JPH11269587A - 電解析出法による合金及びそれを用いた マイクロアレイコネクター - Google Patents
電解析出法による合金及びそれを用いた マイクロアレイコネクターInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の解決しようとする課題
は，高硬度，高弾性変形能，かつ高塑性変形能とを併せ
有し，マイクロ構造体や長寿命表面被覆材として使用可
能な合金と，前記合金を用いて脱着が容易で，接触不良
が無く，脱着回数に対して高寿命の実用的な１次元又は
２次元マイクロコネクタとを提供することである． 【構成】 ニッケル，鉄，コバルト，タン
グステンおよびモリブデン等の金属イオンを含んだ水溶
液中に，金属錯化剤としてクエン酸イオンおよびアンモ
ニウムイオンを添加した電解水溶液を用いる．前記電解
水溶液中にて金属原子の電解析出効率の高い電解浴温度
および電解電流密度の条件下で電解析出された合金は，
高硬度，高弾性変形能・高塑性変形能を有する．これら
前記合金をマイクロアレイコネクタの電極として用いる
ことにより，高いビッカース硬度は接触摺動面の機械的
・化学的安定性を保証し，高弾性変形能と高塑性変形能
は充分な接触圧による低い接触電気抵抗と無破断による
長寿命とを保証する．
は，高硬度，高弾性変形能，かつ高塑性変形能とを併せ
有し，マイクロ構造体や長寿命表面被覆材として使用可
能な合金と，前記合金を用いて脱着が容易で，接触不良
が無く，脱着回数に対して高寿命の実用的な１次元又は
２次元マイクロコネクタとを提供することである． 【構成】 ニッケル，鉄，コバルト，タン
グステンおよびモリブデン等の金属イオンを含んだ水溶
液中に，金属錯化剤としてクエン酸イオンおよびアンモ
ニウムイオンを添加した電解水溶液を用いる．前記電解
水溶液中にて金属原子の電解析出効率の高い電解浴温度
および電解電流密度の条件下で電解析出された合金は，
高硬度，高弾性変形能・高塑性変形能を有する．これら
前記合金をマイクロアレイコネクタの電極として用いる
ことにより，高いビッカース硬度は接触摺動面の機械的
・化学的安定性を保証し，高弾性変形能と高塑性変形能
は充分な接触圧による低い接触電気抵抗と無破断による
長寿命とを保証する．
Description
【０００１】
【利用分野】本発明は，高硬度・高弾性変形能および高
塑性変形能を有する電解析出合金及び前記合金を用いる
ことによって，脱着が容易で耐久性の優れたマイクロア
レイコネクターに関するものである．詳しくはＷ等をＮ
ｉ，ＣｏおよびＦｅと水溶液中で陰極側に電解共析させ
るとともに水素原子の電解共析を抑制し，熱的に安定で
高硬度・高弾性変形能および高塑性変形能を有する超微
細結晶組織乃至非晶質組織を形成させ，前記電解析出合
金の機械的性質の改善を計ったものである，この優れた
機械的性質を利用して実用的で使い易いマイクロアレイ
コネクターを実現した．
塑性変形能を有する電解析出合金及び前記合金を用いる
ことによって，脱着が容易で耐久性の優れたマイクロア
レイコネクターに関するものである．詳しくはＷ等をＮ
ｉ，ＣｏおよびＦｅと水溶液中で陰極側に電解共析させ
るとともに水素原子の電解共析を抑制し，熱的に安定で
高硬度・高弾性変形能および高塑性変形能を有する超微
細結晶組織乃至非晶質組織を形成させ，前記電解析出合
金の機械的性質の改善を計ったものである，この優れた
機械的性質を利用して実用的で使い易いマイクロアレイ
コネクターを実現した．
【０００２】
【従来の技術】電解析出合金は，基板となる素材に耐食
性・耐摩耗性等の機能を付与させることを目的に，主と
して表面被覆材料として利用されてきた．しかしなが
ら，近年になってＬＩＧＡプロセスに代表されるよう
に，主として電解析出金属を用いた複雑なマイクロ構造
体の作製技術の開発が進み，マイクロ構造体用の構造材
料として，高硬度・高延性・高熱安定性を有する電解析
出合金の開発が必要とされている．一方，半導体集積回
路の進展とともに電子機器も益々高密度化，多機能化が
求められている．特に，携帯電子機器では電子部品の実
装密度は１００μｍ以下の配線密度へと進みつつある．
これらの電子回路の部品の補修，交換，又は後からの機
能交換のためには，半田付け接続では作業が極めて困難
で周辺の基板に許容されない熱変化を与える可能性があ
る．これらの問題を回避するのに前記マイクロ構造体を
利用してプラグとソケットから成る電気コネクターのマ
イクロ化と接続電極の数密度の増加が試みられてきた．
しかしながら，これまでにマイクロ構造体用に利用され
ている金属材料は主として電解析出法により作製された
純ニッケル材であり，構造材料としての硬度，引張およ
び疲労強度，耐食性，耐熱性，耐摩耗性ともに不十分で
ある．このような問題点を解決するため，Ｎｉ−Ｐ系を
代表例とする高硬度の電解析出合金が種々検討されてき
たが，従来から開発されている高硬度の電解析出合金の
すべては非常に脆く，これら合金を単独でマイクロ構造
材料として利用することは不可能であった．したがっ
て，従来の延長線上でプラグとソケットとの対をマイク
ロ化したコネクター（公開特許公報（Ａ）昭６１−１１
０４５２）では，プラグとソケット部が接合して電気的
接触を得るために，これら金属電極に充分な弾性変形を
必要とするが残念ながら実現されていないため，マイク
ロ化や電極の数密度の増加によりコネクタの脱着が難し
くなったり，接触不良や着脱による電極の損傷を起こす
などの問題点が生じていた．即ち，接合電極の数密度が
増加するのに従い，電極断面寸法は益々小さくなるた
め，プラグとソケットの合わせ位置誤差やプラグとソケ
ットの寸法誤差を比例して縮小しない限り，接合したと
きにソケット部は弾性限界を超えて塑性変形するか破断
する，そのため，形状記憶合金を用い，複雑な３次元形
状のマイクロコネクタが発明された（特開平５−３２６
０５７）が，温度変化に敏感であることや複雑な形状を
要するなどの欠点があった．
性・耐摩耗性等の機能を付与させることを目的に，主と
して表面被覆材料として利用されてきた．しかしなが
ら，近年になってＬＩＧＡプロセスに代表されるよう
に，主として電解析出金属を用いた複雑なマイクロ構造
体の作製技術の開発が進み，マイクロ構造体用の構造材
料として，高硬度・高延性・高熱安定性を有する電解析
出合金の開発が必要とされている．一方，半導体集積回
路の進展とともに電子機器も益々高密度化，多機能化が
求められている．特に，携帯電子機器では電子部品の実
装密度は１００μｍ以下の配線密度へと進みつつある．
これらの電子回路の部品の補修，交換，又は後からの機
能交換のためには，半田付け接続では作業が極めて困難
で周辺の基板に許容されない熱変化を与える可能性があ
る．これらの問題を回避するのに前記マイクロ構造体を
利用してプラグとソケットから成る電気コネクターのマ
イクロ化と接続電極の数密度の増加が試みられてきた．
しかしながら，これまでにマイクロ構造体用に利用され
ている金属材料は主として電解析出法により作製された
純ニッケル材であり，構造材料としての硬度，引張およ
び疲労強度，耐食性，耐熱性，耐摩耗性ともに不十分で
ある．このような問題点を解決するため，Ｎｉ−Ｐ系を
代表例とする高硬度の電解析出合金が種々検討されてき
たが，従来から開発されている高硬度の電解析出合金の
すべては非常に脆く，これら合金を単独でマイクロ構造
材料として利用することは不可能であった．したがっ
て，従来の延長線上でプラグとソケットとの対をマイク
ロ化したコネクター（公開特許公報（Ａ）昭６１−１１
０４５２）では，プラグとソケット部が接合して電気的
接触を得るために，これら金属電極に充分な弾性変形を
必要とするが残念ながら実現されていないため，マイク
ロ化や電極の数密度の増加によりコネクタの脱着が難し
くなったり，接触不良や着脱による電極の損傷を起こす
などの問題点が生じていた．即ち，接合電極の数密度が
増加するのに従い，電極断面寸法は益々小さくなるた
め，プラグとソケットの合わせ位置誤差やプラグとソケ
ットの寸法誤差を比例して縮小しない限り，接合したと
きにソケット部は弾性限界を超えて塑性変形するか破断
する，そのため，形状記憶合金を用い，複雑な３次元形
状のマイクロコネクタが発明された（特開平５−３２６
０５７）が，温度変化に敏感であることや複雑な形状を
要するなどの欠点があった．
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の解決しようと
する課題は，高硬度．高弾性変形能，かつ高塑性変形能
とを併せ有し，マイクロ構造体や高寿命表面被覆材とし
て使用可能な合金と，前記合金を用いて脱着が容易で，
接触不良が無く，脱着回数に対して長寿命の実用的な１
次元又は２次元マイクロコネクタとを提供することであ
る．
する課題は，高硬度．高弾性変形能，かつ高塑性変形能
とを併せ有し，マイクロ構造体や高寿命表面被覆材とし
て使用可能な合金と，前記合金を用いて脱着が容易で，
接触不良が無く，脱着回数に対して長寿命の実用的な１
次元又は２次元マイクロコネクタとを提供することであ
る．
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では，ニッケル，
鉄，コバルト，タングステンおよびモリブデン等の金属
イオンを含んだ水溶液中に，金属錯化剤としてクエン酸
イオンおよびアンモニウムイオンを添加し，さらに電気
伝導度を向上させるための高電導性の塩を添加した電解
水溶液を用いる．この水溶液中では陰極基板上への水素
の共析が抑制されることが本発明者らによって発見され
た．一方，前記電解水溶液中にて金属原子の電解析出効
率の高い電解浴温度および電解電流密度の条件下で電解
析出されたＮｉ−Ｗ，Ｆｅ−Ｗ，Ｃｏ−Ｗ，Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｗ，Ｎｉ−Ｗ−ＭｏおよびＮｉ−Ｆｅ−Ｗ−Ｍｏ等の
合金はいずれも平均結晶粒サイズが１００ｎｍ以下の超
微細な結晶粒組織乃至非晶質組織を有することが，やは
り本発明者らによって発見された．これらの前記合金は
ビッカース硬度５００ＤＰＮ以上の高硬度を示すにも関
わらず，室温での抗折曲げ試験において，歪量０．０１
以上の弾性変形能を有するとともに，歪量１．０におい
ても破断を生じない高塑性変形能を有することができ
る．これら前記合金をマイクロアレイコネクタの電極と
して用いることにより，高いビッカース硬度は接触摺動
面の機械的・化学的安定性を保証し，高弾性変形能と高
塑性変形能は充分な接触圧による低い接触電気抵抗と無
破断による長寿命とを保証する．
鉄，コバルト，タングステンおよびモリブデン等の金属
イオンを含んだ水溶液中に，金属錯化剤としてクエン酸
イオンおよびアンモニウムイオンを添加し，さらに電気
伝導度を向上させるための高電導性の塩を添加した電解
水溶液を用いる．この水溶液中では陰極基板上への水素
の共析が抑制されることが本発明者らによって発見され
た．一方，前記電解水溶液中にて金属原子の電解析出効
率の高い電解浴温度および電解電流密度の条件下で電解
析出されたＮｉ−Ｗ，Ｆｅ−Ｗ，Ｃｏ−Ｗ，Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｗ，Ｎｉ−Ｗ−ＭｏおよびＮｉ−Ｆｅ−Ｗ−Ｍｏ等の
合金はいずれも平均結晶粒サイズが１００ｎｍ以下の超
微細な結晶粒組織乃至非晶質組織を有することが，やは
り本発明者らによって発見された．これらの前記合金は
ビッカース硬度５００ＤＰＮ以上の高硬度を示すにも関
わらず，室温での抗折曲げ試験において，歪量０．０１
以上の弾性変形能を有するとともに，歪量１．０におい
ても破断を生じない高塑性変形能を有することができ
る．これら前記合金をマイクロアレイコネクタの電極と
して用いることにより，高いビッカース硬度は接触摺動
面の機械的・化学的安定性を保証し，高弾性変形能と高
塑性変形能は充分な接触圧による低い接触電気抵抗と無
破断による長寿命とを保証する．
【０００５】すなわち，（請求項１）に係る発明は，
「Ｗ又はＭｏ１５〜３０原子％を含有し，残部がＮｉも
しくはＣｏよりなる合金であって，水素含有量を５原子
％以下に制限することによって，ビッカース硬度５００
ＤＰＮ以上の高硬度を示し，かつ抗折曲げ試験における
歪量０．０１以上の高弾性変形能を有し，歪量１．０に
おいても破断を生じない高塑性変形能を有することを特
徴とするニッケル基もしくはコバルト基電解析出合
金．」を要旨とし，（請求項２）に係る発明は「Ｗ又は
Ｍｏ２０〜３０原子％を含有し，残部がＦｅよりなる合
金であって，水素含有量を３原子％以下に制限すること
によって，ビッカース硬度５００ＤＰＮ以上の高硬度を
示し，かつ抗折曲げ試験における歪量０．０１以上の高
弾性変形能を有し，歪量１．０においても破断を生じな
い高塑性変形能を有することを特徴とする鉄基電解析出
合金．」を要旨とする．ここで，Ｗ又はＭｏの含有量を
ニッケル基およびコバルト基合金において１５〜３０原
子％，鉄基合金において２０〜３０原子％と規定したの
は，これら合金のＷ又はＭｏの含有量は主として電解浴
温度および電解電流密度を制御することにより調整され
るが，その時，同時にＷ又はＭｏ以外の成分，即ち水素
原子の含有量，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ等の含有量も決まるた
め，高硬度・高弾性変形能および高塑性変形能を有する
合金の組成の最適値は自ずから決まることに起因してい
る．上記の規定範囲を越えたＷ又はＭｏの含有量を得る
場合は高電解浴温度，高電解電流密度が必要となるか
ら，その場合には金属原子の電解析出効率が低下し，陰
極板上への水素原子の電解共析が活発となる．このた
め，得られた合金は水素脆化を生ずることにより高弾性
変形能および高塑性変形能を示さなくなる．また，Ｗ又
はＭｏ含有量が上記規定範囲に満たない合金は低い電解
電流密度の合金作製条件で得ることはできるが，Ｗ又は
Ｍｏ原子の電解析出に必要な析出電位に到達せず，Ｎ
ｉ，ＣｏもしくはＦｅのみが選択的に電析するため，Ｗ
又はＭｏの含有量が減少し，高硬度性は失われる．
「Ｗ又はＭｏ１５〜３０原子％を含有し，残部がＮｉも
しくはＣｏよりなる合金であって，水素含有量を５原子
％以下に制限することによって，ビッカース硬度５００
ＤＰＮ以上の高硬度を示し，かつ抗折曲げ試験における
歪量０．０１以上の高弾性変形能を有し，歪量１．０に
おいても破断を生じない高塑性変形能を有することを特
徴とするニッケル基もしくはコバルト基電解析出合
金．」を要旨とし，（請求項２）に係る発明は「Ｗ又は
Ｍｏ２０〜３０原子％を含有し，残部がＦｅよりなる合
金であって，水素含有量を３原子％以下に制限すること
によって，ビッカース硬度５００ＤＰＮ以上の高硬度を
示し，かつ抗折曲げ試験における歪量０．０１以上の高
弾性変形能を有し，歪量１．０においても破断を生じな
い高塑性変形能を有することを特徴とする鉄基電解析出
合金．」を要旨とする．ここで，Ｗ又はＭｏの含有量を
ニッケル基およびコバルト基合金において１５〜３０原
子％，鉄基合金において２０〜３０原子％と規定したの
は，これら合金のＷ又はＭｏの含有量は主として電解浴
温度および電解電流密度を制御することにより調整され
るが，その時，同時にＷ又はＭｏ以外の成分，即ち水素
原子の含有量，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ等の含有量も決まるた
め，高硬度・高弾性変形能および高塑性変形能を有する
合金の組成の最適値は自ずから決まることに起因してい
る．上記の規定範囲を越えたＷ又はＭｏの含有量を得る
場合は高電解浴温度，高電解電流密度が必要となるか
ら，その場合には金属原子の電解析出効率が低下し，陰
極板上への水素原子の電解共析が活発となる．このた
め，得られた合金は水素脆化を生ずることにより高弾性
変形能および高塑性変形能を示さなくなる．また，Ｗ又
はＭｏ含有量が上記規定範囲に満たない合金は低い電解
電流密度の合金作製条件で得ることはできるが，Ｗ又は
Ｍｏ原子の電解析出に必要な析出電位に到達せず，Ｎ
ｉ，ＣｏもしくはＦｅのみが選択的に電析するため，Ｗ
又はＭｏの含有量が減少し，高硬度性は失われる．
【０００６】（請求項３）に係る発明は「Ｗ１０〜２５
原子％とＭｏ０〜３０原子との両者を含有するか，又は
その一方を含有し，残部がＮｉ，Ｃｏ又はＦｅの何れ
か，又は任意の割合のＮｉ，ＣｏおよびＦｅからなる合
金であって，水素含有量を５原子％以下に制限すること
によって，ビッカース硬度５００ＤＰＮ以上の高硬度を
示し，かつ抗折曲げ試験における歪量０．０１以上の高
弾性変形能を有し，歪量１．０においても破断を生じな
い高塑性変形能を有することを特徴とする鉄基電解析出
合金．」を要旨とする．この場合，電解浴中にニッケル
イオン，コバルトイオンおよび鉄イオンを同時に添加す
ると，いずれの金属元素も電解析出電位が近いことか
ら，それぞれの金属イオン濃度比を調整することによ
り，容易にこれら金属元素を陰極板上に任意の割合で共
析させることができ，高硬度でかつ高塑性変形能を有す
る合金を得ることができる．また，電解浴中のタングス
テンイオンおよびモリブデンイオンについても，両金属
の電解析出電位が近いことから，これら金属イオン濃度
比を調整することにより，容易に両金属元素を陰極板上
に任意の割合で共析させることができる．特に，モリブ
デンは高濃度に電折させる事が容易であり，高耐熱性を
必要とする合金を作製する上で有用である．これらの金
属イオンを複合添加することにより３元素以上からなる
高硬度でかつ高弾性・高塑性変形能を有する合金を得る
ことができる．
原子％とＭｏ０〜３０原子との両者を含有するか，又は
その一方を含有し，残部がＮｉ，Ｃｏ又はＦｅの何れ
か，又は任意の割合のＮｉ，ＣｏおよびＦｅからなる合
金であって，水素含有量を５原子％以下に制限すること
によって，ビッカース硬度５００ＤＰＮ以上の高硬度を
示し，かつ抗折曲げ試験における歪量０．０１以上の高
弾性変形能を有し，歪量１．０においても破断を生じな
い高塑性変形能を有することを特徴とする鉄基電解析出
合金．」を要旨とする．この場合，電解浴中にニッケル
イオン，コバルトイオンおよび鉄イオンを同時に添加す
ると，いずれの金属元素も電解析出電位が近いことか
ら，それぞれの金属イオン濃度比を調整することによ
り，容易にこれら金属元素を陰極板上に任意の割合で共
析させることができ，高硬度でかつ高塑性変形能を有す
る合金を得ることができる．また，電解浴中のタングス
テンイオンおよびモリブデンイオンについても，両金属
の電解析出電位が近いことから，これら金属イオン濃度
比を調整することにより，容易に両金属元素を陰極板上
に任意の割合で共析させることができる．特に，モリブ
デンは高濃度に電折させる事が容易であり，高耐熱性を
必要とする合金を作製する上で有用である．これらの金
属イオンを複合添加することにより３元素以上からなる
高硬度でかつ高弾性・高塑性変形能を有する合金を得る
ことができる．
【０００７】（請求項４），（請求項５）および（請求
項６）に係る発明は，それぞれ（請求項１），（請求項
２）および（請求項３）の内，水素含有量を制限するた
めに必要な電解浴成分を規定したものである．
項６）に係る発明は，それぞれ（請求項１），（請求項
２）および（請求項３）の内，水素含有量を制限するた
めに必要な電解浴成分を規定したものである．
【０００８】（請求項７），（請求項８）および（請求
項９）に係る発明は，それぞれ（請求項４），（請求項
５）および（請求項６）の内，水素含有量を制限するた
めに必要な各電解浴成分の濃度範囲，電解温度範囲およ
び電解電流密度の範囲を規定したものである．
項９）に係る発明は，それぞれ（請求項４），（請求項
５）および（請求項６）の内，水素含有量を制限するた
めに必要な各電解浴成分の濃度範囲，電解温度範囲およ
び電解電流密度の範囲を規定したものである．
【０００９】（請求項１０）に係る発明は，請求項１か
ら９までの何れかの合金を１次元又は２次元マイクロア
レイコネクタの電極材料として形成し，接続する電極対
を，対称形状として，相互接触させ，生じる弾性変形量
を電極対の両方に負担させることにより，着脱が容易
で，接触不良が無く，長寿命の性能を得る．
ら９までの何れかの合金を１次元又は２次元マイクロア
レイコネクタの電極材料として形成し，接続する電極対
を，対称形状として，相互接触させ，生じる弾性変形量
を電極対の両方に負担させることにより，着脱が容易
で，接触不良が無く，長寿命の性能を得る．
【００１０】（請求項１１）に係る発明は，請求項１０
の内，対称な接触電極対として角柱の形状をもちいるこ
とにより，接触は角柱の側面で広く起こるため，接触圧
が比較的小さくても充分な電気伝導度が得られ，かつ，
電極対の位置の許容誤差も大きく単純なアレイ構造のた
め製造がし易く，着脱が容易で長寿命である．
の内，対称な接触電極対として角柱の形状をもちいるこ
とにより，接触は角柱の側面で広く起こるため，接触圧
が比較的小さくても充分な電気伝導度が得られ，かつ，
電極対の位置の許容誤差も大きく単純なアレイ構造のた
め製造がし易く，着脱が容易で長寿命である．
【００１１】（請求項１２）に係る発明は，請求項１０
の内，互いに接触する電極を柱状に形成し，その柱が絶
縁基板に対し垂直から０．５〜２０゜の角度で傾斜させ
て形成することによって，絶縁基板同士の距離を請求項
１０のガイドフレームに沿って縮めることで電極同士の
接触を安定に得ることができる．
の内，互いに接触する電極を柱状に形成し，その柱が絶
縁基板に対し垂直から０．５〜２０゜の角度で傾斜させ
て形成することによって，絶縁基板同士の距離を請求項
１０のガイドフレームに沿って縮めることで電極同士の
接触を安定に得ることができる．
【００１２】
【作用】本発明による高硬度および高弾性・高塑性変形
能を有する電解析出合金を利用すれば，脆性破壊を生ず
ることのない高寿命・高信頼性の硬質マイクロ構造体を
作製することができる．また，Ｎｉ，ＣｏおよびＦｅ含
有量を調整することにより種々の磁気的特性を付与する
ことができ，センサー機能を有する硬質マイクロ構造体
の作製が可能となる．本合金を各種素材の表面被覆材と
して利用した場合においても，素材のわずかな変形によ
るクラックの発生を防止でき，高寿命・高信頼性の硬質
被覆材として幅広く利用できる．本発明による合金はい
ずれも多量のＷ又はＭｏを含有する効果により，材料表
面層に緻密なタングステン又はモリブデンの酸化層を形
成し，高い耐食性を示す．前記合金を電極材料として形
成し，接続する電極対を対称形状として相互接触させる
ことにより，弾性変形量を小さく抑え，かつ電極対の位
置の許容誤差も大きくでき，製造がし易く，着脱が容易
で長寿命の実用的な１次元又は２次元マイクロアレイコ
ネクタを実現できる．
能を有する電解析出合金を利用すれば，脆性破壊を生ず
ることのない高寿命・高信頼性の硬質マイクロ構造体を
作製することができる．また，Ｎｉ，ＣｏおよびＦｅ含
有量を調整することにより種々の磁気的特性を付与する
ことができ，センサー機能を有する硬質マイクロ構造体
の作製が可能となる．本合金を各種素材の表面被覆材と
して利用した場合においても，素材のわずかな変形によ
るクラックの発生を防止でき，高寿命・高信頼性の硬質
被覆材として幅広く利用できる．本発明による合金はい
ずれも多量のＷ又はＭｏを含有する効果により，材料表
面層に緻密なタングステン又はモリブデンの酸化層を形
成し，高い耐食性を示す．前記合金を電極材料として形
成し，接続する電極対を対称形状として相互接触させる
ことにより，弾性変形量を小さく抑え，かつ電極対の位
置の許容誤差も大きくでき，製造がし易く，着脱が容易
で長寿命の実用的な１次元又は２次元マイクロアレイコ
ネクタを実現できる．
【００１３】
【実施例】以下，本発明に関する実施例を詳述するが，
これによって本発明が限定されるものではない． −−高硬度・高塑性変形能を有するＮｉ−Ｗ電解析出合
金−− 図１に硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４−６Ｈ２Ｏ），タング
ステン酸ナトリウム（Ｎａ２ＷＯ４−Ｈ２Ｏ），クエン
酸ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７−２Ｈ２Ｏ），塩化
アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ），臭化ナトリウム（ＮａＢ
ｒ）から成る電解水溶液に白金陽極板と銅陰極板を用い
て電解浴温度を変化させたときの陰極板上へのＮｉ−Ｗ
合金の電解析出速度の変化の典型例を示す．電解析出速
度は電解浴温度の上昇とともに増加し，最大値を示した
後，再び減少する．図中に示したように，電解析出速度
が最大植を示す浴温度付近において，曲げ歪量０．０１
以上の高弾性変形能と，完全密着曲げ曲げ変形後（歪量
１．０の塑性変形後）においても破断しない合金の作製
が達成できる．このような高弾性変形能および高塑性変
形能を有する合金はＸ線回折測定結果から超微細な結晶
組織乃至非晶質組織を有することが確認され，ビッカー
ス硬度で５００ＤＰＮ以上の高硬度を示すことが確認さ
れた．
これによって本発明が限定されるものではない． −−高硬度・高塑性変形能を有するＮｉ−Ｗ電解析出合
金−− 図１に硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４−６Ｈ２Ｏ），タング
ステン酸ナトリウム（Ｎａ２ＷＯ４−Ｈ２Ｏ），クエン
酸ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７−２Ｈ２Ｏ），塩化
アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ），臭化ナトリウム（ＮａＢ
ｒ）から成る電解水溶液に白金陽極板と銅陰極板を用い
て電解浴温度を変化させたときの陰極板上へのＮｉ−Ｗ
合金の電解析出速度の変化の典型例を示す．電解析出速
度は電解浴温度の上昇とともに増加し，最大値を示した
後，再び減少する．図中に示したように，電解析出速度
が最大植を示す浴温度付近において，曲げ歪量０．０１
以上の高弾性変形能と，完全密着曲げ曲げ変形後（歪量
１．０の塑性変形後）においても破断しない合金の作製
が達成できる．このような高弾性変形能および高塑性変
形能を有する合金はＸ線回折測定結果から超微細な結晶
組織乃至非晶質組織を有することが確認され，ビッカー
ス硬度で５００ＤＰＮ以上の高硬度を示すことが確認さ
れた．
【００１４】図２にＮｉ−Ｗ合金の電解析出時の電解析
出速度と電解電流密度との関係を示す．いずれの条件下
においても電解電流密度の低い領域では，図中に示した
ように，この直線関係を満足する条件下では高弾性変形
能（曲げ歪量０．０１以上）および完全密着曲げ変形後
（歪量１．０の塑性変形後）においても破断しない高塑
性変形能を有する高合金の作製が達成できる．一方，電
解電流密度が増加すると，しだいに析出速度の増加量は
減少し，それに伴って水素の電解共析が活発となること
から高弾性・塑性変形能を有する合金が得られなくな
る．以上のような，高弾性・塑性変形能を有する合金を
得るための適正な電解電流密度は，電解浴中に添加する
金属イオン濃度の増加に伴って高電解電流密度側へ拡大
する．
出速度と電解電流密度との関係を示す．いずれの条件下
においても電解電流密度の低い領域では，図中に示した
ように，この直線関係を満足する条件下では高弾性変形
能（曲げ歪量０．０１以上）および完全密着曲げ変形後
（歪量１．０の塑性変形後）においても破断しない高塑
性変形能を有する高合金の作製が達成できる．一方，電
解電流密度が増加すると，しだいに析出速度の増加量は
減少し，それに伴って水素の電解共析が活発となること
から高弾性・塑性変形能を有する合金が得られなくな
る．以上のような，高弾性・塑性変形能を有する合金を
得るための適正な電解電流密度は，電解浴中に添加する
金属イオン濃度の増加に伴って高電解電流密度側へ拡大
する．
【００１５】−−その他の高硬度・高延性を有する電解
析出合金−− Ｆｅ−ＷおよびＣｏ−Ｗ合金を含むその他の電解析出合
金においても，上記のＮｉ−Ｗ合金の場合と全く同様の
原理により，高硬度・高延性を有する合金を作製するこ
とができる． Ｆｅ−Ｗ合金においては硫酸アンモニウ
ム鉄（ＩＩＩ）（Ｆｅ（ＮＨ４）（ＳＯ４）２−１２Ｈ
２Ｏ）を，Ｃｏ−Ｗ合金においては硫酸コバルト（Ｃｏ
ＳＯ４−７Ｈ２Ｏ）を電解浴中に添加し，かつタングス
テン酸ナトリウム（Ｎａ２ＷＯ４−Ｈ２Ｏ），クエン酸
ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７−２Ｈ２Ｏ），塩化ア
ンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ），臭化ナトリウム（ＮａＢ
ｒ）を添加した電解水溶液を作製した。これら電解浴を
用いて，電解浴温度を最大電解析出効率の高い浴温度お
よび電解密度の条件のもとで合金の電解析出を行うと，
高弾性変形能（曲げ歪量０．１以上）および完全密着曲
げ変形後（歪量１．０の塑性変形後）においても破断し
ない高塑性変形能を有する高合金の作成が達成できる．
このようなＦｅ−ＷおよびＣｏ−Ｗ合金は，先に述べた
Ｎｉ−Ｗ合金の場合と同様に，Ｘ線回折測定結果から超
微細な結晶組織乃至非晶質組織を有することが確認さ
れ，ビッカース硬度で５００ＤＰＮ以上の高硬度を示す
ことが確認された．
析出合金−− Ｆｅ−ＷおよびＣｏ−Ｗ合金を含むその他の電解析出合
金においても，上記のＮｉ−Ｗ合金の場合と全く同様の
原理により，高硬度・高延性を有する合金を作製するこ
とができる． Ｆｅ−Ｗ合金においては硫酸アンモニウ
ム鉄（ＩＩＩ）（Ｆｅ（ＮＨ４）（ＳＯ４）２−１２Ｈ
２Ｏ）を，Ｃｏ−Ｗ合金においては硫酸コバルト（Ｃｏ
ＳＯ４−７Ｈ２Ｏ）を電解浴中に添加し，かつタングス
テン酸ナトリウム（Ｎａ２ＷＯ４−Ｈ２Ｏ），クエン酸
ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７−２Ｈ２Ｏ），塩化ア
ンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ），臭化ナトリウム（ＮａＢ
ｒ）を添加した電解水溶液を作製した。これら電解浴を
用いて，電解浴温度を最大電解析出効率の高い浴温度お
よび電解密度の条件のもとで合金の電解析出を行うと，
高弾性変形能（曲げ歪量０．１以上）および完全密着曲
げ変形後（歪量１．０の塑性変形後）においても破断し
ない高塑性変形能を有する高合金の作成が達成できる．
このようなＦｅ−ＷおよびＣｏ−Ｗ合金は，先に述べた
Ｎｉ−Ｗ合金の場合と同様に，Ｘ線回折測定結果から超
微細な結晶組織乃至非晶質組織を有することが確認さ
れ，ビッカース硬度で５００ＤＰＮ以上の高硬度を示す
ことが確認された．
【００１６】図３に本発明によるＮｉ−Ｗ−Ｍｏの３元
素を含む高硬度・高延性電解析出合金のＸ線回折パター
ン例を示す．硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４−６Ｈ２Ｏ），
タングステン酸ナトリウム（Ｎａ２ＷＯ４−Ｈ２Ｏ），
モリブデン酸ナトリウム（Ｎａ２ＭｏＯ４−２Ｈ２
Ｏ），クエン酸ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７−２Ｈ
２Ｏ），塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ），臭化ナトリ
ウム（ＮａＢｒ）を添加した水溶液を用いて作製したＮ
ｉ−Ｗ−Ｍｏ電解析出合金のＸ線回折ハターンを示す．
非晶質合金特有の幅の広いＸ線回折ピークを示すととも
に，多量のＭｏを含有している．また，曲げ歪量０．０
１以上の高弾性変形能と，完全密着曲げ曲げ変形後（歪
量１．０の塑性変形後）においても破断しない高塑性変
形能を有し，かつビッカース硬度で５００ＤＰＮ以上の
高硬度を示すことが確認された．
素を含む高硬度・高延性電解析出合金のＸ線回折パター
ン例を示す．硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４−６Ｈ２Ｏ），
タングステン酸ナトリウム（Ｎａ２ＷＯ４−Ｈ２Ｏ），
モリブデン酸ナトリウム（Ｎａ２ＭｏＯ４−２Ｈ２
Ｏ），クエン酸ナトリウム（Ｎａ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７−２Ｈ
２Ｏ），塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ），臭化ナトリ
ウム（ＮａＢｒ）を添加した水溶液を用いて作製したＮ
ｉ−Ｗ−Ｍｏ電解析出合金のＸ線回折ハターンを示す．
非晶質合金特有の幅の広いＸ線回折ピークを示すととも
に，多量のＭｏを含有している．また，曲げ歪量０．０
１以上の高弾性変形能と，完全密着曲げ曲げ変形後（歪
量１．０の塑性変形後）においても破断しない高塑性変
形能を有し，かつビッカース硬度で５００ＤＰＮ以上の
高硬度を示すことが確認された．
【００１７】図４〜図７に示した実施例は微小電子回
路，微小電子部品同士の電気的接続をうるために本発明
の合金を用い，対称な形状をもって対向し，かつ１次元
又は２次元に配列して形成した電極対と，前記電極対同
士間の電気絶縁と機械的保持を行う絶縁基板と位置決め
に用い機械的固定に用いるガイドフレームより成る１次
元又は２次元のマイクロアレイコネクタに関する．
路，微小電子部品同士の電気的接続をうるために本発明
の合金を用い，対称な形状をもって対向し，かつ１次元
又は２次元に配列して形成した電極対と，前記電極対同
士間の電気絶縁と機械的保持を行う絶縁基板と位置決め
に用い機械的固定に用いるガイドフレームより成る１次
元又は２次元のマイクロアレイコネクタに関する．
【００１８】図４は本発明のコネクタが接合した時の断
面を表す．対向する電極２ａ，２ｂは側面をもって電気
的接点（接面）２ｃを介して接続し，各々絶縁基板３
ａ，３ｂに１次元又は２次元に配列して固定されてい
る．ガイドフレーム４は絶縁基板全体を保持し，その位
置決めを正確に行えるようはめ合わせの構造又は位置出
し用ガイド側面を持っている．ガイドフレーム４ａと４
ｂとを留金６と留ねじ７とを用い互いに固定する．電極
２ａと２ｂとは半田付３ｃを介して，回路基板１ａとマ
イクロ電子部品５とに各々電気的に接合される．
面を表す．対向する電極２ａ，２ｂは側面をもって電気
的接点（接面）２ｃを介して接続し，各々絶縁基板３
ａ，３ｂに１次元又は２次元に配列して固定されてい
る．ガイドフレーム４は絶縁基板全体を保持し，その位
置決めを正確に行えるようはめ合わせの構造又は位置出
し用ガイド側面を持っている．ガイドフレーム４ａと４
ｂとを留金６と留ねじ７とを用い互いに固定する．電極
２ａと２ｂとは半田付３ｃを介して，回路基板１ａとマ
イクロ電子部品５とに各々電気的に接合される．
【００２０】図５は図４のＡ−Ａ’面での電極対２の断
面を表す．図５（ａ）は電極２の２次元配列の例を表
し，図５（ｂ）は１次元配列の例を表す．図６は図５の
電極２ａと２ｂとが電気的接点（接面）を持つに至るま
での状態図を表す．ガイドフレームを利用して絶縁基板
が基板面に平行にスライドすることにより電極対が接触
し，電極対の弾性変形により適当な接触圧を得た位置で
停止，位置決めされるガイドフレームを固定してマイク
ロアレイコネクタの接合を完了する．
面を表す．図５（ａ）は電極２の２次元配列の例を表
し，図５（ｂ）は１次元配列の例を表す．図６は図５の
電極２ａと２ｂとが電気的接点（接面）を持つに至るま
での状態図を表す．ガイドフレームを利用して絶縁基板
が基板面に平行にスライドすることにより電極対が接触
し，電極対の弾性変形により適当な接触圧を得た位置で
停止，位置決めされるガイドフレームを固定してマイク
ロアレイコネクタの接合を完了する．
【００２１】図７は絶縁基板面垂直方向に対し，電極傾
斜角度８で傾斜している電極２を表し，ガイドフレーム
４を垂直にスライドさせることにより絶縁基板距離９を
減少させて，電極２ａと２ｂとが電気的接点（接面）を
持つに至るまでの状態図を表す．ガイドフレームを利用
して絶縁基板３が基板面垂直方向にスライドすることに
より電極対２が接触し，電極対の弾性変形により適当な
接触圧を得た位置で停止，位置決めされるガイドフレー
ム４を固定してマイクロアレイコネクタの接合を完了す
る．
斜角度８で傾斜している電極２を表し，ガイドフレーム
４を垂直にスライドさせることにより絶縁基板距離９を
減少させて，電極２ａと２ｂとが電気的接点（接面）を
持つに至るまでの状態図を表す．ガイドフレームを利用
して絶縁基板３が基板面垂直方向にスライドすることに
より電極対２が接触し，電極対の弾性変形により適当な
接触圧を得た位置で停止，位置決めされるガイドフレー
ム４を固定してマイクロアレイコネクタの接合を完了す
る．
【００２２】
【発明の効果】本発明にかかる硬質電解析出合金は，従
来の硬質電解析出合金にはない高弾性・高塑性変形能を
有していることから，脆性的な破壊を生ずることがな
い．このため，本発明の合金とコネクター構造とを用い
ることにより，着脱が容易で，長寿命，信頼性の高い実
用的なマイクロアレイコネクタを提供する．勿論，本発
明の合金はマイクロコネクタのみならずマイクロロボッ
ト部品，また長寿命，高耐力の硬質被覆材を提供するこ
とは云うまでもない． 製造方法としては，ＬＩＧＡプ
ロセスなどのリソグラフィー技術を利用するので多量生
産が可能で，コストの低減が図れる．また，本発明のマ
イクロアレイコネクタを採用すれば，ＩＣパッケージを
より小型化することができるとともに，高密度多層プリ
ント基板の回路接続を容易にする．
来の硬質電解析出合金にはない高弾性・高塑性変形能を
有していることから，脆性的な破壊を生ずることがな
い．このため，本発明の合金とコネクター構造とを用い
ることにより，着脱が容易で，長寿命，信頼性の高い実
用的なマイクロアレイコネクタを提供する．勿論，本発
明の合金はマイクロコネクタのみならずマイクロロボッ
ト部品，また長寿命，高耐力の硬質被覆材を提供するこ
とは云うまでもない． 製造方法としては，ＬＩＧＡプ
ロセスなどのリソグラフィー技術を利用するので多量生
産が可能で，コストの低減が図れる．また，本発明のマ
イクロアレイコネクタを採用すれば，ＩＣパッケージを
より小型化することができるとともに，高密度多層プリ
ント基板の回路接続を容易にする．
【図１】Ｎｉ−Ｗ電解析出合金の電解析出速度と電解浴
温度との関係を示すグラフ．
温度との関係を示すグラフ．
【図２】Ｎｉ−Ｗ電解析出合金の電解析出速度と電解電
流密度との関係を示すグラフ．
流密度との関係を示すグラフ．
【図３】Ｎｉ−Ｗ−Ｍｏ電解析出合金のＸ線回折パター
ン．
ン．
【図４】１次元又は２次元マイクロアレイコネクタ断面
図．
図．
【図５】接続電極が接触したときの断面図（図４のＡ−
Ａ’面）． （ａ）２次元アレイ配列の場合． （ｂ）１次元アレイ配列の場合．
Ａ’面）． （ａ）２次元アレイ配列の場合． （ｂ）１次元アレイ配列の場合．
【図６】１次元又は２次元マイクロアレイコネクタの一
実施例であるマイクロコネクタの接合状態図． （ａ）ガイドフレームで初期位置合わせ完了時． （ｂ）ガイドフレームに沿って絶縁基板を基板に平行に
スライドさせて対向する電極が接触した時． （ｃ）更に基板をスライドさせて充分な接触圧を得た
時，接続完了．
実施例であるマイクロコネクタの接合状態図． （ａ）ガイドフレームで初期位置合わせ完了時． （ｂ）ガイドフレームに沿って絶縁基板を基板に平行に
スライドさせて対向する電極が接触した時． （ｃ）更に基板をスライドさせて充分な接触圧を得た
時，接続完了．
【図７】１次元又は２次元マイクロアレイコネクタの一
実施例であるマイクロコネクタの接合状態図． （ａ）ガイドフレームで初期位置合わせ完了時． （ｂ）ガイドフレームに沿って絶縁基板間隔を縮小させ
て対向する電極が接触した時． （ｃ）更に絶縁基板間隔を縮小させて充分な接触圧と接
触面積を得た時，接続完了．
実施例であるマイクロコネクタの接合状態図． （ａ）ガイドフレームで初期位置合わせ完了時． （ｂ）ガイドフレームに沿って絶縁基板間隔を縮小させ
て対向する電極が接触した時． （ｃ）更に絶縁基板間隔を縮小させて充分な接触圧と接
触面積を得た時，接続完了．
１ 回路基板 １ａ 配線 ２ コネクタ電極 ２ｃ 接点（接面） ３ 電極保持絶縁基板 ３ａ 半田付接点 ４ コネクタ位置出しガイドフレーム ５ マイクロ電子部品 ６ 留金 ７ 留めネシ ８ 電極傾斜角度 ９ 絶縁基板距離
Claims (12)
- 【請求項１】 Ｗ又はＭｏ１５〜３０原子％を含
有し，残部がＮｉもしくはＣｏよりなる合金であって，
水素含有量を５原子％以下に制限することによって，ビ
ッカース硬度５００ＤＰＮ以上の高硬度を示し，かつ抗
折曲げ試験における歪量０．０１以上の高弾性変形能を
有し，歪量１．０においても破断を生じない高塑性変形
能を有することを特徴とするニッケル基もしくはコバル
ト基電解析出合金． - 【請求項２】 Ｗ又はＭｏ２０〜３０原子％を含
有し，残部がＦｅよりなる合金であって，水素含有量を
３原子％以下に制限することによって，ビッカース硬度
５００ＤＰＮ以上の高硬度を示し，かつ抗折曲げ試験に
おける歪量０．０１以上の高弾性変形能を有し，歪量
１．０においても破断を生じない高塑性変形能を有する
ことを特徴とする鉄基電解析出合金． - 【請求項３】 Ｗ１０〜２５原子％とＭｏ０〜
３０原子との両者を含有するか，又はその一方を含有
し，残部がＮｉ，Ｃｏ又はＦｅの何れか，又は任意の割
合のＮｉ，ＣｏおよびＦｅからなる合金であって，水素
含有量を５原子％以下に制限することによって，ビッカ
ース硬度５００ＤＰＮ以上の高硬度を示し，かつ抗折曲
げ試験における歪量０．０１以上の高弾性変形能を有
し，歪量１．０においても破断を生じない高塑性変形能
を有することを特徴とする電解析出合金． - 【請求項４】 請求項１の内，水素含有量を５原
子％以下に制限するために，ニッケルイオンもしくはコ
バルトイオンと，タングステンイオン又はモリブテンイ
オン含み，クエン酸イオン，アンモニウムイオンを含む
電解液を用いて電解析出させることによって形成される
ことを特徴とするニッケル基もしくはコバルト基電解析
出合金． - 【請求項５】 請求項２の内，水素含有量を３原
子％以下に制限するために，鉄イオンと，タングステン
イオン又はモリブデンイオンを含み，クエン酸イオン，
アンモニウムイオンを含む電解液を用いて電解析出させ
ることによって形成されることを特徴とする鉄基電解析
出合金． - 【請求項６】 請求項３の内，水素含有量を５原
子％以下に制限するために，ニッケルイオン，コバルト
イオン又は鉄イオンの何れか，又は任意の割合のニッケ
ルイオン，コバルトイオンおよび鉄イオンを含み，かつ
タングステンイオン，モリブデンイオン，クエン酸イオ
ン，アンモニウムイオンを含む電解液を用いて電解析出
させることを特徴とする電解析出合金． - 【請求項７】 請求項４の内，水素含有量を５原
子％以下に制限するために，ニッケルイオン０．０１〜
０．５ｍｏｌ／Ｌもしくはコバルトイオン０．０１〜
０．５ｍｏｌ／Ｌを含み，かつタングステンイオン０．
０３〜１．０ｍｏｌ／Ｌ又はモリブデンイオン０．００
１〜０．１ｍｏｌ／Ｌおよび，クエン酸イオン０．０５
〜３．０ｍｏｌ／Ｌ，アンモニウムイオン０．１〜３．
０ｍｏｌ／Ｌを含む成分の電解液を用いて，電解浴温度
５０〜９０度，電解析出電流密度５０Ａ／ｄｍ２以下の
条件で電解析出させることによって形成されることを特
徴とするニッケル基もしくはコバルト基電解析出合金． - 【請求項８】 請求項５の内，水素含有量を３原
子％以下に制限するために，鉄イオン０．０１〜０．５
ｍｏｌ／Ｌ，タングステンイオン０．０３〜１．０ｍｏ
ｌ／Ｌ又はモリブテンイオン０．００１〜０．１ｍｏｌ
／Ｌおよび，クエン酸イオン０．０５〜３．０ｍｏｌ／
Ｌ，アンモニウムイオン０．１〜３．０ｍｏｌ／Ｌを含
む成分の電解液を用いて，電解浴温度５０〜９０度，電
解析出電流密度３０Ａ／ｄｍ２以下の条件で電解析出さ
せることによって形成されることを特徴とする鉄基電解
析出合金． - 【請求項９】 請求項６の内，水素含有量を５原
子％以下に制限するために，ニッケルイオン０．０１〜
０．５ｍｏｌ／Ｌ，コバルトイオン０．０１〜０．５ｍ
ｏｌ／Ｌ以下又は鉄イオン０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ
の何れか，又は上記成分範囲にあって任意の割合のニッ
ケル，コバルトおよび鉄イオンを含み，かつタングステ
ンイオン０．０３〜１．０ｍｏｌ／Ｌ，モリブテンイオ
ン０．００１〜０．１ｍｏｌ／Ｌ，クエン酸イオン０．
０５〜３．０ｍｏｌ／Ｌ，アンモニウムイオン０．１〜
３．０ｍｏｌ／Ｌを含む成分の電解液を用いて，電解浴
温度５０〜９０度，電解析出電流密度５０Ａ／ｄｍ２以
下の条件で電解析出させることことによって形成させる
ことを特徴とする電解析出合金． - 【請求項１０】 ＬＩＧＡプロセス又は同じ効果を
持つリソグラフィープロセスによって基板上にレジズト
パターンを作成して前記レジズトパターンの間隙に請求
項１〜９の何れかの合金を電解析出又はスパッタリング
で形成することにより，プラグとソケットの区別なく対
称の等しい形状を与えられ，弾性変形による接触圧をも
って接触する接続電極対を１次元又は２次元に配列して
保持し，それら電極の電気絶縁と機械的保持を行う絶縁
基板及びスライド位置合わせ機能を持つガイドフレーム
とより成ることを特徴とするマイクロコネクターで，マ
イクロ電子素子を電気的に接続するための機械的に切離
し可能な１次元又は２次元マイクロアレイコネクター． - 【請求項１１】 請求項１０において，互いに接
触する電極の断面として正方形又は長方形をもち，全体
としては角柱の形状をもった接続電極を１次元又は２次
元アレイ状に配列して保持することを特徴とする１次元
または２次元マイクロコネクター． - 【請求項１２】 請求項１０において，互いに接
触する電極を柱状に形成し，その柱が絶縁基板に対し垂
直から０．５〜２０゜の角度で傾斜して形成されている
ことを特徴とする１次元又は２次元マイクロアレイコネ
クター．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988698A JPH11269587A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 電解析出法による合金及びそれを用いた マイクロアレイコネクター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988698A JPH11269587A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 電解析出法による合金及びそれを用いた マイクロアレイコネクター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11269587A true JPH11269587A (ja) | 1999-10-05 |
Family
ID=14772679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11988698A Pending JPH11269587A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 電解析出法による合金及びそれを用いた マイクロアレイコネクター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11269587A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084306A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sonde de contact |
| US6784680B2 (en) | 2000-06-01 | 2004-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Contact probe with guide unit and fabrication method thereof |
| JP2014058716A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Nomura Plating Co Ltd | 金型、型ロールおよび剥離電鋳品 |
| WO2015093407A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 功平 田口 | 水素を含有する金属系構造体又はナノ粒子、及びその製造方法 |
| JP2020180366A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-11-05 | サーキット フォイル ルクセンブルグ | 複合銅箔、プリント配線板、電子機器及び複合銅箔の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP11988698A patent/JPH11269587A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784680B2 (en) | 2000-06-01 | 2004-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Contact probe with guide unit and fabrication method thereof |
| WO2002084306A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sonde de contact |
| US7190179B2 (en) | 2001-04-13 | 2007-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Contact probe |
| CN100339715C (zh) * | 2001-04-13 | 2007-09-26 | 住友电气工业株式会社 | 接触探针 |
| JP2014058716A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Nomura Plating Co Ltd | 金型、型ロールおよび剥離電鋳品 |
| TWI628314B (zh) * | 2012-09-18 | 2018-07-01 | 野村鍍金股份有限公司 | 模具、成形輥及剝離電鑄品 |
| WO2015093407A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 功平 田口 | 水素を含有する金属系構造体又はナノ粒子、及びその製造方法 |
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