JP2849181B2

JP2849181B2 - 半導体装置の外部リード成形方法

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Publication number: JP2849181B2
Application number: JP20425690A
Authority: JP
Inventors: 英雄中山
Original assignee: APITSUKU YAMADA KK
Current assignee: APITSUKU YAMADA KK
Priority date: 1990-08-01
Filing date: 1990-08-01
Publication date: 1999-01-20
Anticipated expiration: 2014-01-20
Also published as: JPH0488663A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、樹脂封止された半導体装置をリードフレー
ムから分離した後、樹脂封止部の側面より延出する外部
リードの基部側を前記樹脂封止部の側面に沿うように下
方に折り曲げた後、先端側を外方に折り曲げる半導体装
置の外部リード成形方法関する。

（従来技術）従来、半導体装置の製造方法について概略説明する
と、リードフレームのステージ部に半導体チップが搭載
され、ワイヤボンディングにより上記半導体チップと上
記リードフレームが電気的に接続される。そして、上記
半導体チップを搭載された上記リードフレームが樹脂封
止装置に搬入されて、該半導体チップが樹脂封止され
る。

樹脂封止後、上記リードフレームのうちダムバーが切
断され、樹脂封止部の側面より延出する外部リードの先
端が各々フリー状態となる。このとき、上記樹脂封止部
は、吊りピンにより上記リードフレームのサイドレール
に支持されている。この状態で上記リードフレームを曲
げダイ及び曲げパンチにより外部リードの折曲加工が行
われ、その後上記サイドレールから吊りピンを切断して
半導体装置を個々に分離していた。

また、上記リードフレームより外部リードを切断して
半導体装置が個々に分離された後で、分離された該半導
体装置を曲げダイ及び曲げパンチにより外部リードの折
曲加工が行れていた。

（発明が解決しようとする課題）しかし、上記樹脂封止後の半導体装置は、樹脂封止部
の封止樹脂は温度が低下するに従って硬化収縮するた
め、該樹脂封止部に反りや捩じれが生じ易い。例えば、
第12図に示すように、半導体装置１は、樹脂封止部２の
収縮に伴って、下に凸となるように反ってしまう。これ
は、封止樹脂が硬化収縮する際に上記樹脂封止部２の上
側部と下側部の間に応力差を生ずるためである。このた
め、上記樹脂封止部２の側面より延出する外部リード３
に高さ方向に位置ずれを生ずる。

このように、上記樹脂封止部２が反った状態で、上記
半導体装置１の外部リード３を折曲加工すると、各外部
リード３が均一に折曲加工されずに、高さ位置にばらつ
きが生じたり、また各外部リード３のリード間ピッチに
誤差が生じたりする。

具体的に説明すると、第13図において、半導体装置１
の外部リード３を折曲加工する場合には、高さ位置がば
らついた外部リード３の基部3aを平らな面を有するダイ
５とノックアウト６とで強く押さえ、パッケージ基部を
平らにして外部リード３の高さ位置に大きなばらつきが
ない状態で、パンチ７により折り曲げる。このため、上
記半導体装置１をプレス金型より取り出すと、第12図に
示すように、外部リード３の基部3aが高さ方向に再度ば
らついた状態に戻ってしまい、上記外部リード３の高さ
位置がばらついて破線に示すように弧状或いはＶ字状と
なってしまう。

即ち、上記樹脂封止部２の反りにより、上記外部リー
ド３の端部に位置する外部リード3bは、上記樹脂封止部
２に反りがないと仮定したときに比べて、延出方向に位
置ずれｌを生じ、高さ方向に位置ずれｈを生ずる。この
ような位置ずれl,hを生じた半導体装置１をプリント基
板へ実装すると、外部リード３全体が均一に接合でき
ず、接触不良などを起こす原因となる。特に、多ピン化
して多数の外部リード３を有する半導体装置１において
は不具合が顕著になり、位置ずれ量l,hの値も大きくな
ることから、信頼性が低下するという問題点があった。

本発明の目的は、半導体装置の樹脂封止部に反りや捩
じれが生じでも外部リードの先端を揃えて折曲加工でき
る半導体装置の外部リード成形方法を提供することにあ
る。

（課題を解決するための手段）本発明は上記従来技術の課題を解決するため以下の構
成を備えている。

即ち、樹脂封止された半導体装置をリードフレームか
ら分離した後、樹脂封止部の側面より延出する外部リー
ドの基部側を前記樹脂封止部の側面に沿うように下方に
折り曲げた後、先端側を外方に折り曲げる半導体装置の
外部リード成形方法において、前記樹脂封止部の反り又
は捩じれにより高さ位置がばらついたものを含む前記外
部リードを、当該高さ位置がばらついたままその基部側
を、高さ位置が同一方向に傾斜する外部リード群毎にノ
ックアウト及び曲げダイによりクランプするクランプ工
程と、前記ノックアウト及び曲げダイによりクランプさ
れた前記外部リードの基部側を曲げパンチにより前記樹
脂封止部の側面に沿って下方に折り曲げた後、先端側を
同じ高さで外方に折り曲げる折り曲げ工程とを有するこ
とを特徴とする。

また、前記樹脂封止部の対向する側面より延出する前
記外部リード群毎に前記ノックアウト及び前記曲げダイ
によりクランプされて、前記曲げパンチにより折り曲げ
加工されるのが好ましい。

また、前記外部リード群の先端が連結片により連結さ
れた状態で折り曲げ加工された後、該連結片が切除され
るようにしても良い。

（作用）樹脂封止された半導体装置をリードフレームから分離
した後、樹脂封止部が縮変形して反りや捩じれなどが生
じるため、該樹脂封止部の側面より延出する外部リード
の高さ位置にばらつきが生ずる。上記外部リードの高さ
位置が同一方向に傾斜する外部リード群毎に、ノックア
ウト及び曲げダイの挟持部及び受け部により高さ位置が
ばらついたまま上記外部リードの基部側をクランプし、
曲げパンチにより折り曲げ加工を施す。

これによって、上記外部リード群の高さ方向のばらつ
きを抑えて外部リード先端の平坦度の向上を図ることが
できる。

特に、上記樹脂封止部の側面より延出する高さ位置が
同一方向に傾斜する外部リード群毎にノックアウト及び
曲げダイによりクランプして、曲げパンチにより折り曲
げ加工するので、該曲げパンチの突き量を調整すること
で各外部リードの曲げ角度が均一になり、リード先端位
置やリード間ピッチのずれが少ない高精度な折り曲げ加
工を施すことができる。

また、上記樹脂封止部の対向する側面より延出する外
部リードを同時に折り曲げ加工される場合には、半導体
装置全体に加わる曲げパンチの押圧力の釣り合いがとれ
るので、外部リードや樹脂封止部に無理な力が加わるこ
とがない。

また、上記同一方向に傾斜する外部リード群毎に折り
曲げ加工することにより、該外部リード群をクランプす
る上記ノックアウトの挟持部及び上記曲げダイの受け部
を直線的に成形すれば良いので、研削加工が容易に行え
る。

また、上記外部リード群の先端が連結片により連結さ
れた状態で折り曲げ加工された後、上記連結片が切除さ
れるようにした場合には、上記外部リードの先端位置の
ばらつきを最小限に抑えることができる。

（実施例）以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。

本実施例は、半導体装置の樹脂封止部の側面から延出
する外部リードを、先ずその基部側を下方に折り曲げ
て、更に先端側を外方に折り曲げて、全体としてＺ字状
に折り曲げる外部リード成形方法について説明する。

なお、樹脂封止部の樹脂封止部はリードフレームのパ
ターン、上下のキャビティの比率などが等しいため、製
品によってほぼ同一の反り或いは捩じれが生ずる傾向が
ある。

先ず、樹脂封止部が反った場合の外部リードの成形方
法について説明する。

第１図（ａ）（ｂ）は樹脂封止部が反った状態の半導
体装置の側面図および平面図である。

樹脂封止された半導体装置10をリードフレームから分
離し、ダムバーおよび樹脂バリを切断・除去した後、第
１図に示すように、半導体装置10の樹脂封止部12が反っ
た状態となる。この半導体装置10は、反り方向に交差す
る側面10a,10bからは外部リード14は斜め上方を向いて
ほぼ同じ高さ位置で延出している。一方、反り方向に平
行な他の側面10b,10bからは外部リード15は上記樹脂封
止部12の側面に反って高さ位置がばらついて延出してい
る。

上記半導体装置10の他の側面10b,10bより延出する外
部リード15は、各々中央部分を境にして側面10b,10bに
沿う方向に高さ位置の傾きが異なる。このほぼ同一方向
に傾く外部リード群をそれぞれＡ群とＢ群とし、上記外
部リード15の折曲加工もＡ群とＢ群とに２回に分けて行
うのが好ましい。

即ち、先ず対向する他の側面10b,10bより延出する外
部リード15のうち、Ａ群の外部リード15をクランプして
折り曲げ成形し（第２図参照）、続いてＢ群の外部リー
ド15をクランプして折り曲げ成形する（第３図参照）。

一方、上記側面10a,10aに沿う方向には、外部リード1
4の高さ一がほぼ一定であるので、各側面10a,10aより延
出する外部リード14全体をクランプして折曲加工を行
う。

次に、上記半導体装置10の外部リード成形方法につい
て具体的に説明する。ここでは、樹脂封止部12の側面10
b,10bより延出する高さ位置がばらついた外部リード15
の折り曲げを中心に説明する。尚、折り曲げ装置は第４
図及び第５図を参照して説明する。

半導体装置10は曲げダイ20とノックアウト24によりク
ランプされる。上記曲げダイ20及びノックアウト24に
は、それぞれ半導体装置10の樹脂封止部12を収納する凹
部20a、24aが各々形成されている。なお、ノックアウト
24は上方からバネ材により付勢されたクッション機構に
支持されている。

上記曲げダイ20の外部リード15を支持する受け部22
は、外部リード15のリード群Ａ及びリード群Ｂの高さ位
置に応じた傾き22aを有している。即ち、本実施例では
上記受け部22の傾き22aの形状が浅いＶ字状に形成され
ている。

一方、上記ノックアウト24には、上記曲げダイ20の受
け部22に対応する部位にクランプ部26が形成されてい
る。このクランプ部26のうち、Ａ群の外部リード15に対
応する部位には挟持部26aが形成されており、上記受け
部22と共に外部リード15の基部側を高さ位置がばらつい
たままクランプする。また、上記挟持部26a以外のＢ群
の外部リード15に対応する部位には逃げ部26bが形成さ
れており、上記受け部22に支持された上記Ｂ群の外部リ
ード15を挟持しないようになっている。

尚、上記外部リード15を折り曲げる際には、側面10a,
10aより延出する外部リード14は、上記曲げダイ20とノ
ックアウト24には挟持されないようになっている。

上記外部リード15を折り曲げ成形する曲げパンチ28
は、Ａ群の外部リード15に対応する部位だけに作用部28
aが形成されている。

尚、上記ノックアウト24のクランプ部26及び曲げダイ
20の受け部22の形状を、予め半導体装置10の外部リード
14,15の反りや捩じれ状態に合わせて一体に成形するこ
とも考えられる。しかしながら、ノックアウト24の挟持
部26aや曲げダイ20の受け部22を、樹脂封止部12の側面1
0b,10bより延出する外部リード15のばらついた高さ位置
に合わせて凹凸面に研削加工するためには、平面研削で
は加工できないため、NC制御による研削装置により研削
加工することになる。ところで、上記凹部側となる受け
部22を回転砥石により浅いＶ字状の傾き22aに成形する
のは極めて難しい。このため、上述したように、上記受
け部22を外部リード群A,Bに対応する部位に分けて直線
的かつ部分的に研削加工し、上記挟持部26a以外の部分
に逃げ部26bを形成することにより、上記クランプ部26
及び受け部22の研削加工が容易となる。

次に、上記折り曲げ装置の折り曲げ動作について第５
図を参照して説明する。第５図は曲げパンチ28が外部リ
ード15を折り曲げる前後の状態を示す。

上記曲げパンチ28はノックアウト24の両側外側面に沿
って上下動可能に支持されている。即ち、上記曲げパン
チ28の上端側内壁面側には、上記ノックアウト24の外壁
面に当接して転動するローラ30が軸支されている。ま
た、上記ノックアウト24の外壁面には突起部25が形成さ
れており、上記曲げパンチ28が下動するに従って上記ロ
ーラ30が上記突起部25のテーパー面に沿って乗り上げる
ようになっている。

また、上記左右の曲げパンチ28には支持軸32に嵌め込
まれており、該曲げパンチ28は上記ノックアウト24の中
心線（図５の一点鎖線）とほぼ平行に各々上下に移動す
る際に、上記ローラ30が上記ノックアウト24の該壁面に
形成された突起部25に各々乗り上げることにより、上記
曲げパンチ28は上記支持軸32を中心に曲げダイ20側へ各
々回動可能になっている。上記左右の曲げパンチ28は、
左右同じタイミングで上下動して上記支持軸32を中心に
回動することにより外部リード15の先端が外側を向くよ
うに左右同じ高さに各々折り曲げられる。

上記外部リード15の折り曲げ動作について詳述する
と、ノックアウト24の挟持部26aと曲げダイ20の受け部2
2との間でＡ群の外部リード15の基部側を高さ位置がば
らついたままクランプすると、左右の曲げパンチ28が下
動してローラ30がノックアウト24の外壁面に当接しなが
ら転動し、先ず上下外部リード15の基部側を樹脂封止部
12の側面10b,10bに沿って下方に折り曲げる。

そして、上記左右の曲げパンチ28が更に下動して上記
ローラ30が突起部25に乗り上げると、該曲げパンチ28が
支持軸32を中心にその上端側が外方に開きつつて下端側
が曲げダイ20側へ各々回動して、全体としてＺ字状に外
部リード15の先端が外側を向くように左右両側を同じ高
さに折り曲げる。上記曲げパンチ28の突き量を予め上記
外部リード15の高さ位置のばらつきに応じて微調整して
おくことで、折り曲げられた外部リード15のスプリング
バック量が変化して、リード間ピッチやリード先端位置
のばらつきがほぼ均一になるように矯正することができ
る（第２図参照）。

上記Ａ群の外部リード15の折り曲げ成形が終了した
ら、半導体装置10を次工程に搬送してＢ群の外部リード
15の基部側を高さ位置がばらついたままクランプして、
同様に左右の曲げパンチ28により折り曲げ加工が行われ
る（第３図参照）。

次に、上記半導体装置10を次工程に搬送して樹脂封止
部12の側面10a,10aより延出する外部リード14全体をノ
ックアウト24及び曲げダイ20によりクランプして同時に
折り曲げ成形を行う。この外部リード14は上方に反って
いたとしても高さ位置はほぼ一定であるので、水平に形
成された曲げダイ20の受け部22及びノックアウト24の挟
持部26aによって上記外部リード14の基部側がクランプ
されて、左右両側を同時に各々折り曲げ成形される。

上記構成によれば、樹脂封止部12の反りは捩じれによ
り高さ位置がばらついた外部リード15を当該高さ位置が
ばらついたまま基部側をノックアウト24及び曲げダイ20
によりクランプし、曲げパンチ28により上記外部リード
15を折り曲げ加工するので、上記樹脂封止部12より延出
する高さ位置がばらついた上記外部リード15の先端位置
を均一な高さに折り曲げ成形でき、外部リード先端の平
坦度の向上を図ることが可能となる。

特に、上記樹脂封止部12の側面10bより延出する高さ
位置が同一方向に傾斜する外部リード群毎に上記ノック
アウト24及び曲げダイ20によりクランプして、曲げパン
チ28により折り曲げ加工を施すので、予め曲げパンチ28
の突き量を調整することで各外部リード15の曲げ角度が
均一になり、外部リード先端位置やリード間ピッチのず
れが少ない高精度な折り曲げ加工を施すことができる。

また、上記樹脂封止部12の対向する側面10b,10bより
延出する外部リード15が同時に折り曲げ加工される場合
には、半導体装置10に作用する曲げパンチ28の押圧力の
釣り合いがとれるので、上記外部リード15や上記樹脂封
止部12に無理な力が加わることがない。

また、上記高さ位置が同一方向に傾斜する外部リード
群毎にクランプされて折り曲げ加工されるので、該外部
リード群をクランプする上記ノックアウト24の挟持部26
a及び上記曲げダイ20の受け部22を直線的に成形すれば
良いので、研削加工が容易に行える。

（他の実施例）次に、上記実施例の変形例について第６図〜第８図を
参照して説明する。本実施例は、樹脂封止後の半導体装
置40の樹脂封止部42に捩じれが生じた場合の外部リード
成形方法について説明する。

第６図において、半導体装置40は、樹脂封止部42が対
角線Ｌを介して対向する角部42a,42aが高くなり、対角
線Ｌの両側角部42b,42bが低くなるように捩じれが生じ
ている。この状態では、半導体装置40を次のように折り
曲げ成形するのが好適である。

即ち、樹脂封止部42の対向する側面40a,40aより延出
する外部リード44のうち、該側面40a,40aに沿う方向に
高さ位置がほぼ同じ傾きを有する外部リード群に分け
る。例えば、第６図においては側面40a,40aより延出す
る外部リード44を右上がりの外部リード群をＡ群とし、
左下がりの外部リード群をＢ群とする。

また、上記樹脂封止部42の対向する他の側面40b,40b
より延出する外部リード45も同様に該他の側面40b,40b
に沿う方向に高さ位置がほぼ同じ傾きを有する外部リー
ド群に分ける。例えば、第６図においては他の側面40b,
40bより延出する外部リード45を左上がりの外部リード
群をＣ群とし、右下がりの外部リード群をＤ群とする。

上記半導体装置40の外部リード44,45を折り曲げ成形
する場合には、対向する側面40a,40aより延出するＡ群
と対向する他の側面40b,40bより延出するＣ群に相当す
る外部リード群の基部側を同時にクランプして折り曲げ
成形を行い、その後同様にしてＢ群とＤ群に相当する外
部リード群の基部側を同時にクランプして折り曲げ成形
を行う。

上記半導体装置40を折り曲げ成形する折り曲げ装置
は、前述した実施例と同様の装置を用いれば良い。即
ち、先ず半導体装置40の外部リード44,45を曲げダイの
受け部により支持して、Ａ群とＣ群の外部リード群に対
応する部位に形成されたノックアウトの挟持部により高
さ位置がばらついたまま外部リード44,45の基部側をク
ランプする。そして、曲げパンチの上記Ａ群とＣ群の外
部リード群に対応する部位に形成された作用部により、
上記外部リード44,45を同一の高さにＺ字状に折り曲げ
成形する。

同様にして上記Ｂ群とＤ群の外部リードを曲げダイの
受け部とノックアウトの挟持部により高さ位置がばらつ
いたまま外部リード44,45の基部側をクランプし、曲げ
パンチの上記Ｂ群とＤ群の外部リード群に対応する部位
に形成された作用部により、上記外部リード44,45を同
一の高さにＺ字状に折り曲げ成形する。

次に、半導体装置50の外部リードの成形方法の他の実
施例について第９図〜第11図を参照して説明する。本実
施例では、半導体装置50の樹脂封止部に捩じれが生じた
場合の外部リード成形方法について説明するものとす
る。

上記半導体装置50の外部リード54をリードフレームか
ら切断する際に、予め高さ位置が同一方向に傾くことが
想定される外部リード群の先端を連結片56により連結さ
れた状態で切り離す（図９参照）。そして、上記半導体
装置50の反りや捩じれに応じて、例えば第６図〜第８図
と同様に、対向する側面より延出する外部リード群（Ａ
群）と対向する他の側面より延出する外部リード群（Ｃ
群）の基部側を同時にクランプして折り曲げ成形を行う
（第10図参照）。その後、同様にしてＢ群とＤ群に相当
する外部リード群の基部側を同時にクランプして折り曲
げ成形を行う（第11図参照）。最後に、各外部リード群
の外部リード54先端を連結する連結片56を切除する。

上記構成によれば、半導体装置50がリードフレームよ
り切り離される際に、予め高さ位置が同一方向に傾くこ
とが想定される外部リード群の先端を連結片56により連
結しているので、樹脂封止部の反りや捩じれ等による外
部リード54の先端位置の位置ずれを互いに吸収してばら
つきを最小限に抑えることができる。また、上記外部リ
ード群が連結片56に連結された状態で折り曲げ加工され
るので、一部の外部リード54に外力が加わっても分散化
でき、折り曲げ成形された外部リードの先端位置やリー
ド間ピッチを高精度に均一化することができる。本発明
は、上述した実施例に限定されるものではなく、発明の
精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得ることは勿
論である。

（発明の効果）本発明は前述したように、樹脂封止部の反り又は捩じ
れにより高さ位置がばらついたものを含む外部リード
を、当該高さ位置がばらついたままその基部側を、高さ
位置が同一方向に傾斜する外部リード群毎にノックアウ
ト及び曲げダイによりクランプし、曲げパンチにより外
部リードを折り曲げ加工するので、樹脂封止部より延出
する高さ位置がばらついた外部リードの先端位置を均一
な高さに折り曲げ成形でき、外部リード先端の平坦度の
向上を図ることが可能となる。

特に、樹脂封止部の側面より延出する高さ位置が同一
方向に傾斜する外部リード群毎に前記ノックアウト及び
曲げダイによりクランプして、曲げパンチにより折り曲
げ加工を施すので、予め該曲げパンチの突き量を調整す
ることで各外部リードの曲げ角度が均一になり、外部リ
ード先端位置やリード間ピッチのずれが少ない高精度な
折り曲げ加工を施すことができる。

また、樹脂封止部の対向する側面より延出する外部リ
ードが同時に折り曲げ加工される場合には、半導体装置
に作用する曲げパンチの押圧力の釣り合いがとれるの
で、外部リードや樹脂封止部に無理な力が加わることが
ない。

また、高さ位置が同一方向に傾斜する外部リード群毎
にクランプされて折り曲げ加工されるので、該外部リー
ド群をクランプするノックアウトの挟持部及び曲げダイ
の受け部を直線的に成形すれば良いので、研削加工が容
易に行える。

また、半導体装置がリードフレームより切り離される
際に、予め高さ位置が同一方向に傾くことが想定される
外部リード群の先端が連結片により連結されている場合
には、樹脂封止部の反りや捩じれ等による外部リードの
先端位置の位置ずれを互いに吸収してばらつきを最小限
に抑えることができる。

また、外部リード群が前記連結片に連結された状態で
折り曲げ加工が行われるので、一部の前記外部リードに
外力が加わっても分散化できるので、折り曲げ成形され
た外部リードの先端位置やリード間ピッチを高精度に均
一化することができる等の著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び（ｂ）は樹脂封止された半導体装置の
側面図及び平面図、第２図及び第３図はそれぞれ半導体
装置の外部リードの折り曲げ工程を示す平面図、第４図
は半導体装置の折り曲げ装置を示す正面説明図、第５図
は上記折り曲げ装置の側面説明図、第６図は捩じれを生
じた半導体装置の斜視説明図、第７図及び第８図は第６
図の半導体装置の外部リードの折り曲げ工程を示す平面
説明図、第９図〜第11図は他例に係る半導体装置の外部
リードの曲げ工程を示す平面説明図、第12図は反りが生
じた半導体装置の側面説明図、第13図は従来の半導体装
置の外部リード成形方法を示す説明図である。 10,40,50……半導体装置 10a,10b,40a,40b……側面 12,42……樹脂封止部 14,15,44,45,54……外部リード 20……曲げダイ 22……受け部 24……ノックアウト 25……突起部 26……クランプ部 26a……挟持部 26b……逃げ部 28……曲げパンチ 28a……作用部 30……ローラ 32……支持軸 56……連結片

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂封止された半導体装置をリードフレー
ムから分離した後、樹脂封止部の側面より延出する外部
リードの基部側を前記樹脂封止部の側面に沿うように下
方に折り曲げた後、先端側を外方に折り曲げる半導体装
置の外部リード成形方法において、前記樹脂封止部の反り又は捩じれにより高さ位置がばら
ついたものを含む前記外部リードを、当該高さ位置がば
らついたままその基部側を、高さ位置が同一方向に傾斜
する外部リード群毎にノックアウト及び曲げダイにより
クランプするクランプ工程と、前記ノックアウト及び曲げダイによりクランプされた前
記外部リードの基部側を曲げパンチにより前記樹脂封止
部の側面に反って下方に折り曲げた後、先端側を同じ高
さで外方に折り曲げる折り曲げ工程と、を有することを特徴とする半導体装置の外部リード成形
方法。
【請求項２】前記樹脂封止部の対向する側面より延出す
る前記外部リード群毎に前記ノックアウト及び前記曲げ
ダイによりクランプされて、前記曲げパンチにより折り
曲げ加工されることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の外部リード成形方法。
【請求項３】前記外部リード群の先端が連結片により連
結された状態で折り曲げ加工された後、該連結片が切除
されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半
導体装置の外部リード成形方法。