JP2002234798A

JP2002234798A - ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶

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Publication number: JP2002234798A
Application number: JP2001024937A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Inaba; 均稲場; Satoshi Uda; 聡宇田; Keigo Hoshikawa; 圭吾干川
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2001-01-31
Filing date: 2001-01-31
Publication date: 2002-08-23
Anticipated expiration: 2021-01-31
Also published as: JP4524527B2

Abstract

(57)【要約】【課題】二次結晶相がなく、かつ不要な部分がない、
長尺化が可能なランガサイト単結晶の作製方法を提供す
ることを目的とする。【解決手段】ランガサイト単結晶の作製方法が、ラン
ガサイト種結晶Ｓを白金るつぼ１の下部に充填し、かつ
前記ランガサイト種結晶Ｓの上にランガサイト原料Ｇを
充填して、前記ランガサイト種結晶Ｓと前記ランガサイ
ト原料Ｇとを垂直方向に温度勾配を有する垂直な炉内で
溶融させた後、前記白金るつぼ１を垂直に移動させてラ
ンガサイト単結晶Ｓを育成するランガサイト単結晶Ｓの
作製方法であって、前記ランガサイト原料Ｇは、白金る
つぼ１にランガサイト粉を充填し、融解した後に、固化
したものである方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面弾性波デバイ
スなどの圧電デバイス用基板に好適に用いられるランガ
サイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ランガサイト（Langasite）単結
晶は、温度による弾性波伝搬速度、周波数の変化率が小
さく、圧電性の大小を表す電気機械結合係数（電気エネ
ルギーと機械エネルギーの相互変換効率を示す係数）が
大きいことから、表面弾性波（Surface Acoustic Wave:
ＳＡＷ）フィルタ等の圧電デバイス用の基板材料として
研究が行われている（例えば、H.Tanaka,K.Shimamura,
V.I.Chani,T.Fukuda,Effect of starting melt composi
tion on crystal growth of La₃Ga₅SiO₁₄,J.Crystal Gr
owth 197(1999)204. 等）。すなわち、このランガサイ
ト単結晶は、水晶と同等の温度特性を持ち、しかも電気
機械結合係数が水晶の約３倍あり、携帯電話などに多用
されているＳＡＷフィルタの広帯域化と小型化を図るこ
とが可能になる。例えば、特開平１０−１２６２０９号
公報などにランガサイト単結晶を用いた表面弾性波デバ
イスが記載されている。なお、ランガサイトは、化学式
Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄で示される化合物のことである。従
来、このランガサイト単結晶を育成するには、化学量論
比の組成に基づいた原料ペレットを融解して単結晶を育
成していた。

【０００３】また、単結晶を製造する別の方法としてチ
ョクラルスキー法が広く行われる。チョクラルスキー法
を行う炉の一例の概略の断面図を図４に示す。この方法
での単結晶育成は、るつぼ１１を用いて行い、るつぼ１
１の外側と上方にアルミナおよびジルコニアの断熱材２
を設け、ホットゾーンを形成する。断熱材２の外側に
は、加熱用の高周波ワークコイル３を設置する。なお、
るつぼ１１底部には、熱電対１２が設置されている。育
成の際に、るつぼ１１の中に焼成されたペレットをチャ
ージし、加熱、融解させて所定温度の融液Ｌとする。そ
して、ランガサイトの種結晶Ｓを引き上げ軸１３に固定
し、所定の回転数と引き上げ速度で融液Ｌからランガサ
イト単結晶Ｃを育成する。単結晶の直径は、引き上げ軸
１３につながる重量センサ１４で検出した結晶の重量変
化信号により行う。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、チョク
ラルスキー法では、種結晶から結晶育成するときに肩部
の形成を行うが、その部分はインゴットをウェハに加工
するときに無駄な部分となる。また、肩部を形成すると
きに内部応力が発生するため、結晶にクラックが発生す
る原因となっていた。さらに、細い種結晶よりネッキン
グを形成させるため、単結晶がある重量以上になると、
重さに耐えかねて、ネッキング部分よりおれてしまうこ
とがあった。従って、直胴部分を長尺化させるのに限界
があった。また、他の単結晶製造法としていわゆる垂直
ブリッジマン法が挙げられる。ブリッジマン法は、原料
融液の入った容器を温度の低いゾーンに移動させて冷
却、固化し、結晶を育成する方法である。

【０００５】ブリッジマン法における、一般的な酸化物
単結晶の原料作製は、原料酸化物の混合、仮焼、粉砕、
プレス成型、燒結、ペレット作製の順序で行われる。と
ころが、この方法によって作製されたランガサイト原料
を用いてランガサイト単結晶を育成した場合、原料酸化
物を十分に混合後に仮焼したとしても、ランガサイトが
３成分系の組成であるために、未反応成分が残る。その
ため、完全なるランガサイト粉末を合成することは不可
能であり、ＬａＧａＯ₃（ランタンガリウム）、Ｌａ₂
Ｓｉ₂Ｏ₇（ランタンシリゲイド）も合成される。

【０００６】ブリッジマン法では、単結晶を育成するる
つぼは上部の方が高温であり、融液の対流が起こらず、
攪拌されない。そのため、ランガサイト以外の化合物を
含んだペレットを用いて単結晶を育成しようとしても、
ランガサイト以外の化合物が融液内に残り、育成したイ
ンゴットにランタンガリウム、ランタンシリゲイドの組
成の異なる相ができる可能性が高い。また、このペレッ
トの表面はもろく、かけらが発生しやすい。そのため、
白金るつぼ内にペレットを充填する前に、かけらが種結
晶の上に落ちたり、白金るつぼと種結晶との隙間に入
り、単結晶育成中にそのかけらに融液が付着し、多結晶
化しやすい。多結晶相になるとクラックが入りやすいな
ど、品質に問題が生じる。また、プレス圧を大きくして
ペレット状に成型を行っても、密度を大きくすることに
は限界があり、るつぼ内を融液で完全に満たすことはで
きず、ランガサイト単結晶のインゴットを長尺化させる
ことは困難であった。

【０００７】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものであり、二次結晶相が形成せず、長尺化が可能
なランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単
結晶を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係るランガサイ
ト単結晶の作製方法は、ランガサイト種結晶を単結晶育
成用白金るつぼの下部に充填し、かつ前記ランガサイト
種結晶の上にランガサイト原料を充填して、前記ランガ
サイト種結晶と前記ランガサイト原料とを垂直方向に温
度勾配を有する垂直な炉内で溶融させた後、前記単結晶
育成用白金るつぼを垂直に移動させてランガサイト単結
晶を育成するランガサイト単結晶の作製方法であって、
前記ランガサイト原料は、原料作製用白金るつぼにラン
ガサイト粉を充填し、融解した後に、固化したものであ
る方法である。このため、粉体の発生が抑制され、粉体
を核とする二次結晶相の形成を抑制することができる。
前記ランガサイト粉は、酸化ランタンと酸化ガリウムと
シリカとを混合し、１１００〜１３００℃で焼成した後
に粉砕したものであることが好ましい。このようにする
ことにより、Ｇａ₂Ｏ₃がＧａＯに変化して気化すること
を防止することができる。前記融解が、不活性ガスと、
不活性ガスに対して２〜４体積％の酸素とを混合した雰
囲気中で行われることが好ましい。このようにすること
により、揮発性の高いＧａの飛散を防ぐことができる。
本発明に係るランガサイト単結晶は、上記本発明に係る
ランガサイト単結晶の作製方法で作製されたものであ
る。すなわち、このランガサイト単結晶は、長尺で高品
質なものとなり、ＳＡＷデバイス用材料として好適であ
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のランガサイト単結晶の作
製方法およびランガサイト単結晶の一例を図１と図２を
用いて説明する。図１は本実施形態のランガサイト単結
晶作製に使用される炉の断面図である。この炉は、ラン
ガサイト種結晶とランガサイト原料とを充填する単結晶
育成用白金るつぼ１と、断熱材２と、加熱を行う高周波
ワークコイル３と、可動用ロッド４が設けられたるつぼ
受け５とから概略構成されている。

【００１０】本発明で使用される炉は、垂直方向にラン
ガサイト単結晶の育成が可能な温度勾配をつけることが
可能で、単結晶育成用白金るつぼ１を垂直に移動させる
ことができれば、特に制限はなく、公知の炉を使用する
ことができる。また、炉の加熱方法も温度勾配をつける
ことができれば、特に制限はない。単結晶育成用白金る
つぼ１には、白金箔製ゴミ落下防止用蓋７がかぶせられ
ている。また、炉内ではるつぼ受け５の上に載せられて
いる。このとき、単結晶育成用白金るつぼ１を保護する
ために硬質のチューブ８を用いてもよい。るつぼ受け５
には可動用ロッド４が設けられており、ロッド４を上下
させることにより単結晶育成用白金るつぼ１を炉内で上
下させることができる。

【００１１】本発明におけるランガサイト原料Ｇは、以
下のように作製される。まず、酸化ランタン（Ｌａ
₂Ｏ₃）と酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）とシリカ（Ｓｉ
Ｏ₂）を混合して、この混合物をるつぼに充填し、るつ
ぼを加熱して焼成する。このときの温度は１１００〜１
３００℃であることが好ましい。この温度範囲であるこ
とにより、Ｇａ₂Ｏ₃がＧａＯに変化して気化することを
防止することができる。

【００１２】冷却した後、これを粉砕し合成粉末とし、
この合成粉末を原料作製用白金るつぼ１が全容積満たさ
れるように充填する。これを加熱することで上記酸化物
を融解し、さらに原料作製用白金るつぼ内で融液の対流
の起こる熱環境にする。冷却後、粉体の隙間にあった空
気がなくなり、原料作製用白金るつぼ上部には空間を有
している。ここに再び前記合成粉末を充填し、加熱す
る。これを数回繰り返して、るつぼ内部を満たした後、
るつぼを剥がして、得られた円柱状固形物をランガサイ
ト原料Ｇとして用いる。このようなランガサイト原料を
使用することで、原料全体が均一な組成となり、原料か
ら発生するかけらがないので、多結晶が発生することが
ない。なお、原料作製用白金るつぼは単結晶育成用白金
るつぼよりもランガサイト種結晶の分の高さだけ短くな
っている。これにより、ランガサイト原料Ｇとランガサ
イト種結晶Ｓとの体積と、単結晶作製用白金るつぼ１の
容積とが同じになるため、長尺の単結晶を作製すること
ができる。

【００１３】炉の温度は図２に示されるように、炉の上
方はランガサイトの融点以上に上げ、炉の下方になるに
従い温度を下げ、単結晶を育成するのに必要な温度勾配
がつくられている。なお、炉内のガス雰囲気は、酸素と
不活性ガスとを含む混合ガスのガス雰囲気であり、かつ
酸素濃度が２〜４体積％であることが好ましい。このガ
ス雰囲気の条件により、揮発性の高いＧａの飛散を抑制
することができる。さらに、ランガサイト種結晶Ｓの育
成開始前の昇温速度は１００℃／ｈｒ以下であることが
好ましい。昇温速度を１００℃以下にすることにより、
ランガサイト種結晶Ｓの熱歪みによるクラックを抑制す
ることができる。

【００１４】ランガサイト種結晶Ｓを作製するためのシ
ーディングは、ランガサイト種結晶Ｓ上部とランガサイ
ト原料Ｇとを融解させて安定した固液界面を形成させる
ことにより行われるが、その固液界面の温度およびその
温度での保持時間がシーディングにおいて重要な要素と
なる。これは、ランガサイト種結晶Ｓの表面近傍に、加
工時に形成された破砕層を有しており、この粉砕層を融
解させておく必要があるためである。また、ランガサイ
ト種結晶が全て融解してしまう前に、固液界面を形成さ
せておく必要があるためでもある。

【００１５】上記の要件を満足させるために、単結晶育
成用白金るつぼ１をランガサイト種結晶Ｓとランガサイ
ト原料Ｇとの界面Ｐの温度Ｔが１４９６〜１５１６℃に
なるような位置にセットする。さらに温度Ｔは１５０２
〜１５１０℃であることが好ましい。その温度で規定時
間保持し、ランガサイト種結晶Ｓの上部とランガサイト
原料Ｇとを融解させ、シーディングを行う。ランガサイ
ト種結晶Ｓは、結晶育成の核となるものであり、ランガ
サイト種結晶Ｓはランガサイト原料Ｇと一体化させるた
めに一部を融解させるが、全部を融解させないようにし
なければならない。なお、前記ランガサイト種結晶Ｓと
前記ランガサイト原料Ｇとの界面の温度を、前記界面と
同一平面上、かつ単結晶育成用白金るつぼ１外側近傍の
位置に設置した熱電対により測定することが好ましい。
これにより、ランガサイト種結晶Ｓとランガサイト原料
Ｇとの界面の温度を、高精度に測定することができる。

【００１６】シーディングが終了した後、単結晶育成用
白金るつぼ１を徐々に降下させ、温度勾配を通過させ
る。このようにして、ランガサイト種結晶Ｓの結晶方位
に従い原料を冷却固化させることにより、ランガサイト
単結晶Ｃが作製される。なお、結晶育成後は、急激な降
温を行わない方が好ましい。急激な降温を行うと、単結
晶にストレスが生じるため、クラックが発生する場合が
ある。

【００１７】このように、本実施形態のランガサイト単
結晶作製方法では、ランガサイトの融点１５００℃に対
してランガサイト種結晶Ｓとランガサイト原料Ｇとの界
面の温度Ｔを１４９６〜１５１６℃にして溶融を行うの
で、ランガサイト種結晶Ｓの上部数ミリほどの部分とラ
ンガサイト原料Ｇとが融解し、ランガサイト原料Ｇとラ
ンガサイト種結晶Ｓとを一体にすることができる。な
お、ランガサイト種結晶Ｓとランガサイト原料Ｇとの界
面の温度Ｔが１５１６℃を超えると、ランガサイト種結
晶Ｓの底面まで融解するので好ましくない。

【００１８】また、ランガサイト種結晶Ｓの上部とラン
ガサイト原料Ｇの融解は、１時間以上保持するのが好ま
しい。この時間保持することにより、ランガサイト種結
晶Ｓとランガサイト原料Ｇとの固液界面を安定化させる
ことができるので、品質の高い単結晶を作製することが
できる。また、４〜６時間保持することはさらに好まし
い。すなわち、４時間以上保持すれば、おおむねシーデ
ィングに関する反応は進行しており、６時間以下でおお
むね反応は終了している。したがって、４〜６時間保持
することにより、生産性を低下させずに、安定なシーデ
ィングが行える。

【００１９】

【実施例】［実施例１］以下、本発明のランガサイト単
結晶Ｃの作製方法の実施例について説明する。まず、化
学量論比でＬａ₂Ｏ₃が３０ｍｏｌ％、Ｇａ₂Ｏ₃が５０ｍ
ｏｌ％、ＳｉＯ₂が２０ｍｏｌ％になるよう各酸化物を
天秤した。これらを、混合機によって十分に混合した
後、この混合粉末を１１００〜１３００℃で５時間焼成
した。この粉末の粉末Ｘ線回折を測定した結果を図３に
示す。ランガサイト結晶（２０１）面２１のピークの他
に、ランタンガリウム結晶２２およびランタンシリゲイ
ド結晶２３と思われるピークが見られた。この粉末を、
厚さ０．１５ｍｍ、内径５２ｍｍ、高さ１７０ｍｍの原
料作製用白金るつぼに全容積充填し、１４８０〜１５５
０℃の温度で５時間保持して融解を行った。融解を行う
炉内には、不活性ガスであるアルゴンに対して体積比２
〜４％の比率で酸素を混合して炉内に流した。

【００２０】炉内では原料作製用白金るつぼの底部分を
多孔質のアルミナ炉材で保温した。そのため、融液中の
原料作製用白金るつぼ底の温度が上がり、融液内部で自
然対流現象が起こった。融解後、冷却すると粉末の隙間
にあった空気がなくなるので、原料作製用白金るつぼ上
部に空間が生じた。この空間に再度ランガサイト紛を全
容積充填し、前回と同様な条件で加熱融解を行った。こ
の作業を３回程繰り返した後に原料作製用白金るつぼを
剥がした。このようにして、単結晶育成用白金るつぼ１
に完全充填可能で、高密度なランガサイト原料Ｇを作製
した。

【００２１】ランガサイト単結晶を育成するために、厚
さ０．１５ｍｍ、内径５２ｍｍ、高さ２００ｍｍの単結
晶作製用白金るつぼ１に高さ３０ｍｍのランガサイト種
結晶Ｓを挿入した。その上にランガサイト原料Ｇを置
き、単結晶作製用白金るつぼ１の上に白金箔でできたご
み落下防止用の蓋７をかぶせた。次に、このランガサイ
ト種結晶Ｓとランガサイト原料Ｇとが入った単結晶育成
用白金るつぼ１を、多孔質アルミナ製のるつぼ受け５の
上に置いた。単結晶育成用白金るつぼ１の厚さは薄いた
め、単結晶育成用白金るつぼ１の周りには硬質のアルミ
ナチューブ８をかぶせて保護した。このアルミナチュー
ブ８の一箇所には穴を開けておき、そこから熱電対６を
挿入して、熱電対６の接点を単結晶育成用白金るつぼ１
に接触させた。その熱電対接触点はランガサイト種結晶
Ｓとランガサイト原料Ｇと同一平面上かつ単結晶育成用
白金るつぼ１近傍に位置するようにした。

【００２２】この白金るつぼを、炉内の最下部にセット
した後、不活性ガスであるアルゴンに対して体積比２〜
４％の比率にて酸素を混合して炉内に流した。炉のヒー
タは高温加熱可能とするスーパーカンタル製で上、中、
下段の３ゾーンヒータを独立に制御することが可能であ
り、各ヒータの長さは２００ｍｍであった。上段ヒータ
の温度を１５５０℃、中段ヒータの温度を１５００℃、
下段ヒータの温度を１４５０℃の温度幅で設定し、昇温
を行った。昇温が終了して炉内の温度が安定した後、単
結晶育成用白金るつぼ１を緩やかな速度にて上昇させ
た。炉内には上下方向に温度勾配がつくられているの
で、炉の上部に移動するに従って、るつぼ内の温度が上
昇し、原料が融解してランガサイト融液が形成した。

【００２３】融液が形成した単結晶育成用白金るつぼ１
の位置付近で、熱電対接触点の位置の温度をモニターし
ながら、単結晶育成用白金るつぼ１の位置を数ｍｍ上昇
させ、温度を安定させた。その工程を繰り返して、温度
が安定した状態で１４９６〜１５１６℃の範囲になるよ
う単結晶育成用白金るつぼ１を上昇させた。数時間の保
持を行った後、０．５ｍｍ／ｈで、単結晶育成用白金る
つぼ１を降下させて育成を開始した。降下距離は２２０
ｍｍであり、約１８日間で育成が終了した。育成終了
後、単結晶育成用白金るつぼ１を剥がしてランガサイト
単結晶Ｃのインゴットを取り出した。インゴットの長さ
は１７０ｍｍであった。

【００２４】［比較例１］本実施例以外の育成用原料を
使用して育成を行ったので表１に例示する。まず、ラン
ガサイトを構成するＬａ₂Ｏ₃（３０ｍｏｌ／％）、Ｇａ
₂Ｏ₃（５０ｍｏｌ／％）、ＳｉＯ₂（２０ｍｏｌ／％）
の粉末を天秤した。これらを混合し、その混合紛末をラ
ンガサイト種結晶Ｓを充填した単結晶育成用白金るつぼ
１内に、完全充填した。実施例１と同じ育成条件で育成
を行ったところ、育成後のインゴットはランガサイト以
外に成分元素の酸化物、ランタンガリウム、ランタンシ
リゲイドが検出された。このような結果は、融液の対流
がないため、各成分同士での反応が起こりにくかったの
が原因である。また、粉体１粒子あたりの密度も低い為
に、単結晶育成用白金るつぼ１に密に充填ができず、育
成後のインゴットの長さは、白金るつぼの長さの半分以
下の７０ｍｍであった。

【００２５】［比較例２］ランガサイトを構成する酸化
物の粉末を混合して仮焼した。これを粉砕して、合成粉
末を作製し、それを育成用白金るつぼに充填した。この
方法により育成を行ったところ、大部分がランガサイト
の組成の多結晶であり、一部にランタンガリウム、ラン
タンシリゲイドの異相も現われた。この結果も、融液の
対流が無いため、合成粉末に残ったランタンガリウム、
ランタンシリゲイド粉末の未反応成分が残ったためであ
る。また、比較例１よりも粒子の密度が大きい為、育成
用るつぼへの充填率も高く、長尺な結晶な結晶とはなっ
たが、まだ、るつぼが使用されていない部分が多く、実
施例１と比較するとインゴットの長さは短く、８０ｍｍ
であった。

【００２６】［比較例３］比較例２の合成粉末をプレス
して、ペレットを作製後、燒結させた。これをランガサ
イト原料として単結晶育成用白金るつぼ１に完全充填し
た。このようにすると、ランガサイト粉末とランガサイ
ト種結晶とがシーディングされた部分があり、種結晶と
同方位で成長した部分があったが、一部は別の方位で成
長する多結晶も現われた。また、ランタンガリウム、ラ
ンタンシリゲイドによる異相も結晶の一部に確認され
た。この結果は、ランガサイト原料を単結晶育成用白金
るつぼ１に充填するとき、ランガサイト粒子がランガサ
イト種結晶と単結晶育成用白金るつぼ１との隙間に入り
こみ、その粒子が不正核となり方位にそれぞれの結晶が
成長したためである。また、融液の対流が無いため、ペ
レット内にあるランタンガリウム、ランタンシリゲイド
による異相が発生した。比較例３のランガサイト単結晶
インゴットの長さは比較例２よりも長くはなったが、ま
だ単結晶育成用白金るつぼ１が使用されてない部分が多
く、実施例１よりもインゴットの長さは短く、１１０ｍ
ｍであった。

【００２７】

【表１】

【００２８】

【発明の効果】本発明に係るランガサイト単結晶の作製
方法およびランガサイト単結晶によれば、ランガサイト
原料が、白金るつぼにランガサイト粉を充填し、融解し
た後に、固化して造られる方法であるため、二次結晶相
がないランガサイト単結晶を長尺で高品質に作製するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るランガサイト単結晶の作製方法
の一実施形態で用いる炉を示す断面図である。

【図２】本発明に係るランガサイト単結晶の作製方法
の一実施形態で用いる炉の温度勾配を示すグラフであ
る。

【図３】本発明に係るランガサイト単結晶の作製方法
の一実施形態で用いるランガサイト粉の粉末Ｘ線回折を
示す図である。

【図４】従来のランガサイト単結晶の作製方法を行う
ための炉の一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１．単結晶育成用白金るつぼＧ．ランガサイト原料Ｓ．ランガサイト種結晶Ｃ．ランガサイト単結晶

フロントページの続き (72)発明者干川圭吾長野県長野市西長野６の口信州大学教育学部構内Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BD15 CE02 EA06 EC02 HA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ランガサイト種結晶を単結晶育成用白金
るつぼの下部に充填し、かつ前記ランガサイト種結晶の
上にランガサイト原料を充填して、前記ランガサイト種
結晶と前記ランガサイト原料とを垂直方向に温度勾配を
有する垂直な炉内で溶融させた後、前記単結晶育成用白
金るつぼを垂直に移動させてランガサイト単結晶を育成
するランガサイト単結晶の作製方法であって、前記ランガサイト原料は、原料作製用白金るつぼにラン
ガサイト粉を充填し、融解した後に、固化したものであ
ることを特徴とするランガサイト単結晶の製造方法。
【請求項２】前記ランガサイト粉は、酸化ランタンと
酸化ガリウムとシリカとを混合し、１１００〜１３００
℃で焼成した後に、粉砕したものであることを特徴とす
る請求項１に記載のランガサイト単結晶の作製方法。
【請求項３】前記融解が、不活性ガスと、該不活性ガ
スに対して２〜４体積％の酸素とを混合した雰囲気中で
行われることを特徴とする請求項１または２に記載のラ
ンガサイト単結晶の作製方法。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のランガ
サイト単結晶の作製方法により作製されたことを特徴と
するランガサイト単結晶。