JPH11271735A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11271735A JPH11271735A JP7069098A JP7069098A JPH11271735A JP H11271735 A JPH11271735 A JP H11271735A JP 7069098 A JP7069098 A JP 7069098A JP 7069098 A JP7069098 A JP 7069098A JP H11271735 A JPH11271735 A JP H11271735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- stage
- lifting
- potential
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板の電位を低く抑えることにより、
静電気不良を防止する。 【解決手段】 ステージに密着して置かれたガラス基板
を、処理終了後にイオンを照射しながらステージから持
上げる際に、ガラス基板の電位がピーク値に至る前に一
度持上げ動作を止めて０．５秒間静止した状態で保持
し、その後再び持上げはじめ、所望の高さまで持上げる
ようにした。基板電位が経験する電位を低く抑えること
ができ、静電気不良が防止できる。
静電気不良を防止する。 【解決手段】 ステージに密着して置かれたガラス基板
を、処理終了後にイオンを照射しながらステージから持
上げる際に、ガラス基板の電位がピーク値に至る前に一
度持上げ動作を止めて０．５秒間静止した状態で保持
し、その後再び持上げはじめ、所望の高さまで持上げる
ようにした。基板電位が経験する電位を低く抑えること
ができ、静電気不良が防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置を
製造する方法に関するものである。
製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、絶縁性基板と、その表
面に形成された素子とから構成されている。この液晶表
示装置の製造工程においては、剥離や摩擦などによって
絶縁性基板が静電気を帯びて、基板の電位が高くなりや
すく、その電位によっては放電が発生し、絶縁性基板表
面に形成された素子が損傷を受け、不良となる危険性が
ある。したがって、絶縁性基板の電位が高くならないよ
うにする方策を講じることは、歩留向上を図る上で極め
て有用である。このような観点から、静電気が発生した
基板の電位を低減させる方法の例として、特開平７−３
１２３３７号公報で示された基板加熱処理装置がある。
その構成を図３に示す。図において、１はチャンバーで
あり、２はプレートであり、３はヒーターであり、４は
基板であり、１ａは基板４の出入口であり、１ｂはチャ
ンバ内部であり、２ｂは昇降ビンであり、２０はイオナ
イザであり、ＩＧはイオン気体流を示している。本基板
加熱処理装置においてはチャンバー１内の空間１ｂの底
面部にプレート２がヒーター３と一体的に設けられる。
イオナイザ２０がチャンバ１内で基板端部の上方位置に
固定配置される。イオナイザ２０では、窒素ガスを電極
側に供給しながら、電極に所定の電圧を印加してイオン
気体を発生させ、イオン気体流ＩＧとして基板４に向け
て噴出する。
面に形成された素子とから構成されている。この液晶表
示装置の製造工程においては、剥離や摩擦などによって
絶縁性基板が静電気を帯びて、基板の電位が高くなりや
すく、その電位によっては放電が発生し、絶縁性基板表
面に形成された素子が損傷を受け、不良となる危険性が
ある。したがって、絶縁性基板の電位が高くならないよ
うにする方策を講じることは、歩留向上を図る上で極め
て有用である。このような観点から、静電気が発生した
基板の電位を低減させる方法の例として、特開平７−３
１２３３７号公報で示された基板加熱処理装置がある。
その構成を図３に示す。図において、１はチャンバーで
あり、２はプレートであり、３はヒーターであり、４は
基板であり、１ａは基板４の出入口であり、１ｂはチャ
ンバ内部であり、２ｂは昇降ビンであり、２０はイオナ
イザであり、ＩＧはイオン気体流を示している。本基板
加熱処理装置においてはチャンバー１内の空間１ｂの底
面部にプレート２がヒーター３と一体的に設けられる。
イオナイザ２０がチャンバ１内で基板端部の上方位置に
固定配置される。イオナイザ２０では、窒素ガスを電極
側に供給しながら、電極に所定の電圧を印加してイオン
気体を発生させ、イオン気体流ＩＧとして基板４に向け
て噴出する。
【０００３】イオナイザ２０と基板４が近接し、しかも
基板４にイオン気体を確実に供給して、電気的に中和さ
せることができ、その結果、基板４の剥離帯電を防止す
ることができる。
基板４にイオン気体を確実に供給して、電気的に中和さ
せることができ、その結果、基板４の剥離帯電を防止す
ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した装置では、チ
ャンバから取り出された基板の電位は低くすることがで
きるが、プレートから持上げられている最中の基板電位
は高くなってしまうという問題があった。
ャンバから取り出された基板の電位は低くすることがで
きるが、プレートから持上げられている最中の基板電位
は高くなってしまうという問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、基板の電位をより低く抑えるこ
とができる液晶表示装置の製造方法を得ることを目的と
している。
ためになされたもので、基板の電位をより低く抑えるこ
とができる液晶表示装置の製造方法を得ることを目的と
している。
【０００６】まず、従来の持ち上げ方では、イオンを照
射しながらであっても持上げられている最中に基板電位
が高くなることを説明する。図４の（ａ）は従来の基板
の持ち上げ方を示す説明図であり、図４の（ｂ）はその
基板電位を示す説明図である。
射しながらであっても持上げられている最中に基板電位
が高くなることを説明する。図４の（ａ）は従来の基板
の持ち上げ方を示す説明図であり、図４の（ｂ）はその
基板電位を示す説明図である。
【０００７】プレートやステージなどに密着された絶縁
性基板を、そのプレートやステージなどから剥離する
と、剥離帯電が生じる。この基板をそのまま持上げ続け
ると、基板電位はプレートやステージと基板との距離に
比例して上昇し、高電位になる。
性基板を、そのプレートやステージなどから剥離する
と、剥離帯電が生じる。この基板をそのまま持上げ続け
ると、基板電位はプレートやステージと基板との距離に
比例して上昇し、高電位になる。
【０００８】つぎに、イオナイザでイオンを照射しなが
ら基板を剥離し、持上げるばあいの基板電位を求める。
図５および図６は、従来技術における基板電位の変化量
を求める説明図である。ある時刻ｔにおける基板電位を
Ｖ（ｔ）とし、時刻ｔからｔ＋δｔまでの電位変化を考
える（図６参照）。
ら基板を剥離し、持上げるばあいの基板電位を求める。
図５および図６は、従来技術における基板電位の変化量
を求める説明図である。ある時刻ｔにおける基板電位を
Ｖ（ｔ）とし、時刻ｔからｔ＋δｔまでの電位変化を考
える（図６参照）。
【０００９】時刻ｔ以降、除電しないと仮定したばあ
い、剥離スピードが一定であるため、基板電位は直線的
に変化する（その直線は、時刻ｔ＝０でゼロ）。このば
あい、単位時間の基板電位変化量δＶ0は、
い、剥離スピードが一定であるため、基板電位は直線的
に変化する（その直線は、時刻ｔ＝０でゼロ）。このば
あい、単位時間の基板電位変化量δＶ0は、
【００１０】
【数１】
【００１１】イオナイザで除電したばあいの実際の基板
電位変化量δＶは、
電位変化量δＶは、
【００１２】
【数２】
【００１３】その差はイオナイザによる減衰分δＶiで
ある。
ある。
【００１４】ここで、初期電位Ｇ0がイオナイザで除電
されるばあい、時刻ｔでの電位をＧ（ｔ）、減衰定数を
ｋとする（図５参照）と、
されるばあい、時刻ｔでの電位をＧ（ｔ）、減衰定数を
ｋとする（図５参照）と、
【００１５】
【数３】
【００１６】したがって、 δＶi＝ｋ・Ｖ（ｔ）・δｔ δＶ−δＶ0＝δＶiであるから、
【００１７】
【数４】
【００１８】ｔ＝０での電位変化率
【００１９】
【数５】
【００２０】は、イオナイザがないばあいの電位変化率
と等しい。
と等しい。
【００２１】ここで、初期電荷密度をｑ０［Ｃ／ｍ
ｍ2］、剥離速度をｖ［ｍｍ／ｓｅｃ］とすると、イオ
ナイザがないばあいの電位変化率は
ｍ2］、剥離速度をｖ［ｍｍ／ｓｅｃ］とすると、イオ
ナイザがないばあいの電位変化率は
【００２２】
【数６】
【００２３】となる。
【００２４】したがって、
【００２５】
【数７】
【００２６】これが、イオナイザでイオンを照射しなが
ら基板を剥離したばあいの基板電位を表す式である。ｑ
０、ｖ、ｋに具体的な数値を入れてグラフを描くと、図
４（ｂ）のようになり、基板を持上げている最中
ら基板を剥離したばあいの基板電位を表す式である。ｑ
０、ｖ、ｋに具体的な数値を入れてグラフを描くと、図
４（ｂ）のようになり、基板を持上げている最中
【００２７】
【数８】
【００２８】に基板電位がピークを迎えることが分か
る。
る。
【００２９】このピーク値は、発生する電荷密度ｑ０が
等しく、同じ除電能力をもつイオナイザ（すなわちｋが
等しい）を用いたばあいでも、持上げ方を変えれば（す
なわちｖの値を変えれば）変化させることができる。
等しく、同じ除電能力をもつイオナイザ（すなわちｋが
等しい）を用いたばあいでも、持上げ方を変えれば（す
なわちｖの値を変えれば）変化させることができる。
【００３０】本発明は、持上げ方を工夫することによ
り、基板電位をより効果的に、かつより低く抑えること
ができる製造方法を得るものである。
り、基板電位をより効果的に、かつより低く抑えること
ができる製造方法を得るものである。
【００３１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
わる液晶装置の製造方法は、絶縁性基板と、その上に形
成された素子からなる液晶表示装置の製造方法におい
て、絶縁性基板が密着して載せ置きされるステージと、
ステージに密着した基板がステージから剥離されて持上
げられる最中に基板にイオンを供給できる除電装置から
構成され、ステージから基板を持上げる際に、基板の電
位が最大値になる前に一度持上げ動作を止め、一定時間
保持した後、再び持上げ動作を開始し、所望の高さをう
るために２段階で基板を持上げることを特徴とするもの
である。
わる液晶装置の製造方法は、絶縁性基板と、その上に形
成された素子からなる液晶表示装置の製造方法におい
て、絶縁性基板が密着して載せ置きされるステージと、
ステージに密着した基板がステージから剥離されて持上
げられる最中に基板にイオンを供給できる除電装置から
構成され、ステージから基板を持上げる際に、基板の電
位が最大値になる前に一度持上げ動作を止め、一定時間
保持した後、再び持上げ動作を開始し、所望の高さをう
るために２段階で基板を持上げることを特徴とするもの
である。
【００３２】本発明の請求項２にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記請求項１記載の２段階持上げに関
し、１段目と２段目のいずれかの持上げスピードを速く
したことを特徴とするものである。
の製造方法は、前記請求項１記載の２段階持上げに関
し、１段目と２段目のいずれかの持上げスピードを速く
したことを特徴とするものである。
【００３３】本発明の請求項３にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記請求項１記載の２段階持上げに関
し、１段目と２段目の両方の持上げスピードを速くした
ことを特徴とするものである。
の製造方法は、前記請求項１記載の２段階持上げに関
し、１段目と２段目の両方の持上げスピードを速くした
ことを特徴とするものである。
【００３４】本発明の請求項４にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記請求項１記載の基板の持上げ動作に
関し、３または４以上の多段階で基板を持上げることを
特徴とするものである。
の製造方法は、前記請求項１記載の基板の持上げ動作に
関し、３または４以上の多段階で基板を持上げることを
特徴とするものである。
【００３５】本発明の請求項５にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記請求項４記載の多段階持上げに関
し、それぞれの段階のいずれかの持上げスピードを速く
したことを特徴とするものである。
の製造方法は、前記請求項４記載の多段階持上げに関
し、それぞれの段階のいずれかの持上げスピードを速く
したことを特徴とするものである。
【００３６】本発明の請求項６にかかわる液晶表示装置
の製造方法は、前記請求項４記載の多段階持上げに関
し、それぞれの段階の全ての持上げスピードを速くした
ことを特徴とするものである。
の製造方法は、前記請求項４記載の多段階持上げに関
し、それぞれの段階の全ての持上げスピードを速くした
ことを特徴とするものである。
【００３７】
【発明の実施の形態】実施の形態１ この発明の実施の形態として、２段階で持上げ、かつそ
れぞれの持上げスピードが従来の１段階持上げと等しい
ばあいの例を示す。発生する電荷密度が１０００［ｐＣ
／ｃｍ2］、イオナイザの除電能力（減衰定数）ｋ＝１
のばあいを示す。図１の（ａ）は基板の持上げ方を示す
説明図であり、破線は従来の１段階持上げのばあい、実
線は、本発明を実施したばあいである。図１の（ｂ）
は、それぞれのばあいの基板電位を示す説明図である。
従来の例としては、３０ｍｍの距離を３秒で持上げたば
あいの例である。従来のばあい、持上げはじめて１秒後
に基板電位は４．１ｋＶのピーク値に至っていた。
れぞれの持上げスピードが従来の１段階持上げと等しい
ばあいの例を示す。発生する電荷密度が１０００［ｐＣ
／ｃｍ2］、イオナイザの除電能力（減衰定数）ｋ＝１
のばあいを示す。図１の（ａ）は基板の持上げ方を示す
説明図であり、破線は従来の１段階持上げのばあい、実
線は、本発明を実施したばあいである。図１の（ｂ）
は、それぞれのばあいの基板電位を示す説明図である。
従来の例としては、３０ｍｍの距離を３秒で持上げたば
あいの例である。従来のばあい、持上げはじめて１秒後
に基板電位は４．１ｋＶのピーク値に至っていた。
【００３８】これを、０〜０．３秒は、従来と同様に持
上げ、０．３〜０．８秒は持上げ動作を止めてその高さ
で保持、０．８〜３．５秒に再び従来と同じ速度で持上
げ、３０ｍｍまで持上げたばあいが図１の（ａ）の実線
である。０．３秒までは、従来と同様の電位になる。す
なわち基板電位は、
上げ、０．３〜０．８秒は持上げ動作を止めてその高さ
で保持、０．８〜３．５秒に再び従来と同じ速度で持上
げ、３０ｍｍまで持上げたばあいが図１の（ａ）の実線
である。０．３秒までは、従来と同様の電位になる。す
なわち基板電位は、
【００３９】
【数９】
【００４０】となる。
【００４１】その後０．８秒までの０．５秒間を持上げ
られないので、電位が上昇する要素がなく、除電のみと
なり、電位はつぎの式のように減少する。
られないので、電位が上昇する要素がなく、除電のみと
なり、電位はつぎの式のように減少する。
【００４２】Ｖ２（ｔ）＝Ｖ１（０．３）・ｅｘｐ（−
ｋ・（ｔ−０．３）） （０．３≦ｔ≦０．８） 電位が下がったところで再び持上げるので、電位はつぎ
の式で表されるようになる。
ｋ・（ｔ−０．３）） （０．３≦ｔ≦０．８） 電位が下がったところで再び持上げるので、電位はつぎ
の式で表されるようになる。
【００４３】
【数１０】
【００４４】ｔ＝３．５で持上げが終了するため、その
後は除電のみとなり、電位は次式になる。
後は除電のみとなり、電位は次式になる。
【００４５】Ｖ４（ｔ）＝Ｖ３（３．５）・ｅｘｐ（１
ｎｔ−ｋ・（ｔ−３．５）） （３．５＜ｔ） 結果的に、従来の基板電位は約４．１ｋＶに至っていた
が、この発明を実施することによって、約２．６ｋＶに
抑えることができた。
ｎｔ−ｋ・（ｔ−３．５）） （３．５＜ｔ） 結果的に、従来の基板電位は約４．１ｋＶに至っていた
が、この発明を実施することによって、約２．６ｋＶに
抑えることができた。
【００４６】停止タイミングの選定指針：２段階で持上
げると、１段目と２段目のそれぞれで電位の山が生じ
る。２段階で持上げても、１段目の停止タイミングを、
従来の方式でピークになるタイミングよりも遅くする
と、ピーク値は変わらないので、効果はない。従来方式
でのピークのタイミングは、イオナイザの除電能力（減
衰定数）ｋで決まるので、使用しているイオナイザの能
力から従来方式でのピーク位置を求め、それよりも早い
タイミングで１段目を停止させれば、電位は低減する。
しかし、従来のピーク位置に対して、わずかに早いタイ
ミングで停止させただけでは、１段目のピーク値が従来
のピーク値とほとんど変わらなくなり、効果は少ない。
逆に１段目を停止させるのが早すぎると、２段目のピー
ク値が高くなってしまい。これも効果は少ない。１段目
と２段目のピーク値が等しくなるようなタイミングで停
止させるのが最も効果的である。保持時間は長い方が電
位はより低減するが、反面、生産性に影響を及ぼす。実
際の生産ライン能力から、保持することのできる時間を
決め、その保持時間で１段目と２段目でできるピーク値
がほぼ等しくなるように１段目の停止タイミングを決定
すると、ピーク値は最も低減させることができる。
げると、１段目と２段目のそれぞれで電位の山が生じ
る。２段階で持上げても、１段目の停止タイミングを、
従来の方式でピークになるタイミングよりも遅くする
と、ピーク値は変わらないので、効果はない。従来方式
でのピークのタイミングは、イオナイザの除電能力（減
衰定数）ｋで決まるので、使用しているイオナイザの能
力から従来方式でのピーク位置を求め、それよりも早い
タイミングで１段目を停止させれば、電位は低減する。
しかし、従来のピーク位置に対して、わずかに早いタイ
ミングで停止させただけでは、１段目のピーク値が従来
のピーク値とほとんど変わらなくなり、効果は少ない。
逆に１段目を停止させるのが早すぎると、２段目のピー
ク値が高くなってしまい。これも効果は少ない。１段目
と２段目のピーク値が等しくなるようなタイミングで停
止させるのが最も効果的である。保持時間は長い方が電
位はより低減するが、反面、生産性に影響を及ぼす。実
際の生産ライン能力から、保持することのできる時間を
決め、その保持時間で１段目と２段目でできるピーク値
がほぼ等しくなるように１段目の停止タイミングを決定
すると、ピーク値は最も低減させることができる。
【００４７】実施の形態２ 実施の形態１では、持上げ途中に０．５秒の保持時間を
確保したので、完全に持上げるまでの時間が０．５秒長
くなる。ばあいによっては、この時間が生産性を低下さ
せる原因になる可能性もある。そこで、０．５秒保持す
ることは変えずに、その分持上げ速度を速くして、全体
の時間を一定にしたばあいを示す。
確保したので、完全に持上げるまでの時間が０．５秒長
くなる。ばあいによっては、この時間が生産性を低下さ
せる原因になる可能性もある。そこで、０．５秒保持す
ることは変えずに、その分持上げ速度を速くして、全体
の時間を一定にしたばあいを示す。
【００４８】０秒から持上げはじめ、０．３秒で０．３
６ｃｍの位置まで持上げ、その後０．５秒保持し、０．
８秒から３秒の間に３ｃｍまで持上げるばあいを例にと
る。このばあい、１段目と２段目の持上げ速度は、いず
れも１．２ｃｍ／ｓｅｃである。このばあいの持上げ方
と基板電位の変化を図２に示す。図２の（ａ）は基板の
持ち上げ方を示す説明図であり、破線は従来の１段階持
上げのばあい、実線は、本発明を実施したばあいであ
る。図２の（ｂ）はそれぞれのばあいの基板電位を示す
説明図である。
６ｃｍの位置まで持上げ、その後０．５秒保持し、０．
８秒から３秒の間に３ｃｍまで持上げるばあいを例にと
る。このばあい、１段目と２段目の持上げ速度は、いず
れも１．２ｃｍ／ｓｅｃである。このばあいの持上げ方
と基板電位の変化を図２に示す。図２の（ａ）は基板の
持ち上げ方を示す説明図であり、破線は従来の１段階持
上げのばあい、実線は、本発明を実施したばあいであ
る。図２の（ｂ）はそれぞれのばあいの基板電位を示す
説明図である。
【００４９】このばあい、従来に対して、基板電位が約
３ｋＶまで低減されている。これは、実施の形態１より
は高い値であるが、全体の時間が従来と変わらないた
め、生産性に全く影響を与えないという利点がある。保
持時間を確保する余裕がないばあいに有効である。
３ｋＶまで低減されている。これは、実施の形態１より
は高い値であるが、全体の時間が従来と変わらないた
め、生産性に全く影響を与えないという利点がある。保
持時間を確保する余裕がないばあいに有効である。
【００５０】また、この例では持上げ速度を、１段回目
と２段回目の両方とも速くしたが、いずれか一方のみを
速くしてもよい。
と２段回目の両方とも速くしたが、いずれか一方のみを
速くしてもよい。
【００５１】実施の形態３ 実施の形態１では、２段階で持上げたばあいを示した
が、３段階以上に分けて持上げてもよく、実施の形態１
と同じ効果が得られる。
が、３段階以上に分けて持上げてもよく、実施の形態１
と同じ効果が得られる。
【００５２】実施の形態４ 実施の形態３において、持上げに要する全体の時間が、
従来と同じになるように、各段階の全て、あるいは一部
の持上げ速度を速くしても、実施の形態２と同じ効果が
得られる。
従来と同じになるように、各段階の全て、あるいは一部
の持上げ速度を速くしても、実施の形態２と同じ効果が
得られる。
【００５３】実施の形態２〜４における各段階の停止タ
イミングは、実施の形態１で述べたように、それぞれの
段階でのピーク値が等しくなるように選定するのが、最
も効果的である。
イミングは、実施の形態１で述べたように、それぞれの
段階でのピーク値が等しくなるように選定するのが、最
も効果的である。
【００５４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば基板電位
を低く抑えることができるので、静電気による不良の発
生が低減でき、液晶表示装置の製造工程における歩留お
よび生産性が向上する効果を奏する。
を低く抑えることができるので、静電気による不良の発
生が低減でき、液晶表示装置の製造工程における歩留お
よび生産性が向上する効果を奏する。
【図１】本発明による、持上げ方法とそのときの基板電
位を示す説明図である。
位を示す説明図である。
【図２】本発明による、持上げ方法とそのときの基板電
位を示す説明図である。
位を示す説明図である。
【図３】従来技術の持上げ方による、基板加熱処理装置
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図４】従来技術による、持上げ方法とそのときの基板
電位を示す説明図である。
電位を示す説明図である。
【図５】従来技術における基板電位の変化量を求める説
明図である。
明図である。
【図６】従来技術における基板電位の変化量を求める説
明図である。
明図である。
１ チャンバー ２ プレート ３ ヒーター ４ 基板 ２０ イオナイザ
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、その上に形成された素子
からなる液晶表示装置の製造方法において、絶縁性基板
が密着して載せ置きされるステージと、ステージに密着
した基板がステージから剥離されて持上げられる最中に
基板にイオンを供給できる除電装置から構成され、ステ
ージから基板を持上げる際に、基板の電位が最大値にな
る前に一度持上げ動作を止め、一定時間保持した後、再
び持上げ動作を開始し、所望の高さをうるために２段階
で基板を持上げることを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項２】 前記請求項１記載の２段階持上げに関
し、１段目と２段目のいずれかの持上げスピードを速く
したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項３】 前記請求項１記載の２段階持上げに関
し、１段目と２段目の両方の持上げスピードを速くした
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記請求項１記載の基板の持上げ動作に
関し、３または４以上の多段階で基板を持上げることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記請求項４記載の多段階持上げに関
し、それぞれの段階のいずれかの持上げスピードを速く
したことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項６】 前記請求項４記載の多段階持上げに関
し、それぞれの段階の全ての持上げスピードを速くした
ことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07069098A JP3772014B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07069098A JP3772014B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11271735A true JPH11271735A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3772014B2 JP3772014B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=13438901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07069098A Expired - Lifetime JP3772014B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3772014B2 (ja) |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP07069098A patent/JP3772014B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3772014B2 (ja) | 2006-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4059302B2 (ja) | リチウムのスパッタリング | |
| US5221450A (en) | Electrostatic chucking method | |
| CN101512734B (zh) | 为基板处理调节边缘环电势的装置及方法 | |
| US6174370B1 (en) | Semiconductor wafer chucking device and method for stripping semiconductor wafer | |
| EP0145253B1 (en) | Method for cleaning an electrode | |
| JPH1169855A (ja) | 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法及び静電チャック | |
| JP2869384B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2002518847A (ja) | 静電チャックから基板を外す方法及びその装置。 | |
| JPH11271735A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| US5447595A (en) | Electrodes for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus using the same | |
| JP4703549B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP3211391B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2002100573A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| JPH07201818A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2014033045A (ja) | 静電吸着方法及び静電吸着装置 | |
| JP2002367967A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JPH0878512A (ja) | 静電吸着装置及び方法 | |
| JPH06169008A (ja) | 静電チャック装置および静電チャック方法 | |
| JP2001077186A (ja) | 真空処理方法 | |
| JP2000195934A (ja) | 基板の除電方法および除電機能付きステ―ジ | |
| JP2976898B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH02122624A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS59117227A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| JP2001267094A (ja) | 静電気除去装置及び静電気除去方法 | |
| JPH07302546A (ja) | イオン源の自動エイジング運転方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060117 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090217 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110217 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120217 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130217 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130217 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140217 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |