JPH11273836A - 定着ヒ―タおよび画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の熱伝導率が大きく反りや割れが少ないと
共に、基板とこの基板上に形成される抵抗発熱体等の厚
膜との密着強度が大きく、剥れの少ない定着ヒータ，定
着装置および画像形成装置を提供する。 【解決手段】表面１ａにアルミナ層１ｃを形成した窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする基板１と；アル
ミナ層１ｃ上にガラスアンダーコート層１ｄを介して形
成される厚膜の抵抗発熱体２と；を具備している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＯＡ機器，家庭
用電気機器や精密製造設備などの小形機器類に装着され
て用いられる薄形の定着ヒータおよびこの定着ヒータを
実装した複写機やファクシミリなどのトナー定着に用い
られる定着装置ならびにこの定着装置を用いた画像形成
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、電子式複写機においては、トナ
ー画像を形成した複写用紙を定着用の定着ヒータと加圧
ローラとの間を直接または耐熱シートを介して間接に挟
圧しながら通過させ、このヒータの加熱によって複写用
紙上のトナーが加熱，溶融し定着するようになってい
る。

【０００３】この種の従来の定着ヒータとしては例えば
特開平８−１２３２２３号公報に記載されたものや平板
状に構成されたものが実用化されている。このような板
状の定着ヒータはアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）セラミックス
などからなる細長の耐熱性・電気絶縁性基板の表面上
に、銀・パラジウム合金（Ａｇ・Ｐｄ）粉末などをガラ
ス粉末（無機結着剤），有機結着剤と混練して調合した
ペーストを印刷塗布して焼成することで、細長い帯状厚
膜の抵抗発熱体を形成し、この抵抗発熱体２の両端部分
に、銀あるいは銀・白金（Ａｇ・Ｐｔ）合金，銀・パラ
ジウム合金（Ａｇ・Ｐｄ）等の良導電体からなる膜を形
成して一対の電極（図示せず）を構成し、さらにこの抵
抗発熱体の外表面を保護層であるガラス質のオーバーコ
ート層で被覆して、耐摩耗性や耐衝撃性などの機械的強
度の向上および硫化や酸化等からの耐蝕保護と加圧ロー
ラ等との電気的絶縁を図っている。このオーバーコート
層の上面上には例えばトナー像を形成した複写用紙がｉ
ｎからｏｕｔへ向けて摺動しつつ加熱されてトナー像を
複写用紙に定着させるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の定着ヒータでは、その基板を、熱伝導率が必
ずしも大きくないアルミナにより形成しているので、定
着ヒータの昇温時には基板に高温部と低温部の温度むら
が発生し、温度差が生ずるので、熱応力が発生する。し
かも、この基板の一面に被定着用紙を通紙すると、その
基板の通紙部の温度が一時的に大きく低下するので、こ
の低温部と他の高温部との差がさらに増大して熱応力が
さらに増大するので、その繰返しにより基板自体に反り
や割れが発生する場合があり、これらは入力されるパワ
ーが大きくなればなるほど顕著に表われる。

【０００５】そして、この問題を回避するために、アル
ミナよりも熱伝導性のよい窒化アルミニウムの基板を用
いたヒータが開発されている。しかしながら、窒化アル
ミニウムの基板は厚膜パターンとの相性が悪く厚膜で形
成した抵抗発熱体や電極が基板から剥がれ易いという問
題がある。

【０００６】そして、特に電極については、基板端部に
て各電極の表面と基板裏面とを基板の板厚方向で弾性的
に挟持して電気的に接続されるクリップ状のコネクタが
装着されるが、その装着の際には各電極の表面に弾性的
に押圧されるコネクタの押圧部が各電極表面上を押圧し
つつ摺動するので、基板から剥離し易い。

【０００７】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、基板の熱伝導率が大きく反りや
割れが少ないと共に、基板と、この基板上に形成される
抵抗発熱体や電極等の厚膜パターンとの密着強度が大き
く、剥れの少ない定着ヒータ，定着装置および画像形成
装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、抵抗
発熱体が形成される一面の当該抵抗発熱体形成部および
その周辺の発熱領域と、その発熱領域の裏面とに酸化処
理層を形成した窒化アルミニウムを主成分とする基板
と；基板表面の酸化処理層上に形成される厚膜の抵抗発
熱体と；を具備していることを特徴とする。

【０００９】この発明によれば、基板の主成分をなす窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）の熱伝導率は例えば９０〜１
８０Ｗ／ｍＫであり、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）の熱伝導
率が約２０Ｗ／ｍＫであるのに対し、数倍から約１０倍
程度大きい。

【００１０】したがって、ＡｌＮ基板の一面に被定着用
紙を摺動させて通紙することで基板の熱が奪われてもＡ
ｌＮ基板の温度低下は極めて短かい時間であり、直ちに
均等に再昇温させることができるので、ＡｌＮ基板自体
における温度差が殆ど発生することとがなく熱応力も小
さく、ＡｌＮ基板に反りや割れが発生するのを防止ない
し低減することができる。そして、これによりＡｌＮ基
板を有する定着ヒータを組み付けた定着装置の高速定着
を可能にすることができる。

【００１１】しかしながら、この窒化アルミニウム基板
は、窒素を含有しているので、その基板上に、抵抗発熱
体やサーミスタ、導体、電極、オーバーコートガラス等
の厚膜ペーストを印刷し、例えば８５０℃で焼成して厚
膜パターンを形成すると、その際に、この窒化アルミニ
ウム基板と厚膜ペーストのガラス成分が反応してＡｌＮ
基板表面から窒素（Ｎ₂ ）ガスが発生し、このガスが焼
結された抵抗発熱体等の厚膜パターン中に溜まると基板
との密着性が低下して剥離や剥落が発生する不具合があ
る。

【００１２】しかし、このＡｌＮ基板の表面には酸化処
理によりアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）層（酸化処理層）を形
成し、このアルミナ層上に膜状の抵抗発熱体を形成して
いるので、このアルミナ層によりＡｌＮ基板と抵抗発熱
体等の厚膜ペーストとが反応するのを防止して、このＡ
ｌＮ基板からＮ₂ ガスが発生するのを防止することがで
きる。

【００１３】したがって、このＡｌＮ基板の酸化処理面
上に形成される膜状の抵抗発熱体等の厚膜ペーストのＮ
₂ ガスによる発泡を防止することができるので、抵抗発
熱体等厚膜パターンと基板との密着性を向上させること
ができ、抵抗発熱体等厚膜の基板からの剥離や剥落を防
止ないし低減することができる。

【００１４】また、基板の表面を酸化膜（層）を形成す
ることにより、この酸化膜が断熱層として作用する。す
なわち、基板内の熱は、酸化膜によって空気中等の外部
へ放出されるのを低減でき、ヒータの効率を高めること
ができる。なお、抵抗発熱体と基板との間に酸化膜が形
成されていても、この酸化膜層は抵抗発熱体と隣接して
いるため、良好に熱を透過し、基板を瞬時に昇温させる
ことが可能である。

【００１５】さらに、基板表面の抵抗発熱体形成部およ
びその周辺の発熱領域と、この発熱領域の表裏両面と
に、酸化処理層を共に形成しているので、基板表裏両面
の熱膨張差を低減することができ、基板の曲げや反りを
防止できる。また、酸化処理層を形成すること自体でも
基板の強度を向上させることができ基板割れを防止でき
る。

【００１６】請求項２の発明は、少なくとも一面の一部
を他面よりも粗面に形成した窒化アルミニウムを主成分
とする基板と；基板の粗面上に形成される膜状の抵抗発
熱体と；を具備していることを特徴とする。

【００１７】この発明によれば、上記請求項１の発明と
同様に、基板が熱伝導率の大きいＡｌＮを主成分とする
ので、請求項１の発明と同様に、基板に反りや割れが発
生するのを防止ないし低減することができるうえに、高
速定着を可能にすることができる。

【００１８】さらに、ＡｌＮ基板の表面を粗面に形成し
て表面積を増大させているので、粗面上に形成される厚
膜の抵抗発熱体との密着性を向上させることができ、Ａ
ｌＮ基板からの抵抗発熱体等の剥離や剥落を防止ないし
低減することができる。また裏面は平滑性に優れている
ので、非加熱体の摺動面として利用し易い。

【００１９】請求項３の発明は、少なくとも一面の一部
が酸化処理されると共にその少なくとも一部が他面より
も粗面に形成された窒化アルミニウムよりなる基板と；
基板の酸化処理面または粗面上に形成される厚膜の抵抗
発熱体と；を具備していることを特徴とする。

【００２０】この発明によれば、上記請求項１の発明と
同様に、基板が熱伝導率の大きいＡｌＮを主成分とする
ので、請求項１の発明と同様に、基板に反りや割れが発
生するのを防止ないし低減することができるうえに、高
速定着を可能にすることができる。

【００２１】さらに、ＡｌＮ基板の表面を、請求項３の
発明と同様に粗面に形成して表面積を増大させると共
に、請求項１の発明と同様に酸化処理面に形成している
ので、これら粗面または酸化処理面上に形成される厚膜
の抵抗発熱体との密着性を向上させることができると共
に、Ｎ₂ ガスの発生を防止することができるので、Ａｌ
Ｎ基板からの抵抗発熱体等厚膜パターンの剥離や剥落を
防止ないし低減することができる。

【００２２】請求項４の発明は、酸化処理層は、基板表
面の微小凹凸に沿って略均一な厚さで形成されているこ
とを特徴とする。

【００２３】この発明によれば、請求項１〜３のいずれ
か一の発明の作用に加えて、基板表面の微小凹凸により
表面積を増大させているので、基板表面と抵抗発熱体と
の密着性を向上させることができる。このために、この
基板表面の微小凹凸上に形成される酸化処理層の厚さを
薄くしても上記Ｎ₂ ガスの発泡を防止ない低減して基板
と抵抗発熱体等の厚膜との密着性を向上させることがで
きる。また、酸化処理層を形成すること自体でも基板の
強度を向上させることができ、基板割れを防止できる。

【００２４】また、酸化処理層の厚さを薄くできるの
で、抵抗発熱体から基板へ伝導される熱伝導性を向上さ
せることができる。さらに、酸化処理層の厚さがほぼ均
一であり、局部的に薄い部分もないので、その薄い部分
によるＮ₂ ガスの局部的な発泡を防止ないし低減するこ
とができる。

【００２５】請求項５の発明は、窒化アルミニウムを主
成分とする基板と；基板表面上に形成される鉛の含有量
が少ないかもしくは含有しないＰｂレスガラスよりなる
ガラスアンダーコートと；ガラスアンダーコートの表面
上に形成される厚膜の抵抗発熱体と；を具備しているこ
とを特徴とする。

【００２６】なお、ここでＰｂレスガラスとは鉛（Ｐ
ｂ）の含有量が２０重量％以下のガラスをいい、鉛を殆
ど含有しない、あるいは製造工程中等で鉛を微量含有す
るＰｂフリーガラスを含む。

【００２７】この発明によれば、上記請求項１の発明と
同様に、基板が熱伝導率の大きいＡｌＮを主成分とする
ので、請求項１の発明と同様に、基板に反りや割れが発
生するのを防止ないし低減することができるうえに、高
速定着を可能にすることができる。

【００２８】また、ＡｌＮ基板の表面に、鉛の含有量が
２０重量％以下のＰｂレスガラスよりなるガラスアンダ
ーコートを形成し、このガラスアンダーコート上に抵抗
発熱体等の厚膜ペーストを印刷するので、この抵抗発熱
体等の厚膜ペーストとＡｌＮ基板との反応をガラスアン
ダーコートにより防止ないし低減し、ＡｌＮ基板からＮ
₂ ガスが発生するのを防止ないし低減することができ
る。

【００２９】このために、Ｎ₂ ガスによる抵抗発熱体等
の厚膜ペーストの発泡を防止ないし低減することができ
るので、抵抗発熱体等の厚膜パターンとＡｌＮ基板との
密着性を向上させることができ、抵抗発熱体等の厚膜パ
ターンのＡｌＮ基板からの剥離や剥落を防止ないし低減
することができる。また、ガラスアンダーコートとして
Ｐｂレス（Ｐｂフリーを含む）ガラスを使用しているの
で、そのガラスと窒化アルミニウム基板との反応性を低
く抑えることができ、このガラスアンダーコートは基板
に強固に密着する。さらにガラス膜密度が低いので、こ
のガラス焼成時に、ガラス成分とＡｌＮ基板との反応に
より、この基板から発生する窒素（Ｎ₂）ガスがガラス
膜を抜けて外部に放出させ易いので、これによってもガ
ラスアンダーコートと基板との密着性が向上する。さら
に、ＰＢレスガラスは、鉛を少量ないし微量しか含ま
ず、あるいは殆ど含有しないので、環境を改善すること
ができる。なお、電極の下部のみにこのガラスアンダー
コートを形成し、抵抗発熱体の下に形成しなければ、電
極の密着強度が増すとともに、抵抗発熱体の熱が基板に
伝わり易くなる。

【００３０】請求項６の発明は、窒化アルミニウムを主
成分とする基板と；基板の両面に形成される鉛の含有量
が少ないかもしくは含有しないＰｂレスガラスを主成分
とするガラスアンダーコートと；基板の一面のガラスア
ンダーコートの一面上に形成される厚膜の抵抗発熱体
と；基板の他面のガラスアンダーコート上に形成される
厚膜のサーミスタと；を具備し、一方のガラスアンダー
コートを、サーミスタの形成部分のみに形成したことを
特徴とする。

【００３１】この発明によれば、厚膜のサーミスタは、
金属酸化物を含有しているので、焼成時にＡｌＮ基板と
反応して上記Ｎ₂ ガスを放出し易いが、このサーミスタ
とＡｌＮ基板との間にはガラスアンダーコートを介在さ
せているので、このガラスアンダーコートによりサーミ
スタとＡｌＮ基板との反応を防止ないし低減して、Ｎ ₂
ガスの放出ないし発泡現象を防止ないし低減することが
できる。また、一方のガラスアンダーコートを厚膜のサ
ーミスタ形成部分のみに形成するので、基板の一面全面
にガラスアンダーコートを形成する場合に比して、Ｐｂ
レスガラス等ガラスアンダーコートのガラス材料の節約
を図ることができる。また、ガラスアンダーコートとし
てＰｂレス（Ｐｂフリーを含む）ガラスを使用している
ので、そのガラスと窒化アルミニウム基板との反応性を
低く抑えることができ、このアンダーコートは基板に強
固に密着する。さらにガラス膜密度が低いので、このガ
ラス焼成時に、ガラス成分とＡｌＮ基板との反応によ
り、この基板から発生する窒素（Ｎ₂ ）ガスがガラス膜
を抜けて外部に放出させ易いので、これによってもガラ
スアンダーコートと基板との密着性が向上する。さら
に、ＰＢレスガラスは、鉛を少量ないし微量しか含ま
ず、あるいは殆ど含有しないので、環境を改善すること
ができる。なお、電極の下部のみにこのガラスアンダー
コートを形成し、抵抗発熱体の下に形成しなければ、電
極の密着強度が増すとともに、抵抗発熱体の熱が基板に
伝わり易くなる。

【００３２】請求項７の発明は、窒化アルミニウムを主
成分とする基板と；基板少なくとも一面に形成される鉛
の含有量が少ないかもしくは含有しないＰｂレスガラス
を主成分とするガラスアンダーコートと；ガラスアンダ
ーコート上に形成される厚膜の抵抗発熱体と；外周縁部
をガラスにより基板の一面またはガラスアンダーコート
上に固着した抵抗発熱体に電気的に接続される一対の電
極と；を具備していることを特徴とする。

【００３３】この発明によれば、抵抗発熱体の一対の電
極の外周縁部をガラスにより基板の一面上またはガラス
アンダーコート上に固着するので、一対の電極と、基板
またはガラスアンダーコートとの固着強度の増強を図る
ことができる。

【００３４】請求項８の発明は、少なくとも一面の一部
を酸化処理すると共にその少なくとも一面の一部を他面
よりも粗面に形成した窒化アルミニウムよりなる基板
と；基板の粗面上に形成される鉛の含有量が少ないかも
しくは含有しないＰｂレスガラスよりなるガラスアンダ
ーコートと；ガラスアンダーコートの表面上に形成され
る厚膜の抵抗発熱体と；を具備していることを特徴とす
る。

【００３５】この発明によれば、上記請求項４の発明と
同様に、熱伝導率の大きいＡｌＮ基板の表面を、酸化処
理すると共に粗面に形成したので、請求項４の発明とほ
ぼ同様の作用効果を奏することができる。

【００３６】さらに、このＡｌＮ基板の酸化処理面また
は粗面上に、焼成時ＡｌＮ基板と反応し易い鉛（Ｐｂ）
の含有量が２０重量％以下のＰｂレスガラスよりなるガ
ラスアンダーコート上に膜状の抵抗発熱体等の厚膜パタ
ーンを形成するので、この抵抗発熱体等の厚膜パターン
とＡｌＮ基板との反応を酸化処理面とガラスアンダーコ
ートとにより２重に防止ないし低減することができる。

【００３７】このために、ＡｌＮ基板からＮ₂ ガスが発
生するのを一層防止ないし低減することができるので、
ＡｌＮ基板と抵抗発熱体等厚膜パターンとの密着性を一
段と向上させることができ、抵抗発熱体等の厚膜パター
ンがＡｌＮ基板から剥離ないし剥落するのを防止ないし
低減することができる。また、ガラスアンダーコートと
してＰｂレス（Ｐｂフリーを含む）ガラスを使用してい
るので、そのガラスと窒化アルミニウム基板との反応性
を低く抑えることができ、このガラスアンダーコートは
基板に強固に密着する。さらにガラス膜密度が低いの
で、このガラス焼成時に、ガラス成分とＡｌＮ基板との
反応により、この基板から発生する窒素（Ｎ₂ ）ガスが
ガラス膜を抜けて外部に放出させ易いので、これによっ
てもガラスアンダーコートと基板との密着性が向上す
る。さらに、ＰＢレスガラスは、鉛を少量ないし微量し
か含まず、あるいは殆ど含有しないので、環境を改善す
ることができる。なお、電極の下部のみにこのガラスア
ンダーコートを形成し、抵抗発熱体の下に形成しなけれ
ば、電極の密着強度が増すとともに、抵抗発熱体の熱が
基板に伝わり易くなり良い。

【００３８】請求項９の発明は、ガラスアンダーコート
のＰｂレスガラスの熱膨張係数が、基板と、ガラスアン
ダーコートを介して基板上に形成される厚膜ペーストと
の両熱膨張係数の中間値であることを特徴とする。

【００３９】この発明によれば、請求項５ないし８のい
ずれか一の発明に係るガラスアンダーコートの当該ガラ
スの熱膨張係数が、このアンダーガラスコートの両側に
形成される基板と、厚膜ペーストとの熱膨張係数の中間
値であるので、このガラスアンダーコートの熱膨張係数
を、ＡｌＮ基板と厚膜ペーストのいずれの熱膨張係数に
も近付け、両者の熱膨張差を緩和することができる。

【００４０】このために、ＡｌＮ基板と厚膜ペーストの
両者に対するガラスアンダーコートの密着性を向上させ
ることができ、厚膜ペーストの焼成後の厚膜パターンと
の剥離や剥落を防止ないし低減することができる。ま
た、ガラスアンダーコートとしてＰｂレス（Ｐｂフリー
を含む）ガラスを使用しているので、そのガラスと窒化
アルミニウム基板との反応性を低く抑えることができ、
このガラスアンダーコートは基板に強固に密着する。さ
らにガラス膜密度が低いので、このガラス焼成時に、ガ
ラス成分とＡｌＮ基板との反応により、この基板から発
生する窒素（Ｎ₂）ガスがガラス膜を抜けて外部に放出
させ易いので、これによってもガラスアンダーコートと
の基板の密着性が向上する。さらに、ＰＢレスガラス
は、鉛を少量ないし微量しか含まず、あるいは殆ど含有
しないので、環境を改善することができる。なお、電極
の下部のみにこのガラスアンダーコートを形成し、抵抗
発熱体の下に形成しなければ、電極の密着強度が増すと
ともに、抵抗発熱体の熱が基板に伝わり易くなる。

【００４１】請求項１０の発明は、ガラスアンダーコー
トのＰｂレスガラスが前記ガラスよりも熱伝導性の高い
フィラーを２５〜３５重量％含有していることを特徴と
する。

【００４２】この発明によれば、請求項５ないし９の発
明のいずれかに係るガラスアンダーコートのガラスは、
これよりも熱伝導性の高いフィラーを３５重量％含有さ
せているので、このガラスアンダーコートの熱伝導性を
向上させることができる。

【００４３】したがって、抵抗発熱体からガラスアンダ
ーコートを介して抵抗発熱体非形成面のＡｌＮ基板表面
に伝達される熱量を増大させることができ、熱効率を向
上させることができる。このために、基板の抵抗発熱体
非形成面を被定着体の摺動面として用いた場合でも、そ
の摺動面を効率よく加熱することができる。また、熱伝
導フィラーの含有量を３５重量％以下としたので、ガラ
スアンダーコートの熱膨張が抑制されて繰り返し抵抗発
熱体を昇温させても熱膨張しにくいＡｌＮ基板との界面
で剥離等の発生を防止ないし低減することができる。ま
た、ガラスアンダーコートとしてＰｂレス（Ｐｂフリー
を含む）ガラスを使用しているので、そのガラスと窒化
アルミニウム基板との反応性を低く抑えることができ、
このガラスアンダーコートは基板に強固に密着する。さ
らにガラス膜密度が低いので、このガラス焼成時に、ガ
ラス成分とＡｌＮ基板との反応により、この基板から発
生する窒素（Ｎ₂ ）ガスがガラス膜を抜けて外部に放出
させ易いので、これによってもガラスアンダーコートと
基板との密着性が向上する。さらに、ＰＢレスガラス
は、鉛を少量ないし微量しか含まず、あるいは殆ど含有
しないので、環境を改善することができる。なお、電極
の下部のみにこのガラスアンダーコートを形成し、抵抗
発熱体の下に形成しなければ、電極の密着強度が増すと
ともに、抵抗発熱体の熱が基板に伝わり易くなる。

【００４４】請求項１１の発明は、窒化アルミニウムを
主成分とする基板と；基板上に形成されるガラス成分に
フィラーを含有しているガラスアンダーコートと；ガラ
スアンダーコート上に形成される抵抗発熱体と；を具備
していることを特徴する定着ヒータである。

【００４５】この発明によれば、基板と厚膜の抵抗発熱
体の間に介在されるガラスアンダーコートに、ガラスの
表面粗さを荒くするフィラーを含有させているので、こ
のガラスアンダーコートと基板、ならびに抵抗発熱体と
の各接合面積を増大させ、これら密着強度を増強させる
ことができる。

【００４６】したがって、このガラスアンダーコート上
に形成される抵抗発熱体やその一対の電極等の厚膜パタ
ーンが基板から剥離するのを抑制ないし防止することが
できる。また、ガラスアンダーコートに酸化物のフィラ
ーを含有させれば、このフィラーは、窒化アルミニウム
の基板とほとんど反応することかがなく、またこのフィ
ラーが基板と接触する分だけ、ガラス成分と基板との接
触面積を小さくできる。したがって、ガラス成分と基板
との反応が少なくなってＮ₂ ガスの発生を低減し、ガラ
スアンダーコートと基板との密着強度を高められる。

【００４７】請求項１２の発明は、一面または他面に被
定着体を直接または間接に摺動せしめる摺動面を形成さ
せる摺動面形成部と抵抗発熱体に電気的に接続される電
極を形成させる電極形成部とを有する窒化アルミニウム
を主成分とする基板と；基板の少なくとも電極形成部に
形成され、摺動面形成部には形成されないフィラーを含
有してなるガラスアンダーコートと；基板の摺動面形成
部またはこの基板摺動面形成部の裏面上に形成される厚
膜の抵抗発熱体と；を具備していることを特徴とする定
着ヒータである。

【００４８】この発明によれば、基板の電極形成部に形
成されるガラスアンダーコートには、その外表面の粗さ
を荒くするフィラーを含有させているので、この電極形
成部上に直接または間接的に形成される電極の厚膜パタ
ーンと基板との密着強度を増強させることができ、これ
ら両接合面の微小凹凸により電極の横ずれないし剥離を
抑制ないし防止することができる。さらに、基板の摺動
面形成部には、フィラーを含有させたガラスアンダーコ
ートを形成しないので、この摺動面は凹凸の少ない平滑
面に形成される。このために、この平滑な摺動面上を直
接または間接に摺動する被定着体の摺動を円滑にするこ
とができ、定着性を向上できる。

【００４９】また、抵抗発熱体は別途保護層で覆うこと
により、基盤との密着強度をある程度確保できる。ま
た、抵抗発熱体と基板との間のガラス層を減じたので、
抵抗発熱体の熱を基板に良好に伝えることかでき、基板
全体の温度を瞬間的に均一にさせ易い。また非発熱体形
成面を摺動加熱として利用する場合もこの面に熱が伝わ
り易くなる。

【００５０】請求項１３の発明は、一面に被定着体を直
接または間接に摺動せしめる摺動面を形成させる摺動面
形成部を有し、この摺動面形成部を有する一面を粗面に
形成した窒化アルミニウムを主成分とする基板と；基板
の摺動面形成部を有する一面上に形成され、この一面よ
り表面粗さの小さいガラスアンダーコートと；ガラスア
ンダーコート上に形成される厚膜の抵抗発熱体と；を具
備していることを特徴とする定着ヒータである。

【００５１】この発明によれば、基板の摺動面形成部を
粗面に形成しているので、この基板の摺動面形成部に接
合されるガラスアンダーコートとの接合面積を増大させ
ることができる。このために、ガラスアンダーコートと
基板摺動面形成部との密着強度を増強させることができ
るので、このガラスアンダーコート上に形成される抵抗
発熱体と電極等の厚膜パターンの剥離を抑制ないし防止
することができる。

【００５２】また、基板の摺動面形成部を粗面に形成し
ても、この摺動面形成部上にガラスアンダーコートを形
成しているので、この粗面の摺動面形成部の凹凸をガラ
スアンダーコートにより吸収（ならす）ので、摺動面形
成部上にガラスアンダーコートを介して形成される抵抗
発熱体の外表面の表面粗さを緩和することができる。

【００５３】請求項１４の発明は、ガラスアンダーコー
トがＰｂレスガラスよりなることを特徴とする請求項１
１ないし１３のいずれか一記載の定着ヒータである。

【００５４】この発明によれば、請求項１１ないし１３
のいずれか一記載の発明の作用効果に加えて、請求項１
１ないし１３のいずれか一記載の発明に係るガラスアン
ダーコートのＰｂレスガラスであるため、そのガラスと
窒化アルミニウム基板との反応性を低く抑えることがで
き、このガラスアンダーコートは基板に強固に密着す
る。さらにガラス膜密度が低いので、このガラス焼成時
に、ガラス成分とＡｌＮ基板との反応により、この基板
から発生する窒素（Ｎ₂ ）ガスがガラス膜を抜けて外部
に放出させ易いので、これによってもガラスアンダーコ
ートと基板との密着性が向上する。さらに、ＰＢレスガ
ラスは、鉛を少量ないし微量しか含まず、あるいは殆ど
含有しないので、環境を改善することができる。なお、
電極の下部のみにこのガラスアンダーコートを形成し、
抵抗発熱体の下に形成しなければ、電極の密着強度が増
すとともに、抵抗発熱体の熱が基板に伝わり易くなる。

【００５５】請求項１５の発明は、一面に被定着体を直
接または間接に摺動せしめる摺動面を形成させる摺動面
形成部と抵抗発熱体に電気的に接続される電極を形成さ
せる電極形成部とを有する窒化アルミニウムを主成分と
する基板と；基板の電極形成部の表面粗さを摺動形成部
の表面粗さよりも荒くしてなるガラスよりなるガラスア
ンダーコートと；ガラスアンダーコートの摺動面対向部
上に形成される抵抗発熱体と；を具備していることを特
徴とする定着ヒータである。

【００５６】この発明によれば、ガラスアンダーコート
の摺動面形成部対向部の表面粗さを、電極形成部対向部
の表面粗さよりも細かく形成しているので、この摺動面
形成部対向部上に形成される摺動面の表面粗さを電極形
成部対向部の表面粗さよりも細かくすることができる。
このために、摺動面の微小凹凸を減少させることができ
るので、この摺動面と被定着体との密着性を向上させる
ことができる。

【００５７】したがって、この基板の直接摺動面とこの
摺動面上を摺動する被定着体との密着性と円滑性との向
上を共に図ることができるので、被定着体の定着不具合
を低減ないし防止することができる。

【００５８】また、ガラスアンダーコートの電極形成部
対向部の表面粗さは摺動面形成部対向部の表面粗さより
も荒いので、このガラスアンダーコートの電極形成部対
向部を介して基板の電極形成部上に形成される電極と基
板との接合面積を増大させると共に、接合面の荒い凹凸
により、コネクタが電極の表面上を摺動する際の電極の
横方向のずれないし剥離を抑制ないし防止することがで
きる。

【００５９】また、基板全体を加工しないので手間を省
け、抵抗発熱体については、これを保護層等で覆うこと
で密着強度をある程度確保できる。アンダーコートを荒
す加工は、基板自体を荒す加工よりも容易であり、製造
コストを低減できる。

【００６０】請求項１６の発明は、一面に被定着体を直
接または間接に摺動せしめる摺動面を形成させる摺動面
形成部と、抵抗発熱体に電気的に接続される電極を形成
させる電極形成部とを有し、この摺動面形成部の表面粗
さを電極形成部の表面粗さよりも細かくした窒化アルミ
ニウムを主成分とする基板と；基板の摺動面形成部上に
形成される厚膜の抵抗発熱体と；を具備していることを
特徴とする定着ヒータである。

【００６１】この発明によれば、基板の摺動面形成部の
表面粗さを、電極形成部の表面粗さよりも細かく形成し
ているので、この基板摺動面形成部上に形成される抵抗
発熱体の表面が平滑になる一方、基板と電極の密着強度
が向上する。

【００６２】このために、摺動面と、この摺動面上を摺
動する被定着体との密着性と摺動円滑性とを共に向上さ
せることができるので、被定着体の定着不具合を低減な
いし防止することができる。

【００６３】また、基板全体を加工しないので、手間を
省け、抵抗発熱体については、これを保護層等で覆うこ
とで密着強度をある程度確保できる。

【００６４】請求項１７の発明は、窒化アルミニウムを
主成分とする基板と；基板上に形成されて膜厚が１０μ
ｍ以下のガラスよりなるガラスアンダーコートと；ガラ
スアンダーコート上に形成される厚膜の抵抗発熱体と；
を具備していることを特徴とする定着ヒータである。

【００６５】この発明によれば、基板上に形成されるガ
ラスアンダーコートの膜厚が１０μｍ以下の薄い膜で低
密度である。このために、基板上にガラスアンダーコー
トのペーストを印刷してから焼成する際に、ＡｌＮ基板
がこの基板上の抵抗発熱体等の厚膜ペーストと反応して
発生するＮ₂ ガスがこのガラスアンダーコートを通して
外部へ放出される放出量を増大させることができ、ガラ
スアンダーコート内ののＮ₂ ガス量を減少させることが
できる。このために、ガラスアンダーコートが基板から
剥離するのを抑制ないし防止することができる。このた
めに、ガラスアンダーコートが基板から剥離するのを抑
制ないし防止することができる。

【００６６】また、焼成後のガラスアンダーコートの密
度は高くなるので、その後の焼成工程においてＡｌＮ基
板にＮ₂ ガスが発生しても、このＮ₂ ガスの放出をガラ
スアンダーコートにより遮断するので、ガラスアンダー
コート上のパターンへのＮ₂ガスの混入を抑制ないし防
止することができる。

【００６７】請求項１８の発明は、請求項１ないし１７
のいずれか一に記載の定着ヒータおよびこの定着ヒータ
に圧接するように対向配置されて、この定着ヒータから
の熱を被定着体の画像を形成しているトナーに作用させ
るとともに、この被定着体を搬送する加圧ローラを具備
している定着装置と；媒体に形成された静電潜像にトナ
ーを付着させて反転画像を形成し、この反転画像を被定
着体に転写して所定の画像を形成する手段と；を具備し
ていることを特徴とする。

【００６８】この発明によれば、請求項１ないし１７の
いずれか一記載の定着ヒータを有するので、これらとほ
ぼ同様の作用効果を奏することができる。

【００６９】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図２４に基づいて本
発明の実施の形態を説明する。なお、図１〜図２４中、
同一または相当部分には同一符号を付している。

【００７０】図１は図４のＩ−Ｉ線切断部の要部端面
図、図２は本発明の第２の実施形態の要部縦断面図、図
３は本発明の第１の実施形態に係る定着ヒータＨａの一
部切欠平面図、図４は図３の裏面図である。これらの図
において、定着ヒータＨａは耐熱性・電気絶縁性を有す
る窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする細長いＡ
ｌＮ基板１の表面１ａ側に、その長手方向に長い膜状の
抵抗発熱体２を形成している。

【００７１】ＡｌＮ基板１のＡｌＮは、熱伝導係数が例
えば約９０〜１８０Ｗ／ｍＫであり、アルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃ ）の熱伝導係数が２０Ｗ／ｍＫであるのに対し、数
倍から約１０倍程度大きい高熱導性物質である。このＡ
ｌＮ基板１は例えば長さ約３００mm，幅約８mm，厚さ約
０．６〜約１mmの大きさの長方形に形成されている。

【００７２】そして、図１に示すようにＡｌＮ基板１
は、その表面１ａとその裏面１ｂのほぼ全面を、例えば
酸素の雰囲気中の１０００〜１２００℃の高温焼成する
等の酸化処理を行なってアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）層１ｃ
を例えば０．５〜２０μｍの層厚でそれぞれ形成してい
る。アルミナ層１ｃは基板１の表面の微小凹凸上に均一
層厚で形成してもよい。

【００７３】さらに、これら各アルミナ層１ｃの各外面
上に、鉛（Ｐｂ）の含有量が例えば２０重量％以下の軟
化点の高いＰｂレスガラスにより所定膜厚のガラスアン
ダーコート１ｄをそれぞれ全面的に形成している。この
ガラスアンダーコート１ｄは例えばＰｂレスガラスより
なる厚膜ペーストの印刷焼成により形成され、そのガラ
ス中に、このＰｂレスガラスよりも熱伝導性が高いフィ
ラーを例えば２５〜３５重量％含有させて熱伝導性を向
上させてもよい。

【００７４】また、図２に示すように、上記アルミナ層
１ｃは、基板１の表，裏面１ａ，１ｂのほぼ全面を、例
えばホーニング加工等により例えば表面粗さＲａ０．５
〜２μｍの粗面１ｅにそれぞれ全面的に形成し、これら
各粗面１ｅ上のほぼ全外面上にアルミナ層１ｃをそれぞ
れ形成してもよい。

【００７５】さらに酸化処理層であるアルミナ層１ｃ
は、図６中破線で示すように基板表面１ａの抵抗発熱体
２を形成する部分とその周辺の発熱領域ａと、この発熱
領域ａに対応する基板裏面１ｂの一部とにそれぞれ形成
してもよい。これによれば、基板１の表裏両面１ａ，１
ｂの発熱領域ａに酸化処理層であるアルミナ層１ｃを形
成しているので、基板１の表裏両面１ａ，１ｂの熱膨張
差を低減することができ、基板１の曲げや反りを防止す
ることができる。なお、図６中、Ｐはオーバーコート層
４の頂面４ａである通紙摺動面Ｓを摺動する複写用紙等
の被定着体を示し、図６中矢印方向に摺動する。

【００７６】そして、図１に示すように基板表面１ａ側
のガラスアンダーコート１ｄ上には例えば長さ約２３０
mm，厚さ約１０μｍの抵抗発熱体２を、銀・パラジウム
（Ａｇ・Ｐｄ）合金やニッケル・錫（Ｎｉ・Ｓｎ）合
金，ＲｕＯ₂ 合金等を主体とする厚膜ペーストの印刷焼
成により形成している。

【００７７】抵抗発熱体２はその一端部，または両端部
に、その一部を上下方向で重ねて、銀あるいは銀・白金
（Ａｇ・Ｐｔ）合金，銀・パラジウム合金（Ａｇ・Ｐ
ｄ）等の良導電体からなる厚膜ペーストを印刷焼成して
一対の電極３ａ，３ｂを形成し、抵抗発熱体２に電気的
に接続している。一対の電極３ａ，３ｂには図示しない
クリップ状の一対のコネクタをそれぞれ外嵌して電気的
に接続し、これらコネクタを介して抵抗発熱体２に給電
するようになっている。各電極３ａ，３ｂには、その外
周縁部外面からガラスアンダーコート１ｄの外面に亘っ
て縁取るようにガラス被膜１ｆ，１ｇをそれぞれ被着し
て、各電極３ａ，３ｂのガラスアンダーコート１ｄへの
固着強度の増強を図っている。

【００７８】そして、抵抗発熱体２と一対の電極３ａ，
３ｂの内端部外表面を保護層であるガラス質のオーバー
コート層４を厚膜ペーストの印刷焼成等により形成し
て、これら抵抗発熱体２と一対の電極３ａ，３ｂの内端
部外表面を被覆し、耐摩耗性や耐衝撃性などの機械的強
度の向上と、硫化や酸化等からの耐蝕保護と、後述する
加圧ローラ等との電気的絶縁を図っている。なお、保護
層４は、基板１と直接に接触する場合には、Ｐｂレスガ
ラスを主成分として形成すれば、基板１との密着強度が
高められる。このことは、抵抗発熱体２や電極３ａ，３
ｂに含まれるガラス成分についても同様である。

【００７９】一方、図４に示すように基板１は、その裏
面（他面）１ｂ側に、一対の配線導体５ａ，５ｂを並設
している。これら配線導体５ａ，５ｂは銀（Ａｇ）、白
金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）や銀・白金（Ａｇ・Ｐｔ）合
金、銀・パラジウム（Ａｇ・Ｐｄ）合金などを主体と
し、膜厚が１０〜３０μｍである。これら配線導体５
ａ，５ｂの一端（図２では左端）に一対の端子部６ａ，
６ｂを一体に連成している。

【００８０】そして、配線導体５ａ，５ｂの各先端部は
基板裏面１１ｂのほぼ中央部（基板表面１ａの抵抗発熱
体２の真裏）で終端し、これら終端部上に厚膜状のサー
ミスタ７を跨設している。

【００８１】サーミスタ７は抵抗発熱体２の温度を基板
１を介して検出し、この検出温度信号を図示しない温度
制御回路にフィードバックして抵抗発熱体２に印加する
電力を制御することにより抵抗発熱体２の温度を一定に
保持するものである。

【００８２】図１に示すように、サーミスタ７は例えば
アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）セラミックスからなる厚さ約２
５０μｍの矩形平板状の基体７ａの図中上面の中央部上
に、マンガン、コバルト、ニッケルなどの酸化物、Ｍｎ
Ｏ−ＣｏＯ−ＮｉＯの複合酸化物により形成した薄膜か
らなる感温部７ｂを形成し、この感温部７ｂの両端部に
連接して例えば白金（Ｐｔ）層もしくはＡｕ層などから
なる薄膜電極７ｃ，７ｄを形成している。感温部７ｂの
外面（図１では上面）は、この膜が大気中の温度や不純
物ガスにより特性劣化を起こすのを防ぐために、例えば
酸化硅素（ＳｉＯ₂ ）からなる層厚が５〜３０μｍのオ
ーバーコート層７ｅにより全面的に被覆されている。

【００８３】なお、上記の各膜、層は基板１やサーミス
タ基体７ａに対比して薄膜であるが、図１では説明の便
宜上、誇張して厚く示しており、寸法上比例しているも
のでもない。

【００８４】このサーミスタ７は、温度係数が負の大き
な値を有する電気抵抗体を用いたもので、温度上昇した
ときに抵抗値が大きく低下し、温度を抵抗値の大小に変
換する熱検出素子からなるセンサである。

【００８５】このようなサーミスタ７はその基体７ａが
基板１の裏面１ｂの一対の配線導体５ａ，５ｂ間にあっ
て図１中上面が基板１の裏面１ｂに対向した状態で、両
電極７ｃ，７ｄ上に銀（Ａｇ）もしくは銀・パラジウム
（Ａｔ・Ｐｄ）の合金粉末などを有機接着剤と混合した
導電性接着剤８を盛り上げるようにして基板１の配線導
体５ａ，５ｂ上に接合させてある。

【００８６】そして、サーミスタ感温部７ｂ上のオーバ
ーコート層７ｅと基板裏面１ｂとの間隙ｇ内に熱硬化性
樹脂の一種であるエポキシ系やポリイミド系接着剤９ａ
を充填して、サーミスタ７を抵抗発熱体２の形成部に相
当する基板裏面１ｂに接着している。

【００８７】したがって、この実施形態に係る定着ヒー
タＨａによれば、熱伝導率の大きいＡｌＮ基板１を使用
するので、ＡｌＮ基板１の昇温時にはＡｌＮ基板１の全
体が直ちにほぼ均等に昇温し、ＡｌＮ基板１自体におけ
る温度差が殆ど発生しないので、熱応力が非常に小さ
い。このために、ＡｌＮ基板１に被定着用紙を通紙して
もＡｌＮ基板１の温度低下は極めて短時間であり、直ち
に均等に再昇温させることができるので、熱応力も小さ
く、ＡｌＮ基板１に反りや割れが発生するのを防止ない
し低減することができる。

【００８８】しかも、ＡｌＮ基板１の熱伝導率が大きい
ので、短時間でＡｌＮ基板１全体の温度をほぼ均等に立
ち上げることができる。このために、ＡｌＮ基板１全体
の温度のばらつきを低減することができるので、このＡ
ｌＮ基板１を組み付けた定着装置の高速定着を可能にす
ることができる。

【００８９】さらに、ＡｌＮ基板１自体の熱伝導率がア
ルミナ基板よりも約５〜１０倍程度アップし、かつサー
ミスタ７を厚膜で直接形成するので、抵抗発熱体２から
の熱をＡｌＮ基板１を介してサーミスタ７に迅速かつ高
効率で伝達させることができる。このために、ＡｌＮ基
板１の温度をサーミスタ７で直ちに検出することがで
き、その検出精度を向上させることができ、ひいては温
度制御の精度を向上させることができる。

【００９０】なお、サーミスタ基体７ａは、厚膜印刷等
により直接ＡｌＮ基板１に形成し、またはガラスアンダ
ーコート１ｄ上に形成してもよく、さらに、例えば抵抗
発熱体２の真裏、またはその真上、あるいはその側方
（横）に配設してもよい。

【００９１】しかし、このＡｌＮ基板１は、窒素を含有
しているので、そのＡｌＮ基板１上に、抵抗発熱体２や
サーミスタ７、配線導体５ａ，５ｂ、電極３ａ，３ｂ、
オーバーコートガラス４、一端の端子部６ａ，６ｂ等の
厚膜ペーストを印刷し、例えば８５０℃で焼成すると、
このＡｌＮ基板１と厚膜ペーストが反応してＡｌＮ基板
１表面から窒素（Ｎ₂ ）ガスが発生し、上記厚膜ペース
トに発泡して抵抗発熱体２等の厚膜パターンと基板１と
の密着性が低下して剥離や剥落が発生する不具合があ
る。

【００９２】しかし、このＡｌＮ基板１の表面には酸化
処理によりアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）層１ｃを形成し、さ
らに、このアルミナ層１ｃ上に、焼成時ＡｌＮ基板１と
反応し易い鉛（Ｐｂ）の含有量が２０重量％以下のＰｂ
レスガラスよりなるガラスアンダーコート１ｄを形成
し、このガラスアンダーコート１ｄ上に膜状の抵抗発熱
体２や電極３ａ，３ｂ、オーバーコート層４、配線導体
５ａ，５ｂ、端子部６ａ，６ｂ、サーミスタ７等の厚膜
パターンを形成するので、この抵抗発熱体２等の各厚膜
パターンとＡｌＮ基板１との反応をアルミナ層１ｃとガ
ラスアンダーコート１ｄとにより２重に防止ないし低減
することができる。

【００９３】このために、ＡｌＮ基板１からＮ₂ ガスが
発生するのを一層防止ないし低減することができるの
で、ＡｌＮ基板１と抵抗発熱体２等の厚膜との密着性を
一段と向上させることができ、抵抗発熱体２等の厚膜パ
ターンがＡｌＮ基板１から剥離ないし剥落するのを防止
ないし低減することができる。

【００９４】さらに、図２に示すように上記アルミナ層
１ｃの表面を粗面１ｅに形成してもよく、これによれ
ば、アルミナ層１ｃの外表面の面積を増大させているの
で、アルミナ層１ｃとＡｌＮ基板１との密着性をさらに
向上させることができる。

【００９５】このために、このアルミナ層１ｃ上に、ガ
ラスアンダーコート１ｄを介して形成される抵抗発熱体
２や一対の電極３ａ，３ｂ、一対の配線導体５ａ，５
ｂ、各端子部６ａ，６ｂ、サーミスタ７等の厚膜パター
ンと、ＡｌＮ基板１との密着性を向上させることができ
るので、これらのＡｌＮ基板１からの剥離や剥落を防止
ないし低減させることができる。なお、サーミスタ７
は、ＡｌＮ基板１と反応し易い金属酸化物を含有してい
るので、このサーミスタ７のみをガラスアンダーコート
１ｄ上に形成してもよい。これによれば、ガラスアンダ
ーコート１ｄを形成するガラス材料を節約できるうえ
に、抵抗発熱体２からの熱をＡｌＮ基板１に高効率で伝
達させることができる。

【００９６】図５は本発明の第３実施形態に係る定着ヒ
ータＨｂの要部縦断面図である。この定着ヒータＨｂは
熱伝導率の大きい上記ＡｌＮ基板１の一面（図５では下
面）１ｈに、直接膜状の抵抗発熱体２と、この抵抗発熱
体２の外面を被覆するオーバーコート層４をそれぞれ形
成し、その他面（図５では上面）１ｉ側に、トナー像Ｔ
を形成した複写用紙Ｐを通紙させて加熱し、トナー像Ｔ
を複写用紙Ｐに定着させるように構成した点に特徴があ
る。なお、図５中、符号３６は後述する電子式複写機３
１の加圧ローラであり、サーミスタは図示省略している
が、抵抗発熱体２を形成しているＡｌＮ基板１の一面１
ｈ側に形成され、抵抗発熱体２の温度を検出して、その
通電を制御し、その発熱量を一定に保持するようになっ
ている。

【００９７】この定着ヒータＨｂによれば、熱伝導率の
大きいＡｌＮ基板１を使用するので、抵抗発熱体２の発
熱によりＡｌＮ基板１全体を直ちに均等に昇温させるこ
とができるので、ＡｌＮ基板１の図中上面１ｉ側で複写
用紙Ｐを均等に加熱してトナー像Ｔを複写用紙Ｐに定着
させることができる。また、複写用紙ＰをＡｌＮ基板１
の一面１ｉに通紙させた際にはＡｌＮ基板１の温度が一
時的に低下しても、直ちにＡｌＮ基板１全体を均等に再
昇温させることができるので、熱応力を低減してＡｌＮ
基板１の反りや割れを防止ないし低減させることができ
る。

【００９８】さらに、ＡｌＮ基板１の熱伝導率が大きい
ので、ＡｌＮ基板１の温度の立上げが速く、高速定着が
可能である。

【００９９】また、この定着ヒータＨｂでは第１の実施
形態に係る定着ヒータＨａのように、アルミナ層１ｃ、
ガラスアンダーコート１ｄ、粗面層１ｅ等を形成しない
ので、構成が簡単であり、製造容易性の向上と製造コス
ト低減とを共に図ることができる。

【０１００】図７は本発明の第４の実施形態に係る定着
ヒータＨｃの要部縦断面図である。この定着ヒータＨｃ
はＡｌＮ基板１の一面の例えば表面１ａ上に、図中点で
示すフィラー１０を含有したガラスアンダーコート１ｄ
1 をほぼ全面的に形成する点に特徴がある。

【０１０１】このガラスアンダーコート１ｄ1 は、例え
ばＰｂフリーでＢｉ₂ Ｏ₃ 、Ａｌ₂Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、Ｚ
ｎＯ、ＢａＯ、Ｂ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ等の少なくとも１種類
以上を含むガラス成分に、フィラー１０としてＡｌ₂ Ｏ
₃ 、ＢＮ、ＡｌＮ等を含有させてなり、これら材料の厚
膜ペーストの印刷、焼成により厚膜に形成される。

【０１０２】この定着ヒータＨｃによれば、ガラスアン
ダーコート１ｄ1 は、ガラス成分にフィラー１０を含有
させているので、このガラスアンダーコート１ｄ1 の表
面粗さを荒くすることができる。

【０１０３】このために、ガラスアンダーコート１ｄ1
の多数の微小凹凸を有する表面と、このガラスアンダー
コート１ｄ1 の図７中下面に密着ないし固着される基板
表面１ａ、並びにガラスアンダーコート１ｄ1 の図７中
上面に密着固着される抵抗発熱体２および一対の電極３
ａ，３ｂと密着する図７中下面との接合面積がそれぞれ
増大するので、抵抗発熱体２および一対の電極３ａ，３
ｂと、基板表面１ａとの密着固着強度を増強させること
ができ、基板表面１ａからの剥離を抑制ないし防止する
ことができる。

【０１０４】また、各電極３ａ，３ｂは、図７中その下
面が表面粗さの荒いガラスアンダーコート１ｄ1 の多数
の微小凹凸面に密着して、密着（固着）強度が増強する
ので、これら各電極３ａ，３ｂに図示しないコネクタを
装着するために、これら各電極３ａ，３ｂの表面上をコ
ネクタの挟圧部が押圧されながら、図７中横方向（基板
１の長手方向）へ摺動しても、その摺動方向はガラスア
ンダーコート１ｄ1 の多数の微小凹凸の凹凸方向に直交
する方向であるので、各電極３ａ，３ｂがガラスアンダ
ーコート１ｄ1 から横方向へずれて剥離するのを抑制な
いし防止することができる。

【０１０５】なお、オーバーコート層４の頂面（表面）
４ａまたは基板裏面１ｂを通紙摺動面Ｓに形成してもよ
く、後者の場合はさらに図８で示す定着ヒータＨｄのよ
うに基板裏面１ｂにガラス層１１を形成し、このガラス
層１１の図８中下底面を通紙摺動面Ｓに形成してもよ
い。

【０１０６】図９は本発明の第５の実施形態に係る定着
ヒータＨｅの要部縦断面図である。この定着ヒータＨｅ
は、基板１の一面、例えば表面１ａ上にガラスアンダー
コート１ｄ2 を形成する一方、オーバーコート層４の通
紙摺動面Ｓが形成される基板表面１ａの摺動面形成部１
ａａ上に形成されるガラスアンダーコート１ｄ2 の基板
摺動面形成部１ａa に対向する摺動面形成部対向部１ｄ
2aにはガラス成分にフィラー１０を殆ど含有させない一
方、各電極３ａ，３ｂが形成される基板表面１ａの一対
の電極形成部１ａｂ，１ａｃ上に形成されるガラスアン
ダーコート１ｄ2 の各電極形成部対向部１ｄ2b，１ｄ2c
にはガラス成分にフィラー１０を含有させる点に特徴が
ある。

【０１０７】この定着ヒータＨｅによれば、基板１の摺
動面形成部１ａa 上に形成されるガラスアンダーコート
１ｄ2 の摺動面形成部対向部１ｄ2aは、フィラー１０を
殆ど含有させていないガラス成分よりなり、この摺動面
形成部対向部１ｄ2a上に順次形成される抵抗発熱体２と
オーバーコート層４の頂面（表面）４ａの通紙摺動面を
表面粗さの細かい平滑面に形成することができる。この
ために、この通紙摺動面Ｓ上に密着して摺動する被定着
体Ｐの密着性と摺動円滑性とを共に向上させることがで
き、被定着体の定着不具合を防止できる。

【０１０８】一方、基板１の各電極形成部１ａb ，１ａ
c 上に形成されるガラスアンダーコート１ｄb の一部は
フィラー１０を含有させて表面粗さを荒くしているの
で、各電極３ａ，３ｂの基板表面１ａへの密着固着力を
増大させることができ、各電極３ａ，３ｂの基板１から
の剥離を抑制ないし防止することができる。なお、この
定着ヒータＨｅは、図１０で示す定着ヒータＨｆのよう
に基板裏面１ｂにガラス層１１ａを形成し、このガラス
層１１ａの図１０中下底面を通紙摺動面Ｓに形成しても
よい。また、電極３ａ，３ｂは、基板裏面１ｂに形成さ
れていもよい。以下実施例も含め通紙摺動面Ｓにガラス
層を形成するのは必須ではない。

【０１０９】図１１は本発明の第６の実施形態に係る定
着ヒータＨｇの要部縦断面図である。この定着ヒータＨ
ｇは図９で示す定着ヒータＨｅのガラスアンダーコート
１ｄb の摺動面形成部対向部１ｄ2aを省略した点に特徴
がある。

【０１１０】この定着ヒータＨｇによれば、ガラスアン
ダーコート１ｄ2 の摺動面形成部対向部１ｄ2aを省略し
たので、そのガラスアンダーコート１ｄ2 の材料を節約
することができる一方、各電極形成部対向部１ｄ2b，１
ｄ2cにより各電極３ａ，３ｂの基板１からの剥離を抑制
ないし防止することができる。なお、この定着ヒータＨ
ｇは図１２で示す定着ヒータＨｈのように基板裏面１ｂ
の図１２中の下底面にガラス層１１ｂを形成し、このガ
ラス層１１ｂの下底面を通紙摺動面に形成してもよい。

【０１１１】図１３は本発明の第７の実施形態に係る定
着ヒータＨｉの要部縦断面図である。この定着ヒータＨ
ｉは基板表面１ａのほぼ全面をホーニング加工やエッチ
ング等の粗面加工により粗面１２に形成し、この粗面１
２上にガラスアンダーコート１ｄ3 を形成した点に特徴
がある。

【０１１２】このガラスアンダーコート１ｄ3 は、その
図１０で示す摺動面形成部対向部１ｄ2aと各電極形成部
対向部１ｄ2b，１ｄ2cを含む全体について、フィラー１
０を殆ど含有させていないガラス成分から構成されてい
る。

【０１１３】この定着ヒータＨｉによっても、基板表面
１ａのほぼ前面を粗面１２に形成しているので、この粗
面１２上に形成されるガラスアンダーコート１ｄ3 と基
板表面１ａとの密着ないし固着強度を増強させることが
できる。

【０１１４】このために、このガラスアンダーコート１
ｄ3 上に形成される抵抗発熱体２、一対の電極３ａ，３
ｂ、抵抗発熱体２上に形成されるオーバーコート層４の
厚膜パターンの基板１からの剥離を抑制ないし防止する
ことができる。

【０１１５】図１４は本発明の第８の実施形態に係る定
着ヒータＨｊの要部縦断面図である。この定着ヒータＨ
ｊは図１３で示す定着ヒータＨｉの基板表面１ａの粗面
１２のうち、基板１の摺動面形成部１ａa については平
滑面１３に局所的に形成した点に特徴がある。

【０１１６】このために、基板表面１ａの摺動面形成部
１ａa の平滑面上に順次形成される抵抗発熱体２とオー
バーコート層４の各頂面を平滑面に形成することができ
る。したがって、オーバーコート層４の頂面４ａの通紙
摺動面Ｓを平滑面に形成できるので、この通紙摺動面Ｓ
上を摺動する複写用紙Ｐ等の被定着体との密着性と摺動
円滑性とを共に向上させることができるので、被定着体
の定着不具合を防止することができる。

【０１１７】図１５は本発明の第９の実施形態に係る定
着ヒータＨｋの要部縦断面図である。この定着ヒータＨ
ｋは、基板表面１ａに抵抗発熱体２と一対の電極３ａ，
３ｂを直接形成する一方、基板裏面１ｂをホーニング加
工やエッチング等の粗面加工により粗面１２に形成し、
この粗面１２の図１５中下底面にガラス層１１ｃを形成
し、このガラス層１１ｃの下底面を通紙摺動面Ｓに形成
した点に特徴がある。

【０１１８】したがって、この定着ヒータＨｋによれ
ば、基板裏面１ｂの粗面１２と、この粗面１２上に形成
したガラス層１１ｃとの接合面積が増大するので、ガラ
ス層１１ｃの基板１からの剥離を抑制ないし防止するこ
とができる。

【０１１９】図１６は本発明の第１０の実施形態に係る
定着ヒータＨｌの要部縦断面図である。この定着ヒータ
Ｈｌは、基板表面１ａのほぼ全面に形成したガラスアン
ダーコート１ｄ3 の摺動面形成部対向部１ｄ3aの粗面１
２ａの粗さを、各電極形成部対向部１ｄ3b，１ｄ3cの粗
面１２ａ，１２ａの粗さよりも細かく（１２ａ＜１２
ｂ）形成すると共に、各電極形成部対向部１ｄ3b，１ｄ
3cにはガラス成分にフィラー１０を含有させた点に特徴
がある。

【０１２０】この定着ヒータＨｌによれば、ガラスアン
ダーコート１ｄ3 の摺動面形成部対向部１３ｄ3aの表面
を粗面１２ａに形成しているので、この粗面１２ａ上に
形成される抵抗発熱体２とオーバーコート層４の剥離を
抑制ないし防止することができる。

【０１２１】しかも、この摺動面形成部対向部１ｄ3aの
粗面１２ａの方が各電極形成部対向部１ｄ3b，１ｄ3cの
粗面１２ｂよりも細かいので、この摺動面形成部対向部
１ｄ3a上に順次形成される抵抗発熱体２とオーバーコー
ト層４の表面粗さも細かくすることができ、このオーバ
ーコート層４の頂面４ａの導通紙摺動面Ｓを比較的平滑
に形成することができるので、被定着体の定着不具合を
低減ないし防止することができる。

【０１２２】また、ガラスアンダーコート１ｄ3 の各電
極形成部対向部１ｄ3b，１ｄ3cの粗面１２ｂ，１２ｂを
摺動面形成部対向部１ｄ3aの粗面１２ａよりも荒く形成
しているので、これら各電極形成部対向部１ｄ3b，１ｄ
3c上に形成される各電極３ａ，３ｂとの接合面積を増大
させて密着ないし固着強度を増強させることができ、各
電極３ａ，３ｂの基板１からの剥離を抑制ないし防止す
ることができる。しかも、ガラスアンダーコート１ｄ3
の各電極形成部対向部１ｄ3b，１ｄ3cではガラス成分に
フィラー１０を含有させているので、各電極３ａ，３ｂ
と基板１の密着ないし固着強度を増強させることができ
基板１からの剥離を抑制ないし防止することができる。

【０１２３】図１７は本発明の第１１の実施形態に係る
定着ヒータＨｍの要部縦断面図である。この定着ヒータ
Ｈｍは図１６で示す定着ヒータＨｌのガラスアンダーコ
ート１ｄ3 の摺動面形成部対向部１ｄ3aのガラス成分に
もフィラー１０を含有させてガラスアンダーコート１ｄ
4 を形成した点に特徴がある。

【０１２４】この定着ヒータＨｍによれば、上記定着ヒ
ータＨｌとほぼ同様の作用効果を有するうえに、摺動面
形成部対向部１ｄ4 のガラス成分にもフィラー１０を含
有させているので、この摺動面形成部対向部１ｄ4 上に
抵抗発熱体２と基板１との密着ないし固着強度をさらに
増強させることができ、抵抗発熱体２の基板１からの剥
離を低減ないし防止することができる。

【０１２５】図１８は本発明の第１２の実施形態に係る
定着ヒータＨｎの要部縦断面図である。この定着ヒータ
Ｈｎは基板表面１ａの電極形成部１ａb ，１ａc のみを
粗面に形成し、図１７のガラスアンダーコート１ｄ4 な
いしこれに相当するガラスアンダーコートを省略した点
に特徴がある。

【０１２６】したがって、この定着ヒータＨｎによれ
ば、ガラスアンダーコート１ｄ4 を省略しているので、
その材料と加工費とを節約することができるうえに、基
板表面１ａの各電極形成部１ａb ，１ａc の粗面１２
と、この粗面１２上に形成される各電極３ａ，３ｂとの
密着ないし固着強度を増強させることができ、これら厚
膜パターンの基板１からの剥離を抑制ないし防止するこ
とができる。

【０１２７】なお、基板１の一面（表面１ａまたは裏面
１ｂ）のほぼ全面を粗面に形成する一方、基板１の抵抗
発熱体２の形成部位上のみに平滑なガラスアンダーコー
トを形成してもよい。これによれば、基板１の粗面上に
形成されるガラスアンダーコートや電極等の厚膜ペース
トと基板１との密着固着強度を増強させることができ
る。一方、抵抗発熱体２と基板１との間には平滑なガラ
スアンダーコートが介在されているので、抵抗発熱体２
との表面（頂面）を平滑にすることができる。このため
に、この抵抗発熱体２の表面に直接被着定体を摺動さる
場合は、両者の密着性を向上させることができるので、
定着不良等の不具合を低減することができる。また、抵
抗発熱体２の表面をオーバーコート層４で被覆する場合
は、このオーバーコート層４の表面が平滑になるので、
この平滑なオーバーコート層４の表面上を摺動する被定
着体と表面との密着性を向上させ、定着不具合等を低減
できる。

【０１２８】図１９は本発明の第１３の実施形態に係る
定着ヒータＨｏの要部縦断面図である。この定着ヒータ
Ｈｏは基板表面１ａ上に形成したガラスアンダーコート
１ｄ5 の膜厚を１０μｍ以下に設定した点に特徴があ
る。

【０１２９】このガラスアンダーコート１ｄ5 はフィラ
ー１０を殆ど含有しないガラス成分のからなり膜厚が１
０μｍ以下（例えば５μｍ〜１０μｍ）の薄い膜で低密
度である。このために、基板１上にガラスアンダーコー
ト１ｄ5 の厚膜ペーストを印刷してから焼成する際に、
ＡｌＮ基板１が抵抗発熱体２等の厚膜ペーストと反応し
てこの基板１上の抵抗発熱体２等の厚膜ペーストと反応
して発生するＮ₂ ガスがこの低密度のガラスアンダーコ
ート１ｄ5 を通して外部へ放出される放出量を増大させ
ることができ、厚膜ペースト内のＮ₂ ガス量を減少させ
ることができる。

【０１３０】また、焼成後のガラスアンダーコート１ｄ
5 の密度は高くなるので、ＡｌＮ基板にＮ₂ ガスが発生
しても、このＮ₂ ガスの放出をガラスアンダーコート１
ｄ5により遮断するので、Ｎ₂ ガスの発生を抑制ないし
防止することができる。このために、ガラスアンダーコ
ート１ｄ5 が基板１から剥離するのを抑制ないし防止す
ることができる。

【０１３１】なお、ガラスアンダーコート１ｄ5 は図２
０で示す定着ヒータＨｐのガラスアンダーコート１ｄ6
に置換することができる。後者のガラスアンダーコート
１ｄ6 はガラス成分にフィラー１０をほぼ全面に含有さ
せてなり、その膜厚は上記ガラスアンダーコート１ｄ5
の膜厚と同様に、例えば５μｍ〜１０μｍである。

【０１３２】この定着ヒータＨｐは、そのガラスアンダ
ーコート１ｄ6 がガラス成分にフィラー１０を含有させ
てなるので、このガラスアンダーコート１ｄ6 の表面を
粗面に形成することができる。

【０１３３】このために、ガラスアンダーコート１ｄ6
の図中下面と基板１との接合面積が増大してこれらガラ
スアンダーコート１ｄ6 と基板１との密着ないし固着強
度が増強される。

【０１３４】また、このガラスアンダーコート１ｄ6 の
上面と、その図中上面上の抵抗発熱体２および一対の電
極３ａ，３ｂとの接合面積も増大してこれらの固着強度
を増強させることができる。なお、サーミスタ７も基板
１から剥離し易いものとして知られているが、上記各実
施形態で示した電極３ａ，３ｂと基板１との密着強度を
高めるための構成は、サーミスタ７の密着強度を高める
技術にもそのまま適用できる。つまり厚膜でサーミスタ
７を形成した場合には、この厚膜と基板１との密着強度
が高められ、チップサーミスタを固定させる場合には、
樹脂接着剤と基板との密着強度を高められる。

【０１３５】図２１は本発明の第１４の実施形態に係る
定着ヒータＨｑの要部縦断面図である。この定着ヒータ
Ｈｑは抵抗発熱体２の図２１中下面に接する基板１の摺
動面形成部１ａa 以外の各面、例えば基板１の各電極形
成部１ａb ，１ａc 、長手方向両端部幅方向左右側面お
よび底面に、基板１の熱伝導率よりも低い断熱層１４を
それぞれ形成した点に特徴がある。

【０１３６】断熱層１４はＡｌＮ基板１の所要外面を選
択的に酸化処理することによりアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）
等の酸化層から構成され、あるいは熱伝導率が基板１の
ものよりも低い樹脂を摺動面形成部１ａa 以外の各外面
に塗布することにより構成される。

【０１３７】この定着ヒータＨｑによれば、抵抗発熱体
２が接面する基板１の摺動面形成部１ａa 以外の基板１
の各面を断熱層１４により断熱しているので、抵抗発熱
体２の発熱が基板１の摺動面形成部１ａa 以外の各外面
から外部へ放熱されるのを断熱層１４により断熱するこ
とができる。

【０１３８】このために、抵抗発熱体２の発熱は、この
抵抗発熱体２の図２２中上面上に形成されるオーバーコ
ート層４の通紙摺動面Ｓに集熱されるので、熱伝導効率
を向上させることができる。

【０１３９】なお、この断熱層１４は例えば基板１を酸
化させることによって得られる酸化膜によって得ること
ができ、この他ガラス層等としてもよい。そして、断熱
層１４を酸化膜によって形成する場合には、抵抗発熱体
２と酸化膜が接触しているような形態としてもよい。こ
の際、抵抗発熱体２から基板１への熱の拡散にはそれほ
ど影響はない。

【０１４０】図２２は本発明の第１５の実施形態に係る
定着ヒータＨｒの要部縦断面図である。この定着ヒータ
Ｈｒの断熱層１５は、上記図２１で示す断熱層１４の摺
動面形成分１ａa に対向する基板裏面１ｂの対向面部に
断熱層１５の切欠１６を形成している点に特徴がある。

【０１４１】この定着ヒータＨｒによれば、基板１の摺
動面形成部１ａa 上のオーバーコート層４の頂面４ａま
たは抵抗発熱体２に対向する基板１の図２２中下底面の
いずれかを、これらに抵抗発熱体２の発熱を断熱層１５
により集中させることができるので、通紙摺動面Ｓとし
て使用することができる。

【０１４２】なお、上記定着ヒータＨｃ〜Ｈｒでは、そ
の基板表面１ａまたは基板裏面１ｂに図１等で示すサー
ミスタ７を設けてもよい。

【０１４３】図２３は本発明を画像形成装置の一種であ
る電子式複写機２１に適用した場合の第１７の実施形態
の構成を示している。この複写機２１は筐体２２内に、
カセット２３内の複写用紙Ｐを引き込み、これに図示し
ない原稿の画像に対応したトナー像を形成する画像形成
部２４と、このトナー像を複写用紙Ｐに定着させる定着
装置２５とを内蔵している。

【０１４４】定着装置１５は例えば図２４に示すように
構成され、加圧ローラ２６に対向させて上記定着ヒータ
Ｈａ〜Ｈｒのいずれか、例えばＨａを並設しており、こ
の定着ヒータＨａを樹脂製円柱状のホルダー２７の取付
溝の底部上に固着している。定着ヒータＨａの外周面に
は加圧ローラ２６のシリコーンゴム層２８を弾性的に圧
接させている。

【０１４５】そして、定着ヒータＨａは一対の電極３
ａ，３ｂに接触した燐青銅板等からなる弾性が付与され
たコネクタを通じて通電されて抵抗発熱体２が発熱し、
このＡｌＮ基板１全体とオーバーコート層４とに与熱さ
れる。したがって、このオーバーコート層４の図示しな
い耐熱シートの外面と加圧ローラ２６のシリコーンゴム
層２８との間で、トナー像Ｔを形成した複写用紙Ｐを定
着ヒータＨａにより加熱することにより、未定着トナー
像Ｔを溶融し、複写用紙Ｐに定着させることができる。

【０１４６】そして、この定着ヒータＨａは上記したよ
うに熱伝導性が良好なＡｌＮ基板１を使用しているの
で、ＡｌＮ基板１の反りや割れを防止ないし低減するこ
とができるうえに、サーミスタ７による抵抗発熱体２の
温度制御上の精度を向上させることができる。

【０１４７】また、ＡｌＮ基板１の表，裏面１ａ，１ｂ
への抵抗発熱体２、一対の電極３ａ，３ｂ、オーバーコ
ート層４、配線導体５ａ，５ｂ、各端子部６ａ，６ｂ、
サーミスタ７の密着強度が大きいので、これらのＡｌＮ
基板１からの剥離や剥落等のトラブルの発生を未然に防
止ないし低減することができ、信頼性を向上させること
ができる。

【０１４８】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明は、
基板の主成分をなす窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の熱伝
導率は例えば９０〜１８０Ｗ／ｍＫであり、アルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃ ）の熱伝導率が約２０Ｗ／ｍＫであるのに
対し、数倍から約１０倍程度大きい。

【０１４９】したがって、ＡｌＮ基板の一面に被定着用
紙を摺動させて通紙することで基板の熱が奪われてもＡ
ｌＮ基板の温度低下は極めて短かい時間であり、直ちに
均等に再昇温させることができるので、ＡｌＮ基板自体
における温度差が殆ど発生することとがなく熱応力も小
さく、ＡｌＮ基板に反りや割れが発生するのを防止ない
し低減することができる。そして、これによりＡｌＮ基
板を有する定着ヒータを組み付けた定着装置の高速定着
を可能にすることができる。

【０１５０】しかしながら、この窒化アルミニウム基板
は、窒素を含有しているので、その基板上に、抵抗発熱
体やサーミスタ、導体、電極、オーバーコートガラス等
の厚膜ペーストを印刷し、例えば８５０℃で焼成して厚
膜パターンを形成すると、その際に、この窒化アルミニ
ウム基板と厚膜ペーストのガラス成分が反応してＡｌＮ
基板表面から窒素（Ｎ₂ ）ガスが発生し、このガスが焼
結された抵抗発熱体等の厚膜パターン中に溜まると基板
との密着性が低下して剥離や剥落が発生する不具合があ
る。

【０１５１】しかし、このＡｌＮ基板の表面には酸化処
理によりアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）層（酸化処理層）を形
成し、このアルミナ層上に膜状の抵抗発熱体を形成して
いるので、このアルミナ層によりＡｌＮ基板と抵抗発熱
体等の厚膜ペーストとが反応するのを防止して、このＡ
ｌＮ基板からＮ₂ ガスが発生するのを防止することがで
きる。

【０１５２】したがって、このＡｌＮ基板の酸化処理面
上に形成される膜状の抵抗発熱体等の厚膜ペーストのＮ
₂ ガスによる発泡を防止することができるので、抵抗発
熱体等厚膜パターンと基板との密着性を向上させること
ができ、抵抗発熱体等厚膜の基板からの剥離や剥落を防
止ないし低減することができる。

【０１５３】また、基板の表面を酸化膜（層）を形成す
ることにより、この酸化膜が断熱層として作用する。す
なわち、基板内の熱は、酸化膜によって空気中等の外部
へ放出されるのを低減でき、ヒータの効率を高めること
ができる。なお、抵抗発熱体と基板との間に酸化膜が形
成されていても、この酸化膜層は抵抗発熱体と隣接して
いるため、良好に熱を透過し、基板を瞬時に昇温させる
ことが可能である。

【０１５４】さらに、基板表面の抵抗発熱体形成部およ
びその周辺の発熱領域と、この発熱領域の表裏両面と
に、酸化処理層を共に形成しているので、基板表裏両面
の熱膨張差を低減することができ、基板の曲げや反りを
防止できる。また、酸化処理層を形成すること自体でも
基板の強度を向上させることができ基板割れを防止でき
る。

【０１５５】請求項２の発明によれば、上記請求項１の
発明と同様に、基板が熱伝導率の大きいＡｌＮを主成分
とするので、請求項１の発明と同様に、基板に反りや割
れが発生するのを防止ないし低減することができるうえ
に、高速定着を可能にすることができる。

【０１５６】さらに、ＡｌＮ基板の表面を粗面に形成し
て表面積を増大させているので、粗面上に形成される厚
膜の抵抗発熱体との密着性を向上させることができ、Ａ
ｌＮ基板からの抵抗発熱体等の剥離や剥落を防止ないし
低減することができる。また裏面は平滑性に優れている
ので、非加熱体の摺動面として利用し易い。

【０１５７】請求項３の発明によれば、上記請求項１の
発明と同様に、基板が熱伝導率の大きいＡｌＮを主成分
とするので、請求項１の発明と同様に、基板に反りや割
れが発生するのを防止ないし低減することができるうえ
に、高速定着を可能にすることができる。

【０１５８】さらに、ＡｌＮ基板の表面を、請求項３の
発明と同様に粗面に形成して表面積を増大させると共
に、請求項１の発明と同様に酸化処理面に形成している
ので、これら粗面または酸化処理面上に形成される厚膜
の抵抗発熱体との密着性を向上させることができると共
に、Ｎ₂ ガスの発生を防止することができるので、Ａｌ
Ｎ基板からの抵抗発熱体等厚膜パターンの剥離や剥落を
防止ないし低減することができる。

【０１５９】請求項４の発明によれば、請求項１〜３の
いずれか一の発明の作用に加えて、基板表面の微小凹凸
により表面積を増大させているので、基板表面と抵抗発
熱体との密着性を向上させることができる。このため
に、この基板表面の微小凹凸上に形成される酸化処理層
の厚さを薄くしても上記Ｎ₂ ガスの発泡を防止ない低減
して基板と抵抗発熱体等の厚膜との密着性を向上させる
ことができる。また、酸化処理層を形成すること自体で
も基板の強度を向上させることができ、基板割れを防止
できる。

【０１６０】また、酸化処理層の厚さを薄くできるの
で、抵抗発熱体から基板へ伝導される熱伝導性を向上さ
せることができる。さらに、酸化処理層の厚さがほぼ均
一であり、局部的に薄い部分もないので、その薄い部分
によるＮ₂ ガスの局部的な発泡を防止ないし低減するこ
とができる。

【０１６１】請求項５の発明によれば、上記請求項１の
発明と同様に、基板が熱伝導率の大きいＡｌＮを主成分
とするので、請求項１の発明と同様に、基板に反りや割
れが発生するのを防止ないし低減することができるうえ
に、高速定着を可能にすることができる。

【０１６２】また、ＡｌＮ基板の表面に、鉛の含有量が
２０重量％以下のＰｂレスガラスよりなるガラスアンダ
ーコートを形成し、このガラスアンダーコート上に抵抗
発熱体等の厚膜ペーストを印刷するので、この抵抗発熱
体等の厚膜ペーストとＡｌＮ基板との反応をガラスアン
ダーコートにより防止ないし低減し、ＡｌＮ基板からＮ
₂ ガスが発生するのを防止ないし低減することができ
る。

【０１６３】このために、Ｎ₂ ガスによる抵抗発熱体等
の厚膜ペーストの発泡を防止ないし低減することができ
るので、抵抗発熱体等の厚膜パターンとＡｌＮ基板との
密着性を向上させることができ、抵抗発熱体等の厚膜パ
ターンのＡｌＮ基板からの剥離や剥落を防止ないし低減
することができる。また、ガラスアンダーコートとして
Ｐｂレス（Ｐｂフリーを含む）ガラスを使用しているの
で、そのガラスと窒化アルミニウム基板との反応性を低
く抑えることができ、このガラスアンダーコートは基板
に強固に密着する。さらにガラス膜密度が低いので、こ
のガラス焼成時に、ガラス成分とＡｌＮ基板との反応に
より、この基板から発生する窒素（Ｎ₂）ガスがガラス
膜を抜けて外部に放出させ易いので、これによってもガ
ラスアンダーコートと基板との密着性が向上する。さら
に、ＰＢレスガラスは、鉛を少量ないし微量しか含ま
ず、あるいは殆ど含有しないので、環境を改善すること
ができる。なお、電極の下部のみにこのガラスアンダー
コートを形成し、抵抗発熱体の下に形成しなければ、電
極の密着強度が増すとともに、抵抗発熱体の熱が基板に
伝わり易くなる。

【０１６４】請求項６の発明によれば、厚膜のサーミス
タは、金属酸化物を含有しているので、焼成時にＡｌＮ
基板と反応して上記Ｎ₂ ガスを放出し易いが、このサー
ミスタとＡｌＮ基板との間にはガラスアンダーコートを
介在させているので、このガラスアンダーコートにより
サーミスタとＡｌＮ基板との反応を防止ないし低減し
て、Ｎ₂ ガスの放出ないし発泡現象を防止ないし低減す
ることができる。また、一方のガラスアンダーコートを
厚膜のサーミスタ形成部分のみに形成するので、基板の
一面全面にガラスアンダーコートを形成する場合に比し
て、Ｐｂレスガラス等ガラスアンダーコートのガラス材
料の節約を図ることができる。また、ガラスアンダーコ
ートとしてＰｂレス（Ｐｂフリーを含む）ガラスを使用
しているので、そのガラスと窒化アルミニウム基板との
反応性を低く抑えることができ、このアンダーコートは
基板に強固に密着する。さらにガラス膜密度が低いの
で、このガラス焼成時に、ガラス成分とＡｌＮ基板との
反応により、この基板から発生する窒素（Ｎ₂ ）ガスが
ガラス膜を抜けて外部に放出させ易いので、これによっ
てもガラスアンダーコートと基板との密着性が向上す
る。さらに、ＰＢレスガラスは、鉛を少量ないし微量し
か含まず、あるいは殆ど含有しないので、環境を改善す
ることができる。なお、電極の下部のみにこのガラスア
ンダーコートを形成し、抵抗発熱体の下に形成しなけれ
ば、電極の密着強度が増すとともに、抵抗発熱体の熱が
基板に伝わり易くなる。

【０１６５】請求項７の発明によれば、抵抗発熱体の一
対の電極の外周縁部をガラスにより基板の一面上または
ガラスアンダーコート上に固着するので、一対の電極
と、基板またはガラスアンダーコートとの固着強度の増
強を図ることができる。

【０１６６】請求項８の発明によれば、上記請求項４の
発明と同様に、熱伝導率の大きいＡｌＮ基板の表面を、
酸化処理すると共に粗面に形成したので、請求項４の発
明とほぼ同様の作用効果を奏することができる。

【０１６７】さらに、このＡｌＮ基板の酸化処理面また
は粗面上に、焼成時ＡｌＮ基板と反応し易い鉛（Ｐｂ）
の含有量が２０重量％以下のＰｂレスガラスよりなるガ
ラスアンダーコート上に膜状の抵抗発熱体等の厚膜パタ
ーンを形成するので、この抵抗発熱体等の厚膜パターン
とＡｌＮ基板との反応を酸化処理面とガラスアンダーコ
ートとにより２重に防止ないし低減することができる。

【０１６８】このために、ＡｌＮ基板からＮ₂ ガスが発
生するのを一層防止ないし低減することができるので、
ＡｌＮ基板と抵抗発熱体等厚膜パターンとの密着性を一
段と向上させることができ、抵抗発熱体等の厚膜パター
ンがＡｌＮ基板から剥離ないし剥落するのを防止ないし
低減することができる。また、ガラスアンダーコートと
してＰｂレス（Ｐｂフリーを含む）ガラスを使用してい
るので、そのガラスと窒化アルミニウム基板との反応性
を低く抑えることができ、このガラスアンダーコートは
基板に強固に密着する。さらにガラス膜密度が低いの
で、このガラス焼成時に、ガラス成分とＡｌＮ基板との
反応により、この基板から発生する窒素（Ｎ₂ ）ガスが
ガラス膜を抜けて外部に放出させ易いので、これによっ
てもガラスアンダーコートと基板との密着性が向上す
る。さらに、ＰＢレスガラスは、鉛を少量ないし微量し
か含まず、あるいは殆ど含有しないので、環境を改善す
ることができる。なお、電極の下部のみにこのガラスア
ンダーコートを形成し、抵抗発熱体の下に形成しなけれ
ば、電極の密着強度が増すとともに、抵抗発熱体の熱が
基板に伝わり易くなり良い。

【０１６９】請求項９の発明によれば、請求項５ないし
８のいずれか一の発明に係るガラスアンダーコートの当
該ガラスの熱膨張係数が、このアンダーガラスコートの
両側に形成される基板と、厚膜ペーストとの熱膨張係数
の中間値であるので、このガラスアンダーコートの熱膨
張係数を、ＡｌＮ基板と厚膜ペーストのいずれの熱膨張
係数にも近付け、両者の熱膨張差を緩和することができ
る。

【０１７０】このために、ＡｌＮ基板と厚膜ペーストの
両者に対するガラスアンダーコートの密着性を向上させ
ることができ、厚膜ペーストの焼成後の厚膜パターンと
の剥離や剥落を防止ないし低減することができる。ま
た、ガラスアンダーコートとしてＰｂレス（Ｐｂフリー
を含む）ガラスを使用しているので、そのガラスと窒化
アルミニウム基板との反応性を低く抑えることができ、
このガラスアンダーコートは基板に強固に密着する。さ
らにガラス膜密度が低いので、このガラス焼成時に、ガ
ラス成分とＡｌＮ基板との反応により、この基板から発
生する窒素（Ｎ₂）ガスがガラス膜を抜けて外部に放出
させ易いので、これによってもガラスアンダーコートと
の基板の密着性が向上する。さらに、ＰＢレスガラス
は、鉛を少量ないし微量しか含まず、あるいは殆ど含有
しないので、環境を改善することができる。なお、電極
の下部のみにこのガラスアンダーコートを形成し、抵抗
発熱体の下に形成しなければ、電極の密着強度が増すと
ともに、抵抗発熱体の熱が基板に伝わり易くなる。

【０１７１】請求項１０の発明によれば、請求項５ない
し９の発明のいずれかに係るガラスアンダーコートのガ
ラスは、これよりも熱伝導性の高いフィラーを３５重量
％含有させているので、このガラスアンダーコートの熱
伝導性を向上させることができる。

【０１７２】したがって、抵抗発熱体からガラスアンダ
ーコートを介して抵抗発熱体非形成面のＡｌＮ基板表面
に伝達される熱量を増大させることができ、熱効率を向
上させることができる。このために、基板の抵抗発熱体
非形成面を被定着体の摺動面として用いた場合でも、そ
の摺動面を効率よく加熱することができる。また、熱伝
導フィラーの含有量を３５重量％以下としたので、ガラ
スアンダーコートの熱膨張が抑制されて繰り返し抵抗発
熱体を昇温させても熱膨張しにくいＡｌＮ基板との界面
で剥離等の発生を防止ないし低減することができる。ま
た、ガラスアンダーコートとしてＰｂレス（Ｐｂフリー
を含む）ガラスを使用しているので、そのガラスと窒化
アルミニウム基板との反応性を低く抑えることができ、
このガラスアンダーコートは基板に強固に密着する。さ
らにガラス膜密度が低いので、このガラス焼成時に、ガ
ラス成分とＡｌＮ基板との反応により、この基板から発
生する窒素（Ｎ₂ ）ガスがガラス膜を抜けて外部に放出
させ易いので、これによってもガラスアンダーコートと
基板との密着性が向上する。さらに、ＰＢレスガラス
は、鉛を少量ないし微量しか含まず、あるいは殆ど含有
しないので、環境を改善することができる。なお、電極
の下部のみにこのガラスアンダーコートを形成し、抵抗
発熱体の下に形成しなければ、電極の密着強度が増すと
ともに、抵抗発熱体の熱が基板に伝わり易くなる。

【０１７３】請求項１１の発明によれば、基板と厚膜の
抵抗発熱体の間に介在されるガラスアンダーコートに、
ガラスの表面粗さを荒くするフィラーを含有させている
ので、このガラスアンダーコートと基板、ならびに抵抗
発熱体との各接合面積を増大させ、これら密着強度を増
強させることができる。

【０１７４】したがって、このガラスアンダーコート上
に形成される抵抗発熱体やその一対の電極等の厚膜パタ
ーンが基板から剥離するのを抑制ないし防止することが
できる。また、ガラスアンダーコートに酸化物のフィラ
ーを含有させれば、このフィラーは、窒化アルミニウム
の基板とほとんど反応することかがなく、またこのフィ
ラーが基板と接触する分だけ、ガラス成分と基板との接
触面積を小さくできる。したがって、ガラス成分と基板
との反応が少なくなってＮ₂ ガスの発生を低減し、ガラ
スアンダーコートと基板との密着強度を高められる。

【０１７５】請求項１２の発明によれば、基板の電極形
成部に形成されるガラスアンダーコートには、その外表
面の粗さを荒くするフィラーを含有させているので、こ
の電極形成部上に直接または間接的に形成される電極の
厚膜パターンと基板との密着強度を増強させることがで
き、これら両接合面の微小凹凸により電極の横ずれない
し剥離を抑制ないし防止することができる。さらに、基
板の摺動面形成部には、フィラーを含有させたガラスア
ンダーコートを形成しないので、この摺動面は凹凸の少
ない平滑面に形成される。このために、この平滑な摺動
面上を直接または間接に摺動する被定着体の摺動を円滑
にすることができ、定着性を向上できる。

【０１７６】また、抵抗発熱体は別途保護層で覆うこと
により、基盤との密着強度をある程度確保できる。ま
た、抵抗発熱体と基板との間のガラス層を減じたので、
抵抗発熱体の熱を基板に良好に伝えることかでき、基板
全体の温度を瞬間的に均一にさせ易い。また非発熱体形
成面を摺動加熱として利用する場合もこの面に熱が伝わ
り易くなる。

【０１７７】請求項１３の発明によれば、基板の摺動面
形成部を粗面に形成しているので、この基板の摺動面形
成部に接合されるガラスアンダーコートとの接合面積を
増大させることができる。このために、ガラスアンダー
コートと基板摺動面形成部との密着強度を増強させるこ
とができるので、このガラスアンダーコート上に形成さ
れる抵抗発熱体と電極等の厚膜パターンの剥離を抑制な
いし防止することができる。

【０１７８】また、基板の摺動面形成部を粗面に形成し
ても、この摺動面形成部上にガラスアンダーコートを形
成しているので、この粗面の摺動面形成部の凹凸をガラ
スアンダーコートにより吸収（ならす）ので、摺動面形
成部上にガラスアンダーコートを介して形成される抵抗
発熱体の外表面の表面粗さを緩和することができる。

【０１７９】請求項１４の発明によれば、請求項１１な
いし１３のいずれか一記載の発明の作用効果に加えて、
請求項１１ないし１３のいずれか一記載の発明に係るガ
ラスアンダーコートのＰｂレスガラスであるため、その
ガラスと窒化アルミニウム基板との反応性を低く抑える
ことができ、このガラスアンダーコートは基板に強固に
密着する。さらにガラス膜密度が低いので、このガラス
焼成時に、ガラス成分とＡｌＮ基板との反応により、こ
の基板から発生する窒素（Ｎ₂ ）ガスがガラス膜を抜け
て外部に放出させ易いので、これによってもガラスアン
ダーコートと基板との密着性が向上する。さらに、ＰＢ
レスガラスは、鉛を少量ないし微量しか含まず、あるい
は殆ど含有しないので、環境を改善することができる。
なお、電極の下部のみにこのガラスアンダーコートを形
成し、抵抗発熱体の下に形成しなければ、電極の密着強
度が増すとともに、抵抗発熱体の熱が基板に伝わり易く
なる。

【０１８０】請求項１５の発明によれば、ガラスアンダ
ーコートの摺動面形成部対向部の表面粗さを、電極形成
部対向部の表面粗さよりも細かく形成しているので、こ
の摺動面形成部対向部上に形成される摺動面の表面粗さ
を電極形成部対向部の表面粗さよりも細かくすることが
できる。このために、摺動面の微小凹凸を減少させるこ
とができるので、この摺動面と被定着体との密着性を向
上させることができる。

【０１８１】したがって、この基板の直接摺動面とこの
摺動面上を摺動する被定着体との密着性と円滑性との向
上を共に図ることができるので、被定着体の定着不具合
を低減ないし防止することができる。

【０１８２】また、ガラスアンダーコートの電極形成部
対向部の表面粗さは摺動面形成部対向部の表面粗さより
も荒いので、このガラスアンダーコートの電極形成部対
向部を介して基板の電極形成部上に形成される電極と基
板との接合面積を増大させると共に、接合面の荒い凹凸
により、コネクタが電極の表面上を摺動する際の電極の
横方向のずれないし剥離を抑制ないし防止することがで
きる。

【０１８３】また、基板全体を加工しないので手間を省
け、抵抗発熱体については、これを保護層等で覆うこと
で密着強度をある程度確保できる。アンダーコートを荒
す加工は、基板自体を荒す加工よりも容易であり、製造
コストを低減できる。

【０１８４】請求項１６の発明によれば、基板の摺動面
形成部の表面粗さを、電極形成部の表面粗さよりも細か
く形成しているので、この基板摺動面形成部上に形成さ
れる抵抗発熱体の表面が平滑になる一方、基板と電極の
密着強度が向上する。

【０１８５】このために、摺動面と、この摺動面上を摺
動する被定着体との密着性と摺動円滑性とを共に向上さ
せることができるので、被定着体の定着不具合を低減な
いし防止することができる。

【０１８６】また、基板全体を加工しないので、手間を
省け、抵抗発熱体については、これを保護層等で覆うこ
とで密着強度をある程度確保できる。

【０１８７】請求項１７の発明によれば、基板上に形成
されるガラスアンダーコートの膜厚が１０μｍ以下の薄
い膜で低密度である。このために、基板上にガラスアン
ダーコートのペーストを印刷してから焼成する際に、Ａ
ｌＮ基板がこの基板上の抵抗発熱体等の厚膜ペーストと
反応して発生するＮ₂ ガスがこのガラスアンダーコート
を通して外部へ放出される放出量を増大させることがで
き、ガラスアンダーコート内ののＮ₂ ガス量を減少させ
ることができる。このために、ガラスアンダーコートが
基板から剥離するのを抑制ないし防止することができ
る。このために、ガラスアンダーコートが基板から剥離
するのを抑制ないし防止することができる。

【０１８８】また、焼成後のガラスアンダーコートの密
度は高くなるので、その後の焼成工程においてＡｌＮ基
板にＮ₂ ガスが発生しても、このＮ₂ ガスの放出をガラ
スアンダーコートにより遮断するので、ガラスアンダー
コート上のパターンへのＮ₂ガスの混入を抑制ないし防
止することができる。

【０１８９】請求項１８の発明によれば、請求項１ない
し１７のいずれか一記載の定着ヒータを有するので、こ
れらとほぼ同様の作用効果を奏することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の要部断面を示す図４
のＩ−Ｉ線切断部の要部端面図。

【図２】本発明の第２の実施形態の要部縦断面図。

【図３】本発明の第１の実施形態に係る定着ヒータの一
部切欠平面図。

【図４】図３の裏面図。

【図５】本発明の第３の実施形態に係る定着ヒータの要
部縦断面図。

【図６】本発明の第１の実施形態を示す平面図。

【図７】本発明の第４の実施形態に係る定着ヒータの要
部縦断面図。

【図８】本発明の第４の実施形態に係る定着ヒータの変
形例の要部縦断面図。

【図９】本発明の第５の実施形態に係る定着ヒータの要
部縦断面図。

【図１０】本発明の第５の実施形態に係る定着ヒータの
変形例の要部縦断面図。

【図１１】本発明の第６の実施形態に係る定着ヒータの
要部縦断面図。

【図１２】本発明の第６の実施形態に係る定着ヒータの
変形例の要部縦断面図。

【図１３】本発明の第７の実施形態に係る定着ヒータの
要部縦断面図。

【図１４】本発明の第８の実施形態に係る定着ヒータの
要部縦断面図。

【図１５】本発明の第９の実施形態に係る定着ヒータの
要部縦断面図。

【図１６】本発明の第１０の実施形態に係る定着ヒータ
の要部縦断面図。

【図１７】本発明の第１１の実施形態に係る定着ヒータ
の要部縦断面図。

【図１８】本発明の第１２の実施形態に係る定着ヒータ
の要部縦断面図。

【図１９】本発明の第１３の実施形態に係る定着ヒータ
の要部縦断面図。

【図２０】本発明の第１３の実施形態に係る定着ヒータ
の変形例の要部縦断面図。

【図２１】本発明の第１４の実施形態に係る定着ヒータ
の要部縦断面図。

【図２２】本発明の第１５の実施形態に係る定着ヒータ
の要部縦断面図。

【図２３】本発明の第１６の実施形態に係る画像形成装
置の全体構成図。

【図２４】図２３で示す定着装置の縦断面図。

【符号の説明】

Ｈａ〜Ｈｒ 定着ヒータ １ ＡｌＮ基板 １ａ 基板の表面 １ｂ 基板の裏面 １ｃ アルミナ層（酸化処理層） １ｄ ガラスアンダーコート １ｅ 粗面 ２ 抵抗発熱体 ３ａ，３ｂ 給電用端子部 ４ オーバーコート層 ５ａ，５ｂ 一対の配線導体 ７ サーミスタ １１ 電子式複写機 １２ 筺体 １３ カセット １４ 画像形成部 １５ 定着装置 １６ 加圧ローラ １７ ホルダー Ｐ 複写用紙 Ｔ トナー像

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 抵抗発熱体が形成される一面の当該抵抗
   発熱体形成部およびその周辺の発熱領域と、その発熱領
   域の裏面とに酸化処理層を形成した窒化アルミニウムを
   主成分とする基板と；基板表面の酸化処理層上に形成さ
   れる厚膜の抵抗発熱体と；を具備していることを特徴と
   する定着ヒータ。
2. 【請求項２】 少なくとも一面の一部を他面よりも粗面
   に形成した窒化アルミニウムを主成分とする基板と；基
   板の粗面上に形成される膜状の抵抗発熱体と；を具備し
   ていることを特徴とする定着ヒータ。
3. 【請求項３】 少なくとも一面の一部が酸化処理される
   と共にその少なくとも一部が他面よりも粗面に形成され
   た窒化アルミニウムを主成分とする基板と；基板の酸化
   処理層上または粗面上に形成される厚膜の抵抗発熱体
   と；を具備していることを特徴とする定着ヒータ。
4. 【請求項４】 酸化処理層は、基板表面の微小凹凸に沿
   って略均一な厚さで形成されていることを特徴とする請
   求項１〜３記載の定着ヒータ。
5. 【請求項５】 窒化アルミニウムを主成分とする基板
   と；基板の一面上に形成される鉛の含有量が少ないかも
   しくは含有しないＰｂレスガラスを主成分とするガラス
   アンダーコートと；ガラスアンダーコートの表面上に形
   成される厚膜の抵抗発熱体と；を具備していることを特
   徴とする定着ヒータ。
6. 【請求項６】 窒化アルミニウムを主成分とする基板
   と；基板の両面に形成される鉛の含有量が少ないかもし
   くは含有しないＰｂレスガラスを主成分とするガラスア
   ンダーコートと；基板の一面のガラスアンダーコート上
   に形成される厚膜の抵抗発熱体と；基板の他面のガラス
   アンダーコート上に形成される厚膜のサーミスタと；を
   具備し、抵抗発熱体が形成される基板の他面に形成され
   たガラスアンダーコートは、サーミスタの形成部分のみ
   に形成されることを特徴とする定着ヒータ。
7. 【請求項７】 窒化アルミニウムを主成分とする基板
   と；基板の少なくとも一面に形成される鉛の含有量が少
   ないかもしくは含有しないＰｂレスガラスを主成分とす
   るガラスアンダーコートと；ガラスアンダーコート上に
   形成される厚膜の抵抗発熱体と；外周縁部をガラスによ
   り基板の一面またはガラスアンダーコート上に固着した
   抵抗発熱体に電気的に接続される一対の電極と；を具備
   していることを特徴とする定着ヒータ。
8. 【請求項８】 少なくとも一面の一部が酸化処理される
   と共にその少なくとも一面の一部が他面よりも粗面に形
   成された窒化アルミニウムを主成分とする基板と；基板
   の粗面上に形成される鉛の含有量が少ないかもしくは含
   有しないＰｂレスガラスよりなるガラスアンダーコート
   と；ガラスアンダーコートの表面上に形成される厚膜の
   抵抗発熱体と；を具備していることを特徴とする定着ヒ
   ータ。
9. 【請求項９】 ガラスアンダーコートのＰｂレスガラス
   の熱膨張係数が、基板と、ガラスアンダーコートを介し
   て基板上に形成される厚膜ペーストとの両熱膨張係数の
   中間値であることを特徴とする請求項５ないし８のいず
   れか一記載の定着ヒータ。
10. 【請求項１０】 ガラスアンダーコートのＰｂレスガラ
    スが前記ガラスよりも熱伝導性の高いフィラーを２５〜
    ３５重量％含有していることを特徴とする請求項５ない
    し９のいずれか一記載の定着ヒータ。
11. 【請求項１１】 窒化アルミニウムを主成分とする基板
    と；基板上に形成されるガラス成分にフィラーを含有し
    ているガラスアンダーコートと；ガラスアンダーコート
    上に形成される抵抗発熱体と；を具備していることを特
    徴する定着ヒータ。
12. 【請求項１２】 一面または他面に被定着体を直接また
    は間接に摺動せしめる摺動面を形成させる摺動面形成部
    と抵抗発熱体に電気的に接続される電極を形成させる電
    極形成部とを有する窒化アルミニウムを主成分とする基
    板と；基板の少なくとも電極形成部に形成され摺動面形
    成部には形成されないフィラーを含有してなるガラスア
    ンダーコートと；基板の摺動面形成部またはこの摺動面
    形成部の裏面上に形成される厚膜の抵抗発熱体と；を具
    備していることを特徴とする定着ヒータ。
13. 【請求項１３】 一面に被定着体を直接または間接に摺
    動せしめる摺動面を形成させる摺動面形成部を有し、こ
    の摺動面形成部を有する一面を粗面に形成した窒化アル
    ミニウムを主成分とする基板と；基板の摺動面形成部を
    有する一面上に形成されこの一面より表面粗さの小さい
    ガラスアンダーコートと；ガラスアンダーコート上に形
    成される厚膜の抵抗発熱体と；を具備していることを特
    徴とする定着ヒータ。
14. 【請求項１４】 ガラスアンダーコートがＰｂレスガラ
    スよりなることを特徴とする請求項１１ないし１３のい
    ずれか一記載の定着ヒータ。
15. 【請求項１５】 一面に被定着体を直接または間接に摺
    動せしめる摺動面を形成させる摺動面形成部と抵抗発熱
    体に電気的に接続される電極を形成させる電極形成部と
    を有する窒化アルミニウムを主成分とする基板と；基板
    の電極形成部の表面粗さを摺動面形成部の表面粗さより
    も荒くしてなるガラスよりなるガラスアンダーコート
    と；ガラスアンダーコートの摺動面対向部上に形成され
    る抵抗発熱体と；を具備していることを特徴とする定着
    ヒータ。
16. 【請求項１６】 一面に被定着体を直接または間接に摺
    動せしめる摺動面を形成させる摺動面形成部と、抵抗発
    熱体に電気的に接続される電極を形成させる電極形成部
    とを有し、この摺動面形成部の表面粗さを電極形成部の
    表面粗さよりも細かくした窒化アルミニウムを主成分と
    する基板と；基板の摺動面形成部上に形成される厚膜の
    抵抗発熱体と；を具備していることを特徴とする定着ヒ
    ータ。
17. 【請求項１７】 窒化アルミニウムを主成分とする基板
    と；基板上に形成されて膜厚が１０μｍ以下のガラスよ
    りなるガラスアンダーコートと；ガラスアンダーコート
    上に形成される厚膜の抵抗発熱体と；を具備しているこ
    とを特徴とする定着ヒータ。
18. 【請求項１８】 請求項１ないし１７のいずれか一に記
    載の定着ヒータおよびこの定着ヒータに圧接するように
    対向配置されて、この定着ヒータからの熱を被定着体の
    画像を形成しているトナーに作用させるとともに、この
    被定着体を搬送する加圧ローラを有する定着装置と；媒
    体に形成された静電潜像にトナーを付着させて反転画像
    を形成し、この反転画像を被定着体に転写して所定の画
    像を形成する手段と；を具備していることを特徴とする
    画像形成装置。