JPH11258798A - ネガ型感光性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
ネガ型感光性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】安全作業性、作業効率、製品の品質安定性に優
れたネガ型感光性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】最大波長が５００〜６２０ｎｍの範囲内に
ある比視感度の大きい安全光の照射環境下で使用するネ
ガ型感光性樹脂組成物であり、該組成物が光硬化性樹
脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増感色素とを含
有した液状もしくは固形状樹脂組成物であって、その組
成物から形成される未感光被膜の吸光度が上記安全光の
最大波長の範囲から選ばれた最大波長の−３０ｎｍ〜＋
３０ｎｍの範囲において０．５以下であることを特徴と
するネガ型感光性樹脂組成物。
れたネガ型感光性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】最大波長が５００〜６２０ｎｍの範囲内に
ある比視感度の大きい安全光の照射環境下で使用するネ
ガ型感光性樹脂組成物であり、該組成物が光硬化性樹
脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増感色素とを含
有した液状もしくは固形状樹脂組成物であって、その組
成物から形成される未感光被膜の吸光度が上記安全光の
最大波長の範囲から選ばれた最大波長の−３０ｎｍ〜＋
３０ｎｍの範囲において０．５以下であることを特徴と
するネガ型感光性樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規なネガ型感光性
樹脂組成物及びレジストパターン形成方法に係わる。
樹脂組成物及びレジストパターン形成方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、ネガ型感光性樹脂組成物は無公
害、省資源、省エネルギー、高生産効率等の面で優れた
特色を持つことから、塗料、インキ、接着剤として多方
面に使用されている。該感光性樹脂組成物は、例えば回
路板、プラスチック、木材、金属、紙、ガラス、繊維等
を素材とする用途に適用されている。
害、省資源、省エネルギー、高生産効率等の面で優れた
特色を持つことから、塗料、インキ、接着剤として多方
面に使用されている。該感光性樹脂組成物は、例えば回
路板、プラスチック、木材、金属、紙、ガラス、繊維等
を素材とする用途に適用されている。
【０００３】しかしながら、このようなネガ型感光性樹
脂組成物を工業的に生産して実用ラインに適用した際に
次の様な問題点があった。
脂組成物を工業的に生産して実用ラインに適用した際に
次の様な問題点があった。
【０００４】現在、可視光線により活性化された光反応
開始剤により感光性樹脂が反応して、硬化被膜を形成す
る組成物が、近年多く使用されるようになってきた。
開始剤により感光性樹脂が反応して、硬化被膜を形成す
る組成物が、近年多く使用されるようになってきた。
【０００５】従来、硬化に使用される可視光線の発光ス
ペクトルの波長は、例えば４８８ｎｍ、５３２ｎｍ等の
活性光線が一般的に使用されている。このようなネガ型
感光性樹脂組成物を取り扱う場合には、暗赤色の着色剤
を外管にコーテングもしくは暗赤色のフィルムを外管に
巻き付けることにより着色した蛍光灯等の電灯を安全光
（作業灯）として使用されている。しかしながら、この
ような暗赤色の安全光の環境下では、塗布後の塗膜状態
の検査が容易ではないこと、塗装装置、照射装置、輸送
装置等の検査が容易でないことなどから安全作業性、作
業効率、製品品質安定性等が劣るといった問題点があっ
た。また、着色しない蛍光灯を安全灯として使用した場
合には作業環境は明るく問題ないが、感光性樹脂によっ
ては感光が必要のない箇所まで感光する恐れがあり問題
となる。
ペクトルの波長は、例えば４８８ｎｍ、５３２ｎｍ等の
活性光線が一般的に使用されている。このようなネガ型
感光性樹脂組成物を取り扱う場合には、暗赤色の着色剤
を外管にコーテングもしくは暗赤色のフィルムを外管に
巻き付けることにより着色した蛍光灯等の電灯を安全光
（作業灯）として使用されている。しかしながら、この
ような暗赤色の安全光の環境下では、塗布後の塗膜状態
の検査が容易ではないこと、塗装装置、照射装置、輸送
装置等の検査が容易でないことなどから安全作業性、作
業効率、製品品質安定性等が劣るといった問題点があっ
た。また、着色しない蛍光灯を安全灯として使用した場
合には作業環境は明るく問題ないが、感光性樹脂によっ
ては感光が必要のない箇所まで感光する恐れがあり問題
となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は明るい安全光
の条件下で取り扱うネガ型感光性樹脂組成物及びそれを
使用したレジストパターン形成方法を開発することを目
的として成されたものである。
の条件下で取り扱うネガ型感光性樹脂組成物及びそれを
使用したレジストパターン形成方法を開発することを目
的として成されたものである。
【０００７】
【課題を解決しようとする手段】本発明者らは、上記し
た問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定
のネガ型感光性樹脂組成物と特定の安全光を組み合わせ
ることにより従来からの問題点を解決することを見出
し、本発明を完成するに至った。
た問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定
のネガ型感光性樹脂組成物と特定の安全光を組み合わせ
ることにより従来からの問題点を解決することを見出
し、本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明は、 １、最大波長が５００〜６２０ｎｍの範囲内にある比視
感度の大きい安全光の照射環境下で使用するネガ型感光
性樹脂組成物であり、該組成物が光硬化性樹脂、光反応
開始剤、及び必要に応じて光増感色素とを含有した液状
もしくは固形状樹脂組成物であって、その組成物から形
成される未感光被膜の吸光度が上記安全光の最大波長の
範囲から選ばれた最大波長の−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの
範囲において０．５以下であることを特徴とするネガ型
感光性樹脂組成物、 ２、安全光がナトリウムを主成分とする放電ランプ（光
波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）によるもの
であることを特徴とする上記のネガ型感光性樹脂組成
物、 ３、安全光がナトリウムを主成分とする放電ランプ（光
波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）であって、
更にＤ線以外の低波長域のエネルギー光線をカットして
なることを特徴とする上記のネガ型感光性樹脂組成物、 ４、下記 （１）基材上にネガ型感光性樹脂組成物を塗布して感光
性被膜を形成する工程、（２）基材上に形成された感光
性被膜表面に所望のレジスト被膜（画像）が得られるよ
うにレーザー光線で直接もしくは光線でネガマスクを通
して感光して硬化させる工程、（３）上記（２）工程で
形成されたレジスト被膜を現像処理して基板上にレジス
トパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形
成方法において、該ネガ型感光性樹脂組成物が光硬化性
樹脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増感色素とを
含有した液状もしくは固形状樹脂組成物であって、その
組成物から形成される未感光被膜の吸光度が下記安全光
の最大波長の範囲から選ばれた最大波長の−３０ｎｍ〜
＋３０ｎｍの範囲において０．５以下のものであり、且
つ前記した工程（１）〜（３）の少なくとも１つは光源
の発光スペクトルの最大波長が５００〜６２０ｎｍの範
囲内にある比視感度の大きい安全光の照射環境下で行う
ことを特徴とするレジストパターン形成方法、 ５、安全光がナトリウムを主成分とする放電ランプ（光
波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）によるもの
であることを特徴とする上記のレジストパターン形成方
法に係わる。
感度の大きい安全光の照射環境下で使用するネガ型感光
性樹脂組成物であり、該組成物が光硬化性樹脂、光反応
開始剤、及び必要に応じて光増感色素とを含有した液状
もしくは固形状樹脂組成物であって、その組成物から形
成される未感光被膜の吸光度が上記安全光の最大波長の
範囲から選ばれた最大波長の−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの
範囲において０．５以下であることを特徴とするネガ型
感光性樹脂組成物、 ２、安全光がナトリウムを主成分とする放電ランプ（光
波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）によるもの
であることを特徴とする上記のネガ型感光性樹脂組成
物、 ３、安全光がナトリウムを主成分とする放電ランプ（光
波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）であって、
更にＤ線以外の低波長域のエネルギー光線をカットして
なることを特徴とする上記のネガ型感光性樹脂組成物、 ４、下記 （１）基材上にネガ型感光性樹脂組成物を塗布して感光
性被膜を形成する工程、（２）基材上に形成された感光
性被膜表面に所望のレジスト被膜（画像）が得られるよ
うにレーザー光線で直接もしくは光線でネガマスクを通
して感光して硬化させる工程、（３）上記（２）工程で
形成されたレジスト被膜を現像処理して基板上にレジス
トパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形
成方法において、該ネガ型感光性樹脂組成物が光硬化性
樹脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増感色素とを
含有した液状もしくは固形状樹脂組成物であって、その
組成物から形成される未感光被膜の吸光度が下記安全光
の最大波長の範囲から選ばれた最大波長の−３０ｎｍ〜
＋３０ｎｍの範囲において０．５以下のものであり、且
つ前記した工程（１）〜（３）の少なくとも１つは光源
の発光スペクトルの最大波長が５００〜６２０ｎｍの範
囲内にある比視感度の大きい安全光の照射環境下で行う
ことを特徴とするレジストパターン形成方法、 ５、安全光がナトリウムを主成分とする放電ランプ（光
波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）によるもの
であることを特徴とする上記のレジストパターン形成方
法に係わる。
【０００９】本発明は最大波長が５００〜６２０ｎｍの
範囲にある光が特定のネガ型感光性樹脂組成物に対して
硬化反応を起こさない安全光であるとともに、この範囲
の安全光が人の比視感度の高い領域であることから従来
のものと比較して同一照明光強度において非常に明るく
感じる性質を利用したものであり、それにより安全作業
性、作業効率、製品の品質安定性等が優れる。また、従
来の安全光は蛍光灯を赤色に着色したものが使用されて
いるが、蛍光灯の発光スペクトルは紫外光〜可視光の広
い範囲に及ぶ波長領域（図５）を持つため、硬化を必要
としない感光性樹脂被膜部までも硬化させ、現像処理に
より鮮明なレジストパターンが形成できなくなる、この
ために照明光の強度を小さくして対応しているので更に
作業環境が暗くなるといった問題点がある。これに対し
て、本願で使用する安全光は、例えばナトリウムランプ
のようにシャープな波長を有することから上の様な問題
は解消される。
範囲にある光が特定のネガ型感光性樹脂組成物に対して
硬化反応を起こさない安全光であるとともに、この範囲
の安全光が人の比視感度の高い領域であることから従来
のものと比較して同一照明光強度において非常に明るく
感じる性質を利用したものであり、それにより安全作業
性、作業効率、製品の品質安定性等が優れる。また、従
来の安全光は蛍光灯を赤色に着色したものが使用されて
いるが、蛍光灯の発光スペクトルは紫外光〜可視光の広
い範囲に及ぶ波長領域（図５）を持つため、硬化を必要
としない感光性樹脂被膜部までも硬化させ、現像処理に
より鮮明なレジストパターンが形成できなくなる、この
ために照明光の強度を小さくして対応しているので更に
作業環境が暗くなるといった問題点がある。これに対し
て、本願で使用する安全光は、例えばナトリウムランプ
のようにシャープな波長を有することから上の様な問題
は解消される。
【００１０】本発明で使用する安全光は、５００〜６２
０ｎｍ、好ましくは５１０〜６００ｎｍの範囲内に最大
波長を有する比視感度の大きい可視光線である。この安
全光は、例えば、ナトリウム等のガス中で放電させるこ
とにより上記した範囲の最大波長を有する光線を発する
放電ランプを使用して得ることができる。これらの中で
もナトリウムランプはランプから放射される光が波長５
８９ｎｍの黄色のＤ線が主体であり、単色光であるため
色収差が少なく物体をシャープに見せることができるの
で安全性、作業環境性等に優れる。図１に低圧ナトリウ
ムランプの分光分布の波長を示す。該ナトリウムランプ
の分光分布図１において、該分光分布図１に示すように
ナトリウムランプの最大波長を持つＤ線以外にネガ型感
光性樹脂組成物に悪影響を及ぼさない程度に高エネルギ
ー光線（低波長領域）を有していても構わない。また、
ナトリウムランプにフィルターを施すことによりＤ線以
外の高エネルギー線をカットしたものも使用することが
できる。このように高エネルギー線をカットしたナトリ
ウムランプの分光分布を図２に示す。
０ｎｍ、好ましくは５１０〜６００ｎｍの範囲内に最大
波長を有する比視感度の大きい可視光線である。この安
全光は、例えば、ナトリウム等のガス中で放電させるこ
とにより上記した範囲の最大波長を有する光線を発する
放電ランプを使用して得ることができる。これらの中で
もナトリウムランプはランプから放射される光が波長５
８９ｎｍの黄色のＤ線が主体であり、単色光であるため
色収差が少なく物体をシャープに見せることができるの
で安全性、作業環境性等に優れる。図１に低圧ナトリウ
ムランプの分光分布の波長を示す。該ナトリウムランプ
の分光分布図１において、該分光分布図１に示すように
ナトリウムランプの最大波長を持つＤ線以外にネガ型感
光性樹脂組成物に悪影響を及ぼさない程度に高エネルギ
ー光線（低波長領域）を有していても構わない。また、
ナトリウムランプにフィルターを施すことによりＤ線以
外の高エネルギー線をカットしたものも使用することが
できる。このように高エネルギー線をカットしたナトリ
ウムランプの分光分布を図２に示す。
【００１１】また、本発明で使用する安全光にはフィル
ターを使用することができる。該フィルターとしては、
例えば、ファンタックＦＤ−１０８１ スカーレット、
ファンタックＦＣ−１４３１ サンフラワー イエロー
（以上、関西ペイント（株）社製、商標名）、リンテッ
ク ルミクールフィルムＮＯ．１９０５（リンテック
（株）社製、商標名）等が挙げられる。
ターを使用することができる。該フィルターとしては、
例えば、ファンタックＦＤ−１０８１ スカーレット、
ファンタックＦＣ−１４３１ サンフラワー イエロー
（以上、関西ペイント（株）社製、商標名）、リンテッ
ク ルミクールフィルムＮＯ．１９０５（リンテック
（株）社製、商標名）等が挙げられる。
【００１２】また、本発明で使用する安全光は、ナトリ
ウムランプのように光線が５８９ｎｍのシャープな単光
色を使用することが好ましいが、最大波長が上記した範
囲内にある以外に紫外光、可視光、赤外光の波長範囲に
分布した波長を持つ安全光を使用しても構わない。但
し、この様な分布を持つ安全光を使用する場合には分布
した光線領域がネガ型感光性樹脂組成物に対して悪影響
（感光）を及ぼさない安全な光の領域であることが必要
である。
ウムランプのように光線が５８９ｎｍのシャープな単光
色を使用することが好ましいが、最大波長が上記した範
囲内にある以外に紫外光、可視光、赤外光の波長範囲に
分布した波長を持つ安全光を使用しても構わない。但
し、この様な分布を持つ安全光を使用する場合には分布
した光線領域がネガ型感光性樹脂組成物に対して悪影響
（感光）を及ぼさない安全な光の領域であることが必要
である。
【００１３】このような安全な高エネルギー光線領域
は、分布した光線のエネルギー強度とその領域における
ネガ型感光性樹脂組成物の吸光度に関係し、光線のエネ
ルギー強度が大きい場合はその組成物の吸光度の小さい
もの、光線のエネルギー強度が小さい場合はその組成物
の吸光度が前者のものよりも比較的大きなものまで使用
することができる。しかしながら、安全光として最大波
長を５００〜６２０ｎｍの範囲に持つ通常の蛍光灯を使
用したとしても、このものは５００ｎｍ未満、特に４０
０〜４９９ｎｍに大きな光エネルギー強度を持つため特
に４８８ｎｍ又は５３２ｎｍ等に発振線を有する可視光
レーザーで感光させるネガ型感光性樹脂組成物の安全光
として使用することができない。
は、分布した光線のエネルギー強度とその領域における
ネガ型感光性樹脂組成物の吸光度に関係し、光線のエネ
ルギー強度が大きい場合はその組成物の吸光度の小さい
もの、光線のエネルギー強度が小さい場合はその組成物
の吸光度が前者のものよりも比較的大きなものまで使用
することができる。しかしながら、安全光として最大波
長を５００〜６２０ｎｍの範囲に持つ通常の蛍光灯を使
用したとしても、このものは５００ｎｍ未満、特に４０
０〜４９９ｎｍに大きな光エネルギー強度を持つため特
に４８８ｎｍ又は５３２ｎｍ等に発振線を有する可視光
レーザーで感光させるネガ型感光性樹脂組成物の安全光
として使用することができない。
【００１４】本発明に記載の吸光度は、−ｌｏｇ（Ｉ／
Ｉ０ ）の式で表される。但しＩは透明基材の表面に感
光性樹脂組成物を塗布し、乾燥（溶剤を除去）を行った
被膜の透過光の強度、Ｉ０ はブランク[試料（ネガ型感
光性樹脂組成物）を塗布するための透明基材（例えば、
ポリエチレンテレフタレートシート）]の透過光の強度
を表す。
Ｉ０ ）の式で表される。但しＩは透明基材の表面に感
光性樹脂組成物を塗布し、乾燥（溶剤を除去）を行った
被膜の透過光の強度、Ｉ０ はブランク[試料（ネガ型感
光性樹脂組成物）を塗布するための透明基材（例えば、
ポリエチレンテレフタレートシート）]の透過光の強度
を表す。
【００１５】人間の目に光が入ることにより生じる明る
さは、比視感度で表すことができる。比視感度は、ＪＩ
Ｓ Ｚ８１１３の２００５に定義されているように、特
定の観測条件において、ある波長λの単色放射が比較の
基準とする放射と等しい明るさであると判断された時
の、波長λの単色放射の放射輝度の相対値の逆数、通
常、λを変化させた時の最大値が１になるように基準化
したものと定義される。図３に可視光の波長領域である
３８０〜７８０ｎｍの比視感度曲線を示す。図３におい
て縦軸は比視感度の最大値を１００としてその比率を示
した。この曲線から従来の赤の波長６４０〜７８０ｎｍ
では比視感度が低く人間の目に感じる明るさが低く、例
えば、波長５８９ｎｍと同じ明るさを感じさせるために
は更に放射強度を強くしなければならないことが分か
る。また、視感度の最大値は約５５５ｎｍ（ＪＩＳーＺ
８１１３ ２００８）である。
さは、比視感度で表すことができる。比視感度は、ＪＩ
Ｓ Ｚ８１１３の２００５に定義されているように、特
定の観測条件において、ある波長λの単色放射が比較の
基準とする放射と等しい明るさであると判断された時
の、波長λの単色放射の放射輝度の相対値の逆数、通
常、λを変化させた時の最大値が１になるように基準化
したものと定義される。図３に可視光の波長領域である
３８０〜７８０ｎｍの比視感度曲線を示す。図３におい
て縦軸は比視感度の最大値を１００としてその比率を示
した。この曲線から従来の赤の波長６４０〜７８０ｎｍ
では比視感度が低く人間の目に感じる明るさが低く、例
えば、波長５８９ｎｍと同じ明るさを感じさせるために
は更に放射強度を強くしなければならないことが分か
る。また、視感度の最大値は約５５５ｎｍ（ＪＩＳーＺ
８１１３ ２００８）である。
【００１６】本発明で使用するネガ型感光性樹脂組成物
は、光硬化性樹脂、光反応開始剤（例えば光ラジカル重
合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤等）、及び必要に
応じて光増感色素とを含有した液状もしくは固形状樹脂
組成物であって、その組成物から形成される未露光被膜
の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲から選ばれた最
大波長の中心波長から−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍまでの範
囲、好ましくは−２０ｎｍ〜＋２０ｎｍまでの範囲、更
には−１０ｎｍ〜＋１０ｎｍまでの範囲において０．５
以下、好ましくは０．２以下、更には０．１以下のもの
であれば、従来から公知のものを使用することができ
る。
は、光硬化性樹脂、光反応開始剤（例えば光ラジカル重
合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤等）、及び必要に
応じて光増感色素とを含有した液状もしくは固形状樹脂
組成物であって、その組成物から形成される未露光被膜
の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲から選ばれた最
大波長の中心波長から−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍまでの範
囲、好ましくは−２０ｎｍ〜＋２０ｎｍまでの範囲、更
には−１０ｎｍ〜＋１０ｎｍまでの範囲において０．５
以下、好ましくは０．２以下、更には０．１以下のもの
であれば、従来から公知のものを使用することができ
る。
【００１７】本発明で使用するネガ型感光性樹脂組成物
は、一般的に使用されている光照射により架橋しうる感
光基を有する光硬化性樹脂であれば特に限定されるもの
ではない。該樹脂としては、例えば、少なくとも１個の
エチレン性不飽和二重結合を有する化合物で、モノマ
ー、プレポリマー、２量体、３量体等のオリゴマー、そ
れらの混合物、ならびにそれらの共重合体が挙げられ
る。また、これ以外に、例えばウレタン系樹脂、エポキ
シ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、
アルキド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、フッ素系樹
脂、シリコン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ノボラック系
樹脂及びこれらの二種以上の変性樹脂に光重合性不飽和
基が結合したものが挙げられる。光重合性不飽和基とし
ては、例えばアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニ
ル基、スチリル基、アリル基、シンナモイル基、シンナ
ミリデン基、アジド基等が挙げられる。
は、一般的に使用されている光照射により架橋しうる感
光基を有する光硬化性樹脂であれば特に限定されるもの
ではない。該樹脂としては、例えば、少なくとも１個の
エチレン性不飽和二重結合を有する化合物で、モノマ
ー、プレポリマー、２量体、３量体等のオリゴマー、そ
れらの混合物、ならびにそれらの共重合体が挙げられ
る。また、これ以外に、例えばウレタン系樹脂、エポキ
シ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、
アルキド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、フッ素系樹
脂、シリコン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ノボラック系
樹脂及びこれらの二種以上の変性樹脂に光重合性不飽和
基が結合したものが挙げられる。光重合性不飽和基とし
ては、例えばアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニ
ル基、スチリル基、アリル基、シンナモイル基、シンナ
ミリデン基、アジド基等が挙げられる。
【００１８】上記した樹脂において、単官能及び多官能
（メタ）アクリレートが一般的であり、例えば特開平３
ー２２３７５９号公報の第２頁右下欄第６行〜第６頁左
下欄第１６行に記載の感光性基として（メタ）アクリロ
イル基を含むアニオン性光硬化性樹脂、感光性基として
シナモイル基を含む光硬化性樹脂、感光性基としてアリ
ル基を含む光硬化性樹脂などが挙げられる。該樹脂は下
記光ラジカル重合開始剤と組み合わせて使用することが
好ましい。これらの光硬化性樹脂は、単独で使用しても
よく、混合してもよい。該公報において、光硬化性樹脂
成分（ａ２）のエチレン性不飽和化合物に記載の脂肪族
ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステル
化物の具体例として、分子量３００〜１０００のポリエ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート等も使用する
ことができる。
（メタ）アクリレートが一般的であり、例えば特開平３
ー２２３７５９号公報の第２頁右下欄第６行〜第６頁左
下欄第１６行に記載の感光性基として（メタ）アクリロ
イル基を含むアニオン性光硬化性樹脂、感光性基として
シナモイル基を含む光硬化性樹脂、感光性基としてアリ
ル基を含む光硬化性樹脂などが挙げられる。該樹脂は下
記光ラジカル重合開始剤と組み合わせて使用することが
好ましい。これらの光硬化性樹脂は、単独で使用しても
よく、混合してもよい。該公報において、光硬化性樹脂
成分（ａ２）のエチレン性不飽和化合物に記載の脂肪族
ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステル
化物の具体例として、分子量３００〜１０００のポリエ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート等も使用する
ことができる。
【００１９】また、上記した光硬化性樹脂以外に、光酸
発生剤から発生する酸を触媒として、重合反応、エーテ
ル化反応、ピナコール転移、シラノール脱水反応、分子
内脱水縮合反応、加水分解縮合反応等の反応により硬化
（不溶化）する化合物を使用することができる。該化合
物としては、例えば、ビスフェノールＡ型ジグリシジル
エーテル、（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエ
ーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル
等のグリシジルエーテル型エポキシ化合物類、３，４ー
エポキシシクロヘキシルメチルー３，４エポキシシクロ
ヘキサンカルボキシレート、ジシクロペンタジェンジオ
キサイド、エポキシシクロヘキセンカルボン酸エチレン
グリコールジエステル、１，３−ビス［２−｛３（７−
オキサビシクロ［４．１．０］ヘプチル｝）エチル］ー
テトラメチルジシロキサン(Ｊ．Polym．Sci．：Part
A：Polym．Chem．28,479,1990参照)等の脂環型エポキシ
化合物類、ブチレングリコールジビニルエーテル、トリ
メチロールプロパンジ（１−プロペニル）メチルエーテ
ル、トリメチロールプロパンジ（１−プロペニル）ブチ
ルエーテル、トリメチロールプロパンジ（１−プロペニ
ル）オクチルエーテル、トリメチロールプロパンジ（１
−プロペニル）フェニルエーテル、トリメチロールプロ
パンジ（１−プロペニル）エーテルアセテート、トリメ
チロールプロパンジ（１−プロペニル）エーテルアクリ
レート、トリメチロールプロパンジ（１−プロペニル）
Ｎ−ブチルカーボネート等のビニルエーテル化合物類
(Ｊ．Polym．Sci．：Part A：Polym．Chem．34,2051,19
96参照)、ドデシルアレン（ＤＡ）、ジエチレングリコ
ールジアレン（ＤＥＧＡ）、トリエチレングリコールジ
アレン（ＴＥＧＡ）、１−テトラヒドロフルフリルアレ
ンエーテル（ＴＨＦＡ）、Ｎ−ヘキシロキシ−１，２−
プロパジェン（ＨＡ）、１，４−ジ−Ｎ−ブトキシ−
１，２−ブタジェン（ＤＢＢ）、１，４−ジエトキシ−
１，２−ブタジェン、Ｎ−ヘキシルプロパジルエーテル
（ＨＰＥ）等のアルコキシアレン化合物類(Ｊ．Polym．
Sci．：Part A：Polym．Chem．33,2493,1995参照)、３
−エチル−３−フェノキシメチル−オキセタン、フェノ
キシメチルオキセタン、メトキシメチルオキセタン、３
−メチルー３ーメトキシメチル−オキセタン等のオキセ
タン化合物類(Ｊ．Polym．Sci．：Part A：Polym．Che
m．33,1807,1995参照)、２−プロピリデン−４，５−ジ
メチル−１，３−ジオキソラン、２（プロピリデン）−
４−メチル−１，３−ジオキソラン、３，９−ジチリデ
ン−２，４，８，１０−テトラオキサピロ［５．５］ウ
ンデカン等のケテンアセタール化合物類(Ｊ．Polym．Sc
i．：Part A：Polym．Chem．34,3091,1996参照)、１−
フェニル−４−エチルー２，６，７−トリオキサビシク
ロ［２．２．２］オクタン等のビシクロオルソエステル
化合物類(Ｊ．Polym．Sci．：Polym．Lett．Ｅｄ．23,3
59,1985参照)、プロピオラクトン、ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−カプリロ
ラクトン、γ−ラウリロラクトン、クマリン等のラクト
ン化合物類、メトキシ−α−メチルスチレン等の芳香族
ビニル化合物類、ビニルカルバゾール等の複素環ビニル
化合物類、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシ
メラミン等のメラミン化合物類、Ｐ−ビニルフェノール
とＰ−ビニルベンジルアセテートとの共重合体、トリメ
チロールベンゼン、トリ（アセトキシカルボニルメチ
ル）ベンゼン等のその他の芳香族化合物類等を挙げるこ
とができる。これらの化合物は酸のプロトンにより硬化
するものであればポリマー構造を有していても構わな
い。
発生剤から発生する酸を触媒として、重合反応、エーテ
ル化反応、ピナコール転移、シラノール脱水反応、分子
内脱水縮合反応、加水分解縮合反応等の反応により硬化
（不溶化）する化合物を使用することができる。該化合
物としては、例えば、ビスフェノールＡ型ジグリシジル
エーテル、（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエ
ーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル
等のグリシジルエーテル型エポキシ化合物類、３，４ー
エポキシシクロヘキシルメチルー３，４エポキシシクロ
ヘキサンカルボキシレート、ジシクロペンタジェンジオ
キサイド、エポキシシクロヘキセンカルボン酸エチレン
グリコールジエステル、１，３−ビス［２−｛３（７−
オキサビシクロ［４．１．０］ヘプチル｝）エチル］ー
テトラメチルジシロキサン(Ｊ．Polym．Sci．：Part
A：Polym．Chem．28,479,1990参照)等の脂環型エポキシ
化合物類、ブチレングリコールジビニルエーテル、トリ
メチロールプロパンジ（１−プロペニル）メチルエーテ
ル、トリメチロールプロパンジ（１−プロペニル）ブチ
ルエーテル、トリメチロールプロパンジ（１−プロペニ
ル）オクチルエーテル、トリメチロールプロパンジ（１
−プロペニル）フェニルエーテル、トリメチロールプロ
パンジ（１−プロペニル）エーテルアセテート、トリメ
チロールプロパンジ（１−プロペニル）エーテルアクリ
レート、トリメチロールプロパンジ（１−プロペニル）
Ｎ−ブチルカーボネート等のビニルエーテル化合物類
(Ｊ．Polym．Sci．：Part A：Polym．Chem．34,2051,19
96参照)、ドデシルアレン（ＤＡ）、ジエチレングリコ
ールジアレン（ＤＥＧＡ）、トリエチレングリコールジ
アレン（ＴＥＧＡ）、１−テトラヒドロフルフリルアレ
ンエーテル（ＴＨＦＡ）、Ｎ−ヘキシロキシ−１，２−
プロパジェン（ＨＡ）、１，４−ジ−Ｎ−ブトキシ−
１，２−ブタジェン（ＤＢＢ）、１，４−ジエトキシ−
１，２−ブタジェン、Ｎ−ヘキシルプロパジルエーテル
（ＨＰＥ）等のアルコキシアレン化合物類(Ｊ．Polym．
Sci．：Part A：Polym．Chem．33,2493,1995参照)、３
−エチル−３−フェノキシメチル−オキセタン、フェノ
キシメチルオキセタン、メトキシメチルオキセタン、３
−メチルー３ーメトキシメチル−オキセタン等のオキセ
タン化合物類(Ｊ．Polym．Sci．：Part A：Polym．Che
m．33,1807,1995参照)、２−プロピリデン−４，５−ジ
メチル−１，３−ジオキソラン、２（プロピリデン）−
４−メチル−１，３−ジオキソラン、３，９−ジチリデ
ン−２，４，８，１０−テトラオキサピロ［５．５］ウ
ンデカン等のケテンアセタール化合物類(Ｊ．Polym．Sc
i．：Part A：Polym．Chem．34,3091,1996参照)、１−
フェニル−４−エチルー２，６，７−トリオキサビシク
ロ［２．２．２］オクタン等のビシクロオルソエステル
化合物類(Ｊ．Polym．Sci．：Polym．Lett．Ｅｄ．23,3
59,1985参照)、プロピオラクトン、ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−カプリロ
ラクトン、γ−ラウリロラクトン、クマリン等のラクト
ン化合物類、メトキシ−α−メチルスチレン等の芳香族
ビニル化合物類、ビニルカルバゾール等の複素環ビニル
化合物類、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシ
メラミン等のメラミン化合物類、Ｐ−ビニルフェノール
とＰ−ビニルベンジルアセテートとの共重合体、トリメ
チロールベンゼン、トリ（アセトキシカルボニルメチ
ル）ベンゼン等のその他の芳香族化合物類等を挙げるこ
とができる。これらの化合物は酸のプロトンにより硬化
するものであればポリマー構造を有していても構わな
い。
【００２０】また、光塩基発生剤から発生する塩基を触
媒として重合反応、縮合反応により硬化（不溶化）する
化合物、例えばエポキシ基やシラノール基等の官能基を
含有する化合物を使用することができる。
媒として重合反応、縮合反応により硬化（不溶化）する
化合物、例えばエポキシ基やシラノール基等の官能基を
含有する化合物を使用することができる。
【００２１】更に、光酸又は塩基発生剤から発生する触
媒により硬化する上記した化合物以外に、必要に応じ
て、従来から公知のアクリル系樹脂、ビニル系樹脂、ポ
リエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ゴ
ム、ウレタン樹脂等を配合することができる。
媒により硬化する上記した化合物以外に、必要に応じ
て、従来から公知のアクリル系樹脂、ビニル系樹脂、ポ
リエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ゴ
ム、ウレタン樹脂等を配合することができる。
【００２２】本発明で用いられる光反応開始剤として
は、光ラジカル重合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤
を使用することができる。
は、光ラジカル重合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤
を使用することができる。
【００２３】光ラジカル重合開始剤としては、未硬化被
膜の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲から選ばれた
最大波長の中心波長から−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの範囲
において０．５以下の範囲に調整できる従来から公知の
ものを使用することができる。このものとしては、例え
ばベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インイソプロピルエーテル、ベンジルキサントン、チオ
キサントン、アントラキノンなどの芳香族カルボニル化
合物；アセトフェノン、プロピオフェノン、αーヒドロ
キシイソブチルフェノン、α，α’ージクロルー４ーフ
ェノキシアセトフェノン、１ーヒドロキシー１ーシクロ
ヘキシルアセトフェノン、ジアセチルアセトフェノン、
アセトフェノンなどのアセトフェノン類；ベンゾイルパ
ーオキサイド、ｔーブチルパーオキシー２ーエチルヘキ
サノエート、ｔーブチルハイドロパーオキサイド、ジー
ｔーブチルジパーオキシイソフタレート、３，３’，
４，４’ーテトラ（ｔーブチルパーオキシカルボニル）
ベンゾフェノンなどの有機過酸化物；ジフェニルヨード
ブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロライドなどの
ジフェニルハロニウム塩；四臭化炭素、クロロホルム、
ヨードホルムなどの有機ハロゲン化物；３ーフェニルー
５ーイソオキサゾロン、２，４，６ートリス（トリクロ
ロメチル）ー１，３，５−トリアジンベンズアントロン
などの複素環式及び多環式化合物；２，２’ーアゾ
（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２ーアゾビ
スイソブチロニトリル、１，１’ーアゾビス（シクロヘ
キサンー１ーカルボニトリル）、２，２’ーアゾビス
（２ーメチルブチロニトリル）などのアゾ化合物；鉄ー
アレン錯体（ヨーロッパ特許152377号公報参照）；チタ
ノセン化合物（特開昭63-221110号公報参照）ビスイミ
ダゾール系化合物；Ｎーアリールグリシジル系化合物；
アクリジン系化合物；芳香族ケトン／芳香族アミンの組
み合わせ；ペルオキシケタール（特開平6-321895号公報
参照）等が挙げられる。上記した光ラジカル重合開始剤
の中でも、ジーｔーブチルジパーオキシイソフタレー
ト、３，３’，４，４’ーテトラ（ｔーブチルパーオキ
シカルボニル）ベンゾフェノン、鉄−アレン錯体及びチ
タノセン化合物は架橋もしくは重合に対して活性が高い
のでこのものを使用することが好ましい。
膜の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲から選ばれた
最大波長の中心波長から−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの範囲
において０．５以下の範囲に調整できる従来から公知の
ものを使用することができる。このものとしては、例え
ばベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インイソプロピルエーテル、ベンジルキサントン、チオ
キサントン、アントラキノンなどの芳香族カルボニル化
合物；アセトフェノン、プロピオフェノン、αーヒドロ
キシイソブチルフェノン、α，α’ージクロルー４ーフ
ェノキシアセトフェノン、１ーヒドロキシー１ーシクロ
ヘキシルアセトフェノン、ジアセチルアセトフェノン、
アセトフェノンなどのアセトフェノン類；ベンゾイルパ
ーオキサイド、ｔーブチルパーオキシー２ーエチルヘキ
サノエート、ｔーブチルハイドロパーオキサイド、ジー
ｔーブチルジパーオキシイソフタレート、３，３’，
４，４’ーテトラ（ｔーブチルパーオキシカルボニル）
ベンゾフェノンなどの有機過酸化物；ジフェニルヨード
ブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロライドなどの
ジフェニルハロニウム塩；四臭化炭素、クロロホルム、
ヨードホルムなどの有機ハロゲン化物；３ーフェニルー
５ーイソオキサゾロン、２，４，６ートリス（トリクロ
ロメチル）ー１，３，５−トリアジンベンズアントロン
などの複素環式及び多環式化合物；２，２’ーアゾ
（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２ーアゾビ
スイソブチロニトリル、１，１’ーアゾビス（シクロヘ
キサンー１ーカルボニトリル）、２，２’ーアゾビス
（２ーメチルブチロニトリル）などのアゾ化合物；鉄ー
アレン錯体（ヨーロッパ特許152377号公報参照）；チタ
ノセン化合物（特開昭63-221110号公報参照）ビスイミ
ダゾール系化合物；Ｎーアリールグリシジル系化合物；
アクリジン系化合物；芳香族ケトン／芳香族アミンの組
み合わせ；ペルオキシケタール（特開平6-321895号公報
参照）等が挙げられる。上記した光ラジカル重合開始剤
の中でも、ジーｔーブチルジパーオキシイソフタレー
ト、３，３’，４，４’ーテトラ（ｔーブチルパーオキ
シカルボニル）ベンゾフェノン、鉄−アレン錯体及びチ
タノセン化合物は架橋もしくは重合に対して活性が高い
のでこのものを使用することが好ましい。
【００２４】また、商品名をとしては、例えばイルガキ
ュア６５１（チバガイギー社製、商品名、アセトフェノ
ン系光ラジカル重合開始剤）、イルガキュア１８４（チ
バガイギー社製、商品名、アセトフェノン系光ラジカル
重合開始剤）、イルガキュア１８５０（チバガイギー社
製、商品名、アセトフェノン系光ラジカル重合開始
剤）、イルガキュア９０７（チバガイギー社製、商品
名、アミノアルキルフェノン系光ラジカル重合開始
剤）、イルガキュア３６９（チバガイギー社製、商品
名、アミノアルキルフェノン系光ラジカル重合開始
剤）、ルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製、商品名、２，
４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオ
キサイド）、カヤキュアＤＥＴＸＳ（日本化薬（株）社
製、商品名）、ＣＧＩ−７８４（チバガイギ−社製、商
品名、チタン錯体化合物）などが挙げられる。これらの
ものは１種もしくは２種以上組み合わせて使用すること
ができる。
ュア６５１（チバガイギー社製、商品名、アセトフェノ
ン系光ラジカル重合開始剤）、イルガキュア１８４（チ
バガイギー社製、商品名、アセトフェノン系光ラジカル
重合開始剤）、イルガキュア１８５０（チバガイギー社
製、商品名、アセトフェノン系光ラジカル重合開始
剤）、イルガキュア９０７（チバガイギー社製、商品
名、アミノアルキルフェノン系光ラジカル重合開始
剤）、イルガキュア３６９（チバガイギー社製、商品
名、アミノアルキルフェノン系光ラジカル重合開始
剤）、ルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製、商品名、２，
４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオ
キサイド）、カヤキュアＤＥＴＸＳ（日本化薬（株）社
製、商品名）、ＣＧＩ−７８４（チバガイギ−社製、商
品名、チタン錯体化合物）などが挙げられる。これらの
ものは１種もしくは２種以上組み合わせて使用すること
ができる。
【００２５】また、光酸発生剤は、露光により酸を発生
する化合物であり、この発生した酸を触媒として、上記
した化合物を硬化させるものであり、未硬化被膜の吸光
度が上記安全光の最大波長の範囲から選ばれた最大波長
の中止波長の−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの範囲において
０．５以下の範囲に調整できる従来から公知のものを使
用することができる。このものとしては、上記した条件
を満たすものであれば、一般に使用されている光酸発生
剤を使用することができる。具体的には、例えば、スル
ホニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨード
ニウム塩、セレニウム塩等のオニウム塩類、鉄−アレン
錯体類、シラノ−ル−金属キレート錯体類、トリアジン
化合物類、ジアジドナフトキノン化合物類、スルホン酸
エステル類、スルホン酸イミドエステル類等を使用する
ことができる。また、上記した以外に特開平7-146552号
公報、特願平9-289218号に記載の光酸発生剤も使用する
ことができる。
する化合物であり、この発生した酸を触媒として、上記
した化合物を硬化させるものであり、未硬化被膜の吸光
度が上記安全光の最大波長の範囲から選ばれた最大波長
の中止波長の−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの範囲において
０．５以下の範囲に調整できる従来から公知のものを使
用することができる。このものとしては、上記した条件
を満たすものであれば、一般に使用されている光酸発生
剤を使用することができる。具体的には、例えば、スル
ホニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨード
ニウム塩、セレニウム塩等のオニウム塩類、鉄−アレン
錯体類、シラノ−ル−金属キレート錯体類、トリアジン
化合物類、ジアジドナフトキノン化合物類、スルホン酸
エステル類、スルホン酸イミドエステル類等を使用する
ことができる。また、上記した以外に特開平7-146552号
公報、特願平9-289218号に記載の光酸発生剤も使用する
ことができる。
【００２６】また、光塩基発生剤は、露光により塩基を
発生する化合物であり、この発生した塩基を触媒とし
て、上記した化合物を硬化させるものであり、未硬化被
膜の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲から選ばれた
最大波長の中心波長の−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの範囲に
おいて０．５以下の範囲に調整できる従来から公知のも
のを使用することができる。このものとしては、上記し
た条件を満たすものであれば、一般に使用されている光
酸発生剤を使用することができる。具体的には、例えば
[（ｏ−ニトロベンジル）オキシ）カルボニルシクロヘ
キシルアミン等のニトロベンジルカルバメート化合物類
(J.Am.Chem.Soc,,Vol.113,No.11,4305,1991参照）、Ｎ
−［［１−３，５−ジメトキシフェニル）−１−メチル
−エトキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−
［［１−（３，５−ジメトキシフェニル）−１−メチル
−エトキシ］カルボニル］ピリジン等の光官能性ウレタ
ン化合物類（J.Org.Chem.Vol.55,No.23,5919,1990参
照）等を使用することができる。
発生する化合物であり、この発生した塩基を触媒とし
て、上記した化合物を硬化させるものであり、未硬化被
膜の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲から選ばれた
最大波長の中心波長の−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの範囲に
おいて０．５以下の範囲に調整できる従来から公知のも
のを使用することができる。このものとしては、上記し
た条件を満たすものであれば、一般に使用されている光
酸発生剤を使用することができる。具体的には、例えば
[（ｏ−ニトロベンジル）オキシ）カルボニルシクロヘ
キシルアミン等のニトロベンジルカルバメート化合物類
(J.Am.Chem.Soc,,Vol.113,No.11,4305,1991参照）、Ｎ
−［［１−３，５−ジメトキシフェニル）−１−メチル
−エトキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−
［［１−（３，５−ジメトキシフェニル）−１−メチル
−エトキシ］カルボニル］ピリジン等の光官能性ウレタ
ン化合物類（J.Org.Chem.Vol.55,No.23,5919,1990参
照）等を使用することができる。
【００２７】光反応開始剤の配合割合は、光硬化性樹脂
１００重量部に対して０．１〜２５重量部、好ましくは
０．２〜１０重量部である。
１００重量部に対して０．１〜２５重量部、好ましくは
０．２〜１０重量部である。
【００２８】本発明のネガ型感光性樹脂組成物には、必
要に応じて、密着促進剤類、ハイドロキノン、２、６−
ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、Ｎ，Ｎ−ジフェニル
−ｐ−フェニレンジアミン等の重合禁止剤類、ゴム、ビ
ニル重合体、不飽和基含有ビニル重合体等の有機樹脂微
粒子、着色顔料、体質顔料等の各種顔料類、酸化コバル
ト等の金属酸化物類、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオ
クチル、トリクレジルホスフェート、ポリエチレングリ
コール、ポリプロピレングリコール等の可塑剤、ハジキ
防止剤、流動性調整剤等を含有することができる。
要に応じて、密着促進剤類、ハイドロキノン、２、６−
ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、Ｎ，Ｎ−ジフェニル
−ｐ−フェニレンジアミン等の重合禁止剤類、ゴム、ビ
ニル重合体、不飽和基含有ビニル重合体等の有機樹脂微
粒子、着色顔料、体質顔料等の各種顔料類、酸化コバル
ト等の金属酸化物類、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオ
クチル、トリクレジルホスフェート、ポリエチレングリ
コール、ポリプロピレングリコール等の可塑剤、ハジキ
防止剤、流動性調整剤等を含有することができる。
【００２９】上記した密着促進剤類としては、基板に対
する被膜の密着性を向上させるために配合するものであ
って、例えば、テトラゾール、１−フェニルテトラゾー
ル、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１−メチル
テトラゾール、５−アミノ−２−フェニルテトラゾー
ル、５−メルカプトー１ーフェニルテトラゾール、５−
メルカプト−１−メチルテトラゾール、５−メチルチオ
テトラゾール、５−クロロー１ーフェニル−１Ｈ−テト
ラゾール等のトラゾール類を挙げることができる。
する被膜の密着性を向上させるために配合するものであ
って、例えば、テトラゾール、１−フェニルテトラゾー
ル、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１−メチル
テトラゾール、５−アミノ−２−フェニルテトラゾー
ル、５−メルカプトー１ーフェニルテトラゾール、５−
メルカプト−１−メチルテトラゾール、５−メチルチオ
テトラゾール、５−クロロー１ーフェニル−１Ｈ−テト
ラゾール等のトラゾール類を挙げることができる。
【００３０】上記した光反応開始剤以外に、光増感剤と
して未硬化被膜の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲
から選ばれた最大波長の中心波長の−３０ｎｍ〜＋３０
ｎｍの範囲において０．５以下になるように調整される
従来から公知の光増感色素を使用することができる。こ
のものとしては、例えば、チオキサンテン系、キサンテ
ン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル
系、メロシアニン系、３ー置換クマリン系、３．４ー置
換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン
系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、
ベンズアントラセン系、ペリレン系、メロシアニン系、
ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系等の色素が挙
げられる。これらのものは１種もしくは２種以上組み合
わせて使用することができる。ボレート系光増感色素と
しては、例えば、特開平5-241338号公報、特開平7-5685
号公報及び特開平7-225474号公報等に記載のものが挙げ
られる。
して未硬化被膜の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲
から選ばれた最大波長の中心波長の−３０ｎｍ〜＋３０
ｎｍの範囲において０．５以下になるように調整される
従来から公知の光増感色素を使用することができる。こ
のものとしては、例えば、チオキサンテン系、キサンテ
ン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル
系、メロシアニン系、３ー置換クマリン系、３．４ー置
換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン
系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、
ベンズアントラセン系、ペリレン系、メロシアニン系、
ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系等の色素が挙
げられる。これらのものは１種もしくは２種以上組み合
わせて使用することができる。ボレート系光増感色素と
しては、例えば、特開平5-241338号公報、特開平7-5685
号公報及び特開平7-225474号公報等に記載のものが挙げ
られる。
【００３１】本発明で使用するネガ型感光性樹脂組成物
は、上記した成分以外に必要に応じて上記以外の光重合
性不飽和化合物（樹脂）を配合することができる。この
ものとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、
エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレ
ート、２ーエチルヘキシル（メタ）アクリレート、（ポ
リ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポ
リ）プロピレングリコールトリ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グ
リセリントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
は、上記した成分以外に必要に応じて上記以外の光重合
性不飽和化合物（樹脂）を配合することができる。この
ものとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、
エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレ
ート、２ーエチルヘキシル（メタ）アクリレート、（ポ
リ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポ
リ）プロピレングリコールトリ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グ
リセリントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００３２】上記したその他の光重合性不飽和化合物は
組成物の総合計量（固形分）で約０〜４０重量％、特に
約５〜５０重量％の範囲が好ましい。
組成物の総合計量（固形分）で約０〜４０重量％、特に
約５〜５０重量％の範囲が好ましい。
【００３３】本発明の感光性樹脂組成物は、一般に用い
られている公知の感光性材料、例えば、塗料、インキ、
接着剤、レジスト材、刷板材（平板や凸版用製版材、オ
フセット印刷用ＰＳ板）情報記録材料、レリーフ像作製
材料等幅広い用途への使用が可能である。
られている公知の感光性材料、例えば、塗料、インキ、
接着剤、レジスト材、刷板材（平板や凸版用製版材、オ
フセット印刷用ＰＳ板）情報記録材料、レリーフ像作製
材料等幅広い用途への使用が可能である。
【００３４】本発明の感光性樹脂組成物から形成される
乾燥膜厚（溶剤を含まない）は、その組成物から形成さ
れる未感光被膜の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲
から選ばれた最大波長の中心波長の−３０ｎｍ〜＋３０
ｎｍの範囲において０．５以下になるように設定すれば
よいが、実用性の面から、通常、０．５〜５０μｍ、好
ましくは１〜３０μｍの範囲である。また、該吸光度は
該組成物に含まれる光反応開始剤、光増感剤等の種類や
配合量によって異なるが、同一組成であっても膜厚の厚
みによって異なる。即ち、同一組成物において、膜厚が
厚くなると被膜中に含まれる光反応開始剤、光増感剤等
の濃度が高くなるために吸光度が大きくなり、一方、膜
厚が薄くなると被膜中に含まれる上記成分の濃度が低く
なるために吸光度が小さくなる。これらのことから、形
成される膜厚を調製することにより、吸光度を上記した
範囲に入るように調製することができる。
乾燥膜厚（溶剤を含まない）は、その組成物から形成さ
れる未感光被膜の吸光度が上記安全光の最大波長の範囲
から選ばれた最大波長の中心波長の−３０ｎｍ〜＋３０
ｎｍの範囲において０．５以下になるように設定すれば
よいが、実用性の面から、通常、０．５〜５０μｍ、好
ましくは１〜３０μｍの範囲である。また、該吸光度は
該組成物に含まれる光反応開始剤、光増感剤等の種類や
配合量によって異なるが、同一組成であっても膜厚の厚
みによって異なる。即ち、同一組成物において、膜厚が
厚くなると被膜中に含まれる光反応開始剤、光増感剤等
の濃度が高くなるために吸光度が大きくなり、一方、膜
厚が薄くなると被膜中に含まれる上記成分の濃度が低く
なるために吸光度が小さくなる。これらのことから、形
成される膜厚を調製することにより、吸光度を上記した
範囲に入るように調製することができる。
【００３５】本発明の感光性樹脂組成物は、有機溶剤型
感光性樹脂組成物、水性感光性樹脂組成物として使用す
ることができる。
感光性樹脂組成物、水性感光性樹脂組成物として使用す
ることができる。
【００３６】上記した有機溶剤型感光性樹脂組成物は、
光硬化性樹脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増感
色素を配合したものを有機溶剤（ケトン類、エステル
類、エーテル類、セロソルブ類、芳香族炭化水素類、ア
ルコール類、ハロゲン化炭化水素類など）に溶解もしく
は分散して得られる有機溶剤型感光性樹脂組成物であ
る。該組成物は支持体（例えば、アルミニウム、マグネ
シウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、鉄などの金属ま
たはそれらを成分とした合金のシート又はこれらの金属
で表面処理したプリント基板、プラスチック、ガラス又
はシリコーンウエハー、カーボンなど）にローラー、ロ
ールコーター、スピンコーター、カーテンロールコータ
ー、スプレー、静電塗装、浸漬塗装、シルク印刷等の手
段により塗布し、必要に応じてセッテングした後、乾燥
することにより感光材料（被膜）を得ることができる。
光硬化性樹脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増感
色素を配合したものを有機溶剤（ケトン類、エステル
類、エーテル類、セロソルブ類、芳香族炭化水素類、ア
ルコール類、ハロゲン化炭化水素類など）に溶解もしく
は分散して得られる有機溶剤型感光性樹脂組成物であ
る。該組成物は支持体（例えば、アルミニウム、マグネ
シウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、鉄などの金属ま
たはそれらを成分とした合金のシート又はこれらの金属
で表面処理したプリント基板、プラスチック、ガラス又
はシリコーンウエハー、カーボンなど）にローラー、ロ
ールコーター、スピンコーター、カーテンロールコータ
ー、スプレー、静電塗装、浸漬塗装、シルク印刷等の手
段により塗布し、必要に応じてセッテングした後、乾燥
することにより感光材料（被膜）を得ることができる。
【００３７】また、該感光材料は可視光で露光し硬化さ
せる前の材料表面に予めカバーコート層を設けておくこ
とができる。このカバーコート層は空気中の酸素を遮断
して露光によって発生したラジカルが酸素によって失活
するのを防止し、露光による感光材料の硬化を円滑に進
めるために形成されるものである。
せる前の材料表面に予めカバーコート層を設けておくこ
とができる。このカバーコート層は空気中の酸素を遮断
して露光によって発生したラジカルが酸素によって失活
するのを防止し、露光による感光材料の硬化を円滑に進
めるために形成されるものである。
【００３８】このカバーコート層としては、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、アク
リル樹脂、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル樹脂等の樹脂
フィルム（膜厚約１〜７０μｍ）を塗装被膜表面に被せ
ることにより、またポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビ
ニルの部分ケン化物、ポリビニルアルコール−酢酸ビニ
ル共重合体、ポリ酢酸ビニルの部分ケン化物−酢酸ビニ
ル共重合体、ポリビニルピロリドン、プルラン等の水溶
性多糖類ポリマー類、塩基性基、酸性基又は塩基を含有
する、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ビニル樹
脂、エポキシ樹脂等の水性樹脂類を水に溶解もしくは分
散した水性液を塗装被膜表面に塗装（乾燥膜厚約０．５
〜５μｍ）、乾燥することによりカバーコート層を形成
することができる。このカバーコート層は感光材料表面
を露光した後、現像処理される前に取り除くことが好ま
しい。この水溶性多糖類ポリマーや水性樹脂のカバーコ
ート層は、例えばこれらの樹脂を溶解もしくは分散する
水、酸性水溶液、塩基性水溶液等の溶媒により取り除く
ことができる。
リエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、アク
リル樹脂、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル樹脂等の樹脂
フィルム（膜厚約１〜７０μｍ）を塗装被膜表面に被せ
ることにより、またポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビ
ニルの部分ケン化物、ポリビニルアルコール−酢酸ビニ
ル共重合体、ポリ酢酸ビニルの部分ケン化物−酢酸ビニ
ル共重合体、ポリビニルピロリドン、プルラン等の水溶
性多糖類ポリマー類、塩基性基、酸性基又は塩基を含有
する、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ビニル樹
脂、エポキシ樹脂等の水性樹脂類を水に溶解もしくは分
散した水性液を塗装被膜表面に塗装（乾燥膜厚約０．５
〜５μｍ）、乾燥することによりカバーコート層を形成
することができる。このカバーコート層は感光材料表面
を露光した後、現像処理される前に取り除くことが好ま
しい。この水溶性多糖類ポリマーや水性樹脂のカバーコ
ート層は、例えばこれらの樹脂を溶解もしくは分散する
水、酸性水溶液、塩基性水溶液等の溶媒により取り除く
ことができる。
【００３９】上記した水性感光性樹脂組成物は、上記し
た光硬化性樹脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増
感色素を配合したものを水に溶解もしくは分散すること
によって得られる。このものは通常の電着塗装用感光性
材料と同様に取り扱うことができ、電着塗装用の塗料と
して用いることができる。水性感光性樹脂組成物の水溶
化又は水分散化は、感光性樹脂組成物中にカルボキシル
基等のアニオン性基が導入されている場合にはアルカリ
（中和剤）で中和するか、又はアミノ基等のカチオン性
基が導入されている場合には酸（中和剤）で中和するこ
とによって行われる。
た光硬化性樹脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増
感色素を配合したものを水に溶解もしくは分散すること
によって得られる。このものは通常の電着塗装用感光性
材料と同様に取り扱うことができ、電着塗装用の塗料と
して用いることができる。水性感光性樹脂組成物の水溶
化又は水分散化は、感光性樹脂組成物中にカルボキシル
基等のアニオン性基が導入されている場合にはアルカリ
（中和剤）で中和するか、又はアミノ基等のカチオン性
基が導入されている場合には酸（中和剤）で中和するこ
とによって行われる。
【００４０】上記したアルカリ中和剤としては、例え
ば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルアミノエタノ
ール、シクロヘキシルアミン、アンモニアなどが使用で
きる。また、酸中和剤としては、例えば酢酸、プロピオ
ン酸、乳酸、塩酸、硫酸、りん酸、ギ酸、クロトン酸な
どが使用できる。中和剤の使用量は感光性樹脂組成物に
含まれるイオン性基１当量当たり、一般に、０．２〜
１．０当量、特に０．３〜０．８当量が好ましい。
ば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルアミノエタノ
ール、シクロヘキシルアミン、アンモニアなどが使用で
きる。また、酸中和剤としては、例えば酢酸、プロピオ
ン酸、乳酸、塩酸、硫酸、りん酸、ギ酸、クロトン酸な
どが使用できる。中和剤の使用量は感光性樹脂組成物に
含まれるイオン性基１当量当たり、一般に、０．２〜
１．０当量、特に０．３〜０．８当量が好ましい。
【００４１】上記したイオン性基含有樹脂として、カル
ボキシル基は樹脂の酸価で約３０〜７００ｍｇＫＯＨ／
ｇ、特に約４０〜６００ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲のものが
好ましい。 酸価が約３０を下回ると現像液の処理によ
る未硬化被膜の脱膜性が劣るため次のエッチング行程で
銅が充分に除去できないといった欠点があり、一方酸価
が約７００を上回るとレジスト被膜部（硬化被膜部）が
脱膜し易くなるために満足できる銅回路が形成されない
といった欠点があるので好ましくない。また、アミノ基
はアミン価で約２０〜６５０、特に約３０〜６００の範
囲のものが好ましい。アミン価が約２０を下回ると上記
と同様にエッチング行程で銅が充分に除去できないとい
った欠点があり、一方、アミン価が約６５０を上回ると
レジスト被膜が脱膜し易くなるといった欠点があるので
好ましくない。
ボキシル基は樹脂の酸価で約３０〜７００ｍｇＫＯＨ／
ｇ、特に約４０〜６００ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲のものが
好ましい。 酸価が約３０を下回ると現像液の処理によ
る未硬化被膜の脱膜性が劣るため次のエッチング行程で
銅が充分に除去できないといった欠点があり、一方酸価
が約７００を上回るとレジスト被膜部（硬化被膜部）が
脱膜し易くなるために満足できる銅回路が形成されない
といった欠点があるので好ましくない。また、アミノ基
はアミン価で約２０〜６５０、特に約３０〜６００の範
囲のものが好ましい。アミン価が約２０を下回ると上記
と同様にエッチング行程で銅が充分に除去できないとい
った欠点があり、一方、アミン価が約６５０を上回ると
レジスト被膜が脱膜し易くなるといった欠点があるので
好ましくない。
【００４２】電着塗料は、例えば浴濃度（固形分濃度）
３〜２５重量％、特に５〜１５重量％の範囲に調整し
た、ＰＨ４〜７の範囲のカチオン電着塗料、ＰＨ７〜９
の範囲のアニオン電着塗料を使用することができる。
３〜２５重量％、特に５〜１５重量％の範囲に調整し
た、ＰＨ４〜７の範囲のカチオン電着塗料、ＰＨ７〜９
の範囲のアニオン電着塗料を使用することができる。
【００４３】電着塗料は、例えば、次のようにして被塗
物である導体表面に塗装することができる。即ち、ま
ず、浴のＰＨと浴濃度を上記の範囲に調整し、浴温度を
１５℃〜４０℃、好ましくは１５℃〜３０℃に管理す
る。次いで、このように管理された電着塗装浴に、塗装
される導体を電着塗料がアニオン型の場合には陽極と
し、また、カチオン型の場合には陰極として、浸漬、５
〜２００Ｖの直流電流を通電する。通電時間は１０秒〜
５分が適当である。
物である導体表面に塗装することができる。即ち、ま
ず、浴のＰＨと浴濃度を上記の範囲に調整し、浴温度を
１５℃〜４０℃、好ましくは１５℃〜３０℃に管理す
る。次いで、このように管理された電着塗装浴に、塗装
される導体を電着塗料がアニオン型の場合には陽極と
し、また、カチオン型の場合には陰極として、浸漬、５
〜２００Ｖの直流電流を通電する。通電時間は１０秒〜
５分が適当である。
【００４４】また、該電着塗装方法において、被塗物に
ガラス転移温度の低い電着塗料を塗装し、次いで水洗又
は水洗乾燥後、更にガラス転移温度２０℃以上の電着塗
料を塗装する方法（特開平2-20873号公報参照）、即ち
ダブルコート電着塗装を行うこともできる。
ガラス転移温度の低い電着塗料を塗装し、次いで水洗又
は水洗乾燥後、更にガラス転移温度２０℃以上の電着塗
料を塗装する方法（特開平2-20873号公報参照）、即ち
ダブルコート電着塗装を行うこともできる。
【００４５】得られる膜厚は乾燥膜厚で、一般に０．５
〜５０μｍ、特に１〜１５μｍの範囲が好ましい。
〜５０μｍ、特に１〜１５μｍの範囲が好ましい。
【００４６】電着塗装後、電着浴から被塗物を引き上
げ、水洗した後、電着塗膜中に含まれる水分等を熱風等
で乾燥、除去する。導体としては、金属、カーボン、酸
化錫等の導電性材料またはこれらを積層、メッキ等によ
りプラスチック、ガラス表面に固着させたものが使用で
きる。
げ、水洗した後、電着塗膜中に含まれる水分等を熱風等
で乾燥、除去する。導体としては、金属、カーボン、酸
化錫等の導電性材料またはこれらを積層、メッキ等によ
りプラスチック、ガラス表面に固着させたものが使用で
きる。
【００４７】また、可視光で露光し硬化させる前の電着
塗装被膜表面に予めカバーコート層を設けておくことが
できる。このカバーコート層としては、上記したものを
挙げることができる。このカバーコート層は電着塗装被
膜が現像処理される前に取り除くことが好ましい。水溶
性多糖類ポリマーや水性樹脂を使用したカバーコート層
は、例えばこれらの樹脂を溶解もしくは分散する水、酸
性水溶液、塩基性水溶液等の溶媒により取り除くことが
できる。
塗装被膜表面に予めカバーコート層を設けておくことが
できる。このカバーコート層としては、上記したものを
挙げることができる。このカバーコート層は電着塗装被
膜が現像処理される前に取り除くことが好ましい。水溶
性多糖類ポリマーや水性樹脂を使用したカバーコート層
は、例えばこれらの樹脂を溶解もしくは分散する水、酸
性水溶液、塩基性水溶液等の溶媒により取り除くことが
できる。
【００４８】本発明の感光性樹脂組成物は、上記した以
外に、例えば、ベースフィルム層となるポリエチレンテ
レフタレート等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニル樹脂等の透明樹脂フィルム
上に、本発明の組成物をロールコ−タ、ブレ−ドコ−
タ、カーテンフロ−コータ等を使用して塗布し、乾燥し
てレジスト被膜（乾燥膜厚約０．５〜５μｍ）を形成し
た後、該被膜表面に保護フィルムを貼り付けたドライフ
ィルムレジストとして使用することができる。
外に、例えば、ベースフィルム層となるポリエチレンテ
レフタレート等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニル樹脂等の透明樹脂フィルム
上に、本発明の組成物をロールコ−タ、ブレ−ドコ−
タ、カーテンフロ−コータ等を使用して塗布し、乾燥し
てレジスト被膜（乾燥膜厚約０．５〜５μｍ）を形成し
た後、該被膜表面に保護フィルムを貼り付けたドライフ
ィルムレジストとして使用することができる。
【００４９】このようなドライフィルムレジストは、保
護フィルムを剥離した後、レジスト被膜が面接するよう
に上記と同様の支持体に熱圧着させる等の方法で接着し
てレジスト被膜を形成することができる。得られたレジ
スト被膜は、ベースフィルム層を剥離するかもしくは剥
離を行わないで、次いで上記した電着塗膜と同様の方法
で、画像に応じて、可視光で露光し、硬化させ、ベース
フィルム層がある場合にはこのものを剥離し、ない場合
にはこの上から現像処理することにより画像を形成する
ことができる。また、ドライフィルムレジストにおい
て、必要に応じてベースフィルム層とレジスト被膜との
間に上記のカバーコート層を設けることができる。該カ
バーコート層は、レジスト被膜上に塗装して形成しても
よいし、レジスト被膜上に貼り付けて形成してもよい。
カバーコート層は現像処理前に除去しても、又は除去し
なくてもどちらでも構わない。
護フィルムを剥離した後、レジスト被膜が面接するよう
に上記と同様の支持体に熱圧着させる等の方法で接着し
てレジスト被膜を形成することができる。得られたレジ
スト被膜は、ベースフィルム層を剥離するかもしくは剥
離を行わないで、次いで上記した電着塗膜と同様の方法
で、画像に応じて、可視光で露光し、硬化させ、ベース
フィルム層がある場合にはこのものを剥離し、ない場合
にはこの上から現像処理することにより画像を形成する
ことができる。また、ドライフィルムレジストにおい
て、必要に応じてベースフィルム層とレジスト被膜との
間に上記のカバーコート層を設けることができる。該カ
バーコート層は、レジスト被膜上に塗装して形成しても
よいし、レジスト被膜上に貼り付けて形成してもよい。
カバーコート層は現像処理前に除去しても、又は除去し
なくてもどちらでも構わない。
【００５０】本発明のネガ型感光性樹脂組成物を硬化さ
せるための活性エネルギー線の光源は、使用する安全光
では硬化せずに硬化に必要な活性エネルギー線で硬化す
るものであれば特に制限なしに従来から公知のものを使
用することができる。該可視光を発光する光源として
は、例えば、超高圧、高圧、中圧、低圧の水銀灯、ケミ
カルランプ、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハ
ライド灯、タングステン灯等が挙げられる。また、これ
らの光源のうち紫外線を紫外カットフィルターでカット
した可視領域に発振線を持つ各種レーザーを使用するこ
とができる。なかでも、アルゴンレーザー（４８８ｎ
ｍ）又はＹＡＧーＳＨＧレーザー（５３２ｎｍ）に発振
線を持つレーザーが好ましい。
せるための活性エネルギー線の光源は、使用する安全光
では硬化せずに硬化に必要な活性エネルギー線で硬化す
るものであれば特に制限なしに従来から公知のものを使
用することができる。該可視光を発光する光源として
は、例えば、超高圧、高圧、中圧、低圧の水銀灯、ケミ
カルランプ、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハ
ライド灯、タングステン灯等が挙げられる。また、これ
らの光源のうち紫外線を紫外カットフィルターでカット
した可視領域に発振線を持つ各種レーザーを使用するこ
とができる。なかでも、アルゴンレーザー（４８８ｎ
ｍ）又はＹＡＧーＳＨＧレーザー（５３２ｎｍ）に発振
線を持つレーザーが好ましい。
【００５１】本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、例え
ば、プラスチックシート、金属、ガラス、紙、木材等の
基材にこの安全光の照射環境条件下で組成物が増粘する
ことなしに明るい環境条件下で塗装、印刷を行うことが
できる。また、該組成物をレジストパターン被膜形成用
のネガ型感光性樹脂組成物として使用することが好まし
い。
ば、プラスチックシート、金属、ガラス、紙、木材等の
基材にこの安全光の照射環境条件下で組成物が増粘する
ことなしに明るい環境条件下で塗装、印刷を行うことが
できる。また、該組成物をレジストパターン被膜形成用
のネガ型感光性樹脂組成物として使用することが好まし
い。
【００５２】次に、このネガ型感光性樹脂組成物を使用
し、基板上にレジストパターンを形成する方法について
以下に述べる。
し、基板上にレジストパターンを形成する方法について
以下に述べる。
【００５３】ネガ型感光性樹脂組成物を基板上に塗装
（１）して感光性被膜を形成し、塗装された感光性被膜
表面に所望のレジスト被膜（画像）が得られるようにレ
ーザー光で直接もしくは光線をネガマスクを通して露光
（２）して硬化させ、次いで、アルカリもしくは酸の水
溶液で感光性被膜の未硬化部分を現像処理（３）して基
板上にレジスト被膜を形成させ、レジスト被膜で保護さ
れていない部分の銅層を除去し、更にレジスト被膜を除
去することにより得られる。
（１）して感光性被膜を形成し、塗装された感光性被膜
表面に所望のレジスト被膜（画像）が得られるようにレ
ーザー光で直接もしくは光線をネガマスクを通して露光
（２）して硬化させ、次いで、アルカリもしくは酸の水
溶液で感光性被膜の未硬化部分を現像処理（３）して基
板上にレジスト被膜を形成させ、レジスト被膜で保護さ
れていない部分の銅層を除去し、更にレジスト被膜を除
去することにより得られる。
【００５４】上記した基板としては、電気絶縁性のガラ
スーエポキシ板、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムやプ
ラスチック板；これらのプラスチック板やプラスチック
フィルムの表面に銅、アルミニウム等の金属箔を接着す
ることによって、もしくは銅、ニッケル、銀等の金属又
は酸化インジウムー錫（ＩＴＯ）に代表される導電性酸
化物等の化合物を真空蒸着、化学蒸着、メッキ等の方法
で導電性被膜を形成したもの：スルーホール部を設けた
プラスチック板やプラスチックフィルムの表面及びスル
ーホール部に導電性被膜を形成したもの：銅板等の金属
板等が挙げられる。
スーエポキシ板、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムやプ
ラスチック板；これらのプラスチック板やプラスチック
フィルムの表面に銅、アルミニウム等の金属箔を接着す
ることによって、もしくは銅、ニッケル、銀等の金属又
は酸化インジウムー錫（ＩＴＯ）に代表される導電性酸
化物等の化合物を真空蒸着、化学蒸着、メッキ等の方法
で導電性被膜を形成したもの：スルーホール部を設けた
プラスチック板やプラスチックフィルムの表面及びスル
ーホール部に導電性被膜を形成したもの：銅板等の金属
板等が挙げられる。
【００５５】上記塗装（１）工程においてネガ型感光性
樹脂組成物が、有機溶剤系の場合は、基板の表面にスプ
レー塗装、静電塗装、スピン塗装、浸漬塗装、ローラー
塗装、カーテンフロー塗装、シルク印刷等の手段により
塗装し、必要に応じてセッテング等を行って、約５０〜
１３０℃の範囲の温度で乾燥を行うことにより感光性樹
脂被膜を形成することができる。このようにして形成さ
れた被膜は次いで工程（２）で露光されるが、必要に応
じて該被膜表面に酸素を遮断し露光による感光性被膜の
硬化の阻害を防止するために従来から公知の非感光性の
カバーコート層を設けることができる。
樹脂組成物が、有機溶剤系の場合は、基板の表面にスプ
レー塗装、静電塗装、スピン塗装、浸漬塗装、ローラー
塗装、カーテンフロー塗装、シルク印刷等の手段により
塗装し、必要に応じてセッテング等を行って、約５０〜
１３０℃の範囲の温度で乾燥を行うことにより感光性樹
脂被膜を形成することができる。このようにして形成さ
れた被膜は次いで工程（２）で露光されるが、必要に応
じて該被膜表面に酸素を遮断し露光による感光性被膜の
硬化の阻害を防止するために従来から公知の非感光性の
カバーコート層を設けることができる。
【００５６】また、ネガ型感光性樹脂組成物が、電着塗
料の場合は、電着塗装した後、水切り、エアーブロー等
を行って、必要に応じて約５０から１３０℃の範囲の温
度で乾燥を行うことによりネガ型感光性樹脂被膜を形成
することができる。
料の場合は、電着塗装した後、水切り、エアーブロー等
を行って、必要に応じて約５０から１３０℃の範囲の温
度で乾燥を行うことによりネガ型感光性樹脂被膜を形成
することができる。
【００５７】上記したネガ型感光性樹脂被膜の膜厚は約
０．５〜１００μｍ、特に約１〜５０μｍの範囲が好ま
しい。
０．５〜１００μｍ、特に約１〜５０μｍの範囲が好ま
しい。
【００５８】露光工程（２）で使用する光線としては、
特に光源の発光スペクトルの波長が４８８ｎｍ（アルゴ
ンレーザー）又は５３２ｎｍ（ＹＡＧーＳＨＧレーザ
ー）である可視光線が実用化されておりこのものを使用
することが好ましいが、このものに限定されるものでは
ない。
特に光源の発光スペクトルの波長が４８８ｎｍ（アルゴ
ンレーザー）又は５３２ｎｍ（ＹＡＧーＳＨＧレーザ
ー）である可視光線が実用化されておりこのものを使用
することが好ましいが、このものに限定されるものでは
ない。
【００５９】現像処理（３）は、ネガ型感光性樹脂組成
物としてアニオン性基含有樹脂を使用した場合には、未
硬化被膜の洗い出しは、通常カセイソーダー、炭酸ソー
ダー、カセイカリ、アンモニア、アミン等を水に希釈し
た弱アルカリ水溶液が使用される。また、ネガ型感光性
樹脂組成物としてカチオン性基含有樹脂を使用した場合
には、未硬化被膜の洗い出しは、通常塩酸、硫酸、燐
酸、酢酸、珪酸、ギ酸、乳酸等を水に希釈した弱酸性水
溶液が使用される。カバーコートが設けられている場合
には現像処理前にこのカバーコートを取り除いておくこ
とが好ましい。以上の工程（１）〜（３）の少なくとも
１つの工程は最大波長が５５０〜６２０ｎｍの範囲にあ
る安全光（好ましくはナトリウムランプ）の照射環境条
件下で行われる。
物としてアニオン性基含有樹脂を使用した場合には、未
硬化被膜の洗い出しは、通常カセイソーダー、炭酸ソー
ダー、カセイカリ、アンモニア、アミン等を水に希釈し
た弱アルカリ水溶液が使用される。また、ネガ型感光性
樹脂組成物としてカチオン性基含有樹脂を使用した場合
には、未硬化被膜の洗い出しは、通常塩酸、硫酸、燐
酸、酢酸、珪酸、ギ酸、乳酸等を水に希釈した弱酸性水
溶液が使用される。カバーコートが設けられている場合
には現像処理前にこのカバーコートを取り除いておくこ
とが好ましい。以上の工程（１）〜（３）の少なくとも
１つの工程は最大波長が５５０〜６２０ｎｍの範囲にあ
る安全光（好ましくはナトリウムランプ）の照射環境条
件下で行われる。
【００６０】また、エッチングレジスト基板として使用
する場合には、次いで露出した銅層（非回路部分）を塩
化第２鉄や塩化第２銅の水溶液でエッチングすることに
より除去される。また、レジスト被膜の除去はカセイソ
ーダ等の強アルカリや塩化メチレン等の溶剤により除去
される。
する場合には、次いで露出した銅層（非回路部分）を塩
化第２鉄や塩化第２銅の水溶液でエッチングすることに
より除去される。また、レジスト被膜の除去はカセイソ
ーダ等の強アルカリや塩化メチレン等の溶剤により除去
される。
【００６１】このようにして得られるレジストパターン
が形成された基板は、装飾用、ソルダーレジスト基板、
エッチングレジスト基板として使用することができる。
が形成された基板は、装飾用、ソルダーレジスト基板、
エッチングレジスト基板として使用することができる。
【００６２】
【実施例】本発明について実施例を掲げて詳細に説明す
る。尚、実施例及び比較例の「部」は「重量部」を示
す。
る。尚、実施例及び比較例の「部」は「重量部」を示
す。
【００６３】実施例１ 感光液の製造例 光硬化性樹脂（高分子バインダー）として、アクリル樹
脂（樹脂酸価１５５ｍｇＫＯＨ／ｇ、メチルメタクリレ
ート／ブチルアクリレート／アクリル酸＝４０／４０／
２０重量比）にグリシジルメタクリレート２４重量部を
反応させてなる光硬化性樹脂（樹脂固形分５５重量％、
プロピレングリコールモノメチルエーテル有機溶媒、樹
脂酸価５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量約２万）１０
０部（固形分）に光重合性開始剤（ＣＧＩー７８４、商
品名、チバガイギー社製、チタノセン化合物）１部、光
増感剤（ＬＳー１４８、商品名、三井東圧社製、クマリ
ン色素系化合物）１部を配合して感光液を調製した。
脂（樹脂酸価１５５ｍｇＫＯＨ／ｇ、メチルメタクリレ
ート／ブチルアクリレート／アクリル酸＝４０／４０／
２０重量比）にグリシジルメタクリレート２４重量部を
反応させてなる光硬化性樹脂（樹脂固形分５５重量％、
プロピレングリコールモノメチルエーテル有機溶媒、樹
脂酸価５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量約２万）１０
０部（固形分）に光重合性開始剤（ＣＧＩー７８４、商
品名、チバガイギー社製、チタノセン化合物）１部、光
増感剤（ＬＳー１４８、商品名、三井東圧社製、クマリ
ン色素系化合物）１部を配合して感光液を調製した。
【００６４】この感光液を暗室内で銅メッキしたガラス
繊維強化エポキシ基板にバーコーターで乾燥膜厚が５μ
ｍとなるように塗装し、６０℃で１０分間乾燥させて、
レジスト被膜を形成した後、この表面にポリビニルアル
コール（カバーコート層）の１２％水溶液を乾燥膜厚が
３μｍになるようにバーコーターで塗装し、６０℃１０
分間乾燥を行ってレジスト被膜を有する基板を作成し
た。
繊維強化エポキシ基板にバーコーターで乾燥膜厚が５μ
ｍとなるように塗装し、６０℃で１０分間乾燥させて、
レジスト被膜を形成した後、この表面にポリビニルアル
コール（カバーコート層）の１２％水溶液を乾燥膜厚が
３μｍになるようにバーコーターで塗装し、６０℃１０
分間乾燥を行ってレジスト被膜を有する基板を作成し
た。
【００６５】次いで、上記で得られたレジスト被膜を有
する基板の表面を図１のナトリウムランプで照度強度が
４０ルックスになるように２４時間照射した。次いで、
暗室内でこのものを１２０℃で３０秒間加熱した後、１
％炭酸ナトリウム水溶液を現像液として３０℃で１分間
浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸ナトリウム水溶液に
完全に溶解して、ナトリウムランプの照射による光硬化
は全くなく良好であった。
する基板の表面を図１のナトリウムランプで照度強度が
４０ルックスになるように２４時間照射した。次いで、
暗室内でこのものを１２０℃で３０秒間加熱した後、１
％炭酸ナトリウム水溶液を現像液として３０℃で１分間
浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸ナトリウム水溶液に
完全に溶解して、ナトリウムランプの照射による光硬化
は全くなく良好であった。
【００６６】また、上記のレジスト被膜を有する基板に
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、１％炭酸ナトリウム水溶液
を現像液として３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結
果、優れたレジストプリント画像被膜が得られた。キセ
ノンランプ（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレー
ザーの第二高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等
の結果を得た。
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、１％炭酸ナトリウム水溶液
を現像液として３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結
果、優れたレジストプリント画像被膜が得られた。キセ
ノンランプ（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレー
ザーの第二高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等
の結果を得た。
【００６７】上記感光液を透明なポリエチレンテレフタ
レートシートに膜厚が５μｍになるようにバーコーター
で塗装し、６０℃で１０分間乾燥させた被膜の吸光度を
測定した。その結果を図４に示す。縦軸は吸光度を横軸
は波長ｎｍを示す。図４において横軸の５７０ｎｍ以上
の波長において被膜の吸光度は０．００であった。
レートシートに膜厚が５μｍになるようにバーコーター
で塗装し、６０℃で１０分間乾燥させた被膜の吸光度を
測定した。その結果を図４に示す。縦軸は吸光度を横軸
は波長ｎｍを示す。図４において横軸の５７０ｎｍ以上
の波長において被膜の吸光度は０．００であった。
【００６８】図４の吸光度曲線において、図１の最大波
長５８９ｎｍの−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの範囲である５
５９ｎｍ〜６１９ｎｍの範囲において被膜の吸光度は
０．０以下であり、安全光は感光液に対して悪影響を及
ぼさないことが分かる。
長５８９ｎｍの−３０ｎｍ〜＋３０ｎｍの範囲である５
５９ｎｍ〜６１９ｎｍの範囲において被膜の吸光度は
０．０以下であり、安全光は感光液に対して悪影響を及
ぼさないことが分かる。
【００６９】実施例２ 実施例１において、光硬化性樹脂１００部に代えて、実
施例１で使用した光硬化性樹脂５０部とアクリル樹脂ａ
（メチルアクリレート／スチレン／アクリル酸＝６０／
３０／１０のラジカル共重合体、酸価約８０、数平均分
子量２万）５０部の混合物を使用し、実施例１と同様の
組成の感光液を調整した。これを用いて、実施例１と同
様にしてレジスト被膜を形成した。
施例１で使用した光硬化性樹脂５０部とアクリル樹脂ａ
（メチルアクリレート／スチレン／アクリル酸＝６０／
３０／１０のラジカル共重合体、酸価約８０、数平均分
子量２万）５０部の混合物を使用し、実施例１と同様の
組成の感光液を調整した。これを用いて、実施例１と同
様にしてレジスト被膜を形成した。
【００７０】次いで、上記で得られたレジスト被膜（乾
燥膜厚５μｍ）を有する基板の表面を図１のナトリウム
ランプで照度強度が４０ルックスになるように２４時間
照射した。次いで、暗室内でこのものを１２０℃で３０
秒間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液を現像液と
して３０℃で１分間浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸
ナトリウム水溶液に完全に溶解して、ナトリウムランプ
の照射による光硬化は全くなく良好であった。
燥膜厚５μｍ）を有する基板の表面を図１のナトリウム
ランプで照度強度が４０ルックスになるように２４時間
照射した。次いで、暗室内でこのものを１２０℃で３０
秒間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液を現像液と
して３０℃で１分間浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸
ナトリウム水溶液に完全に溶解して、ナトリウムランプ
の照射による光硬化は全くなく良好であった。
【００７１】また、上記のレジスト被膜を有する基板に
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、１％炭酸ナトリウム水溶液
を現像液として３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結
果、優れたレジストプリント画像被膜が得られた。キセ
ノンランプ（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレー
ザーの第二高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等
の結果を得た。
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、１％炭酸ナトリウム水溶液
を現像液として３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結
果、優れたレジストプリント画像被膜が得られた。キセ
ノンランプ（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレー
ザーの第二高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等
の結果を得た。
【００７２】実施例３ 実施例２において、アクリル樹脂ａ５０部および光重合
性開始剤１部に代えて、下記のオキセタン化合物５０部
性開始剤１部に代えて、下記のオキセタン化合物５０部
【００７３】
【化１】
【００７４】および光酸発生剤として
【００７５】
【化２】
【００７６】を１０部使用し、実施例２と同様の組成の
感光液を調整した。これを用いて、実施例１と同様にし
てレジスト被膜を形成した。
感光液を調整した。これを用いて、実施例１と同様にし
てレジスト被膜を形成した。
【００７７】次いで、上記で得られたレジスト被膜（乾
燥膜厚５μｍ）を有する基板の表面を図１のナトリウム
ランプで照度強度が４０ルックスになるように２４時間
照射した。次いで、暗室内でこのものを１２０℃で３０
秒間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液を現像液と
して３０℃で１分間浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸
ナトリウム水溶液に完全に溶解して、ナトリウムランプ
の照射による光硬化は全くなく良好であった。
燥膜厚５μｍ）を有する基板の表面を図１のナトリウム
ランプで照度強度が４０ルックスになるように２４時間
照射した。次いで、暗室内でこのものを１２０℃で３０
秒間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液を現像液と
して３０℃で１分間浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸
ナトリウム水溶液に完全に溶解して、ナトリウムランプ
の照射による光硬化は全くなく良好であった。
【００７８】また、上記のレジスト被膜を有する基板に
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、１％炭酸ナトリウム水溶液
を現像液として３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結
果、優れたレジストプリント画像被膜が得られた。キセ
ノンランプ（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレー
ザーの第二高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等
の結果を得た。
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、１％炭酸ナトリウム水溶液
を現像液として３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結
果、優れたレジストプリント画像被膜が得られた。キセ
ノンランプ（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレー
ザーの第二高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等
の結果を得た。
【００７９】実施例４ 実施例２で得られた感光液１００部（固形分）にトリエ
チルアミン７部を混合攪拌した後、脱イオン水中に分散
して水分散樹脂溶液（固形分１５％）を得た。得られた
水分散樹脂溶液を電着塗装浴として、積層銅板を陽極と
し、乾燥膜厚が１０μｍとなるようにアニオン電着塗装
を行った後、水洗し、８０℃で５分間乾燥を行い電着塗
膜感光層を得た。形成した感光層表面にポリビニルアル
コール（カバーコート層）の１２％水溶液を乾燥膜厚が
３μｍになるようにバーコーターで塗装し、６０℃１０
分間乾燥を行ってレジスト被膜を有する基板を作成し
た。
チルアミン７部を混合攪拌した後、脱イオン水中に分散
して水分散樹脂溶液（固形分１５％）を得た。得られた
水分散樹脂溶液を電着塗装浴として、積層銅板を陽極と
し、乾燥膜厚が１０μｍとなるようにアニオン電着塗装
を行った後、水洗し、８０℃で５分間乾燥を行い電着塗
膜感光層を得た。形成した感光層表面にポリビニルアル
コール（カバーコート層）の１２％水溶液を乾燥膜厚が
３μｍになるようにバーコーターで塗装し、６０℃１０
分間乾燥を行ってレジスト被膜を有する基板を作成し
た。
【００８０】次いで、上記で得られたレジスト被膜を有
する基板の表面を図１のナトリウムランプで照度強度が
４０ルックスになるように２４時間照射した。次いで、
暗室内でこのものを１２０℃で３０秒間加熱した後、１
％炭酸ナトリウム水溶液を現像液として３０℃で１分間
浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸ナトリウム水溶液に
完全に溶解して、ナトリウムランプの照射による光硬化
は全くなく良好であった。
する基板の表面を図１のナトリウムランプで照度強度が
４０ルックスになるように２４時間照射した。次いで、
暗室内でこのものを１２０℃で３０秒間加熱した後、１
％炭酸ナトリウム水溶液を現像液として３０℃で１分間
浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸ナトリウム水溶液に
完全に溶解して、ナトリウムランプの照射による光硬化
は全くなく良好であった。
【００８１】また、上記のレジスト被膜を有する基板に
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、１％炭酸ナトリウム水溶液
を現像液として３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結
果、優れたレジストプリント画像被膜が得られた。キセ
ノンランプ（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレー
ザーの第二高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等
の結果を得た。
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、１％炭酸ナトリウム水溶液
を現像液として３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結
果、優れたレジストプリント画像被膜が得られた。キセ
ノンランプ（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレー
ザーの第二高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等
の結果を得た。
【００８２】実施例５ メチルアクリレート／スチレン／ブチルアクリレート／
グリシジルメタクリレート／ジメチルアミノエチルメタ
クリレート＝２０／１０／２２／３０／１８のラジカル
共重合体にアクリル酸１５部を付加反応させて得られる
光硬化性樹脂（アミン価約５６、不飽和度１．８３モル
／Ｋｇ）１００部、実施例１で使用した光増感剤０．５
部、トリメチロールプロパントリアクリレート５５部、
実施例１で使用したと同様のチタノセン化合物２０部を
混合して得られる感光液１００（固形分）に酢酸３部を
配合した後、脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液
（固形分１５％）を得た。得られた水分散樹脂溶液を電
着塗装浴として、積層銅板を陰極とし、乾燥膜厚が１０
μｍとなるようにカチオン電着塗装を行った後、水洗
し、８０℃で５分間乾燥を行い電着塗膜感光層を得た。
形成した感光層表面にポリビニルアルコール（カバーコ
ート層）の１２％水溶液を乾燥膜厚が３μｍになるよう
にバーコーターで塗装し、６０℃１０分間乾燥を行って
レジスト被膜を有する基板を作成した。
グリシジルメタクリレート／ジメチルアミノエチルメタ
クリレート＝２０／１０／２２／３０／１８のラジカル
共重合体にアクリル酸１５部を付加反応させて得られる
光硬化性樹脂（アミン価約５６、不飽和度１．８３モル
／Ｋｇ）１００部、実施例１で使用した光増感剤０．５
部、トリメチロールプロパントリアクリレート５５部、
実施例１で使用したと同様のチタノセン化合物２０部を
混合して得られる感光液１００（固形分）に酢酸３部を
配合した後、脱イオン水中に分散して水分散樹脂溶液
（固形分１５％）を得た。得られた水分散樹脂溶液を電
着塗装浴として、積層銅板を陰極とし、乾燥膜厚が１０
μｍとなるようにカチオン電着塗装を行った後、水洗
し、８０℃で５分間乾燥を行い電着塗膜感光層を得た。
形成した感光層表面にポリビニルアルコール（カバーコ
ート層）の１２％水溶液を乾燥膜厚が３μｍになるよう
にバーコーターで塗装し、６０℃１０分間乾燥を行って
レジスト被膜を有する基板を作成した。
【００８３】次いで、上記で得られたレジスト被膜を有
する基板の表面を図１のナトリウムランプで照度強度が
４０ルックスになるように２４時間照射した。次いで、
暗室内でこのものを１２０℃で３０秒間加熱した後、
２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド
水溶液を現像液として３０℃で１分間浸漬した結果、レ
ジスト被膜はテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイ
ド水溶液に完全に溶解して、ナトリウムランプの照射に
よる光硬化は全くなく良好であった。
する基板の表面を図１のナトリウムランプで照度強度が
４０ルックスになるように２４時間照射した。次いで、
暗室内でこのものを１２０℃で３０秒間加熱した後、
２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド
水溶液を現像液として３０℃で１分間浸漬した結果、レ
ジスト被膜はテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイ
ド水溶液に完全に溶解して、ナトリウムランプの照射に
よる光硬化は全くなく良好であった。
【００８４】また、上記のレジスト被膜を有する基板に
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、２．３８％テトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド水溶液水溶液を現像液とし
て３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結果、優れたレ
ジストプリント画像被膜が得られた。キセノンランプ
（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレーザーの第二
高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等の結果を得
た。
ナトリムランプで照度強度が４０ルックスの存在下で１
ｍＪ／ｍ2 強度のアルゴンレーザーをプリント基板用の
ネガマスクを照射したのち、２．３８％テトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド水溶液水溶液を現像液とし
て３０℃で１分間浸漬し、乾燥を行った結果、優れたレ
ジストプリント画像被膜が得られた。キセノンランプ
（紫外線波長領域をカット）及びＹＡＧレーザーの第二
高調波（５３２ｎｍ）の照射によっても同等の結果を得
た。
【００８５】実施例６ 実施例１において図１の、ナトリウムランプに変えて図
２のナトリウムランプを使用した以外は実施例１と同様
の方法でレジスト被膜を有する基板を作成した。更に得
られた基板を実施例１と同様にして１％炭酸ナトリウム
水溶液に浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸ナトリウム
水溶液に溶解し良好であった。
２のナトリウムランプを使用した以外は実施例１と同様
の方法でレジスト被膜を有する基板を作成した。更に得
られた基板を実施例１と同様にして１％炭酸ナトリウム
水溶液に浸漬した結果、レジスト被膜は炭酸ナトリウム
水溶液に溶解し良好であった。
【００８６】比較例１〜５ 実施例１〜５において、安全光としてナトリウムランプ
に変えて蛍光灯を使用した以外はそれぞれ実施例１〜５
と同様の方法でレジスト被膜（ＹＡＧ等で露光しない被
膜）を有する基板を作成（比較例１〜５は順次実施例１
〜５に相当する）した。得られた基板を実施例１〜５と
同様にして１％の炭酸ナトリウム水溶液（比較例１〜
４）又は２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロオ
キサイド水溶液（比較例５）の現像液に浸漬した結果、
レジスト被膜は全て現像液に溶解せずに悪かった。
に変えて蛍光灯を使用した以外はそれぞれ実施例１〜５
と同様の方法でレジスト被膜（ＹＡＧ等で露光しない被
膜）を有する基板を作成（比較例１〜５は順次実施例１
〜５に相当する）した。得られた基板を実施例１〜５と
同様にして１％の炭酸ナトリウム水溶液（比較例１〜
４）又は２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロオ
キサイド水溶液（比較例５）の現像液に浸漬した結果、
レジスト被膜は全て現像液に溶解せずに悪かった。
【００８７】比較例で使用した蛍光灯の分光分布を図５
に示す。
に示す。
【００８８】
【発明の効果】本発明は、上記した構成を有することか
ら安全作業性、作業効率、製品の品質安定性等に優れた
顕著な効果を発揮するものである。
ら安全作業性、作業効率、製品の品質安定性等に優れた
顕著な効果を発揮するものである。
【図１】本発明で使用することができる安全光のナトリ
ウムを主成分とする放電ランプの分光分布の一例
ウムを主成分とする放電ランプの分光分布の一例
【図２】ナトリウム放電ランプにフィルターを施した分
光分布
光分布
【図３】比視感度曲線
【図４】実施例１で使用したレジスト被膜の吸光度曲線
【図５】蛍光灯の分光分布
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｆ 3/06 3/06 Ｈ
Claims (5)
- 【請求項１】 最大波長が５００〜６２０ｎｍの範囲内
にある比視感度の大きい安全光の照射環境下で使用する
ネガ型感光性樹脂組成物であり、該組成物が光硬化性樹
脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増感色素とを含
有した液状もしくは固形状樹脂組成物であって、その組
成物から形成される未感光被膜の吸光度が上記安全光の
最大波長の範囲から選ばれた最大波長の−３０ｎｍ〜＋
３０ｎｍの範囲において０．５以下であることを特徴と
するネガ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】 安全光がナトリウムを主成分とする放電
ランプ（光波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）
によるものであることを特徴とする請求項１に記載のネ
ガ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項３】 安全光がナトリウムを主成分とする放電
ランプ（光波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）
であって、更にＤ線以外の低波長域のエネルギー光線を
カットしてなることを特徴とする請求項２に記載のネガ
型感光性樹脂組成物。 - 【請求項４】 下記 （１）基材上にネガ型感光性樹脂組成物を塗布して感光
性被膜を形成する工程、（２）基材上に形成された感光
性被膜表面に所望のレジスト被膜（画像）が得られるよ
うにレーザー光線で直接もしくは光線でネガマスクを通
して感光して硬化させる工程、（３）上記（２）工程で
形成されたレジスト被膜を現像処理して基板上にレジス
トパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形
成方法において、該ネガ型感光性樹脂組成物が光硬化性
樹脂、光反応開始剤、及び必要に応じて光増感色素とを
含有した液状もしくは固形状樹脂組成物であって、その
組成物から形成される未感光被膜の吸光度が下記安全光
の最大波長の範囲から選ばれた最大波長の−３０ｎｍ〜
＋３０ｎｍの範囲において０．５以下のものであり、且
つ前記した工程（１）〜（３）の少なくとも１つは光源
の発光スペクトルの最大波長が５００〜６２０ｎｍの範
囲内にある比視感度の大きい安全光の照射環境下で行う
ことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項５】 安全光がナトリウムを主成分とする放電
ランプ（光波長が５８９ｎｍのＤ線を主体とするもの）
によるものであることを特徴とする請求項４に記載のレ
ジストパターン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14889198A JP3993691B2 (ja) | 1997-09-24 | 1998-05-29 | レジストパターン形成方法 |
| US09/154,047 US6140025A (en) | 1997-09-24 | 1998-09-16 | Negative type photosensitive resin composition and method for forming resist pattern |
| TW087115813A TW557416B (en) | 1997-09-24 | 1998-09-23 | Negative type photosensitive resin composition and method for forming resist pattern |
| KR1019980039548A KR100298422B1 (ko) | 1997-09-24 | 1998-09-24 | 네가티브형감광성수지조성물및레지스트패턴의형성방법 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25819497 | 1997-09-24 | ||
| JP10-1304 | 1998-01-07 | ||
| JP130498 | 1998-01-07 | ||
| JP9-258194 | 1998-01-07 | ||
| JP14889198A JP3993691B2 (ja) | 1997-09-24 | 1998-05-29 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258798A true JPH11258798A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3993691B2 JP3993691B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=32303033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14889198A Expired - Fee Related JP3993691B2 (ja) | 1997-09-24 | 1998-05-29 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6140025A (ja) |
| JP (1) | JP3993691B2 (ja) |
| KR (1) | KR100298422B1 (ja) |
| TW (1) | TW557416B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002090507A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Jsr Corp | 光拡散反射板に用いるための膜形成用組成物、光拡散反射板および液晶表示素子 |
| US7122288B2 (en) * | 2000-03-28 | 2006-10-17 | Fujitsu Limited | Negative resist composition, a method for forming a resist pattern thereof, and a method for fabricating a semiconductor device |
| JP2009035676A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 光硬化性組成物 |
| JP2011014636A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Goo Chemical Co Ltd | スルーホール付きプリント配線板の製造方法 |
| US8257905B2 (en) | 2009-02-11 | 2012-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating thin film transistor substrate and negative photoresist composition used therein |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI251123B (en) * | 1999-09-17 | 2006-03-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the resin composition, method of manufacturing resist pattern, and method of manufacturing printed wiring board |
| EP1145274A1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-10-17 | Philips Electron Optics B.V. | Particle optical apparatus |
| KR100633794B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2006-10-16 | 각고우호우진 가나가와 다이가쿠 | 활성 에너지선 경화성 수지, 그 제조 방법 및광경화성·열경화성 수지 조성물 |
| JP2002122987A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Kansai Paint Co Ltd | ネガ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性ドライフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパターン形成方法 |
| JP2002122986A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Kansai Paint Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパターン形成方法 |
| EP1209527A1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-05-29 | Shipley Company LLC | Photoresist composition |
| US8002948B2 (en) * | 2002-04-24 | 2011-08-23 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
| US7261920B2 (en) * | 2002-04-24 | 2007-08-28 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
| US7156945B2 (en) * | 2002-04-24 | 2007-01-02 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| US7972472B2 (en) * | 2002-04-24 | 2011-07-05 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| TWI268813B (en) * | 2002-04-24 | 2006-12-21 | Sipix Imaging Inc | Process for forming a patterned thin film conductive structure on a substrate |
| TWI223736B (en) * | 2002-12-19 | 2004-11-11 | Ind Tech Res Inst | Hybrid photoresist with multi reaction models and process for forming pattern using the same |
| JP2005250094A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 平版印刷版の作製方法 |
| JP2005274813A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 平版印刷版の作製方法 |
| KR100596364B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2006-07-03 | 주식회사 엘지화학 | 감광성 수지 조성물 및 이를 이용하여 제조된 액정표시소자 |
| KR100641358B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 광경화성 수지 조성물을 사용한 잉크젯 프린트 헤드의제조방법 |
| US7644512B1 (en) * | 2006-01-18 | 2010-01-12 | Akrion, Inc. | Systems and methods for drying a rotating substrate |
| US7867688B2 (en) * | 2006-05-30 | 2011-01-11 | Eastman Kodak Company | Laser ablation resist |
| US20090239080A1 (en) * | 2006-08-29 | 2009-09-24 | Jsr Corporation | Photosensitive insulation resin composition and cured product thereof |
| KR101427445B1 (ko) * | 2010-09-30 | 2014-08-11 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 유기 절연막용 감광성 수지 조성물 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2137626B (en) * | 1983-03-31 | 1986-10-15 | Sericol Group Ltd | Water based photopolymerisable compositions and their use |
| US5055439A (en) * | 1989-12-27 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Photoacid generating composition and sensitizer therefor |
| US5849809A (en) * | 1996-08-29 | 1998-12-15 | Xerox Corporation | Hydroxyalkylated high performance curable polymers |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP14889198A patent/JP3993691B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-16 US US09/154,047 patent/US6140025A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-23 TW TW087115813A patent/TW557416B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-24 KR KR1019980039548A patent/KR100298422B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7122288B2 (en) * | 2000-03-28 | 2006-10-17 | Fujitsu Limited | Negative resist composition, a method for forming a resist pattern thereof, and a method for fabricating a semiconductor device |
| US7488569B2 (en) | 2000-03-28 | 2009-02-10 | Fujitsu Limited | Negative resist composition, a method for forming a resist pattern thereof, and a method for fabricating a semiconductor device |
| JP2002090507A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Jsr Corp | 光拡散反射板に用いるための膜形成用組成物、光拡散反射板および液晶表示素子 |
| JP2009035676A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 光硬化性組成物 |
| US8257905B2 (en) | 2009-02-11 | 2012-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating thin film transistor substrate and negative photoresist composition used therein |
| JP2011014636A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Goo Chemical Co Ltd | スルーホール付きプリント配線板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW557416B (en) | 2003-10-11 |
| US6140025A (en) | 2000-10-31 |
| JP3993691B2 (ja) | 2007-10-17 |
| KR19990030073A (ko) | 1999-04-26 |
| KR100298422B1 (ko) | 2001-09-22 |
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Legal Events
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130803 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |