JPH11297913A - 半導体デバイスの製造方法と製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームと成形金型の位置合わせを高
精度に行うことができ、ディプレス後のリードフレーム
の反りの発生を防止する。 【解決手段】 フレーム成形金型を構成する上金型２と
下金型８がそれぞれ独立して平面方向に移動可能な状態
で、位置規正ピン７をピン挿入用穴１２に挿入する。こ
れにより位置規正ピン７とピン挿入用穴１２の中心位置
がずれても、上金型２と下金型８の平面方向の移動によ
り上金型２と下金型８の位置がそれぞれ補正され、上下
金型とリードフレーム１１が位置合わせされる。また、
位置規正ピン７をピン挿入用穴１２から抜いた後、上金
型２と下金型８の平面方向のずれを基準位置まで補正移
動する。また、上金型２と下金型８に設けた突起による
圧縮の作用によりリードフレームに凹部を形成し、リー
ドフレームの変形量を増大させる。また、吊りリード部
を圧縮し、リードフレームの変形量を増大させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の製造方法と製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、半導体素子の固定および
基板との電気的接続などを担うリードフレームは、封止
後のパッケージ最終製品形状を薄くしたり、ワイヤボン
ディングの低ループ化達成のために、図６に示すよう
に、ディプレス金型５１および５２を用いてダイパッド
部６１の高さをリード周囲部６２ａの高さよりも低い位
置に設定することが一般的である。リードフレームのデ
ィプレス後の形状は、１本の吊りリード部６２ｂに対し
て数箇所の曲げ部を設けて、ダイパッド部６１とリード
周囲部６２ａが平行になるように変形される。

【０００３】従来、リードフレームのディプレス方法と
しては、例えば、図５に示すように、下金型５２の上に
リードフレーム６２の位置合わせを行って載置し、ポス
ト１に沿って上下動する上金型５１を前記リードフレー
ム６２の上に降下させ、上金型５１に固定されている位
置合わせピン７をリードフレーム６２のピン挿入用の穴
１２に挿入し、金型とリードフレーム６２の位置合わせ
を完全に行った後、油圧や電動を利用した圧縮力によ
り、前記リードフレーム６２を上下金型５１，５２の接
触面の形状に沿って変形させる。

【０００４】ところで、変形されたディプレス後のリー
ドフレームは、半導体素子をダイパッド面に接合させる
ダイボンディング工程、半導体素子の電極部とリードフ
レームのインナーリードをＡｕ線やＡｌ線などで結線す
るワイヤーボンディング工程、半導体素子およびボンデ
ィング部を保護・被覆するために樹脂によって封止する
封止工程、その後、めっき工程、リード成形工程を経て
最終製品形状に加工される。これらの、リードフレーム
のディプレス後の各工程においては、リードフレームの
形状精度が歩留まりに与える影響が大きい。したがっ
て、ディプレスによるリードフレームの形状精度につい
ては、ばらつきが小さく、反りの発生を極力抑えること
が望ましい。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、成形工
程に送られてきたリードフレームと成形金型の位置合わ
せを高精度に行わなければ、リードフレームが所要の形
状に変形されないばかりか、後工程での修正が不可能に
なる場合も発生する。通常、金型に対するリードフレー
ムの位置合わせは、リードフレームの１ピッチ送り毎
に、位置規正ピンをリードフレームのピン挿入用の穴に
挿入して行うが、リードフレームの送り量のばらつきに
よって、位置規正ピンのピン挿入用穴への挿入時に、ピ
ンと穴の中心位置がずれて、リードフレームにせん断力
を与えてしまうことがあり、滑らかな位置規正ピンの挿
入が困難になるという問題があった。

【０００６】また、成形金型によるディプレス作業によ
って、リードフレームには引張り応力が発生するが、完
全なる塑性変形ではないために、ディプレス後はリード
フレームのスプリングバック作用により、反りの発生を
防止することが困難となるという問題もあった。したが
って、この発明の目的は、上記技術的課題を解消するた
めになされたもので、リードフレームと成形金型の位置
合わせを高精度に行うことができ、ディプレス後のリー
ドフレームの反りが発生せず、所要の形状に加工できる
半導体デバイスの製造方法と製造装置を提供することで
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
にこの発明の請求項１記載の半導体デバイスの製造方法
は、対向する接触面の少なくとも一方に突起を設けた上
金型と下金型を用意し、半導体デバイスに用いられるリ
ードフレームを接触面に配置して成形することで、突起
による圧縮の作用によりリードフレームに凹部を形成
し、この凹部に相当する体積分だけリードフレームの変
形量を増大させることを特徴とする。

【０００８】リードフレームを上金型と下金型の接触面
に配置して成形する際、リードフレームには引張り応力
が発生して変形するものの、完全なる塑性変形ではない
ために、成形後はリードフレームのスプリング作用によ
り、反りが発生することがあるが、上記のように対向す
る接触面の少なくとも一方に突起を設けた上金型と下金
型を用意し、突起による圧縮の作用によりリードフレー
ムに凹部を形成し、この凹部に相当する体積分だけリー
ドフレームの変形量を増大させるので、内部応力の発生
を抑制でき、リードフレームの反りを抑制することが可
能となる。また、突起を設けない場合に比較して、突起
の圧力は同一型締め力でも大きいので、型締め力の軽加
重が可能となり、装置の小型軽量化を達成することがで
きる。

【０００９】請求項２記載の半導体デバイスの製造方法
は、半導体デバイスに用いられるリードフレームを上金
型と下金型の対向する接触面に配置して成形する成形工
程を含む半導体デバイスの製造方法であって、リードフ
レームのダイパッド部を支える吊りリード部を、上金型
と下金型によりリードフレーム材質の弾性変形領域を超
える圧縮力で圧縮し、この圧縮した体積分だけリードフ
レームの変形量を増大させることを特徴とする。

【００１０】このように、リードフレームのダイパッド
部を支える吊りリード部を上金型と下金型によりリード
フレーム材質の弾性変形領域を超える圧縮力で圧縮し、
この圧縮した体積分だけリードフレームの変形量を増大
させるので、請求項１と同様に内部応力の発生を抑制で
き、リードフレームの反りを抑制することが可能とな
る。

【００１１】請求項３記載の半導体デバイスの製造方法
は、半導体デバイスに用いられるリードフレームを上金
型と下金型の対向する接触面に配置し、接触面の一方に
突設した位置規正ピンを、リードフレームに設けたピン
挿入用穴に挿入することにより、上金型と下金型に対す
るリードフレームの位置合わせを行った後、リードフレ
ームを成形する成形工程を含む半導体デバイスの製造方
法であって、上金型と下金型がそれぞれ独立して平面方
向に移動可能な状態で、位置規正ピンを前記ピン挿入用
穴に挿入することを特徴とする。

【００１２】上金型と下金型の対向する接触面の一方に
突設した位置規正ピンを、半導体デバイスに用いられる
リードフレームに設けたピン挿入用穴に挿入することに
より、上金型と下金型に対するリードフレームの位置合
わせを行う際、金型に対するリードフレームの初期段階
の位置合わせが正確に行われていないと、位置規正ピン
のピン挿入用穴への挿入時にピンと穴の中心位置がずれ
て、リードフレームにせん断力を与えてしまうことがあ
るが、上記のように上金型と下金型がそれぞれ独立して
平面方向に移動可能な状態で、位置規正ピンをピン挿入
用穴に挿入するので、位置規正ピンとピン挿入用穴の中
心位置がずれても、上金型と下金型の平面方向の移動に
より上金型と下金型の位置がそれぞれ補正され、上下金
型とリードフレームが位置合わせされる。

【００１３】請求項４記載の半導体デバイスの製造方法
は、請求項３において、位置規正ピンをピン挿入用穴か
ら抜いた後、上金型と下金型の平面方向のずれを基準位
置まで補正移動する。位置規正ピンをピン挿入用穴から
抜いた後は、上金型と下金型は平面方向に再度移動可能
となり、この状態で上金型と下金型の平面方向のずれを
基準位置まで補正移動するので、次に成形するリードフ
レームのピン挿入用穴と位置規正ピンの初期段階の位置
合わせを行うことができる。

【００１４】請求項５記載の半導体デバイスの製造装置
は、相対的に上下動する上側装置および下側装置と、上
側装置および下側装置の間に配置され半導体デバイスに
用いられるリードフレームを成形する上金型および下金
型とを備え、上金型および下金型がそれぞれ独立して平
面方向に移動可能なように上側装置および下側装置にそ
れぞれ保持されていることを特徴とする。

【００１５】このように、上金型および下金型がそれぞ
れ独立して平面方向に移動可能なように上側装置および
下側装置にそれぞれ保持されているので、上金型と下金
型に対するリードフレームの位置合わせを行う際、金型
に対するリードフレームの初期段階の位置合わせが正確
に行われていない場合、上金型と下金型の平面方向の移
動により上金型と下金型の位置がそれぞれ補正され、上
下金型とリードフレームが位置合わせされる。

【００１６】請求項６記載の半導体デバイスの製造装置
は、請求項５において、上金型と上側装置の間および下
金型と下側装置の間にそれぞれ引力を発生させる位置補
正機構を設けることにより、上金型と下金型の平面方向
のずれを基準位置まで補正移動できるようにした。この
ように、上金型と上側装置の間および下金型と下側装置
の間にそれぞれ引力を発生させる位置補正機構を設ける
ことにより、上金型と下金型の平面方向のずれを基準位
置まで補正移動できるようにしたので、次に成形するリ
ードフレームの初期段階の位置合わせを行うことができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１およ
び図２に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形
態の半導体デバイスの製造装置を示す断面図であり、半
導体デバイスに用いられるリードフレームが、上型と下
型を組み合わせた成形金型により、所要の形状に成形さ
れるリードフレーム成形装置を例として示している。図
２はこの発明の実施の形態におけるディプレス前のリー
ドフレームの斜視図である。なお、ここで言うリードフ
レームとは、半導体素子を固定あるいは半導体素子と基
板との電気的接続を担うためのものであれば、材料や形
状に関して特に限定されるものではない。

【００１８】図１に示すように、このリードフレーム成
形装置は、相対的に上下動する上側装置３および下側装
置１３と、上側装置３および下側装置１３の間に配置さ
れ半導体デバイスに用いられるリードフレーム１１を成
形する上金型２および下金型８とを備えている。この場
合、上側装置３が上金型２とともにポスト１に沿って上
下動する。上金型２には位置規正ピン７が固定され、下
金型８には位置規正ピン７が挿入される穴１５が設けて
ある。この穴１５は、図２に示すリードフレーム１１に
開けられたピン挿入用穴１２と整合するようにしてあ
る。なお、下金型に位置規正ピンを設けて、これを挿入
する穴を上金型に設けてもよい。

【００１９】また、上金型２および下金型８がそれぞれ
独立して平面方向に移動可能なように上側装置３および
下側装置１３にそれぞれ保持されている。この場合、上
側装置３と上金型２の間、および下側装置１３と下金型
８の間に硬球６を介在させることにより、上金型２およ
び下金型８が硬球６が接している平面方向に移動可能に
なっている。また、上金型２と上側装置３の間および下
金型８と下側装置１３の間にそれぞれ引力を発生させる
位置補正機構１６を設けている。これにより、上金型２
と下金型８の平面方向のずれを基準位置まで補正移動で
きる。引力を発生させる機構として、上金型２に磁石
５、下金型８に磁石９が取付けられ、上側装置３に磁石
４、下側装置１３に磁石１０が取付けられている。金型
側の磁石５，９は装置側の磁石９，１０とは異極のもの
を取付けているために、上金型の磁石５と上側装置３の
磁石４との間には引力が発生する。同様に、下金型８の
磁石９と下側装置１３の磁石１０との間にも引力が発生
する。

【００２０】次に上記リードフレーム成形装置を用いた
半導体デバイスの製造方法について説明する。上記成形
装置では、初期の段階では平らな形状をした、成形され
るべきリードフレーム１１を下金型８と位置合わせした
後に載置し、上側装置３とともに上金型２を降下させ
る。上金型２が下金型８に接触する前に、上金型２に固
定された位置規正ピン７をリードフレーム１１に開けら
れたピン挿入用穴１２に挿入することで、上下金型２，
８とリードフレーム１１の位置合わせを完全に行う。こ
こで、リードフレーム１１の金型に対する位置合わせ
は、リードフレーム１１の１ピッチ送り毎に、位置規正
ピン７をリードフレーム１１のピン挿入用穴１２に挿入
して行うが、リードフレーム１１の送り量のばらつきに
よって、位置規正ピン７のピン挿入用穴１２への挿入時
に、位置規正ピン７とピン挿入用穴１２の中心がずれて
いる場合がある。そのため、位置規正ピン７の先端はテ
ーパ加工が施されており、位置規正ピン７とピン挿入用
穴１２の中心位置がずれても、ずれ量が許容範囲内であ
れば、位置規正ピン７の挿入時に、硬球６に接している
平面方向の移動が可能な上金型２と下金型８の位置がそ
れぞれ補正され、最終的にピン挿入用穴１２と穴１５へ
の位置規正ピン７の根元までの挿入が可能となり、上下
金型２，８とリードフレーム１１が位置合わせされる。
この後、リードフレーム１１をディプレスすることによ
り上金型２と下金型８の接触面の形状に沿って変形させ
る。

【００２１】ディプレス終了後は、上金型２の上昇に伴
って位置規正ピン７がピン挿入用穴１２および穴１５か
ら抜けて、ディプレス時に位置補正された上金型２と下
金型８は、平面方向に再度移動可能となる。この際、上
記の位置補正機構１６により、上金型２の磁石５と上側
装置３の磁石４との間、および下金型８の磁石５と下側
装置１３の磁石４との間には引力が発生している。した
がって、ディプレス後に移動可能となる上下金型２，８
は、これらの磁石の引力により元の基準位置に戻るの
で、次にディプレスするべきリードフレーム１１のピン
挿入用穴１２に位置規正ピン７の挿入が上記と同様な方
法により可能となる。

【００２２】以上のようにこの実施の形態によれば、位
置規正ピン７をピン挿入用穴１２に挿入することによ
り、上金型２と下金型８に対するリードフレーム１１の
位置合わせを行う際、金型に対するリードフレーム１１
の初期段階の位置合わせが正確に行われていないと、位
置規正ピン７のピン挿入用穴１２への挿入時にピン７と
穴１２の中心位置がずれて、リードフレーム１１にせん
断力を与えてしまうことがあるが、上記のように上金型
２と下金型８がそれぞれ独立して平面方向に移動可能な
状態で、位置規正ピン７をピン挿入用穴１２に挿入する
ので、位置規正ピン７とピン挿入用穴１２の中心位置が
ずれても、上金型２と下金型８の平面方向の移動により
上金型２と下金型８の位置がそれぞれ補正され、上下金
型２，８とリードフレーム１１が位置合わせされる。

【００２３】また、上金型２と上側装置３の間および下
金型８と下側装置１３の間にそれぞれ引力を発生させる
位置補正機構１６を設けることにより、上金型２と下金
型８の平面方向のずれを基準位置まで補正移動できるよ
うにしたので、次に成形するリードフレームの初期段階
の位置合わせを行うことができる。なお、位置補正機構
１６として、磁石を用いているが、引力作用のあるもの
ならば特に限定されるものではなく、他に例えば、スプ
リングを用いてもよい。

【００２４】この発明の第２の実施の形態を図１〜図３
に基づいて説明する。図１および図２の構成については
第１の実施の形態で説明した通りである。図３はこの発
明の第２の実施の形態におけるリードフレームの成形時
の断面図である。図３に示すように、上金型２と下金型
８の対向する接触面の少なくとも一方に突起が設けてあ
る。この場合、上金型２には先端角度θ₁ の突起３３、
下金型８には先端角度θ₂ の突起３４がそれぞれ設けて
ある。その他の構成は第１の実施の形態と同様であり、
同一部材には同一符号を付してその説明を省略する。

【００２５】次にこの実施の形態の半導体デバイスの製
造方法について説明する。上記のように構成された上金
型２と下金型８を用意し、第１の実施の形態と同様にリ
ードフレーム２２を金型に対する位置合わせを行って、
図２に示すようなリードフレーム２２をディプレスする
ことにより、図３に示すような断面形状に成形する。す
なわち、ダイパッド部２１と吊りリード部２２ｂを成形
金型で加圧する場合、リードフレーム２２を挟み込んで
加圧することで、リードフレーム２２の上面に突起３３
に対応した深さｄ₁ の凹部３１ａ、下面に突起３４に対
応した深さｄ₂の凹部３１ｂを生成させる。２２ａはリ
ードフレーム周辺部である。

【００２６】ところで、ディプレス前には吊りリード部
２２ｂの長さがＬａであるのに対して、ディプレス後は
Ｌｂまで伸張させる必要がある。リードフレーム２２の
材質は、通常、鉄や銅、ニッケルなどを主成分とする合
金であるが、完全なる塑性領域において、リードフレー
ム２２をＬａからＬｂまで伸張させることは困難であ
り、ディプレス後はスプリングバック作用により、リー
ドフレーム２２に反りが発生する場合がある。このリー
ドフレーム２２の反りを抑制するために、前記金型に設
けた突起３３および３４によって凹部３１ａおよび３１
ｂを生成することで、リードフレーム２２の凹部３１
ａ，３１ｂに相当する体積分だけ、吊りリード部２２ｂ
が伸びて内部応力の発生を抑制することが可能となり、
リードフレーム２２の反りも防止できる。

【００２７】以上のようにこの実施の形態によれば、突
起３３，３４による圧縮の作用によりリードフレーム２
２に凹部３１ａ，３１ｂを形成し、この凹部３１ａ，３
１ｂに相当する体積分だけリードフレーム２２の変形量
を増大させるので、内部応力の発生を抑制でき、リード
フレーム２２の反りを抑制することが可能となる。ま
た、突起３３，３４を設けない場合に比較して、突起３
３，３４の圧力は同一型締め力でも大きいので、型締め
力の軽加重が可能となり、装置の小型軽量化を達成する
ことができる。

【００２８】この発明の第３の実施の形態を図１、図
２、図４に基づいて説明する。図１および図２の構成に
ついては第１の実施の形態で説明した通りである。図４
はこの発明の第３の実施の形態におけるリードフレーム
の成形時の断面図である。図４に示すように、上金型２
と下金型８の対向する接触面は従来と同様の形状である
が、リードフレーム材質の弾性変形領域を超える圧縮力
で吊りリード部２２ｃを圧縮する。その他の構成は、第
１の実施の形態と同様であり、同一部材に同一符号を付
してその説明を省略する。

【００２９】次にこの実施の形態の半導体デバイスの製
造方法について説明する。第１の実施の形態と同様にリ
ードフレーム２２を金型に対する位置合わせを行って成
形する。この場合、図４に示すように、初期の厚みｔａ
の吊りリード部２２ｃに対して、上金型２と下金型８の
圧縮作用を与えることで、厚みｔｂの吊りリード部２２
ｃに変形させる。リードフレーム材質の弾性変形領域を
超える圧縮力により、圧縮部４１の変形した体積分だ
け、吊りリード部２２ｃが伸びて内部応力の発生を抑制
することが可能となり、リードフレーム２２の反りも防
止できる。

【００３０】以上のようにこの実施の形態によれば、リ
ードフレーム２２のダイパッド部２１を支える吊りリー
ド部２２ｃを上金型２と下金型８によりリードフレーム
材質の弾性変形領域を超える圧縮力で圧縮し、この圧縮
した体積分だけリードフレーム２２の変形量ｌを増大さ
せるので、第２の実施の形態にリードフレーム２２の反
りを抑制することが可能となる。

【００３１】なお、第２の実施の形態と第３の実施の形
態を組み合わせてもよく、また第２の実施の形態と第３
の実施の形態を図５に示すような従来の成形金型に適用
することもできる。

【００３２】

【発明の効果】この発明の請求項１記載の半導体デバイ
スの製造方法によれば、リードフレームを上金型と下金
型の接触面に配置して成形する際、リードフレームには
引張り応力が発生して変形するものの、完全なる塑性変
形ではないために、成形後はリードフレームのスプリン
グ作用により、反りが発生することがあるが、上記のよ
うに対向する接触面の少なくとも一方に突起を設けた上
金型と下金型を用意し、突起による圧縮の作用によりリ
ードフレームに凹部を形成し、この凹部に相当する体積
分だけリードフレームの変形量を増大させるので、内部
応力の発生を抑制でき、リードフレームの反りを抑制す
ることが可能となる。また、突起を設けない場合に比較
して、突起の圧力は同一型締め力でも大きいので、型締
め力の軽加重が可能となり、装置の小型軽量化を達成す
ることができる。

【００３３】この発明の請求項２記載の半導体デバイス
の製造方法によれば、リードフレームのダイパッド部を
支える吊りリード部を上金型と下金型によりリードフレ
ーム材質の弾性変形領域を超える圧縮力で圧縮し、この
圧縮した体積分だけリードフレームの変形量を増大させ
るので、請求項１と同様に内部応力の発生を抑制でき、
リードフレームの反りを抑制することが可能となる。

【００３４】この発明の請求項３記載の半導体デバイス
の製造方法によれば、上金型と下金型の対向する接触面
の一方に突設した位置規正ピンを、半導体デバイスに用
いられるリードフレームに設けたピン挿入用穴に挿入す
ることにより、上金型と下金型に対するリードフレーム
の位置合わせを行う際、金型に対するリードフレームの
初期段階の位置合わせが正確に行われていないと、位置
規正ピンのピン挿入用穴への挿入時にピンと穴の中心位
置がずれて、リードフレームにせん断力を与えてしまう
ことがあるが、上記のように上金型と下金型がそれぞれ
独立して平面方向に移動可能な状態で、位置規正ピンを
ピン挿入用穴に挿入するので、位置規正ピンとピン挿入
用穴の中心位置がずれても、上金型と下金型の平面方向
の移動により上金型と下金型の位置がそれぞれ補正さ
れ、上下金型とリードフレームが位置合わせされる。

【００３５】請求項４では、位置規正ピンをピン挿入用
穴から抜いた後は、上金型と下金型は平面方向に再度移
動可能となり、この状態で上金型と下金型の平面方向の
ずれを基準位置まで補正移動するので、次に成形するリ
ードフレームのピン挿入用穴と位置規正ピンの初期段階
の位置合わせを行うことができる。この発明の請求項５
記載の半導体デバイスの製造装置によれば、上金型およ
び下金型がそれぞれ独立して平面方向に移動可能なよう
に上側装置および下側装置にそれぞれ保持されているの
で、上金型と下金型に対するリードフレームの位置合わ
せを行う際、金型に対するリードフレームの初期段階の
位置合わせが正確に行われていない場合、上金型と下金
型の平面方向の移動により上金型と下金型の位置がそれ
ぞれ補正され、上下金型とリードフレームが位置合わせ
される。

【００３６】請求項６では、上金型と上側装置の間およ
び下金型と下側装置の間にそれぞれ引力を発生させる位
置補正機構を設けることにより、上金型と下金型の平面
方向のずれを基準位置まで補正移動できるようにしたの
で、次に成形するリードフレームの初期段階の位置合わ
せを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態の半導体デバイス
の製造装置の断面図である。

【図２】この発明の実施の形態におけるディプレス前の
リードフレームの斜視図である。

【図３】この発明の第２の実施の形態におけるリードフ
レームの成形時の断面図である。

【図４】この発明の第３の実施の形態におけるリードフ
レームの成形時の断面図である。

【図５】従来例の半導体デバイスの製造装置の断面図で
ある。

【図６】従来例におけるリードフレーム成形時の断面図
である。

【符号の説明】

１ ポスト ２ 上金型 ３ 上側装置 ４ 上側装置磁石（スプリング） ５ 上金型磁石（スプリング） ６ 硬球 ７ 位置規正ピン ８ 下金型 ９ 下金型磁石（スプリング） １０ 下側装置磁石（スプリング） １１ リードフレーム １２ ピン挿入用穴 １３ 下側装置 ２１ ダイパッド部 ２２ｂ，２２ｃ 吊りリード部 ３１ａ，３１ｂ 凹部 ２２ａ リードフレーム周辺部 ３３ 上金型突起 ３４ 下金型突起 ４１ 圧縮部 Ｌａ ディプレス前吊りリード長さ Ｌｂ ディプレス後吊りリード長さ ｄ１，ｄ２ 窪み深さ θ１，θ２ 突起先端角度 ｌ 変形量 ｔａ ディプレス前厚み ｔｂ ディプレス後厚み ５１ 上金型（従来例） ５２ 下金型（従来例）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田渕 善一郎 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 村山 次雄 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向する接触面の少なくとも一方に突起
   を設けた上金型と下金型を用意し、半導体デバイスに用
   いられるリードフレームを前記接触面に配置して成形す
   ることで、前記突起による圧縮の作用により前記リード
   フレームに凹部を形成し、この凹部に相当する体積分だ
   けリードフレームの変形量を増大させることを特徴とす
   る半導体デバイスの製造方法。
2. 【請求項２】 半導体デバイスに用いられるリードフレ
   ームを上金型と下金型の対向する接触面に配置して成形
   する成形工程を含む半導体デバイスの製造方法であっ
   て、前記リードフレームのダイパッド部を支える吊りリ
   ード部を、前記上金型と下金型によりリードフレーム材
   質の弾性変形領域を超える圧縮力で圧縮し、この圧縮し
   た体積分だけリードフレームの変形量を増大させること
   を特徴とする半導体デバイスの製造方法。
3. 【請求項３】 半導体デバイスに用いられるリードフレ
   ームを上金型と下金型の対向する接触面に配置し、前記
   接触面の一方に突設した位置規正ピンを、前記リードフ
   レームに設けたピン挿入用穴に挿入することにより、前
   記上金型と下金型に対する前記リードフレームの位置合
   わせを行った後、前記リードフレームを成形する成形工
   程を含む半導体デバイスの製造方法であって、前記上金
   型と下金型がそれぞれ独立して平面方向に移動可能な状
   態で、前記位置規正ピンを前記ピン挿入用穴に挿入する
   ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
4. 【請求項４】 位置規正ピンをピン挿入用穴から抜いた
   後、上金型と下金型の平面方向のずれを基準位置まで補
   正移動する請求項３記載の半導体デバイスの製造方法。
5. 【請求項５】 相対的に上下動する上側装置および下側
   装置と、前記上側装置および下側装置の間に配置され半
   導体デバイスに用いられるリードフレームを成形する上
   金型および下金型とを備え、前記上金型および下金型が
   それぞれ独立して平面方向に移動可能なように前記上側
   装置および下側装置にそれぞれ保持されていることを特
   徴とする半導体デバイスの製造装置。
6. 【請求項６】 上金型と上側装置の間および下金型と下
   側装置の間にそれぞれ引力を発生させる位置補正機構を
   設けることにより、前記上金型と下金型の平面方向のず
   れを基準位置まで補正移動できるようにした請求項５記
   載の半導体デバイスの製造装置。