JPH11297648A - 半導体ウェハの製造方法およびその製造装置 - Google Patents

半導体ウェハの製造方法およびその製造装置

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JPH11297648A
JPH11297648A JP9489898A JP9489898A JPH11297648A JP H11297648 A JPH11297648 A JP H11297648A JP 9489898 A JP9489898 A JP 9489898A JP 9489898 A JP9489898 A JP 9489898A JP H11297648 A JPH11297648 A JP H11297648A
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wafer
wafers
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JP9489898A
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English (en)
Inventor
Fumiyoshi Kano
史義 加納
Junichi Iio
順一 飯尾
Soujiro Tsuchiya
総二郎 土屋
Kiyoshi Nakakuki
清 中久木
Akinari Fukaya
顕成 深谷
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Denso Corp
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Denso Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄肉加工でのウェハの反りの発生を抑制して
次の処理工程に移送すること。 【解決手段】 ウェハ1a、1bをホットメルト接着剤
4により接合させた状態で研削工程および研磨工程にて
薄肉化し、ウェハチャックにウェハ1a、1bを固定さ
せた状態でウェハ1a、1bを剥離させ、その固定状態
を保持した状態でダイシング用テープ40の張り付けお
よびSG用テープ3a、3bを剥離させた後、ダイシン
グを行う。これにより、研削工程および研磨工程を経た
後も、ウェハ1a、1bの表面または裏面のいずれかで
ウェハチャックによって固定され続けているので、ウェ
ハ1a、1bの反りの発生をウェハチャックにより防止
して、的確に次の処理工程を実施することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハの製造
方法およびその製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばICカードチップ用ウェハ
の製造工程で使用される半導体ウェハの薄肉加工方法に
は、研削方法、研磨方法(CMP)、およびエッチング
方法といった機械的および化学的方法がある。これらの
方法は、図13(a)に示すように、配線パターン31
が印刷されたウェハ30の表面にSG用テープ32と呼
ばれる配線パターン保護用のテープを貼り付けた後、ウ
ェハ30の裏面(配線パターン31が設けられた面に対
して反対側の面)を削る方法として一般的に使用されて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ウェハ30の
薄肉化が進むにしたがってウェハ30自体の剛性力も低
下してしまうので、上記加工方法にてウェハ30を薄肉
化し、所定のウェハ固定装置により固定していた薄肉化
されたウェハ30を開放すると、ウェハ30自体の剛性
力に対してSG用テープの収縮力の方が勝ってしまうた
め、図13(b)に示すように、薄肉化されたウェハ3
0に反りが発生してしまう。そのため、次の処理工程で
あるダイシング工程(ウェハ30上に搭載された複数の
ICチップをダイシングして1つずつのICチップに分
割する工程)において、ダイシングのために薄肉化され
たウェハ30を固定しようとすると、発生してしまった
反りを強引に平坦化しようとするためにウェハ30にク
ラック33が発生してしまうという問題がある。
【0004】そこで本発明は上記問題点に鑑みてなされ
たものであり、薄肉加工でのウェハの反りの発生を抑制
して次の工程に移送することが可能なウェハの製造方法
を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】そのため請求項1記載の
発明においては、ウェハの反りを抑制する方向に力を働
かせて該ウェハを固定する第1の工程と、固定された前
記ウェハに対して薄肉加工を施す第2の工程と、薄肉加
工を施された前記ウェハを固定したままの状態で次の処
理工程に移送する第3の工程と、を含んでいる。
【0006】これにより、薄肉加工が施されたウェハ
は、このウェハの反りを抑制する方向に力を働かせた状
態で次の処理工程に移送されるので、薄肉化されてウェ
ハ自体の剛性力が弱まっても外的な抑制力により反りの
発生を防止することができ、的確に次の処理工程を実施
することができるという優れた効果がある。また、請求
項2記載の発明においては、ウェハの反りを抑制する方
向に力を働かせて該ウェハを固定する固定手段と、この
固定手段により固定された前記ウェハに対して薄肉加工
を施す薄肉加工手段と、この薄肉加工手段により薄肉加
工を施された前記ウェハを前記固定手段により固定した
ままの状態で次の処理工程に移送する移送手段と、を備
えている。
【0007】これにより、薄肉加工が施されたウェハ
は、移送手段によって、固定手段により固定したままの
状態で次の処理工程に移送されるので、薄肉化されてウ
ェハ自体の剛性力が弱まっても固定手段という外的な抑
制力により反りの発生を防止することができ、的確に次
の処理工程を実施することができるという優れた効果が
ある。
【0008】また、請求項3記載の発明においては、剛
性力を補強するための補強部材およびウェハを接合する
第1の工程と、前記ウェハの非接合面を削ることにより
前記ウェハに対して薄肉加工を施す第2の工程と、前記
ウェハの反りを抑制する方向に力を働かせて、薄肉加工
を施された前記ウェハを固定する第3の工程と、前記ウ
ェハを固定したままの状態で次の処理工程に移送する第
4の工程と、を含んでいる。
【0009】これにより、薄肉加工が施されたウェハ
は、このウェハの反りを抑制する方向に力を働かせた状
態で次の処理工程に移送されるので、薄肉化されてウェ
ハ自体の剛性力が弱まっても外的な抑制力により反りの
発生を防止することができ、的確に次の処理工程を実施
することができるという優れた効果がある。さらに請求
項4記載の発明においては、剛性力を補強するための補
強部材およびウェハを接合する接合手段と、この接合手
段により接合された前記ウェハの非接合面を削ることに
より前記ウェハに対して薄肉加工を施す薄肉加工手段
と、前記ウェハの反りを抑制する方向に力を働かせて、
前記薄肉加工手段により薄肉加工を施された前記ウェハ
を固定する固定手段と、前記固定手段により固定したま
まの状態で前記ウェハを次の処理工程に移送する移送手
段と、を備えている。
【0010】これにより薄肉加工が施されたウェハは、
移送手段によって、固定手段により固定したままの状態
で次の処理工程に移送されるので、薄肉化されてウェハ
自体の剛性力が弱まっても固定手段という外的な抑制力
により反りの発生を防止することができ、的確に次の処
理工程を実施することができるという優れた効果があ
る。
【0011】また請求項5記載の発明においては、剛性
力を補強するための補強部材およびウェハを接合する第
1の工程と、前記ウェハの非接合面を削ることにより前
記ウェハに対して薄肉加工を施す第2の工程と、薄肉加
工を施された前記ウェハを、前記補強部材および前記ウ
ェハを接合したままの状態で次の処理工程に移送する第
3の工程と、を含んでいる。
【0012】これにより、補強部材がウェハの剛性力を
高めることができるので、補強部材とウェハを接合した
状態で移送すれば、薄肉加工を施した後でもウェハの反
りを防いで移送することができ、的確に次の処理工程を
実施することができるという優れた効果がある。さら
に、特別な固定装置を必要とすることなくウェハの反り
を防止することができる。
【0013】さらに、請求項6記載の発明においては、
剛性力を補強するための補強部材およびウェハを接合す
る接合手段と、前記ウェハの非接合面を削ることにより
前記ウェハに対して薄肉加工を施す薄肉加工手段と、薄
肉加工を施された前記ウェハを、前記補強部材および前
記ウェハを接合したままの状態で次の処理工程に移送す
る移送手段と、を備えている。
【0014】これにより、補強部材がウェハの剛性力を
高めることができるので、移送手段によって補強部材と
ウェハを接合した状態で移送すれば、薄肉加工を施した
後でもウェハの反りを防いで移送することができ、的確
に次の処理工程を実施することができるという優れた効
果がある。さらに、特別な固定装置を必要とすることな
くウェハの反りを防止することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい一実施形
態を図面に基づいて説明する。この実施例では、カード
に内蔵されるICチップを搭載したウェハの薄肉加工方
法に本発明を適用した場合について説明する。図1は本
発明の第1実施例を示すウェハの薄肉加工工程を説明す
るための工程図であり、図2および図3は上記第1実施
例の各工程におけるウェハチャックの作動を説明するた
めの説明図である。
【0016】図1〜図3において、図1に示すウェハ張
り合わせ工程では、図5に示すようにまずウェハ1a、
1bをバキューム式のウェハチャック5(固定手段に相
当)に各々固定する。そして、ウェハ1a、1bにおい
て配線パターン2a、2bが印刷された面側に各々SG
用テープ3a、3bを貼り付け、続いて熱溶融性のホッ
トメルト接着剤4をSG用テープ3bの非貼り付け面側
に塗布する。
【0017】そして、図5に示す矢印方向にウェハチャ
ック5を移動させ、ウェハチャック5に設けられた図示
されない加熱部によりウェハ1a、1bを加熱しながら
圧力をかけて張り合わせ、その後、全体を冷却してウェ
ハ1aおよびウェハ1bの間を固着する。次に、図1に
示す研削工程では、図6に示すような研削装置6(薄肉
加工手段に相当)でウェハ1a、1bの研削を行う。す
なわちまずウェハチャック5にてウェハ1b側を固定さ
せた上で、表面に砥石が設けられた研削装置6を図6に
示す矢印方向に回転させつつ移動させて、ウェハ1aの
表面を研削する。この時、ウェハチャック5も回転して
いるため、研削装置6はウェハ1aの表面全体を研削す
ることができる。なお、ノズル7からは洗浄のための研
削水が研削装置6とウェハ1aの境界部分に向けて注が
れている。
【0018】続いてウェハ1aの研削が完了すると、ウ
ェハチャック5によるウェハ1bの固定を解除し、接合
されたウェハ1a、1bを手作業などで反転させて、今
度はウェハ1aをウェハチャック5に固定させた上で研
削装置6にてウェハ1bの表面を研削する。このウェハ
1bの研削が完了すると、図1に示すように研削された
表面を平坦にするための研磨工程が行われる。すなわ
ち、図7に示すように、まず前工程で研削し終えたばか
りのウェハ1b側をウェハチャック5に固定し、続いて
ウェハチャック5によるウェハ1aの固定を解除する。
そして、表面に研磨布が設けられた研磨定盤8上にウェ
ハ1b側を固定したウェハチャック5を移動させ、図7
に示す矢印方向に向けて回転させながら研磨定盤8に圧
接させてウェハ1aの表面を研磨する。なお、ノズル9
からは研磨のための研磨剤が研磨定盤8に向けて注がれ
ている。
【0019】ウェハ1aの研磨が終了すると、ウェハチ
ャック5によるウェハ1bの固定を解除し、接合させた
ウェハ1a、1bを手作業などで反転させて、今度はウ
ェハ1a側をウェハチャック5に固定させた上で研磨装
置8にてウェハ1bの表面を研磨する。次に、図1に示
す洗浄&乾燥工程では、研削工程および研磨工程で発生
してウェハ1a、1bに付着した塵を洗浄し、その後こ
れを乾燥させる。
【0020】続いて図1に示すウェハ剥離工程において
は、図12に示すような剥離装置17を使用して接合さ
れたウェハ1a、1bを剥離させる。すなわちウェハ1
a、1bの双方にウェハチャック5を固定させた上で、
ホットメルト接着剤4が溶融する温度になるまでウェハ
1a、1bを図示されない加熱部にて加熱する。その上
でウェハチャック5を図12(a)および図12(b)
に示すX軸、Y軸、およびU軸方向に動かして、ウェハ
1aとウェハ1bを剥離させる。
【0021】次に、図1に示すダイシング用テープ貼り
付け工程では、剥離させたウェハ1a、1bに貼り付け
られたままのSG用テープ3a、3b側をウェハチャッ
ク5で固定し、その後、ウェハチャック5によるウェハ
1a、1bの固定を解除する。そして、ダイシング用テ
ープ40を固定したウェハチャック5をこのウェハ1
a、1bの下方に移動させて、ウェハ1a、1bとダイ
シング用テープ40を圧接させて貼り付ける。
【0022】続いて、図1に示すSG用テープ剥離工程
では、ウェハチャック5によるSG用テープ3a、3b
側の固定を解除して、このSG用テープ3a、3bをウ
ェハ1a、1bより剥離する。そして、図1に示すダイ
シング工程により、ウェハ1a、1b上に搭載されてい
る複数のICチップを1つずつのICチップに分割す
る。すなわち、図11に示すように、ウェハチャック5
でダイシング用テープ40側を固定させた上で、側面に
砥石が設けられたダイシング装置18を図11に示す矢
印方向に回転させてウェハ1a、1bをダイシングす
る。なお、ノズル19からは洗浄のための研削水がダイ
シング装置18とウェハ1a、1bとの境界部分に向け
て注がれている。
【0023】以上述べたように上記実施例では、研削工
程および研磨工程という薄肉加工工程を経た後も、ウェ
ハ1a、1bの表面または裏面のいずれかでウェハチャ
ック5によって固定し続け、さらに、その固定状態を保
持した状態でダイシング工程へと移送させているので、
薄肉化されてウェハ1a、1b自体の剛性力が弱まって
も、このウェハ1a、1bの反りの発生をウェハチャッ
クにより防止しているので、ウェハ1a、1bにクラッ
クを生じさせることなく、的確にダイシング処理を実施
することができる。
【0024】このことは、研削工程および研磨工程を完
了してダイシング工程へ移送する際の問題を解決するだ
けでなく、研削工程から研磨工程へ移送する際の問題を
も解決することになる。すなわち、従来方法によれば、
研削工程である程度薄くなったウェハをウェハチャック
より外した時でもウェハに反りが発生してしまうという
問題が生じるが、上記実施例を採用することにより、研
削工程から研磨工程へ移送する時でもウェハ1a、1b
の表面または裏面のいずれかでウェハチャック5によっ
て固定し続けているため、ウェハ1a、1bの反りの発
生を防止することができる。
【0025】また、上記実施例では、研削工程および研
磨工程に至る前工程の段階で2つのウェハ1a、1bを
張り合わせ、その上で研削工程および研磨工程を実施し
ているので、研削工程および研磨工程が進むにつれてウ
ェハの厚みが薄くなってきても、2枚のウェハを重ねて
いるが故にウェハ全体としては十分な厚みを有すること
になる。そのため、ウェハ全体としては充分な剛性力を
保持したままで研削工程および研磨工程を進めることが
でき、研削中あるいは研磨中にウェハが破壊することな
く、極めて厚みの薄いウェハを製造することができる。
【0026】しかも2枚のウェハを重ねることにより充
分な剛性力を保持することができるので、この接合状態
自体でもウェハの反りを防止することができる。そのた
め、検索工程から研磨工程への移送や、ダイシング工程
への移送の際でも、ウェハチャック5を用いずに、ウェ
ハ2枚による接合状態を保持した状態で移送すれば、ウ
ェハの反りを防止しつつ次の処理工程へ移送することが
できる。さらに、この場合では、ウェハ全体の強度その
ものも高い状態を保持しているため、移送途中でウェハ
が落下してもウェハの破損をも防止することができる。
【0027】なお、上記第1実施例では、2枚張り合わ
せたウェハ1a、1bの片面ずつを研削あるいは研磨す
る例について説明したが、上記に限らず、例えば図9に
示すように、ウェハ1a、1bを張り合わせたウェハ1
2の側面をキャリア11で固定し、表面に砥石が設けら
れた研削装置10a、10bによりウェハ12の両面を
同時に研削するようにしてもよい。また、研磨工程にお
いても、図10に示すように、ウェハ1a、1bを張り
合わせたウェハ12の側面をキャリア13で固定し、表
面に研磨布が設けられた研磨装置14a、14bにより
ウェハ12の両面を同時に研磨するようにしてもよい。
【0028】このようにウェハ12の両面に対して同時
に研磨や研磨を行うことにより、製造工程の効率を向上
させることができる。さらに、研削工程および研磨工程
において、機械的方法によるものではなく、図8に示す
ように、ノズル16より注がれるエッチング液による化
学的方法によって薄肉加工を施してもよい。なお、部材
15はエッチング液の回り込みを防止するための部材で
ある。
【0029】また上記実施例では、全工程にわたってウ
ェハチャック5によるウェハ1a、1bの固定が行われ
てきたが、これに限らなくてもよい。特に、上記実施例
ではウェハ1aおよびウェハ1bを張り合わせているた
め、この状態であれば厚みが充分にあるためにSG用テ
ープ3a、3bの収縮力以上にウェハ1a、1b自体の
剛性力が勝っており、ウェハチャック5を使用しなくて
もウェハ1a、1bの反りを防止することができる。
【0030】さらに、上記実施例では2枚のウェハを張
り合わせて薄肉加工しているが、これに限らず、ウェハ
1枚の場合であってもよい。次に、第2実施例について
説明する。この実施例では、上記第1実施例のように2
つのウェハを張り合わせるのではなく、1つのウェハ
と、そのウェハの剛性力を補強するための鉄板とを張り
合わせるものである。なお、この実施例におけるウェハ
チャック5の作動は上記第1実施例とほぼ同様であるの
で説明を省略する。
【0031】図4に示す鉄板張り合わせ工程では、上記
第1実施例と同様に、まずウェハ51および鉄板55を
ウェハチャック5に各々固定し、ウェハ51において配
線パターン52が印刷された面側にSG用テープ53を
貼り付け、続いて熱溶融性のホットメルト接着剤54を
SG用テープ53の非貼り付け面側に塗布する。そし
て、ウェハチャック5に設けられた図示されない加熱部
によりウェハ51を加熱しながら圧力をかけて鉄板55
と張り合わせ、その後、全体を冷却してウェハ51およ
び鉄板55の間を固着する。
【0032】次に、図4に示す研削工程および研磨工程
では、ウェハ51に対してのみ研削および研磨を行い、
続く洗浄&乾燥工程では、研削工程および研磨工程で発
生してウェハ51に付着した塵を洗浄し、その後これを
乾燥させる。そして、図4に示すウェハ剥離工程におい
てウェハ51と鉄板55を剥離させ、続いてダイシング
用テープ貼り付け工程においてウェハ51の露出面側と
ダイシング用テープ56とを貼り付ける。そして、図4
に示すように、ダイシング工程にてウェハ51上に搭載
された複数のICチップをダイシングして1つずつのI
Cチップに分割する。
【0033】上記第2実施例のようにすれば、上記第1
実施例で記載した効果を奏するだけでなく、両面を研削
する必要がないため、上記第1実施例に比べて工程を簡
略化することができるという効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示すウェハの薄肉加工工
程を説明するための工程図である。
【図2】上記第1実施例の各工程におけるウェハチャッ
クの作動を説明するための説明図である。
【図3】上記第1実施例の各工程におけるウェハチャッ
クの作動を説明するための説明図である。
【図4】本発明の第2実施例を示すウェハの薄肉加工工
程を説明するための工程図である。
【図5】上記第1実施例における張り合わせ工程を説明
するための説明図である。
【図6】上記第1実施例における研削工程を説明するた
めの説明図である。
【図7】上記第1実施例における研磨工程を説明するた
めの説明図である。
【図8】上記第1実施例における他の研削工程を説明す
るための説明図である。
【図9】上記第1実施例におけるさらに他の研削工程を
説明するための説明図である。
【図10】上記第1実施例における他の研磨工程を説明
するための説明図である。
【図11】上記第1実施例におけるダイシング工程を説
明するための説明図である。
【図12】上記第1実施例におけるウェハ剥離工程を説
明するための説明図である。
【図13】従来技術を説明するための説明図である。
【符号の説明】
1a、1b ウェハ 2a、2b 配線パターン 3a、3b SG用テープ 4 ホットメルト接着剤 40 ダイシング用テープ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中久木 清 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 深谷 顕成 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハの反りを抑制する方向に力を働か
    せて該ウェハを固定する第1の工程と、 固定された前記ウェハに対して薄肉加工を施す第2の工
    程と、 薄肉加工を施された前記ウェハを固定したままの状態で
    次の処理工程に移送する第3の工程と、 を含むことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
  2. 【請求項2】 ウェハの反りを抑制する方向に力を働か
    せて該ウェハを固定する固定手段と、 この固定手段により固定された前記ウェハに対して薄肉
    加工を施す薄肉加工手段と、 この薄肉加工手段により薄肉加工を施された前記ウェハ
    を前記固定手段により固定したままの状態で次の処理工
    程に移送する移送手段と、 を備えることを特徴とする半導体ウェハの製造装置。
  3. 【請求項3】 剛性力を補強するための補強部材および
    ウェハを接合する第1の工程と、 前記ウェハの非接合面を削ることにより前記ウェハに対
    して薄肉加工を施す第2の工程と、 前記ウェハの反りを抑制する方向に力を働かせて、薄肉
    加工を施された前記ウェハを固定する第3の工程と、 前記ウェハを固定したままの状態で次の処理工程に移送
    する第4の工程と、 を含むことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
  4. 【請求項4】 剛性力を補強するための補強部材および
    ウェハを接合する接合手段と、 この接合手段により接合された前記ウェハの非接合面を
    削ることにより前記ウェハに対して薄肉加工を施す薄肉
    加工手段と、 前記ウェハの反りを抑制する方向に力を働かせて、前記
    薄肉加工手段により薄肉加工を施された前記ウェハを固
    定する固定手段と、 前記固定手段により固定したままの状態で前記ウェハを
    次の処理工程に移送する移送手段と、 を備えることを特徴とする半導体ウェハの製造装置。
  5. 【請求項5】 剛性力を補強するための補強部材および
    ウェハを接合する第1の工程と、 前記ウェハの非接合面を削ることにより前記ウェハに対
    して薄肉加工を施す第2の工程と、 薄肉加工を施された前記ウェハを、前記補強部材および
    前記ウェハを接合したままの状態で次の処理工程に移送
    する第3の工程と、 を含むことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
  6. 【請求項6】 剛性力を補強するための補強部材および
    ウェハを接合する接合手段と、 前記ウェハの非接合面を削ることにより前記ウェハに対
    して薄肉加工を施す薄肉加工手段と、 薄肉加工を施された前記ウェハを、前記補強部材および
    前記ウェハを接合したままの状態で次の処理工程に移送
    する移送手段と、 を備えることを特徴とする半導体ウェハの製造装置。
  7. 【請求項7】 前記補強部材は第2のウェハであること
    を特徴とする請求項3もしくは請求項5記載の半導体ウ
    ェハの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記補強部材は第2のウェハであること
    を特徴とする請求項4もしくは請求項6記載の半導体ウ
    ェハの製造装置。
JP9489898A 1998-04-07 1998-04-07 半導体ウェハの製造方法およびその製造装置 Withdrawn JPH11297648A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356384A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nitto Denko Corp ウエハ裏面の処理方法およびダイシング用シート貼付け装置
JP2009278140A (ja) * 2009-08-25 2009-11-26 Nitto Denko Corp 半導体チップの製造方法
JP2013516072A (ja) * 2009-12-23 2013-05-09 スス マイクロテク リソグラフィー,ゲーエムベーハー 自動熱スライド剥離装置
JP2016171212A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社東芝 半導体装置の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356384A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nitto Denko Corp ウエハ裏面の処理方法およびダイシング用シート貼付け装置
JP4614416B2 (ja) * 2003-05-29 2011-01-19 日東電工株式会社 半導体チップの製造方法およびダイシング用シート貼付け装置
KR101057298B1 (ko) 2003-05-29 2011-08-16 닛토덴코 가부시키가이샤 웨이퍼 이면의 처리 방법 및 다이싱용 시트 부착 장치
JP2009278140A (ja) * 2009-08-25 2009-11-26 Nitto Denko Corp 半導体チップの製造方法
JP2013516072A (ja) * 2009-12-23 2013-05-09 スス マイクロテク リソグラフィー,ゲーエムベーハー 自動熱スライド剥離装置
JP2016171212A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US9935232B2 (en) 2015-03-12 2018-04-03 Toshiba Memory Corporation Method of manufacturing semiconductor device

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