JP2001076651A - カーボンナノチューブを用いた電界放出表示素子およびその製造方法 - Google Patents
カーボンナノチューブを用いた電界放出表示素子およびその製造方法Info
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- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
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- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面積が大きく、単位面積当たりのチップ密度
が高いカーボンナノチューブを用いた電界放出表示素子
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の電界放出表示素子は、下部基板
３０上に形成されたカソード電極用第１金属膜３２と、
第１金属膜３２上に形成された複数個の微細孔４０をも
つ絶縁膜パターン３４ａおよび第２金属膜パターン３６
ａを備えている。微細孔４０内には伝導性高分子膜４２
が形成され、伝導性高分子膜４２内には垂直方向に配列
されたエミッタチップ用カーボンナノチューブ４４が形
成されている。第２金属膜パターン３６ａにはスペーサ
が設けられ、スペーサ上には表面に透明電極および蛍光
体が付着された上部基板が設けられている。したがっ
て、本発明の電界放出表示素子は、第２金属膜および絶
縁膜に微細孔４０を形成した後に微細孔４０にカーボン
ナノチューブ４４を散布する製造方法により大面積化が
可能である。
が高いカーボンナノチューブを用いた電界放出表示素子
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の電界放出表示素子は、下部基板
３０上に形成されたカソード電極用第１金属膜３２と、
第１金属膜３２上に形成された複数個の微細孔４０をも
つ絶縁膜パターン３４ａおよび第２金属膜パターン３６
ａを備えている。微細孔４０内には伝導性高分子膜４２
が形成され、伝導性高分子膜４２内には垂直方向に配列
されたエミッタチップ用カーボンナノチューブ４４が形
成されている。第２金属膜パターン３６ａにはスペーサ
が設けられ、スペーサ上には表面に透明電極および蛍光
体が付着された上部基板が設けられている。したがっ
て、本発明の電界放出表示素子は、第２金属膜および絶
縁膜に微細孔４０を形成した後に微細孔４０にカーボン
ナノチューブ４４を散布する製造方法により大面積化が
可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電界放出表示素子お
よびその製造方法に関し、詳細には、カーボンナノチュ
ーブを用いた電界放出表示素子およびその製造方法に関
する。
よびその製造方法に関し、詳細には、カーボンナノチュ
ーブを用いた電界放出表示素子およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電界放出表示素子は、コーン状
のシリコンエミッタチップに対して外部ゲート電極に陽
電圧を数百ボルト程度に印加すると、強い電気場の影響
を受けたエミッタチップの先端部から電子が放出され、
放出された電子には数ＫＶ〜数百ＫＶの電圧が印加され
蛍光体がコーティングされたアノード電極に衝突して表
示装置の役割を果たす。
のシリコンエミッタチップに対して外部ゲート電極に陽
電圧を数百ボルト程度に印加すると、強い電気場の影響
を受けたエミッタチップの先端部から電子が放出され、
放出された電子には数ＫＶ〜数百ＫＶの電圧が印加され
蛍光体がコーティングされたアノード電極に衝突して表
示装置の役割を果たす。
【０００３】従来のカーボンナノチューブは電気放電法
またはレーザー蒸着法により合成した後に、洗浄溶液に
入れて超音波洗浄器を用いて振り、精製を行なう。そし
て、精製されたカーボンナノチューブを電界放出表示素
子に適用するために多孔性セラミックフィルターの気孔
に精製されたカーボンナノチューブを注入する。次に、
多孔性セラミックフィルターの気孔に入っているカーボ
ンナノチューブを電界放出表示素子用下部基板上の伝導
性高分子上に結着させることによってエミッタチップを
完成させる。
またはレーザー蒸着法により合成した後に、洗浄溶液に
入れて超音波洗浄器を用いて振り、精製を行なう。そし
て、精製されたカーボンナノチューブを電界放出表示素
子に適用するために多孔性セラミックフィルターの気孔
に精製されたカーボンナノチューブを注入する。次に、
多孔性セラミックフィルターの気孔に入っているカーボ
ンナノチューブを電界放出表示素子用下部基板上の伝導
性高分子上に結着させることによってエミッタチップを
完成させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】エミッタ用としてシリ
コン基板をエッチングして作られたシリコンエミッタチ
ップを用いる従来の電界放出表示素子は、約１．０〜
１．５ｍｍの微細な間隔にアノード電極とカソード電極
とを分離しなければならないという困難さがある。ま
た、従来の電界放出表示素子は動作電圧が極めて高く、
高電流の放出によるシリコンチップの劣化のため漏れ電
流が大きく、素子の信頼性および性能が低下するだけで
なく、製造収率も低いという問題点がある。
コン基板をエッチングして作られたシリコンエミッタチ
ップを用いる従来の電界放出表示素子は、約１．０〜
１．５ｍｍの微細な間隔にアノード電極とカソード電極
とを分離しなければならないという困難さがある。ま
た、従来の電界放出表示素子は動作電圧が極めて高く、
高電流の放出によるシリコンチップの劣化のため漏れ電
流が大きく、素子の信頼性および性能が低下するだけで
なく、製造収率も低いという問題点がある。
【０００５】エミッタチップ用として従来のカーボンナ
ノチューブを用いる電界放出表示素子は、シリコンエミ
ッタチップを用いる電界放出表示素子に比べて安定性に
は優れている。しかし、伝導性高分子上にカーボンナノ
チューブを効率良く結合させることが困難で、製造工程
が複雑なため製造収率が低く、面積の大きなものは製造
できないという問題点がある。
ノチューブを用いる電界放出表示素子は、シリコンエミ
ッタチップを用いる電界放出表示素子に比べて安定性に
は優れている。しかし、伝導性高分子上にカーボンナノ
チューブを効率良く結合させることが困難で、製造工程
が複雑なため製造収率が低く、面積の大きなものは製造
できないという問題点がある。
【０００６】本発明の主な目的は、面積が大きく、単位
面積当たりのチップ密度が高いカーボンナノチューブを
用いた電界放出表示素子およびその製造方法を提供する
ことにある。
面積当たりのチップ密度が高いカーボンナノチューブを
用いた電界放出表示素子およびその製造方法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電界放出表示素
子は、下部基板上に形成されたカソード電極用第１金属
膜と、第１金属膜上に形成され、第１金属膜を露出させ
る複数個の微細孔をもつ絶縁膜パターンおよび第２金属
膜パターンを備えている。下部基板はガラス、石英、シ
リコンまたはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）基板であり、第１金
属膜はクロム膜、チタニウム膜、タングステン膜または
アルミニウム膜である。また、第２金属膜パターンはク
ロム膜、チタニウム膜、またはパラジウム膜である。微
細孔はその直径が０．５〜１０．０μｍである。微細孔
内には伝導性高分子膜が形成されており、伝導性高分子
膜内には垂直方向に配列されたエミッタチップ用カーボ
ンナノチューブが形成されている。また、第２金属膜パ
ターンにはスペーサが設けられており、スペーサ上には
表面に透明電極および蛍光体が付着された上部基板が設
けられている。
子は、下部基板上に形成されたカソード電極用第１金属
膜と、第１金属膜上に形成され、第１金属膜を露出させ
る複数個の微細孔をもつ絶縁膜パターンおよび第２金属
膜パターンを備えている。下部基板はガラス、石英、シ
リコンまたはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）基板であり、第１金
属膜はクロム膜、チタニウム膜、タングステン膜または
アルミニウム膜である。また、第２金属膜パターンはク
ロム膜、チタニウム膜、またはパラジウム膜である。微
細孔はその直径が０．５〜１０．０μｍである。微細孔
内には伝導性高分子膜が形成されており、伝導性高分子
膜内には垂直方向に配列されたエミッタチップ用カーボ
ンナノチューブが形成されている。また、第２金属膜パ
ターンにはスペーサが設けられており、スペーサ上には
表面に透明電極および蛍光体が付着された上部基板が設
けられている。
【０００８】本発明の電界放出表示素子の製造方法は、
下部基板上にカソード電極用第１金属膜を形成した後
に、第１金属膜上に絶縁膜を形成する段階を含む。絶縁
膜上にゲート電極用第２金属膜を形成した後に、第２金
属膜および絶縁膜をパターニングして第１金属膜を露出
させる複数個の微細孔をもつ絶縁膜パターンおよび第２
金属膜パターンを形成する。微細孔内に液状の伝導性高
分子膜を形成した後に、微細孔内にエミッタチップ用カ
ーボンナノチューブを散布して垂直方向に配列させる。
カーボンナノチューブは超音波振動または電圧印加方法
を利用して微細孔に結合される。液状の伝導性高分子膜
を硬化させた後に、第２金属膜パターン上にスペーサを
設ける。スペーサ上に透明電極および蛍光体が付着され
た上部基板を付着させて電界放出表示素子を完成させ
る。
下部基板上にカソード電極用第１金属膜を形成した後
に、第１金属膜上に絶縁膜を形成する段階を含む。絶縁
膜上にゲート電極用第２金属膜を形成した後に、第２金
属膜および絶縁膜をパターニングして第１金属膜を露出
させる複数個の微細孔をもつ絶縁膜パターンおよび第２
金属膜パターンを形成する。微細孔内に液状の伝導性高
分子膜を形成した後に、微細孔内にエミッタチップ用カ
ーボンナノチューブを散布して垂直方向に配列させる。
カーボンナノチューブは超音波振動または電圧印加方法
を利用して微細孔に結合される。液状の伝導性高分子膜
を硬化させた後に、第２金属膜パターン上にスペーサを
設ける。スペーサ上に透明電極および蛍光体が付着され
た上部基板を付着させて電界放出表示素子を完成させ
る。
【０００９】本発明によるカーボンナノチューブを用い
た電界放出表示素子は、第２金属膜および絶縁膜に微細
孔を形成させた後に微細孔にカーボンナノチューブを散
布する製造方法を利用しているため大面積化が可能であ
る。
た電界放出表示素子は、第２金属膜および絶縁膜に微細
孔を形成させた後に微細孔にカーボンナノチューブを散
布する製造方法を利用しているため大面積化が可能であ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１は、本発明の一実施例によるカー
ボンナノチューブを用いた電界放出表示素子を示す断面
図である。本発明の電界放出表示素子は、下部基板３０
上にカソード電極用第１金属膜３２が形成されている。
下部基板３０はガラス、石英、シリコンまたはアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）基板であり得る。そして、第１金属膜３２
はクロム膜、チタニウム膜、タングステン膜、アルミニ
ウム膜等であり得る。第１金属膜３２上には第１金属膜
３２を露出させる複数個の微細孔をもつ絶縁膜パターン
３４ａおよび第２金属膜パターン３６ａが形成されてい
る。第２金属膜パターン３６ａはクロム膜、チタニウム
膜、またはパラジウム膜であり、電界放出表示素子では
ゲート電極として用いられる。微細孔はその直径が０．
５〜１０．０μｍに形成される。
づいて説明する。図１は、本発明の一実施例によるカー
ボンナノチューブを用いた電界放出表示素子を示す断面
図である。本発明の電界放出表示素子は、下部基板３０
上にカソード電極用第１金属膜３２が形成されている。
下部基板３０はガラス、石英、シリコンまたはアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）基板であり得る。そして、第１金属膜３２
はクロム膜、チタニウム膜、タングステン膜、アルミニ
ウム膜等であり得る。第１金属膜３２上には第１金属膜
３２を露出させる複数個の微細孔をもつ絶縁膜パターン
３４ａおよび第２金属膜パターン３６ａが形成されてい
る。第２金属膜パターン３６ａはクロム膜、チタニウム
膜、またはパラジウム膜であり、電界放出表示素子では
ゲート電極として用いられる。微細孔はその直径が０．
５〜１０．０μｍに形成される。
【００１１】微細孔内には伝導性高分子膜４２が形成さ
れており、伝導性高分子膜４２内に垂直方向に配列され
たカーボンナノチューブ４４が結合されている。カーボ
ンナノチューブ４４はエミッタチップとして用いられ
る。このように垂直配向されたカーボンナノチューブ４
４は低い動作電圧、例えば、１．５Ｖ／μｍ程度で大き
い放出電流を得ることができる。そして、垂直配向され
たカーボンナノチューブ４４は単位面積当たりのチップ
密度が高いため、発光効率を高めることができる。第２
金属膜パターン３６ａにはスペーサ４８が設けられてお
り、スペーサ４８上には表面にアノード電極用透明電極
５２および蛍光体５４が付着された上部基板５０が設け
られている。このように構成された電界放出表示素子は
カソード電極用第１金属膜３２とアノード用透明電極５
２との間に電界が印加されて垂直方向に配列されたカー
ボンナノチューブ４４から電子が放出され、放出された
電子が蛍光体５４に衝突することによって赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を放出する。このとき、ゲ
ート電極用第２金属膜パターン３６ａとカソード電極用
第１金属膜３２との間にも電界を印加して蛍光体５４に
電子が容易に衝突して光を放出するようにする。結果的
に、本発明の電界放出表示素子は電極が３個備えられた
３電極電界放出表示素子である。
れており、伝導性高分子膜４２内に垂直方向に配列され
たカーボンナノチューブ４４が結合されている。カーボ
ンナノチューブ４４はエミッタチップとして用いられ
る。このように垂直配向されたカーボンナノチューブ４
４は低い動作電圧、例えば、１．５Ｖ／μｍ程度で大き
い放出電流を得ることができる。そして、垂直配向され
たカーボンナノチューブ４４は単位面積当たりのチップ
密度が高いため、発光効率を高めることができる。第２
金属膜パターン３６ａにはスペーサ４８が設けられてお
り、スペーサ４８上には表面にアノード電極用透明電極
５２および蛍光体５４が付着された上部基板５０が設け
られている。このように構成された電界放出表示素子は
カソード電極用第１金属膜３２とアノード用透明電極５
２との間に電界が印加されて垂直方向に配列されたカー
ボンナノチューブ４４から電子が放出され、放出された
電子が蛍光体５４に衝突することによって赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を放出する。このとき、ゲ
ート電極用第２金属膜パターン３６ａとカソード電極用
第１金属膜３２との間にも電界を印加して蛍光体５４に
電子が容易に衝突して光を放出するようにする。結果的
に、本発明の電界放出表示素子は電極が３個備えられた
３電極電界放出表示素子である。
【００１２】図２から図４は、本発明の一実施例による
電界放出表示素子の製造方法を説明するための断面図で
ある。図２は、下部基板３０上に第１金属膜３２、絶縁
膜３４および第２金属膜３６を形成する工程を示す。大
面積の下部基板３０上にカソード電極用第１金属膜３２
を０．２〜０．５μｍの厚さで形成する。下部基板３０
としては、ガラス、石英、シリコンまたはアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）基板が用いられる。第１金属膜３２はクロム
膜、チタニウム膜、タングステン膜、アルミニウム膜な
どを利用して形成する。次に、第１金属膜３２上に絶縁
膜３４を低温で１〜５μｍの厚さで形成する。続いて、
絶縁膜３４上にゲート電極用第２金属膜３６を０．２〜
０．５μｍの厚さで形成する。第２金属膜３６はクロム
膜、チタニウム膜、またはパラジウム膜である。第２金
属膜３６は電子線蒸着法または熱蒸着法を利用して形成
する。
電界放出表示素子の製造方法を説明するための断面図で
ある。図２は、下部基板３０上に第１金属膜３２、絶縁
膜３４および第２金属膜３６を形成する工程を示す。大
面積の下部基板３０上にカソード電極用第１金属膜３２
を０．２〜０．５μｍの厚さで形成する。下部基板３０
としては、ガラス、石英、シリコンまたはアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）基板が用いられる。第１金属膜３２はクロム
膜、チタニウム膜、タングステン膜、アルミニウム膜な
どを利用して形成する。次に、第１金属膜３２上に絶縁
膜３４を低温で１〜５μｍの厚さで形成する。続いて、
絶縁膜３４上にゲート電極用第２金属膜３６を０．２〜
０．５μｍの厚さで形成する。第２金属膜３６はクロム
膜、チタニウム膜、またはパラジウム膜である。第２金
属膜３６は電子線蒸着法または熱蒸着法を利用して形成
する。
【００１３】図３は、第２金属膜３６および絶縁膜３４
をパターニングして微細孔４０をもつ第２金属膜パター
ン３６ａおよび絶縁膜パターン３４ａを形成する工程を
示す。第２金属膜３６上にフォトレジスト膜（図示せ
ず）を１．５〜２．０μｍの厚さで塗布した後に写真現
像を行い、フォトレジストパターン３８を形成する。次
に、フォトレジストパターン３８をマスクとして第２金
属膜３６および絶縁膜３４のエッチングを行い、第２金
属膜パターン３６ａおよび絶縁膜パターン３４ａを形成
する。このとき、第１金属膜３２を露出させる微細孔４
０が複数個形成される。微細孔４０はその直径が０．５
〜１０．０μｍ程度であり、互いに隣接した微細孔４０
の間隔が２．０〜１５．０μｍ程度である。
をパターニングして微細孔４０をもつ第２金属膜パター
ン３６ａおよび絶縁膜パターン３４ａを形成する工程を
示す。第２金属膜３６上にフォトレジスト膜（図示せ
ず）を１．５〜２．０μｍの厚さで塗布した後に写真現
像を行い、フォトレジストパターン３８を形成する。次
に、フォトレジストパターン３８をマスクとして第２金
属膜３６および絶縁膜３４のエッチングを行い、第２金
属膜パターン３６ａおよび絶縁膜パターン３４ａを形成
する。このとき、第１金属膜３２を露出させる微細孔４
０が複数個形成される。微細孔４０はその直径が０．５
〜１０．０μｍ程度であり、互いに隣接した微細孔４０
の間隔が２．０〜１５．０μｍ程度である。
【００１４】図４は、微細孔４０内に伝導性高分子膜４
２およびカーボンナノチューブ４４を形成する工程を示
す。絶縁膜３４内の微細孔４０内に液状の伝導性高分子
を１／３程度詰め込んで伝導性高分子膜４２を形成す
る。伝導性高分子としては、カーボン接着剤または銀接
着剤などが挙げられる。
２およびカーボンナノチューブ４４を形成する工程を示
す。絶縁膜３４内の微細孔４０内に液状の伝導性高分子
を１／３程度詰め込んで伝導性高分子膜４２を形成す
る。伝導性高分子としては、カーボン接着剤または銀接
着剤などが挙げられる。
【００１５】続いて、超音波振動または電圧印加などの
方法を利用して微細孔４０内にエミッタチップ用カーボ
ンナノチューブ４４を散布して第１金属膜３２上に垂直
方向に配列させる。即ち、カーボンナノチューブ４４を
微細孔４０上に散布した後に超音波振動を加えたり、下
部基板３０の上下部の間に電圧を印加したり、２種の方
法を同時に施して微細孔４０内の伝導性高分子膜４２上
にカーボンナノチューブが効率良く散布され、立てられ
ることになる。結果的に、カーボンナノチューブ４４は
第１金属膜３２上にある伝導性高分子膜４２上に垂直方
向に立てられる。このように垂直配向されたカーボンナ
ノチューブ４４は低い動作電圧、例えば、１．５Ｖ／μ
ｍ程度で大きい放出電流を得ることができる。そして、
垂直配向されたカーボンナノチューブ４４は単位面積当
たりのチップ密度が高いので、発光効率に優れている。
方法を利用して微細孔４０内にエミッタチップ用カーボ
ンナノチューブ４４を散布して第１金属膜３２上に垂直
方向に配列させる。即ち、カーボンナノチューブ４４を
微細孔４０上に散布した後に超音波振動を加えたり、下
部基板３０の上下部の間に電圧を印加したり、２種の方
法を同時に施して微細孔４０内の伝導性高分子膜４２上
にカーボンナノチューブが効率良く散布され、立てられ
ることになる。結果的に、カーボンナノチューブ４４は
第１金属膜３２上にある伝導性高分子膜４２上に垂直方
向に立てられる。このように垂直配向されたカーボンナ
ノチューブ４４は低い動作電圧、例えば、１．５Ｖ／μ
ｍ程度で大きい放出電流を得ることができる。そして、
垂直配向されたカーボンナノチューブ４４は単位面積当
たりのチップ密度が高いので、発光効率に優れている。
【００１６】続いて、カーボンナノチューブ４４が散布
された液状の伝導性高分子膜４２を硬化させる。伝導性
高分子膜４２の硬化は４００℃以下、好ましくは３００
〜４００℃の温度条件下で行なう。
された液状の伝導性高分子膜４２を硬化させる。伝導性
高分子膜４２の硬化は４００℃以下、好ましくは３００
〜４００℃の温度条件下で行なう。
【００１７】次に、図１に示すように、第２金属膜パタ
ーン３６ａ上に１００〜７００μｍ程度の長さでスペー
サ４８を設ける。次に、予め設けられた上部基板５０に
アノード電極用透明電極５２を形成させた後に、透明電
極５２上に発光を起こす蛍光体５４を付着する。上部基
板５０はガラス基板を、そして透明電極はＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極を用いることができ
る。続いて、透明電極５２および蛍光体５４が付着され
た上部基板５０をひっくり返してスペーサ４８上に載置
した後に真空密封させて実装させることにより電界放出
表示素子を完成する。
ーン３６ａ上に１００〜７００μｍ程度の長さでスペー
サ４８を設ける。次に、予め設けられた上部基板５０に
アノード電極用透明電極５２を形成させた後に、透明電
極５２上に発光を起こす蛍光体５４を付着する。上部基
板５０はガラス基板を、そして透明電極はＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極を用いることができ
る。続いて、透明電極５２および蛍光体５４が付着され
た上部基板５０をひっくり返してスペーサ４８上に載置
した後に真空密封させて実装させることにより電界放出
表示素子を完成する。
【００１８】前述のように、本発明によるカーボンナノ
チューブを用いた電界放出表示素子は、第２金属膜およ
び絶縁膜に微細孔を形成させた後に微細孔にカーボンナ
ノチューブを散布する方法を利用して製造方法が簡単で
あり大面積化が可能である。
チューブを用いた電界放出表示素子は、第２金属膜およ
び絶縁膜に微細孔を形成させた後に微細孔にカーボンナ
ノチューブを散布する方法を利用して製造方法が簡単で
あり大面積化が可能である。
【００１９】また、本発明による電界放出表示素子はエ
ミッタ用チップとして垂直方向に配向されたカーボンナ
ノチューブを用いるので、低い動作電圧、例えば、１．
５Ｖ／μｍ程度に大きい放出電流を得ることができ、単
位面積当たり高いチップ密度をもっているので発光効率
に優れ、しかも信頼性および収率が高い。
ミッタ用チップとして垂直方向に配向されたカーボンナ
ノチューブを用いるので、低い動作電圧、例えば、１．
５Ｖ／μｍ程度に大きい放出電流を得ることができ、単
位面積当たり高いチップ密度をもっているので発光効率
に優れ、しかも信頼性および収率が高い。
【図１】本発明の一実施例によるカーボンナノチューブ
を用いた電界放出表示素子を示す断面図である。
を用いた電界放出表示素子を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるカーボンナノチューブ
を用いた電界放出表示素子の製造方法を説明するための
断面図である。
を用いた電界放出表示素子の製造方法を説明するための
断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるカーボンナノチューブ
を用いた電界放出表示素子の製造方法を説明するための
断面図である。
を用いた電界放出表示素子の製造方法を説明するための
断面図である。
【図４】本発明の一実施例によるカーボンナノチューブ
を用いた電界放出表示素子の製造方法を説明するための
断面図である。
を用いた電界放出表示素子の製造方法を説明するための
断面図である。
３０ 下部基板 ３２ 第１金属膜 ３４ａ 絶縁膜パターン ３６ａ 第２金属膜パターン ４０ 微細孔 ４２ 伝導性高分子膜 ４４ カーボンナノチューブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳 在銀 大韓民国ソウル特別市城北区貞陵１洞1015 番地慶南アパート106棟1001号
Claims (10)
- 【請求項１】 下部基板上に形成されたカソード電極用
第１金属膜と、 前記第１金属膜上に形成され、前記第１金属膜を露出さ
せる複数個の微細孔をもつ絶縁膜パターンおよび第２金
属膜パターンと、 前記微細孔内に形成された伝導性高分子膜と、 前記伝導性高分子膜内に垂直方向に配列されて形成され
たエミッタチップ用カーボンナノチューブと、 前記第２金属膜パターンに設けられたスペーサと、 前記スペーサ上に設けられ、表面に透明電極および蛍光
体が付着された上部基板と、を備えていることを特徴と
する電界放出表示素子。 - 【請求項２】 前記下部基板は、ガラス、石英、シリコ
ンまたはアルミナ基板であることを特徴とする請求項１
に記載の電界放出表示素子。 - 【請求項３】 前記第１金属膜はクロム膜、チタニウム
膜、タングステン膜またはアルミニウム膜であり、前記
第２金属膜パターンはクロム膜、チタニウム膜またはパ
ラジウム膜であることを特徴とする請求項１に記載の電
界放出表示素子。 - 【請求項４】 前記微細孔はその直径が０．５〜１０．
０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の電界放
出表示素子。 - 【請求項５】 下部基板上にカソード電極用第１金属膜
を形成する段階と、 前記第１金属膜上に絶縁膜を形成する段階と、 前記絶縁膜上にゲート電極用第２金属膜を形成する段階
と、 前記第２金属膜および絶縁膜をパターニングして前記第
１金属膜を露出させる複数個の微細孔をもつ絶縁膜パタ
ーンおよび第２金属膜パターンを形成する段階と、 前記微細孔内に液状の伝導性高分子膜を形成する段階
と、 前記微細孔内にエミッタチップ用カーボンナノチューブ
を散布して垂直方向に配列させる段階と、 前記液状の伝導性高分子膜を硬化させる段階と、 前記第２金属膜パターン上にスペーサを設ける段階と、 前記スペーサ上に透明電極および蛍光体が付着された上
部基板を取り付ける段階と、を備えていることを特徴と
する電界放出表示素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記下部基板は、ガラス、石英、シリコ
ンまたはアルミナ基板であることを特徴とする請求項５
に記載の電界放出表示素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１金属膜はクロム膜、チタニウム
膜、タングステン膜またはアルミニウム膜であり、第２
金属膜はクロム膜、チタニウム膜またはパラジウム膜で
あることを特徴とする請求項５に記載の電界放出表示素
子の製造方法。 - 【請求項８】 前記カーボンナノチューブは超音波振動
または電圧印加方法を利用して前記微細孔に立てられる
ことを特徴とする請求項５に記載の電界放出表示素子の
製造方法。 - 【請求項９】 前記微細孔はその直径が０．５〜１０．
０μｍであることを特徴とする請求項５に記載の電界放
出表示素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記液状の伝導性高分子膜は３００〜
４００℃の温度条件下で硬化させることを特徴とする請
求項５に記載の電界放出表示素子の製造方法。
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|---|---|---|---|
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| KR1999P30698 | 2000-05-31 | ||
| KR1020000029579A KR20010029761A (ko) | 1999-07-27 | 2000-05-31 | 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출 표시소자 및 그 제조 방법 |
| KR2000P29579 | 2000-05-31 |
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| JP2000225409A Pending JP2001076651A (ja) | 1999-07-27 | 2000-07-26 | カーボンナノチューブを用いた電界放出表示素子およびその製造方法 |
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- 2000-07-26 JP JP2000225409A patent/JP2001076651A/ja active Pending
- 2000-07-27 CN CN 00121140 patent/CN1286500A/zh active Pending
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