JPH1126899A - 合金配線及びその形成方法 - Google Patents
合金配線及びその形成方法Info
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- JPH1126899A JPH1126899A JP18721997A JP18721997A JPH1126899A JP H1126899 A JPH1126899 A JP H1126899A JP 18721997 A JP18721997 A JP 18721997A JP 18721997 A JP18721997 A JP 18721997A JP H1126899 A JPH1126899 A JP H1126899A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線のエッジ部の傾斜を再現性良くさらに緩
やかにする。 【解決手段】 絶縁基板２１上に成膜された配線形成用
合金薄膜２２は、エッチングレートの異なる２種類の金
属材料を合金組成が絶縁基板２１側の下面側から上面側
に向かうに従って漸次エッチングされやすくなるように
成膜したものからなっている。そして、レジストマスク
２３を形成して通常のウェットエッチングを行うと、図
１（Ｂ）において実線で示すように、同図において点線
で示す単なる等方性エッチングの場合と比較して、エッ
ジ部２４ａの傾斜がさらに緩やかとなった配線２４が形
成される。
やかにする。 【解決手段】 絶縁基板２１上に成膜された配線形成用
合金薄膜２２は、エッチングレートの異なる２種類の金
属材料を合金組成が絶縁基板２１側の下面側から上面側
に向かうに従って漸次エッチングされやすくなるように
成膜したものからなっている。そして、レジストマスク
２３を形成して通常のウェットエッチングを行うと、図
１（Ｂ）において実線で示すように、同図において点線
で示す単なる等方性エッチングの場合と比較して、エッ
ジ部２４ａの傾斜がさらに緩やかとなった配線２４が形
成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はエッジ面が傾斜し
た合金配線とその形成方法に関する。
た合金配線とその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、アクティブマトリックス型の液
晶表示装置には、走査信号ライン、データ信号ライン及
び補助容量用ライン等からなる配線を備えているととも
に、走査信号ラインとデータ信号ラインの各交点近傍に
画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子
としての薄膜トランジスタを備えたものがある。
晶表示装置には、走査信号ライン、データ信号ライン及
び補助容量用ライン等からなる配線を備えているととも
に、走査信号ラインとデータ信号ラインの各交点近傍に
画素電極及び該画素電極に接続されたスイッチング素子
としての薄膜トランジスタを備えたものがある。
【０００３】図５及び図６は従来のこのような液晶表示
装置のアクティブマトリックスパネルの一例の一部を示
したものである。このアクティブマトリックスパネルは
ガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面側には
走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリックス
状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４
及び画素電極５が設けられ、さらに走査信号ライン２と
平行して補助容量用ライン６が設けられている。
装置のアクティブマトリックスパネルの一例の一部を示
したものである。このアクティブマトリックスパネルは
ガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面側には
走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリックス
状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４
及び画素電極５が設けられ、さらに走査信号ライン２と
平行して補助容量用ライン６が設けられている。
【０００４】すなわち、ガラス基板１の上面の所定の箇
所にはゲート電極７を含む走査信号ライン２が形成さ
れ、他の所定の箇所には補助容量用ライン６が形成さ
れ、その上面全体にはゲート絶縁膜８が形成されてい
る。ゲート絶縁膜８の上面の所定の箇所でゲート電極７
に対応する部分にはアモルファスシリコンからなる半導
体薄膜９が形成されている。半導体薄膜９の上面の中央
部にはチャネル保護膜１０が形成されている。半導体薄
膜９及びチャネル保護膜１０の上面の両側にはｎ+シリ
コン層１１、１２が形成されている。ｎ+シリコン層１
１、１２の各上面にはドレイン電極１３及びソース電極
１４が形成されている。また、これら電極１３、１４の
形成と同時にデータ信号ライン３が形成されている。ゲ
ート絶縁膜８の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなる画
素電極５がソース電極１４に接続されて形成されてい
る。そして、画素電極５の上辺部は補助容量用ライン６
と重ね合わされ、この重ね合わされた部分によって補助
容量が形成されている。一方、図示していないが、画素
容量は、画素電極５とこれに対向配置された共通電極と
その間に配置された液晶とによって形成されている。
所にはゲート電極７を含む走査信号ライン２が形成さ
れ、他の所定の箇所には補助容量用ライン６が形成さ
れ、その上面全体にはゲート絶縁膜８が形成されてい
る。ゲート絶縁膜８の上面の所定の箇所でゲート電極７
に対応する部分にはアモルファスシリコンからなる半導
体薄膜９が形成されている。半導体薄膜９の上面の中央
部にはチャネル保護膜１０が形成されている。半導体薄
膜９及びチャネル保護膜１０の上面の両側にはｎ+シリ
コン層１１、１２が形成されている。ｎ+シリコン層１
１、１２の各上面にはドレイン電極１３及びソース電極
１４が形成されている。また、これら電極１３、１４の
形成と同時にデータ信号ライン３が形成されている。ゲ
ート絶縁膜８の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなる画
素電極５がソース電極１４に接続されて形成されてい
る。そして、画素電極５の上辺部は補助容量用ライン６
と重ね合わされ、この重ね合わされた部分によって補助
容量が形成されている。一方、図示していないが、画素
容量は、画素電極５とこれに対向配置された共通電極と
その間に配置された液晶とによって形成されている。
【０００５】ところで、ゲート電極７を含む走査信号ラ
イン２及び補助容量用ライン６を形成する場合には、ま
ず、図７（Ａ）に示すように、ガラス基板１の上面にア
ルミニウム等からなる配線形成用膜１５を成膜する。次
に、配線形成用膜１５の上面の所定の箇所にレジストマ
スク１６を形成する。次に、ウェットエッチングを行う
と、図７（Ｂ）に示すように、レジストマスク１６下に
走査信号ライン２等の配線１７が形成される。この場
合、配線１７のエッジ部(側面)１７ａは等方的にエッチ
ングされる。このように、等方的にエッチングするの
は、１つは、図６に示すように、走査信号ライン２のエ
ッジ部２ａ及び補助容量用ライン６のエッジ部６ａの傾
斜を緩やかとし、走査信号ライン２のエッジ部２ａ上及
び補助容量用ライン６のエッジ部６ａ上にゲート絶縁膜
８を介して形成されるデータ信号ライン３に断線が生じ
ないようにするためである。もう１つは、ゲート電極７
のエッジ部７ａ上に形成されるゲート絶縁膜８の絶縁耐
圧が低下しないようにするためである。
イン２及び補助容量用ライン６を形成する場合には、ま
ず、図７（Ａ）に示すように、ガラス基板１の上面にア
ルミニウム等からなる配線形成用膜１５を成膜する。次
に、配線形成用膜１５の上面の所定の箇所にレジストマ
スク１６を形成する。次に、ウェットエッチングを行う
と、図７（Ｂ）に示すように、レジストマスク１６下に
走査信号ライン２等の配線１７が形成される。この場
合、配線１７のエッジ部(側面)１７ａは等方的にエッチ
ングされる。このように、等方的にエッチングするの
は、１つは、図６に示すように、走査信号ライン２のエ
ッジ部２ａ及び補助容量用ライン６のエッジ部６ａの傾
斜を緩やかとし、走査信号ライン２のエッジ部２ａ上及
び補助容量用ライン６のエッジ部６ａ上にゲート絶縁膜
８を介して形成されるデータ信号ライン３に断線が生じ
ないようにするためである。もう１つは、ゲート電極７
のエッジ部７ａ上に形成されるゲート絶縁膜８の絶縁耐
圧が低下しないようにするためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような配線の構造では、配線形成用膜１５が等方的
にエッチングされるだけであるので、形成される配線１
７のエッジ部１７ａの傾斜の度合に限界がある。この結
果、走査信号ライン２等の配線１７上に形成されるデー
タ信号ライン３の線幅を細くしすぎると、データ信号ラ
イン３に断線が生じやすくなるので、データ信号ライン
３の線幅にも限界があり、高開口率を妨げる一要因にな
っているという問題があった。なお、レジストマスク１
６のベーク時間やエッチング液の組成、温度等を制御す
ることにより、レジストマスク１６と配線形成用膜１５
との界面にエッチング液を徐々に侵入させて、配線１７
のエッジ部１７ａの傾斜をさらに緩やかにすることが考
えられる。しかしながら、このような方法では、レジス
トマスク１６のベーク時間の振れやエッチング液の組
成、温度等の変動により、配線形成用膜１５のレジスト
マスク１６との界面における侵食の度合が大きく左右さ
れ、再現性が悪いという問題がある。この発明の課題
は、配線のエッジ部の傾斜を再現性良くさらに緩やかに
することである。
このような配線の構造では、配線形成用膜１５が等方的
にエッチングされるだけであるので、形成される配線１
７のエッジ部１７ａの傾斜の度合に限界がある。この結
果、走査信号ライン２等の配線１７上に形成されるデー
タ信号ライン３の線幅を細くしすぎると、データ信号ラ
イン３に断線が生じやすくなるので、データ信号ライン
３の線幅にも限界があり、高開口率を妨げる一要因にな
っているという問題があった。なお、レジストマスク１
６のベーク時間やエッチング液の組成、温度等を制御す
ることにより、レジストマスク１６と配線形成用膜１５
との界面にエッチング液を徐々に侵入させて、配線１７
のエッジ部１７ａの傾斜をさらに緩やかにすることが考
えられる。しかしながら、このような方法では、レジス
トマスク１６のベーク時間の振れやエッチング液の組
成、温度等の変動により、配線形成用膜１５のレジスト
マスク１６との界面における侵食の度合が大きく左右さ
れ、再現性が悪いという問題がある。この発明の課題
は、配線のエッジ部の傾斜を再現性良くさらに緩やかに
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る合金配線は、基板上にエッチングレートの異なる複数
の金属材料からなる合金薄膜を成膜し前記合金薄膜をエ
ッチングして形成した合金配線であって、前記合金薄膜
の合金組成を基板側から反基板側に向かうに従って漸次
エッチングされやすくなるように連続的に変化させ、配
線幅が基板側から反基板側に向かうに従って漸次幅狭と
なるようにしたものである。請求項２記載の発明に係る
合金配線の形成方法は、基板上にエッチングレートの異
なる複数の金属材料からなる合金薄膜を基板側から反基
板側に向かうに従って漸次エッチングされやすくなるよ
うに組成を連続的に変化させて成膜し、前記合金薄膜に
エッチングを行うことにより、基板側から反基板側に向
かうに従って漸次幅狭となる配線を形成するようにした
ものである。
る合金配線は、基板上にエッチングレートの異なる複数
の金属材料からなる合金薄膜を成膜し前記合金薄膜をエ
ッチングして形成した合金配線であって、前記合金薄膜
の合金組成を基板側から反基板側に向かうに従って漸次
エッチングされやすくなるように連続的に変化させ、配
線幅が基板側から反基板側に向かうに従って漸次幅狭と
なるようにしたものである。請求項２記載の発明に係る
合金配線の形成方法は、基板上にエッチングレートの異
なる複数の金属材料からなる合金薄膜を基板側から反基
板側に向かうに従って漸次エッチングされやすくなるよ
うに組成を連続的に変化させて成膜し、前記合金薄膜に
エッチングを行うことにより、基板側から反基板側に向
かうに従って漸次幅狭となる配線を形成するようにした
ものである。
【０００８】この発明によれば、合金薄膜の合金組成を
基板側から反基板側に向かうに従って漸次エッチングさ
れやすくなるようにしているので、エッチングを行う
と、単なる等方性エッチングの場合と比較して、配線の
エッジ部の傾斜をさらに緩やかにすることができる。し
かも、この場合、配線のエッジ部の傾斜の度合は合金薄
膜の合金組成に左右されるが、この合金組成の調整を容
易に行うことができ、したがって配線のエッジ部の傾斜
の度合の再現性を良くすることができる。
基板側から反基板側に向かうに従って漸次エッチングさ
れやすくなるようにしているので、エッチングを行う
と、単なる等方性エッチングの場合と比較して、配線の
エッジ部の傾斜をさらに緩やかにすることができる。し
かも、この場合、配線のエッジ部の傾斜の度合は合金薄
膜の合金組成に左右されるが、この合金組成の調整を容
易に行うことができ、したがって配線のエッジ部の傾斜
の度合の再現性を良くすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ
この発明の一実施形態における配線の各形成工程を示し
たものである。この実施形態では、まず、図１（Ａ）に
示すように、ガラス基板等からなる絶縁基板２１の上面
に配線形成用合金薄膜２２を成膜する。この場合の配線
形成用合金薄膜２２は、エッチングレートの異なる２種
類以上の金属材料の合金であり、その合金組成が配線形
成用合金薄膜２２の絶縁基板２１側の下面側から反基板
側となる上面側に向かうに従って漸次エッチングされや
すくなる組成となっている。
この発明の一実施形態における配線の各形成工程を示し
たものである。この実施形態では、まず、図１（Ａ）に
示すように、ガラス基板等からなる絶縁基板２１の上面
に配線形成用合金薄膜２２を成膜する。この場合の配線
形成用合金薄膜２２は、エッチングレートの異なる２種
類以上の金属材料の合金であり、その合金組成が配線形
成用合金薄膜２２の絶縁基板２１側の下面側から反基板
側となる上面側に向かうに従って漸次エッチングされや
すくなる組成となっている。
【００１０】ここで、一般論として、図１（Ａ）に示す
配線形成用合金薄膜２２を金属Ａと金属Ｂの２種類の金
属の合金ＡXＢ1-X（Ｘ＝０〜１）によって形成するとす
る。この場合、エッチングレートは金属Ａの方が金属Ｂ
よりも遅いとする。そして、堆積される合金ＡXＢ1-Xの
Ｘが配線形成用合金薄膜２２の下面（Ｘ＝１）側から上
面（Ｘ＝０）側に向かうに従って連続的に（または段階
的に）漸次減少するように成膜する。すると、配線形成
用合金薄膜２２のエッチングレートは、上面側から下面
側に向かうに従って連続的に漸次遅くなる。次に、配線
形成用合金薄膜２２の上面の所定の箇所にレジストマス
ク２３を形成する。次いで、ウェットエッチングを行う
と、配線形成用合金薄膜２２のエッチングレートが上面
側から下面側に向かうに従って連続的に漸次遅くなって
いるので、図１（Ｂ）において実線で示すように、同図
において点線で示す単なる等方性エッチングの場合と比
較して、エッジ部２４ａの傾斜がさらに緩やかとなった
配線２４が形成される。この場合、配線２４のエッジ部
２４ａの傾斜の度合は配線形成用合金薄膜２２の合金組
成に左右されるが、この合金組成の調整は容易に行うこ
とができ、したがって配線２４のエッジ部２４ａの傾斜
の度合の再現性を良くすることができる。
配線形成用合金薄膜２２を金属Ａと金属Ｂの２種類の金
属の合金ＡXＢ1-X（Ｘ＝０〜１）によって形成するとす
る。この場合、エッチングレートは金属Ａの方が金属Ｂ
よりも遅いとする。そして、堆積される合金ＡXＢ1-Xの
Ｘが配線形成用合金薄膜２２の下面（Ｘ＝１）側から上
面（Ｘ＝０）側に向かうに従って連続的に（または段階
的に）漸次減少するように成膜する。すると、配線形成
用合金薄膜２２のエッチングレートは、上面側から下面
側に向かうに従って連続的に漸次遅くなる。次に、配線
形成用合金薄膜２２の上面の所定の箇所にレジストマス
ク２３を形成する。次いで、ウェットエッチングを行う
と、配線形成用合金薄膜２２のエッチングレートが上面
側から下面側に向かうに従って連続的に漸次遅くなって
いるので、図１（Ｂ）において実線で示すように、同図
において点線で示す単なる等方性エッチングの場合と比
較して、エッジ部２４ａの傾斜がさらに緩やかとなった
配線２４が形成される。この場合、配線２４のエッジ部
２４ａの傾斜の度合は配線形成用合金薄膜２２の合金組
成に左右されるが、この合金組成の調整は容易に行うこ
とができ、したがって配線２４のエッジ部２４ａの傾斜
の度合の再現性を良くすることができる。
【００１１】次に、配線形成用合金薄膜２２の具体的な
形成方法の一例について説明する。まず、図２（ａ）に
示すように、スパッタリング装置の成膜室３１内の所定
の２箇所に金属Ａからなるターゲット（成膜源）３２Ａ
と金属Ｂからなるターゲット３２Ｂとを所定の間隔をお
いて配置する。この場合、金属Ａのエッチングレートが
金属Ｂのそれよりも遅いので、成膜室３１内の左側の所
定の箇所にターゲット３２Ａを配置し、右側の所定の箇
所にターゲット３２Ｂを配置する。例えば、配線形成用
合金薄膜２２をＡｌ−Ｎｄ合金によって形成する場合に
は、Ｎｄ含有量が増加するほどＡｌ−Ｎｄ合金のエッチ
ングレートが早くなるので、金属ＡをＡｌとし、金属Ｂ
をＮｄとする。Ａｌ−Ｔｉ合金によって形成する場合に
は、Ｔｉ含有量が増加するほどＡｌ−Ｔｉ合金のエッチ
ングレートが遅くなるので、金属ＡをＴｉとし、金属Ｂ
をＡｌとする。Ａｌ−Ｍｏ合金によって形成する場合に
は、エッチング液の種類により、Ｍｏ含有量が増加する
ほどＡｌ−Ｍｏ合金のエッチングレートが早くなったり
遅くなったりするので、金属ＡをＡｌとしてもよくまた
Ｍｏとしてもよい。
形成方法の一例について説明する。まず、図２（ａ）に
示すように、スパッタリング装置の成膜室３１内の所定
の２箇所に金属Ａからなるターゲット（成膜源）３２Ａ
と金属Ｂからなるターゲット３２Ｂとを所定の間隔をお
いて配置する。この場合、金属Ａのエッチングレートが
金属Ｂのそれよりも遅いので、成膜室３１内の左側の所
定の箇所にターゲット３２Ａを配置し、右側の所定の箇
所にターゲット３２Ｂを配置する。例えば、配線形成用
合金薄膜２２をＡｌ−Ｎｄ合金によって形成する場合に
は、Ｎｄ含有量が増加するほどＡｌ−Ｎｄ合金のエッチ
ングレートが早くなるので、金属ＡをＡｌとし、金属Ｂ
をＮｄとする。Ａｌ−Ｔｉ合金によって形成する場合に
は、Ｔｉ含有量が増加するほどＡｌ−Ｔｉ合金のエッチ
ングレートが遅くなるので、金属ＡをＴｉとし、金属Ｂ
をＡｌとする。Ａｌ−Ｍｏ合金によって形成する場合に
は、エッチング液の種類により、Ｍｏ含有量が増加する
ほどＡｌ−Ｍｏ合金のエッチングレートが早くなったり
遅くなったりするので、金属ＡをＡｌとしてもよくまた
Ｍｏとしてもよい。
【００１２】そして、成膜室３１内をＸ方向に移動可能
な基板ホルダ２３上に絶縁基板２１を固定し、基板ホル
ダ３３を成膜室３１内においてＸ方向につまり左側から
右方向に移動させる。すると、絶縁基板２１はターゲッ
ト３２Ａと対向した後にターゲット３２Ｂと対向するこ
とになる。この場合、基板ホルダ３３の移動速度が一定
であり、かつ両ターゲット３２Ａ、３２Ｂによるスパッ
タリング条件が同じであるとすると、絶縁基板２１上に
成膜される金属Ａ及び金属Ｂの各成膜（レート）分布
は、例えば図２（ｂ）に示すように、同一形状のサイン
カーブ形状となる。そして、まず、絶縁基板２１の右端
部が金属Ａの成膜分布の左端部に対応する位置に差し掛
かると、金属Ａの成膜が開始され、金属Ａの成膜分布に
応じた厚さの膜が形成される。次に、絶縁基板２１の右
端部が金属Ｂの成膜分布の左端部に対応する位置に差し
掛かると、金属Ｂの成膜が開始され、金属Ｂの成膜分布
に応じた厚さの膜が形成される。この場合、金属Ａの成
膜分布の右側と金属Ｂの成膜分布の左側とは互いに重な
っているので、この重なった領域では両ターゲット３２
Ａ、ターゲット３２Ｂからの金属粒子が混ざりあい、両
成膜分布の和の厚さの膜が形成される。金属Ａと金属Ｂ
との混ざる割合は、両成膜分布が同一形状のサインカー
ブ形状であるので、絶縁基板２１がＸ方向に移動するに
従って、金属Ａが徐々に減少するとともに金属Ｂが徐々
に増加する。したがって、絶縁基板２１上に、金属Ａと
金属Ｂの合金組成が下面側から上面側に向かうに従って
漸次エッチングされやすくなるようになった配線形成用
合金薄膜が成膜される。
な基板ホルダ２３上に絶縁基板２１を固定し、基板ホル
ダ３３を成膜室３１内においてＸ方向につまり左側から
右方向に移動させる。すると、絶縁基板２１はターゲッ
ト３２Ａと対向した後にターゲット３２Ｂと対向するこ
とになる。この場合、基板ホルダ３３の移動速度が一定
であり、かつ両ターゲット３２Ａ、３２Ｂによるスパッ
タリング条件が同じであるとすると、絶縁基板２１上に
成膜される金属Ａ及び金属Ｂの各成膜（レート）分布
は、例えば図２（ｂ）に示すように、同一形状のサイン
カーブ形状となる。そして、まず、絶縁基板２１の右端
部が金属Ａの成膜分布の左端部に対応する位置に差し掛
かると、金属Ａの成膜が開始され、金属Ａの成膜分布に
応じた厚さの膜が形成される。次に、絶縁基板２１の右
端部が金属Ｂの成膜分布の左端部に対応する位置に差し
掛かると、金属Ｂの成膜が開始され、金属Ｂの成膜分布
に応じた厚さの膜が形成される。この場合、金属Ａの成
膜分布の右側と金属Ｂの成膜分布の左側とは互いに重な
っているので、この重なった領域では両ターゲット３２
Ａ、ターゲット３２Ｂからの金属粒子が混ざりあい、両
成膜分布の和の厚さの膜が形成される。金属Ａと金属Ｂ
との混ざる割合は、両成膜分布が同一形状のサインカー
ブ形状であるので、絶縁基板２１がＸ方向に移動するに
従って、金属Ａが徐々に減少するとともに金属Ｂが徐々
に増加する。したがって、絶縁基板２１上に、金属Ａと
金属Ｂの合金組成が下面側から上面側に向かうに従って
漸次エッチングされやすくなるようになった配線形成用
合金薄膜が成膜される。
【００１３】ところで、金属Ａと金属Ｂの合金組成は、
各ターゲット３２Ａ、３２Ｂに印加する電力（ＤＣまた
はＲＦ）、そのときの各成膜分布、両ターゲット３２
Ａ、３２Ｂ間の間隔、基板ホルダ３３の移動速度（加速
減速を含む）等のスパッタリング条件を変えたりするこ
とにより、容易に調整することができる。
各ターゲット３２Ａ、３２Ｂに印加する電力（ＤＣまた
はＲＦ）、そのときの各成膜分布、両ターゲット３２
Ａ、３２Ｂ間の間隔、基板ホルダ３３の移動速度（加速
減速を含む）等のスパッタリング条件を変えたりするこ
とにより、容易に調整することができる。
【００１４】なお、上記実施形態では、成膜室３１内に
金属Ａからなるターゲット３２Ａと金属Ｂからなるター
ゲット３２Ｂとを配置した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではない。例えば、図３に示すよう
に、１つのバックプレート４２の所定の面の左側に金属
Ａを配置するとともに右側に金属Ｂを配置してなる１つ
のターゲット４１を用意し、図４（ａ）に示すように、
この１つのターゲット４１を成膜室３１内の所定の箇所
に配置するようにしてもよい。この場合、基板ホルダ３
３の移動速度が一定であり、かつ金属Ａと金属Ｂとによ
るスパッタリング条件が同じであるとすると、絶縁基板
２１上に成膜される金属Ａ及び金属Ｂの各成膜分布は、
例えば図４（ｂ）に示すようになる。これにより、絶縁
基板２１上に、金属Ａと金属Ｂの合金組成が下面側から
上面側に向かうに従って漸次エッチングされやすくなる
ようになった配線形成用合金薄膜が成膜される。
金属Ａからなるターゲット３２Ａと金属Ｂからなるター
ゲット３２Ｂとを配置した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではない。例えば、図３に示すよう
に、１つのバックプレート４２の所定の面の左側に金属
Ａを配置するとともに右側に金属Ｂを配置してなる１つ
のターゲット４１を用意し、図４（ａ）に示すように、
この１つのターゲット４１を成膜室３１内の所定の箇所
に配置するようにしてもよい。この場合、基板ホルダ３
３の移動速度が一定であり、かつ金属Ａと金属Ｂとによ
るスパッタリング条件が同じであるとすると、絶縁基板
２１上に成膜される金属Ａ及び金属Ｂの各成膜分布は、
例えば図４（ｂ）に示すようになる。これにより、絶縁
基板２１上に、金属Ａと金属Ｂの合金組成が下面側から
上面側に向かうに従って漸次エッチングされやすくなる
ようになった配線形成用合金薄膜が成膜される。
【００１５】また、上記実施形態では、配線を例えばＡ
ｌとＮｄの２種類の金属の合金によって形成する場合に
ついて説明したが、これに限らず、例えばＡｌとＮｄと
Ｔｉの３種類の金属の合金によって形成するようにして
もよく、また４種類以上の金属の合金によって形成する
ようにしてもよい。この場合、スパッタリング装置の成
膜室内に複数の金属材料にそれぞれ対応する複数のター
ゲットを所定の間隔をおいて配置するようにしてもよ
く、また１つのバックプレートの所定の面に複数の金属
材料を並列に配置してなる１つのターゲットを用いるよ
うにしてもよい。また、１つのバックプレートの所定の
面に複数の金属材料を層状に配置してなる１つのターゲ
ットを用いるようにしてもよい。さらに、スパッタリン
グ法に限らず、蒸着法等の他の成膜法によって成膜する
ようにしてもよい。蒸着法の場合には、蒸着装置の成膜
室内に複数の金属材料にそれぞれ対応する複数の蒸着源
（成膜源）を所定の間隔をおいて配置し、これらの蒸着
源に対して絶縁基板を移動させるようにすればよい。
ｌとＮｄの２種類の金属の合金によって形成する場合に
ついて説明したが、これに限らず、例えばＡｌとＮｄと
Ｔｉの３種類の金属の合金によって形成するようにして
もよく、また４種類以上の金属の合金によって形成する
ようにしてもよい。この場合、スパッタリング装置の成
膜室内に複数の金属材料にそれぞれ対応する複数のター
ゲットを所定の間隔をおいて配置するようにしてもよ
く、また１つのバックプレートの所定の面に複数の金属
材料を並列に配置してなる１つのターゲットを用いるよ
うにしてもよい。また、１つのバックプレートの所定の
面に複数の金属材料を層状に配置してなる１つのターゲ
ットを用いるようにしてもよい。さらに、スパッタリン
グ法に限らず、蒸着法等の他の成膜法によって成膜する
ようにしてもよい。蒸着法の場合には、蒸着装置の成膜
室内に複数の金属材料にそれぞれ対応する複数の蒸着源
（成膜源）を所定の間隔をおいて配置し、これらの蒸着
源に対して絶縁基板を移動させるようにすればよい。
【００１６】ところで、この発明を例えば図６に示すよ
うな液晶表示装置に適用した場合には、走査信号ライン
２のエッジ部２ａ及び補助容量用ライン６のエッジ部６
ａの傾斜を、単なる等方性エッチングの場合と比較し
て、さらに緩やかにすることができるので、データ信号
ライン３の線幅をある程度細くしても、データ信号ライ
ン３に断線が生じないようにすることができ、ひいては
開口率を高くすることができる。また、ゲート電極７の
エッジ部７ａの傾斜も同様にさらに緩やかにすることが
できるので、その上に形成されるゲート絶縁膜８の絶縁
耐圧がより一層低下しないようにすることができる。
うな液晶表示装置に適用した場合には、走査信号ライン
２のエッジ部２ａ及び補助容量用ライン６のエッジ部６
ａの傾斜を、単なる等方性エッチングの場合と比較し
て、さらに緩やかにすることができるので、データ信号
ライン３の線幅をある程度細くしても、データ信号ライ
ン３に断線が生じないようにすることができ、ひいては
開口率を高くすることができる。また、ゲート電極７の
エッジ部７ａの傾斜も同様にさらに緩やかにすることが
できるので、その上に形成されるゲート絶縁膜８の絶縁
耐圧がより一層低下しないようにすることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、合金薄膜の合金組成を基板側から反基板側に向かう
に従って漸次エッチングされやすくなるようにしている
ので、エッチングを行うと、単なる等方性エッチングの
場合と比較して、配線のエッジ部の傾斜をさらに緩やか
にすることができる。しかも、この場合、配線のエッジ
部の傾斜の度合は合金薄膜の合金組成に左右されるが、
この合金組成の調整を容易に行うことができ、したがっ
て配線のエッジ部の傾斜の度合の再現性を良くすること
ができる。
ば、合金薄膜の合金組成を基板側から反基板側に向かう
に従って漸次エッチングされやすくなるようにしている
ので、エッチングを行うと、単なる等方性エッチングの
場合と比較して、配線のエッジ部の傾斜をさらに緩やか
にすることができる。しかも、この場合、配線のエッジ
部の傾斜の度合は合金薄膜の合金組成に左右されるが、
この合金組成の調整を容易に行うことができ、したがっ
て配線のエッジ部の傾斜の度合の再現性を良くすること
ができる。
【図１】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれこの発明の一実施
形態における配線の各形成工程を示す断面図。
形態における配線の各形成工程を示す断面図。
【図２】（ａ）はスパッタリング装置の一部の概略図、
（ｂ）はあるスパッタリング条件下における金属Ａ及び
金属Ｂの各成膜分布を示す図。
（ｂ）はあるスパッタリング条件下における金属Ａ及び
金属Ｂの各成膜分布を示す図。
【図３】ターゲットの他の例を示す斜視図。
【図４】（ａ）は図３に示すターゲットを用いた場合の
スパッタリング装置の一部の概略図、（ｂ）はあるスパ
ッタリング条件下における金属Ａ及び金属Ｂの各成膜分
布を示す図。
スパッタリング装置の一部の概略図、（ｂ）はあるスパ
ッタリング条件下における金属Ａ及び金属Ｂの各成膜分
布を示す図。
【図５】従来の液晶表示装置のアクティブマトリックス
パネルの一部の平面図。
パネルの一部の平面図。
【図６】図５のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ図６に示す走査信
号ライン等からなる配線の各形成工程を示す断面図。
号ライン等からなる配線の各形成工程を示す断面図。
２１ 絶縁基板 ２２ 配線形成用合金薄膜 ２３ レジストマスク ２４ 配線 ２４ａ エッジ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｂ 3/06 3/06 Ｐ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上にエッチングレートの異なる複数
の金属材料からなる合金薄膜を成膜し前記合金薄膜をエ
ッチングして形成した合金配線であって、前記合金薄膜
の合金組成を基板側から反基板側に向かうに従って漸次
エッチングされやすくなるように連続的に変化させ、配
線幅が基板側から反基板側に向かうに従って漸次幅狭と
なっていることを特徴とする合金配線。 - 【請求項２】 基板上にエッチングレートの異なる複数
の金属材料からなる合金薄膜を基板側から反基板側に向
かうに従って漸次エッチングされやすくなるように組成
を連続的に変化させて成膜し、前記合金薄膜にエッチン
グを行うことにより、基板側から反基板側に向かうに従
って漸次幅狭となる配線を形成することを特徴とする合
金配線の形成方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の発明において、成膜室内
に前記複数の金属材料にそれぞれ対応する複数の成膜源
を所定の間隔をおいて配置し、これらの成膜源に対して
前記基板を移動させることにより、前記合金薄膜を形成
することを特徴とする合金配線の形成方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の発明において、前記成膜
源がスパッタリングターゲットであり、前記合金薄膜を
スパッタリングにより形成することを特徴とする合金配
線の形成方法。 - 【請求項５】 請求項２記載の発明において、前記複数
の金属材料により１つのスパッタリングターゲットを形
成し、このスパッタリングターゲットを用いて前記合金
薄膜を形成することを特徴とする合金配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18721997A JPH1126899A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 合金配線及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18721997A JPH1126899A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 合金配線及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126899A true JPH1126899A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16202164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18721997A Pending JPH1126899A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 合金配線及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126899A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1329432A1 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for producing aspherical structure, and aspherical lens array molding tool and aspherical lens array produced by the same method |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP18721997A patent/JPH1126899A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1329432A1 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for producing aspherical structure, and aspherical lens array molding tool and aspherical lens array produced by the same method |
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