JPH11279438A - 透明導電膜形成用塗料および透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜形成用塗料および透明導電膜Info
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- JPH11279438A JPH11279438A JP8166798A JP8166798A JPH11279438A JP H11279438 A JPH11279438 A JP H11279438A JP 8166798 A JP8166798 A JP 8166798A JP 8166798 A JP8166798 A JP 8166798A JP H11279438 A JPH11279438 A JP H11279438A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に、優れた透明性と高い導電性とを兼ね
備えたＩＴＯ系の透明導電膜形成用塗料および透明導電
膜を提供することを課題とする。 【解決手段】 インジウム化合物と、錫化合物と、
Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素を含む
化合物とを有する透明導電膜形成用塗料と、この透明導
電膜形成用塗料を基板上に塗布し、焼成させて形成した
透明導電膜を構成する。
備えたＩＴＯ系の透明導電膜形成用塗料および透明導電
膜を提供することを課題とする。 【解決手段】 インジウム化合物と、錫化合物と、
Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素を含む
化合物とを有する透明導電膜形成用塗料と、この透明導
電膜形成用塗料を基板上に塗布し、焼成させて形成した
透明導電膜を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜形成用
塗料および透明導電膜に関するものであり、特に、優れ
た透明性と高い導電性を兼ね備えた錫ドープ酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）系透明導電膜形成用塗料および透明導電
膜に関するものである。
塗料および透明導電膜に関するものであり、特に、優れ
た透明性と高い導電性を兼ね備えた錫ドープ酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）系透明導電膜形成用塗料および透明導電
膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＰＤＰ，ＬＣＤ，ＥＬ等の透明電
極、あるいは、帯電防止膜、電磁波シールド、熱線反射
ガラス等に使用される透明導電膜形成材料として、錫ド
ープ酸化インジウム（以下ＩＴＯという）材料が知られ
ており、また、透明導電膜の製造方法として真空蒸着
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、塗布法等が知られて
いる。
極、あるいは、帯電防止膜、電磁波シールド、熱線反射
ガラス等に使用される透明導電膜形成材料として、錫ド
ープ酸化インジウム（以下ＩＴＯという）材料が知られ
ており、また、透明導電膜の製造方法として真空蒸着
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、塗布法等が知られて
いる。
【０００３】このうち、塗布法に関しては、次の二方法
がある。 インジウム化合物と錫化合物とを含有する塗料を、
基板上に塗布、焼成し、熱分解することにより、ＩＴＯ
からなる透明導電膜を形成する。 ＩＴＯ超微粒子を分散させた塗料を、基板上に塗
布、焼成し、熱分解することにより、ＩＴＯからなる透
明導電性膜を形成する。
がある。 インジウム化合物と錫化合物とを含有する塗料を、
基板上に塗布、焼成し、熱分解することにより、ＩＴＯ
からなる透明導電膜を形成する。 ＩＴＯ超微粒子を分散させた塗料を、基板上に塗
布、焼成し、熱分解することにより、ＩＴＯからなる透
明導電性膜を形成する。
【０００４】〔問題点〕このような従来の技術において
は、ＰＤＰ，ＬＣＤ，ＥＬ等の透明電極、電磁波シール
ド等の透明導電膜としては、優れた透明性と高い導電性
を兼ね備えた透明導電膜が必要とされており、錫ドープ
酸化インジウム系材料を用いた透明導電膜においても、
導電性が十分でなく、導電性の向上の試みがなされてい
た。
は、ＰＤＰ，ＬＣＤ，ＥＬ等の透明電極、電磁波シール
ド等の透明導電膜としては、優れた透明性と高い導電性
を兼ね備えた透明導電膜が必要とされており、錫ドープ
酸化インジウム系材料を用いた透明導電膜においても、
導電性が十分でなく、導電性の向上の試みがなされてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
における問題点に鑑みて成されたものであり、この問題
点を解消するため具体的に設定された課題は、特に、優
れた透明性と高い導電性とを兼ね備えたＩＴＯ系の透明
導電膜形成用塗料および透明導電膜を提供することにあ
る。
における問題点に鑑みて成されたものであり、この問題
点を解消するため具体的に設定された課題は、特に、優
れた透明性と高い導電性とを兼ね備えたＩＴＯ系の透明
導電膜形成用塗料および透明導電膜を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
に係る透明導電膜形成用塗料は、インジウム化合物と、
錫化合物と、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上
の元素を含む化合物とを有することを特徴とするもので
ある。
に係る透明導電膜形成用塗料は、インジウム化合物と、
錫化合物と、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上
の元素を含む化合物とを有することを特徴とするもので
ある。
【０００７】請求項２に係る透明導電膜形成用塗料は、
Ｉｎに対してＳｎを 2〜 25 モル％含有させることを特
徴とする。
Ｉｎに対してＳｎを 2〜 25 モル％含有させることを特
徴とする。
【０００８】請求項３に係る透明導電膜形成用塗料は、
Ｉｎに対してＷ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上
の元素を 0.005〜0.3 モル％含有させることを特徴とす
る。
Ｉｎに対してＷ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上
の元素を 0.005〜0.3 モル％含有させることを特徴とす
る。
【０００９】請求項４に係る透明導電膜は、請求項１〜
３のいずれかに記載の透明導電膜形成用塗料を基板上に
塗布し焼成させて形成したことを特徴とするものであ
る。
３のいずれかに記載の透明導電膜形成用塗料を基板上に
塗布し焼成させて形成したことを特徴とするものであ
る。
【００１０】請求項５に係る透明導電膜は、酸化インジ
ウムに対してＳｎと、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも
１種以上の元素とがドープされていることを特徴とす
る。
ウムに対してＳｎと、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも
１種以上の元素とがドープされていることを特徴とす
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明をよ
り良く理解させるため具体的に説明するものであり、特
に指定のない限り、発明内容を限定するものではない。
的に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明をよ
り良く理解させるため具体的に説明するものであり、特
に指定のない限り、発明内容を限定するものではない。
【００１２】実施の形態における透明導電膜は、インジ
ウム化合物と、錫化合物と、Ｗ（タングステン），Ｃｒ
（クローム），Ｍｏ（モリブデン）のうち少なくとも１
種以上を含む化合物とを有する透明導電膜形成用塗料
を、基板上に塗布し、焼成させて形成したものであり、
このうち酸化インジウムに対してＳｎ（錫）と、Ｗ，Ｃ
ｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素とがドープさ
れている透明導電膜が好ましく、このように形成した透
明導電膜は、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上
の元素のドーパントの作用で、キャリア電子濃度を高め
るとともに、熱分解時にＩＴＯ粒子の粒成長および結晶
化が促進され、従来の方法により形成されたＩＴＯ系透
明導電膜に比べ、透明性を損なわずに導電性の向上を図
ることができる。
ウム化合物と、錫化合物と、Ｗ（タングステン），Ｃｒ
（クローム），Ｍｏ（モリブデン）のうち少なくとも１
種以上を含む化合物とを有する透明導電膜形成用塗料
を、基板上に塗布し、焼成させて形成したものであり、
このうち酸化インジウムに対してＳｎ（錫）と、Ｗ，Ｃ
ｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素とがドープさ
れている透明導電膜が好ましく、このように形成した透
明導電膜は、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上
の元素のドーパントの作用で、キャリア電子濃度を高め
るとともに、熱分解時にＩＴＯ粒子の粒成長および結晶
化が促進され、従来の方法により形成されたＩＴＯ系透
明導電膜に比べ、透明性を損なわずに導電性の向上を図
ることができる。
【００１３】透明導電膜形成用塗料に含まれる酸化イン
ジウムのドーパント含有量は、Ｉｎ（インジウム）に対
してＳｎは 2〜 25 モル％、好ましくは 5〜 13 モル％
含有させ、また、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種
以上の元素は、Ｉｎに対して、0.005 〜 0.3モル％、好
ましくは 0.01 〜 0.03 モル％含有させる。
ジウムのドーパント含有量は、Ｉｎ（インジウム）に対
してＳｎは 2〜 25 モル％、好ましくは 5〜 13 モル％
含有させ、また、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種
以上の元素は、Ｉｎに対して、0.005 〜 0.3モル％、好
ましくは 0.01 〜 0.03 モル％含有させる。
【００１４】このような透明導電膜形成用塗料は、熱分
解によりＩＴＯ酸化物となるインジウム化合物、錫化合
物とドーパントとなるＷ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも
１種以上の化合物と液媒体を含む塗布液であり、Ｗ，Ｃ
ｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素のドーパント
の作用で、キャリア電子濃度を高めるとともに、熱分解
時にＩＴＯ粒子の粒成長、および結晶化が促進され、高
い電気伝導性を発現する。
解によりＩＴＯ酸化物となるインジウム化合物、錫化合
物とドーパントとなるＷ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも
１種以上の化合物と液媒体を含む塗布液であり、Ｗ，Ｃ
ｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素のドーパント
の作用で、キャリア電子濃度を高めるとともに、熱分解
時にＩＴＯ粒子の粒成長、および結晶化が促進され、高
い電気伝導性を発現する。
【００１５】原料となるインジウム化合物、錫化合物に
は、硝酸インジウムとシュウ酸錫およびアセチルアセト
ンから還流により合成したキレート錯体を用い、ドーパ
ントであるＷ，Ｃｒ，Ｍｏには塩化物が好ましく使用さ
れる。
は、硝酸インジウムとシュウ酸錫およびアセチルアセト
ンから還流により合成したキレート錯体を用い、ドーパ
ントであるＷ，Ｃｒ，Ｍｏには塩化物が好ましく使用さ
れる。
【００１６】インジウム化合物で加熱分解して酸化物と
なるキレート錯体以外の化合物としては、塩化インジウ
ム、硝酸インジウム等の無機塩、酢酸インジウム等の有
機酸塩、インジウムイソプロポキシド、インジウムブト
キシド等の金属アルコキシド等が用いられる。
なるキレート錯体以外の化合物としては、塩化インジウ
ム、硝酸インジウム等の無機塩、酢酸インジウム等の有
機酸塩、インジウムイソプロポキシド、インジウムブト
キシド等の金属アルコキシド等が用いられる。
【００１７】錫化合物で加熱分解して酸化物となるキレ
ート錯体以外の化合物としては、塩化錫、硝酸錫等の無
機塩、酢酸錫等の有機酸塩、錫イソプロポキシド、錫ブ
トキシド等の金属アルコキシド等が用いられる。
ート錯体以外の化合物としては、塩化錫、硝酸錫等の無
機塩、酢酸錫等の有機酸塩、錫イソプロポキシド、錫ブ
トキシド等の金属アルコキシド等が用いられる。
【００１８】インジウム化合物および錫化合物としての
キレート錯体は、より低温で熱分解可能であり、また塗
布、乾燥時に膜の白化がなく、良好な塗工性が得られる
ため好ましく用いることができる。特に、アセチルアセ
トンで化学修飾されたキレート錯体は、他のキレート錯
体に比べ熱分解が容易で、より低温で酸化物が得られる
ため好ましく用いられる。
キレート錯体は、より低温で熱分解可能であり、また塗
布、乾燥時に膜の白化がなく、良好な塗工性が得られる
ため好ましく用いることができる。特に、アセチルアセ
トンで化学修飾されたキレート錯体は、他のキレート錯
体に比べ熱分解が容易で、より低温で酸化物が得られる
ため好ましく用いられる。
【００１９】キレート錯体の原料としてインジウム化合
物、錫化合物に塩化物や酢酸塩等を、キレート剤には、
ベンゾイルトリフルオロアセトン、フェノールアセト酢
酸、フェノールアセト酢酸、アセト酢酸エチル、ベンゾ
イルアセトン等を用いることができる。
物、錫化合物に塩化物や酢酸塩等を、キレート剤には、
ベンゾイルトリフルオロアセトン、フェノールアセト酢
酸、フェノールアセト酢酸、アセト酢酸エチル、ベンゾ
イルアセトン等を用いることができる。
【００２０】ＩＴＯ中のＩｎに対してＳｎの含有量は 2
〜 25 モル％、より好ましくは 5〜13 モル％で、これ
よりも少ないと電子のキャリア濃度が低く、抵抗値が高
くなり、これよりも多いと酸化錫が粒界に析出し、抵抗
値が高くなる。また、ドーパントであるＷの添加量はＩ
ＴＯ中のＩｎに対して 0.005〜 0.3モル％、より好まし
くは 0.01 〜 0.03 モル％で、これより少ないと添加効
果がなく、多いと逆に不純物として悪影響し、抵抗値が
高くなる。
〜 25 モル％、より好ましくは 5〜13 モル％で、これ
よりも少ないと電子のキャリア濃度が低く、抵抗値が高
くなり、これよりも多いと酸化錫が粒界に析出し、抵抗
値が高くなる。また、ドーパントであるＷの添加量はＩ
ＴＯ中のＩｎに対して 0.005〜 0.3モル％、より好まし
くは 0.01 〜 0.03 モル％で、これより少ないと添加効
果がなく、多いと逆に不純物として悪影響し、抵抗値が
高くなる。
【００２１】液媒体には、主として有機溶媒である酢酸
3- メトキシブチル、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、ジアセトンアルコール、アセチル
アセトン等が使用されるが、キレート錯体と混合でき、
塗工性に問題ない有機溶媒であれば良い。
3- メトキシブチル、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、ジアセトンアルコール、アセチル
アセトン等が使用されるが、キレート錯体と混合でき、
塗工性に問題ない有機溶媒であれば良い。
【００２２】そして、塗布液中の固形分がＩｎ2 Ｏ3 換
算で 6〜 10 ｗｔ％となるように溶媒で希釈し、塗布液
を調製する。固形分が6 ｗｔ％以下では、一回の塗布、
焼成で得られる導電膜の厚さが薄過ぎ、 10 ｗｔ％以上
では膜中に欠陥が入り、抵抗値が高くなる。
算で 6〜 10 ｗｔ％となるように溶媒で希釈し、塗布液
を調製する。固形分が6 ｗｔ％以下では、一回の塗布、
焼成で得られる導電膜の厚さが薄過ぎ、 10 ｗｔ％以上
では膜中に欠陥が入り、抵抗値が高くなる。
【００２３】透明導電膜形成用塗料を用いた塗布方法と
しては、スピンコート法、ロールコート法、ディップコ
ート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法等が挙げ
られるが、特にスピンコート法、ロールコート法が好ま
しい。乾燥は、取扱いに問題なければ行う必要はない
が、必要があれば 100〜120 ℃で 5〜 10 分間行っても
良い。焼成温度としては、キレート錯体が熱分解し、か
つ基板の変形温度以下であれば良い。
しては、スピンコート法、ロールコート法、ディップコ
ート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法等が挙げ
られるが、特にスピンコート法、ロールコート法が好ま
しい。乾燥は、取扱いに問題なければ行う必要はない
が、必要があれば 100〜120 ℃で 5〜 10 分間行っても
良い。焼成温度としては、キレート錯体が熱分解し、か
つ基板の変形温度以下であれば良い。
【００２４】
【実施例】〔実施例１〕まず、Ｉｎ（ＮＯ3 ）3 ・３Ｈ
2 Ｏを94.74 ｇと、ＳｎＣ2 Ｏ4 を5.649 ｇと、ＷＣｌ
6 を0.032 ｇとをアセチルアセトン 105.26 ｇに溶解さ
せ、良く攪拌しながら温度 105℃で２時間還流反応さ
せ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｗのキレート錯体（ＳｎがＩｎに対し
て 10.23モル％、ＷがＩｎに対して 0.03 モル％）を合
成した。つぎに、液状のキレート錯体を冷却後、酢酸 3
- メトキシブチルを添加して、良く攪拌し、固形分がＩ
ｎ2 Ｏ3 換算で 8ｗｔ％の塗布液を作製した。そして、
作製した塗布液をソーダライムガラス上に 600ｒｐｍで
スピンコートし、温度 120℃のオーブン中で 10 分間乾
燥させた後、温度 580℃で１時間焼成して膜厚 2000 Å
の透明導電膜を得た。得られた透明導電膜の比抵抗は
8.52 × 10 -3Ωｃｍであり、可視光線透過率は 98 ％
であった。
2 Ｏを94.74 ｇと、ＳｎＣ2 Ｏ4 を5.649 ｇと、ＷＣｌ
6 を0.032 ｇとをアセチルアセトン 105.26 ｇに溶解さ
せ、良く攪拌しながら温度 105℃で２時間還流反応さ
せ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｗのキレート錯体（ＳｎがＩｎに対し
て 10.23モル％、ＷがＩｎに対して 0.03 モル％）を合
成した。つぎに、液状のキレート錯体を冷却後、酢酸 3
- メトキシブチルを添加して、良く攪拌し、固形分がＩ
ｎ2 Ｏ3 換算で 8ｗｔ％の塗布液を作製した。そして、
作製した塗布液をソーダライムガラス上に 600ｒｐｍで
スピンコートし、温度 120℃のオーブン中で 10 分間乾
燥させた後、温度 580℃で１時間焼成して膜厚 2000 Å
の透明導電膜を得た。得られた透明導電膜の比抵抗は
8.52 × 10 -3Ωｃｍであり、可視光線透過率は 98 ％
であった。
【００２５】〔実施例２〜８〕実施例１における各成分
に代えて、表１の成分を使用し、その他は実施例１と同
様に行った。
に代えて、表１の成分を使用し、その他は実施例１と同
様に行った。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明では、請求項１に係
る透明導電膜形成用塗料では、インジウム化合物と、錫
化合物と、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の
元素を含む化合物とを有することにより、塗布後に形成
させた透明導電膜の抵抗値が低減して、優れた透明性と
高い導電性とを兼ね備えることができる。
る透明導電膜形成用塗料では、インジウム化合物と、錫
化合物と、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の
元素を含む化合物とを有することにより、塗布後に形成
させた透明導電膜の抵抗値が低減して、優れた透明性と
高い導電性とを兼ね備えることができる。
【００２８】請求項２に係る透明導電膜形成用塗料で
は、Ｉｎに対してＳｎを 2〜25モル％含有させることに
より、電子のキャリア濃度が高く、抵抗値が低くなり、
高い導電性を与えることができる。
は、Ｉｎに対してＳｎを 2〜25モル％含有させることに
より、電子のキャリア濃度が高く、抵抗値が低くなり、
高い導電性を与えることができる。
【００２９】請求項３に係る透明導電膜形成用塗料で
は、Ｉｎに対してＷ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種
以上の元素を 0.005〜0.3 モル％含有させることによ
り、電子キャリア濃度が高くなるとともに、熱分解時に
ＩＴＯ粒子の粒成長および結晶化が促進され、抵抗値を
下げることができて、導電性を高めることができる。
は、Ｉｎに対してＷ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種
以上の元素を 0.005〜0.3 モル％含有させることによ
り、電子キャリア濃度が高くなるとともに、熱分解時に
ＩＴＯ粒子の粒成長および結晶化が促進され、抵抗値を
下げることができて、導電性を高めることができる。
【００３０】請求項４に係る透明導電膜では、前記透明
導電膜形成用塗料を基板上に塗布し、焼成させて形成し
たことにより、焼成時におけるＩＴＯ粒子の粒成長と結
晶化を促進させ、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏを添加しない場合より
も抵抗値を約半分に下げることができて、従来の透明導
電膜よりも導電性の高い透明導電膜を得ることができ
る。
導電膜形成用塗料を基板上に塗布し、焼成させて形成し
たことにより、焼成時におけるＩＴＯ粒子の粒成長と結
晶化を促進させ、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏを添加しない場合より
も抵抗値を約半分に下げることができて、従来の透明導
電膜よりも導電性の高い透明導電膜を得ることができ
る。
【００３１】請求項５に係る透明導電膜では、酸化イン
ジウムに対して、Ｓｎと、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なく
とも１種以上の元素とがドープされていることにより、
ドーパントの作用で、キャリア電子濃度を高め、熱分解
時にＩＴＯ粒子の粒成長および結晶化を促進させて、高
い電気伝導性を発現させることができ、従来の透明導電
膜よりも導電性の高い透明導電膜を得ることができる。
ジウムに対して、Ｓｎと、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なく
とも１種以上の元素とがドープされていることにより、
ドーパントの作用で、キャリア電子濃度を高め、熱分解
時にＩＴＯ粒子の粒成長および結晶化を促進させて、高
い電気伝導性を発現させることができ、従来の透明導電
膜よりも導電性の高い透明導電膜を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14
Claims (5)
- 【請求項１】インジウム化合物と、錫化合物と、Ｗ，Ｃ
ｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素を含む化合物
とを有することを特徴とする透明導電膜形成用塗料。 - 【請求項２】Ｉｎに対してＳｎを 2〜 25 モル％含有さ
せることを特徴とする請求項１記載の透明導電膜形成用
塗料。 - 【請求項３】Ｉｎに対してＷ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なく
とも１種以上の元素を 0.005〜0.3モル％含有させるこ
とを特徴とする請求項１記載の透明導電膜形成用塗料。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電
膜形成用塗料を基板上に塗布し、焼成させて形成したこ
とを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項５】酸化インジウムに対して、Ｓｎと、Ｗ，Ｃ
ｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種以上の元素とがドープさ
れていることを特徴とする請求項４記載の透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8166798A JPH11279438A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 透明導電膜形成用塗料および透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8166798A JPH11279438A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 透明導電膜形成用塗料および透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11279438A true JPH11279438A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=13752698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8166798A Pending JPH11279438A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 透明導電膜形成用塗料および透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11279438A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004073515A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Kam Chuen Wan | A fat mesuring scale |
| CN1326154C (zh) * | 2002-08-30 | 2007-07-11 | 住友金属矿山株式会社 | 氧化物烧结体 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP8166798A patent/JPH11279438A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1326154C (zh) * | 2002-08-30 | 2007-07-11 | 住友金属矿山株式会社 | 氧化物烧结体 |
| WO2004073515A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Kam Chuen Wan | A fat mesuring scale |
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