JP2000313698A - ランガサイト型結晶の処理方法 - Google Patents
ランガサイト型結晶の処理方法Info
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光透過性の良好なランガサイト型結晶の処理
方法を提供する。 【解決手段】 チョクラルスキ−法により作製されたラ
ンガサイト型結晶７をアルゴン雰囲気中で、熱処理温度
を８００℃以上、熱処理時間を２時間以上で行う。
方法を提供する。 【解決手段】 チョクラルスキ−法により作製されたラ
ンガサイト型結晶７をアルゴン雰囲気中で、熱処理温度
を８００℃以上、熱処理時間を２時間以上で行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電性の光学材料
に関し、特にランガサイト型結晶の処理方法に関する。
に関し、特にランガサイト型結晶の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14に代表されるランガ
サイト型結晶は、電気機械結合係数が大きく、温度安定
性に優れ、結晶作製が容易であり、この結晶の加工性に
優れる等から新しい圧電材料として注目され始めてい
る。その用途としては、フィルタや発振器、振動子とい
った通信機器用の電子部品のみならずレーザ素子を始め
とする光学素子等にも拡大が期待されている。
サイト型結晶は、電気機械結合係数が大きく、温度安定
性に優れ、結晶作製が容易であり、この結晶の加工性に
優れる等から新しい圧電材料として注目され始めてい
る。その用途としては、フィルタや発振器、振動子とい
った通信機器用の電子部品のみならずレーザ素子を始め
とする光学素子等にも拡大が期待されている。
【０００３】その他のランガサイト型結晶としてＬａ3
Ｎｂ0.5Ｇａ5.5 Ｏ14やＬａ3Ｔａ0.5 Ｇａ5.5Ｏ14といっ
た新材料も見出されている。これらＬａ3Ｎｂ0.5Ｇａ
5.5Ｏ1 4やＬａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14はＬａ3Ｇａ5ＳｉＯ
14と同様に優れた圧電特性を示し、かつ、結晶の作製が
容易で加工性も良く、将来の圧電材料として有望視され
ている。これらの中でも特に、Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ
14は、結晶の作製が容易なことから大型の結晶が得やす
く、大量生産に適したランガサイト型圧電結晶材料とし
て最も有望視されている。
Ｎｂ0.5Ｇａ5.5 Ｏ14やＬａ3Ｔａ0.5 Ｇａ5.5Ｏ14といっ
た新材料も見出されている。これらＬａ3Ｎｂ0.5Ｇａ
5.5Ｏ1 4やＬａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14はＬａ3Ｇａ5ＳｉＯ
14と同様に優れた圧電特性を示し、かつ、結晶の作製が
容易で加工性も良く、将来の圧電材料として有望視され
ている。これらの中でも特に、Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ
14は、結晶の作製が容易なことから大型の結晶が得やす
く、大量生産に適したランガサイト型圧電結晶材料とし
て最も有望視されている。
【０００４】これらのランガサイト型結晶は、Ｌａ、Ｇ
ａ、Ｔａ等を含む融液を用い、酸素雰囲気中で、結晶を
引き上げるチョクラルスキー法によって作製される。Ｌ
ａ3Ｇａ5ＳｉＯ14、Ｌａ3 Ｎｂ0.5Ｇａ5.5Ｏ14及びＬａ
3Ｔａ0.5Ｇａ5.5 Ｏ 14結晶の作製においては、これらの
結晶の引き上げ速度、結晶回転数、融液の温度勾配、融
液組成、融液を収納するるつぼの材質、結晶育成中の雰
囲気ガスなどのパラメータの最適化が行われている。
ａ、Ｔａ等を含む融液を用い、酸素雰囲気中で、結晶を
引き上げるチョクラルスキー法によって作製される。Ｌ
ａ3Ｇａ5ＳｉＯ14、Ｌａ3 Ｎｂ0.5Ｇａ5.5Ｏ14及びＬａ
3Ｔａ0.5Ｇａ5.5 Ｏ 14結晶の作製においては、これらの
結晶の引き上げ速度、結晶回転数、融液の温度勾配、融
液組成、融液を収納するるつぼの材質、結晶育成中の雰
囲気ガスなどのパラメータの最適化が行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｌａ3
Ｇａ5ＳｉＯ14及びＬａ3Ｎｂ0.5Ｇａ5.5Ｏ14等のランガ
サイト型結晶の作製の際、これらの結晶は、橙色あるい
は赤色に着色するという問題を生じていた。ランガサイ
ト型結晶が着色すると、ランガサイト型結晶の屈折率等
の光学的特性が劣化してしまうので、ランガサイト型結
晶を作製する際には着色しないようにすることが重要で
ある。この着色は、ランガサイト型結晶中に添加した不
純物或いは、これらの結晶作製中に発生した格子欠陥や
転位が原因と考えられている。このことを解決するため
に数％の酸素を含む不活性雰囲気ガス中でランガサイト
型結晶を作製することも考えられた。しかし、波長が４
３０〜５５０ｎｍの範囲の青色波長帯域を吸収し、光学
素子としては不向きであった。
Ｇａ5ＳｉＯ14及びＬａ3Ｎｂ0.5Ｇａ5.5Ｏ14等のランガ
サイト型結晶の作製の際、これらの結晶は、橙色あるい
は赤色に着色するという問題を生じていた。ランガサイ
ト型結晶が着色すると、ランガサイト型結晶の屈折率等
の光学的特性が劣化してしまうので、ランガサイト型結
晶を作製する際には着色しないようにすることが重要で
ある。この着色は、ランガサイト型結晶中に添加した不
純物或いは、これらの結晶作製中に発生した格子欠陥や
転位が原因と考えられている。このことを解決するため
に数％の酸素を含む不活性雰囲気ガス中でランガサイト
型結晶を作製することも考えられた。しかし、波長が４
３０〜５５０ｎｍの範囲の青色波長帯域を吸収し、光学
素子としては不向きであった。
【０００６】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、良好な光透過性が得ら
れるランガサイト型結晶の処理方法を提供することを目
的とする。
解消するためになされたもので、良好な光透過性が得ら
れるランガサイト型結晶の処理方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のランガサイト型
結晶の熱処理方法は、チョクラルスキ−法により作製さ
れたランガサイト型結晶をアルゴン雰囲気中で、熱処理
温度を８００℃以上、熱処理時間を２時間以上で行うこ
とを特徴とする。
結晶の熱処理方法は、チョクラルスキ−法により作製さ
れたランガサイト型結晶をアルゴン雰囲気中で、熱処理
温度を８００℃以上、熱処理時間を２時間以上で行うこ
とを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施形態を説明する。一般的に、ランガサイト型結
晶の作製には、チョクラルスキー炉１を用いたチョクラ
ルスキー法が用いられる。図１は、ランガサイト型結晶
の作製に用いられる高周波誘導加熱型のチョクラルスキ
ー炉の断面図である。まず初めに、チョクラルスキー炉
１の構成について説明する。加熱用の高周波コイル３
は、石英管２の外周囲に設けられ、石英管２の内側に
は、複数の保温筒４に囲まれて、融液６を入れるイリジ
ウム（Ｉｒ）製のるつぼ５が配置されている。高周波コ
イル３の上端部とるつぼ５の上端部の高さは、ほぼ揃え
られている。るつぼ５の大きさは、例えば、作製しよう
とする結晶の径の約倍の大きさの内径を有するものを用
いる。石英管２中央上部には、一定速度で回転しながら
かつ、一定速度で引き上げられる引き上げ棒８が備えら
れている。
の一実施形態を説明する。一般的に、ランガサイト型結
晶の作製には、チョクラルスキー炉１を用いたチョクラ
ルスキー法が用いられる。図１は、ランガサイト型結晶
の作製に用いられる高周波誘導加熱型のチョクラルスキ
ー炉の断面図である。まず初めに、チョクラルスキー炉
１の構成について説明する。加熱用の高周波コイル３
は、石英管２の外周囲に設けられ、石英管２の内側に
は、複数の保温筒４に囲まれて、融液６を入れるイリジ
ウム（Ｉｒ）製のるつぼ５が配置されている。高周波コ
イル３の上端部とるつぼ５の上端部の高さは、ほぼ揃え
られている。るつぼ５の大きさは、例えば、作製しよう
とする結晶の径の約倍の大きさの内径を有するものを用
いる。石英管２中央上部には、一定速度で回転しながら
かつ、一定速度で引き上げられる引き上げ棒８が備えら
れている。
【０００９】次に、このチョクラルスキー炉１を用いた
Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14（以下、ＬＴＧと省略す
る。）結晶７の作製方法について説明する。まず初め
に、融液６を以下のようにして作製する。純度９９．９
９％の酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3 ）、酸化タンタル（Ｔ
ａ2Ｏ5）、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）の粉末をＬＴＧ結
晶７の化学量論組成比の近傍で混合する。更に、この混
合粉末をボールミルを用いて、数日間混合粉砕する。粉
砕後の混合粉末は、みかけ上の体積がかなり増加するた
め、数回に分けてＩｒ製のるつぼ５中に入れ、加熱溶融
して、融液６を作製する。この時の加熱温度は約１５０
０℃とする。
Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14（以下、ＬＴＧと省略す
る。）結晶７の作製方法について説明する。まず初め
に、融液６を以下のようにして作製する。純度９９．９
９％の酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3 ）、酸化タンタル（Ｔ
ａ2Ｏ5）、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）の粉末をＬＴＧ結
晶７の化学量論組成比の近傍で混合する。更に、この混
合粉末をボールミルを用いて、数日間混合粉砕する。粉
砕後の混合粉末は、みかけ上の体積がかなり増加するた
め、数回に分けてＩｒ製のるつぼ５中に入れ、加熱溶融
して、融液６を作製する。この時の加熱温度は約１５０
０℃とする。
【００１０】次に、ＬＴＧの種結晶を引き上げ棒８の下
端に固定し、その先端をるつぼ５内の融液６に浸し、な
じませる。その後、石英管２内に純度９９．９９８％の
不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）に対して１体積％の
酸素（Ｏ2）を混入させた混合ガスを導入する。ここ
で、酸素と共に用いられるガスは、不活性ガスであれば
よいので、アルゴンを窒素（Ｎ2）に変えても良い。更
に、引き上げ棒８を１０ｒｐｍ〜２０ｒｐｍの回転速度
でゆっくり回転させながら、１〜３ｍｍ／ｈの速度で種
結晶を引き上げていく。このいわゆるチョクラルスキー
法を用いた結晶成長方法により、直径約２４ｍｍ、長さ
約１４５ｍｍの大型ＬＴＧ結晶７を作製することができ
る。なお、るつぼ５の材質としてＩｒを用いているが、
一般的に用いられているような白金（Ｐｔ）を用いても
同様である。
端に固定し、その先端をるつぼ５内の融液６に浸し、な
じませる。その後、石英管２内に純度９９．９９８％の
不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）に対して１体積％の
酸素（Ｏ2）を混入させた混合ガスを導入する。ここ
で、酸素と共に用いられるガスは、不活性ガスであれば
よいので、アルゴンを窒素（Ｎ2）に変えても良い。更
に、引き上げ棒８を１０ｒｐｍ〜２０ｒｐｍの回転速度
でゆっくり回転させながら、１〜３ｍｍ／ｈの速度で種
結晶を引き上げていく。このいわゆるチョクラルスキー
法を用いた結晶成長方法により、直径約２４ｍｍ、長さ
約１４５ｍｍの大型ＬＴＧ結晶７を作製することができ
る。なお、るつぼ５の材質としてＩｒを用いているが、
一般的に用いられているような白金（Ｐｔ）を用いても
同様である。
【００１１】次に、このＬＴＧ結晶７を熱処理条件を変
化させて作製した７種類の各試料の光学特性について調
べた。なお、ここでいう熱処理条件とは、雰囲気ガス、
熱処理温度及び熱処理時間である。この各試料の光学特
性は、ＬＴＧ結晶７から厚さ１ｍｍの薄板を切り出し
て、この薄板の両面を鏡面研磨し、吸収スペクトルを測
定することにより求めた。その様子を図２に示す。図２
は、各試料の吸収スペクトルを示す図である。図２中、
横軸は、波長（ｎｍ）、縦軸は、吸光度である。波長４
３０ｎｍでの吸光度が０．１３以下であれば、実用上問
題のないことが発明者によって確認されているため、波
長４３０ｎｍでの各試料の吸光度に着目し、その結果を
表１に示す。表１は、各試料の熱処理条件を変化した際
の波長４３０ｎｍでの吸光度及び光透過性を示す表であ
る。
化させて作製した７種類の各試料の光学特性について調
べた。なお、ここでいう熱処理条件とは、雰囲気ガス、
熱処理温度及び熱処理時間である。この各試料の光学特
性は、ＬＴＧ結晶７から厚さ１ｍｍの薄板を切り出し
て、この薄板の両面を鏡面研磨し、吸収スペクトルを測
定することにより求めた。その様子を図２に示す。図２
は、各試料の吸収スペクトルを示す図である。図２中、
横軸は、波長（ｎｍ）、縦軸は、吸光度である。波長４
３０ｎｍでの吸光度が０．１３以下であれば、実用上問
題のないことが発明者によって確認されているため、波
長４３０ｎｍでの各試料の吸光度に着目し、その結果を
表１に示す。表１は、各試料の熱処理条件を変化した際
の波長４３０ｎｍでの吸光度及び光透過性を示す表であ
る。
【００１２】
【表１】
【００１３】図２に示すように、ＬＴＧ結晶７から切り
出された薄板に異なる７種類の熱処理条件で熱処理を行
った各試料の吸収スペクトルは、波長５５０ｎｍ〜７０
０ｎｍの範囲でフラットな傾向を示しているが、波長４
３０ｎｍ近傍の吸光度に大きな差が見られる。また、表
１に示すように、何も処理をしない試料の吸光度は、
０．１６であり、光透過性は、悪かった。アルゴン雰囲
気中で、熱処理温度を１４００℃、熱処理時間を２時間
行った試料の吸光度は、０．１２であり、光透過性
は、良好であった。空気中で、熱処理温度を１４００
℃、熱処理時間を２時間行った試料は、吸光度は、
０．２０であり、光透過性は、悪かった。
出された薄板に異なる７種類の熱処理条件で熱処理を行
った各試料の吸収スペクトルは、波長５５０ｎｍ〜７０
０ｎｍの範囲でフラットな傾向を示しているが、波長４
３０ｎｍ近傍の吸光度に大きな差が見られる。また、表
１に示すように、何も処理をしない試料の吸光度は、
０．１６であり、光透過性は、悪かった。アルゴン雰囲
気中で、熱処理温度を１４００℃、熱処理時間を２時間
行った試料の吸光度は、０．１２であり、光透過性
は、良好であった。空気中で、熱処理温度を１４００
℃、熱処理時間を２時間行った試料は、吸光度は、
０．２０であり、光透過性は、悪かった。
【００１４】アルゴン雰囲気中で、熱処理温度を５００
℃、熱処理時間を２時間行った試料の吸光度は、０．
１６であり、光透過性は、悪かった。アルゴン雰囲気中
で、熱処理温度を８００℃、熱処理時間を２時間行った
試料の吸光度は、０．１３であり、光透過性は、良好
であった。アルゴン雰囲気中で、熱処理温度を１４００
℃、熱処理時間を０．５時間行った試料の吸光度は、
０．１５であり、光透過性は、悪かった。アルゴン雰囲
気中で、熱処理温度を１４００℃、熱処理時間を２４時
間行った試料の吸光度は、０．１１であり、光透過性
は、良好であった。なお、ＬＴＧ結晶７の融点が略１５
００℃であるので、熱処理温度を１５００℃以上にする
と、ＬＴＧ結晶７が溶けてしまう。このため、熱処理温
度の上限は、１５００℃である。
℃、熱処理時間を２時間行った試料の吸光度は、０．
１６であり、光透過性は、悪かった。アルゴン雰囲気中
で、熱処理温度を８００℃、熱処理時間を２時間行った
試料の吸光度は、０．１３であり、光透過性は、良好
であった。アルゴン雰囲気中で、熱処理温度を１４００
℃、熱処理時間を０．５時間行った試料の吸光度は、
０．１５であり、光透過性は、悪かった。アルゴン雰囲
気中で、熱処理温度を１４００℃、熱処理時間を２４時
間行った試料の吸光度は、０．１１であり、光透過性
は、良好であった。なお、ＬＴＧ結晶７の融点が略１５
００℃であるので、熱処理温度を１５００℃以上にする
と、ＬＴＧ結晶７が溶けてしまう。このため、熱処理温
度の上限は、１５００℃である。
【００１５】このように、チョクラルスキー法により作
製されたＬＴＧ結晶７をアルゴン雰囲気中、熱処理温度
を８００℃以上、熱処理時間を２時間以上行うことによ
り、吸光度が０．１３以下の光透過性に優れた光学素子
を得ることができる。また、Ｌａ3Ｎｂ0.5Ｇａ5.5 Ｏ14
やＬａ3Ｔａ0.5 Ｇａ5.5Ｏ14といった材料にも同様の効
果が得られる。本発明について、実施の形態に沿って説
明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
製されたＬＴＧ結晶７をアルゴン雰囲気中、熱処理温度
を８００℃以上、熱処理時間を２時間以上行うことによ
り、吸光度が０．１３以下の光透過性に優れた光学素子
を得ることができる。また、Ｌａ3Ｎｂ0.5Ｇａ5.5 Ｏ14
やＬａ3Ｔａ0.5 Ｇａ5.5Ｏ14といった材料にも同様の効
果が得られる。本発明について、実施の形態に沿って説
明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１６】
【発明の効果】本発明のランガサイト型結晶の作製方法
によれば、チョクラルスキ−法により作製されたランガ
サイト型結晶をアルゴン雰囲気中で、熱処理温度を８０
０℃以上、熱処理時間を２時間以上行うので、吸光度が
０．１３以下の光透過性に優れた光学素子を得ることが
できる。
によれば、チョクラルスキ−法により作製されたランガ
サイト型結晶をアルゴン雰囲気中で、熱処理温度を８０
０℃以上、熱処理時間を２時間以上行うので、吸光度が
０．１３以下の光透過性に優れた光学素子を得ることが
できる。
【図１】ランガサイト型結晶の作製に用いられるチョク
ラルスキー炉を示す断面図である。
ラルスキー炉を示す断面図である。
【図２】各試料の吸収スペクトルを示す図である。
１…チョクラルスキ−炉、２…石英管、３…高周波コイ
ル、４…保温筒、５…るつぼ、６…融液、７…ＬＴＧ結
晶（ランガサイト型結晶）、８…引上げ棒
ル、４…保温筒、５…るつぼ、６…融液、７…ＬＴＧ結
晶（ランガサイト型結晶）、８…引上げ棒
Claims (1)
- 【請求項１】チョクラルスキ−法により作製されたラン
ガサイト型結晶をアルゴン雰囲気中で、熱処理温度を８
００℃以上、熱処理時間を２時間以上で行うことを特徴
とするランガサイト型結晶の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11119583A JP2000313698A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | ランガサイト型結晶の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002234798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
| JP2010228995A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Citizen Holdings Co Ltd | ランガテイト系単結晶の熱処理方法 |
| CN113930841A (zh) * | 2016-04-21 | 2022-01-14 | 国立大学法人信州大学 | 氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法 |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP11119583A patent/JP2000313698A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002234798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
| JP2010228995A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Citizen Holdings Co Ltd | ランガテイト系単結晶の熱処理方法 |
| CN113930841A (zh) * | 2016-04-21 | 2022-01-14 | 国立大学法人信州大学 | 氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法 |
| CN113930841B (zh) * | 2016-04-21 | 2023-10-13 | 国立大学法人信州大学 | 氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法 |
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