KR102612582B1 - 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법 - Google Patents

코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법으로서, 다이 본딩 장치가 표면에 솔더 및 범프가 없는 칩을 픽업하는 단계; 다이 본딩 장치가 칩을 표면에 솔더 및 범프가 없는 기판의 칩 배치 영역의 일측으로 이동시키는 단계; 다이 본딩 장치가 칩의 코너 또는 측면이 벤딩 및 변형되도록 정압으로 칩의 코너 또는 측면을 블로잉하여 칩 배치 영역에 접촉시키는 단계; 칩의 코너 또는 측면이 칩 배치 영역에 접촉된 후 본드 웨이브가 형성되고, 본드 웨이브는 칩의 코너에서 대향되는 코너로 확장되거나 또는 칩의 측면에서 대향되는 측면으로 확장되어, 칩이 점차 다이 본딩 장치에서 분리되어 칩 배치 영역에 고정되도록 하는 단계; 및 칩이 칩 배치 영역에 완전히 고정되는 단계를 포함함으로써 비충격력 정압으로 칩의 코너 또는 측면이 기판에 접촉되도록 제어하고, 힘이 매우 작아 칩을 손상시키지 않게 하는 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법에 관한 것이다.

Description

코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법{METHOD FOR FIXING CHIPS WITH CORNER OR SIDE CONTACT WITHOUT IMPACT FORCE}
본 발명은 다이 본딩 방법에 관한 것으로, 특히 칩을 기판에 고정시키기 위한 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법에 관한 것이다.
집적 회로는 수많은 방식으로 여러 공정을 거쳐 반도체 웨이퍼 상에 제조되고, 웨이퍼는 다수의 칩으로 추가로 분할된다. 즉, 칩은 반도체 재료로 제조되고 패키징을 거치지 않은 작은 블록의 직접 회로 본체이다. 분할된 다수의 칩은 탑재 장치에 가지런히 부착되고, 이어서 탑재 프레임을 통해 탑재 장치를 운송한 후, 후속 가공 공정이 용이하도록 상기 칩들을 기판의 다수의 칩 안착 영역으로 순차적으로 전이한다.
웨이퍼 대 웨이퍼(wafer to wafer) 직접 본딩 기술은 수년 동안 실행되어 왔으며, 이는 청정도 및 정확도를 용이하게 제어할 수 있는 전단계 공정이다. 또한, 웨이퍼의 사이즈는 통상적으로 6 ~ 12인치로서, 사이즈가 커서 상대적으로 본드 웨이브의 발생을 용이하게 제어할 수 있다. 웨이퍼 대 웨이퍼 직접 본딩의 문제점은 단일 칩 시스템(system on a chip)에 적용하기 쉽지 않다는 점이다. 그 이유는 단일 칩 시스템은 통상적으로 다양한 제조사의 칩을 결합하여 만든 것이므로, 처음부터 동일한 편광 마스크로 다른 논리 회로를 제조하려면 비용이 많이 들기 때문이다.
칩 대 웨이퍼 결합 기술은 다른 제조사의 칩렛(chiplet)을 통합하기 위해 발전된 기술로, 개발 비용을 많이 절감할 수 있고, 단일 칩 시스템 제조 공정에서 다른 제조사의 기존 칩렛 해결수단(chiplet solution)을 직접 적용할 수 있으며, 전용 논리 회로를 추가로 개발할 필요가 없다. 따라서, 칩 대 웨이퍼(chip to wafer) 결합 기술은 현재 발전 추세이다.
기존의 솔더링 결합 기술은 한계에 가깝기 때문에, 칩의 사이즈 및 접점의 크기를 축소하기 위해, 칩 대 웨이퍼 결합 기술 측면에서 구리 접점 직접 본딩 기술(즉, 하이브리드 본딩 기술)은 선호하는 해결수단이 되었다.
그러나 웨이퍼 대 웨이퍼 직접 본딩 기술에 비해, 칩의 사이즈가 작고 본드 웨이브의 제어가 상당히 어렵기 때문에, 현재 칩 대 웨이퍼에 적합한 하이브리드 본딩 기술은 아직 성공적으로 개발되지 못하였다. 이하, 현재 일반적으로 사용되는 세 가지 칩 대 웨이퍼 결합 기술을 소개한다.
첫 번째 칩 대 웨이퍼 결합 기술은 아래와 같다. 다이 본딩 장치가 먼저 탑재 장치에서 칩을 빨아들인 다음, 칩을 기판으로 이동시켜, 칩을 직접 기판에 접촉하도록 하고, 마지막으로 다이 본딩 장치가 칩과 분리되어, 칩이 기판에 고정된다. 이 기술의 문제점은 칩과 기판이 기포를 감싸 공동(void)을 생성하기 쉽고, 이로 인해 칩이 기판에 완전히 밀착되지 않아, 칩의 후속 가공 공정이 기포의 영향을 쉽게 받으므로, 후속 가공에 의해 제조된 제품의 수율을 감소시킨다.
두 번째 칩 대 웨이퍼 결합 기술은 다이 본딩 장치가 에어 드롭 방식으로 칩을 기판으로 전이시키는 것이다. 이 기술의 문제점은 아래와 같다. 첫째, 칩은 소정의 질량을 구비하므로 중력의 영향 하에 칩은 가속도로 칩 배치 영역에 떨어져 큰 충격력을 발생함으로써, 기판에 접촉되는 칩의 힘이 커 손상되며; 둘째, 칩은 칩 배치 영역에 정확하게 배치되기 어렵다.
세 번째 칩 대 웨이퍼 결합 기술은 아래와 같다. 다이 본딩 장치의 내부에는 3개의 탄성 부재가 구비되고, 상기 탄성 부재들은 고정 표면의 대향 측에 위치하며, 둘레의 2개의 탄성 부재의 K 값은 중심에 위치한 탄성 부재의 K 값보다 작고, K 값은 스프링 상수이다. 다이 본딩 장치가 기판의 방향으로 이동하는 경우, 관성으로 인해 내부 및 외부의 K 값이 다른 탄성 부재가 변형되어, 칩의 중심이 먼저 기판에 접촉되고, 다음 본드 웨이브가 발생하여, 칩이 칩 배치 영역으로 정확하게 전이되도록 한다. 이 기술의 문제점은 아래와 같다. 첫째, 다이 본딩 장치가 기판의 방향으로 이동하는 경우, 상기 탄성 부재들은 칩에 큰 질량 관성을 제공하여, 기판에 접촉되는 칩의 충격력이 커 손상되며; 둘째, 다이 본딩 장치 자체의 체적이 작으므로, 탄성 부재는 매우 작고 조립하기 어려우며 제조 비용이 높다.
또한, 상기 세 가지 다이 본딩 방법은 칩이 기판에 결합될 때 칩의 본딩 속도가 너무 빨라 칩이 쉽게 손상되고 비뚤어지거나 휘어진다.
본 발명의 주요 목적은 비충격력 정압으로 칩의 코너 또는 측면이 칩 배치 영역에 접촉되도록 제어할 수 있고, 매우 적은 힘이 작용하여 칩을 손상시키지 않으며, 탄성 부재를 장착할 필요가 없어 제조 비용이 저렴한 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 다이 본딩 장치가 표면에 솔더 및 범프가 없는 칩을 픽업하는 단계 (a); 다이 본딩 장치가 칩을 표면에 솔더 및 범프가 없는 기판의 칩 배치 영역의 일측으로 이동시키는 단계 (b); 다이 본딩 장치가 칩의 코너 또는 측면이 벤딩 및 변형되도록 정압으로 칩의 코너 또는 측면을 블로잉하여 칩 배치 영역에 접촉시키는 단계 (c); 칩의 코너 또는 측면이 칩 배치 영역에 접촉된 후 본드 웨이브가 형성되고, 본드 웨이브는 칩의 코너에서 대향되는 코너로 확장되거나 또는 칩의 측면에서 대향되는 측면으로 확장되어, 칩이 점차 다이 본딩 장치에서 분리되어 칩 배치 영역에 고정되도록 하는 단계 (d); 및 칩이 칩 배치 영역에 완전히 고정되는 단계 (e)를 포함하는 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법을 제공한다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 다이 본딩 장치가 표면에 솔더 및 범프가 없는 칩을 픽업하는 단계 (a); 다이 본딩 장치가 칩을 표면에 솔더 및 범프가 없는 기판의 칩 배치 영역의 일측으로 이동시키는 단계 (b); 다이 본딩 장치가 칩의 코너 또는 측면이 벤딩 및 변형되도록 정압으로 칩의 코너 또는 측면을 블로잉하여 칩 배치 영역에 접촉시키는 단계 (c); 칩의 코너 또는 측면이 칩 배치 영역에 접촉된 후 본드 웨이브가 형성되고, 본드 웨이브는 칩의 코너에서 대향되는 코너로 확장되거나 또는 칩의 측면에서 대향되는 측면으로 확장된 후, 정압이 점점 약해져서 부압으로 전환되어, 칩이 점차 다이 본딩 장치에서 분리되어 칩 배치 영역에 고정되도록 하는 단계 (d); 및 칩은 칩 배치 영역에 완전히 고정되는 단계 (e)를 포함하는 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면 비충격력 정압으로 칩의 코너 또는 측면이 칩 배치 영역에 접촉하도록 제어할 수 있고, 기판에 접촉되는 칩의 힘은 칩의 질량에만 제한되며, 힘히 매우 작아 칩을 손상시키지 않고, 탄성 부재를 장착할 필요가 없어 제조 비용이 저렴한 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법의 흐름도이다.
도 2는 본 발명에 따른 다이 본딩 장치, 진공 장치 및 가스 공급 장치의 모식도이다.
도 3은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제1 실시예의 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 단계 S1의 제1 실시예의 모식도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 단계 S2의 제1 실시예의 모식도이다.
도 7은 본 발명에 따른 단계 S3의 제1 실시예의 첫번째 실시형태의 모식도이다.
도 8은 본 발명에 따른 단계 S3의 제1 실시예의 두번째 실시형태의 모식도이다.
도 9는 본 발명에 따른 단계 S4의 제1 실시예의 모식도이다.
도 10은 본 발명에 따른 단계 S5의 제1 실시예의 모식도이다.
도 11은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제2 실시예의 평면도이다.
도 12는 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제2 실시예의 측면도이다.
도 13은 본 발명에 따른 단계 S3의 제2 실시예의 첫번째 실시형태의 모식도이다.
도 14는 본 발명에 따른 단계 S3의 제2 실시예의 두번째 실시형태의 모식도이다.
도 15는 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제3 실시예의 평면도이다.
도 16은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제3 실시예의 측면도이다.
도 17은 본 발명에 따른 단계 S3의 제3 실시예의 첫번째 실시형태의 모식도이다.
도 18은 본 발명에 따른 단계 S3의 제3 실시예의 두번째 실시형태의 모식도이다.
도 19는 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제4 실시예의 평면도이다.
도 20은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제4 실시예의 측면도이다.
도 21은 본 발명에 따른 단계 S3의 제4 실시예의 실시형태의 모식도이다.
도 22는 본 발명에 따른 단계 S4의 제5 실시예의 모식도이다.
도 23은 본 발명에 따른 단계 S5의 제5 실시예의 모식도이다.
이하 도면과 각 요소의 부호를 결합하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 명세서를 통해 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 10을 참조하는 바와 같이, 본 발명은 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법을 제공하고, 상기 방법은 아래와 단계를 포함한다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 단계 S1에서 다이 본딩 장치(10)는 표면에 솔더(solder) 및 범프(bump)가 없는 칩(20)을 픽업한다. 더 구체적으로, 탑재 장치(30)의 제1 표면(31)에는 다수의 칩(20)이 구비되고, 다이 본딩 장치(10)의 코너(141) 또는 측면(151) 및 나머지 부분은 부압(41)으로 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221) 및 나머지 부분을 흡착하여 칩(20)을 고정시키고, 탑재 장치(30)에서 칩(20)을 픽업한다. 상기 탑재 장치(30)는 탑재 필름, 탑재 트레이 또는 진공 트레이일 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에서 다이 본딩 장치(10)는 4개의 기공(111 ~ 114)을 구비하고, 상기 기공(111 ~ 114)들은 각각 다이 본딩 장치(10)의 저면의 4개의 코너(141 ~ 144)를 관통하며, 진공 장치(40) 및 가스 공급 장치(50)에 연결된다. 다이 본딩 장치(10)의 저면에는 오목홈(12)이 형성되어 있고, 다수의 돌출 블록(13)이 돌출되게 설치되어 있으며, 오목홈(12)의 면적은 칩(20)의 면적보다 작고, 상기 돌출 블록(13)들은 오목홈(12)에 위치하며, 상기 돌출 블록(13)들은 다이 본딩 장치(10)의 저면과 동일한 평면에 있고, 상기 기공(111 ~ 114)들은 오목홈(12)과 연통된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에서 진공 장치(40)는 상기 기공들(111 ~ 114)로부터 공기를 빨아들이고, 또한, 상기 기공(111 ~ 114)들을 통해 오목홈(12)으로부터 공기를 빨아들여 진공을 발생하고 부압(41)을 제공하며, 부압(41)은 상기 기공(111 ~ 114) 및 오목홈(12)을 통해 칩(20)의 4개의 코너(211 ~ 214)를 흡착하여, 칩(20)의 둘레를 다이 본딩 장치(10)의 저면의 둘레에 밀착시키고, 칩(20)의 내측을 상기 돌출 블록(13)들의 저면에 밀착시킨다. 칩(20)의 둘레가 다이 본딩 장치(10)의 저면의 둘레에 밀착되었기 때문에, 칩(20)의 둘레와 다이 본딩 장치(10)의 저면의 둘레 사이에는 틈이 완전히 제거되고, 외부 공기가 진입하여 부압(41)이 칩(20)을 흡착하는 효과에 영향을 주는 것을 방지한다. 상기 돌출 블록(13)들은 칩(20)을 평탄하게 유지시킬 수 있고, 칩(20)이 부압(41)의 영향을 받아 오목홈(12)에 함몰되는 것을 방지한다.
도 1, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 단계 S2에서 다이 본딩 장치(10)는 칩(20)을 표면에 솔더(solder) 및 범프(bump)가 없는 기판(60)의 칩 배치 영역(61)의 일측으로 이동시킨다. 더 상세하게는, 다이 본딩 장치(10)의 코너(141) 또는 측면(151) 및 나머지 부분은 부압(41)으로 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221) 및 나머지 부분을 지속적으로 흡착하여 칩(20)을 고정시키고, 칩(20)이 다이 본딩 장치(10)에서 분리되는 것을 방지한다.
바람직하게, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에서 다이 본딩 장치(10)는 탑재 장치(30)의 일측에서 기판(60)의 일측으로 이동하여 제1 위치에 위치하며, 다이 본딩 장치(10)는 제1 위치에서 기판(60)으로 이동하여 제2 위치에 머문다. 다이 본딩 장치(10)가 제2 위치에 위치하는 경우, 칩(20)과 기판(60) 사이의 간격에서 칩(20)이 기판(60)에 접촉된 후 본드 웨이브(bond wave, 도 9를 참조 바람)를 발생할 수 있다.
도 1, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 단계 S3에서 다이 본딩 장치(10)는 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221)이 벤딩 및 변형되도록 정압(51)으로 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221)을 블로잉하여 칩 배치 영역(61)에 접촉시킨다. 더 명확하게는, 다이 본딩 장치(10)의 코너(141) 또는 측면(151)이 부압(41)으로 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221)을 흡착하는 것을 정압(51)으로 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221)을 블로잉하는 것으로 전환하고, 다이 본딩 장치(10)의 다른 코너(142 ~ 144) 또는 다른 측면(222 ~ 224) 등 나머지 부분이 부압(41)으로 칩(20)의 다른 코너(212 ~ 214) 또는 다른 측면(222 ~ 224) 등 나머지 부분을 흡착하는 것을 여전히 유지한다. 따라서, 칩(20)이 다이 본딩 장치(10)에 고정되는 것을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 전체 칩(20)에서 코너(211) 또는 측면(221)만 벤딩 및 변형되고 가장 돌출되도록 보장할 수 있으며, 칩(20)의 코너(211)는 점 접촉 방식으로 또는 칩(20)의 측면(221)은 선 접촉 방식으로 칩 배치 영역(61)에 접촉될 수 있다.
도 2 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 실시예의 첫 번째 실시형태에서, 진공 장치(40)는 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)의 기공(111)으로부터 공기를 빨아들이는 것을 정지하고, 부압(41)은 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)의 기공(111)을 통해 칩(20)의 코너(211)를 흡착하는 것을 정지하며, 가스 공급 장치(50)는 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)의 기공(111)에 공기를 블로잉하기 시작하여 기류를 발생하고 정압(51)을 제공하며, 정압(51)은 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)의 기공(111)을 통해 칩(20)의 코너(211)를 블로잉하기 시작한다. 따라서, 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)가 부압(41)으로 칩(20)의 코너(211)를 흡착하는 것을 정압(51)으로 칩(20)의 코너(211)를 블로잉하는 것으로 전환하고, 칩(20)의 코너(211)는 벤딩 및 변형되어 칩 배치 영역(61)에 접촉된다. 진공 장치(40)는 다이 본딩 장치(10)의 나머지 기공(112 ~ 114)으로부터 지속적으로 공기를 빨아들여, 다이 본딩 장치(10)의 다른 코너(142 ~ 144)의 나머지 기공(112 ~ 114)이 부압(41)으로 칩(20)의 다른 코너(212 ~ 214) 등 나머지 부분을 흡착하는 것을 여전히 유지하도록 한다.
도 2 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 실시예의 두 번째 실시형태에서, 진공 장치(40)는 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)의 2개의 기공(111, 112)으로부터 공기를 빨아들이는 것을 정지하고, 부압(41)은 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)의 2개의 기공(111, 112)을 통해 칩(20)의 측면(221)을 흡착하는 것을 정지하며, 가스 공급 장치(50)는 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)의 2개의 기공(111, 112)에 공기를 블로잉하기 시작하여 기류를 발생하고 정압(51)을 제공하며, 정압(51)은 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)의 2개의 기공(111, 112)을 통해 칩(20)의 측면(221)을 블로잉하기 시작한다. 따라서, 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)이 부압(41)으로 칩(20)의 측면(221)을 흡착하는 것을 정압(51)으로 칩(20)의 측면(221)을 블로잉하는 것으로 전환하고, 칩(20)의 측면(221)은 벤딩 및 변형되어 칩 배치 영역(61)에 접촉된다. 진공 장치(40)는 다이 본딩 장치(10)의 다른 측면(152 ~ 154)의 나머지 기공(113, 114)으로부터 지속적으로 공기를 빨아들여, 다이 본딩 장치(10)의 다른 측면(152 ~ 154)의 나머지 기공(113, 114)이 부압(41)으로 칩(20)의 다른 측면(222 ~ 224) 등 나머지 부분을 흡착하는 것을 여전히 유지하도록 한다.
도 1 및 도 9에 도시된 바와 같이, 단계 S4에서 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221)이 칩 배치 영역(61)에 접촉된 후 본드 웨이브(71)가 형성되고, 본드 웨이브(71)는 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너로 확장되거나 또는 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면으로 확장되어, 칩(20)이 점차 다이 본딩 장치(10)에서 분리되어 칩 배치 영역(61)에 고정되도록 한다. 더 상세하게는, 칩(20)의 코너(211)는 점 접촉 방식으로 또는 칩(20)의 측면(221)은 선 접촉 방식으로 칩 배치 영역(61)에 접촉되기 때문에, 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221) 및 이의 인접한 부분에서 접합력이 발생되고, 이 접합력은 또한 본드 웨이브(71)를 형성하며, 점차 칩(20)의 코너(211)의 대향되는 코너로, 또는 칩(20)의 측면(221)의 대향되는 측면으로 확장된다.
바람직하게, 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)에서 대향되는 코너를 향한 부분이 부압(41)으로 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너를 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 정압(51)으로 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너를 향한 부분을 블로잉하는 것으로 전환하거나, 또는 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)에서 대향되는 측면을 향한 부분이 부압(41)으로 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면을 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 정압(51)으로 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면을 향한 부분을 블로잉하는 것으로 전환하여, 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너로, 또는 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면으로 정압(51)에 의해 순차적으로 블로잉되어 압력차 파동(72)이 발생된다. 압력차 파동(72)은 또한 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221)이 칩 배치 영역(61)에 접촉된 후 본드 웨이브(71)를 형성하도록 하고, 본드 웨이브(71)를 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너로 확장하거나 또는 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면으로 확장하도록 가이드하여, 칩(20)이 점차 다이 본딩 장치(10)에서 분리되어 칩 배치 영역(61)에 고정되도록 한다.
제1 실시예의 첫 번째 실시형태에서, 진공 장치(40)는 순차적으로 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)에서 대향되는 코너로 나머지 기공(112 ~ 114)으로부터 공기를 빨아들이는 것을 정지하고, 부압(41)은 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)에서 대향되는 코너로 나머지 기공(112 ~ 114)을 통해 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너를 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 정지하며, 가스 공급 장치(50)는 순차적으로 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)에서 대향되는 코너로 나머지 기공(112 ~ 114)에 공기를 블로잉하기 시작하여 기류를 발생하고 정압(51)을 제공하며, 정압(51)은 순차적으로 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)에서 대향되는 코너로 나머지 기공(112 ~ 114)을 통해 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너를 향한 부분을 블로잉하기 시작한다. 따라서, 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)에서 대향되는 코너를 향한 부분이 부압(41)으로 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너를 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 정압(51)으로 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너를 향한 부분을 블로잉하는 것으로 전환하여, 압력차 파동(72)을 발생한다. 압력차 파동(72)은 또한 칩(20)의 코너(211)가 칩 배치 영역(61)에 접촉된 후 본드 웨이브(71)를 형성하도록 하고, 본드 웨이브(71)를 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너로 확장하도록 가이드하여, 칩(20)이 점차 다이 본딩 장치(10)에서 분리되어 칩 배치 영역(61)에 고정되도록 한다.
제1 실시예의 두 번째 실시형태에서, 진공 장치(40)는 순차적으로 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)에서 대향되는 측면으로 나머지 기공(112 ~ 114)에 대해 공기를 빨아들이는 것을 정지하고, 부압(41)은 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)에서 대향되는 측면으로 나머지 기공(112 ~ 114)을 통해 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면을 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 정지하며, 가스 공급 장치(50)는 순차적으로 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)에서 대향되는 측면으로 나머지 기공(112 ~ 114)에 공기를 블로잉하기 시작하여 기류를 발생하고 정압(51)을 제공하며, 정압(51)은 순차적으로 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)에서 대향되는 측면으로 나머지 기공(112 ~ 114)을 통해 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면을 향한 부분을 블로잉하기 시작한다. 따라서, 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)에서 대향되는 측면을 향한 부분이 부압(41)으로 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면을 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 정압(51)으로 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면을 향한 부분을 블로잉하는 것으로 전환하여, 압력차 파동(72)이 발생한다. 압력차 파동(72)은 또한 칩(20)의 측면(221)이 칩 배치 영역(61)에 접촉된 후 본드 웨이브(71)를 형성하도록 하고, 본드 웨이브(71)를 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면으로 확장하도록 가이드하여, 칩(20)이 점차 다이 본딩 장치(10)에서 분리되어 칩 배치 영역(61)에 고정되도록 한다.
도 1 및 도 10에 도시된 바와 같이, 단계 S5에서, 칩(20)은 칩 배치 영역(61)에 완전히 고정된다. 구체적으로, 부압(41)은 완전히 정지되고, 다이 본딩 장치(10)는 칩(20)을 더이상 고정하지 않으며, 칩(20)이 칩 배치 영역(61)에 완전히 고정될 때까지 정압(51)은 지속적으로 블로잉된다.
도 11 및 도 12를 참조하는 바와 같이, 제2 실시예와 제1 실시예의 차이점은, 다이 본딩 장치(10A)는 6개의 기공(111 ~ 116)을 구비하고, 상기 기공(111 ~ 114)들은 각각 다이 본딩 장치(10A)의 저면의 4개의 코너(141 ~ 144)를 관통하며, 상기 기공(115, 116)들은 각각 다이 본딩 장치(10A)의 저면의 대향되는 2개의 측면(152, 154)을 관통하고 각각 두 코너(141 ~ 144) 사이에 위치한다. 이밖에, 제2 실시예의 나머지 기술특징은 제1 실시예와 모두 동일하다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 단계 S3의 경우, 제2 실시예의 두 가지 실시형태는 제1 실시예와 완전히 동일하다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 제3 실시예와 제1 실시예의 차이점은 아래와 같다. 첫째, 다이 본딩 장치(10B)는 9개의 기공(111 ~ 119)을 구비하고, 상기 기공(111 ~ 114)들은 각각 다이 본딩 장치(10B)의 저면의 4개의 코너(141 ~ 144)를 관통하며, 상기 기공(115 ~ 118)들은 각각 다이 본딩 장치(10B)의 저면의 4개의 측면(151 ~ 154)을 관통하고 각각 상기 코너(141 ~ 144)들 사이에 위치하며, 기공(119)은 다이 본딩 장치(10B)의 저면의 중심을 관통하고; 둘째, 다이 본딩 장치(10B)의 저면은 오목홈(12) 및 돌출 블록(13)을 구비하지 않는다. 이 밖에, 제3 실시예의 나머지 기술특징은 제1 실시예와 완전히 동일하다.
도 17 및 도 18을 참조하는 바와 같이 단계 S3의 경우, 제3 실시예의 두 가지 실시형태는 제1 실시예와 완전히 동일하다.
도 19 및 도 20을 참조하는 바와 같이 제4 실시예와 제1 실시예의 차이점은, 다이 본딩 장치(10C)는 2개의 기공(111, 114)을 구비하고, 상기 2개의 기공(111, 114)은 각각 다이 본딩 장치(10C)의 저면의 2개의 코너(141, 144)를 관통하며, 상기 2개의 코너(141, 144)는 대향되는 코너이다. 이 밖에, 제4 실시예의 나머지 기술특징은 제1 실시예와 모두 동일하다.
도 21을 참조하면, 단계 S3의 경우, 제4 실시예의 실시형태는 제1 실시예의 첫 번째 실시형태와 동일하다. 제4 실시예에는 제1 실시예의 두 번째 실시형태가 없다.
도 22 및 도 23을 참조하는 바와 같이 제5 실시예와 제1 실시예의 차이점은 아래와 같다. 단계 S4에서, 본드 웨이브(71)는 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너로 확장되거나 또는 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면으로 확장된 후, 다이 본딩 장치(10)의 코너(141)에서 대향되는 코너를 향한 부분이 정압(51)으로 칩(20)의 코너(211)에서 대향되는 코너를 향한 부분을 블로잉하는 것이 순차적으로 점점 약해지면서 부압(41)으로 전환되거나, 또는 다이 본딩 장치(10)의 측면(151)에서 대향되는 측면을 향한 부분이 정압(51)으로 칩(20)의 측면(221)에서 대향되는 측면을 향한 부분을 블로잉하는 것이 순차적으로 점점 약해지면서 부압(41)으로 전환되어, 칩(20)이 점차 다이 본딩 장치(10)에서 분리되어 칩 배치 영역(61)에 고정되도록 한다.
상술한 바를 종합하면, 본 발명은 비충격력 정압(51)으로 칩(20)의 코너(211) 또는 측면(221)이 칩 배치 영역(61)에 접촉되도록 제어할 수 있고, 기판(60)에 접촉되는 칩(20)의 힘은 칩(20)의 질량에만 제한되며, 힘이 매우 작아 칩(20)을 손상시키지 않고, 탄성 부재를 장착할 필요가 없어 제조 비용이 저렴하다.
또한, 본 발명은 본드 웨이브(71)로 칩(20)을 칩 배치 영역(61)에 완전히 고정시킬 수 있어, 칩(20)이 정확하게 칩 배치 영역(61)에 배치될 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 부압(41)과 정압(51)의 전환을 제어하여 압력차 파동(72)을 제공하고, 압력차 파동(72)으로 본드 웨이브(71)를 형성하며, 또한 압력차 파동(72)으로 본드 웨이브(71)가 확산되도록 가이드할 수 있다. 이로써, 칩(20)은 기판(60)에 밀착될 수 있고, 칩(20)과 기판(60) 사이에 기포가 형성되는 현상을 완전히 배제할 수 있으며, 칩(20)과 기판(60) 사이에는 어떠한 공동(void)도 존재하지 않고, 칩(20)의 후속 가공에 의해 제조된 제품의 수율을 향상시킨다.
또한, 본 발명은 정압(51)이 점점 약해지면서 부압(41)으로 전환되는 것을 통해, 칩(20)이 적절한 본딩 속도로 칩 배치 영역(61)에 본딩되도록 제어할 수 있고, 칩이 손상되고 비뚤어지거나 휘어지는 것을 방지한다.
언급해야 할 것은, 본 발명에 따른 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법은 하이브리드 본딩 기술(hybrid bonding)을 위해 발전된 것이고, 하이브리드 본딩 기술은 비솔더 접합 방식이기 때문에, 본 발명은 본 발명의 방법이 하이브리드 본딩 기술에 한정됨을 강조하기 위해 솔더 및 범프가 없는 칩(20)과 기판(60)을 선택한다.
비솔더 패키징을 진행할 때, 칩(20)과 기판(60)의 표면이 매우 중요하다는 점에 유의해야 한다. 칩과 기판의 표면은 화학적 기계 연마 제조 공정을 거친 후 직접 맞춤 연결되기 때문에, 칩(20)과 기판(60)의 표면은 반드시 경면에 가까워야 하는데, 그 이유는 표면 거칠기의 약간의 변화가 칩(20)과 기판(60)의 접합의 실패를 초래하기 때문이다. 화학적 기계 연마 제조 공정 후, 재질이 다르기 때문에 연마의 정도도 다르며, 통상적으로 연마 정도의 오차 허용 범위는 약 ±10 nm 이내이고, 10 nm를 초과하면 다음과 같은 두 가지 결함이 발생하기 쉽다. (1) 구리 접점이 과도하게 연마되고; (2) 너무 많은 구리 접점이 미리 남겨지며, 기판(60)의 베이스가 과도하게 연마된다.
이상 설명은 본 발명의 바람직한 실시예를 해석하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 어떠한 형태로든 한정하고자 하는 것이 아니므로, 동일한 발명 사상 하에 이루어진 본 발명과 관련된 모든 수정 또는 변경은 여전히 본 발명이 보호하고자 하는 범위에 포함되어야 한다.
10, 10A, 10B, 10C: 다이 본딩 장치
111 ~ 119: 기공
12: 오목홈
13: 돌출 블록
141 ~ 144: 코너
151 ~ 154: 측면
20: 칩
211 ~ 214: 코너
221 ~ 224: 측면
30: 탑재 장치
31: 제1 표면
40: 진공 장치
41: 부압
50: 가스 공급 장치
51: 정압
60: 기판
61: 칩 배치 영역
71: 본드 웨이브
72: 압력차 파동
S1 ~ S5: 단계

Claims (20)

  1. 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법으로서,
    다이 본딩 장치가 표면에 솔더 및 범프가 없는 칩을 픽업하는 단계 (a);
    상기 다이 본딩 장치가 상기 칩을 표면에 솔더 및 범프가 없는 기판의 칩 배치 영역의 일측으로 이동시키는 단계 (b);
    상기 다이 본딩 장치가 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면이 벤딩 및 변형되도록 정압으로 상기 칩의 코너 또는 측면을 블로잉하여 상기 칩 배치 영역에 접촉시키는 단계 (c);
    상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면이 상기 칩 배치 영역에 접촉된 후 본드 웨이브가 형성되고, 상기 본드 웨이브는 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너로 확장되거나 또는 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면으로 확장되어, 상기 칩이 점차 상기 다이 본딩 장치에서 분리되어 상기 칩 배치 영역에 고정되도록 하는 단계 (d); 및
    상기 칩이 상기 칩 배치 영역에 완전히 고정되는 단계 (e)를 포함하되,
    상기 단계 (a)에서, 상기 다이 본딩 장치의 코너 또는 측면 및 나머지 부분은 부압으로 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면 및 나머지 부분을 흡착하여 상기 칩을 고정시키고, 상기 칩을 픽업하며;
    상기 단계 (b)에서, 상기 다이 본딩 장치의 상기 코너 또는 상기 측면 및 나머지 부분은 부압으로 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면 및 나머지 부분을 지속적으로 흡착하여 상기 칩을 고정시키고;
    상기 단계 (c)에서, 상기 다이 본딩 장치의 상기 코너 또는 상기 측면이 상기 부압으로 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면을 흡착하는 것을 상기 정압으로 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면을 블로잉하는 것으로 전환하며, 상기 다이 본딩 장치의 나머지 부분이 상기 부압으로 상기 칩의 나머지 부분을 흡착하는 것을 여전히 유지하고;
    상기 단계 (d)에서, 상기 다이 본딩 장치의 상기 코너에서 대향되는 코너를 향한 부분이 상기 부압으로 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너를 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 상기 정압으로 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너를 향한 부분을 블로잉하는 것으로 전환하거나, 또는 상기 다이 본딩 장치의 상기 측면에서 대향되는 측면을 향한 부분이 상기 부압으로 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면을 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 상기 정압으로 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면을 향한 부분을 블로잉하는 것으로 전환하여, 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너로, 또는 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면으로 상기 정압에 의해 순차적으로 블로잉되어 압력차 파동이 발생되며, 상기 압력차 파동은 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면이 상기 칩 배치 영역에 접촉된 후 상기 본드 웨이브를 형성하도록 하고, 상기 본드 웨이브를 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너로 확장하거나 또는 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면으로 확장하도록 가이드하여, 상기 칩이 점차 상기 다이 본딩 장치에서 분리되어 상기 칩 배치 영역에 고정되도록 하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 다수의 기공을 구비하고, 상기 기공들은 진공 장치 및 가스 공급 장치에 연결되며, 상기 진공 장치는 상기 기공들로부터 공기를 빨아들여 진공을 발생하고 상기 부압을 제공하며, 상기 부압은 상기 기공들을 통해 상기 칩을 흡착하고, 상기 가스 공급 장치는 상기 기공들에 공기를 불어넣어 기류를 발생하고 상기 정압을 제공하며, 상기 정압은 상기 기공들을 통해 상기 칩을 블로잉하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 2개의 기공을 구비하고, 상기 기공들은 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 2개의 코너를 관통하며, 상기 두 코너는 대향되는 코너인 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 4개의 기공을 구비하고, 상기 기공들은 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 4개의 코너를 관통하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 6개의 기공을 구비하고, 상기 기공들 중 4개는 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 4개의 코너를 관통하며, 상기 기공들 중 다른 2개는 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 대향되는 2개의 측면을 관통하고 각각 두 코너 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 9개의 기공을 구비하고, 상기 기공들 중 4개는 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 4개의 코너를 관통하며, 상기 기공들 중 다른 4개는 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 4개의 측면을 관통하고 각각 상기 코너들 사이에 위치하며, 상기 기공들 중 다른 하나는 상기 다이 본딩 장치의 저면의 중심을 관통하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치의 저면에는 오목홈이 형성되어 있고, 상기 오목홈의 면적은 상기 칩의 면적보다 작으며, 상기 기공들은 상기 오목홈과 연통되는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치의 저면에는 오목홈이 형성되어 있고 다수의 돌출 블록이 돌출되게 설치되어 있으며, 상기 돌출 블록들은 상기 오목홈에 위치하고, 상기 돌출 블록들은 상기 다이 본딩 장치의 저면과 동일한 평면에 있는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (a)에서, 탑재 장치의 제1 표면은 다수개의 칩을 구비하고, 상기 다이 본딩 장치는 상기 탑재 장치에서 상기 칩들 중 하나를 픽업하며;
    상기 단계 (b)에서, 상기 다이 본딩 장치는 상기 탑재 장치의 일측에서 상기 기판의 일측으로 이동하여 제1 위치에 위치하며, 상기 다이 본딩 장치는 상기 제1 위치에서 상기 기판으로 이동하여 제2 위치에 머물며, 상기 다이 본딩 장치가 상기 제2 위치에 위치하는 경우, 상기 칩과 상기 기판 사이의 간격에서 상기 칩이 상기 기판에 접촉된 후 상기 본드 웨이브를 발생할 수 있게 한 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  11. 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법으로서,
    다이 본딩 장치가 표면에 솔더 및 범프가 없는 칩을 픽업하는 단계 (a);
    상기 다이 본딩 장치가 상기 칩을 표면에 솔더 및 범프가 없는 기판의 칩 배치 영역의 일측으로 이동시키는 단계 (b);
    상기 다이 본딩 장치가 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면이 벤딩 및 변형되도록 정압으로 상기 칩의 코너 또는 측면을 블로잉하여 상기 칩 배치 영역에 접촉시키는 단계 (c);
    상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면이 상기 칩 배치 영역에 접촉된 후 본드 웨이브가 형성되고, 상기 본드 웨이브는 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너로 확장되거나 또는 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면으로 확장된 후, 상기 정압이 점점 약해져서 부압으로 전환되어, 상기 칩이 점차 상기 다이 본딩 장치에서 분리되어 상기 칩 배치 영역에 고정되도록 하는 단계 (d); 및
    상기 칩이 상기 칩 배치 영역에 완전히 고정되는 단계 (e)를 포함하되,
    상기 단계 (a)에서, 상기 다이 본딩 장치의 코너 또는 측면 및 나머지 부분은 부압으로 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면 및 나머지 부분을 흡착하여 상기 칩을 고정시키고, 상기 칩을 픽업하며;
    상기 단계 (b)에서, 상기 다이 본딩 장치의 상기 코너 또는 상기 측면 및 나머지 부분은 부압으로 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면 및 나머지 부분을 지속적으로 흡착하여 상기 칩을 고정시키고;
    상기 단계 (c)에서, 상기 다이 본딩 장치의 상기 코너 또는 상기 측면이 상기 부압으로 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면을 흡착하는 것을 상기 정압으로 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면을 블로잉하는 것으로 전환하며, 상기 다이 본딩 장치의 나머지 부분이 상기 부압으로 상기 칩의 나머지 부분을 흡착하는 것을 여전히 유지하고;
    상기 단계 (d)에서, 상기 다이 본딩 장치의 상기 코너에서 대향되는 코너를 향한 부분이 상기 부압으로 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너를 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 상기 정압으로 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너를 향한 부분을 블로잉하는 것으로 전환하거나, 또는 상기 다이 본딩 장치의 상기 측면에서 대향되는 측면을 향한 부분은 상기 부압으로 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면을 향한 부분을 흡착하는 것을 순차적으로 상기 정압으로 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면을 향한 부분을 블로잉하는 것으로 전환하여, 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너로, 또는 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면으로 상기 정압에 의해 순차적으로 블로잉되어 압력차 파동이 발생되며, 상기 압력차 파동은 상기 칩의 상기 코너 또는 상기 측면이 상기 칩 배치 영역에 접촉된 후 상기 본드 웨이브를 형성하도록 하고, 상기 본드 웨이브를 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너로 확장하거나 또는 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면으로 확장하도록 가이드한 후, 상기 다이 본딩 장치의 상기 코너에서 대향되는 코너를 향한 부분이 정압으로 상기 칩의 상기 코너에서 대향되는 코너를 향한 부분을 블로잉하는 것이 순차적으로 약해지면서 상기 부압으로 전환되거나, 또는 상기 다이 본딩 장치의 상기 측면에서 대향되는 측면을 향한 부분이 상기 정압으로 상기 칩의 상기 측면에서 대향되는 측면을 향한 부분을 블로잉하는 것이 순차적으로 약해지면서 상기 부압으로 전환되어, 상기 칩이 점차 상기 다이 본딩 장치에서 분리되어 상기 칩 배치 영역에 고정되도록 하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  12. 삭제
  13. 제11항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 다수의 기공을 구비하고, 상기 기공들은 진공 장치 및 가스 공급 장치에 연결되며, 상기 진공 장치는 상기 기공들로부터 공기를 빨아들여 진공을 발생하고 상기 부압을 제공하며, 상기 부압은 상기 기공들을 통해 상기 칩을 흡착하고, 상기 가스 공급 장치는 상기 기공들에 공기를 불어넣어 기류를 발생하고 상기 정압을 제공하며, 상기 정압은 상기 기공들을 통해 상기 칩을 블로잉하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 2개의 기공을 구비하고, 상기 기공들은 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 2개의 코너를 관통하며, 상기 두 코너는 대향되는 코너인 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 4개의 기공을 구비하고, 상기 기공들은 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 4개의 코너를 관통하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 6개의 기공을 구비하고, 상기 기공들 중 4개는 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 4개의 코너를 관통하며, 상기 기공들 중 다른 2개는 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 대향되는 2개의 측면을 관통하고 각각 두 코너 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 9개의 기공을 구비하고, 상기 기공들 중 4개는 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 4개의 코너를 관통하며, 상기 기공들 중 다른 4개는 각각 상기 다이 본딩 장치의 저면의 4개의 측면을 관통하고 각각 상기 코너들 사이에 위치하며, 상기 기공들 중 다른 하나는 상기 다이 본딩 장치의 저면의 중심을 관통하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치의 저면에는 오목홈이 형성되어 있고, 상기 오목홈의 면적은 상기 칩의 면적보다 작으며, 상기 기공들은 상기 오목홈과 연통되는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치의 저면에는 오목홈이 형성되어 있고 다수의 돌출 블록이 돌출되게 설치되어 있으며, 상기 돌출 블록들은 상기 오목홈에 위치하고, 상기 돌출 블록들은 상기 다이 본딩 장치의 저면과 동일한 평면에 있는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 단계 (a)에서, 탑재 장치의 제1 표면은 다수개의 칩을 구비하고, 상기 다이 본딩 장치는 상기 탑재 장치에서 상기 칩들 중 하나를 픽업하며;
    상기 단계 (b)에서, 상기 다이 본딩 장치는 상기 탑재 장치의 일측에서 상기 기판의 일측으로 이동하여 제1 위치에 위치하며, 상기 다이 본딩 장치는 상기 제1 위치에서 상기 기판으로 이동하여 제2 위치에 머물며, 상기 다이 본딩 장치가 상기 제2 위치에 위치하는 경우, 상기 칩과 상기 기판 사이의 간격에서 상기 칩이 상기 기판에 접촉된 후 상기 본드 웨이브를 발생할 수 있게 한 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
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