JPH11312929A - 増幅回路のバイアス補償回路 - Google Patents

増幅回路のバイアス補償回路

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JPH11312929A
JPH11312929A JP10119027A JP11902798A JPH11312929A JP H11312929 A JPH11312929 A JP H11312929A JP 10119027 A JP10119027 A JP 10119027A JP 11902798 A JP11902798 A JP 11902798A JP H11312929 A JPH11312929 A JP H11312929A
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JP
Japan
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transistor
circuit
current
transistors
collector
Prior art date
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Application number
JP10119027A
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English (en)
Inventor
Hisashi Tokuda
尚志 徳田
Toshiki Sakamoto
稔樹 坂元
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Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 入力信号電圧Vin,電源Vccの変動があ
っても常時入力バイアス電流を補償することができる増
幅回路のバイアス補償回路を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 第1のカレントミラー回路を構成するト
ランジスタQA1,QA2のエミッタ電位を差動回路の
他方のトランジスタQ4のベース電位を基準として第2
のトランジスタQA6で設定するため、電源及び入力信
号の変動に対して差動回路の一方のトランジスタQ3の
動作点と第1のトランジスタQA3の動作点とが同様に
変化して互いに差異を生ずることがなく、また、第1の
カレントミラー回路を構成するトランジスタQA2のコ
レクタ・エミッタ間電圧が入力信号の変動の影響を受け
ることを防止でき、常時入力バイアス電流を補償するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は増幅回路のバイアス
補償回路に関し、増幅回路の入力バイアス電流を補償す
る増幅回路のバイアス補償回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より増幅回路で信号が歪まないよう
に増幅回路の入力バイアス電流を補償することが行われ
ている。図3は従来の増幅回路のバイアス補償回路の一
例の回路図を示す。同図中、pnpトランジスタQ1,
Q2は共通接続されたベースをトランジスタQ1のコレ
クタに接続され、それぞれのエミッタを電源Vccに接
続されてカレントミラー回路を構成している。トランジ
スタQ1,Q2はそれぞれのコレクタをnpnトランジ
スタQ3,Q4のコレクタに接続されて、トランジスタ
Q3,Q4の電流源として動作する。トランジスタQ
3,Q4はエミッタを共通接続され定電流源10を通じ
て接地されており、トランジスタQ3のベースに端子1
1より入力信号が供給され、トランジスタQ4のベース
に端子12より基準電圧V1が供給され、トランジスタ
Q3,Q4で差動増幅回路が構成されている。このトラ
ンジスタQ4のコレクタから端子13を介して信号が出
力される。
【0003】また、ベースの面積比が2:1のpnpト
ランジスタQA1,QA2は共通接続されたベースをト
ランジスタQA1のコレクタに接続され、それぞれのエ
ミッタを電源Vccに接続されてカレントミラー回路を
構成しており、トランジスタQA1,QA2それぞれは
コレクタをnpnトランジスタQA3,Q3のベースに
接続されている。トランジスタQA3のコレクタは電源
Vccに接続され、エミッタは定電流源14を通じて接
地されている。上記のトランジスタQA1〜QA3及び
定電流源14でバイアス補償回路が構成され、トランジ
スタQ3のベースに流入する電流をトランジスタQA2
のコレクタから供給している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図3に示す従来回路
で、トランジスタQ3,Q4の差動回路がバランスして
動作しているとき、入力バイアス電流つまりトランジス
タQ3のベース電流Ibq3は次式で表される。但し、
I2は定電流源10の流す電流、Hfeq3はトランジ
スタQ3の電流増幅率である。
【0005】 Ibq3=I2/(2・Hfeq3) …(1) ここで、トランジスタQA2のコレクタ電流Icqa2
は電流Ibq3と同一に設定するため、トランジスタQ
A3の電流増幅率をHfeqa3、トランジスタQA2
のコレクタ電流をIcqa2、トランジスタQA3のベ
ース電流をIbqa3として、次の関係となる。
【0006】 Ibq3=I1/Hfeqa3 …(2) Icqa2=Ibqa3/2 …(3) (2),(3)式から Icqa2=I1/(2・Hfeqa3) …(4) 定電流源14の流す電流I1をI1=I2、Hfeq3
=Hfeqa3とする。
【0007】 Icqa2=I2/(2・Hfeq3) …(5) これから、 Icqa2=Ibq3 …(6) となる。ところが、入力信号の電圧をVin、各トラン
ジスタQA1,QA2,Q1,Q3のベース・エミッタ
間電圧降下をVbeqa1,Vbeqa2,Vbeq
1,Vbeq3としたとき、トランジスタQA3,Q
3,QA2それぞれのコレクタ・エミッタ間電圧Vce
qa3,Vceq3,Vceqa2は次のようになる。
【0008】 Vceqa3=Vbeqa1+Vbeqa2 …(7) Vceq3=Vcc−Vbeq1−(Vin−Vbeq3) …(8) Vceqa2=Vcc−Vin …(9) この(7),(8)式から入力信号電圧Vinの変動に
よりトランジスタQA3とQ3の動作点が異なり(6)
式が成立しなくなる。また、(9)式から入力信号電圧
Vin,電源Vccの変動によりトランジスタQA2の
コレクタ・エミッタ間電圧が大きくなるとコレクタ電流
が増加するアリー効果のために(6)式が成立しなくな
るという問題があった。
【0009】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
入力信号電圧Vin,電源Vccの変動があっても常時
入力バイアス電流を補償することができる増幅回路のバ
イアス補償回路を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、増幅回路を構成する差動回路の一方のトランジスタ
のベースに入力される電流と同量のベース電流を流す第
1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのベース
電流と同量の電流を前記差動回路の一方のトランジスタ
のベースに供給する第1のカレントミラー回路とを有
し、入力バイアスを補償する増幅回路のバイアス補償回
路において、前記第1のカレントミラー回路を構成する
トランジスタのエミッタ電位を前記差動回路の他方のト
ランジスタのベース電位を基準として設定する第2のト
ランジスタを有する。
【0011】このように、第1のカレントミラー回路を
構成するトランジスタのエミッタ電位を差動回路の他方
のトランジスタのベース電位を基準として設定するた
め、電源及び入力信号の変動に対して差動回路の一方の
トランジスタの動作点と第1のトランジスタの動作点と
が同様に変化して互いに差異を生ずることがなく、ま
た、第1のカレントミラー回路を構成するトランジスタ
のコレクタ・エミッタ間電圧が入力信号の変動の影響を
受けることを防止でき、常時入力バイアス電流を補償す
ることができる。
【0012】請求項2に記載の発明は、請求項1記載の
増幅回路のバイアス補償回路において、前記第1のトラ
ンジスタに電源を供給するダイオード接続された第3の
トランジスタを有する。このように、第1のトランジス
タに電源を供給するダイオード接続された第3のトラン
ジスタを設けることにより、差動回路の一方のトランジ
スタの動作点と第1のトランジスタの動作点とを同一に
することができる。
【0013】請求項3に記載の発明は、請求項1記載の
増幅回路のバイアス補償回路において、前記第3のトラ
ンジスタと共に第2のカレントミラー回路を構成し、前
記第1のカレントミラー回路に電源を供給する第4のト
ランジスタを有する。このように、第1のカレントミラ
ー回路に電源を供給する第4のトランジスタと第3のト
ランジスタとで第2のカレントミラー回路を構成するこ
とにより、素子数を少なくして回路構成を簡単にするこ
とができる。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は本発明の増幅回路のバイア
ス補償回路の第1実施例の回路図を示す。同図中、図3
と同一部分には同一符号を付す。図1において、pnp
トランジスタQ1,Q2は共通接続されたベースをトラ
ンジスタQ1のコレクタに接続され、それぞれのエミッ
タを電源Vccに接続されてカレントミラー回路を構成
している。トランジスタQ1,Q2はそれぞれのコレク
タをnpnトランジスタQ3,Q4のコレクタに接続さ
れて、トランジスタQ3,Q4の電流源として動作す
る。トランジスタQ3,Q4はエミッタを共通接続され
定電流源10を通じて接地されており、トランジスタQ
3のベースに端子11より入力信号が供給され、トラン
ジスタQ4のベースに端子12より基準電圧V1が供給
され、トランジスタQ3,Q4で差動増幅回路が構成さ
れている。このトランジスタQ4のコレクタから端子1
3を介して信号が出力される。
【0015】また、ベースの面積比が2:1のpnpト
ランジスタQA1,QA2は共通接続されたベースをト
ランジスタQA1のコレクタに接続され、それぞれのエ
ミッタをpnpトランジスタQA5のコレクタ及びpn
pトランジスタQA6のエミッタに接続されて第1のカ
レントミラー回路を構成しており、トランジスタQA
1,QA2それぞれはコレクタをnpnトランジスタQ
A3,Q3のベースに接続されている。第1のトランジ
スタQA3のコレクタはpnpトランジスタQA4のコ
レクタに接続され、エミッタは定電流源14を通じて接
地されている。
【0016】第3のトランジスタQA4,第4のトラン
ジスタQA5は共通接続されたベースをトランジスタQ
A3のコレクタに接続され、それぞれのエミッタを電源
Vccに接続されて第2のカレントミラー回路を構成し
ている。第2のトランジスタQA6はベースを基準電圧
V1が供給される端子12に接続され、コレクタを接地
されている。上記のトランジスタQA1〜QA6及び定
電流源14でバイアス補償回路が構成され、トランジス
タQ3のベースに流入する電流をトランジスタQA2の
コレクタから供給している。
【0017】上記のトランジスタQA4はトランジスタ
Q3とQA3の動作点を同一にするために設けられ、ト
ランジスタQA6はトランジスタQA2のコレクタ・エ
ミッタ間電圧を一定にするために設けられ、トランジス
タQA5はトランジスタQA1,QA2のカレントミラ
ー回路の電流源として設けられ、トランジスタQA4と
QA5をカレントミラー構成とすることによりトランジ
スタQA5のコレクタ電流の設定が不要となり、素子数
を削減できる。
【0018】ここで、入力信号の電圧をVin、各トラ
ンジスタQ1,Q3,Q4,QA1,QA3,QA6の
ベース・エミッタ間電圧降下をVbeq1,Vbeq
3,Vbeq4,Vbeqa1,Vbeqa3,Vbe
qa6としたとき、トランジスタQA3,Q3それぞれ
のコレクタ・エミッタ間電圧Vceqa3,Vceq3
は次のようになる。
【0019】 Vceqa3=Vcc−Vbeq4 −(Vin+Vbeqa6−Vbeqa1−Vbeqa3) …(10) Vceq3=Vcc−Vbeq1−(Vin−Vbeq3) …(8) なお、(10)式の右辺第1項と第2項はトランジスタ
QA3のコレクタ電位を表し、右辺第3項は端子11,
12間をイマジナリショートとしてトランジスタQA3
のエミッタ電位を表している。(8)式についても同様
である。
【0020】この(8),(10)式において、Vbe
q4=Vbeq1、Vbeqa6=Vbeqa1、Vb
eqa3=Vbeq3とみなすことができる。このた
め、 Vceqa3=Vcc−Vbeq1 −(Vin+Vbeqa6−Vbeqa6−Vbeq3) =Vcc−Vbeq1−(Vin−Vbeq3) =Vceq3 …(11) この(11)式から、トランジスタQ3とトランジスタ
QA3とは動作点が同一であることが明らかとなる。ま
た、トランジスタQA2のコレクタ・エミッタ間電圧V
ceqa2は次のようになる。
【0021】 Vceqa2=Vin+Vbeqa6−Vin =Vbeqa6 …(12) つまり、トランジスタQA2のコレクタ・エミッタ間電
圧Vceqa2は常時電圧Vbeqa6で一定となり、
アリー効果が発生しない。上記の(11),(12)式
から、入力信号電圧Vin,電源Vccの変動があって
も常時入力バイアス電流を補償することができることが
明らかである。なお、トランジスタQA4を設けず、ト
ランジスタQA3のコレクタを電源Vccに接続して
も、入力信号電圧Vin,電源Vccの変動の影響を受
けず常時入力バイアス電流を補償することができること
は明らかである。
【0022】図2は本発明の増幅回路のバイアス補償回
路の第2実施例の回路図を示す。同図中、図1と同一部
分には同一符号を付す。図2において、pnpトランジ
スタQ1,Q2は共通接続されたベースをトランジスタ
Q1のコレクタに接続され、それぞれのエミッタを電源
Vccに接続されてカレントミラー回路を構成してい
る。トランジスタQ1,Q2はそれぞれのコレクタをn
pnトランジスタQ3,Q4のコレクタに接続されて、
トランジスタQ3,Q4の電流源として動作する。トラ
ンジスタQ3,Q4はベースを共通接続され定電流源1
0を通じて接地されており、トランジスタQ3のベース
に端子11より入力信号が供給され、トランジスタQ4
のベースに端子12より基準電圧V1が供給され、トラ
ンジスタQ3,Q4で差動増幅回路が構成されている。
このトランジスタQ4のコレクタから端子13を介して
信号が出力される。
【0023】また、ベースの面積比が2:1のpnpト
ランジスタQA1,QA2は共通接続されたベースをト
ランジスタQA1のコレクタに接続され、それぞれのエ
ミッタはpnpトランジスタQA6のエミッタに接続さ
れてカレントミラー回路を構成すると共に、抵抗R1を
介して基準電圧源20に接続されて基準電圧Vrefを
供給されている。トランジスタQA1,QA2それぞれ
はコレクタをnpnトランジスタQA3,Q1のベース
に接続されている。トランジスタQA3のコレクタはp
npトランジスタQA4のコレクタに接続され、エミッ
タは定電流源14を通じて接地されている。
【0024】トランジスタQA4はベース及びコレクタ
をトランジスタQA3のコレクタに接続され、エミッタ
を電源Vccに接続されている。トランジスタQA6は
ベースを基準電圧V1が供給される端子12に接続さ
れ、コレクタを接地されている。上記のトランジスタQ
A1〜QA5及び定電流源14と抵抗R1及び基準電圧
源20でバイアス補償回路が構成され、トランジスタQ
3のベースに流入する電流をトランジスタQA2のコレ
クタから流している。
【0025】この実施例でもトランジスタQ3とトラン
ジスタQA3とは動作点が同一となり、トランジスタQ
A2のコレクタ・エミッタ間電圧Vceqa2が常時一
定となり、入力信号電圧Vin,電源Vccの変動があ
っても常時入力バイアス電流を補償することができる。
また、この実施例では、カレントミラーのトランジスタ
QA1,QA2を基準電圧源20に接続することによ
り、電源Vccにノイズが混入した場合にも、基準電圧
Vrefにはノイズが含まれず、カレントミラーのトラ
ンジスタQA1,QA2に流れる電流を一定にすること
ができる。なお、基準電圧源20を使用することが理想
的であるが、基準電圧VrefはV1+Vbeqa6−
I1・R1(但し、I1は抵抗R1を流れる電流)より
高くする必要がある。
【0026】
【発明の効果】上述の如く、請求項1に記載の発明は、
第1のカレントミラー回路を構成するトランジスタのエ
ミッタ電位を前記差動回路の他方のトランジスタのベー
ス電位を基準として設定する第2のトランジスタを有す
る。このように、第1のカレントミラー回路を構成する
トランジスタのエミッタ電位を差動回路の他方のトラン
ジスタのベース電位を基準として設定するため、電源及
び入力信号の変動に対して差動回路の一方のトランジス
タの動作点と第1のトランジスタの動作点とが同様に変
化して互いに差異を生ずることがなく、また、第1のカ
レントミラー回路を構成するトランジスタのコレクタ・
エミッタ間電圧が入力信号の変動の影響を受けることを
防止でき、常時入力バイアス電流を補償することができ
る。
【0027】請求項2に記載の発明は、第1のトランジ
スタに電源を供給するダイオード接続された第3のトラ
ンジスタを有する。このように、第1のトランジスタに
電源を供給するダイオード接続された第3のトランジス
タを設けることにより、差動回路の一方のトランジスタ
の動作点と第1のトランジスタの動作点とを同一にする
ことができる。
【0028】請求項3に記載の発明は、第3のトランジ
スタと共に第2のカレントミラー回路を構成し、前記第
1のカレントミラー回路に電源を供給する第4のトラン
ジスタを有する。このように、第1のカレントミラー回
路に電源を供給する第4のトランジスタと第3のトラン
ジスタとで第2のカレントミラー回路を構成することに
より、素子数を少なくして回路構成を簡単にすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の増幅回路のバイアス補償回路の第1実
施例の回路図である。
【図2】本発明の増幅回路のバイアス補償回路の第2実
施例の回路図である。
【図3】従来の増幅回路のバイアス補償回路の一例の回
路図である。
【符号の説明】
Q1,Q2,QA1,QA2,QA4,QA5 pnp
トランジスタ Q3,Q4,QA4 npnトランジスタ R1 抵抗 10,14 定電流源 20 定電圧源

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 増幅回路を構成する差動回路の一方のト
    ランジスタのベースに入力される電流と同量のベース電
    流を流す第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタのベース電流と同量の電流を前
    記差動回路の一方のトランジスタのベースに供給する第
    1のカレントミラー回路とを有し、入力バイアスを補償
    する増幅回路のバイアス補償回路において、 前記第1のカレントミラー回路を構成するトランジスタ
    のエミッタ電位を前記差動回路の他方のトランジスタの
    ベース電位を基準として設定する第2のトランジスタを
    有することを特徴とする増幅回路のバイアス補償回路。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の増幅回路のバイアス補償
    回路において、 前記第1のトランジスタに電源を供給するダイオード接
    続された第3のトランジスタを有することを特徴とする
    増幅回路のバイアス補償回路。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の増幅回路のバイアス補償
    回路において、 前記第2のトランジスタと共に第2のカレントミラー回
    路を構成し、前記第1のカレントミラー回路に電源を供
    給する第4のトランジスタを有することを特徴とする増
    幅回路のバイアス補償回路。
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