JPH11263833A - ポリカ―ボネ―ト共重合体およびその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 一般式（１−ａ）および一般式（２−
ａ）で表される繰り返し構造単位を含有してなるポリカ
ーボネート共重合体。 （式中、Ｒ₁ およびＲ₃ はそれぞれ独立にアルキル基、
アルコキシ基、ニトロ基あるいはハロゲン原子を表し、
Ｒ₂ は水素原子またはメチル基を表し、ｋおよびｌはそ
れぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｍおよびｎはそれぞ
れ独立に０〜２０の整数を表し、但し、ｍ＋ｎは０では
あることはない） 【効果】 透明性、耐熱性、機械物性等が良好で、且
つ、低複屈折性を有し、さらに溶融流動性が良好で成形
加工性に優れ、種々の光学部品として有用であるポリカ
ーボネート共重合体を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート
共重合体に関し、さらには、該ポリカーボネート共重合
体からなる光学部品に関する。本発明のポリカーボネー
ト共重合体は、透明性、耐熱性、機械物性等が良好であ
り、且つ、低複屈折性を有し、さらには溶融流動性が良
好で成形加工性に優れており、光ディスク基板、ピック
アップレンズ、光ファイバーなどを代表とする光学部品
に有用である。

【０００２】

【従来の技術】ポリカーボネートは、エンジニアリング
プラスチックとして、自動車、電気、光学分野で幅広く
使用されている。現在、幅広く使用されているポリカー
ボネートは、通常、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡと称する）
とホスゲン等のハロゲン化カルボニル化合物から製造さ
れている。ビスフェノールＡから製造されるポリカーボ
ネートは、透明性、耐熱性、低透湿性、耐衝撃性、寸法
安定性等の特性をバランス良く備えた樹脂であって、広
く用いられている。特に近年、光ディスク基板等の光学
部品分野で使用されている。

【０００３】情報記録媒体として使用される光ディスク
においては、レーザー光線が通過するために、ディスク
基板それ自体は透明であることが必要であることは勿論
のこと、さらに、読みとり誤差を少なくするために、光
学的均質性が強く求められている。しかしながら、例え
ば、ビスフェノールＡから製造されるポリカーボネート
を用いた場合には、ディスク基板成型時の樹脂の冷却お
よび流動過程において生じた熱応力、分子配向、ガラス
転移点付近の容積変化等による残留応力が原因となり、
レーザー光線がディスク基板を通過する際に複屈折が生
じる。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいこ
とは、例えば、記録された情報の読みとり誤りを生じる
など、光ディスク基板等の光学部品にとっては致命的欠
陥となる。さらに、該ポリカーボネートは溶融時の粘度
が高いため、例えば、記録密度を高めるために、より狭
いトラックピッチ、より短いピット径を有するディスク
基板を射出成形して得るのが非常に困難である等、成形
加工性に問題があった。

【０００４】このような問題点を解決する方法として種
々の新しいポリマーが提案されており、例えば、スピロ
ビインダノール単独のポリカーボネート、またはスピロ
ビインダノールとビスフェノールＡとの共重合ポリカー
ボネートが開示されている（特開昭６３−３１４２３５
号公報など）。しかしながら、前者のポリカーボネート
は低複屈折であるものの、例えば、成形加工した際に成
形物にクラックが生じるなど、透明性、機械物性が悪
く、実用的に問題点を有していた。また、後者のポリカ
ーボネートはビスフェノールＡの含有率の増加に伴い、
透明性および機械物性は向上するものの、複屈折が大き
くなり、上述したような情報記録媒体等の光学部品とし
ての使用には問題点があった。さらに、これらのポリカ
ーボネートは、既存のビスフェノールＡから製造される
ポリカーボネートに比較して、上述したような精密加工
性を要求される情報記録媒体用のディスク基板を射出成
形して得るには、実用上、十分な溶融流動性を有してい
るとは言い難く、これらの問題点の解決が強く望まれて
いた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の問題点を克服し、光学部品用に有用な、透明性、耐熱
性、機械物性等に優れ、且つ、低複屈折性を有し、さら
には溶融流動性が良好で成形加工性に優れるポリカーボ
ネート共重合体を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するため、鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。すなわち、本発明は、下記一般式（１−ａ）およ
び一般式（２−ａ）（化２）で表される繰り返し構造単
位を含有してなるポリカーボネート共重合体に関するも
のである。また、本発明は、一般式（１−ａ）および
一般式（２−ａ）で表される繰り返し構造単位中に含ま
れる、一般式（１−ａ）で表される繰り返し構造単位の
割合が５〜９０モル％である前記のポリカーボネート
共重合体、ポリカーボネート共重合体の重量平均分子
量が１００００〜１５００００である前記またはの
ポリカーボネート共重合体、前記〜のいずれかの
ポリカーボネート共重合体を含有してなる光学部品、に
関するものである。

【０００７】

【化２】 （上式中、Ｒ₁ およびＲ₃ はそれぞれ独立にアルキル
基、アルコキシ基、ニトロ基あるいはハロゲン原子を表
し、Ｒ₂ は水素原子またはメチル基を表し、ｋおよびｌ
はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｍおよびｎはそ
れぞれ独立に０〜２０の整数を表す。但し、ｍ＋ｎは０
となることはない）

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に関して詳細に説明
する。本発明のポリカーボネート共重合体は、前記一般
式（１−ａ）および一般式（２−ａ）で表される繰り返
し構造単位を含有してなるものであり、この両繰り返し
構造単位を必須の繰り返し構造単位として有する共重合
体であって、ランダム共重合体、交互共重合体あるいは
ブロック共重合体のいずれであってもよい。本発明のポ
リカーボネート共重合体は、一般式（１）（化３）で表
されるジヒドロキシ化合物と一般式（２）（化３）で表
されるジヒドロキシ化合物に、カーボネート前駆体を作
用させ、共重合させることにより得られるものである。
すなわち、一般式（１−ａ）で表される繰り返し構造単
位は一般式（１）で表される化合物とカーボネート前駆
体とから誘導され、また、一般式（２−ａ）で表される
繰り返し構造単位は一般式（２）で表される化合物とカ
ーボネート前駆体とから誘導される。

【０００９】

【化３】 （上式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、ｋ、ｌ、ｍおよびｎは前
記に同じ） これらのポリカーボネート共重合体の中でも、耐熱性、
機械物性等の諸物性のバランスを考慮すると、一般式
（１−ａ）および（２−ａ）で表される全繰り返し構造
単位中に、含まれる一般式（１−ａ）で表される繰り返
し構造単位の割合は、好ましくは、５〜９０モル％であ
り、より好ましくは、１０〜８０モル％であり、さらに
好ましくは、２０〜７０モル％である。

【００１０】一般式（１−ａ）および一般式（２−ａ）
において、Ｒ₁ およびＲ₃ はそれぞれ独立にアルキル
基、アルコキシ基、ニトロ基あるいはハロゲン原子を表
し、好ましくは、置換基を有していてもよい直鎖、分岐
または環状のアルキル基、置換基を有していてもよい直
鎖、分岐または環状のアルコキシ基、ニトロ基あるいは
ハロゲン原子を表し、好ましくは、置換基を有していて
もよい炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキ
ル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直
鎖、分岐または環状のアルコキシ基、ニトロ基またはハ
ロゲン原子を表す。Ｒ₁ およびＲ₃ のアルキル基または
アルコキシ基中の置換基としては、例えば、アルコキシ
基、アルコキシアルコキシ基、シクロアルキル基、ヘテ
ロ原子含有のシクロアルキル基、シクロアルコキシ基、
ヘテロ原子含有のシクロアルコキシ基、アリールオキシ
基、アリールオキシアルコキシ基、ハロゲン原子等が例
示される。

【００１１】置換基Ｒ₁ およびＲ₃ の具体例としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル
基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシ
ル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オク
タデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４
−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル
基、シクロオクチル基、シクロヘキシルメチル基、シク
ロヘキシルエチル基、テトラヒドロフルフリル基、２−
メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−ブ
トキシエチル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキ
シプロピル基、３−ｎ−プロポキシプロピル基、３−ｎ
−ブトキシプロピル基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピ
ル基、２−メトキシエトキシエチル基、２−エトキシエ
トキシエチル基、２−フェノキシメチル基、２−フェノ
キシエトキシエチル基、クロロメチル基、２−クロロエ
チル基、３−クロロプロピル基、２，２，２−トリクロ
ロエチル基、

【００１２】メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−
ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシル基、ｎ
−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシ
ルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−オクタデ
シルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシ
ルオキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルオキ
シ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ
基、シクロヘキシルメトキシ基、シクロヘキシルエトキ
シ基、２−メトキシエトキシ基、２−エトキシエトキシ
基、２−ｎ−ブトキシエトキシ基、３−メトキシプロポ
キシ基、３−エトキシプロポキシ基、３−ｎ−プロポキ
シプロポキシ基、３−ｎ−ブトキシプロポキシ基、３−
ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ基、２−メトキシエトキ
シエトキシ基、２−フェノキシメトキシ基、２−フェノ
キシエトキシエトキシ基、クロロメトキシ基、２−クロ
ロエトキシ基、３−クロロプロポキシ基、２，２，２−
トリクロロエトキシ基、ニトロ基、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。

【００１３】該置換基Ｒ₁ およびＲ₃ は、好ましくは、
炭素数１〜１０の無置換の直鎖または分岐のアルキル
基、炭素数１〜１０の無置換の直鎖または分岐のアルコ
キシ基あるいは塩素原子であり、より好ましくは、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メト
キシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ基または塩素原子である。置換基Ｒ₁ およびＲ₃
として、メチル基または塩素原子は特に好ましい。ま
た、一般式（１−ａ）において、Ｒ₂ は水素原子または
メチル基を表す。

【００１４】一般式（１−ａ）および一般式（２−ａ）
において、ｋおよびｌはそれぞれ独立に０〜３の整数を
表し、好ましくは、０、１または２であり、より好まし
くは、０または１である。ｋおよびｌとして、整数０は
特に好ましい。一般式（１−ａ）において、ｍおよびｎ
はそれぞれ独立に、０〜２０の整数を表し、好ましく
は、０から１０の整数であり、より好ましくは、０〜５
の整数であり、さらに好ましくは、０〜２の整数であ
る。ｍおよびｎとして、整数１は特に好ましい。但し、
ｍ＋ｎは０ではない。

【００１５】一般式（１−ａ）および一般式（２−ａ）
で表される繰り返し構造単位において、カーボネート結
合もしくはカーボネート結合を含む置換基の置換位置は
スピロビインダン構造内のベンゼン環上で、それぞれ、
４、５、６または７位であるか、４’、５’、６’また
は７’位である。一般式（１−ａ）で表される構造単位
の中でも下記式（１−ａ−Ａ）（化４）で表される繰り
返し構造単位は特に好ましく、一般式（２−ａ）で表さ
れる構造単位の中でも下記式（２−ａ−Ａ）（化４）で
表される繰り返し構造単位は特に好ましい。

【００１６】

【化４】 （上式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、ｋ、ｌ、ｍおよびｎは前
記に同じ）

【００１７】本発明のポリカーボネート共重合体は、前
記一般式（１）で表されるジヒドロキシ化合物と前記一
般式（２）で表されるジヒドロキシ化合物の共重合によ
り得られる。本発明のポリカーボネート共重合体の原料
である一般式（１）で表されるジヒドロキシ化合物とし
ては、以下の第１表（表１〜５）に示すジヒドロキシ化
合物が例示されるが、勿論、本発明はこれらに限定され
るものではない。

【００１８】

【表１】

【００１９】

【表２】

【００２０】

【表３】

【００２１】

【表４】

【００２２】

【表５】 またもう一方の原料となる一般式（２）で表されるジヒ
ドロキシ化合物としては、以下の第２表（表６〜８）に
示すジヒドロキシ化合物が例示されるが、勿論本発明は
これらに限定されるものではない。

【００２３】

【表６】

【００２４】

【表７】

【００２５】

【表８】

【００２６】一般式（１）で表されるジヒドロキシ化合
物は、一般式（２）で表されるジヒドロキシ化合物を製
造原料として、反応それ自体は公知の方法により好適に
製造される。すなわち、一般式（１）で表されるジヒド
ロキシ化合物は、一般式（２）で表されるジヒドロキシ
化合物と、エチレンオキシド、プロピレンオキシド等の
アルキレンオキシド類、エチレンカーボネート、プロピ
レンカーボネート等の環状のアルキレンカーボネート
類、２−ブロモエタノール、２−クロロエタノール、２
−ブロモ−１−プロパノール等のβ−ハロヒドリン類と
の反応により製造することができる。また、一般式
（２）で表されるジヒドロキシ化合物は公知の方法、例
えば、特開昭６２−１００３０号公報などに記載の方法
により、好適に製造される。例えば、ビスフェノールＡ
を、酸触媒の存在下に、加熱することにより得られる。

【００２７】本発明のポリカーボネート共重合体は、製
造方法それ自体は公知の各種ポリカーボネート重合方法
によって製造される。その方法としては、例えば、実験
化学講座第４版、（２８）高分子合成、２３１〜２４２
頁、丸善出版（１９８８年）に記載の方法、例えば、溶
液重合法、エステル交換法または界面重合法などの方法
が挙げられる。代表的には、一般式（１）で表されるジ
ヒドロキシ化合物と一般式（２）で表されるジヒドロキ
シ化合物に、カーボネート前駆体（例えば、炭酸ジメチ
ル、炭酸ジエチル、炭酸ジフェニル等の炭酸ジエステル
化合物、ホスゲン等のハロゲン化カルボニル化合物な
ど）を反応させることにより好適に製造される。

【００２８】溶液重合法は、ピリジン等の有機塩基の存
在下、有機溶媒中で、上記ジヒドロキシ化合物とハロゲ
ン化カルボニル化合物（例えば、ホスゲンなど）を反応
させる方法である。界面重合法は、ジヒドロキシ化合物
とアルカリ金属またはアルカリ土類金属塩基よりなる水
溶液と有機溶媒（例えば、ジクロロメタン、クロロホル
ム、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレ
ン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、ジクロロ
プロパン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、あるいは、ク
ロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族ハロゲン化
炭化水素、またはそれらの混合物等）よりなる界面条件
下で、ハロゲン化カルボニル化合物との反応を行い、所
望により触媒（例えば、トリエチルアミン）、分子量調
節剤の存在下に重縮合反応を行う製造方法である。エス
テル交換法は、前記ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ル化合物（例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジフェニルカーボネートなど）を溶融状態
または溶液状態で、加熱下、所望により触媒の存在下に
反応させる方法である。

【００２９】本発明のポリカーボネート共重合体は、所
望の効果を損なわなければ、ランダム共重合であっても
よく、交互共重合であってもよく、あるいはブロック共
重合体であってもよい。本発明のポリカーボネート共重
合体をランダム共重合体として製造する場合は、一般式
（１）および一般式（２）で表されるジヒドロキシ化合
物を混合して、このジヒドロキシ化合物の混合物にカー
ボネート前駆体を作用させることにより製造される。

【００３０】本発明のポリカーボネート共重合体を交互
共重合体として製造する場合は、一般式（１）または一
般式（２）で表されるジヒドロキシ化合物のいずれか一
方とカーボネート前駆体から、末端がハロホーメート基
または炭酸エステル基である単量体の中間体を製造し、
この中間体ともう一方のジヒドロキシ化合物を作用させ
ることにより製造される。本発明のポリカーボネート共
重合体をブロック共重合体として製造する場合は、一般
式（１）または一般式（２）で表されるジヒドロキシ化
合物のいずれか一方を単独でカーボネート前駆体と作用
させ、大部分の末端がハロホーメート基または炭酸エス
テル基であるポリカーボネートのオリゴマーを調製し、
その後、他方のジヒドロキシ化合物またはそのジヒドロ
キシ化合物から誘導されるポリカーボネートオリゴマー
を作用させることにより製造される。

【００３１】本発明のポリカーボネート共重合体の分子
量としては、特に限定されるものではないが、通常、Ｇ
ＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）
で測定する標準ポリスチレン換算の分子量として重量平
均分子量が、５０００〜２０００００であり、好ましく
は、１００００〜１５００００であり、より好ましく
は、１５０００〜１２００００である。また、重量平均
分子量と数平均分子量の比として表される多分散性イン
デックスとしては、特に限定されるものではないが、好
ましくは、１．５〜２０．０であり、より好ましくは、
２．０〜１５．０であり、さらに好ましくは、２．０〜
１０．０である。

【００３２】本発明のポリカーボネート共重合体は、一
般式（１−ａ）または一般式（２−ａ）で表される繰り
返し構造単位であって、異なる複数の繰り返し構造単位
を含有してなるポリカーボネート共重合体であってもよ
い。また、一般式（１−ａ）または一般式（２−ａ）で
表される繰り返し構造単位以外の他の繰り返し構造単位
を含有してなるポリカーボネート共重合体であってもよ
い。

【００３３】一般式（１−ａ）または一般式（２−ａ）
で表される繰り返し構造単位以外の他の繰り返し構造単
位を含有する場合、全繰り返し構造単位中の一般式（１
−ａ）と一般式（２−ａ）で表される繰り返し構造単位
の占める割合は、本発明の所望の効果を損なわない範囲
であれば、特に制限されるものではないが、通常、５０
モル％以上であり、好ましくは、７０モル％以上であ
り、より好ましくは、９０モル％以上である。本発明の
所望の効果を最大限に得るためには、前述の一般式（１
−ａ）および一般式（２−ａ）で表される繰り返し構造
単位のみからなる、他の繰り返し構造単位を含有しない
共重合体は、特に好ましい。また、これらの場合、ポリ
マーの末端基の構造単位としては、後述するような分子
量調節剤から誘導される構造単位が挙げられる。

【００３４】かかる他の繰り返し構造単位は、一般式
（１）または一般式（２）で表されるジヒドロキシ化合
物以外の他のジヒドロキシ化合物から誘導される繰り返
し構造単位であり、該ジヒドロキシ化合物としては、各
種公知の芳香族ジヒドロキシ化合物または脂肪族ジヒド
ロキシ化合物を例示することができる。

【００３５】該芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例とし
ては、例えば、ビス（4-ヒドロキシフェニル）メタン、
1,1-ビス(4'−ヒドロキシフェニル）エタン、1,2-ビス
（4'−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（4-ヒドロキ
シフェニル）フェニルメタン、ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）ジフェニルメタン、ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル)-1-ナフチルメタン、1,1-ビス（4'−ヒドロキシフェ
ニル)-1-フェニルエタン、2,2-ビス（4'−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン〔”ビスフェノールＡ”〕、2-（4'−
ヒドロキシフェニル）-2-(3'−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、2,2-ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ブタン、
1,1-ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ブタン、2,2-ビス
（4'−ヒドロキシフェニル）-3−メチルブタン、2,2-ビ
ス(4'-ヒドロキシフェニル）ペンタン、3,3-ビス(4'-ヒ
ドロキシフェニル) ペンタン、2,2-ビス(4'-ヒドロキシ
フェニル) ヘキサン、2,2-ビス(4'-ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、2,2-ビス(4'-ヒドロキシフェニル)-4-メ
チルペンタン、2,2-ビス(4'-ヒドロキシフェニル) ヘプ
タン、4,4-ビス(4'-ヒドロキシフェニル) ヘプタン、2,
2-ビス(4'-ヒドロキシフェニル) トリデカン、2,2-ビス
（4'−ヒドロキシフェニル）オクタン、2,2-ビス（3'−
メチル−4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、2,2-ビス
（3'−エチル−4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、2,
2-ビス（3'−ｎ−プロピル−4'−ヒドロキシフェニル）
プロパン、2,2-ビス（3'−イソプロピル−4'−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、2,2-ビス（3'−ｓｅｃ−ブチル
−4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、2,2-ビス（3'−
ｔｅｒｔ−ブチル−4'−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、2,2-ビス（3'−シクロヘキシル−4'−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、2,2-ビス（3'−アリル−4'−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、2,2-ビス（3'−メトキシ−4'
−ヒドロキシフェニル）プロパン、2,2-ビス（3',5'-ジ
メチル−4'−ヒドロキシフェニル) プロパン、2,2-ビス
（2',3',5',6'-テトラメチル−4'−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シアノ
メタン、1-シアノ-3,3−ビス（4'−ヒドロキシフェニ
ル）ブタン、2,2-ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン等のビス（ヒドロキシアリール）ア
ルカン類、

【００３６】1,1-ビス（4'−ヒドロキシフェニル）シク
ロペンタン、1,1-ビス（4'−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、1,1-ビス（4'−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘプタン、1,1-ビス（3'−メチル−4'−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、1,1-ビス（3',5'-ジメチル−
4'−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、1,1-ビス
（3',5'-ジクロロ−4'−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、1,1-ビス（3'−メチル−4'−ヒドロキシフェニ
ル）−４−メチルシクロヘキサン、1,1-ビス (4'−ヒド
ロキシフェニル)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、2,
2-ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、2,2-
ビス（4'−ヒドロキシフェニル）アダマンタン等のビス
（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、4,4'- ジヒ
ドロキシジフェニルエーテル、4,4'- ジヒドロキシ-3,
3'-ジメチルジフェニルエーテル、エチレングリコール
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル等のビス（ヒ
ドロキシアリール）エーテル類、4,4'- ジヒドロキシジ
フェニルスルフィド、3,3'−ジメチル−4,4'−ジヒドロ
キシジフェニルスルフィド、3,3'−ジシクロヘキシル−
4,4'−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3'−ジフ
ェニル−4,4'−ジヒドロキシジフェニルスルフィド等の
ビス（ヒドロキシアリール）スルフィド類、

【００３７】4,4'−ジヒドロキシジフェニルスルホキシ
ド、3,3'−ジメチル−4,4'−ジヒドロキシジフェニルス
ルホキシド等のビス（ヒドロキシアリール）スルホキシ
ド類、4,4'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4'-
ジヒドロキシ-3,3'-ジメチルジフェニルスルホン等のビ
ス（ヒドロキシアリール）スルホン類、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシ−３−
メチルフェニル）ケトン等のビス（ヒドロキシアリー
ル）ケトン類、さらには、7,7'−ジヒドロキシ−3,3',
4,4'-テトラヒドロ−4,4,4',4'-テトラメチル-2,2'-ス
ピロビ（２Ｈ−１−ベンゾピラン）、トランス-2,3- ビ
ス（4'−ヒドロキシフェニル）-2- ブテン、9,9-ビス
（4'−ヒドロキシフェニル）フルオレン、3,3-ビス（4'
−ヒドロキシフェニル）-2- ブタノン、1,6-ビス（4'−
ヒドロキシフェニル）-1,6- ヘキサンジオン、α，α，
α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−p-キシレン、α，α，α’，α’−
テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−m-キシレン、4,4'−ジヒドロキシビフェニル、ハ
イドロキノン、レゾルシン等が挙げられる。さらに、例
えばビスフェノールＡ２モルとイソフタロイルクロライ
ドまたはテレフタロイルクロライド１モルとを反応させ
ることにより製造することができるエステル結合を含む
芳香族ジヒドロキシ化合物も有用である。

【００３８】該脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体例とし
ては、１，２−ジヒドロキシエタン、１，３−ジヒドロ
キシプロパン、１，４−ジヒドロキシブタン、１，５−
ジヒドロキシペンタン、３−メチル−１，５−ジヒドロ
キシペンタン、１，６−ジヒドロキシヘキサン、１，７
−ジヒドロキシヘプタン、１，８−ジヒドロキシオクタ
ン、１，９−ジヒドロキシノナン、１，１０−ジヒドロ
キシデカン、１，１１−ジヒドロキシウンデカン、１，
１２−ジヒドロキシドデカン、ジヒドロキシネオペンチ
ル、２−エチル−１，２−ジヒドロキシヘキサン、２−
メチル−１，３−ジヒドロキシプロパン等のジヒドロキ
シアルカン、１，３−ジヒドロキシシクロヘキサン、
１，４−ジヒドキシシクロヘキサン及び２，２−ビス
（４’−ヒドロキシルシクロヘキシル）プロパン等のジ
ヒドロキシシクロアルカンを挙げることができる。

【００３９】さらに、ｏ−ジヒドロキシキシリレン、ｍ
−ジヒドロキシキシリレン、ｐ−ジヒドロキシキシリレ
ン、１，４−ビス（２’−ヒドロキシエチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（３’−ヒドロキシプロピル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（４’−ヒドロキシブチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（５’−ヒドロキシペンチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（６’−ヒドロキシヘキシル）ベンゼ
ン、２，２−ビス［４’−（２”−ヒドロキシエチルオ
キシ）フェニル］プロパン等のジヒドロキシ化合物を挙
げることができる。

【００４０】さらに、一般式（１−ａ）または一般式
（２−ａ）で表される繰り返し構造単位以外の他の繰り
返し構造単位として、上記ジヒドロキシ化合物以外の２
官能性化合物から誘導される繰り返し構造単位を含有し
ていてもよい。すなわち、該ジヒドロキシ化合物以外の
２官能性化合物としては、芳香族ジカルボン酸、脂肪族
ジカルボン酸、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、芳香
族ジイソシアネート、脂肪族ジイソシアネート等の化合
物が挙げられる。これらの２官能性化合物を用いること
により、カーボネート基以外に、イミノ基、エステル
基、エーテル基、イミド基、アミド基、ウレタン基、ウ
レア基等の基を含有するポリカーボネート共重合体が得
られ、本発明はかかるポリカーボネート共重合体も包含
するものである。

【００４１】本発明のポリカーボネート共重合体におい
て、末端基は、ヒドロキシ基、ハロホーメート基、炭酸
エステル基等の反応性の末端基であってもよく、また、
分子量調節剤で封止された不活性な末端基であってもよ
い。ポリカーボネート共重合体中の末端基の量は特に制
限はないが、通常、構造単位の総モル数に対して、０．
００１〜１０モル％であり、好ましくは、０．０１〜５
モル％であり、より好ましくは、０．１〜３モル％であ
る。

【００４２】本発明のポリカーボネート共重合体を前記
の方法に従い重合して製造する際に、分子量を調節する
目的で分子量調節剤の存在下に重合を行うことは好まし
いことである。かかる分子量調節剤としては特に限定さ
れるものではなく、公知のポリカーボネート重合の際に
使用される各種既知の分子量調節剤であればよく、例え
ば、１価のヒドロキシ脂肪族化合物またはヒドロキシ芳
香族化合物もしくはその誘導体（例えば、１価のヒドロ
キシ脂肪族化合物またはヒドロキシ芳香族化合物のアル
カリ金属またはアルカリ土類金属塩、１価のヒドロキシ
脂肪族化合物またはヒドロキシ芳香族化合物のハロホー
メート化合物、１価のヒドロキシ脂肪族化合物またはヒ
ドロキシ芳香族化合物の炭酸エステルなど）、１価のカ
ルボン酸もしくはその誘導体（例えば、１価のカルボン
酸のアルカリ金属またはアルカリ土類金属塩、１価のカ
ルボン酸の酸ハライド、１価のカルボン酸のエステルな
ど）等が挙げられる。

【００４３】上記の１価のヒドロキシ脂肪族化合物また
はヒドロキシ芳香族化合物としては、例えば、メタノー
ル、エタノール、ブタノール、オクタノール、ラウリル
アルコール、メトキシエタノール、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、シクロヘキサノール、ベンジル
アルコール、アリルアルコール、フェノール、４−tert
−ブチルフェノール、２−クレゾール、３−クレゾー
ル、４−クレゾール、２−エチルフェノール、４−エチ
ルフェノール、４−クミルフェノール、４−フェニルフ
ェノール、４−シクロヘキシルフェノール、４−ｎ−オ
クチルフェノール、４−イソオクチルフェノール、４−
ノニルフェノール、４−メトキシフェノール、４−ｎ−
ヘキシルオキシフェノール、４−イソプロペニルフェノ
ール、２−クロロフェノール、３−クロロフェノール、
４−クロロフェノール、２−ブロモフェノール、３−ブ
ロモフェノール、４−ブロモフェノール、２，４−ジク
ロロフェノール、２，４−ジブロモフェノール、ペンタ
クロロフェノール、ペンタブロモフェノール、β−ナフ
トール、α−ナフトール、２−（４’−メトキシフェニ
ル）−２−（４”−ヒドロキシフェニル）プロパン等が
挙げられる。

【００４４】また、上記の１価のカルボン酸としては、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、ヘプ
タン酸、カプリル酸、２，２−ジメチルプロピオン酸、
３−メチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、４−メチル吉
草酸、３，３−ジメチル吉草酸、４−メチルカプロン
酸、２，４−ジメチル吉草酸、３，５−ジメチルカプロ
ン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪族カルボン酸類、安息香
酸、４−プロポキシ安息香酸、４−ブトキシ安息香酸、
４−ペンチルオキシ安息香酸、４−ヘキシルオキシ安息
香酸、４−オクチルオキシ安息香酸等の安息香酸類が挙
げられる。

【００４５】分子量調節剤の使用量は特に制限するもの
でなく、目的の分子量に調節するために所望に応じて用
いればよいが、通常、重合するジヒドロキシ化合物の総
モル数に対して、０．００１〜１０モル％であり、好ま
しくは０．０１〜５モル％である。

【００４６】本発明のポリカーボネート共重合体は、所
望の効果を損なわない範囲で、２，２−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロパンから誘導される芳香族ポリ
カーボネートと配合することにより成形材料として使用
することも可能である。また、さらに他のポリマーと併
用して、成形材料として使用することが可能である。他
のポリマーとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリメタクリル酸メチル、
ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエー
テルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、パ
ラオキシベンゾイル系ポリエステル、ポリアリーレー
ト、ポリスルフィド等が挙げられる。

【００４７】また、本発明のポリカーボネート共重合体
は、単独で、もしくは、他のポリマーと混合して、ポリ
カーボネート共重合体の製造時または製造後に公知の方
法で、顔料、染料、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収
剤、離型剤、有機ハロゲン化合物、アルカリ金属スルホ
ン酸塩、ガラス繊維、炭素繊維、ガラスビーズ、硫酸バ
リウム、ＴｉＯ₂ 等の公知の各種添加剤を添加してもよ
い。

【００４８】本発明のポリカーボネート共重合体は、単
独で、または他のポリマーと混合した状態で、所望によ
り、上記の添加剤を添加して成形材料として、電気機器
等のシャーシやハウジング材、電子部品、自動車部品、
光ディスク等の情報記録媒体の基板、カメラや眼鏡のレ
ンズ等の光学材料、ガラス代替の建材等に成形すること
が可能である。本発明のポリカーボネート共重合体は、
熱可塑性であり、溶融状態で射出成形、押出成形、ブロ
ー成形、フィラー等への含浸等が可能であり、さらに
は、圧縮成形、溶液キャスティングなど、各種の公知の
成形方法により容易に成形可能である。

【００４９】本発明のポリカーボネート共重合体を含有
してなる光学部品としては、光ディスク基板、光磁気デ
ィスク基板などの光記録媒体基板、ピックアップレンズ
などの光学レンズ、液晶セル用プラスチック基板、プリ
ズム等の各種光学部品を挙げることができる。これらの
光学部品は、上述したような公知の各種成形方法（代表
的には、射出成形など）により、好適に製造することが
できる、このようにして得られる本発明の光学部品は、
低複屈折性を有し、諸性能（例えば、光ディスクとして
の光記録特性、耐久性など）に優れており、非常に有用
である。

【００５０】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。なお、実施例および比較例で製造したポリカー
ボネートの物性の測定は、以下の方法により行った。 〔分子量の測定〕芳香族ポリカーボネートの０．２重量
％クロロホルム溶液をＧＰＣ（ゲル・パーミエーション
・クロマトグラフィー）〔昭和電工（株）製、Ｓｙｓｔ
ｅｍ−１１〕により測定し、重量平均分子量（Ｍｗ）を
求めた。尚、測定値は、標準ポリスチレン換算の値であ
る。 〔溶融粘度〕島津高化式フローテスター（ＣＦＴ５００
Ａ）を使用し、荷重１００ｋｇで直径０．１ｃｍ、長さ
１ｃｍのオリフィスを用いて測定した。

【００５１】実施例１ 内容量２リットルのフラスコに撹拌機、還流冷却管、ホ
スゲン吹き込み用浸漬管を設けた。このフラスコに下記
式（１−１）（化５）で表されるジヒドロキシ化合物９
９．１０ｇ（０．２５モル）、下記式（２−１）（化
５）で表されるジヒドロキシ化合物７７．１０ｇ（０．
２５モル）、末端停止剤としてフェノール０．９４ｇ
（０．０１０モル；２モル％対ジオール成分）、ピリジ
ン１９７．７５（２．５０モル）およびジクロロメタン
７００ｇを秤取した。この混合物に対して、氷冷下、ホ
スゲン６４．３５ｇ（０．６５モル）を３時間かけて供
給し、反応混合物をさらに２時間、撹拌混合した。

【００５２】

【化５】

【００５３】反応終了後、５％塩酸水溶液で洗浄して過
剰のピリジンを塩酸塩として除去した後、水層が中性に
なるまで水洗を繰り返した。分液して有機層を取り出し
て、ジクロロメタンを減圧下、留去した後、粉砕して、
１００℃で１時間乾燥することにより下記式（１−ａ−
１）および式（２−ａ−１）（化６）で表される繰り返
し構造単位を含有してなるポリカーボネート共重合体
（ランダム共重合体）を白色粉状固体で得た。重量平均
分子量は７１０００であった。走査熱量計（ＤＳＣ−３
１００、マックサイエンス社製）で、０℃〜３００℃の
温度範囲で示差熱分析を行ったところ、ガラス転移温度
（Ｔｇ）は１４５℃であった。また２２０℃における溶
融粘度は４５００ポイズであった。

【００５４】

【化６】

【００５５】得られたポリカーボネート共重合体の１重
量％重水素化クロロホルム溶液の ¹Ｈ−ＮＭＲを測定し
た結果を下記に示した。 ・ ¹Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤＣｌ₃ ）：１．３（ｓ，１２
Ｈ）、１．４（ｓ，１２Ｈ）、２．３（ｍ，８Ｈ）、
３．９〜４．５（ｍ，８Ｈ）、６．３〜７．２（ｍ，１
２Ｈ） ・ＩＲ（ＫＢｒ法）：１７５０ｃｍ^-1、１７８０ｃｍ^-1
〔−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−〕 上記 ¹Ｈ−ＮＭＲ測定の結果で、エチレン鎖のプロトン
と芳香環上のプロトンとの積分比を求めることにより、
得られたポリカーボネート共重合体中の式（１−ａ−
１）で表される構造単位と、式（２−ａ−１）で表され
る構造単位とのモル比は５０：５０であることが確認さ
れた。

【００５６】実施例２ 実施例１において、式（１−１）で表されるジヒドロキ
シ化合物９９．１０ｇ（０．２５モル）、式（２−１）
で表されるジヒドロキシ化合物７７．１０ｇ（０．２５
モル）を使用する代わりに、式（１−１）で表されるジ
ヒドロキシ化合物１３８．７４ｇ（０．３５モル）、式
（２−１）で表されるジヒドロキシ化合物４６．２６ｇ
（０．１５モル）を使用し、さらに、末端停止剤として
フェノール０．４７ｇ（０．００５モル；１モル％対ジ
オール分）を使用する以外は、実施例１に記載の方法と
同様な方法に従って、前記式（１−ａ−１）および（式
２−ａ−１）で表される繰り返し構造単位を含有してな
るポリカーボネート共重合体（ランダム共重合体）を製
造した。重量平均分子量は９５０００であり、ガラス転
移温度（Ｔｇ）は１３５℃であった。また２２０℃にお
ける溶融粘度は４５００ポイズであった。実施例１と同
様な方法により、得られたポリカーボネート共重合体を
¹Ｈ−ＮＭＲ測定解析した結果、得られたポリカーボネ
ート共重合体中の式（１−ａ−１）で表される構造単位
と、式（２−ａ−１）で表される構造単位とのモル比は
７０：３０であることが確認された。

【００５７】実施例３ 実施例１において、式（１−１）で表されるジヒドロキ
シ化合物９９．１０ｇ（０．２５モル）、式（２−１）
で表されるジヒドロキシ化合物７７．１０ｇ（０．２５
モル）を使用する代わりに、式（１−１）で表されるジ
ヒドロキシ化合物１３８．７４ｇ（０．３５モル）、式
（２−１）で表されるジヒドロキシ化合物４６．２６ｇ
（０．１５モル）を使用し、さらに、末端停止剤として
フェノール０．７１ｇ（０．００７５モル；１．５モル
％対ジオール成分）を使用する以外は、実施例１に記載
の方法と同様な方法に従って、前記式（１−ａ−１）お
よび式（２−ａ−１）で表される繰り返し構造単位を含
有してなるポリカーボネート共重合体（ランダム共重合
体）を製造した。重量平均分子量は７００００であり、
ガラス転移温度（Ｔｇ）は１３５℃であった。また２２
０℃における溶融粘度は１５００ポイズであった。実施
例１と同様な方法により得られたポリカーボネート共重
合体を ¹Ｈ−ＮＭＲ測定解析した結果、得られたポリカ
ーボネート共重合体中の式（１−ａ−１）で表される構
造単位と、式（２−ａ−１）で表される構造単位とのモ
ル比は７０：３０であることが確認された。

【００５８】実施例４ 実施例１において、式（１−１）で表されるジヒドロキ
シ化合物９９．１０ｇ（０．２５モル）、式（２−１）
で表されるジヒドロキシ化合物７７．１０ｇ（０．２５
モル）を使用する代わりに、式（１−１）で表されるジ
ヒドロキシ化合物３９．６４ｇ（０．１０モル）、式
（２−１）で表されるジヒドロキシ化合物１２３．３６
ｇ（０．４０モル）を使用する以外は、実施例１に記載
の方法と同様な方法に従って、前記式（１−ａ−１）お
よび式（２−ａ−１）で表される繰り返し構造単位を含
有してなるポリカーボネート共重合体（ランダム共重合
体）を製造した。重量平均分子量は６５０００であり、
ガラス転移温度（Ｔｇ）は１６５℃であった。また２２
０℃における溶融粘度は６５００ポイズであった。実施
例１と同様な方法により、得られたポリカーボネート共
重合体を ¹Ｈ−ＮＭＲ測定解析した結果、得られたポリ
カーボネート共重合体中の式（１−ａ−１）で表される
構造単位と、式（２−ａ−１）で表される構造単位との
モル比は２０：８０であることが確認された。

【００５９】実施例５ 実施例１において、式（１−１）で表されるジヒドロキ
シ化合物の代わりに式（１−２）（化７）で表されるジ
ヒドロキシ化合物を、式（２−１）で表されるジヒドロ
キシ化合物の代わりに式（２−２）（化７）で表される
ジヒドロキシ化合物を使用する以外は実施例２に記載の
方法に従って、下記式（１−ａ−２）および式（２−ａ
−２）（化７）で表される繰り返し構造単位を含有する
ポリカーボネート共重合体を製造した。重量平均分子量
は７２０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１４０
℃であった。また２２０℃における溶融粘度は５５００
ポイズであった。

【００６０】

【化７】 実施例１と同様な方法により、得られたポリカーボネー
ト共重合体を ¹Ｈ−ＮＭＲ測定解析した結果、得られた
ポリカーボネート共重合体中の式（１−ａ−２）で表さ
れる構造単位と、式（２−ａ−２）で表される構造単位
とのモル比は５０：５０であることが確認された。

【００６１】実施例６ 実施例１において、式（１−１）で表されるジヒドロキ
シ化合物の代わりに式（１−３）（化８）で表されるジ
ヒドロキシ化合物を、式（２−１）で表されるジヒドロ
キシ化合物の代わりに式（２−３）（化８）で表される
ジヒドロキシ化合物を使用する以外は実施例２に記載の
方法に従って、下記式（１−ａ−３）および式（２−ａ
−３）（化８）で表される繰り返し構造単位を含有する
ポリカーボネート共重合体を製造した。重量平均分子量
は８００００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１４５
℃であった。また２２０℃における溶融粘度は６０００
ポイズであった。

【００６２】

【化８】 実施例１と同様な方法により、得られたポリカーボネー
ト共重合体を ¹Ｈ−ＮＭＲ測定解析した結果、得られた
ポリカーボネート共重合体中の式（１−ａ−３）で表さ
れる構造単位と、式（２−ａ−３）で表される構造単位
とのモル比は５０：５０であることが確認された。

【００６３】参考製造例１ 内容量５００ミリリットルのフラスコに撹拌機、還流冷
却管、ホスゲン吹き込み用浸漬管を設けた。このフラス
コに前記式（１−１）で表されるジヒドロキシ化合物３
９６ｇ（１．００モル）およびジクロロメタン５００ｇ
を秤取した。この混合物に対して、氷冷下、塩化カルボ
ニル２０７．９ｇ（２．１０モル）を６０分間かけて供
給し、反応混合物をさらに２時間、撹拌混合した。反応
終了後、窒素ガスを吹き込み、余剰のホスゲンと副生し
た塩化水素を留去した後、ジクロロメタンを減圧下、留
去することにより下記式（１−１−ｂ）（化９）で表さ
れるビスクロロホーメート４８０ｇを得た。

【００６４】

【化９】

【００６５】実施例７ 内容量５００ミリリットルのフラスコに撹拌機、還流冷
却管を設け、このフラスコに、参考製造例１で製造した
式（１−１−ｂ）で表されるビスクロロホーメート５
２．１ｇ（０．１０モル）、前記式（２−１）で表され
るジヒドロキシ化合物３０．８ｇ（０．１０モル）、末
端停止剤としてフェノール０．３７７ｇ（０．００４モ
ル）、ならびに、ジクロロメタン２００ｇを秤取した。
この混合物に対して、ピリジン２３．７ｇ（０．３０モ
ル）を氷冷下、３０分を要して滴下した後、さらに同温
度で２時間攪拌した。重合反応終了後、反応混合物に希
塩酸水溶液を加て攪拌して過剰のピリジンを除去した
後、ジクロロメタン相をイオン交換水により中性になる
まで洗浄、分液した。得られたポリカーボネート共重合
体のジクロロメタン溶液からジクロロメタンを留去する
ことにより、前記式（１−ａ−１）および式（２−ａ−
１）で表される構造単位を含有するポリカーボネート共
重合体（交互共重合体）を無色固体として得た。このポ
リカーボネートの重量平均分子量は７００００であり、
ガラス転移委温度（Ｔｇ）は１５０℃であった。また２
２０℃における溶融粘度は４２００ポイズであった。実
施例１と同様な方法により、得られたポリカーボネート
共重合体を ¹Ｈ−ＮＭＲ測定解析した結果、得られたポ
リカーボネート共重合体中の式（１−ａ−１）で表され
る構造単位と、式（２−ａ−１）で表される構造単位と
のモル比は５０：５０であることが確認された。

【００６６】比較例１ ビスフェノールＡとホスゲンから常法（界面重合法）に
従い、下記のようにして公知のポリカーボネートを製造
した。内容量２リットルのバッフル付きフラスコに、格
子翼を備えた撹拌機、還流冷却管、ホスゲン吹き込み用
浸漬管を設けた。このフラスコに、１１４ｇ（０．５０
モル）のビスフェノールＡ、５６ｇ（１．４０モル）の
水酸化ナトリウム、２．５８ｇの４−tert−ブチルフェ
ノールおよび、６００ミリリットルの脱イオン水を装入
し水溶液を調製した。その後、該水溶液に６００ミリリ
ットルのジクロロメタンを添加し、２相混合物とし、こ
の２相混合物を撹拌しながら、該混合物に５９．４ｇ
（０．６０モル）のホスゲンを９．９ｇ／分の供給速度
で供給した。塩化カルボニルの供給終了後、０．０８ｇ
のトリエチルアミンを反応混合物に添加し、さらに９０
分間撹拌混合した。その後撹拌を停止し、反応混合物を
分液し、ジクロロメタン相を塩酸水溶液により中和し、
脱イオン水を使用して、水性洗浄液に電界質が実質的に
検出されなくなるまで洗浄した。その後、ジクロロメタ
ン相から、ジクロロメタンを蒸発留去することにより、
固体状態の芳香族ポリカーボネートを得た。重量平均分
子量は５１０００であり、３００℃における溶融粘度は
５４００ポイズであった。

【００６７】比較例２ 特開昭６３−３１４２３５号公報の実施例７に記載の方
法に従い、ビスフェノールＡとスピロビインダノールと
のポリカーボネート共重合体を製造した。重量平均分子
量は４４８００であり、２８０℃における溶融粘度は４
８００ポイズであった（モル比５０：５０）。

【００６８】比較例３ 特開昭６３−３１４２３５号公報の実施例９に記載の方
法に従い、スピロビインダノールのホモポリカーボネー
トを製造した。重量平均分子量５７０００であり、ガラ
ス転移温度は２２８℃であった。また、３００℃におけ
る溶融粘度は４５００ポイズであった。このポリカーボ
ネートを用いて、後述する評価方法に従いプレス成形に
よる試験片を作製して評価試験を行おうとしたところ、
得られた試験片は非常に脆く容易に割れてしまい、実質
的に成形不可能であった。

【００６９】各実施例で製造した本発明のポリカーボネ
ート共重合体は、比較例で製造した公知のビスフェノー
ルＡのポリカーボネートと比較して約８０℃低い温度で
同等の溶融粘度（数千ポイズオーダー）を示し、溶融流
動性に富み成形加工性が良好であることが判った。 〔評価方法〕各実施例および比較例で製造したポリカー
ボネートを用い、プレス成形して厚さ１．２ｍｍの板状
試験片を作製した。この試験片について、以下に示した
項目の評価試験を行った。結果を下記の第３表（表９）
に示した。 （１）外観 試験片の透明性、光学的面状態を目視観察、評価した。 ○：ひび割れ、クラック、面荒れ等が無く、無色透明で
面状態の良いもの ×：ひび割れ、クラック、面荒れ等が観察されるもの （２）全光線透過率（以下、透過率と称する） ＡＳＴＭＤ−１００３法に従った。 （３）複屈折 エリプソメーターによって測定した。 （４）耐熱性 １２０℃で熱風乾燥基中に４時間放置した後、試験片を
取り出して、肉眼で観察し評価した。 ○：成形物の着色、表面の歪、クラック等が無いもの ×：成形物の着色、表面の歪、クラック等が観察される
もの

【００７０】

【００７１】

【表９】 第３表から明らかなように、本発明のポリカーボネート
共重合体を成形して得られる成形物は、透明性、耐熱性
等が良好で、且つ、低複屈折性を有していることが明き
らかとなった。

【００７２】実施例８（光ディスクの作製および評価） 実施例１で製造したポリカーボネート共重合体をペレタ
イザー付き押出機（シリンダー温度２３０℃）にてペレ
ット状として、各ペレットを１１０℃にて４時間乾燥し
た後、２６０℃にて射出成形を行った。すなわち、金型
に鏡面を有するスタンパーを装着して、外径１３０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状の成形物を得た。得られた
基板の中心部を、内径１５ｍｍとなるように打ち抜い
て、ドーナツ状円盤とした。次に、基板の片面にアルミ
の真空蒸着を行い、厚み６００オングストロームの反射
層を設けた。得られた光ディスクの複屈折およびＢＥＲ
（ビットエラーレート）を測定した。ビットエラーレー
トは、波長７８０ｎｍ、線速２ｍ／ｓｅｃ、０．８ｍＷ
のレーザー光を用いて、記録の読みとりのエラーの発生
率を測定した。結果を下記の第４表（表１０）に示し
た。

【００７３】実施例９〜１４ 実施例２〜７で製造したポリカーボネート共重合体を用
いる以外は、実施例８に記載の方法と同様な方法によ
り、光ディスクを作製して評価を行った。結果を下記の
第４表に示した。

【００７４】比較例４ 比較例１で製造したポリカーボネートを使用して３４０
℃で射出成形する以外は、上記実施例と同様な方法によ
り光ディスクを製造した。得られた光ディスクの複屈折
およびＢＥＲ（ビットエラーレート）を測定した結果
を、下記の第４表に示した。

【００７５】比較例５ 比較例２で製造したポリカーボネートを使用して３２０
℃で射出成形する以外は、上記実施例と同様な方法によ
り光ディスクを製造した。得られた光ディスクの複屈折
およびＢＥＲ（ビットエラーレート）を測定した結果
を、下記の第４表に示した。

【００７６】

【表１０】 第４表から明らかなように、本発明のポリカーボネート
共重合体を用いて得られる光ディスクは複屈折の低下に
より、既存のポリカーボネートを用いて得られる光ディ
スクと比較して、ＢＥＲが向上している。

【００７７】実施例１５（光磁気ディスクの製造および
記録特性の評価） 実施例１において得られたポリカーボネート共重合体を
ペレタイザー付き押出機（シリンダー温度２３０℃）に
てペレット状として、各ペレットを１１０℃にて４時間
乾燥した後、射出成形を行った。すなわち、金型に鏡面
を有するスタンパーを装着して、外径１３０ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍの円盤状の成形物（基板）を得た。得られた
基板上に、Ｔｂ23.5Ｆｅ64.2Ｃｏ12.3（原子％）の合金
ターゲットを用いてスパッタリング装置〔ＲＦスパッタ
リング装置、日本真空（株）製〕中で、厚み１０００オ
ングストロームの光磁気記録層を形成した。この記録膜
上に、厚み１０００オングストロームの無機ガラスの保
護膜を、上記と同じスパッタリング装置を用いて形成し
た。得られた光磁気ディスクの複屈折、ＣＮ比、ＢＥＲ
（ビットエラーレート）およびＣＮ保持率を測定した。
尚、ＣＮ比は、書き込みパワー７ｍＷ、読みとりパワー
１ｍＷ、キャリア周波数１ＭＨｚ、分解能帯域幅３０Ｋ
Ｈｚで測定を行った。ＣＮ保持率は、６０℃、９０％Ｒ
Ｈ条件下で、３０日経過後のＣＮ比の低下度を初期のＣ
Ｎ比に対する百分率（％）で示した。結果を下記の第５
表（表１１）に示した。

【００７８】実施例１６〜２１ 実施例２〜７で製造したポリカーボネート共重合体を使
用する以外は、上記実施例１５と同様な方法により光磁
気ディスクを製造した。得られた光磁気ディスクの複屈
折、ＣＮ比、ＢＥＲ（ビットエラーレート）およびＣＮ
保持率を測定した結果を、以下の第５表に示した。

【００７９】比較例６ 比較例１で製造したポリカーボネートを使用する以外
は、上記実施例と同様な方法により光磁気ディスクを製
造した。得られた光磁気ディスクの複屈折、ＣＮ比、Ｂ
ＥＲ（ビットエラーレート）およびＣＮ保持率を測定し
た結果を、下記の第５表に示した。

【００８０】比較例７ 比較例２で製造したポリカーボネートを使用する以外
は、上記実施例と同様な方法により光磁気ディスクを製
造した。得られた光磁気ディスクの複屈折、ＣＮ比、Ｂ
ＥＲ（ビットエラーレート）およびＣＮ保持率を測定し
た結果を、下記の第５表に示した。

【００８１】

【表１１】 第５表から明らかなように、本発明のポリカーボネート
共重合体を用いて得られる光磁気ディスクは複屈折の低
下により、既存のポリカーボネートより得られる光磁気
ディスクと比較して、ＣＮ比およびＢＥＲが向上してお
り、また、ＣＮ保持率が改良されている。

【００８２】

【発明の効果】本発明により、透明性、耐熱性、機械物
性等が良好で、且つ、低複屈折性を有するポリカーボネ
ート共重合体を提供することが可能になった。該ポリカ
ーボネート共重合体は既存のビスフェノールＡのポリカ
ーボネートと比較して溶融時の流動性が良好であり、成
形加工性にも優れている。本発明のポリカーボネート共
重合体は光ディスク基板、ピックアップレンズなどの光
学部品として非常に有用であり、特に、該ポリカーボネ
ート共重合体を用いて得られる光ディスク基板は光記録
特性に優れ、且つ、耐久性（耐熱性、耐湿性など）にも
優れている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１−ａ）および一般式（２−
   ａ）（化１）で表される繰り返し構造単位を含有してな
   るポリカーボネート共重合体。 【化１】 （上式中、Ｒ₁ およびＲ₃ はそれぞれ独立にアルキル
   基、アルコキシ基、ニトロ基あるいはハロゲン原子を表
   し、Ｒ₂ は水素原子またはメチル基を表し、ｋおよびｌ
   はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｍおよびｎはそ
   れぞれ独立に０〜２０の整数を表す。但し、ｍ＋ｎは０
   となることはない）
2. 【請求項２】 一般式（１−ａ）および一般式（２−
   ａ）で表される繰り返し構造単位中に含まれる一般式
   （１−ａ）で表される繰り返し構造単位の割合が５〜９
   ０モル％である請求項１記載のポリカーボネート共重合
   体。
3. 【請求項３】 ポリカーボネート共重合体の重量平均分
   子量が１００００〜１５００００である請求項１または
   ２に記載のポリカーボネート共重合体。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のポリカ
   ーボネート共重合体を含有してなる光学部品。