JPH11307464A - ダミーウエハ - Google Patents

ダミーウエハ

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JPH11307464A
JPH11307464A JP11163698A JP11163698A JPH11307464A JP H11307464 A JPH11307464 A JP H11307464A JP 11163698 A JP11163698 A JP 11163698A JP 11163698 A JP11163698 A JP 11163698A JP H11307464 A JPH11307464 A JP H11307464A
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JP
Japan
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glassy carbon
dummy wafer
resin
wafer
carbon material
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JP11163698A
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English (en)
Inventor
Kunihiro Fujitsuka
公仁弘 藤塚
Yoshio Suzuki
義雄 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Carbon Co Ltd
Original Assignee
Tokai Carbon Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 拡散炉や縦型炉において製品ウエハの処理性
状を安定化するために用いるダミーウエハとして、耐酸
化性や耐蝕性に優れパーティクル発生も少なく長期に亘
って安定に使用できるダミーウエハを提供する。 【解決手段】 ガラス状カーボン組織中に0.1〜30
重量%のSiが原子レベルで均一に分散複合した組織構
造からなり、黒鉛六角網面層の平均格子面間隔d 002
値が0.340〜0.380nmの範囲にあるSi含有ガ
ラス状カーボン材から形成したダミーウエハ。拡散炉や
縦型炉の成膜工程に用いるダミーウエハとして有用であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICやLSI等の半導
体製造工程において、例えば拡散炉や縦型炉において製
品ウエハが並ぶ端側の位置に配置して製品ウエハの処理
性状を安定化するために用いるダミーウエハに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程において、例えば拡散炉
での酸化膜形成工程や縦型炉での減圧CVD法による窒
化膜形成工程では、炉内における反応用ガスの流れや温
度分布を均一に保持することが極めて重要である。しか
しながら、これらの炉内条件を均一に保持することは困
難であり、特に炉内の端部において反応用ガスの流れや
温度分布等が不均一化し易い。そこで、これらの条件が
不均一化し易い製品ウエハが並ぶ端側の位置にダミーウ
エハを配置して、ウエハの熱処理条件を均等化すること
によりウエハに形成される酸化膜や窒化膜の性状を安定
化させる手段が講じられている。
【0003】したがって、ダミーウエハには耐蝕性、耐
熱性の材質特性が要求され、また高純度であることが必
要である。ダミーウエハとしては石英、炭化珪素、グラ
ファイトなどが検討されているが、石英は耐蝕性に限界
があり、又加工性が悪く、炭化珪素は加工性が悪くまた
高純度化が難しいという欠点がある。グラファイトは材
質的に組織からパーティクルが脱落する難点がある。シ
リコンウエハをダミーウエハとして用いる方法もある
が、ウエハの大型化にともないコスト高となり実用的で
ない。
【0004】そのため、特開平7−240401号公報
にはガラス状カーボンで構成する半導体ウエハダミーが
提案されており、また特開平9−139329号公報に
は熱膨張係数が3.0〜3.5×10-6/℃であるガラ
ス状カーボン材で形成したダミーウエハが開示されてい
る。ガラス状カーボン材は、熱硬化性樹脂を炭化して得
られる巨視的に無孔組織の三次元網目構造を呈するガラ
ス質の硬質炭素質物で高強度、化学的安定性、ガス不透
過性、耐摩耗性、自己潤滑性、堅牢性などに優れ不純物
が少ない等の特徴を有しており、特に熱処理中にウエハ
を汚損する原因となる微小なパーティクルが組織から剥
落し難い利点がある。しかしながら、炭素材であるため
酸化雰囲気の拡散炉などの工程制御用ダミーウエハでの
使用には酸化消耗が大きく使用し難い。
【0005】また、近時、半導体集積度の更なる増加や
製造性能の向上が要望されており、ダミーウエハにも消
耗度合の少ない耐久性に優れた材質性能が要求されてお
り、上記した材質で構成したダミーウエハでは充分でな
い問題点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、ダミー
ウエハとして用いるガラス状カーボンの材質組織につい
て多角的に研究を進める過程でガラス状カーボン材の組
織中に一定量のSiを原子レベルで均一に分散含有させ
ると、耐酸化性や耐蝕性等の化学的安定性が向上するこ
とを見出した。また、ガラス状カーボンの結晶性状も耐
酸化性や耐蝕性に大きな影響を与えることを確認した。
【0007】本発明はこれらの知見に基づいて開発され
たもので、その目的は耐酸化性及び耐蝕性に優れ、パー
ティクルの発生や汚染が少なく、長期間に亘って安定に
使用することができるダミーウエハを提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のダミーウエハは、ガラス状カーボン組織中
に0.1〜30重量%のSiが原子レベルで均一に分散
複合した組織構造からなり、黒鉛六角網面層の平均格子
面間隔d002 の値が0.340〜0.380nmの範囲に
あるSi含有ガラス状カーボン材から形成されたことを
構成上の特徴とする。
【0009】また、機械的強度が高く、特に曲げ強度が
1000Kgf/cm2 以上の強度特性を備えたSi含有ガラ
ス状カーボン材で形成したダミーウエハが好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明のダミーウエハを構成する
Si含有ガラス状カーボン材は、ガラス状カーボンの組
織中にSiが原子レベルで均一に分散してカーボン成分
と複合した組織構造からなり、原子レベルのSiがガラ
ス状カーボン組織中に均一な連続相として分布する組織
性状を備える点に特徴がある。原子レベルのSiがガラ
ス状カーボン組織中に均一な連続相として分布する組織
性状とは、実質的にSiとCとからなる組織中に粒界が
存在せず、透過型電子顕微鏡(TEM) の観察によっても粒
状組織が観察されずSi成分が識別できない組織状態を
指す。
【0011】ガラス状カーボンはフェノール系樹脂、フ
ラン系樹脂、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を焼成炭
化して得られる巨視的に無孔組織の三次元網目構造を呈
する外観上ガラスに似た硬質炭素質物質で、高強度、化
学的安定性、ガス不透過性、耐摩耗性、自己潤滑性に優
れ、不純物が少ない等の特徴を有している。このガラス
状カーボンの組織中にSiを分散複合化させるとガラス
状カーボンの組織が強化され、また耐酸化性や耐蝕性が
向上してカーボンと反応性ガスとの反応も抑制される。
【0012】この場合、ガラス状カーボン組織中に存在
するSiは原子レベルで均一に分散していることが必要
である。例えば、ガラス状カーボンを製造する原料樹脂
中にSi粉末あるいはSiC粉末を添加混合し、焼成炭
化して得られたSi含有ガラス状カーボンでは、ガラス
状カーボン組織中のSi成分がナノレベル、マイクロレ
ベルで凝集した状態で分散している。このようにSi成
分が凝集して分散している場合にはガラス状カーボン組
織の強化が充分に図られず、また反応性ガスとの反応も
低位に抑制することができない。
【0013】したがって、ガラス状カーボン組織中のS
iは原子レベルで均一に分散複合した組織構造であるこ
とが必要であるが、その含有量は0.1〜30重量%の
範囲に設定される。Si含有量が0.1重量%を下回る
と化学的安定性や強度特性の向上が充分にもたらされ
ず、一方30重量%を越えるとSiを原子レベルで分散
させることが困難なためである。なお、好ましくは2〜
20重量%の範囲に設定される。
【0014】また、Si含有ガラス状カーボン材の結晶
構造は、黒鉛六角網面層の平均格子面間隔d002 の値が
0.340〜0.380nmの範囲にあることが必要であ
る。平均格子面間隔d002 はX線回折でC(002) 回折ピ
ークから求められるが、平均格子面間隔d002 の値が
0.340nmを下回ると黒鉛化が進み、結晶構造がガラ
ス状カーボン特有のアモルファス組織を示さなくなるた
めに組織から離脱する微細パーティクルが多くなる。一
方、平均格子面間隔d002 の値が0.380nmを越える
とカーボン組織の形成が不充分なために耐酸化性や耐蝕
性などの化学的安定性や強度特性の低下を招くこととな
る。
【0015】上記性状に加えて機械的強度が高く、特に
曲げ強度が1000Kg/cm2以上であるとより優れた効果
が発揮される。曲げ強度が1000Kg/cm2未満の場合に
は組織中に内在するポアが多くなるために表面部の消耗
につれて内在するポアが露出し、ポア周辺部からのパー
ティクルの脱落も著しくなる。
【0016】本発明のダミーウエハを形成するSi含有
ガラス状カーボン材は、ガラス状カーボンの原料となる
熱硬化性樹脂に有機シラン化合物を添加混合して成形、
硬化したのち、常法にしたがって非酸化性雰囲気下に8
00℃以上の温度で焼成炭化することにより製造するこ
とができる。熱硬化性樹脂としては、例えばフェノール
系樹脂、フラン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカルボ
ジイミド系樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、ピレン
−フェナントレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、エポ
キシ系樹脂あるいはこれらの混合樹脂等が用いられる。
特に焼成したときに残留する残炭率が45重量%以上の
フェノール系樹脂、フラン系樹脂もしくはこれらの混合
樹脂等が好ましく使用される。
【0017】熱硬化性樹脂に添加混合する有機シラン化
合物としては1分子中に1〜3個のSi原子を含む、例
えば下記の一般式で表される有機シラン化合物を用いる
ことが好ましい。但し、下記一般式においてR1 〜R4
はC、H、O、N、Siのいずれかを含む有機官能基で
ある。
【0018】
【0019】これらの1分子中に1〜3個のSi原子を
含む有機シラン化合物としては、例えば下記のものを例
示することができる。 (1)1分子中に1個のSi原子を含む有機シラン化合
物;3−アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、N−(2-アミノエチル)−3−アミノプロピルメチ
ルジメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエト
キシシラン、等。 (2)1分子中に2個のSi原子を含む有機シラン化合
物;ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザ
ン、等。 (3)1分子中に3個のSi原子を含む有機シラン化合
物;(3-グリドキシプロピル)ビス(トリメチルシロキ
サン)メチルシラン、ヘキサメチルシクロトリシロキサ
ン、オクタメチルトリシロキサン等。
【0020】これらの有機シラン化合物を熱硬化性樹脂
液に滴下し、混合して均一な混合溶液を調製する。有機
シラン化合物は熱硬化性樹脂との相溶性が高いので容易
に混合樹脂溶液を所定の形状に成形後、硬化、焼成炭化
することによりSi含有ガラス状カーボン材が製造され
る。
【0021】なお、混合樹脂溶液中の有機シラン化合物
を高濃度で混合し、均一な安定分散を図るためには熱硬
化性樹脂の分子間に有機シラン化合物の分子が入り込
み、均一に分散した状態が好ましい。したがって、例え
ば熱硬化性樹脂の分子量と有機シラン化合物の分子量と
の比を適切な範囲に設定調節することにより、有機シラ
ン化合物が高濃度で均一に安定分散した混合樹脂溶液を
調製することができる。
【0022】有機シラン化合物は熱硬化性樹脂中に均質
に分散した状態を維持しながら硬化過程において樹脂と
反応して硬化し、樹脂分子中にシラン化合物が均質に分
散し固定化された硬化樹脂成形体が得られる。次いで、
硬化樹脂成形体は非酸化性雰囲気中で800℃以上の温
度、好ましくは1000〜3000℃の温度に加熱して
焼成炭化することによりSiを含有したガラス状カーボ
ンが製造される。
【0023】この場合熱硬化性樹脂液中の有機シラン化
合物の分散濃度及び焼成炭化温度等を設定制御して、ガ
ラス状カーボン組織中に0.1〜30重量%のSiが原
子レベルで均一に分散し、黒鉛六角網面層の平均格子面
間隔d002 の値が0.340〜0.380nmの範囲にあ
るSi含有ガラス状カーボン材が得られる。なお、混合
樹脂溶液中の有機シラン化合物の分散濃度が大きくなる
と均一な分散状態を維持することが難しくなるため、ガ
ラス状カーボンの組織中にSiを原子レベルで均一に分
散複合化できるSi量には限界がある。すなわち、Si
の分散量が30重量%を越えるとSiを原子レベルで均
一に分散させることが困難となる。
【0024】なお、1分子中に3個を上回る数のSi原
子を含む有機シラン化合物を用いると硬化反応時及び焼
成炭化時において、Si原子の凝集が起こり易くなりガ
ラス状カーボン組織中にSiを原子レベルで均一に分散
させることが困難になる。
【0025】このようにして得られたSi含有ガラス状
カーボン材は、そのまま或いは表面をバフ研磨やダイヤ
モンドラッピングにより表面平滑度を高めてダミーウエ
ハとして使用される。
【0026】本発明のダミーウエハを形成するSi含有
ガラス状カーボン材はSi成分が微粒子状態で分散する
組織とは異なり、ガラス状カーボン組織の一部のCがS
iに置換して−C−Si−C−で結合された連続相を有
する特有の複合形態を呈し、またガラス状カーボン組織
も適度のアモルファス性を示すので耐酸化性や耐蝕性に
優れ、パーティクル発生も少ない高耐久性のダミーウエ
ハが提供される。
【0027】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して具
体的に説明する。
【0028】実施例1 有機シラン化合物として1分子中に1個のSi原子を含
む3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン
を、熱硬化性樹脂としてフェノール樹脂を用いて、有機
シラン化合物を熱硬化性樹脂中に攪拌しながら滴下して
1時間混合した。その後、室温にて緩やかな流動状態で
45時間放置して混合樹脂溶液の均一性を高め調製し
た。次いでこの混合樹脂溶液を成形用の型に注入して真
空脱気したのち、70℃に加温し最終的に150℃の温
度で硬化した。得られた硬化成形体を窒素雰囲気中で1
0℃/hrの昇温速度で加熱し、2000℃の温度で焼成
炭化した。こようにして、0.5重量%のSiが分散複
合したガラス状カーボン材(直径200mm、厚さ1mm)
を製造した。次いで、このSi含有ガラス状カーボン板
を研磨材粒度#8000を用いてバフ研磨し、表面平滑
なダミーウエハを得た。
【0029】実施例2〜3、比較例1〜2 実施例1と同じ有機シラン化合物及び熱硬化性樹脂を用
いて、有機シラン化合物の分散濃度が異なる混合樹脂溶
液を調製し、また異なる温度で焼成炭化した他は、実施
例1と同一の方法によりSiの分散含有量が異なるSi
含有ガラス状カーボン材を製造して、ダミーウエハを作
製した。
【0030】実施例4〜5、比較例3〜4 有機シラン化合物として1分子中に2個のSi原子を含
むヘキサメチルジシロキサンを、熱硬化性樹脂には実施
例1と同一のフェノール樹脂を用いて混合樹脂溶液を調
製し、混合樹脂溶液中の有機シラン化合物の分散濃度及
び焼成炭化温度を変えた他は、実施例1と同一の方法に
よりSiの分散含有量が異なるSi含有ガラス状カーボ
ン材を製造し、ダミーウエハを作製した。
【0031】実施例6〜7、比較例5〜6 有機シラン化合物として1分子中に3個のSi原子を含
む(3-グリドキシプロピル)ビス(トリメチルシロキサ
ン)メチルシランを、熱硬化性樹脂には実施例1と同一
のフェノール樹脂を用いて混合樹脂溶液を調製し、混合
樹脂溶液中の有機シラン化合物の分散濃度及び焼成炭化
温度を変えた他は、実施例1と同一の方法によりSi分
散含有量の異なるSi含有ガラス状カーボン材を製造し
て、ダミーウエハを作製した。
【0032】このようにして作製したSi含有ガラス状
カーボン材からなるダミーウエハについて下記の方法に
よりSi分散含有量、X線回折による黒鉛六角網面層の
平均格子面間隔d002 及び曲げ強度を測定し、また耐酸
化性、耐蝕性等を測定した。得られた結果を表1に示し
た。
【0033】(1)Si分散含有量;JIS M8812
に準じて灰化し、JIS R6124に準拠して測定。 (2)曲げ強度;JIS R1601に準拠して測定。 (3)耐酸化性;空気中950℃の温度で10時間熱処理
した時のダミーウエハの重量減少率及びパーティクル発
生数を測定。 (4)耐蝕性;NH4 OH:H2 2 :H2 Oを重量比
1:2:13の割合で混合した混合液中にダミーウエハ
(厚さ1mm)を入れて80℃で10時間保持し、次いで
250℃の温度で熱処理する操作を20回反復したのち
厚さ減少量を測定した。
【0034】
【表1】
【0035】表1の結果から、ガラス状カーボンの組織
中に0.1〜30重量%のSiが原子レベルで分散複合
し、平均格子面間隔d002 の値が0.340〜0.38
0nmのSi含有ガラス状カーボン材で形成した実施例の
ダミーウエハは、これらの特性が外れるSi含有ガラス
状カーボン材で形成した比較例のダミーウエハに比べ
て、耐酸化性及び耐蝕性に優れ、パーティクルの発生数
も少ないことが判る。更に、Si含有ガラス状カーボン
材の曲げ強度が1000Kgf/cm2 以上と高い場合には耐
酸化性や耐蝕性がより向上することも認められる。
【0036】
【発明の効果】以上のとおり、本発明のダミーウエハに
よれば、ガラス状カーボンの組織中に特定量のSiが原
子レベルで均一に分散してカーボン組織と複合化し、ま
たその結晶性状を特定したSi含有ガラス状カーボン材
でダミーウエハを形成したものであるから、耐酸化性や
耐蝕性等の化学的安定性に優れるとともに強度も高く、
パーティクルの発生も低減化することが可能である。し
たがって、拡散炉や縦型炉等の成膜工程に用いるダミー
ウエハとして長期間に亘って安定に使用することが可能
となる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス状カーボン組織中に0.1〜30
    重量%のSiが原子レベルで均一に分散複合した組織構
    造からなり、黒鉛六角網面層の平均格子面間隔d002
    値が0.340〜0.380nmの範囲にあるSi含有ガ
    ラス状カーボン材から形成されたことを特徴とするダミ
    ーウエハ。
  2. 【請求項2】 Si含有ガラス状カーボン材の曲げ強度
    が1000Kgf/cm2以上である請求項1記載のダミーウ
    エハ。
JP11163698A 1998-04-22 1998-04-22 ダミーウエハ Pending JPH11307464A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002029844A (ja) * 2000-07-17 2002-01-29 Tokai Carbon Co Ltd 気相成長装置用部材

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002029844A (ja) * 2000-07-17 2002-01-29 Tokai Carbon Co Ltd 気相成長装置用部材

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