JPH11265824A - インダクタンス素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生産性が向上し，しかも特性の優れたインダ
クタンス素子とそのコアと，その製造方法とを提供する
ことにある。 【解決手段】 フェライト材もしくはアルミナ材で形成
された絶縁性のインダクタンス素子用コア１の全面に銅
のメッキを施して導電膜５を形成し，前記導電膜５の外
周をレーザー光により切削して，螺旋溝６を形成した
後，前記螺旋溝６を覆うように保護膜材を塗布してなる
インダクタンス素子において，前記インダクタンス素子
用コア１の形状が前記螺旋溝６を形成する部分において
は円柱もしくは４ｎ角柱（但し，ｎはｎ≧の整数）の形
状でありながら，両側端のインダクタンス素子の外部電
極端子部３，４を形成する部分においては前記螺旋溝６
を形成する部分よりも大きな４ｍ角柱（但し，ｍはｍ≧
１の整数）の形状を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，電子機器等に用い
られるインダクタンス素子及びその製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】図９，図１０及び図１１は従来のインダ
クタンス素子を示す斜視図である。図９乃至１１を参照
すると，インダクタンス素子５０は，コア５１の上に導
電膜５２を設けて形成し，基体５３にレーザー光により
溝５４を形成する事によってインダクタンス素子を形成
し，この溝５４を覆うとともに，両端縁面を露出させて
保護膜材５５を設けた構成を有している。これにより，
特に細線を使用する小型のインダクタンス素子（例え
ば，１．６×０．８×０．８ｍｍのサイズや１．０×
０．５×０．５ｍｍのサイズ）においては巻線みだれ等
がないので巻線タイプのインダクターに対して特性ばら
つきの少ないインダクタンス素子を提供できる。

【０００３】しかも，コア５１を円柱から四角柱形状に
したことで，プリント基板への実装時にころがりなどお
こりにくくなるので基板実装性がよくなるという利点を
有している。

【０００４】また，図１２は，図９乃至図１１の従来例
を利用したインダクンス素子のモデルを示している。図
１２においては，両側の端子部５７，５８が巻芯部より
も寸法の大きな４角板状に形成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記従
来の構成では，コア５１が四角柱であるために，コア５
１の角部と面部においてレーザー光源からの距離が一定
ではなくなるので，コア５１上の巻芯部に形成されたカ
ットされる導電膜５２の溝の切り幅が角部と面部とでは
異なり，角部では切り幅が広くなるためこの部分で導体
幅が細くなり，それがＱの特性を劣化させたり，また面
部では切り幅が狭くなり切り残しによるＴｕｒｎ数の不
良を発生する場合があるなどの問題点があった。

【０００６】また，図１２に示すインダクタンス素子で
は，コア形状を円柱形状から四角柱にしたことにより，
プリント基板への実装性はよくなったものの，反面コア
の角部と面部とのレーザーとの距離が円柱形状にくらべ
一定ではなくなった。このため，例えば，１．６×０．
８×０．８ｍサイズの四角柱のアルミナコアに銅の全面
メッキを施したコアを波長が１．０６４μｍのＹＡＧレ
ーザー（出力６〜１２Ｗ）にて加工する場合，カット部
に，ばりを生じたり，角部と面部とのカット幅が変化し
て，全周方向での一様なカット幅が保持できなかった。
例えば，バレル研磨等によりコアの角部の面取りを施し
た程度ではこれらの問題は解決できない。

【０００７】そこで，本発明の技術的課題は，生産性が
向上し，しかも特性の優れたインダクタンス素子とその
製造方法とを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば，フェラ
イト材もしくはアルミナ材で形成された絶縁性を備えた
インダクタンス素子用コアの全面に導電膜を形成し，前
記導電膜の外周をレーザー光により切削して，螺旋溝を
形成した後，前記螺旋溝を覆うように保護膜材を塗布し
てなるインダクタンス素子において，前記インダクタン
ス素子用コアの形状が前記螺旋溝を形成する部分におい
ては円柱もしくは４ｎ角柱（但し，ｎはｎ≧の整数）の
形状でありながら，両側端のインダクタンス素子の外部
電極端子部を形成する部分においては前記螺旋溝を形成
する部分よりも大きな断面寸法を有する４ｍ角柱（但
し，ｍはｍ≧１の整数）の形状を有していることを特徴
とするインダクタンス素子が得られる。

【０００９】また，本発明によれば，前記インダクタン
ス素子において，前記導電膜は，銅めっき膜から実質的
になることを特徴とするインダクタンス素子が得られ
る。

【００１０】また，本発明によれば，前記いずれかのイ
ンダクタンス素子において，前記導電膜の厚さを２２μ
ｍ〜３０μｍとしたことを特徴とするインダクタンス素
子。

【００１１】また，本発明によれば，前記いずれかのイ
ンダクタンス素子において，前記導電膜の厚さを５〜１
４μｍとしたことを特徴とするインダクタンス素子が得
られる。

【００１２】また，本発明によれば，前記いずれかのイ
ンダクタンス素子において，前記導電膜の外周をレーザ
ー光により螺旋溝に切削したときの導体の幅をｄとし，
前記螺旋溝を介した導体と導体のピッチをｐとしたと
き，ｄとｐの関係が２．６≦ｐ／ｄ≦３．０となる範囲
にｄとｐの値を設定したことを特徴とするインダクタン
ス素子が得られる。

【００１３】また，本発明によれば，前記いずれかのイ
ンダクタンス素子において，前記保護膜材は，比重１．
３以上のエポキシ樹脂を用いたものからなることを特徴
とするインダクタンス素子が得られる。

【００１４】また，本発明によれば，フェライト材もし
くはアルミナ材で形成された絶縁性を備えたインダクタ
ンス素子用コアの全面に導電膜を形成し，前記導電膜の
外周をレーザー光により切削して，螺旋溝を形成するイ
ンダクタンス素子の製造方法において，前記絶縁性コア
の形状が前記螺旋溝を形成する部分においては円柱もし
くは４ｎ角柱（但し，ｎはｎ≧の整数）の形状でありな
がら，両側端のインダクタンス素子の外部電極端子部を
形成する部分においては，前記螺旋溝を形成する部分よ
りも大きな４ｍ角柱（但し，ｍはｍ≧１の整数）の形状
を有するように形成することを特徴とするインダクタン
ス素子の製造方法が得られる。

【００１５】また，本発明によれば，前記インダクタン
ス素子の製造方法において，前記導電膜として銅めっき
膜を用いることを特徴とするインダクタンス素子の製造
方法が得られる。

【００１６】また，本発明によれば，前記いずれかのイ
ンダクタンス素子の製造方法において，前記導電膜の外
周の切削に，波長が１．０６４μｍのＹＡＧレーザー光
を用いることを特徴とするインダクタンス素子の製造方
法が得られる。

【００１７】また，本発明によれば，前記いずれかのイ
ンダクタンス素子の製造方法において，前記導電膜の切
削の後に，前記螺旋溝を覆うように保護膜材を塗布する
ことを特徴とするインダクタンス素子の製造方法が得ら
れる。

【００１８】即ち，要約すると，本発明では，コアの全
面に導電膜を形成し，前記導電膜の外周をレーザー光に
より切削して螺旋溝を形成した後，前記螺旋溝を覆うよ
うに保護膜材を塗布してなるインダクタンス素子におい
て，前記螺旋溝形成部は円柱もしくは八角柱もしくは１
２角柱の形状とし，しかもコア両端の外部電極端子部は
前記螺旋溝を形成する部分よりも大きな四角柱または八
角柱または１２角柱の形状を有する構成としたものであ
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００２０】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態によるインダクタンス素子を示す斜視図で
ある。図１に示すように，インダクタンス素子１０のコ
ア１は，アルミナもしくはフェライトからなり，外形が
円柱の形状で構成された巻芯部２を備え，そのおのおの
の両端には正八角形でない八角柱形状により構成された
外部電極端子部（以下，単に端子部と呼ぶ）３，４を備
えている。また，コア１の巻芯部２と端子部３，４に該
当する部分の周囲には，めっき膜５が形成されている。
この巻芯部２のめっき膜５は，レーザーにより螺旋溝６
が形成され，その上に，端子部３，４を除いて図示しな
い保護膜材の被覆が設けられる。

【００２１】この本発明の第１の実施の形態によるイン
ダクタンス素子１０においては，図１に示すように，め
っき膜５の螺旋溝形成部分（レーザーカット部分）の形
状を円柱の形状にすることにより，レーザーとコア１の
距離をコアの全周においてほぼ一定とすることができ
る。これによって，螺旋溝６のカット部のばりの発生の
抑制と，螺旋溝６のカット幅７を一定にでき，しかも端
子部３，４は基板実装時には，安定性のよい非八角柱と
しているので，メルフタイプのチップ部品，即ち，全体
が円柱形状のもののように基板実装時に回転するなどの
実装上の問題を生じない。

【００２２】（第２の実施の形態）図２は本発明の第２
の実施の形態によるインダクタンス素子を示す斜視図で
ある。図２に示すようにインダクタンス素子２０のコア
１１は，アルミナもしくはフェライトからなり，外形が
非正八角柱の形状で構成された巻芯部１２と，その両端
に形成された四角柱形状により構成された各々の端子部
１３，１４とを備え，それらの外周は，めっき膜１５に
よって覆われている。この巻芯部１２のめっき膜１５
は，レーザーにより螺旋溝１６が形成され，その上に，
端子部１３，１４を除いて図示しない絶縁保護膜材の被
覆が設けられる。

【００２３】このような構成の本発明の第２の実施の形
態によるインダクタンス素子１０においては，図２に示
すように，めっき膜１５からなる螺旋溝１６を形成する
部分（レーザーカット部分）に該当するコア１１の巻芯
部１２の形状を，非八角柱の形状にすることにより，レ
ーザーとコア１１の距離をコア１１の全周においてほぼ
一定とすることにより，螺旋溝１６のカット部のばりの
発生の抑制と，螺旋溝１６のカット幅１７を一定にで
き，しかも，端子部１３，１４は，基板実装時には安定
性のよい四角柱としているのでメルフタイプのチップ部
品，即ち，全体が円柱形状のもののように基板実装時に
回転するなどの実装上の問題を生じない。

【００２４】（第３の実施の形態）図３は本発明の第３
の実施の形態によるインダクタンス素子を示す斜視図で
ある。図３に示すように，インダクタンス素子３０のコ
ア２１は，アルミナもしくはフェライトからなり，外形
が１２角柱の形状で構成された巻芯部２２とその各々の
両端に形成された四角柱により構成された端子部２３，
２４とを備えている。また，それらの外周には，めっき
膜２５が形成されている。この巻芯部２２のめっき膜１
５は，レーザーにより螺旋溝１６が形成され，その上
に，端子部１３，１４を除いて図示しない絶縁保護膜材
の被覆が設けられる。

【００２５】このような構成の本発明の第３の実施の形
態によるインダクタンス素子２０においては，図３に示
すように，螺旋溝２６の形成部分（レーザーカット部
分）に該当する外周にめっき膜２５を備えた巻芯部２２
の形状を１２角柱の形状にすることにより，レーザーと
コアの距離をコアの全周においてほぼ一定とすることに
より，カット部のばりの発生の抑制とカット幅２３を一
定にでき，しかも端子部２３，２４は基板実装時には安
定性のよい四角柱としているのでメルフタイプのチップ
部品，即ち，全体が円柱形状のもののように基板実装時
に回転するなどの実装上の問題を生じない。

【００２６】（第４の実施の形態）次に，本発明の第４
の実施の形態によるインダクタンス素子について説明す
る。本発明の第４の実施の形態によるインダクタンス素
子は，図３に示すンダクタンス素子３０とは，その巻芯
部２２が円柱形状を有する他は，同様の構成を有する。
このような構成の本発明の第４の実施の形態によるイ
ンダクタンス素子においては，例えば，図３を参照する
と，螺旋溝２６の形成部分（レーザーカット部分）に該
当する外周にめっき膜２５を備えた巻芯部２２の形状
を，正１２角形状から円柱形状にすることにより，レー
ザーとコアの距離をコアの全周においてほぼ一定とする
ことにより，カット部のばりの発生の抑制とカット幅２
３を一定にでき，しかも端子部２３，２４は基板実装時
には安定性のよい四角柱としているのでメルフタイプの
チップ部品，即ち，全体が円柱形状のもののように基板
実装時に回転するなどの実装上の問題を生じない。

【００２７】次に，本発明の第１乃至第３の実施の形態
によるインダクタンス素子の電気的特性について述べ
る。

【００２８】本発明の実施の形態によるインダクタンス
素子として，チップインダクタの大きさを１．６×０．
８×０．８ｍｍとし，導体厚を２２μｍ，カット幅を２
０μｍにて５ｔｕｒｎｓの巻線に相当する螺旋溝のカッ
トをしたとき，例えば，１００ＭＨｚにおけるインダク
タンスＬ：とＱの値をシミュレーション及び実験により
比較すると図１２に示す従来品の四角柱の例では，Ｌ＝
１０．９ｎＨ，Ｑ＝１４．８となり，図２に示す本発明
の第２実施の形態による八角柱の例では，Ｌ＝１０．５
ｎＨ，Ｑ＝１５．５，図３に示す本発明の第３の実施の
形態による１２角柱の例では，Ｌ＝９．１ｎＨ，Ｑ＝１
６．７，図示しない本発明の第４の実施の形態による円
柱の例では，Ｌ＝９．０ｎＨ，Ｑ＝１６．７が得られ
た。

【００２９】よって，本発明の実施の形態によれば，図
２に示す八角柱形状により，従来の四角柱形状とほぼ同
等のインダクタンス値を得ながら，しかもＱ特性では従
来よりも約５％向上できた。

【００３０】また，本発明の第３の実施の形態による１
２角柱によるもの，さらに，本発明の第４の実施の形態
による円柱形状では，従来のものと比較してインダクタ
ンスではやや減少するものの，Ｑ特性では，従来よりも
約１３％向上できた。なお，製造方法も含めて考えれば
円柱構造では端子部を四角柱または八角柱または１２角
柱にするためにはプレス成形でしか作ることができない
ため，プレスも押し出し成形も可能な，１２角柱及び八
角柱の形状のものの方が（この場合，端子形状と本体部
の形状が同一のものの方が），より生産性に適した形状
である。

【００３１】また，正八角柱ではなく，図２に示したよ
うな非正八角柱にした方が，後述するように，シー卜成
形も可能となるので，さらに生産性を向上できるし，ま
た電気的特性においても正八角柱よりも図２に示した非
正八角柱の方が実効断面積が大きくとれることからイン
ダクタンスは約１５％大きくできるので有効な形状であ
る。

【００３２】（インダクタンス素子の製造方法）次に，
本発明の実施の形態によるインダクタンス素子の製造方
法について概略を説明する。

【００３３】まず，コア用素材であるコア圧粉体３４は
次の（ア），（イ），及び（ウ）のいずれかの方法によ
って製造される。

【００３４】（ア）図４に示すように，コアは端子部が
四角柱になるように，また，螺旋溝形成部（レーザーカ
ット部）を円柱になるような窪み３２を備えた金型３１
にてセラミック圧粉体をプレスにて成形する。

【００３５】（イ）図５に示すように八角柱棒のセラミ
ック圧粉体３３を押し出し成形したのち所定の長さに切
断して，コア圧粉体３４とする。

【００３６】（ウ）図６に示すように，あらかじめシー
ト基板状にセラミック圧粉体３５を成形してから所定の
大きさに打ち抜き，所定の大きさのコア圧粉体３４を得
る。

【００３７】次に，前記いずれかの方法で得られた所定
の大きさのコア圧粉体３４を所定の温度，例えば，アル
ミナの場合１０００℃以上にて焼成し，コアを得る。

【００３８】次に，これらのコア１の全面に無電解また
は電気メッキにて所定の厚み，例えば，５〜３０μｍに
て電極を形成した後，所定のスリット幅及びピッチ幅，
例えば，２０μｍピッチで２０μｍスリット幅）にて，
所定のインダクタンスが得られるように，巻数に相当す
る螺旋溝の数をカットする。

【００３９】本発明の実施の形態では，例えば，１．０
６４μｍＹＡＧレーザーにて，螺旋溝６，１６，２６を
カットした。この螺旋溝６，１６，２６の部分は非絶縁
状態であり，金属粉の付着によるショートや電極はがれ
などの保護のため，コア両側端の端子部分を除きエポキ
シ樹脂を塗布，乾燥することで保護膜としている。

【００４０】尚，図４に示すコア３４がプレス品につい
てはすでにプレス成形時に螺旋溝を形成する部分よりも
大きな，（四角柱または八角柱の）端子部分が形成され
ているから，樹脂の保護膜形成後はそのまま外部端子形
成用のメッキ（Ｎｉメッキ及びハンダメッキ）を数μｍ
〜数十μｍ形成すればよい。

【００４１】一方，図５又は図６に示すように，コアが
押し出し成形品またはシート基板品の場合は螺旋溝のカ
ット部よりも大きな（四角柱または八角柱の）端子部分
がまだ形成されていないので，外部端子形成用のメッキ
（Ｎｉめっき及び半田メッキ）を施す前に螺旋溝形成部
よりも大きな端子部分を形成するためのめっき（例え
ば，無電解又は電解銅メッキ）を３０〜６０μｍ施し，
その後にＮｉメッキ及びハンダメッキを施すことで，基
板実装時にハンダ濡れ性が良好で電極食われ等のない端
子部を形成する。

【００４２】次に，図７を参照して，螺旋溝を形成する
部分のメッキ厚と電気的特性の関係について，チップサ
イズ１．６×０．８×０．８ｍｍのアルミナコアに，銅
メッキをほどこした例について説明する。

【００４３】本発明の実施の形態によるインダクタンス
素子は使用周波数が１００ＭＨｚ以上の高周波用である
ことから，電極が厚く（メッキが厚く）なると螺旋溝が
形成されたスリット電極間の近接効果が生じる。

【００４４】図７によればメッキ厚１４μｍ以下におい
てインダクタンスの最大値が得られ，メッキ厚が２２μ
ｍ以上においてＱの最大値が得られた。

【００４５】よって，本発明の実施の形態においては，
用途によりインダクタンス重視のタイプ，例えば，１ｔ
ｕｒｎで１．７ｎＨ以上にはメッキ厚５〜１４μｍのも
のを使用した。ここで，メッキ厚を５μｍ以上にしたの
はインダクタンス素子に定格電流（例えば，４００ｍ
Ａ）を流すための最小導体断面積を確保するためであ
る。

【００４６】また，本発明の実施の形態によるインダク
タンス素子で，Ｑを重視のタイプ，例えば，１ｔｕｒｎ
で２２．６以上，にはメッキ厚２２〜３０μｍを使用し
た。ここで，本発明の実施の形態においては，メッキ厚
３０μｍ以下としたのは，それ以上厚くしてもＱ特性が
のびないことと，メッキのコストが高くなること，螺旋
溝カットのためのレーザー出力の限界のために３０μｍ
以下とした。

【００４７】図８に同一形状（１．６×０．８×０．８
ｍｍ）サイズのアルミナコアに銅メッキ２５μｍを施し
たときレーザー光により螺旋溝を形成し，そのときの導
体の幅をｄとし，導体と導体のピッチをｐとしたときの
ｐ／ｄとＱ特性との関係を示した。図８より本発明の実
施の形態によれば，ｐ／ｄが２．６以上３．０以下にお
いて，最大Ｑとなるインダクタンス素子が得られる。

【００４８】尚，螺旋溝を形成後の絶縁保護膜材として
は誘電率及び誘電率の温度変化が小さく電極（例えば，
銅に）対して腐食等の悪影響がなく，チキソ性及び粘度
の高いエポキシ樹脂を使用するとよい。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
実装時に転がり等がない基板実装性に優れたチップイン
ダクタンス素子を高周波における良好な電気的特性（イ
ンダクタンス及びＱ）を確保しながらコア表面に形成し
た電極をレーザー光により螺旋溝にカットするときに生
じる螺旋溝幅のばらつきを抑制し，螺旋溝の切り幅がコ
ア全周においてほぼ一様となることで電気的特性のばら
つきを抑制した高精度で且つＱ特性優れたインダクタン
ス素子を提供できる。

【００５０】また，本発明によれば，前記インダクタン
ス素子を生産性よく供給できるインダクタンス素子の製
造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態によるインダクタン
ス素子を示す斜視図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態によるインダクタン
ス素子を示す斜視図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態によるインダクタン
ス素子を示す斜視図である。

【図４】本発明の実施の形態によるプレス成形によって
コアを作成するための金型の例を示す斜視図である。

【図５】本発明の実施の形態による押し出し成形による
コアの作成の説明に供せられる図である。

【図６】本発明の実施の形態によるシート成形によるコ
アの作成の説明に供せられる図である。

【図７】本発明の実施の形態によるインダクタンス素子
の特性を示す図である。

【図８】本発明の実施の形態によるインダクタンス素子
の特性を示す図である。

【図９】従来のインダクタンス素子の斜視図である。

【図１０】従来のインダクタンス素子の構造を示す斜視
図である。

【図１１】従来のコアの断面図である。

【図１２】従来例を適用したインダクタンス素子の構造
を示す斜視図である。

【符号の説明】

１，１１，２１ コア ２，１２，２２， 巻芯部 ３，４，１３，１４，２３，２４ 端子部 ５，１５，２５ めっき膜 ６，１６，２６ 螺旋溝 ７，１７，２７ 溝幅 １０，２０，３０ インダクタンス素子 ３１ 金型 ３２ 窪み ３３，３５ セラミック圧粉体 ３４ コア圧粉体 ５０ インダクタンス素子 ５１ コア ５２ 導電膜 ５３ 基体 ５４ 溝 ５５ 保護膜材 ５７，５８ 端子部

【手続補正書】

【提出日】平成１０年６月１２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】この本発明の第１の実施の形態によるイン
ダクタンス素子１０においては，図１に示すように，め
っき膜５の螺旋溝形成部分（レーザーカット部分）の形
状を円柱の形状にすることにより，レーザーとコア１の
距離をコアの全周においてほぼ一定とすることができ
る。これによって，螺旋溝６のカット部のばりの発生の
抑制と，螺旋溝６のカット幅７を一定にでき，しかも端
子部３，４は基板実装時には，安定性のよい非正八角柱
としているので，メルフタイプのチップ部品，即ち，全
体が円柱形状のもののように基板実装時に回転するなど
の実装上の問題を生じない。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フェライト材もしくはアルミナ材で形成
   された絶縁性を備えたインダクタンス素子用コアの全面
   に導電膜を形成し，前記導電膜の外周をレーザー光によ
   り切削して，螺旋溝を形成した後，前記螺旋溝を覆うよ
   うに保護膜材を塗布してなるインダクタンス素子におい
   て，前記インダクタンス素子用コアの形状が前記螺旋溝
   を形成する部分においては円柱もしくは４ｎ角柱（但
   し，ｎはｎ≧の整数）の形状でありながら，両側端のイ
   ンダクタンス素子の外部電極端子部を形成する部分にお
   いては前記螺旋溝を形成する部分よりも大きな断面寸法
   を有する４ｍ角柱（但し，ｍはｍ≧１の整数）の形状を
   有していることを特徴とするインダクタンス素子。
2. 【請求項２】 請求項１記載のインダクタンス素子にお
   いて，前記導電膜は，銅めっき膜から実質的になること
   を特徴とするインダクタンス素子。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のインダクタンス素
   子において，前記導電膜の厚さを２２μｍ〜３０μｍと
   したことを特徴とするインダクタンス素子。
4. 【請求項４】 請求項１又は２記載のインダクタンス素
   子において，前記導電膜の厚さを５〜１４μｍとしたこ
   とを特徴とするインダクタンス素子。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４の内のいずれかに記載の
   インダクタンス素子において，前記導電膜の外周をレー
   ザー光により螺旋溝に切削したときの導体の幅をｄと
   し，前記螺旋溝を介した導体と導体のピッチをｐとした
   とき，ｄとｐの関係が２．６≦ｐ／ｄ≦３．０となる範
   囲にｄとｐの値を設定したことを特徴とするインダクタ
   ンス素子。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５の内のいずれかに記載の
   インダクタンス素子において，前記保護膜材は，比重
   １．３以上のエポキシ樹脂を用いたものからなることを
   特徴とするインダクタンス素子。
7. 【請求項７】 フェライト材もしくはアルミナ材で形成
   された絶縁性を備えたインダクタンス素子用コアの全面
   に導電膜を形成し，前記導電膜の外周をレーザー光によ
   り切削して，螺旋溝を形成するインダクタンス素子の製
   造方法において，前記絶縁性コアの形状が前記螺旋溝を
   形成する部分においては円柱もしくは４ｎ角柱（但し，
   ｎはｎ≧の整数）の形状でありながら，両側端のインダ
   クタンス素子の外部電極端子部を形成する部分において
   は，前記螺旋溝を形成する部分よりも大きな４ｍ角柱
   （但し，ｍはｍ≧１の整数）の形状を有するように形成
   することを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７記載のインダクタンス素子の製
   造方法において，前記導電膜として銅めっき膜を用いる
   ことを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項７又は８記載のインダクタンス素
   子の製造方法において，前記導電膜の外周の切削に，波
   長が１．０６４μｍのＹＡＧレーザー光を用いることを
   特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項７乃至９の内のいずれかに記載
    のインダクタンス素子の製造方法において，前記導電膜
    の切削の後に，前記螺旋溝を覆うように保護膜材を塗布
    することを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。