JPH11260785A - フォトレジスト材料とエッチング残留物の除去方法 - Google Patents

フォトレジスト材料とエッチング残留物の除去方法

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JPH11260785A
JPH11260785A JP10333151A JP33315198A JPH11260785A JP H11260785 A JPH11260785 A JP H11260785A JP 10333151 A JP10333151 A JP 10333151A JP 33315198 A JP33315198 A JP 33315198A JP H11260785 A JPH11260785 A JP H11260785A
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sccm
oxygen
gas
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JP10333151A
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Simon John Molloy
ジョン モロイ シモン
Daniel Joseph Vitkavage
ジョセフ ヴィットカヴェイジ ダニエル
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Lucent Technologies Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 集積回路デバイスに接点用ホールまたはビア
ホールを形成する際に発生するフォトレジスト層とそれ
らの残留物およびその他汚染物を除去する方法を提供す
る。 【解決手段】 ガスプラズマ処理を用いて、フォトレジ
スト層を除去しエッチング残留物の組成を変化させて残
留物を水に溶けやすく（水溶性に）し、脱イオン水で洗
浄することが可能となる。エッチングされたビアホール
あるいは接点ホールを有する基板を反応容器内に配置
し、そしてこの基板にある特性のガスの混合物をあて
て、その後この基板を脱イオン水で洗浄する。この本発
明のプロセスは、１００℃以下の温度で実行される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストと
エッチング残留物等の汚染物を除去できるガスプラズマ
プロセスの方法に関し、特に集積回路デバイス内にビア
ホール（または接点用ホール）をエッチングして形成す
る際に生成された汚染物を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、垂直方向に重ねた金
属製の相互接続層とそれらの間に配置された誘電体材料
層を含む。微少電子回路が集積されるにつれて、また垂
直方向に積層された金属製相互接続層の数が増加するに
つれて、回路に使用できる表面積は減少する。例えば１
ｃｍ2の表面積を有するチップは、ダイ上のすべての回
路要素を利用するために、十〜数百の高密度の相互接続
層を有している。かくして、これらの相互接続層を結合
する方法を改善することが必要である。
【０００３】相互接続層間の電気的接続は、それらを形
成する際に誘電体材料層内に形成された接点用ホール
（またはビアホール）により行われている。接点用ホー
ルは、金属層を半導体基板に電気的に接続する管路であ
り、一方、ビアホールは、隣接するあるいは離間した２
つの金属製相互接続層を電気的に接続する管路である。
一般的にこの接点用ホールとビアホールは、エッチング
により形成される。そしてこのエッチングは高温と反応
性用材を用いて、フォトレジスト層を除去したり他の残
留物および移動イオンの汚染物を除去している。しかし
これらの方法については、欠点がある。
【０００４】例えば、図１，２は、接点用ホールとビア
ホールを具備する集積回路を製造する代表的なプロセス
を示すデバイスの断面図である。図１のＡには、活性領
域１２として示されている複数のトランジスタまたはダ
イオードがその上に形成された半導体基板１０を示す。
第１誘電体層１４が半導体基板１０の上に堆積される。
通常この半導体基板１０は、二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）または、ａ−Ｔａ2Ｏ 5、ａ−ＴｉＯxまたは、ｘ−
（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ3ような他の誘電体材料製の薄い
フィルムからなる。例えば、窒化シリコンからなるエッ
チストップ層１６が、第１誘電体層１４の上に堆積され
る。接点用ホール（ビアホール）１８（図１のＣ，Ｄ）
が図１のＡのデバイスに形成され、半導体基板１０の活
性領域１２と接触する。
【０００５】接点用ホール１８を形成するために、デバ
イスに対し行われるエッチングプロセスは、フォトレジ
ストマスクとプラズマＲＩＥプロセスと反応性ガス（例
えば、ＣＨＦ3またはＳＦ6）を用いるドライエッチング
プロセスである。次に、図１Ｂを参照すると、フォトレ
ジストマスクを用いて、エッチストップ層１６の選択さ
れた領域の上にフォトレジスト層２０を堆積する。エッ
チストップ層１６と第１誘電体層１４のこの露出した領
域は、反応性エッチング材料を用いて制御しながらエッ
チングされて、活性領域１２を露出させて、接点用ホー
ル１８を形成する（図１Ｃ）。しかし、図１Ｃを参照す
ると図１Ｄの構造体を得るためには、フォトレジスト層
２０を除去する必要がある。このフォトレジスト層２０
の除去は、高温（例えば２５０℃）でＯ2を含有したプ
ラズマを用いて行われる。
【０００６】フォトレジストを除去するための高温は、
製造プロセスに欠点をもたらしてしまう。その理由は、
高温は接点用ホールまたはビアホールの底部の材料（す
なわちこれらの材料は、シリコン、窒化チタン、アルミ
等を含有する）の酸化を引き起こしてしまうからであ
る。このフォトレジストの形成プロセスにより、移動イ
オン汚染物（すなわちＮａ+、Ｃｌ-、フッ素種、あるい
は他のイオン有機化合物）がウェハー（二酸化シリコン
ＳｉＯ2製）の表面内に侵入してしまう。従ってこれら
の汚染物は除去しなければならない。その理由は、これ
らの汚染物は、電子デバイスに対し結晶欠陥を引き起こ
し、酸化物の破壊電圧および素子の性能あるいは歩留ま
りを低下させてしまうからである。これらの汚染物を除
去するために方向性酸化物エッチング（例えば、ドライ
プラズマプロセスあるいは、ＣＦ4／Ｏ2またはＮＦ3／
Ｈｅのガス混合物を用いて）が行われる。他の方法（例
えば、ＨＦ酸溶液）を用いて洗浄することもできる。い
ずれの場合にも、フォトレジストの除去プロセスにおい
て加えられる高温により、酸化の問題あるいは移動イオ
ンの汚染の問題が引き起こされ、これらが製品の歩留ま
りおよび信頼性に悪影響を及ぼしさらにこれらを除去す
るための余分のプロセスを必要とする。
【０００７】さらにまた、フォトレジスト層２０を除去
した後、例えば、エッチストップ層１６の表面上にフォ
トレジストの残留物が残り、そして接点用ホール１８に
おいてはエッチング残留物がその表面または側壁に付着
している。これらの残留物は、チタンおよびアルミ含有
のフィルム（不揮発性のエッチング生成物）からなり、
これらは接点用ホールまたはビアホールの側壁に付着す
る。かくして、フォトレジストが除かれた後この構造物
を洗浄する必要がある。このような洗浄は、例えばＨ2
ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2のような溶液、あるいはＥＫＣ−２６５
（フィドロキルアミン、２−（２アミノエトキシ）（エ
タノール、カテコール：cathechol）、アルカリ緩衝剤
を含む溶剤）と、ＡＣＴ−ＣＭＩ（ジメチルアセタミド
とジエタノールアミンの溶液）として市販されている溶
剤とを用いて行われる。さらに酸化物のエッチングある
いは洗浄ステップがその後行われ、移動イオン汚染物お
よび酸化層を除去する。
【０００８】このフォトレジストとエッチングプロセス
は、集積回路デバイスの製造が継続されている間、ビア
ホールを形成しそしてビアホールが形成されると次に洗
浄するプロセスが繰り返される。例えば、図２Ａは、図
１Ｄの接点用ホール１８が、金属製相互接続構造体２６
により充填され、活性領域１２に対し電気的接続を与え
ている。金属製相互接続構造体２６の上には保護層２８
と誘電体層３０が堆積されている。フォトレジスト層３
１は、誘電体層３０の選択された領域の上に堆積され、
そしてプラズマエッチングプロセスを行って図２Ｂに示
す露出した領域にビアホール３２を形成する。図２Ｂの
フォトレジスト層３１をその後除去して、図２Ｃの構造
体を提供する。前述したようにフォトレジスト層３１は
高温で除去され、これにより移動イオン汚染が発生す
る。洗浄溶液を用いてエッチングまたはフォトレジスト
残留物を誘電体層３０およびビアホール３２の側壁ある
いは上部表面から取り除く。その後さらに酸化物のエッ
チングまたは洗浄ステップを適応して、移動イオン汚染
の問題を処理している。このプロセスはさらに層が形成
される際に継続して行われ、その結果、多くのビアホー
ルがエッチングで形成され、その上に複数の相互接続領
域が形成されさらにその後洗浄するステップが行われ
る。
【０００９】上記のエッチングプロセスは、複数の相互
接構造を有する多層の集積回路デバイスの製造について
は利点があるが、フォトレジストの除去と残留物の除去
プロセスの点では欠点がある。フォトレジストの除去プ
ロセスにおいて、高温を用いることは基板内に移動イオ
ンが取り込まれるという潜在的な問題を発生させるため
に実行は不利であり、そのためさらに余分のエッチング
あるいは洗浄プロセスが必要とされる。残留物を除去す
る際に用いられる溶剤は、その堆積および集積回路デバ
イスの腐食といった潜在的な問題を引き起こす。集積回
路デバイスが集積されデバイスの表面が小さくなると、
ビアホールの直径も同様に小さくなりこれにより、溶剤
がビアホールに取り込まれる可能性が増し、さらに腐食
の可能性を増加させる。また各洗浄ステップは処理時間
を増加させ、特に積層構造体が形成される際には各余分
の洗浄ステップは、プロセスの処理時間を大幅に増加さ
せる。反応性溶液を使用することにより廃棄物の処理お
よび人体の健康に対しても問題を起こしてしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、集積回路デバイスに接点用ホールまたはビアホール
を形成する際に発生するフォトレジスト層とそれらの残
留物およびその他汚染物を除去する新たな方法を提供す
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、集積回
路デバイスにビアホールおよび／または接点用ホールを
形成する際に、ガスプラズマ処理を用いて、フォトレジ
スト層を除去しエッチング残留物の組成を変化させて残
留物を水に溶けやすく（水溶性に）し、脱イオン水で洗
浄することが可能となる。エッチングされたビアホール
あるいは接点ホールを有する基板を反応容器内に配置
し、そしてこの基板に請求項２に記載したガスの混合物
をあてて、その後この基板を脱イオン水で洗浄する。こ
の本発明のプロセスは、１００℃以下の温度で実行され
る。好ましいガス混合物は請求項６に記載したものであ
る。さらに本発明の請求項４に記載した特徴を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、集積回路デバイスにビ
アホールおよび／または接点ホールを形成する際に発生
するフォトレジスト層を除去し、レジスト残留物を取り
除くために、低温（１００℃以下）のガスプラズマプロ
セスを用いている。このプロセスにおいては、ガスプラ
ズマがフォトレジスト層の除去と残留物の除去の両方を
行い、かつこの残留物の組成を水に溶けやすくし、基板
を脱イオン水で洗浄できるようにする。本発明のプロセ
スは反応性の洗浄溶剤を使用せず、そのためそれに関連
する問題を回避できる。その結果半導体デバイスの腐
食、歩留まり、信頼性、人間の健康等に対する影響を改
善している。このプロセスにおいて低温でよいことは移
動イオン汚染の問題を回避できる。また、本発明の方法
は従来のフォトレジスト層と残留物の除去に比較して単
純であり、そのため処理時間と処理の効率および製品の
歩留まりを向上させている。
【００１３】例えば、図３には、本発明のステップを表
すブロック図が示されている。同図から分かるように、
本発明のステップの数は少なく、そのため、相互接続層
とビアホールと接点用ホールを具備する集積回路を製造
する際の製造時間を大幅に短縮することができる。第１
ステップ（図３のブロック１）は、ビアホール（あるい
は接点ホール）のエッチングを実行することであり、こ
れは反応性ガス（例：ＣＨＦ3またはＳＦ6の反応性の混
合ガス）を用いた公知の方法である。ここで用いられる
エッチング方法は本発明に特有なものではなくどのよう
な種類の接点用ホールあるいはビアホール（例えば垂直
のビアホールあるいは傾斜したビアホール）も形成され
る。このエッチングプロセスには除去されるフォトレジ
スト層の使用が含まれる。
【００１４】次のステップ（図３のブロック２）は、基
板を適当な反応容器（すなわちガスプラズマを発生する
真空チェンバー）内に配置する。この時点の基板は図１
のＣまたは図２のＢに示される。エッチングで形成され
たビアホールおよび接点用ホール（接点用ホール１８、
ビアホール３２）とフォトレジスト層（フォトレジスト
層２０、フォトレジスト層３１）を有する。この反応容
器は、Applied Materials,Inc社から市販されている、
遠隔プラズマソース（リモートプラズマソース：ＲＰ
Ｓ）反応容器である。これは当業者には公知である。他
の種類の反応容器、例えば下流方向プラズマ容器、高密
度（誘導結合された）反応容器、トライオード、あるい
は他の二重パワーの反応容器、高パワープラズマ反応容
器、低パワー（ＲＩＥ）プラズマ反容器とを用いること
ができる。この反応容器はウェハーにかかるバイアス電
圧が低い状態で動作させなければならない。このことは
ウェハー表面へのイオン衝突に際しては、最大エネルギ
ーが５０ｅＶ以下であることを意味する。すなわち、ガ
スプラズマプロセスにおけるイオン照射はできるだけ弱
くして行わなければならない。ＲＰＳ反応容器が１００
０〜１５００Ｗのパワーで動作するのが好ましい。
【００１５】次のステップ（図３のブロック３）は基板
へのバイアス電圧を低くしてプラズマを発生し、これに
より、酸素、窒素、フッ素、ハイドロフルオロカーボ
ン、フッ化メタン、アミンガスからなるグループから選
択された混合ガスを、低いバイアス電圧をかけたウェハ
ーの表面に接触させる。好ましいガス混合物は、酸素と
窒素とフルオロメタンの混合物、酸素と窒素とテトラフ
ルオロメタンの混合物、酸素とトリフルオロアミンとテ
トラフルオロメタンの混合物である。さらにまた、この
ウェハーは、（ａ）１５０〜２５０sccmＯ2と１００〜
２００sccmＮ2と、１５０〜２５０sccmＣＨ3Ｆとを含む
ガス混合物、（ｂ）８００〜１０００sccmＯ2と５０〜
２００sccmＮ2と１０〜３０sccmＣＦ4とを含むガス混合
物、（ｃ）９００〜１１００sccmＯ2と２０〜４０sccm
ＮＦ3とを含むガス混合物、（ｄ）７００〜９００sccm
Ｏ2と２０〜４０sccmＮＦ3と１５０〜２５０sccmＨ2Ｏ
（蒸気）を含むガス混合物を用いてエッチングするのが
好ましい（単位sccmは、標準の圧力と温度における１分
間あたりの標準の立方ｃｍを表す）。後者の混合物中の
Ｈ2Ｏ（蒸気）はプラズマ中に付加される蒸気であり、
後続のＨ2Ｏの液体洗浄のものではない。特に、（ａ）
２００sccmＯ2と１５０sccmＮ2と２００sccmＣＨ3Ｆと
からなるガス混合物、（ｂ）９７０sccmＯ2と１００scc
mＮ2と２０sccmＣＦ 4とからなるガス混合物、（ｃ）１
０００sccmＯ2と３０sccmＮＦ3とからなるガス混合物、
（ｄ）８００sccmＯ2と３０sccmＮＦ3と２００sccmＨ2
Ｏ（蒸気）からなるガス混合物を使用するのが好まし
い。ここでまたＨ2Ｏの蒸気は、Ｈ2Ｏの液体洗浄用のも
のではない。
【００１６】これらのガスが、高速でフォトレジスト２
５、３７を除去しかつエッチングプロセスから生じた残
留物の組成を変化させ、そして残留物を水に溶けやすく
して、Ｈ2Ｏ洗浄で洗浄できるようにする。このプロセ
スは、１００℃以下の温度でさらに好ましくは４０〜９
０℃の温度で実行され、そして１０〜９０秒の間イオン
照射を行う。
【００１７】最後にＨ2Ｏ洗浄（図３のブロック４）を
行い、この時点で、水に溶けやすくなった残留物を除去
する。
【００１８】
【実験例１】図２Ａに示すように、光リソグラフプロセ
スを用いて誘電体層３０の選択された領域にフォトレジ
スト層３１をパターン化する。誘電体層３０の選択され
た領域を、ＲＩＥプラズマプロセスと反応性エッチング
材を用いて制御しながらエッチングを行い、その後公知
の方法で図２Ｂの構造体を得る。図２Ｂの構造体を、Ap
plied Materials 社製のＲＰＳ反応容器内に配置する。
反応容器の圧力は１．５０Torrである。基板特にビアホ
ールの側壁を酸素と窒素とハイドロフルオロカーボンガ
スからなる混合ガス（その組成は、２００sccmＯ2と、
１５０sccmＮ2と、２００sccmＣＨ3Ｆ）に基板を、１０
００Ｗのエネルギをかけながら約６０秒間さらす。その
温度は全期間を通して１００℃以下に維持する。このガ
スにさらすことにより残留物の組成を変化させそれらを
水に溶けやすくする。次に、反応容器の圧力を０．７To
rrまで下げ１０００sccmＯ2と１００sccmＮ2と２０sccm
ＣＦ4の混合ガスを導入する。この混合ガスを基板に１
４００Ｗのエネルギをかけながら約３０秒間基板の表面
にさらす。これによりフォトレジスト層（図２Ｂのフォ
トレジスト層３１）を除去する。この時点で基板を反応
容器容器から取り出しそれを脱イオンしたＨ2Ｏでもっ
て洗浄するのがよい。フォトレジストの純度のような条
件によっては、移動Ｎａ+イオンを除去するために、基
板を反応容器内に戻してさらに処理するのが好ましい。
この場合の反応容器の圧力は、１．００Torrで２３０sc
cmＯ2と、６０sccmＮＦ3と、４００sccmＣＦ4からなる
ガス混合物を基板に１４００Ｗのエネルギをかけながら
約１５秒間さらすのがよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】集積回路デバイスに接点用ホール（ビアホー
ル）を形成する、各ステップを表し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ
は、第１、第２、第３、第４ステップをそれぞれ表す
図。
【図２】集積回路デバイスに接点用ホール（ビアホー
ル）を形成する、各ステップを表し、Ａ、Ｂ、Ｃは、第
５、第６、第７ステップをそれぞれ表す図。
【図３】本発明の方法のステップを表すブロック図。
【符号の説明】
１０ 半導体基板 １２ 活性領域 １４ 第１誘電体層 １６ エッチストップ層 １８ 接点用ホール（ビアホール） ２０ フォトレジスト層 ２６ 金属製相互接続構造体 ２８ 保護層 ３０ 誘電体層 ３１ フォトレジスト層 ３２ ビアホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ダニエル ジョセフ ヴィットカヴェイジ アメリカ合衆国，32821 フロリダ，オー ランド，バンナー コート 11428，アパ ートメント 3106

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）フォトレジスト層とエッチング残留
    物を有するエッチングされた基板を用意するステップ
    と、 （ｂ）前記基板の表面上に、ガスプラズマを当てるため
    に前記基板を反応容器内に配置するステップと、 （ｃ）前記フォトレジスト層を除去し残留物が水溶性と
    なるようにその組成を変化させるためにガス混合物を用
    いて前記基板の表面をエッチングするステップと、 このエッチングステップは、１００℃以下の温度に基板
    を保持して行い、 （ｄ）前記エッチングした後の基板を脱イオン水で洗浄
    するステップと、からなることを特徴とするフォトレジ
    スト材料とエッチング残留物の除去方法。
  2. 【請求項２】 前記ガスは、酸素と窒素とフッ素とフッ
    化水素カーボンとフッ化メタンとアミンガスからなるグ
    ループから選択されることを特徴とする請求項１記載の
    方法。
  3. 【請求項３】 前記エッチングされた基板は、集積回路
    デバイスの相互接続層を結合するビアホールおよび／ま
    たは接点用ホールを有することを特徴とする請求項１記
    載の方法。
  4. 【請求項４】 前記反応容器は、１５００Ｗ以下で動作
    する下流方向あるいは遠隔プラズマ反応容器であること
    を特徴とする請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記（ｃ）のステップは、５０ｅＶ以下
    のエネルギーレベルで、前記基板表面にイオン衝撃を与
    えて行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記ガスの混合物は、（ａ）酸素と窒素
    とフルオロメタンとの混合物、（ｂ）酸素と窒素とテト
    ラフルオロメタンとの混合物、（ｃ）酸素とトリフルオ
    ロアミンとテトラフルオロメタンとの混合物、（ｄ）酸
    素とトリフルオロアミンとの混合物、（ｅ）酸素とトリ
    フルオロアミンとＨ2Ｏ（蒸気）との混合物のグループ
    から選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記ガスの混合物は、（ａ）１５０〜２
    ５０sccmＯ2と１００〜２００sccmＮ2と１５０〜２５０
    sccmＣＨ3Ｆとからなる混合物、（ｂ）８００〜１００
    ０sccmＯ2と５０〜２００sccmＮ2と１０〜３０sccmＣＦ
    4とからなる混合物、（ｃ）９００〜１１００sccmＯ2と
    ２０〜４０sccmＮＦ3とからなる混合物、（ｄ）７００
    〜９００sccmＯ2と２０〜４０sccmＮＦ3と１５０〜２５
    ０sccmＨ2Ｏ（蒸気）とからなる混合物からなるグルー
    プから選択されることを特徴とする請求項１記載の方
    法。
  8. 【請求項８】 前記（ｃ）のステップは、 （ｃ１）２００sccmＯ2と１５０sccmＮ2と２００sccmＣ
    Ｈ3Ｆからなるガス混合物を、前記基板に約６０秒間で
    １０００Ｗで１．０Torrの圧力でさらすステップと、 （ｃ２）１０００sccmＯ2と１００sccmＮ2と２０sccmＣ
    Ｆ4からなるガス混合物を、前記基板に約３０秒間で１
    ４００Ｗで０．７Torrの圧力でさらすステップと、 （ｃ３）２３０sccmＯ2と６０sccmＮＦ3と４００sccmＣ
    Ｆ4からなるガス混合物を、前記基板に約１５秒間で１
    ４００Ｗで１．０Torrの圧力でさらすステップとを有す
    ることを特徴とする請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】 集積回路デバイスの相互接続層を結合す
    るのに用いられる、基板内に形成されたビアホールおよ
    び／または接点用ホールを形成するプロセスにおけるフ
    ォトレジストとエッチング残留物を除去する方法におい
    て、 フォトレジスト層は、基板表面の選択した領域に形成さ
    れかつ一部を残し反応性エッチング材が塗布されて前記
    基板表面の露出部分に、ビアホールおよび／または接点
    ホールを形成し、 （ａ）前記基板の表面上にガスプラズマを当てるために
    前記基板を反応容器内に配置するステップと、 （ｂ）前記フォトレジスト層を除去し、残留物が水溶性
    となるように、その組成を変化させるために、ガス混合
    物を用いて前記基板の表面をエッチングするステップ
    と、 このエッチングステップは、１００℃以下の温度に基板
    を保持して行い、 （ｃ）前記エッチングされた基板を脱イオン水で洗浄す
    るステップと、からなることを特徴とするフォトレジス
    ト材料とエッチング残留物の除去方法。
  10. 【請求項１０】 垂直壁または傾斜壁を有するビアホー
    ルが基板にエッチングで形成されることを特徴とする請
    求項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記ガスは、酸素と窒素とフッ素とフ
    ッ化水素カーボンとフッ化メタンとアミンガスからなる
    グループから選択されることを特徴とする請求項９記載
    の方法。
  12. 【請求項１２】 前記反応容器は、１５００Ｗ以下で動
    作する下流方向あるいは遠隔プラズマ反応容器であるこ
    とを特徴とする請求項９記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記（ｂ）のステップは、５０ｅＶ以
    下のエネルギーレベルで、前記基板表面にイオン衝撃を
    与えて行うことを特徴とする請求項９記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記ガスの混合物は、（ａ）酸素と窒
    素とフルオロメタンとの混合物、（ｂ）酸素と窒素とテ
    トラフルオロメタンとの混合物、（ｃ）酸素とトリフル
    オロアミンとテトラフルオロメタンとの混合物、（ｄ）
    酸素とトリフルオロアミンとの混合物、（ｅ）酸素とト
    リフルオロアミンとＨ2Ｏ（蒸気）との混合物からなる
    グループから選択されたことを特徴とする請求項９記載
    の方法。
  15. 【請求項１５】 前記ガスの混合物は、（ａ）１５０〜
    ２５０sccmＯ2と１００〜２００sccmＮ2と１５０〜２５
    ０sccmＣＨ3Ｆとの混合物、（ｂ）８００〜１０００scc
    mＯ2と５０〜２００sccmＮ2と１０〜３０sccmＣＦ4との
    混合物、（ｃ）９００〜１１００sccmＯ2と２０〜４０s
    ccmＮＦ3との混合物、（ｄ）７００〜９００sccmＯ2と
    ２０〜４０sccmＮＦ3と１５０〜２５０sccmＨ2Ｏ（蒸
    気）との混合物からなるグループから選択されることを
    特徴とする請求項９記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記（ｂ）のステップは、 （ｂ１）２００sccmＯ2と、１５０sccmＮ2と、２００sc
    cmＣＨ3Ｆからなるガス混合物を、前記基板に、約６０
    秒間で１０００Ｗで１．０Torrの圧力でさらすステップ
    と、 （ｂ２）１０００sccmＯ2と、１００sccmＮ2と、２０sc
    cmＣＦ4からなるガス混合物を、前記基板に、約３０秒
    間で１４００Ｗで０．７Torrの圧力でさらすステップを
    有することを特徴とする請求項９記載の方法。
  17. 【請求項１７】（ｂ３）２３０sccmＯ2と、６０sccmＮ
    Ｆ3と、４００sccmＣＦ4からなるガス混合物を、前記基
    板に約１５秒間で１４００Ｗで１．０Torrの圧力でさら
    すステップをさらに有すること特徴とする請求項１６記
    載の方法。
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