質的な条件は、Cｓが
堆積されるべきＳｉ表面を、制御することである。
素ガス）の存在（それが使用される環境においては）に敏感である。さらに、Ｃ
ｓはそれが迅速に蒸発するような高い蒸気圧を持っている。前記カソードの消散
の結果として、その温度は上昇し、Ｃｓが消費される。さらに、ＥＳＤ（Ｅlect
ron Stimulated Desorption）が発生する。すなわち、前記カソードにより放
出された電子は、Csの脱着を特に僅かに酸化された表面から誘導する。このよう
なＣｓの消失は、その有効寿命の過程で前記陰極の電子放出係数を減少させ、こ
の有効寿命を実質的に短くさせる。Cｓを使用するための本質的な条件は、Cｓが
堆積されるべきＳｉ表面を、制御することである。
【００２１】 上述したように、本発明は、前記管の真空引きの間に前記シリコン表面の酸化
反応を妨ぐ手段を提供する。この目的のために、上昇温度（真空引中）で還元剤
を放出する放出源１７は、特に、フッ素又はフッ素化合物が前記カソードの近く
に配されている。実施例では、前記放出源１７は、前記カソード８の自由表面と
対向する位置に配置された第一のグリッド９の側に固定されているマコー（商標
名）の部分、例えばストリップ又はリングである。この代わりに、ホウケイ酸塩
のガラスを前記管の一部において又はその一部のために使用することも可能であ
る。
反応を妨ぐ手段を提供する。この目的のために、上昇温度（真空引中）で還元剤
を放出する放出源１７は、特に、フッ素又はフッ素化合物が前記カソードの近く
に配されている。実施例では、前記放出源１７は、前記カソード８の自由表面と
対向する位置に配置された第一のグリッド９の側に固定されているマコー（商標
名）の部分、例えばストリップ又はリングである。この代わりに、ホウケイ酸塩
のガラスを前記管の一部において又はその一部のために使用することも可能であ
る。
【００２２】 マコー（Ｍacor）（商標名）はコーニング社（Corning）の機械加工可能なガ
ラス状セラミックである。したがって、標準的な金属加工の道具を用いて最終的
な状態に加工できる。母材となるガラスは、フッ素リッチの豊富な液体粒子（dr
oplets）を含む重く位相分離された白色のオパールガラスである。８２５℃まで
続けて加熱した場合、マイカ相のフルオロフォルゴパイト（（KMｇ３）ＡｌＳｉ ３ Ｏ１０Ｆ２）の板状結晶が形成される。この結果物は、脆性のガラス母材（マ
トリックス）で分散された2次元のマイカ結晶がしっかりと（高度に）重なりあ
ったアレイからなる微細構造である。
ラス状セラミックである。したがって、標準的な金属加工の道具を用いて最終的
な状態に加工できる。母材となるガラスは、フッ素リッチの豊富な液体粒子（dr
oplets）を含む重く位相分離された白色のオパールガラスである。８２５℃まで
続けて加熱した場合、マイカ相のフルオロフォルゴパイト（（KMｇ３）ＡｌＳｉ ３ Ｏ１０Ｆ２）の板状結晶が形成される。この結果物は、脆性のガラス母材（マ
トリックス）で分散された2次元のマイカ結晶がしっかりと（高度に）重なりあ
ったアレイからなる微細構造である。
【００２３】 「還元剤」という語句は、増大温度で真空引きの間に前記シリコンの表面を再
不動態化することができる、又は前記シリコンの表面に形成された酸素化合物を
再び除去することさえできる、ガス分子を意味すると解釈すべきである。
不動態化することができる、又は前記シリコンの表面に形成された酸素化合物を
再び除去することさえできる、ガス分子を意味すると解釈すべきである。
【００２４】 （いくつかの）試験が、前記マコー（商標名）を配した後でより高いレベルに
前記カソードの放出が増加したことを示す該カソードと面するようにＨＦガスの
フローの中で配されたセラミックのマコー（商標名）を基にして行われた。この
ことは次のように説明することができる。すなわち、前記（温度）真空引きプロ
セスの間、前記真空引きプロセスの間に前記カソードの面を不動態化したり、還
元したりするフッ素化合物が放出される。
前記カソードの放出が増加したことを示す該カソードと面するようにＨＦガスの
フローの中で配されたセラミックのマコー（商標名）を基にして行われた。この
ことは次のように説明することができる。すなわち、前記（温度）真空引きプロ
セスの間、前記真空引きプロセスの間に前記カソードの面を不動態化したり、還
元したりするフッ素化合物が放出される。
【００２５】 真空引き中の温度は一般に２０乃至３４０℃の範囲をとる。
【００２６】 図3は、いわゆるアバランシェ冷陰極部（ＡＣ−カソード）の構造の概念的な
断面図である。このカソードはｐｎ−接続を持つＳｉ基板２０を有する。この基
板の“自由”表面（この表面で電子の放出が起こる）に平面的電子−光学的なシ
ステム２１が備わっている。そしてこのシステム２１は絶縁層２２によって前記
基板から分離されている。前記カソードはさらに前記電子−光学的システム用の
励起電圧を発生する第一の手段及びビデオ信号に関連した電圧を印加する第二の
手段を含む。
断面図である。このカソードはｐｎ−接続を持つＳｉ基板２０を有する。この基
板の“自由”表面（この表面で電子の放出が起こる）に平面的電子−光学的なシ
ステム２１が備わっている。そしてこのシステム２１は絶縁層２２によって前記
基板から分離されている。前記カソードはさらに前記電子−光学的システム用の
励起電圧を発生する第一の手段及びビデオ信号に関連した電圧を印加する第二の
手段を含む。
【００２７】 勿論のことであるが、本発明はここで記載された実施例に限定されず、本発明
の範囲内で多くの変形例を当業者は実施可能である。例えば、シリコンを必ずし
も半導体の構造体のために使用する必要はない。その代わり、シリコン−カーバ
イドのような他の半導体材料、又はガリウムヒ化物のようなＡ３−Ｂ５化合物を
使用することも可能である。ｐ型の領域１９、５０及ｎ型の領域３１、３１’、
５１が多くの箇所で接触しうる。このことにより、これらの領域を、必要に応じ
て、サブ領域に細分化することができる。このことは、接続用導体上に高電圧を
用いて接続するのに有効である。負電子親和力（ＮＥＡ−カソード）の原理又は
フィールドエミッタ（field emitters）によるカソードの動作のような、異な
る動作原理を持つ半導体カソードを使用することもできる。さらに、カソードは
必ずしも真空の空間の中に収容する必要もなく、その代わりに、保護用不活性ガ
スを含む空間の中に配備してもよい。このことに関連して、「保護用不活性ガス
」の語句は、上述したように、電子衝撃（electron bombardment）を効率的に
増加させる効果については全く又はほんの少しの効果しかもたないガスと解釈す
ることができる。
の範囲内で多くの変形例を当業者は実施可能である。例えば、シリコンを必ずし
も半導体の構造体のために使用する必要はない。その代わり、シリコン−カーバ
イドのような他の半導体材料、又はガリウムヒ化物のようなＡ３−Ｂ５化合物を
使用することも可能である。ｐ型の領域１９、５０及ｎ型の領域３１、３１’、
５１が多くの箇所で接触しうる。このことにより、これらの領域を、必要に応じ
て、サブ領域に細分化することができる。このことは、接続用導体上に高電圧を
用いて接続するのに有効である。負電子親和力（ＮＥＡ−カソード）の原理又は
フィールドエミッタ（field emitters）によるカソードの動作のような、異な
る動作原理を持つ半導体カソードを使用することもできる。さらに、カソードは
必ずしも真空の空間の中に収容する必要もなく、その代わりに、保護用不活性ガ
スを含む空間の中に配備してもよい。このことに関連して、「保護用不活性ガス
」の語句は、上述したように、電子衝撃（electron bombardment）を効率的に
増加させる効果については全く又はほんの少しの効果しかもたないガスと解釈す
ることができる。
【図１】 本発明に従う電子管を示す図である。
【図２】 図１の一部を概念的に示す図である。
【図３】 ｐｎ−エミッタ（アバランシェ冷陰極管）の概念的な断面図である。
６ 支持体 ７ カソード ８ 放出表面 ９ グリッド電極 １０ グリッド電極 １５ 接続要素 １６ クランプ要素 １７ 放出源 １８ セシウム源 １９ 接続用配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 29/48 Ｈ０１Ｊ 1/30 Ｓ (71)出願人 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １， 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ファン ズトフェン トム オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ Ｆターム(参考） 5C012 AA01 AA03 PP10 5C031 DD15 DD17 5C041 AA02 AB03 AC45 AD10 AE01
Claims (7)
- 【請求項１】 支持体上に配され、電子を放出する半導体カソードを有する
電子管において、放出源が該カソードの近くに配され、該放出源が上昇温度にお
いて還元剤を放出することができることを特徴とする電子管。 - 【請求項２】 前記放出源が前記カソードの自由表面に面するように配され
ていることを特徴とする請求項１に記載の電子管。 - 【請求項３】 前記還元剤がフッ素又はフッ素化合物を有することを特徴と
する請求項１に記載の電子管。 - 【請求項４】 前記放出源がマコー（商標名）を有することを特徴とする請
求項１に記載の電子管。 - 【請求項５】 前記放出源がガラス材を有することを特徴とする請求項１に
記載の電子管。 - 【請求項６】 前記ガラスがホウケイ酸塩ガラスを有することを特徴とする
請求項５に記載の電子管。 - 【請求項７】 前記カソードがシリコンの自由表面を持つことを特徴とする
請求項５に記載の電子管。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP98202113 | 1998-06-25 | ||
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