JPH11284003A - バンプ形成方法 - Google Patents

バンプ形成方法

Info

Publication number
JPH11284003A
JPH11284003A JP8546198A JP8546198A JPH11284003A JP H11284003 A JPH11284003 A JP H11284003A JP 8546198 A JP8546198 A JP 8546198A JP 8546198 A JP8546198 A JP 8546198A JP H11284003 A JPH11284003 A JP H11284003A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive particles
jig
vacuum suction
forming method
alignment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8546198A
Other languages
English (en)
Inventor
Kosuke Inoue
康介 井上
Tatsuya Yoneda
達也 米田
Akira Tsuchiya
旭 土屋
Takamichi Suzuki
高道 鈴木
Teru Fujii
輝 藤井
Masayuki Morishima
雅行 森島
Ryosuke Kimoto
良輔 木本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Via Mechanics Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
Hitachi Via Mechanics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi ULSI Systems Co Ltd, Hitachi Via Mechanics Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP8546198A priority Critical patent/JPH11284003A/ja
Publication of JPH11284003A publication Critical patent/JPH11284003A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】各真空吸着孔に正しく1個の導電性粒子を整列
吸着させることで,バンプ形成においてボトルネックと
なっていた導電性粒子の整列吸着方法を改善し,高信頼
度バンプ形成を実現することにある。 【解決手段】はんだバンプ形成におけるキー技術である
はんだボール整列の信頼性を向上させるため,整列吸着
用治具に衝撃や加速度を付加した。また,余剰粒子吸着
防止用シートを付加した。よって所要数以上のはんだボ
ールは,衝撃や加速度により落下する,もしくは余剰粒
子吸着防止用シートによって制限され落下する。このた
め,余剰粒子が整列吸着用治具に吸着することを大幅に
抑止することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,半導体装置の電気
的・熱的入出力端子などとして使用されるバンプの形成
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】バンプの形成方法としては,例えば特開
平9−298356号公報がある。そこでは,はんだボ
ールなどの導電性粒子を治具の吸引孔に整列吸着し,こ
れをフラックス等の液膜中に浸漬した後,半導体装置上
に転写搭載し,その後加熱することで導電性粒子を固定
化することでバンプを形成する例が記載されている。こ
のような基本的なバンプ形成フローの一例を図18に示
す。図18において,1は整列吸着用治具,2は導電性
粒子,3は導電性粒子貯蔵用容器,4は導電性粒子吹上
用気流,5はフラックス,14はフラックスプレート,
15は半導体装置,16はバンプである。このうちの導
電性粒子整列吸着方法について,次節で詳細に説明す
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】はんだボール等の導電
性粒子を用いたバンプ形成方法によりバンプを継続的に
形成する場合,導電性粒子の治具への整列吸着を高信頼
度で実現することが求められる。導電性粒子の整列吸着
方法を図15,図16,図17を用い,以下詳細に説明
する。なお,1は整列吸着用治具,1aは導電性粒子真
空吸引孔,2は導電性粒子,3は導電性粒子貯蔵用容
器,3aは導電性粒子貯蔵用容器の底面を形成し,かつ
気流の通過を許容する気流通過プレート,4は導電性粒
子吹上用気流である。導電性粒子貯蔵用容器3内にある
導電性粒子2は,気流通過プレート3を通過した導電性
粒子吹上用気流4により吹き上げられる。整列吸着用治
具1は導電性粒子が搭載される半導体装置のパッド配置
に対応した複数の導電性粒子真空吸引孔1aを有してお
り,導電性粒子吹上用気流4により吹き上げられた導電
性粒子2を整列吸着する。
【0004】導電性粒子2の整列吸着不良としては,図
16に示すように整列吸着用治具1が有する真空吸引孔
1aに,正しく一対一対応で導電性粒子2が吸着せず,
複数の導電性粒子2が吸着してしまう現象がある。この
場合,ひとつの真空吸引孔1aに吸着する導電性粒子2
の数は,力学的にバランスし易い3個以上が一般的であ
る。図16においては,ボールA,ボールB,ボールC
が一つの真空吸引孔1aに吸着している。この不良が出
現した場合,半導体装置上の所定の位置に所定数の導電
性粒子2が正しく転写搭載されず,バンプ形成不良に直
結することとなる。本不良が頻発した場合,正しく整列
吸着された導電性粒子2をも含め,一旦整列吸着用治具
1より導電性粒子2を解放し,図17に示すように真空
吸引孔1aと導電性粒子2が一対一対応で吸着するま
で,導電性粒子2の整列吸着工程を頻繁に実施する必要
があり,安定した量産を実施する上での障害となってい
た。本発明の目的は,各真空吸着孔1aに正しく1個の
導電性粒子2を整列吸着させることで,バンプ形成にお
いてボトルネックとなっていた導電性粒子2の整列吸着
方法を改善し,高信頼度バンプ形成を実現することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に,すでに図16に示したように整列吸着用治具1が有
する真空吸引孔1aに複数の導電性粒子2が吸着するこ
とを抑止する手段を従来の方式に対して特に設けた。ま
ずは治具に衝撃力や加速度を付加するための各種ユニッ
トを付加し,衝撃力や加速度を真空吸着面に対して様々
な方向より加えた。また,すでに図15に示した整列吸
着用治具1の真空吸着面と導電性粒子貯蔵用容器3との
間に整列吸着用治具1の真空吸引孔1aと同じ配列の貫
通孔を有するプレートを介在させた。さらに,このプレ
ートに対し衝撃力や加速度を付加した。
【0006】
【発明の実施の形態】以下,本発明の実施の形態を図に
より説明する。
【0007】図1から図14には本発明による導電性粒
子の整列吸着方法の様々な形態を示す。それぞれの図に
おいて,1は整列吸着用治具,2は導電性粒子,3は導
電性粒子貯蔵用容器,4は導電性粒子吹上用気流,6は
余剰粒子吸着防止シート,7はエアシリンダ,8は加振
機,9は電磁石である。さらに1aは導電性粒子吸引吸
着用の真空吸引孔であり,3aは導電性粒子貯蔵用容器
3の底面を形成し,かつ気流の通過を許容する気流通過
プレートである。
【0008】図1から図6には本発明の第一形態を示
す。図1は,整列吸着用治具1の側面よりエアシリンダ
7などの手段で衝撃を加えた例を示している。側面より
の衝撃を付加することで,真空吸引孔1aに吸着した導
電性粒子2にも水平方向の衝撃が加えられる。1つの真
空吸着孔1aに2個以上の導電性粒子2が吸着した図1
6のような場合,該真空吸着孔1aでは真空吸引流のも
れが有るため,導電性粒子2の保持力は弱い。よって衝
撃を加えることで図16中のボールA,ボールB,ボー
ルCとしてしめした導電性粒子2の真空吸引バランスが
崩れ,余分な導電性粒子2を落とすことが可能となる。
この際,1個の導電性粒子2は,真空吸着孔に吸着さ
れ,複数の導電性粒子が吸着する不良は解消され,図1
7に示す正常な整列吸着が実現される。なお,衝撃によ
って1つの真空吸着孔1aに吸着した2個以上の導電性
粒子2すべてが脱落してしまった場合でも,整列吸着プ
ロセスを再度実行することで抜けの生じていた真空吸着
孔1aに導電性粒子2を吸着することが可能であり,従
来の行っていた整列吸着済の導電性粒子2すべてを解放
する必要がない。さらに衝撃を加えられたことで振動し
ている整列吸着用治具1の真空吸着面と導電性粒子2と
の間の摩擦力は,整列吸着用治具1が振動していない場
合と比べると小さくなる。このため,導電性粒子2は,
整列吸着用治具1の真空吸引面上を動きやすくなり,図
16の状態ではなく,より安定で正規の状態である図1
7の状態に移行し易いため複数の導電性粒子2がひとつ
の真空吸引孔1aに吸着する現象を抑制することが可能
となる。
【0009】図2は,整列吸着用治具1の側面より加振
機にて繰り返し衝撃を加えた例を示している。この例で
は,衝撃を短時間に複数回付与することが可能となる。
よって図1に示した例よりさらに,前に述べた余剰の導
電性粒子2の除去の作用および余剰の導電性粒子2の吸
着を抑制する作用を増幅することが可能となる。
【0010】図3は,整列吸着用治具1の側面に電磁石
9を配置し,非接触で整列吸着用治具1に水平方向の加
速度を繰り返し付与する例を示している。この例では,
加振源が整列吸着用治具1と機械的に接触する必要がな
いので,図1および図2に示した例と比べ接触時に生じ
る音響や異物の発生を抑止することが出来るという効果
が加わる。また,衝撃を加えた場合とは異なり,限定さ
れた周波数の振動を付加することになるので,より効果
的な加振を実現することが可能となる。
【0011】図4,図5および図6は,整列吸着用治具
のエアシリンダ7等に上下方向に衝撃を付加する例であ
る。図4は,衝撃を整列吸着用治具1の上方向より下方
向に加えた場合を示している。図5は,衝撃を整列吸着
用治具1の上方向より上方向に加えた場合を示してい
る。図6は,衝撃を整列吸着用治具1の下方向より上方
向に加えた場合を示している。図4および図5の場合,
エアシリンダ7は整列吸着用治具1に固定されており,
図6の場合は,エアシリンダ7は導電性粒子貯蔵用容器
3に固定されている。これらいずれの構成でも整列吸着
用治具1に衝撃をかけ,その振動で余分に真空吸着した
導電性粒子を除去することが可能であり,かつ余剰の導
電性粒子2の吸着を抑制することも可能となる。
【0012】図1から図6までの例は,整列吸着用治具
1に水平方向もしくは垂直方向の力を付与するが,整列
吸着用治具1は,直交座標形などのロボットの手先など
に取り付けられる場合が多い。ロボットの手先は一般的
には他の機械構造に比べ低剛性であり,衝撃力その他を
加えた場合,ロボットの機構部の損傷や寿命短縮の原因
となる可能性もある。このような不安が存在する場合に
は,図7や図8に示すように緩衝機構を設けることが有
効である。図7の例ではゴムなどの緩衝材10を利用し
緩衝機構を構成した例である。また図8の例ではガイド
機構13とバネ12により緩衝機構を構成した例であ
る。なお,このような緩衝機構を適切に設計すること
で,所望の衝撃や加速度を得やすくし,余剰の導電性粒
子2の除去能率および余剰導電性粒子の吸着抑制効果を
向上させることも可能である。
【0013】図9から図11を用い本発明の第二形態に
ついて説明する。図9に示すように,導電性粒子貯蔵用
容器3と導電性粒子2が入れられた整列吸着用治具1と
の間に余剰粒子吸着防止シート6が配置されている。余
剰粒子吸着防止シート6には,整列吸着用治具1の真空
吸引孔1aと同じ配列で貫通穴が配置されている。この
余剰粒子吸着防止シート6の存在により整列吸着用治具
1の一つの真空吸引孔1aに複数の導電性粒子が吸着す
る現象を抑止することが出来る。このメカニズムについ
て,整列吸着用治具1および余剰粒子吸着防止シート6
の断面図の一部を取り出した図10および図11により
説明する。図10では,整列吸着用治具1の真空吸引孔
1bに対応した余剰粒子吸着防止シート6の貫通穴に複
数の導電性粒子2,ボールA,ボールB,ボールCが吸
着している。この場合,もし余剰粒子吸着防止シート6
が存在しなかったならば,これらは真空吸引孔1bにそ
のまま吸着し,余剰粒子吸着不良につながった可能性が
高い。この状態で,整列吸着用治具1が上昇すると,図
11に示すようにボールA,ボールB,ボールCに作用
する真空吸引力が減少するため,ボールA,ボールB,
ボールCのうちの二つの導電性粒子2が落下し,残りの
導電性粒子2は真空吸引孔1bに引き寄せられ,吸着す
る。図11の場合,ボールA,ボールCが落下し,ボー
ルBが吸着した。このようなメカニズムが成立するに
は,余剰粒子吸着防止シートの貫通穴の直径が最小でも
導電性粒子径以上であり,最大でも導電性粒子径の二倍
未満である必要がある。このように本形態によれば,機
械的なアクチュエータを付加することなく,余剰導電性
粒子の吸着を防止できる。
【0014】図12から図14を用い,本発明の第三の
形態について説明する。この形態においては,余剰粒子
吸着防止シート6に加え,図12においてはエアシリン
ダ7,図13においては加振機8,図14においては電
磁石9を使用している。これらにより余剰粒子吸着防止
シート6に対し,衝撃力や加速度を付与することが可能
となる。この構成をとることにより,第一形態および第
二形態において説明した整列吸着時の余剰導電性粒子除
去作用および余剰導電性粒子吸着抑止作用が同時に作用
し,より高信頼度の導電性粒子2の整列吸着が可能とな
る。
【0015】なお,ここまでに示した実施の形態におい
て,導電性粒子吹上用気体流4が導電性粒子2を吹き上
げている時間を整列吸着工程と呼称すると,整列吸着用
治具1への加速度の付加もしくは衝撃力の付加は,導電
性粒子2が整列吸着用治具1に対し供給されている整列
吸着工程と同一時に実施することが時間的には最も望ま
しい。しかしながら,整列吸着用治具1への加速度の付
加もしくは衝撃力の付加は,整列吸着工程の後に実施し
ても整列吸着用治具1の真空吸引孔1aに吸着した余分
な導電性粒子2を除去する効果は存在する。
【0016】また本実施の形態では,導電性粒子2を整
列吸着用治具1の真空吸引孔1a付近まで接近させるの
に気流通過プレート3aを通過する導電性粒子吹上用気
流4によって行った例を示した。しかし,気流による方
法以外に導電性粒子貯蔵用容器3の底部を上下に加振す
ることで導電性粒子2をはね上げ,導電性粒子2を整列
吸着用治具1の真空吸引孔1a付近まで接近させる方法
に対して適用しても全く同様の効果を得ることが可能で
ある。なお,この場合,気流通過プレート3aを単なる
プレートに置き換えることが一般的である。
【0017】以上の実施形態によれば,真空吸引用治具
1に衝撃や加速度を加えたり,真空吸引用治具1と導電
性粒子貯蔵用容器3との間に余剰粒子吸着防止シート6
を配置したりすることで,余剰の導電性粒子2が真空吸
引用治具1に吸着し,導電性粒子2の整列吸着時の不良
となる現象の発生を抑制する効果がある。
【0018】なお,本発明によりバンプ形成における導
電性粒子2の整列吸着を高信頼度化することが可能とな
るが,本発明の各手段は,導電性粒子2のみならず,そ
のほかの粒子等の微小部品に対しても適用することで,
ミスの少ない整列吸着を実現することが可能となる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば,導電性粒子を所望の配
列にミス無く整列吸着することが可能となり,はんだボ
ール,銅ボール,金属メッキされた樹脂ボール等を用い
たバンプ形成における重要工程であ導電性粒子整列吸着
工程を高信頼度に実現することが可能となる。よって半
導体装置その他に対する高信頼度バンプ形成が実現でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一形態のうち整列吸着用治具に水平
方向の衝撃力を付加する場合の構成を示した部分断面図
である。
【図2】本発明の第一形態のうち整列吸着用治具に水平
方向の繰り返し衝撃力を付加する場合の構成を示した部
分断面図である。
【図3】本発明の第一形態のうち整列吸着用治具に水平
方向の加速度を繰り返し付加する場合の構成を示した部
分断面図である。
【図4】本発明の第一形態のうち整列吸着用治具に垂直
方向の衝撃力を付加する場合の構成を示した部分断面図
である。
【図5】本発明の第一形態のうち整列吸着用治具に垂直
方向の衝撃力を付加する場合の別構成を示した部分断面
図である。
【図6】本発明の第一形態のうち整列吸着用治具に垂直
方向の衝撃力を付加する場合のさらに別の構成を示した
部分断面図である。
【図7】本発明の第一の形態のうち整列吸着用治具に緩
衝材をとりつけた場合の構成例を示した部分断面図であ
る。
【図8】本発明の第一形態のうち整列吸着用治具に緩衝
機構を取り付けた場合の構成例を示した部分断面図であ
る。
【図9】本発明の第二形態である導電性粒子貯蔵用容器
の上面に余剰粒子吸着防止シートを配した構成を示す部
分断面図である。
【図10】本発明の第二形態において余剰粒子吸着防止
シートの下面に余剰の導電性粒子が吸着した様子を示す
断面図である。
【図11】本発明の第二形態において余剰粒子吸着防止
シートにより余剰粒子が落下する様子を示す断面図であ
る。
【図12】本発明の第三形態である余剰粒子吸着防止シ
ートをエアシリンダにより振動させる構成を示した部分
断面図である。
【図13】本発明の第三形態である余剰粒子吸着防止シ
ートを加振機により振動させる構成を示した部分断面図
である。
【図14】本発明の第三形態である余剰粒子吸着防止シ
ートを電磁石により振動させる構成を示した部分断面図
である。
【図15】導電性粒子の整列吸着における従来例を示し
た図である。
【図16】整列吸着治具の真空吸引孔に余剰の導電性粒
子が吸着した状態を示す整列吸着治具の部分断面図であ
る。
【図17】整列吸着治具の真空吸引孔に一対一で導電性
粒子が吸着した状態を示す整列吸着治具の部分断面図で
ある。
【図18】基本的なバンプ形成フローの一例を示した図
である。
【符号の説明】
1…真空吸引用治具、1a…導電性粒子真空吸引孔、2
…導電性粒子、3…導電性粒子貯蔵用容器、3a…気流
通過プレート、4…導電性粒子吹上用気流、5…フラッ
クス、6…余剰粒子吸着防止シート、7…エアシリン
ダ、8…加振機、9…電磁石、10…緩衝材、11…ロ
ボット手先、12…バネ、13…ガイド機構、14…フ
ラックスプレート、15…半導体装置、16…バンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/92 604F 23/12 L (72)発明者 井上 康介 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 米田 達也 東京都小平市上水本町五丁目20番1号株式 会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 土屋 旭 神奈川県海老名市上今泉2100番地日立精工 株式会社内 (72)発明者 鈴木 高道 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 藤井 輝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 森島 雅行 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 木本 良輔 東京都小平市上水本町五丁目22番1号株式 会社日立マイコンシステム内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】導電性粒子を真空吸引等で治具上に整列吸
    着した後に半導体装置等のパッド上に転写搭載するバン
    プ形成方法において,余剰粒子吸着防止手段を設けたこ
    とを特徴とするバンプ形成方法。
  2. 【請求項2】導電性粒子を真空吸引等で治具上に整列吸
    着した後に半導体装置等のパッド上に転写搭載するバン
    プ形成方法において,治具に衝撃力を付加することを特
    徴とするバンプ形成方法。
  3. 【請求項3】導電性粒子を真空吸引等で治具上に整列吸
    着した後に半導体装置等のパッド上に転写搭載するバン
    プ形成方法において,治具に加速度を付加することを特
    徴とするバンプ形成方法。
  4. 【請求項4】請求項2および請求項3記載のバンプ形成
    方法において,治具に衝撃力もしくは加速度を付加させ
    る手段としてエアシリンダを使用することを特徴とする
    バンプ形成方法。
  5. 【請求項5】請求項4記載のバンプ形成方法において,
    エアシリンダの代わりにバイブレータを使用することを
    特徴とするバンプ形成方法。
  6. 【請求項6】請求項2および請求項3記載のバンプ形成
    方法において,治具に付加する衝撃力および加速度を導
    電性粒子の真空吸着面に対し,直角方向より付加するこ
    とを特徴とするバンプ形成方法。
  7. 【請求項7】請求項6記載のバンプ形成方法において,
    治具に付加する衝撃力および加速度を導電性粒子の真空
    吸着面と平行方向に付加することを特徴とするバンプ形
    成方法。
  8. 【請求項8】請求項2および3記載のバンプ形成方法に
    おいて,治具への衝撃力もしくは加速度の付加を導電性
    粒子の吸着工程の後に実施することを特徴とするバンプ
    形成方法。
  9. 【請求項9】請求項2および3記載のバンプ形成方法に
    おいて,治具への衝撃力もしくは加速度を導電性粒子の
    吸着工程と同一時に付加することを特徴とするバンプ形
    成方法。
  10. 【請求項10】導電性粒子を真空吸引等で治具上に整列
    吸着した後に半導体装置等のパッド上に転写搭載するバ
    ンプ形成方法において,導電性粒子が貯蔵された容器と
    治具の真空吸引孔との間に治具の真空吸引孔と同じ配列
    の貫通孔を有するプレートを介在させることを特徴とす
    るバンプ形成方法。
  11. 【請求項11】請求項10記載のプレートが有する貫通
    孔の直径が導電性粒子の直径より大きく,導電性粒子の
    直径の2倍より小さいことを特徴とするバンプ形成方
    法。
  12. 【請求項12】請求項10記載のプレートを導電性粒子
    が貯蔵された容器の一面に固定したことを特徴とするバ
    ンプ形成方法。
  13. 【請求項13】請求項10記載のプレートに衝撃力もし
    くは加速度を付加することを特徴とするバンプ形成方
    法。
JP8546198A 1998-03-31 1998-03-31 バンプ形成方法 Withdrawn JPH11284003A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8546198A JPH11284003A (ja) 1998-03-31 1998-03-31 バンプ形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8546198A JPH11284003A (ja) 1998-03-31 1998-03-31 バンプ形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11284003A true JPH11284003A (ja) 1999-10-15

Family

ID=13859531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8546198A Withdrawn JPH11284003A (ja) 1998-03-31 1998-03-31 バンプ形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11284003A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006103766A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-05 Fujitsu Limited ボール捕捉装置、半田ボール配置装置、ボール捕捉方法、および半田ボール配置方法
JP2008517765A (ja) * 2004-10-25 2008-05-29 パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー 所定形状のはんだ物を移動するための方法および装置
JP2010528871A (ja) * 2007-06-11 2010-08-26 ピーエーシー ティーイーシーエイチ − パッケージング テクノロジーズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半田ボール配列群を取り出して移送するための移送装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008517765A (ja) * 2004-10-25 2008-05-29 パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー 所定形状のはんだ物を移動するための方法および装置
WO2006103766A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-05 Fujitsu Limited ボール捕捉装置、半田ボール配置装置、ボール捕捉方法、および半田ボール配置方法
JPWO2006103766A1 (ja) * 2005-03-30 2008-09-04 富士通株式会社 ボール捕捉装置、半田ボール配置装置、ボール捕捉方法、および半田ボール配置方法
US7717317B2 (en) 2005-03-30 2010-05-18 Fujitsu Limited Ball capturing apparatus, solder ball disposing apparatus, ball capturing method, and solder ball disposing method
JP4576424B2 (ja) * 2005-03-30 2010-11-10 富士通株式会社 ボール捕捉装置、半田ボール配置装置、ボール捕捉方法、および半田ボール配置方法
JP2010528871A (ja) * 2007-06-11 2010-08-26 ピーエーシー ティーイーシーエイチ − パッケージング テクノロジーズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半田ボール配列群を取り出して移送するための移送装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4393538B2 (ja) 磁性はんだボールの配列装置および配列方法
JP4711185B2 (ja) 半導体装置の異物除去装置及び異物除去方法
KR102612582B1 (ko) 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법
KR102078936B1 (ko) 도전성 볼 탑재 방법
KR102078935B1 (ko) 도전성 볼 탑재 장치
JPH11284003A (ja) バンプ形成方法
JP2926308B2 (ja) ハンダボール供給方法
JP4091882B2 (ja) 微細導電性ボール搭載装置の配列ヘッド
JP2020053457A (ja) ピックアップツール、および半導体モジュールの製造方法
JP4974818B2 (ja) 基板の製造方法及び基板の製造装置
JP2010140921A (ja) ボール搭載装置、ボール搭載方法及び電子部品の製造装置
JP2006303103A (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置
JP3183702B2 (ja) バンプ形成方法および装置
JP4439708B2 (ja) 導電性ボールの吸引配列方法及び吸引配列装置
JP2008124076A (ja) はんだボール搭載方法及びはんだボール搭載装置
JP3586334B2 (ja) ボール跳躍装置
JP2002151536A (ja) 微小金属球搭載方法及び装置
JP5553234B2 (ja) 導電性ボールの搭載装置
JP4427793B2 (ja) 導電性ボールの搭載装置
JP4754887B2 (ja) ボール搭載装置およびボール搭載方法
JPH1187901A (ja) 金属球配列装置及び配列方法
JP2010040709A (ja) 基板の製造方法
JP4053940B2 (ja) 微細導電性ボールの収容容器及び収容方法、微細導電性ボールの配列搭載装置及び配列搭載方法
JP2004031585A (ja) 導電性ボールの搭載装置
JPH10275974A (ja) 微細ボール搭載装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050607