JPH11322495A - ランガサイト型結晶及びその作製方法 - Google Patents
ランガサイト型結晶及びその作製方法Info
- Publication number
- JPH11322495A JPH11322495A JP10142800A JP14280098A JPH11322495A JP H11322495 A JPH11322495 A JP H11322495A JP 10142800 A JP10142800 A JP 10142800A JP 14280098 A JP14280098 A JP 14280098A JP H11322495 A JPH11322495 A JP H11322495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- melt
- composition
- ltg
- langasite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/34—Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
の発生がないランガサイト型結晶およびその作製方法を
提供する。 【解決手段】 チョクラルスキ−法を用いたランガサイ
ト型結晶の作製方法において、融液6として、ランタン
・タンタル・ガリウム酸化物の化学量論的組成比で混合
された酸化ランタン、酸化タンタル及び酸化ガリウムの
粉末を用い、結晶引き上げを、アルゴンと酸素を含む雰
囲気中で行う。この際、アルゴンに対する酸素濃度比を
0.1体積%乃至1.5体積%にする。
Description
に関し、特にランガサイト型結晶及びその作製方法に関
する。
に高まってきている。携帯電話、PHSなどに代表され
る移動体通信機器の躍進は目を見張るものがある。これ
らデジタル化が進む通信機器分野において、フィルタ、
振動子の素子高性能化がいっそう重要視されるようにな
ってきている。圧電結晶は、フィルタや発振器、振動子
といった通信機器用の電子部品として極めて重要な材料
である。携帯電話向けのSAW(Surface Ac
oustic Wave)フィルタには水晶が、テレビ
やVTRのフィルタにはLiTaO3 が現在多く用いら
れている。この場合、水晶は温度変化に強いという優れ
た性質があるが、帯域幅が狭いという欠点があり、Li
TaO3 は帯域幅が広い反面、温度変化に弱いという欠
点を有している。このため両者の特長を併せ持った、即
ち温度による周波数変動が少ない、安定した発振、広い
帯域幅、挿入損失が小さいといった特長を持つ新しい材
料の開発が待ち望まれていた。
やLi2B4O7といった結晶が開発されてきたが、α−
AlPO4は双晶の発生等により結晶作製が困難、Li2
B4O7は潮解性を有し、かつ成長速度が遅いという問題
があった。これに対しLa3Ga5SiO14に代表される
ランガサイト型結晶は、水晶とLiTaO3の特徴を併
せ持った特性を有し、かつ、結晶作製が容易、加工性に
優れる等の点から優れた新しい圧電材料として注目され
はじめている。その他のランガサイト型結晶としてLa
3Nb0.5Ga5.5 O14やLa3Ta0.5 Ga5.5O14とい
った新材料も見出されている。これらLa3Nb0.5Ga
5.5O1 4やLa3Ta0.5Ga5.5O14はLa3Ga5SiO
14と同様に優れた圧電特性を示し、かつ、結晶の作製が
容易で加工性も良く、将来の圧電材料として有望視され
ている。これらの中でも特に、La3Ta0.5Ga5.5O
14は、結晶の作製が容易なことから大型の結晶が得やす
く、大量生産に適したランガサイト型圧電結晶材料とし
て最も有望視されている。
a、Ta等を含む融液を用い、酸素雰囲気中で、結晶を
引き上げるチョクラルスキー法によって作製される。S
AWフィルタ等のデバイスを作製するためにはこれらの
結晶の大型化が不可欠であるため、これらの結晶の最適
な作製条件を得るためにさまざまな検討が行われてい
る。例えば、La3Ga5SiO14、La3 Nb0.5Ga
5.5O14及びLa3Ta0.5Ga5.5 O14結晶の作製にお
いては、これらの結晶の引き上げ速度、結晶回転数、融
液の温度勾配、融液組成、融液を収納するるつぼの材
質、結晶育成中の雰囲気ガスなどのパラメータの最適化
が行われている。
Ga5SiO14及びLa3Nb0.5Ga5.5O14等のランガ
サイト型結晶の作製の際、これらの結晶は、橙色あるい
は赤色に着色するという問題を生じていた。ランガサイ
ト型結晶が着色すると、ランガサイト型結晶の屈折率等
の光学的特性が劣化してしまうので、ランガサイト型結
晶を作製する際には着色しないようにすることが重要で
ある。この着色は、ランガサイト型結晶中に添加した不
純物或いは、これらの結晶作製中に発生した格子欠陥や
転位が原因と考えられている。
は、融液中に含まれるGaの蒸発を抑制するために酸素
を含む雰囲気中で行われる。もし仮に、この融液からG
aが蒸発してしまうと、融液の組成変動が生じるので、
この融液から作製されたランガサイト型結晶は、組成バ
ラツキ、インクルージョンやクラックを生じてしまう。
このため、ランガサイト型結晶は、酸素雰囲気中で作製
することが必要不可欠であるが、あまり酸素濃度を増加
しすぎると、このランガサイト型結晶が着色してしま
う。特にLa3Ga5SiO14及びLa3Nb0.5Ga5.5
O14は橙色や赤色への着色度合いが著しく発生する。
結晶の作製の際には、融液の組成は、この融液から作製
される結晶の組成と一致する調和溶融組成を用いること
が要求される。融液の組成が調和溶融組成となっていな
い場合には、結晶化が進むにつれて融液の組成が変動
し、所望の単結晶が得られない。例えば、LiNbO3
を作製する場合の融液の調和溶融組成は、Li2O:N
b 2O=50:50ではなく、48.3:51.7であ
り、融液の組成変動が防止され、大型のLiNbO3単
結晶を得ることができる。多くのランガサイト型結晶で
は、融液の調和溶融組成の最適化が十分行なわれていな
いため、融液から作製される結晶の組成と、融液の組成
に差を生じる。この融液の組成と結晶の組成の差は、結
晶化が進むにつれて増大し、この結晶の結晶性が悪くな
るので、この内部にインクルージョンやクラック、ある
いは組成バラツキを生じてしまう。このため、SAWフ
ィルタ等のデバイスを作製する際には、このデバイスの
歩留まりを低下させていた。
解消するためになされたもので、着色がなく、またイン
クルージョンやクラックの発生がない大型のランガサイ
ト型結晶及びその作製方法を提供することを目的とす
る。
結晶の作製方法の第1の発明として、チョクラルスキ−
法を用いたランガサイト型結晶の製造方法において、融
液として、ランタン・タンタル・ガリウム酸化物の化学
量論的組成比で混合された酸化ランタン、酸化タンタル
及び酸化ガリウムの粉末を用い、結晶引き上げが、アル
ゴンと酸素を含む雰囲気中で行われることを特徴とす
る。
サイト型結晶の作製方法は、前記酸素の濃度が前記アル
ゴンの濃度に対して、0.1体積%乃至1.5体積%で
あることを特徴とする。
ンガサイト型結晶の作製方法において、前記融液は、前
記酸化ランタン、前記酸化タンタル、前記酸化ガリウム
の混合比をそれぞれX、Y、Zとして、33.14≦X
≦33.41、5.24≦Y≦5.73、61.02≦
Z≦61.45で、かつX+Y+Z=100からなるこ
とを特徴とする。
は、請求項3記載のランガサイト型結晶の作製方法から
作製されたことを特徴とする。
の一実施例を説明する。一般的に、ランガサイト型結晶
の作製には、チョクラルスキー炉1を用いたチョクラル
スキー法が用いられる。図1は、ランガサイト型結晶の
作製に用いられる高周波誘導加熱型のチョクラルスキー
炉の断面図である。まず初めに、チョクラルスキー炉1
の構成について説明する。加熱用の高周波コイル3は、
石英管2の外周囲に設けられ、石英管2の内側には、複
数の保温筒4に囲まれて、融液6を入れるイリジウム
(Ir)製のるつぼ5が配置されている。高周波コイル
3の上端部とるつぼ5の上端部の高さは、ほぼ揃えられ
ている。るつぼ5の大きさは、例えば、作製しようとす
る結晶の径の約倍の大きさの内径を有するものを用い
る。石英管2中央上部には、一定速度で回転しながらか
つ、一定速度で引き上げられる引き上げ棒8が備えられ
ている。
La3Ta0.5Ga5.5O14(以下、LTGと省略す
る。)結晶7の作製方法について説明する。まず初め
に、融液6を以下のようにして作製する。純度99.9
9%の酸化ランタン(La2O3 )、酸化タンタル(T
a2O5)、酸化ガリウム(Ga2O3)の粉末をLTG結
晶7の化学量論組成比の近傍で混合する。更に、この混
合粉末をボールミルを用いて、数日間混合粉砕する。粉
砕後の混合粉末は、みかけ上の体積がかなり増加するた
め、数回に分けてIr製のるつぼ5中に入れ、加熱溶融
して、融液6を作製する。この時の加熱温度は約150
0℃とする。
端に固定し、その先端をるつぼ5内の融液6に浸し、な
じませる。その後、石英管2内に純度99.998%の
不活性ガスであるアルゴン(Ar)に酸素(O2)を混
入させた混合ガスを導入する。この際、アルゴンの流量
1l/minに対して酸素の流量は0〜20mil/m
inで行う。ここで、酸素と共に用いられるガスは、不
活性ガスであればよいので、アルゴンを窒素(N2)に
変えても良い。更に、引き上げ棒8を10rpm〜20
rpmの回転速度でゆっくり回転させながら、1〜3m
m/hの速度で種結晶を引き上げていく。このいわゆる
チョクラルスキー法を用いた結晶成長方法により、直径
約24mm、長さ約145mmの大型LTG結晶7を作
製することができる。なお、るつぼ5の材質としてIr
を用いているが、一般的に用いられているような白金
(Pt)を用いても同様である。
結晶評価について以下に図を参照しながら説明する。ま
ず初めに、LTG結晶7の酸素の濃度依存性について図
2を用いて説明する。図2は、アルゴンに対する酸素の
濃度比を変化させて作製されたLTG結晶7の評価を示
す図である。図2中のArに対するO2の濃度比γ(=
O2 /Ar)は、アルゴン流量に対する酸素の流量であ
り、その単位は体積%である。試料乃至はArに対
するO2の濃度比γを0体積%乃至2.0%の範囲内で
変化させ、その他の条件は一定にして作製されたLTG
結晶7である。
条件下で作製されたLTG結晶7である。この場合、L
TG結晶7の大きさは、直径約24mm、長さ約130
mmであり、その結晶化率は約60%である。ここで、
結晶化率とは、るつぼ5中の融液の重量に対するこの融
液から作製されたLTG結晶7の重量比である。このた
め、融液6が全てLTG結晶7になった場合の結晶化率
が100%であるので、試料の場合、融液の60%が
結晶化していることになる。
であったが、結晶化率が50%乃至60%の範囲では多
数のインクルージョンが発生していた。これは、石英管
2内がGaで汚染されていたことから融液からGaの蒸
発が激しく、融液組成に変動を生じ、Gaが化学量論的
組成からずれてしまったためと考えられる。このインク
ルージョンをX線回折を行って調べた結果、このインク
ルージョンはLaGaO3相であることがわかった。ま
た、LTG結晶7の表面には多数の激しい皺状の凹凸が
発生し、これを起点としていくつかの小さなクラックが
観察された。このように、LTG結晶7には着色の発生
はないが、インクルージョンやクラックの発生があり、
圧電材料として不適であることがわかった。
0.1体積%の条件下で作製されたLTG結晶7であ
る。この場合、LTG結晶7の大きさは、直径約24m
m、長さ約140mmであり、その結晶化率は約65%
である。LTG結晶7は無色透明であり、インクルージ
ョンの発生もなかった。また、結晶表面には僅かに皺状
の凹凸が観察されたが、クラックの発生は確認されなか
った。このように、LTG結晶7には着色の発生もな
く、インクルージョンやクラックの発生もないので、圧
電材料に好適的なLTG結晶7を得ることができること
がわかった。
0.5体積%の条件下で作製されたLTG結晶7であ
る。この場合、LTG結晶7の大きさは、直径約24m
m、長さ約145mmであり、その結晶化率は約67%
である。LTG結晶7は、無色透明であり、このLTG
結晶7にクラックやインクルージョンは観察されなかっ
た。また、LTG結晶7の表面は滑らかであり、皺状の
凹凸の発生もなかった。このような条件で行った場合に
は、LTG結晶7に着色の発生もなく、インクルージョ
ンやクラックの発生もないので、圧電材料に好適的なL
TG結晶7を得ることができることがわかった。
1.0体積%の条件下で作製されたLTG結晶7であ
る。この場合、LTG結晶7の大きさは、直径約24m
m、長さ約145mmであり、その結晶化率は約67%
である。LTG結晶7は、無色透明であり、このLTG
結晶7にクラックやインクルージョンは観察されなかっ
た。また、LTG結晶7の表面は滑らかであり、皺状の
凹凸の発生もなかった。このような条件で行った場合に
は、LTG結晶7に着色の発生もなく、インクルージョ
ンやクラックの発生もないので、圧電材料に好適的なL
TG結晶7を得ることができることがわかった。
2.0体積%の条件下で作製されたLTG結晶7であ
る。この場合、LTG結晶7の大きさは、直径約24m
m、長さ約140mmであり、その結晶化率は約65%
である。LTG結晶7にクラックやインクルージョンは
観察されなかったが、濃い橙色に着色した。これは、混
合ガス中のO2過多のためLTG結晶7中の結晶欠陥や
転位が発生してしまうためと考えられる。このように、
LTG結晶7にインクルージョンやクラックの発生はな
いが、橙色に着色してしまうので、圧電材料として不適
であることがわかった。
を0.1体積%乃至1.5体積%の混合ガス雰囲気中で
LTG結晶7を作製すれば、透明で着色が少なく、クラ
ックやインクルージョンのない圧電材料に好適なLTG
結晶7を得ることができる。
G結晶を作製する融液の調和溶融組成の範囲について図
3及び図4を用いて説明する。LTG結晶の単結晶化し
た領域の組成を測定して、全ての結晶領域で単結晶化す
るLTG結晶が作製できる融液の調和溶融組成範囲を求
めた。図3は、LTG結晶の単結晶領域の組成と融液の
混合比の関係を示す図である。図4は、LTG結晶の単
結晶領域の組成と融液の混合比の関係を示す三元組成図
である。図3及び図4中において、LTG結晶組成及び
融液の混合比は、それぞれmol%で表わされ、LTG
結晶A1、B1、C1、D1、E1は、LTG結晶A1、
B1、C1、D1、E1を作製する融液A、B、C、D、E
にそれぞれ対応し、La2O 3 、Ta2O3及びGa2O3
の融液の混合比をLTG結晶の化学量論組成に対して±
1.25mol%の範囲で変化させ、その他の条件は、
一定にして作製されたものである。なお、LTG結晶A
1、B1、C1、D1、E1の組成値は、単結晶領域だけを
測定したものであり、図4中には、これらの単結晶領域
の組成値をプロットしてある。
TG結晶A1、B1、C1、D1、E1の組成分析には、分
析精度±0.1mol%以下である蛍光X線分析装置を
用いた。この蛍光X線分析では、LTG結晶A1、B1、
C1、D1、E1の組成は、La2O3、Ta2O5及びGa2
O3の組成比として測定される。即ち、LTG結晶が化
学量論組成である場合には、LTG結晶の組成比は、L
a2O3:Ta2O5:Ga2O3=33.33:5.56:6
1.11となる。このため、融液としてのLa2O3、T
a2O5及びGa2O3の混合比とLTG結晶の組成分析結
果を比較することができるので、融液の組成を変化させ
ることによって、LTG結晶の調和溶融組成の範囲を得
ることができる。
a2O3=33.33:5.56:61.11からなる融
液の組成Aから作製されたものである。LTG結晶A1
の大きさは、直径約24mm、長さ約165mmであ
り、その結晶化率は約99%である。この場合、結晶化
率が0%乃至78%の範囲では、無色透明でクラックの
ない良好な単結晶が得られ、蛍光X線分析を行った結
果、この単結晶領域の組成は、La2O3:Ta2O5:Ga
2O3=33.29:5.52:61.19であった。
a2O3=32.26:5.38:62.36からなる融
液の組成Bから作製されたものである。LTG結晶B1
の大きさは、直径約24mm、長さ約160mmであ
り、その結晶化率は約92%である。この場合、結晶化
率が0%乃至10%の範囲では、無色透明でクラックの
ない良好な単結晶が得られ、蛍光X線分析を行った結
果、この単結晶領域の組成は、La2O3:Ta2O5:Ga
2O3=33.24:5.49:61.27であった。
a2O3=34.50:5.46:60.04からなる融
液の組成Cから作製されたものである。LTG結晶C1
の大きさは、直径約24mm、長さ約140mmであ
り、その結晶化率は約78%である。この場合、結晶化
率が0%乃至14%の範囲では、無色透明でクラックの
ない良好な単結晶が得られ、蛍光X線分析を行った結
果、この単結晶領域の組成は、La2O3:Ta2O5:Ga
2O3=33.30:5.42:61.28であった。
a2O3=33.16:6.06:60.79からなる融
液の組成Dから作製されたものである。LTG結晶D1
の大きさは、直径約24mm、長さ約170mmであ
り、その結晶化率は約99%である。この場合、結晶化
率が0%乃至6%の範囲では、無色透明でクラックのな
い良好な単結晶が得られ、蛍光X線分析を行った結果、
この単結晶領域の組成は、La2O3:Ta2O5:Ga2O3
=33.25:5.63:61.12であった。
a2O3=33.51:5.06:61.43からなる融
液の組成Eから作製されたものである。LTG結晶E1
の大きさは、直径約24mm、長さ約165mmであ
り、その結晶化率は約99%である。この場合、結晶化
率が0%乃至5%の範囲では、無色透明でクラックのな
い良好な単結晶が得られ、蛍光X線分析を行った結果、
この単結晶領域の組成は、La 2O3:Ta2O5:Ga2O3
=33.31:5.34:61.35であった。
化学量論組成に対して±1.25mol%の範囲で変化
させた場合には、良好な単結晶領域が存在するLTG結
晶が得られることがわかった。LTG結晶の内の単結晶
領域の組成を融液の組成として用いれば、融液は、調和
溶融組成とすることができる。この結果、融液の組成
は、LTG結晶の組成と一致し、変動がなくなるので、
LTG結晶は、結晶化率が0%乃至100%の範囲で良
好な単結晶となる。
0.1mol%以下)を考慮して、図3で得られた結果
を図4に示す3元組成図にプロットすると、融液が調和
溶融組成となる領域は斜線で示した領域Qとなる。この
結果、領域Qの範囲内にある組成の融液を用いれば、調
和溶融組成からの成長が可能となり、インクル-ジョン
やクラックのない、結晶化率が0%乃至100%の範囲
で良好な単結晶が得られる。この領域Qは、La2O3、
Ta2O5及びGa2O3の混合比をそれぞれに対応して
X、Y、Zとすると、33.14mol%≦X≦33.
41mol%、5.24mol%≦Y≦5.73mol
%、61.02mol%≦Z≦61.45mol%、か
つX+Y+Z=100mol%である。このような混合
比の融液からLTG結晶を作製すれば、融液の組成は、
LTG結晶の組成と一致し、変動がなくなるので、イン
クル-ジョンやクラックのない良好なLTGの単結晶を
得ることができる。即ち、調和溶融組成の融液から作製
されたLTG結晶の組成を化学式LauTavGawO14
で表すと、Laの組成u、Taの組成v、Gaの組成w
において、それぞれの範囲は、2.9826≦u≦3.
0069、0.4716≦v≦0.5157、5.49
18≦w≦5.5305と表すことができる。以上のよ
うに、調和溶融組成から作製されたLauTavGawO
14は、結晶化率が0%乃至100%の範囲で良好な単結
晶となる。本発明について、実施の形態に沿って説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではない。
によれば、アルゴンに対する酸素濃度比が0.1体積%
乃至1.5体積%の範囲の雰囲気ガス中でランガサイト
型結晶の作製を行うようにしているので、無色透明で、
かつインクルージョン、クラックの発生のない圧電材料
に好適なランガサイト型結晶を得ることができる。酸化
ランタン、酸化タンタル及び酸化ガリウムの混合比をそ
れぞれに対応してX、Y、Zとすると、その混合比を3
3.14mol%≦X≦33.41mol%、5.24
mol%≦Y≦5.73mol%、61.02mol%
≦Z≦61.45mol%、かつX+Y+Z=100m
ol%にした融液は調和溶融組成であるので、この融液
からランガサイト型結晶を作製すれば、結晶化率が0%
乃至100%の範囲でインクル-ジョンやクラックのな
い良好な単結晶となるランガサイト型結晶を作製するこ
とができる。
るチョクラルスキー炉を示す断面図である。
て作製されたLTG結晶の評価を示す図である。
の関係を示す図である。
係を示す三元組成図である。
ル、4…保温筒、5…るつぼ、6…融液、7…LTG結
晶、8…引上げ棒
ランガサイト型結晶の作製方法において、前記融液は、
前記酸化ランタン、前記酸化タンタル、前記酸化ガリウ
ムの混合比をそれぞれX、Y、Zとして、33.14≦
X≦33.41、5.24≦Y≦5.73、61.02
≦Z≦61.45で、かつX+Y+Z=100からなる
ことを特徴とする。
ランタン、前記酸化タンタル、前記酸化ガリウムの混合
比をそれぞれX、Y、Zとして、33.14≦X≦3
3.41、5.24≦Y≦5.73、61.02≦Z≦
61.45で、かつX+Y+Z=100を有することを
特徴とする。
Claims (4)
- 【請求項1】チョクラルスキ−法を用いたランガサイト
型結晶の作製方法において、 融液として、 ランタン・タンタル・ガリウム酸化物の化学量論的組成
比で混合された酸化ランタン、酸化タンタル及び酸化ガ
リウムの粉末を用い、 結晶引き上げが、 アルゴンと酸素を含む雰囲気中で行われることを特徴と
するランガサイト型結晶の作製方法。 - 【請求項2】前記酸素の濃度が前記アルゴンの濃度に対
して、0.1体積%乃至1.5体積%であることを特徴
とする請求項1記載のランガサイト型結晶の作製方法。 - 【請求項3】前記融液は、前記酸化ランタン、前記酸化
タンタル、前記酸化ガリウムの混合比をそれぞれX、
Y、Zとして、33.14≦X≦33.41、5.24
≦Y≦5.73、61.02≦Z≦61.45で、かつ
X+Y+Z=100からなることを特徴とする請求項
1、2記載のランガサイト型結晶の作製方法。 - 【請求項4】請求項3記載のランガサイト型結晶の作製
方法から作製されたことを特徴とするランガサイト型結
晶。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14280098A JP3994361B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-05-25 | ランガサイト型結晶の作製方法 |
US09/268,949 US6303048B1 (en) | 1998-03-17 | 1999-03-16 | Langasite-type crystals and a method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-88198 | 1998-03-17 | ||
JP8819898 | 1998-03-17 | ||
JP14280098A JP3994361B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-05-25 | ランガサイト型結晶の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11322495A true JPH11322495A (ja) | 1999-11-24 |
JP3994361B2 JP3994361B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=26429624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14280098A Expired - Fee Related JP3994361B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-05-25 | ランガサイト型結晶の作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6303048B1 (ja) |
JP (1) | JP3994361B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002211998A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-07-31 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
JP2002234798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
US6514336B1 (en) | 2000-10-12 | 2003-02-04 | Utar Scientific, Inc. | Method of growing piezoelectric lanthanide gallium crystals |
KR100382160B1 (ko) * | 1999-10-20 | 2003-05-01 | 신건철 | 란가사이트 분말과 그 제조방법 |
US7090724B2 (en) * | 1999-12-28 | 2006-08-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device |
WO2011111859A1 (ja) | 2010-03-10 | 2011-09-15 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | 高絶縁、高安定性圧電ltga単結晶及びその製造方法、並びにそのltga単結晶を使用する圧電素子及び燃焼圧センサー |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050072037A1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-07 | Markley Duane C. | Fishing poles, counter-balancing apparatus for fishing poles and handles, and methods for balancing fishing poles |
US20070158660A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-12 | Acol Technologies S.A. | Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors |
US10774440B2 (en) | 2010-11-24 | 2020-09-15 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Crystal growth atmosphere for oxyorthosilicate materials production |
US20120126171A1 (en) | 2010-11-24 | 2012-05-24 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Crystal Growth Atmosphere For Oxyorthosilicate Materials Production |
US9328288B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-05-03 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Rare-earth oxyorthosilicates with improved growth stability and scintillation characteristics |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14280098A patent/JP3994361B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-16 US US09/268,949 patent/US6303048B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100382160B1 (ko) * | 1999-10-20 | 2003-05-01 | 신건철 | 란가사이트 분말과 그 제조방법 |
US7090724B2 (en) * | 1999-12-28 | 2006-08-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device |
US6514336B1 (en) | 2000-10-12 | 2003-02-04 | Utar Scientific, Inc. | Method of growing piezoelectric lanthanide gallium crystals |
JP2002211998A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-07-31 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
JP2002234798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
JP4524527B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2010-08-18 | 三菱マテリアル株式会社 | ランガサイト単結晶の作製方法 |
WO2011111859A1 (ja) | 2010-03-10 | 2011-09-15 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | 高絶縁、高安定性圧電ltga単結晶及びその製造方法、並びにそのltga単結晶を使用する圧電素子及び燃焼圧センサー |
US9005466B2 (en) | 2010-03-10 | 2015-04-14 | Citizen Finetech Miyota Co., Ltd. | Highly insulative and highly stable piezoelectric single LTGA crystal, method for producing the same, piezoelectric element using said single LTGA crystal, and combustion pressure sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6303048B1 (en) | 2001-10-16 |
JP3994361B2 (ja) | 2007-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11322495A (ja) | ランガサイト型結晶及びその作製方法 | |
US7947192B2 (en) | Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use | |
US6302956B1 (en) | Langasite wafer and method of producing same | |
US5084206A (en) | Doped crystalline compositions and a method for preparation thereof | |
JP4067845B2 (ja) | マグネシウムニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法 | |
US4135963A (en) | Lithium tantalate single crystal growth from a platinum-rhodium crucible in an inert gas, nitrogen or reducing gas atmosphere | |
Jung et al. | Crystal growth by micro-pulling-down of Ca3Ga2Ge4O14 (CGG) type-Sr3Nb1− xGa3+ (5/3) xSi2O14 compounds | |
JP2000313698A (ja) | ランガサイト型結晶の処理方法 | |
JPH0971416A (ja) | 結晶組成物ならびにそれを用いた固体レーザ装置 | |
JP2507910B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
JP2000247793A (ja) | ランガサイト型結晶の作製方法 | |
JP3589064B2 (ja) | 圧電結晶及び圧電素子 | |
JP4877324B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 | |
JP3152322B2 (ja) | 無双晶(Nd,La)GaO3単結晶およびその製造方法 | |
JPH06305895A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶および弾性表面波素子および移動通信用電話 | |
CA1302848C (en) | Process for making homogeneous lithium niobate | |
JP2001181093A (ja) | ランガサイト型結晶の作製方法 | |
CN113957530B (zh) | 一种透明铌酸钾钠晶体及其制备方法与应用 | |
Takeda et al. | Effect of starting melt composition on growth of La 3 Ta 0.5 Ga 5.5 O 14 crystal | |
JP2002003293A (ja) | ランガサイト型結晶の作製方法 | |
JPH0793212B2 (ja) | 酸化物ガーネット単結晶 | |
JP2005089223A (ja) | 単結晶及びその製造方法 | |
JP3021937B2 (ja) | カドミウムマンガンテルル単結晶の製造方法 | |
JPH1121198A (ja) | シレナイト単結晶の製造方法 | |
JPH05238892A (ja) | 酸化物超伝導薄膜用基板及びその製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070219 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070515 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070719 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |