JPH11251699A

JPH11251699A - セラミック配線基板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11251699A
Application number: JP5306598A
Authority: JP
Inventors: Koichi Nakasu; 浩一中洲
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 1998-03-05
Filing date: 1998-03-05
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のメッキ配線では、残留磁化量が高いた
めに電気特性が低下し易く、あるいはＡｕメッキ層の耐
熱性や半田ぬれ性が低下して半田付け不良が発生し易
く、かつ下地メッキ層に生じるふくれや、食われ現象に
よりロウ付け部との密着性に劣り、また銀ロウ材のロウ
付け性を低下させ易かった。【解決手段】セラミック基板３１と、高融点メタライ
ズ層３３、下地メッキ層１４、及びＡｕメッキ層３５を
含んで構成された配線層１２とを備えたセラミック配線
基板１０の下地メッキ層１４にＣｕ−Ｎｉ合金を用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はセラミック配線基板
及びその製造方法に関し、より詳細には、表皮効果が抑
制されると共に、半田ぬれ性及びロウ付け性に優れたセ
ラミック配線基板に及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常のセラミック配線基板は配線層とし
て、高融点メタライズ層上にニッケル（以下、Ｎｉと記
す）メッキ層や金（以下、Ａｕと記す）メッキ層が形成
されたものが使用されている。図５は従来のこの種配線
層を備えたセラミック配線基板を摸式的に示した断面図
であり、図中３１はセラミック基板を示している。セラ
ミック基板３１は例えばアルミナ材料等を用いて形成さ
れ、セラミック基板３１上にはタングステン（以下、Ｗ
と記す）やモリブデン（以下、Ｍｏと記す）材料を用い
た高融点メタライズ層３３が形成されている。高融点メ
タライズ層３３上にはＮｉ材料を用いた下地メッキ層３
４が形成され、下地メッキ層３４の表面にはＡｕメッキ
層３５が形成されている。これら高融点メタライズ層３
３、下地メッキ層３４、Ａｕメッキ層３５等を含んで配
線層３２が構成されており、またこの配線層３２、セラ
ミック基板３１等を含んでセラミック配線基板３０が構
成されている。

【０００３】このように構成されたセラミック配線基板
３０では、下地メッキ層３４が磁性体であるＮｉ材料を
用いて形成されているので、高周波により作動させた場
合、該高周波電流が配線層３２の表面近傍にのみ流れ
る、いわゆる表皮効果が生じて電気特性が低下し易いと
いう問題があった。この問題に対処するため、下地メッ
キ層として非磁性体の銅（以下、Ｃｕと記す）材料を用
いたものが開発されている。

【０００４】図６は従来のこの種Ｃｕ製の下地メッキ層
を備えたセラミック配線基板を摸式的に示した断面図で
あり、図中３１、３３は図５に示したものと同様のセラ
ミック基板、高融点メタライズ層をそれぞれ示してい
る。高融点メタライズ層３３上にはＣｕ材料を用いた下
地メッキ層４４が形成され、下地メッキ層４４の表面に
はＡｕメッキ層３５が形成されている。これら高融点メ
タライズ層３３、下地メッキ層４４、Ａｕメッキ層３５
等を含んで配線層４２が構成されており、またこの配線
層４２、セラミック基板３１等を含んでセラミック配線
基板４０が構成されている。

【０００５】図７は従来のＣｕ製の下地メッキ層を備え
た別のセラミック配線基板を摸式的に示した断面図であ
り、図中５１はセラミック基板を示している。セラミッ
ク基板５１は例えばアルミナ材料等を用いて形成され、
セラミック基板５１にはスルーホール５１ａが形成され
ており、スルーホール５１ａ内にはＷ材料等が充填され
ている。セラミック基板５１上にはＷやＭｏ材料を用い
た高融点メタライズ層（パッド）５３が形成され、高融
点メタライズ層５３下部にはスルーホール５１ａの上端
部が接続される一方、高融点メタライズ層５３上にはＣ
ｕ材料を用いた下地メッキ層５４が形成されている。こ
の下地メッキ層５４上には側面視略逆Ｔ字形状をしたＩ
／Ｏ(Input/Output)信号用のピン５７が立設され、ピン
５７は銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金）材料を用いたロウ付け
部５６を介して下地メッキ層５４に接合されている。ま
た下地メッキ層５４の側壁部表面５４ａ、ロウ付け部表
面５６ａ及びピン５７の露出表面５７ａにはＡｕメッキ
層５５が形成されている。これらスルーホール５１ａ、
高融点メタライズ層５３、下地メッキ層５４、Ａｕメッ
キ層５５、ロウ付け部５６、ピン５７等を含んで、ピン
５７が接合された配線層５２が構成されている。これら
配線層５２、セラミック基板５１等を含んでＰＧＡ（Pi
n Grid Array) タイプのセラミック配線基板５０が構成
されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記したセラミック配
線基板３０においては、上述したように下地メッキ層３
４が磁性体であるＮｉ材料を用いて形成されているの
で、高周波により作動させた場合、電流が配線層３２の
表面近傍しか流れず、電気特性が低下し易いという課題
があった。

【０００７】また上記したセラミック配線基板４０、５
０においては、下地メッキ層４４、５４が非磁性体であ
るＣｕ材料を用いて形成されているので、表皮効果に基
づく前記電気特性の低下を阻止し得る一方、Ｃｕ材料が
ガスを吸収し易く、加熱した際にこれが放出されてふく
れが発生し易い。またセラミック配線基板４０において
は、Ａｕメッキ層３５上に半田を介して電子部品（共に
図示せず）を実装する際、温度上昇により下地メッキ層
４４のＣｕ成分がＡｕメッキ層３５内を通って表面３５
ａまで拡散し易い。するとＡｕメッキ層表面３５ａにお
ける半田ぬれ性が低下して半田付け不良が発生するおそ
れがあるという課題があった。またセラミック配線基板
５０においては、銀ロウ材料を用いてピン５７をロウ付
けする際、溶融した銀ロウ材料中に下地メッキ層５４の
Ｃｕ成分が溶け込み易い。するとロウ付け性が低下する
と共に、下地メッキ層５４が破れるといったいわゆる食
われ現象が生じ易く、ロウ付け部５６やピン５７が下地
メッキ層５４より剥離し易いという課題があった。

【０００８】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、残留磁化量を減らして電気特性の向上を図ることが
でき、Ａｕメッキ層表面の半田ぬれ性を確保して半田付
け不良の発生を防止すると共に、Ａｕメッキ層の耐熱性
を維持することができ、食われ現象の発生を阻止してロ
ウ付け部を下地メッキ層に密着させると共に、ロウ付け
性の低下を防止することができ、かつ下地メッキ層にふ
くれが生じるのを確実に阻止することができるセラミッ
ク配線基板及びその製造方法を提供することを目的とし
ている。

【０００９】

【課題を解決するための手段及びその効果】本発明者は
下地メッキ層にＣｕ−Ｎｉ合金を用いると、残留磁化率
の低減を図り得ると共に、Ｃｕ材料を用いた従来の下地
メッキ層に生じ易いふくれや食われ現象の防止、前記Ａ
ｕメッキ層における耐熱性や半田ぬれ性の確保、及び銀
ロウ材料のロウ付け性の向上も同時に図り得ることを知
見し、本発明を完成するに至った。

【００１０】すなわち、本発明に係るセラミック配線基
板は、セラミック基板と、高融点メタライズ層、下地メ
ッキ層、及びＡｕメッキ層を含んで構成された配線層と
を備えたセラミック配線基板において、前記下地メッキ
層にＣｕ−Ｎｉ合金が用いられていることを特徴として
いる（１）。

【００１１】上記したセラミック配線基板（１）によれ
ば、前記下地メッキ層にＣｕ−Ｎｉ合金が用いられてい
るので、該Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＣｕ、Ｎｉ含有率を制御
することにより、残留磁化量を容易に調整することがで
きると同時に、前記下地メッキ層に生じ易いふくれや食
われ現象の低減、前記Ａｕメッキ層における耐熱性や半
田ぬれ性の維持、及び銀ロウ材料のロウ付け性の向上も
容易に図ることができる。

【００１２】また本発明に係るセラミック配線基板は、
セラミック配線基板（１）において、前記Ｃｕ−Ｎｉ合
金中のＮｉ含有率が２５〜５５％の範囲内であることを
特徴としている（２）。

【００１３】上記したセラミック配線基板（２）によれ
ば、前記下地メッキ層を構成する前記Ｃｕ−Ｎｉ合金中
のＮｉ含有率が２５〜５５％の範囲内であるので、残留
磁化量を著しく減少させることができる。また前記下地
メッキ層より前記Ａｕメッキ層中に拡散するＣｕ成分量
を比較的少なくすることができ、前記Ａｕメッキ層表面
における半田ぬれ性を確保することができ、半田付け不
良の発生を確実に防止することができる。また銀ロウ材
料を用いて前記下地メッキ層上にロウ付けする際、該下
地メッキ層より前記銀ロウ材料中に溶け込むＣｕ成分量
を比較的少なくすることができ、前記下地メッキ層にお
ける食われ現象の発生や前記銀ロウ材料におけるロウ付
け性の低下を阻止することができ、ロウ付け部を前記下
地メッキ層に確実に密着させることができる。なお、前
記Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉ含有率は３０〜５０％の範囲
内であることがより望ましく、このものでは前記効果を
より一層高めることができる。

【００１４】また本発明に係るセラミック配線基板の製
造方法（１）は、上記セラミック配線基板（１）または
（２）の製造方法において、セラミック基板上に高融点
メタライズ層を形成する工程と、該高融点メタライズ層
の上に所定厚さのＣｕメッキ層及びＮｉメッキ層を形成
した後、５００〜１０８３℃の加熱処理を施す工程とを
含むことを特徴としている。

【００１５】上記したセラミック配線基板の製造方法
（１）によれば、セラミック基板上に高融点メタライズ
層を形成する工程と、該高融点メタライズ層の上に所定
厚さのＣｕメッキ層及びＮｉメッキ層を形成した後、５
００〜１０８３℃の加熱処理を施す工程とを含んでいる
ので、前記Ｃｕメッキ層の厚さと前記Ｎｉメッキ層の厚
さとを調整することにより、これらの成分比率を正確に
設定することができる。また前記加熱処理により、前記
Ｃｕメッキ層、前記Ｎｉメッキ層が拡散してＣｕ−Ｎｉ
合金化を図ることができ、これらの結果、Ｎｉを２５〜
５５％含有するＣｕ−Ｎｉ合金化した下地メッキ層を前
記高融点メタライズ層上に確実、かつ簡単に形成するこ
とができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミック配
線基板の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、
従来例と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付
すこととする。図１は実施の形態（１）に係るセラミッ
ク配線基板の製造工程を摸式的に示した断面図であり、
（ａ）〜（ｃ）は第１〜第３工程、（ｄ）は完成状態を
示している。セラミック基板３１はアルミナ材料等を用
いて形成され、セラミック基板３１上にはＷやＭｏ材料
を用いた高融点メタライズ層３３が形成されている。高
融点メタライズ層３３上にはＮｉ（含有率２５〜５５
％）とＣｕとが合金化した下地メッキ層１４が形成さ
れ、下地メッキ層１４の表面にはＡｕメッキ層３５が形
成されている。これら高融点メタライズ層３３、下地メ
ッキ層１４、Ａｕメッキ層３５等を含んで配線層１２が
構成されており、またこの配線層１２、セラミック基板
３１等を含んでセラミック配線基板１０が構成されてい
る（図１（ｄ））。

【００１７】このように構成されたセラミック配線基板
１０を製造する場合、第１工程において、アルミナ系セ
ラミック等を含んだグリーンシート上にＷまたはＭｏペ
ースト（共に図示せず）を所定形状に印刷した後、約１
５００℃で焼成すると、セラミック基板３１上に高融点
メタライズ層３５が一体的に形成される（図１
（ａ））。次に第２工程において、高融点メタライズ層
３５上に厚さがｔ₁ のＣｕメッキ層１４ａ、厚さがｔ₂
のＮｉメッキ層１４ｂをそれぞれ形成する（ｔ₁ ＋ｔ₂
＝ｔ）（図１（ｂ））。次に第３工程において、これら
に５００〜１０８３℃の加熱処理を施すと、Ｃｕ、Ｎｉ
が相互に拡散してゆき、Ｎｉ含有率（ｔ₂ ／ｔ）が２５
〜５５％の範囲に制御された下地メッキ層１４が形成さ
れる（図１（ｃ））。次に第４工程において、下地メッ
キ層１４の表面にＡｕメッキ層３５を形成すると、セラ
ミック配線基板１０が製造される。

【００１８】上記説明から明らかなように、実施の形態
（１）に係るセラミック配線基板１０では、下地メッキ
層１４の形成にＣｕ−Ｎｉ合金が用いられているので、
Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＣｕ、Ｎｉ含有率を制御することに
より、残留磁化量を容易に調整することができると同時
に、下地メッキ層４４（図６）に生じ易いふくれや食わ
れ現象の低減や、Ａｕメッキ層３５における耐熱性や半
田ぬれ性の維持も容易に図ることができる。

【００１９】また、下地メッキ層１４を構成するＣｕ−
Ｎｉ合金中のＮｉ含有率を２５〜５５％の範囲内とする
ことにより、残留磁化量を著しく減少させることができ
る。また下地メッキ層１４よりＡｕメッキ層３５中に拡
散するＣｕ成分量を比較的少なくすることができ、Ａｕ
メッキ層３５表面における半田ぬれ性を確保することが
でき、半田付け不良の発生を確実に防止することができ
る。

【００２０】また、実施の形態（１）に係るセラミック
配線基板１０の製造方法では、セラミック基板３１上に
高融点メタライズ層３３を形成する工程と、高融点メタ
ライズ層３３の上に厚さがｔ₁ のＣｕメッキ層１４ａ及
び厚さがｔ₂ のＮｉメッキ層１４ｂを形成した後、５０
０〜１０８３℃の加熱処理を施す工程とを含んでいるの
で、Ｃｕメッキ層１４ａの厚さｔ₁ とＮｉメッキ層１４
ｂの厚さｔ₂ とを調整することにより、これらの成分比
率を正確に設定することができる。また加熱処理によ
り、Ｃｕメッキ層１４ａ、Ｎｉメッキ層１４ｂが相互拡
散してＣｕ−Ｎｉ合金化を図ることができ、これらの結
果、Ｎｉを２５〜５５％含有するＣｕ−Ｎｉ合金化した
下地メッキ層１４を高融点メタライズ層３３上に確実、
かつ簡単に形成することができる。

【００２１】図２は実施の形態（２）に係るセラミック
配線基板の製造工程を説明するために摸式的に示した断
面図であり、（ａ）〜（ｄ）は第１〜第４工程、（ｅ）
は完成状態を示している。セラミック基板５１はアルミ
ナ材料等を用いて形成されており、図７に示したものと
同様、セラミック基板５１にはスルーホール５１ａが形
成されると共に、スルーホール５１ａ内にはＷ材料等が
充填されている。またセラミック基板５１上には図７に
示したものと同様の高融点メタライズ層（パッド）５３
が形成され、高融点メタライズ層５３下部にはスルーホ
ール５１ａの上端部が接続される一方、高融点メタライ
ズ層５３上にはＮｉ（含有率２５〜５５％）とＣｕとが
合金化した下地メッキ層２４が形成されている。また図
７に示したものと同様、下地メッキ層２４上にはピン５
７が立設され、ピン５７は銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金）材
料を用いたロウ付け部５６を介して下地メッキ層２４に
接合されている。また下地メッキ層２４の側壁部表面２
４ａ、ロウ付け部表面５６ａ及びピン５７の露出表面５
７ａにはＡｕメッキ層５５が形成されている。これらス
ルーホール５１ａ、高融点メタライズ層５３、下地メッ
キ層２４、Ａｕメッキ層５５、ロウ付け部５６、ピン５
７等を含んで、ピン５７が接合された配線層２２が構成
されている。これら配線層２２、セラミック基板５１等
を含んでＰＧＡタイプのセラミック配線基板２０が構成
されている（図２（ｅ））。

【００２２】このように構成されたセラミック配線基板
２０を製造する場合、第１工程において、アルミナ系セ
ラミックを含んだグリーンシート（図示せず）にスルー
ホール５１ａを形成し、このスルーホール５１ａ内にＷ
ペーストを充填すると共に、グリーンシート上の所定箇
所にＷまたはＭｏペースト（図示せず）を平面視略円形
状に印刷する。その後約１５００℃で焼成すると、セラ
ミック基板５１のスルーホール５１ａ上に高融点メタラ
イズ層（パッド）５３が一体的に形成される（図２
（ａ））。次に第２工程において、高融点メタライズ層
５３上に厚さがｔ₁のＣｕメッキ層２４ａ、厚さがｔ₂
のＮｉメッキ層２４ｂをそれぞれ形成する（ｔ₁ ＋ｔ₂
＝ｔ）（図２（ｂ））。そして第３工程において、これ
らに５００〜１０８３℃の加熱処理を施すと、Ｃｕ、Ｎ
ｉが相互に拡散してゆき、Ｎｉ含有率（ｔ₂ ／ｔ）が２
５〜５５％の範囲に制御された下地メッキ層２４が形成
される（図２（ｃ））。次に第４工程において、下地メ
ッキ層２４上にピン５７を立設し、銀ロウを用いてロウ
付けした後（図２（ｄ））、Ａｕメッキ処理を施してＡ
ｕメッキ層５５を形成すると、セラミック配線基板２０
が製造される。

【００２３】上記説明から明らかなように、実施の形態
（２）に係るセラミック配線基板２０では、下地メッキ
層２４の形成にＣｕ−Ｎｉ合金が用いられているので、
Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＣｕ、Ｎｉ含有率を制御することに
より、残留磁化量を容易に調整することができると同時
に、下地メッキ層５４（図７）に生じ易いふくれや食わ
れ現象の低減、Ａｕメッキ層５５における耐熱性や半田
ぬれ性の維持、及び銀ロウ材料のロウ付け性の向上も容
易に図ることができる。

【００２４】また、Ｃｕ−Ｎｉ合金中のＮｉ含有率を２
５〜５５％の範囲内に設定したので、図１に示したもの
と略同様の効果を得ることができると共に、銀ロウ材料
を用いて下地メッキ層２４上にロウ付けする際、下地メ
ッキ層２４より銀ロウ材料中に溶け込むＣｕ成分量を比
較的少なくすることができ、銀ロウ材料におけるロウ付
け性の低下を阻止することができ、かつロウ付け部５６
を下地メッキ層２４に確実に密着させることができる。

【００２５】また、実施の形態（２）に係るセラミック
配線基板２０の製造方法では、Ｃｕメッキ層２４ａの厚
さｔ₁ とＮｉメッキ層２４ｂの厚さｔ₂ とを調整するこ
とにより、これらの成分比率を正確に設定することがで
きる。また加熱処理によりＣｕメッキ層２４ａ、Ｎｉメ
ッキ層２４ｂが拡散してＣｕ−Ｎｉ合金化を図ることが
でき、これらの結果、Ｎｉを２５〜５５％含有するＣｕ
−Ｎｉ合金化した下地メッキ層２４を高融点メタライズ
層５３上に確実、かつ簡単に形成することができる。

【００２６】なお、実施の形態（１）、（２）に係るセ
ラミック配線基板１０、２０及びその製造方法では、い
ずれもＣｕ−Ｎｉ合金中のＮｉ含有率が２５〜５５％の
範囲内である場合について説明したが、このＮｉ含有率
は３０〜５０％の範囲がより望ましく、この場合には上
記効果をより一層高めることができる。

【００２７】また、実施の形態（１）、（２）に係るセ
ラミック配線基板１０、２０及びその製造方法では、い
ずれもＣｕメッキ層１４ａ、２４ａ、Ｎｉメッキ層１４
ｂ、２４ｂを形成した後に加熱処理を施し、ＣｕとＮｉ
とが合金化した下地メッキ層１４、２４を形成する場合
について説明したが、ＣｕメッキとＮｉメッキの順番は
どちらが先でもかまわないし、所定成分比のＣｕ−Ｎｉ
合金を用いて下地メッキ層１４、２４を直接的に形成し
てもよい。

【００２８】

【実施例及び比較例】以下、実施例に係るセラミック配
線基板を使用し、残留磁化量、半田ぬれ性、及びロウ付
け時における食われ現象の発生率を調査した結果につい
て説明する。

【００２９】残留磁化量を調査したサンプルとしては、
図１に示したものと略同様、１辺が約２０ｍｍの略直方
体板形状のセラミック基板３１上に高融点メタライズ層
３３を形成する。そしてこの高融点メタライズ層３３上
に厚さがｔ₁ のＣｕメッキ層１４ａ、厚さがｔ₂ のＮｉ
メッキ層１４ｂを形成した後、約８００℃×２０分間の
加熱処理を施し、厚さｔが約２０μｍの下地メッキ層１
４を形成したものを用いた。下地メッキ層１４のＮｉ含
有率は厚さｔ₁ 、ｔ₂ の比率により変化させた。実施例
に係るセラミック配線基板としては下地メッキ層１４中
のＮｉ含有率が２５〜５５％の範囲内のもの、また比較
例に係るセラミック配線基板としてはＮｉ含有率が上記
範囲外のものを用いた。残留磁化量の調査結果を図３に
示した。

【００３０】図３より明らかなように、Ｎｉ中にＣｕを
所定量以上含有したものでは、残留磁化量が急激に減少
した。そして実施例に係るものでは残留磁化量を１ＧＡ
ＵＳＳ以下に減少させることができ、表皮効果の発生を
防止することができた。さらにＮｉ含有率を２５％未満
に下げた比較例に係るものであっても、残留磁化量の大
幅な減少はみられなかった。

【００３１】また、半田ぬれ性を調査したサンプルとし
ては、残留磁化量を調査したものの下地メッキ層１４上
に、厚さが約１μｍのＡｕメッキ層３５を形成した後、
空気中で３８０℃×５分間の加熱処理を施したものを用
いた。そして直径が約０．４ｍｍの略球形状をした半田
ボール（図示せず）をＡｕメッキ層３５上に載せ、約２
２０℃×３０秒間のリフロー処理を施し、半田のリフロ
ー径を測定することにより半田ぬれ性を評価した。半田
ぬれ性の調査結果を図４に示した。

【００３２】図４より明らかなように、半田のリフロー
径はＮｉ含有率が低い比較例のものでは約１．４〜１．
８ｍｍ未満と小さいが、実施例に係るものでは約１．８
〜１．９ｍｍに拡大させることができ、純Ｎｉの場合と
略同程度の半田ぬれ性を確保することができた。

【００３３】また、食われ現象の発生率を調査したサン
プルとしては、図２に示したものと同様、厚さが約２μ
ｍの下地メッキ層２４上にＡｇが約７２％、Ｃｕが約２
８％の銀ロウ材料を用い、約８３０℃の加熱条件化にお
いてピン５７をロウ付けしたものを用いた。下地メッキ
層２４は厚さがｔ₁ のＣｕメッキ層１４ａ、厚さがｔ₂
のＮｉメッキ層１４ｂを形成した後、約８００℃×２０
分間の加熱処理を施すことにより形成した。また下地メ
ッキ層１４のＮｉ含有率は厚さｔ₁ 、ｔ₂ の比率により
変化させた。実施例に係るセラミック配線基板としては
下地メッキ層１４中のＮｉ含有率が２５〜５５％の範囲
内のもの、また比較例に係るセラミック配線基板として
はＮｉ含有率が上記範囲外のものを用いた。発生率は１
０個のピン５７の中で食われ現象が観察される個数によ
り評価した。食われ現象の発生率の調査結果を下記の表
１に示した。

【００３４】

【表１】

【００３５】表１から明らかなように、Ｎｉ含有率が０
〜２０％の比較例のものでは、食われ発生率が１００〜
２０％と高かったが、実施例のものでは食われ発生率を
０％に減少させることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るセラミック配線基板の実施の形態
（１）における製造工程を摸式的に示した断面図であ
り、（ａ）〜（ｃ）は第１〜第３工程、（ｄ）は完成状
態を示している。

【図２】実施の形態（２）に係るセラミック配線基板の
製造工程を摸式的に示した断面図であり、（ａ）〜
（ｄ）は第１〜第４工程、（ｅ）は完成状態を示してい
る。

【図３】実施例及び比較例に係るセラミック配線基板の
残留磁化量について調査した結果を示した折れ線図であ
る。

【図４】実施例及び比較例に係るセラミック配線基板に
おける半田ぬれ性について調査した結果を示した折れ線
図である。

【図５】従来の配線層を備えたセラミック配線基板を摸
式的に示した断面図である。

【図６】従来の別の配線層を備えたセラミック配線基板
を摸式的に示した断面図である。

【図７】従来の別の配線層を備えた別のセラミック配線
基板を摸式的に示した断面図である。

【符号の説明】

１０セラミック配線基板１２配線層１４下地メッキ層３１セラミック基板３３高融点メタライズ層３５Ａｕメッキ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板と、高融点メタライズ
層、下地メッキ層、及び金メッキ層を含んで構成された
配線層とを備えたセラミック配線基板において、前記下
地メッキ層に銅−ニッケル合金が用いられていることを
特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】前記銅−ニッケル合金中のニッケル含有
率が２５〜５５％の範囲内であることを特徴とする請求
項１記載のセラミック配線基板。
【請求項３】セラミック基板上に高融点メタライズ層
を形成する工程と、該高融点メタライズ層の上に所定厚
さの銅メッキ層及びニッケルメッキ層を形成した後、５
００〜１０８３℃の加熱処理を施す工程とを含むことを
特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミック配
線基板の製造方法。