JPH11328722A - 情報記録素子およびその製造方法 - Google Patents

情報記録素子およびその製造方法

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JPH11328722A
JPH11328722A JP10138091A JP13809198A JPH11328722A JP H11328722 A JPH11328722 A JP H11328722A JP 10138091 A JP10138091 A JP 10138091A JP 13809198 A JP13809198 A JP 13809198A JP H11328722 A JPH11328722 A JP H11328722A
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liquid crystal
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JP10138091A
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English (en)
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Mitsuhiro Kashiwabara
充宏 柏原
Daigo Aoki
大吾 青木
Junichi Hanna
純一 半那
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電荷輸送速度が大きな電荷輸送性物質を使用
した光センサーを用いた情報記録素子を得る。 【解決手段】 電極間に光導電層と液晶層からなる情報
記録層を有し、光導電層に情報露光すると同時に両電極
間に電圧印加することにより情報記録を行なう情報記録
素子において、該光導電層に液晶性電荷輸送性物質を含
有することを特徴とする情報記録素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導電層と情報記
録層を配した情報記録素子を用いて、光導電層に情報露
光し、電圧印加することで液晶を配向させることにより
情報記録する方法に使用する情報記録媒体に高感度な情
報記録をする素子とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】前面に電極層が設けられた光導電層から
なる光センサーと、該光センサーに対向し、後面に電極
層が設けられた電荷保持層からなる情報記録媒体とを光
軸上に配置し、両電極間に電圧を印加しつつ露光し、入
射光学情報に応じて電荷保持層に静電電荷を記録させ、
その静電電荷をトナー現像するか、または電位読み取り
により再生する方法は、例えば特開平1−290366
号公報、特開平1−289975号公報に記載されてい
る。また、上記方法における電荷保持層を熱可塑性樹脂
層とし、静電電荷を熱可塑性樹脂層表面に記録した後加
熱し、熱可塑性樹脂層表面にフロスト像を形成すること
により記録された静電電荷を可視化する方法が、例えば
特開平3−192288号公報に記載されている。
【0003】さらに、情報記録層を液晶−高分子複合体
層とし、液晶−高分子複合体層を電極上に形成した情報
記録媒体と、電極層上に光導電層が形成された光センサ
ーとを対向配置するか、電極上に光導電層、誘電体中間
層、液晶−高分子複合体層および上部電極層を順次積層
した情報記録素子を用いて情報記録するものが知られて
いる(例えば特願平2−186023号公報、特願平3
−10847号公報)。この方法による情報記録は、光
導電層に情報露光し、両電極間に電圧印加すると、露光
強度に応じて光導電層の導電性が変化し、液晶−高分子
複合体層に印加される電界が変化して液晶の配向状態が
変化する。その後、電圧の印加を停止し電界を取り除い
た後もその状態が維持され露光情報の記録が行なわれる
ものである。記録された露光情報の再生は、情報記録媒
体に再生光を照射し、その透過光を光電変換装置で読み
取って電気信号に変換することにより行なわれる。
【0004】こうした情報記録方法において、高感度で
高速の応答が可能な光導電層を有する情報記録素子が求
められている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、光導電層と
情報記録層からなる情報記録素子において、光情報を高
速に記録することができる情報記録素子を提供すること
を課題とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、電極間に光導
電層と、液晶層からなる情報記録層を有し、光導電層に
情報露光すると同時に両電極間に電圧印加することによ
り情報記録を行なう情報記録素子において、該光導電層
に液晶性電荷輸送性物質を含有する情報記録素子であ
る。光導電層が電荷発生層と電荷輸送層からなり、該電
荷輸送層に、液晶性電荷輸送性物質を含有する前記の情
報記録素子である。光導電層が電荷発生性物質と液晶性
電荷輸送性物質の混合層からなる前記の情報記録素子で
ある。電極層と光導電層の間に電荷注入制御層を有する
前記の情報記録素子である。光導電層と情報記録層の間
に誘電体中間層を有する前記の情報記録素子である。
液晶層が液晶−高分子複合体からなり、メモリー性を有
する前記の情報記録素子である。少なくとも一方の電極
が複数の画素にパターン化または分割されている前記の
情報記録素子である。
【0007】また、情報記録素子の製造方法において、
電極を設けた2枚の基板の一方の電極上に、電荷発生層
を積層し、他方の電極に情報記録層を積層し、両者をス
ペーサーを介して対向配置し貼り合わせて形成したセル
内に、液晶性電荷輸送性物質を注入した情報記録素子の
製造方法である。情報記録素子の製造方法において、電
極を設けた2枚の基板の一方の電極上に、電荷注入制御
層、電荷発生層を積層し、他方の電極上に情報記録層を
積層し、両者をスペーサーを介して対向配置し貼り合わ
せて形成したセル内に液晶性電荷輸送性物質を注入した
情報記録素子の製造方法である。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の情報記録素子は、光セン
サーの光導電層の電荷輸送性物質として、液晶性電荷輸
送性物質を用いたものである。そして、光導電層として
電荷発生性物質と電荷輸送性物質の両者を混合した層、
あるいは電荷発生性物質を含有した電荷発生層と電荷輸
送性物質を含有した電荷輸送層とを積層したいずれの形
態のものも対象としている。光導電層は光が照射される
と照射部分での光誘起キャリア(電子、正孔)が発生す
るものであるが、とくに本発明の情報記録素子の光セン
サーは、一般に電子写真感光体において用いられている
通常の電荷輸送性物質よりも電荷移動度が100倍から
1000倍大きく、5×10-3cm2/Vs程度の大き
さの液晶性電荷輸送性物質を電荷輸送層に使用すること
により、高速応答するという特徴を有している。液晶性
電荷輸送性物質は、単独での成膜ができないため、セル
内に封入するか、あるいは、高分子マトリックス等に分
散させる等の方法によって安定した電荷輸送層としたも
のである。
【0009】本発明の情報記録素子を図面を参照して説
明する。図1は本発明の情報記録素子の一実施例を説明
する図である。ガラス等の基材2上にITO等の透明電
極膜等からなる電極層3を形成した後に、電荷発生性物
質を蒸着、あるいは、塗布等により成膜し電荷発生層4
とした。この電荷発生層と、ガラス等の基材2a上にI
TO等の透明電極膜等からなる電極層3aを形成した後
に、液晶−高分子複合体等からなる情報記録層8を形成
したものとを、対向させてスペーサー10を介して貼り
合わせ、セル化した後、液晶性電荷輸送性物質5を注入
形成し、情報記録素子11を作製した。この方法では、
セル内に液晶性電荷輸送性物質を封入することで、本発
明の情報記録素子において液晶性電荷輸送性物質が使用
可能となり、また、セル化することで、液晶性電荷輸送
性物質の大気中の酸素、水分による劣化や表面損傷をな
くすことができる。
【0010】図2は本発明の情報記録素子の他の実施例
を説明する図である。ガラス等の基材2上にITO等の
透明電極膜等からなる電極層3を形成した後に、電荷発
生性物質を蒸着、あるいは塗布等により成膜し電荷発生
層4とした。この電荷発生層と、ガラス等の基材2a上
にITO等の透明電極膜等からなる電極層3aを形成し
た後に、液晶高分子複合体等からなる情報記録層8を形
成し、さらに、誘電体中間層9を積層したものとを、対
向させてスペーサー10を介して貼り合わせ、セル化し
た後、液晶性電荷輸送性物質層5を注入形成し、情報記
録素子11を作製した。セル内に液晶性電荷輸送性物質
を封入することで本発明の情報記録素子として液晶性電
荷輸送性物質が使用可能となり、また、誘電体中間層を
用いたことで、情報記録層と液晶静電荷輸送性物質層の
境界が明確になった。
【0011】図3は本発明の情報記録素子の他の実施例
を説明する図である。ガラス等の基材2上にITO等の
透明電極膜等からなる電極層3を形成した後に、電荷発
生性物質を蒸着、あるいは塗布等により成膜し電荷発生
層4とし、電荷発生層上に、液晶性電荷輸送性物質層5
を高分子分散膜、あるいは高分子化膜等として成膜し光
センサーとした。この光センサーとガラス等の基材2a
上にITO等の透明電極膜等からなる電極層3aを形成
した電極上に液晶−高分子複合体層を形成した液晶記録
媒体とをスペーサー12と空隙13を介して対向配置
し、情報記録素子11を作製した。
【0012】図4は本発明の情報記録素子の他の実施例
を説明する図である。ガラス等の基材2上にITO等の
透明電極膜等からなる電極層3を形成した後に、電荷発
生性物質を蒸着、あるいは塗布等により成膜し電荷発生
層4とし、上部に、液晶性電荷輸送性物質層5を高分子
分散膜、あるいは高分子化膜等として成膜し光センサー
とした。この光センサーの上部に誘電体中間層9を介し
て液晶−高分子複合体層を形成し、その上に上部電極層
7を形成して情報記録素子11を作製したものである。
【0013】図5は本発明の情報記録素子の他の実施例
を説明する図である。ガラス等の基材2上にITO等の
透明電極膜等からなる電極層3を形成した。この電極
と、ガラス等の基材2a上にITO等の透明電極膜等か
らなる電極層3aを形成した後に、液晶−高分子複合体
等からなる情報記録層8を形成し、さらに誘電体中間層
9を積層したものとを、対向させてスペーサー10を介
して貼り合わせ、セル化した後、電荷発生性物質を溶
解、あるいは、分散等した液晶性電荷輸送性物質層5a
を注入形成し、情報記録素子11を作製した。照射され
た光に対して液晶性電荷輸送性物質層内に共存している
電荷発生性物質が電荷を生成し、液晶性電荷輸送性物質
が電荷輸送する。
【0014】図6は本発明の情報記録素子の他の実施例
を説明する図である。ガラス等の基材2上にITO等の
透明電極膜等からなる電極層3を形成した後に、電荷注
入制御層6を形成し、さらに電荷発生性物質を蒸着、あ
るいは塗布等により成膜し電荷発生層4とした。この電
荷発生層と、ガラス等の基材2a上にITO等の透明電
極膜等からなる電極層3aを形成した後に、液晶−高分
子複合体等からなる情報記録層8を形成したものとを、
対向させてスペーサー10を介して貼り合わせ、セル化
した後、液晶性電荷輸送性物質層5を注入形成し、情報
記録素子11を作製した。電荷注入制御層により、電極
からの注入電流の制御を図った形態である。
【0015】本発明の情報記録素子の光センサーにおい
て用いられる液晶性電荷輸送性物質は、例えばスメクチ
ック液晶性を有し、且つ電子移動度が1×10-5cm2
/Vs以上であることを特徴としており、例えば(6π
電子系芳香環)l、(10π電子系芳香環)m、(14
π電子系芳香環)n、ただし、l+m+n=1〜4、
l、m、nは各0〜4の整数である骨格を有し、且つ液
晶性を有する電荷輸送性物質、6π電子系芳香環が炭素
−炭素二重結合または炭素−炭素三重結合を有する連結
基で連結されている電荷輸送性物質が挙げられる。芳香
環の連結数は移動度の観点から制限される。6π電子系
芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピ
リミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トロボロン
環、10π電子系芳香環としては、例えばナフタレン
環、アズレン環、ベンゾフラン環、インドール環、イン
ダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール
環、ペンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン
環、キナゾリン環、キノキサリン環、14π電子系芳香
環としては、例えばフェナントレン環、アントラセン環
等が挙げられる。なかでも、以下に示すナフタレン系液
晶が好ましく用いられ、高速度の電荷移動特性により、
光センサーの高速応答が期待できる。また、ナフタレン
系液晶は紫外域に吸収を持ち、この波長城の光を照射、
検出する用途においては電荷発生性物質の機能を兼ね
る。
【0016】
【化1】
【0017】ただし、ナフタレン系液晶1において、
L、およびRは以下の表1に示すものであり、それぞれ
液晶相と相転移温度を示す。
【0018】
【表1】 L R 液晶相と相転移温度(℃) NC- -C2H5 Cr 119.5 N 135.3 I NC- -C3H7 Cr 107.5 N 144.5 I NC- -C4H9 Cr 74.5 N 129.3 I NC- -C5H11 Cr 85.5 N 128.0 I NC- -C6H13 Cr 59.0 N 117.0 I NC- -C7H15 Cr 57.0 N 121.0 I NC- -C8H17 Cr 48.0 A 91.5 N 113.0 I NC- -C9H19 Cr 44.0 A 95.0 N 104.0 I NC- -O-CH3 Cr 138.0 N 184.0 I NC- -O-C2H5 Cr 129.0 N 185.0 I NC- -O-C3H7 Cr 114.0 N 157.0 I NC- -O-C4H9 Cr 125.0 N 159.0 I NC- -O-C5H11 Cr 96.0 N 148.0 I NC- -O-C6H13 Cr 100.0 N 148.0 I NC- -O-C7H15 Cr 84.0 N 140.0 I NC- -O-C8H17 Cr 85.0 A 94.0 N 140.0 I NC- -OCO-CH3 Cr 170.0 N 198.0 I NC- -OCO-C2H5 Cr 172.0 N 197.5 I NC- -OCO-C3H7 Cr 122.0 N 184.0 I NC- -OCO-C4H9 Cr 87.0 N 167.0 I NC- -OCO-C5H11 Cr 75.0 N 163.0 I NC- -OCO-C6H13 Cr 64.0 N 155.0 I NC- -OCO-C7H15 Cr 65.0 N 154.0 I NC- -OCO-CH=CH-CH3 Cr 139.0 N 259.0 dec NC- -OCO-CH=CH-C2H5 Cr 113.0 N 229.0 dec NC- -OCO-CH=CH-C3H7 Cr 90.0 N 230.0 I NC- -OCO-CH=CH-C4H9 Cr 82.0 N 212.0 I NC- -OCO-CH=CH-C5H11 Cr 76.0 N 210.0 I NC- -C≡C-C3H7 Cr 109.0 N 166.0 I O2N- -O-C4H9 Cr 106.0 N 120.0 I C5H11- -CN Cr 68.0 N 130.0 I C4H9-O- -CN Cr 98.5 N 167.5 I C3H7-C C- -CN Cr 113.0 N 193.0 I C5H11- -O-CH3 Cr 131.0 N 150.0 I C6H13-O- -OCO-CFMe-C5H11 Cr 87.0 A 110.0 I C5H11-CFMe-COO- -O-C6H13 Cr − S 80.0 A 110.0 I C5H11-CFMe-COO- -O-C10H21 Cr 81.6 C* 85.4 A 96.3 I C8H17- -O-C12H25 Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 I C10H21- -O-C5H10-CHMe-C2H5 Cr 24.0 E 41.0 B 77.0 A90.0 I C2H5-CHMe-C5H10-O- -C10H21 Cr 56.0 X 83.0 C 103.0 A 111.0 I C8H17 -O-C4H9 Cr 55.0 E 126.0 A131.0 I
【0019】これらのなかでも、以下の表2に示すもの
が好ましい。
【0020】
【表2】 NC- -C8H17 Cr 48.0 A 91.5 N 113.0 I NC- -C9H19 Cr 44.0 A 95.0 N 104.0 I NC- -O-C8H17 Cr 85.0 A 94.0 N 140.0 I C8H17- -O-C12H25 Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 I C6H13-O- -OCO-CFMe-C5H11 Cr 87.0 A 110.0 I C5H11-CFMe-COO- -O-C6H13 Cr − S 80.0 A 110.0 I C5H11-CFMe-COO- -O-C10H21 Cr 81.6 C* 85.4 A 96.3 I C8H17- -O-C12H25 Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 I C10H21- -O-C5H10-CHMe-C2H5 Cr 24.0 E 41.0 B 77.0 A90.0 I C2H5-CHMe-C5H10-O- -C10H21 Cr 56.0 X 83.0 C 103.0 A 111.0 I C8H17 -O-C4H9 Cr 55.0 E 126.0 A131.0 I
【0021】液晶性電荷輸送性物質層はセル厚として
0.01〜100μmであり、好ましくは0.5〜20
μmとするとよく、このような膜厚とすることによって
良好な感度と応答速度が得られる。電荷発生性物質を用
いる場合、無機系電荷発生性物質としては、Se、Se
−Te、ZnO、TiO2、Si、a−Si:H、Cd
S等が挙げられ、蒸着、スパッタリング、CVD等によ
り電極上に、単独または混合して使用することが可能で
ある。また、有機系電荷発生性物質としては、例えばピ
リリウム系染料、チアピリリウム系染料、アズレニウム
系染料、シアニン系染料等のカチオン系染料スクアリリ
ウム塩系染料、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔
料、ペリレンテトラカルボン酸誘導体系顔料、ナフタレ
ンテトラカルボン酸誘導体顔料、ピラントロン系顔料等
の多環キノン系顔料、インジゴ系顔料、キナクリドン系
顔料、ピロール系顔料、ピロロピロール系顔料、アゾ系
顔料等の顔料が挙げられ、さらにフラーレン等も挙げら
れ、単独もしくは複数のものを組み合わせて使用するこ
とができる。理由は定かではないが、なかでも、n型の
電荷発生性物質が好ましく、例えばペリレン系顔料、ペ
リレンテトラカルボン酸誘導体系顔料、ナフタレンカル
ボン酸誘導体系顔料等を用いることで良好な光応答性が
得られる。
【0022】電荷発生性物質のうち、電荷発生性物質を
電荷輸送性物質中に溶解または分散して使用する場合、
電荷輸送性物質1重量部に対して電荷発生性物質0.0
001〜1重量部、好ましくは0.001〜0.05重
量部の割合で使用することが望ましい。このような混合
比率とすることで良好な感度と応答速度が得られる。電
荷発生性物質のうち、蒸着法によって成膜可能なものは
樹脂を用いず単独で成膜可能である。蒸着膜の膜厚は
0.01〜2μm、好ましくは0.05〜0.5μmが
よい。
【0023】塗布によって電荷発生層4を形成する場
合、電荷発生層は電荷発生性物質と樹脂から構成され
る。樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、ボリカーボ
ネート樹脂、ビニルホルマール樹脂、ビニルアセタール
樹脂、ビニルブチラール樹脂、スチレン樹脂、スチレン
−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、飽和または不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂等が挙げられ、それぞれ樹脂を単
独または複数のものを組み合わせて使用することができ
る。これら電荷発生性物質と樹脂の混合比は、電荷発生
性物質1重量部に対して樹脂を0.1〜10重量部、好
ましくは0.2〜1重量部の割合で使用することが望ま
しい。電荷発生層がある場合、電荷発生層の膜厚は蒸着
膜厚または塗膜の乾燥膜厚として0.01〜2μmであ
り、好ましくは0.05〜0.5μmとするとよく、こ
のような膜厚とすることによって良好な感度と応答速度
が得られる。
【0024】電極3、3aは、光の利用態様に応じて透
明性、あるいは不透明性の材料を使用することができ、
106Ω・cm以下の比抵抗を安定して与える材料、例え
ば金、白金、亜鉛、チタン、銅、鉄、錫、アルミニウム
等の金属薄膜導電膜、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜
鉛、酸化チタン、酸化タングステン、酸化バナジウム等
の金属酸化物導電膜、四級アンモニウム塩含有物質等の
有機導電膜等を単独あるいは2種以上の複合材料として
使用することができる。なかでも、酸化物導電体が好ま
しく、特に酸化インジウム錫(ITO)が好ましい。電
極は蒸着、スパッタリング、CVD、塗布、めっき、浸
潰、電解重合、ゾル−ゲル法等の方法により形成され、
必要に応じて任意のパターンに合わせて形成される。ま
た、2種類以上の材料を積層して使用することもでき
る。
【0025】基材2、2aも電極と同様に光の利用態様
によって透明性、不透明性を有する材料を使い分ければ
よく、カード、フィルム、テープ、ディスク、チップ等
の形状を有し、光センサーを強度的に支持するものであ
る。光センサー自体が支持性を有する場合には設ける必
要がないが、光センサーを支持することができるある程
度の強度を有していれば、その材質、厚みに特に制限が
ない。例えば可撓性のあるプラスチックフィルム、ある
いはガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリ
メチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート
等のプラスチックシート、カード等が使用される。
【0026】電荷注入制御層6は電極からの注入電荷を
制御するための層であり、10V/μmの電圧印加条件
において、およそ1×10-8A/cm2 以下の暗電流を
示す場合にはブロッキング層、およそ1×10-6A/c
2 以上の暗電流を示す場合には光誘起電流増幅層とし
て作用する。例えば絶縁性無機物、絶縁性樹脂等を用い
ると、ブロッキング層として作用し、暗電流を抑えるこ
とができ、光電流のS/N比を大きくとることが必要で
あったり、暗電流によるノイズ、かぶり等を低減する必
要がある用途、情報露光のON/OFFに対する高速応
答が必要な用途等に使用できる。また、電子受容性物
質、電子供与性物質、電荷発生性物質等を用いると、光
誘起電流増幅層としての機能を示し、光電流の注入増幅
を示し、情報露光中は光電流が増加し続け、露光終了後
も電圧印加し続けることで光電流が持続し、量子収率が
1を越える増幅型光センサーとしての使用が可能とな
る。また、上記の絶縁性無機物、絶縁性樹脂、電子受容
性物質、電子供与性物質、電荷発生性物質等を単独、あ
るいは組み合わせて使用し、暗電流を1×10-8A/c
2〜1×10-6A/cm2に調整すると、例えば電界に
よる液晶の配向により、情報記録を行なう方法におい
て、液晶の配向のしきい値に適した暗電流に調整すると
いったことができる。
【0027】絶縁性無機物としては、例えば二酸化ケイ
素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等、また、A
23、B23、Bi23、CdS、CaO、Ce
2、Cr23、CoO、GeO2、HfO2、Fe
23、La23 、MgO、MnO2、Nd23 、Nb2
5、PbO、Sb23、SeO2、Ta25、WO3
25、Y25、Y23、BaTiO3、Bi2Ti
5、CaO−SrO、CaO−Y23、Cr−Si
2、LiTaO3、PbTiO3、PbZrO3、ZrO
2−Co、ZrO2−SiO2等の無機酸化物、また、A
lN、BN、NbN、Si34、TaN、TiN、V
N、ZrN、SiC、TiC、WC、Al43等の無機
化合物も使用しうるものである。これら無機酸化物層
は、グロー放電、蒸着、スパッタリング等により電極面
に積層されて形成される。
【0028】絶縁性樹脂としては、例えばセルロースア
セテート系樹脂、ニトロセルロース系樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルア
セタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、スチレン樹
脂、スチレンーブタジエン共重合体樹脂、アミノアルキ
ッド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和または不
飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド
樹脂、可溶性ポリイミド樹脂、可溶性ポリアミドイミド
樹脂、可溶性ポリエステルイミド樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、カゼイン、ヒドロキシエチルセルロース、
スチレンマレイン酸エステル系共重合体、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニルー酢
酸ビニル共重合体樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキ
シ樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられ、それぞれ樹脂を単
独または複数のものを組み合わせて使用することができ
る。
【0029】電子受容性物質としては、例えばニトロ置
換ベンゼン類、アミノ置換ベンゼン類、ハロゲン置換ベ
ンゼン類、シアノ置換ベンゼン類、置換ナフタレン類、
置換および無置換ベンゾキノン類、置換および無置換ナ
フトキノン類、置換および無置換アントラキノン類、ジ
フェノキノン類、ニトロ置換フルオレノン類、クロラニ
ル類、ブロマニル類、置換キノジメタン類、テトラシア
ノエチレン、無水カルボン酸類、ニトロ置換無水カルボ
ン酸類、2級あるいは3級アミノ化合物等があげられ、
電子供与性物質としては、例えばヒドラゾン系、トリフ
ェニルアミン系、オキサジアゾール系、オキサゾール
系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタ
ン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香
族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール
系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニ
ルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチ
ルベン二重体、ビフェニル系等が挙げられる。
【0030】電荷発生性物質には電荷発生性物質として
挙げたものが使用できる。電荷注入制御層6は図5〜9
の電極のすぐ上部に形成してもよい。電荷発生層4、液
晶性電荷輸送層5には、電子受容性物質、電子供与性物
質、増感色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定化剤
等を添加してもよい。電子受容性物質、電子供与性物
質、および増感色素には暗電流の調整、暗電流の安定
化、増感等の作用がある。
【0031】電子受容性物質、電子供与性物質として
は、電荷注入制御層に使用可能な電子受容性物質、電子
供与性物質として挙げたものが使用できる。増感色素と
してはトリフェニルメタン色素、ピリリウム塩色素、キ
サンテン色素、ロイコ色素等が挙げられる。酸化防止剤
としてはフェノール系酸化防止剤、、硫黄系酸化防止
剤、リン系酸化防止剤を、紫外線吸収剤としては、サリ
チル酸系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸
収剤を、光安定化剤としては紫外線吸収剤、ヒンダート
アミン系光安定化剤等を挙げることができる。
【0032】電子受容性物質、電子供与性物質、増感色
素は、電荷発生性物質または液晶性電荷輸送性物質1重
量部に対して0.001〜10重量部、好ましくは0.
01〜1重量部の割合で添加される。0.001重量部
よりも少ないと作用を示さず、10重量部よりも多い場
合には感度、応答に悪影響を与える。酸化防止剤、紫外
線吸収剤、光安定化剤等については単独あるいは複数を
組み合わせて、電荷発生性物質または液晶性電荷輸送性
物質1重量部に対して0.001〜10重量部、好まし
くは0.01〜1重量部の割合で添加される。0.00
1重量部よりも少ないと作用を示さず、10重量部より
も多い場合には感度、応答に悪影響を与える。
【0033】液晶性電荷輸送性物質を樹脂分散膜で使用
する場合、樹脂としては、例えばセルロースアセテート
系樹脂、ニトロセルロース系樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルアセタール
樹脂、ボリビニルブチラール樹脂、スチレン樹脂、スチ
レン−ブタジエン共重合体樹脂、アミノアルキッド樹
脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和または不飽和ポ
リエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、
可溶性ポリイミド樹脂、可溶性ポリアミドイミド樹脂、
可溶性ポリエステルイミド樹脂、ポリビニルアルコール
樹脂、カゼイン、ヒドロキシエチルセルロース、スチレ
ン−マレイン酸エステル系共重合体、メタクリル樹脂、
塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹
脂、フッ素系樹脂、ポリシラン系樹脂等が挙げられ、そ
れぞれ樹脂を単独または複数のものを組み合わせて使用
することができる。
【0034】高分子マトリックス中に液晶性電荷輸送性
物質を包含させる方法としては、多孔質高分子膜中に中
に液晶性電荷輸送性物質を含浸させ、膜の両面を封止す
る方法、高分子マトリックスと液晶性電荷輸送性物質と
を共通溶剤中に溶解し、得られた溶液を基材上に塗布
し、脱溶剤して膜形成する方法、高分子マトリックスの
溶液中に液晶性電荷輸送性物質を乳化分散させと分散液
を基材上に塗布して成膜する方法、高分子を形成するモ
ノマーあるいはプレボリマー等のポリマ−プレカーサー
中に液晶性電荷輸送性物質を相溶させ、上記プレカーサ
ーを重合させるともに、液晶性電荷輸送性物質を相分離
させる方法等が挙げられる。上記方法において使用する
液晶性電荷輸送性物質は高分子マトリックス100重量
部に対して10〜100重量部、好ましくは50〜80
重量部であり、液晶性電荷輸送性物質が少なすぎると電
荷輸送性を示さず、一方、液晶性電荷輸送性物質が多す
ぎると成膜性が低下する。
【0035】本発明においては、得られた膜中において
液晶性電荷輸送性物質が膜の厚さ方向、平面方向ともに
連続していることが好ましい。このような液晶性電荷輸
送性物質の連続存在性は、液晶性電荷輸送性物質と高分
子マトリックスとから膜を形成する際に、高分子マトリ
ックスが微細運通多孔性になる方法を採用することで達
成される。
【0036】情報記録層8が液晶−高分子複合体である
場合について説明する。液晶高分子複合体は液晶相中に
樹脂粒子が分散した構造を有しているが、液晶材料は、
スメクチック液晶、ネマチック液晶、コレステリック液
晶あるいはこれらの混合物を使用することができる。
液晶としては、この配向性を保持し、情報を永続的に保
持させる、いわゆるメモリー性の観点から、スメクチッ
ク液晶を使用するのが好ましい。スメクチック液晶とし
ては、液晶性を呈する物質の末端基の炭素基が長いシア
ノビフェニル系、シアノターフェニル系、フェニルエス
テル系、更にフッ素系等のスメクチックA相を呈する液
晶物質、強誘電性液晶して用いられるスメクチックC相
を呈する液晶物質、あるいはスメクチックH、G、E、
F等を呈する液晶物質等が挙げられる。
【0037】樹脂粒子を形成する材料としては、例え
ば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマー
の状態で液晶材料と相溶性を有するもの、あるいはモノ
マー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶
性を有するものを好ましく使用できる。このような紫外
線硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル等が挙げられる。その他、液晶材料
と共通の溶媒に相溶性を有する溶媒可溶性の熱硬化性樹
脂、例えばアクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリスチレン樹脂、およびこれらを主体とした
共重合体等、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用し
てもよい。
【0038】液晶材料と樹脂の使用割合は、液晶の含有
率が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量%〜
80重量%となるように使用するとよく、10重量%未
満であると情報記録により液晶相が配向しても光透過性
が低く、また90重量%を超えると液晶の滲みだし出し
等の現象が生じ、画像むらが発生するので好ましくな
い。情報記録層の膜厚は解像性に影響を与えるので、乾
燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3μm〜8
μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動作電圧も
低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報記録部の
コントラストが低く、また、厚すぎると動作電圧が高く
なるので好ましくない。
【0039】本発明の情報記録方法においては面状アナ
ログ記録が可能であり、液晶レベルでの記録が得られる
ので、高解像度の記録となり、また、露光パターンは液
晶相の配向により可視像化されて保持される。図3に示
す、光センサー部と情報記録媒体とのスペーサー12と
しては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステ
ル、ポリイミド、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、
ポリプロピレン、酢酸セルロース、エチルセルロース、
ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリテトラフルオロ
エチレン等の樹脂フィルムを使用して形成するとよく、
また、上記各樹脂溶液を塗布、乾燥させて形成してもよ
い。また、アルミニウム、セレン、テルル、金、白金等
の金属材料または無機あるいは有機化合物を形成しても
よい。スペーサーの膜厚は光センサーと情報記録媒体と
の空隙距離となり、情報記録層に印加される電圧配分に
影響を与えるので、少なくとも100μm以下とすると
よく、好ましくは3〜30μmとするとよい。
【0040】図4ないし図6に示す誘電体中間層9は、
光導電層と情報記録層の相互作用による情報記録層の液
晶の溶出や、情報記録層形成用の溶剤により光導伝性物
質が溶出することによる画像むら、劣化を防止しするも
のである。誘電体中間層9はその形成にあたって、光導
電層形成材料、情報記録層形成材料のいずれに対しても
溶解性を有しないことが必要であり、また、導電性を有
しないことが必要である。導電性を有する場合には、空
間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が生じることから絶
縁性が要求される。また、誘電体層は液晶層に印加され
る分配電圧を低下させたり、あるいは解像性を悪化させ
るので、膜厚は薄い方が好ましく、2μm以下とすると
良いが、逆に薄くすることにより、経時的な相互作用に
よる画像ノイズの発生ばかりでなく、積層塗布する際に
ピンホール等の欠陥による浸透の間題が生じる。ピンホ
ール等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の固形分
比率、溶媒の種類、粘度により異なるので、積層塗布さ
れるものの膜厚は適宜設定されるが、少なくとも10μ
m以下の膜厚とすると良く、好ましくは0.1〜3μm
とすると良い。さらに、各層に印加される電圧分配を考
慮した場合、薄膜化と共に誘電率の高い材料が好まし
い。
【0041】誘電体層を形成する材料としては、無機材
料ではSiO2、TiO2、CeO2、Al23、Ge
2、Si34、AlN、TiN、MgF2、ZnS、二
酸化ケイ素と二酸化チタンの組合せ、硫化亜鉛とフッ化
マグネシウムの組み合わせ、酸化アルミニウムとゲルマ
ニウムの組み合わせたもの等を使用し、蒸着法、スパッ
タリング法、CVD法等により積層して形成するとよ
い。また、有機溶媒に対して相溶性の少ない水溶性樹
脂、例えばポリビニルアルコール、水系ポリウレタン、
水ガラス等の水溶液を使用し、スピンコート法、ブレー
ドコート法、ロールコート法等により積層してもよい。
さらに、塗布可能なフッ素樹脂を使用してもよく、この
場合にはフッ素系溶媒等に溶解し、スピンコート法によ
り塗布するか、またはブレードコート法、ロールコート
法、ビードコート法、スライドコート法等により積層し
てもよい。 塗布可能なフッ素樹脂としは、例えば特開平
4−24722号公報等に開示されたフッ素樹脂、さら
に真空系で膜形成されるポリパラキシリレン等の有機材
料を好ましく利用することができる。
【0042】図7は、本発明の情報記録素子による情報
記録装置を説明する図である。情報記録素子の電極3、
3aの間に電源36によって電圧を印加した状態で、光
センサー基材2側から露光すると、露光強度に応じて光
導電層の導電性が変化し、液晶−高分子複合体層8に印
加される電界が変化して液晶の配向状態が変化する。電
圧印加を停止し、電界を取り除いた後もその状態が維持
され露光情報の記録が行なわれるものである。
【0043】情報記録装置の形態としては、カメラによ
る方法、またレーザーによる記録方法がある。カメラに
よる方法としては、通常のカメラに使用されている写真
フィルムの代わりに情報記録媒体が使用され、記録部材
とするもので、光学的なシャッタも使用し得るし、また
電気的なシャッターも使用し得るものである。例えば、
撮影用カメラのフィルムに変えてこの積層体を装着し、
光センサーと情報記録媒体における両電極間に300〜
700Vの直流電圧を0.04秒印加すると同時に、グ
レースケールを1/30秒間、光センサー側から投影露
光することにより、情報記録媒体の情報記録層にグレー
スケールに応じた光透過部からなる記録部が形成され、
情報記録を行うことができる。また、プリズム、カラー
フィルター等により光情報をR、G、B光成分に分離
し、平行光として取り出しR、G、Bの各色用の3色の
情報記録媒体で1コマを形成するか、または1個の情報
記録媒体の異なる部分にR、G、Bの各画像を記録して
1コマとすることにより、カラー撮影をすることもでき
る。
【0044】また、レーザーによる記録方法としては、
光源としてはアルゴンレーザー(514nm、488n
m)、ヘリウム−ネオンレーザー(633nm)、半導
体レーザー(780nm、810nm等)が使用でき、
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザ露光をスキャンして行うものである。画像のよう
なアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変調して行
い、文字、コード、線画のようなデジタル的な記録はレ
ーザー光のON−OFF制御により行う。また画像にお
いて網点形成されるものには、レーザー光にドットジェ
ネレーターのON−OFF制御によって形成するもので
ある。 なお、光センサーにおける光導電層の分光特性
は、パンクロマティックである必要はなく、レーザー光
源の波長に感度を有していればよい。
【0045】情報記録素子に記録された露光情報は、情
報記録素子から情報記録媒体を分離して、あるいはその
まま透過光により情報を再生すると、情報記録部では液
晶が電界方向に配向するために、光は透過するのに対し
て、情報を記録していない部位においては光は散乱し、
情報記録部とのコントラストがとれる。また、光反射層
を介して反射光により読み取ってもよい。次いで、情報
記良媒体における記録情報を、情報出力装置により、情
報記録媒体をCCDラインセンサーを有するイメージス
キャナーによって情報を読み取り、その情報を昇華転写
ブリンターを使用して情報出力することによりグレース
ケールに応じた良好な印刷物を得ることができる。
【0046】液晶の配向により記録された情報は、目視
による読み取りが可能な可視情報であるが、投影機によ
り拡大して読み取ることもでき、レーザー走査、あるい
はCCDを用いて高精度で情報を読み取ることができ
る。なお、必要に応じてシュリーレン光学系を用いるこ
とにより散乱光を防ぐことができる。以上の方法では、
情報記録媒体として、情報露光による記録を液晶の配向
により可視化した状態とするものであるが、液晶と樹脂
との組み合わせを選ぶことにより一度配向し、可視化し
た情報は消去せず、メモリー性を付与することができ
る。また、等方相転移付近の高温に加熱すると、メモリ
ー性を消去することができるので、再度の情報記録に使
用することができる。
【0047】情報記録システムにおける情報記録媒体と
しては、例えば特願平3−7942号、特開平5−10
7775号、特開平5−107778号、特開平5−1
07777号公報、特開平4−70842号公報等に記
載されている電荷保持層を情報記録層とする静電情報記
録媒体を使用してもよく、この場合には情報は情報記録
媒体において静電像の形態で蓄積されるので、その静電
荷をトナー現像するか、またはその静電荷を例えば特開
平1−290368号公報等に記載されるように電位読
み取り装置により再生することができる。情報記録層に
メモリー性がないネマチック液晶を使用すると、電圧印
加終了とともに、液晶分子の配向緩和が起こり、情報が
消失する。したがって、このような液晶を用いた場合、
断続的に露光と電圧印加を行なうことで、動画を表示さ
せることもできる。
【0048】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明を説明する。 実施例1 厚さ1.1mmのガラス基板上に、電子ビーム蒸着法に
よって面積抵抗80Ω/□、膜厚100nmのITO膜
を成膜し電極を形成した。電極をスクラバー洗浄機(エ
ンヤシステム製SSD−1)によって純水噴射10秒
間、洗剤を使用したスクラブ洗浄を20秒間、純水リン
ス20秒間、スピン乾燥20秒の後に、IRベーク−U
Vドライ洗浄機(オーク製作所製)で120℃で4分間
乾燥後、1分間紫外線照射処理を行なった。この電極上
に電荷発生性性物質として、下記構造のペリレン系顔料
1(チバ・スペシャルティーケミカルズ製)をタングス
テンボートに入れ、真空度1×10-5Torr以下の状
態で45Vの直流電圧印加して真空蒸着を行ない、0.
4μmの電荷発生層の蒸着膜を得た。
【0049】
【化2】
【0050】同様の処理を施した電極上に多官能性モノ
マー(ジペンタエリストールヘキサアクリレート、東亞
合成化学工業製M−400)40重量部、光硬化開始剤
(2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン
−1−オン、チバ・スペシャルティ−ケミカルズ製、ダ
ロキュア1173)2重量部、液晶(スメクチック液
晶、メルク製S−6)を60重量部、界面活性剤(住友
スリーエム製、フロラードFC−430)3重量部をキ
シレン96重量部中に均一に溶解して得た塗布液を、5
0μmの間隔を設定したブレードコーターを用いて塗布
した後、47℃で3分間乾燥し、次いで47℃で2分間
減圧乾燥を行ない、直ちに0.3J/cm2の紫外線照
射によって塗布液を硬化させ、膜厚6μmの情報記録層
を有する情報記録媒体を得た。情報記録面を熱メタノー
ルを用いて液晶を抽出し、乾燥させた後、走査型電子顕
微鏡(日立製作所製、S−800)で1000倍で内部
構造を観察したところ、層の表面は0.6μmの紫外線
硬化樹脂で覆われ、層内には連続層を成す液晶層中に粒
径0.1μmの樹脂粒子が充填した構造を有していた。
【0051】得られた電荷発生層を塗布した基板と情報
記録媒体とを対向させ、スペーサーを介して貼り合わせ
機(EHC製、SAA−30)を用いて貼り合わせ、ギ
ャップ9μmのセルを得た。下記構造のナフタレン系液
晶1:2−4’−octylphenyl−6−dod
ecyloxynaphthalene(相転移温度C
rystal:79.3℃、SmX1:100.4℃、
SmX2:121.3℃ Iso)(三協化学製)を1
25℃の条件下で上記セルに封入し、本発明のおける情
報記録素子を作製した。
【0052】
【化3】
【0053】(光センサーの電気特性)電荷発生層を形
成した基板と、電極を形成した基板をスペーサー10を
介して貼り合わせ、液晶性電荷輸送剤料を注入し、本発
明の光センサー部の特性評価用素子を得た。得られた光
センサーの電気特性を図8に示す電流測定装置によって
測定した。図において、2,2aは光センサーの基板、
3,3aは光センサーの電極、4は電荷発生層、5は液
晶性電荷輸送性物質、31は光源、32はシャッター
(コパル製 No.0電磁シャッター)、33はシャッ
ター駆動機構、34は電源(パルスジェネレーター)、
35はオシロスコープである。この電流測定装置におい
て、光センサーの電極3の電荷発生層側を正、電荷発生
層がない側を負として両電極間に100Vの直流電圧を
印加するとともに、電圧印加開始後0.5秒後に1/3
0秒間光照射し、光照射開始時間をt=0として、光セ
ンサーに流れる電流を測定した。照射光は、キセノンラ
ンプ(浜松ホトニクス製L2274)を光源にして、モ
ノクロメーター(JOVINYVON製H−20VI
S)により単色光にした。照射光強度をオプティカルパ
ワーメーター(ADVANTEST製 TQ8210)
で測定した。また露光しないで電圧印加のみを行い、同
様にして電流測定した結果を同時に示す。なお、測定中
のセルの温度はホットプレートで温度調整を行った。
【0054】560nm、20μW/cm2 の単色光を
照射した場合の結果を図9に示す。横軸は電圧印加時間
(秒)、縦軸は電流密度(A/cm2 )である。図にお
いて、(A)線は露光した場合の電流測定値であり、1
/30秒後の電流値を明電流とすると、明電流値は1.
4×10-7μA/cm2 であった。。(B)線は露光し
ないで電圧印加のみを行なった場合の電流測定値であ
り、暗電流とすると、暗電流値は3.0×10-8A/c
2 であった。光電流の最大値の10%から90%まで
上昇するのに要する時間を応答時間とし、下降するのに
要する時間を緩和時間とし、測定した結果、応答時間は
4.5m秒、緩和時間は3.6m秒であった。なお、測
定は95℃で行なった。
【0055】(画像記録)次いで、得られた情報記録素
子を用いて図7に示したような撮影装置で撮影を行なっ
た。撮影は、500Vで40m秒間の直流電圧を印加す
ると同時に、光センサーに40μW/cm2、1/30
秒間露光して行なった。その結果、コントラストの良好
な画像が得られた。
【0056】実施例2 得られた情報記録媒体上に、以下の方法で誘電体中間層
を形成した以外の点は実施例1と同様に情報記録素子を
作製した。 (誘電体中間層の形成)誘電体(ポリビニルアルコー
ル、信越ポバール製AT)2.5重量部を水97.5重
量部中に均一に溶解して得た塗布液をスピンナーで38
00rpmで0.6秒間で塗布し、無風下で放置しレベ
リング乾燥を行なった後、100℃で1時間乾燥して膜
厚1μmの誘電体層を形成した。 (画像記録)実施例1と同様にして撮影を行なった結
果、印加電圧550Vでコントラストの良好な画像が得
られた。
【0057】実施例3 電荷発生層に下記構造のペリレン系顔料2(チバ・スペ
シャルティーケミカルズ製)を用いたことを除き、実施
例2と同様に光センサーを作製した。
【0058】
【化3】
【0059】(光センサーの電気特性)実施例1と同様
にして光センサーの電気特性を測定し、その測定結果を
図10に示す。暗電流値は暗電流値は2.0×10-7
/cm2 、明電流値は6.67×10-6μA/cm2
あり、応答時間は28m秒、緩和時間は60m秒であっ
た。 (画像記録)実施例1と同様にして撮影を行なった結
果、印加電圧400Vでコントラストの良好な画像が得
られた。
【0060】比較例1 実施例1と同様にして、電極形成した基板上にペリレン
系顔料1を蒸着し、0.4μmの電荷発生層を形成し
た。この上部に、電荷輸送層として液晶性電荷輸送性物
質を125℃でスピンナーを用いて塗布し、常温でレベ
リングして膜厚10μmの光導電層を得、さらに、上部
電極として金電極を蒸着して、本発明の比較例の光セン
サーを得た。 (光センサーの電気特性)実施例1と同様にして光セン
サーの電気特性の測定を試みたが、液晶化した電荷輸送
層が流出し、測定不可能であった。
【0061】
【発明の効果】本発明の情報記録素子は、セル化素子を
作製することにより、液晶性電荷輸送性物質を情報記録
素子に使用可能にしたものであり、液晶性電荷輸送性物
質を電荷輸送層に用いて良好な画像が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の情報記録素子の一実施例を説
明する図である。
【図2】図2は、本発明の情報記録素子の他の実施例を
説明する図である。
【図3】図3は、本発明の情報記録素子を説明する図で
ある。
【図4】図4は、本発明の情報記録素子を説明する図で
ある。
【図5】図5は、本発明の光センサーを説明する図であ
る。
【図6】図6は、本発明の光センサーを説明する図であ
る。
【図7】図7は、撮影装置を説明する図である。
【図8】図8は、電流測定装置を説明する図である。
【図9】図9は、本発明の光センサーの一実施例の特性
を説明する図である。
【図10】図10は、本発明の光センサーの他の実施例
の特性を説明する図である。
【符号の説明】
1…光センサー、2…基材、2a…基材、3…電極、3
a…電極、4…電荷発生層、5…液晶性電荷輸送性物質
層、5a…電荷発生材料を含む液晶性電荷輸送性物質
層、6…電荷注入制御層、7…上部電極、8…情報記録
層、9…誘電体中間層、10…スペーサー、11…情報
記録素子、12…スペーサー、13…空隙、31…光
源、32…シャッター、33…シャッター駆動機構、3
4…パルスジェネレーター、35…オシロスコープ、3
6…高圧電源

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電極間に光導電層と、液晶層からなる情
    報記録層を有し、光導電層に情報露光すると同時に両電
    極間に電圧印加することにより情報記録を行なう情報記
    録素子において、該光導電層に液晶性電荷輸送性物質を
    含有することを特徴とする情報記録素子。
  2. 【請求項2】 光導電層が電荷発生層と電荷輸送層から
    なり、該電荷輸送層に、液晶性電荷輸送性物質を含有す
    ることを特徴とする請求項1記載の情報記録素子。
  3. 【請求項3】 光導電層が電荷発生性物質と液晶性電荷
    輸送性物質の混合層からなることを特徴とする請求項1
    記載の情報記録素子。
  4. 【請求項4】 電極層と光導電層の間に電荷注入制御層
    を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか
    に記載の情報記録素子。
  5. 【請求項5】 光導電層と情報記録層の間に誘電体中間
    層を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれ
    かに記載の情報記録素子。
  6. 【請求項6】 液晶層が液晶−高分子複合体からなり、
    メモリー性を有することを特徴とする請求項1ないし5
    のいずれかに記載の情報記録素子。
  7. 【請求項7】 少なくとも一方の電極が複数の画素にパ
    ターン化または分割されていることを特徴とする請求項
    1ないし6のいずれかに記載の情報記録素子。
  8. 【請求項8】 情報記録素子の製造方法において、電極
    を設けた2枚の基板の一方の電極上に、電荷発生層を積
    層し、他方の電極に情報記録層を積層し、両者をスペー
    サーを介して対向配置し貼り合わせて形成したセル内
    に、液晶性電荷輸送性物質を注入したことを特徴とする
    情報記録素子の製造方法。
  9. 【請求項9】 情報記録素子の製造方法において、電極
    を設けた2枚の基板の一方の電極上に、電荷注入制御
    層、電荷発生層を積層し、他方の電極上に情報記録層を
    積層し、両者をスペーサーを介して対向配置し貼り合わ
    せて形成したセル内に液晶性電荷輸送性物質を注入した
    ことを特徴とする情報記録素子の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100537498B1 (ko) * 2001-09-20 2005-12-19 삼성전자주식회사 전자 방출을 이용한 고밀도 정보 저장 장치 및 이를이용한 정보의 쓰기, 읽기 및 소거 방법
KR100590523B1 (ko) * 2001-10-25 2006-06-15 삼성전자주식회사 정보 기록용 미디어 및 이를 응용한 장치 및 정보기록/재생 방법

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