JPH11250733A - 金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方法 - Google Patents
金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方法Info
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- JPH11250733A JPH11250733A JP18720898A JP18720898A JPH11250733A JP H11250733 A JPH11250733 A JP H11250733A JP 18720898 A JP18720898 A JP 18720898A JP 18720898 A JP18720898 A JP 18720898A JP H11250733 A JPH11250733 A JP H11250733A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチックスなどの耐熱性の低い基体上に
も、導電性を有するＩｎ ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形成で
きる方法を提供する。 【手段】 インジウムアルコキシドまたはインジウム金
属塩および錫アルコキシドまたは錫金属塩を出発原料と
して得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜に対し
波長が２８０ｎｍ以下である紫外光を照射して、金属イ
ンジウムおよび／または金属錫の微粒子が分散した金属
分散ゲル膜を形成し、その金属分散ゲル膜に対し波長が
６００ｎｍ以下であるレーザ光を照射する。
も、導電性を有するＩｎ ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形成で
きる方法を提供する。 【手段】 インジウムアルコキシドまたはインジウム金
属塩および錫アルコキシドまたは錫金属塩を出発原料と
して得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜に対し
波長が２８０ｎｍ以下である紫外光を照射して、金属イ
ンジウムおよび／または金属錫の微粒子が分散した金属
分散ゲル膜を形成し、その金属分散ゲル膜に対し波長が
６００ｎｍ以下であるレーザ光を照射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラスやセラミ
ックス、さらには耐熱性に劣るプラスチックスなどの基
体の表面に酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）−酸化錫（Ｓ
ｎＯ２）（ＩＴＯ）の透明導電性薄膜を形成するための
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方法、ならびに、その
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形成するために使用される
金属分散ゲル膜およびその製造方法に関する。
ックス、さらには耐熱性に劣るプラスチックスなどの基
体の表面に酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）−酸化錫（Ｓ
ｎＯ２）（ＩＴＯ）の透明導電性薄膜を形成するための
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方法、ならびに、その
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形成するために使用される
金属分散ゲル膜およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を基板
上に形成するには、例えばジャーナル・オブ・ザ・セラ
ミック・ソサイアティ・オブ・ジャパン（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ
ｏｆ Ｊａｐａｎ）１０２〔２〕、２００−２０５（１
９９４）に記載されているように、硝酸インジウムと塩
化錫のような金属塩を原料としてＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２
ゾルを調製し、そのゾルを基板上に塗布して、基板表面
にゲル膜を形成した後、そのゲル膜を５５０℃の温度で
熱処理することにより、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゲルを結
晶化させるようにしていた。また、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ
２薄膜は、インジウムアルコキシド（Ｉｎアルコキシ
ド）および錫アルコキシド（Ｓｎアルコキシド）を出発
原料としたゾル−ゲル法によっても形成することがで
き、その場合にも、基板表面にＩｎ２Ｏ ３−ＳｎＯ２ゲ
ル膜を形成した後に、そのゲル膜を５００℃以上の温度
で加熱処理して結晶化させるようにしていた。このよう
に、従来、ゾル−ゲル法により形成されたＩｎ２Ｏ３−
ＳｎＯ２ゲル膜を結晶化させるには、高温での加熱処理
が必要であった。
上に形成するには、例えばジャーナル・オブ・ザ・セラ
ミック・ソサイアティ・オブ・ジャパン（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ
ｏｆ Ｊａｐａｎ）１０２〔２〕、２００−２０５（１
９９４）に記載されているように、硝酸インジウムと塩
化錫のような金属塩を原料としてＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２
ゾルを調製し、そのゾルを基板上に塗布して、基板表面
にゲル膜を形成した後、そのゲル膜を５５０℃の温度で
熱処理することにより、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゲルを結
晶化させるようにしていた。また、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ
２薄膜は、インジウムアルコキシド（Ｉｎアルコキシ
ド）および錫アルコキシド（Ｓｎアルコキシド）を出発
原料としたゾル−ゲル法によっても形成することがで
き、その場合にも、基板表面にＩｎ２Ｏ ３−ＳｎＯ２ゲ
ル膜を形成した後に、そのゲル膜を５００℃以上の温度
で加熱処理して結晶化させるようにしていた。このよう
に、従来、ゾル−ゲル法により形成されたＩｎ２Ｏ３−
ＳｎＯ２ゲル膜を結晶化させるには、高温での加熱処理
が必要であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ゾル−
ゲル法によってＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形成する、
といった方法では、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２を結晶化させ
て薄膜に導電性を付与するためには、従来、ゲル膜を５
００℃以上の高温で加熱処理して焼成することが必須で
あった。このため、従来の方法によっては、プラスチッ
クスなどのような耐熱性の低い基板上に、導電性を有す
るＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形成することができなか
った。
ゲル法によってＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形成する、
といった方法では、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２を結晶化させ
て薄膜に導電性を付与するためには、従来、ゲル膜を５
００℃以上の高温で加熱処理して焼成することが必須で
あった。このため、従来の方法によっては、プラスチッ
クスなどのような耐熱性の低い基板上に、導電性を有す
るＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形成することができなか
った。
【０００４】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、プラスチックスなどの耐熱性の低い
基体上にも、導電性を有するＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜
を形成することができるＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製
造方法を提供すること、ならびに、プラスチックスなど
の耐熱性の低い基体上にも、導電性を有するＩｎ２Ｏ ３
−ＳｎＯ２薄膜を形成するために使用される金属分散ゲ
ル膜を提供すること、および、そのような金属分散ゲル
膜を製造することができる金属分散ゲル膜の製造方法を
提供することを目的とする。
されたものであり、プラスチックスなどの耐熱性の低い
基体上にも、導電性を有するＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜
を形成することができるＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製
造方法を提供すること、ならびに、プラスチックスなど
の耐熱性の低い基体上にも、導電性を有するＩｎ２Ｏ ３
−ＳｎＯ２薄膜を形成するために使用される金属分散ゲ
ル膜を提供すること、および、そのような金属分散ゲル
膜を製造することができる金属分散ゲル膜の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ＩｎアルコキシドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキ
シドまたはＳｎ金属塩を出発原料として得られ、基体の
表面に薄膜状に形成されて、粒径が１００ｎｍ以下であ
る金属Ｉｎおよび／または金属Ｓｎの微粒子が分散し
て、金属分散ゲル膜を構成したことを特徴とする。
ＩｎアルコキシドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキ
シドまたはＳｎ金属塩を出発原料として得られ、基体の
表面に薄膜状に形成されて、粒径が１００ｎｍ以下であ
る金属Ｉｎおよび／または金属Ｓｎの微粒子が分散し
て、金属分散ゲル膜を構成したことを特徴とする。
【０００６】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
金属分散ゲル膜を製造する方法において、Ｉｎアルコキ
シドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキシドまたはＳ
ｎ金属塩を含む溶液から得られるゾルを基体の表面に塗
布して、基体表面にＩｎ２Ｏ ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜
を形成し、その前駆体ゲル膜に対して波長が２８０ｎｍ
以下である紫外光を照射して、金属Ｉｎおよび／または
金属Ｓｎの微粒子が分散したゲル膜を得ることを特徴と
する。
金属分散ゲル膜を製造する方法において、Ｉｎアルコキ
シドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキシドまたはＳ
ｎ金属塩を含む溶液から得られるゾルを基体の表面に塗
布して、基体表面にＩｎ２Ｏ ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜
を形成し、その前駆体ゲル膜に対して波長が２８０ｎｍ
以下である紫外光を照射して、金属Ｉｎおよび／または
金属Ｓｎの微粒子が分散したゲル膜を得ることを特徴と
する。
【０００７】ここで、請求項１に係る発明の金属分散ゲ
ル膜は、普通に考えられる方法、例えば、金属Ｉｎおよ
び／または金属Ｓｎの微粒子を予め分散させた塗布液を
基体の表面に塗布する、といった方法では得ることがで
きない。すなわち、ＩｎやＳｎは非常に軟らかいため、
それらの金属の微粒子を作製することが困難であり、従
って、Ｉｎおよび／またはＳｎの微粒子を予め分散させ
た塗布液自体を調製することができないからである。こ
れに対し、請求項２に係る発明の製造方法によると、Ｉ
ｎアルコキシドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキシ
ドまたはＳｎ金属塩を含む溶液から得られるゾルを基体
の表面に塗布して形成されたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆
体ゲル膜に対し、波長が２８０ｎｍ以下である紫外光を
照射することにより、請求項１に係る発明の金属分散ゲ
ル膜を得ることができる。金属Ｉｎや金属Ｓｎの微粒子
の形成機構については、明確には分からないが、波長が
２８０ｎｍ以下である紫外光がＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前
駆体ゲル膜へ照射されることにより、金属酸化物におけ
るＭ−Ｏ（金属−酸素）結合の開裂が進んで還元反応が
進行するためであると考えられる。そして、同時に、前
駆体ゲル膜中に残存する有機物のＯ−Ｃ（酸素−炭素）
結合も切断される。この結果として、残留有機物量が少
なく金属Ｉｎおよび／または金属Ｓｎの微粒子が分散し
たゲル膜が得られることとなる。
ル膜は、普通に考えられる方法、例えば、金属Ｉｎおよ
び／または金属Ｓｎの微粒子を予め分散させた塗布液を
基体の表面に塗布する、といった方法では得ることがで
きない。すなわち、ＩｎやＳｎは非常に軟らかいため、
それらの金属の微粒子を作製することが困難であり、従
って、Ｉｎおよび／またはＳｎの微粒子を予め分散させ
た塗布液自体を調製することができないからである。こ
れに対し、請求項２に係る発明の製造方法によると、Ｉ
ｎアルコキシドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキシ
ドまたはＳｎ金属塩を含む溶液から得られるゾルを基体
の表面に塗布して形成されたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆
体ゲル膜に対し、波長が２８０ｎｍ以下である紫外光を
照射することにより、請求項１に係る発明の金属分散ゲ
ル膜を得ることができる。金属Ｉｎや金属Ｓｎの微粒子
の形成機構については、明確には分からないが、波長が
２８０ｎｍ以下である紫外光がＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前
駆体ゲル膜へ照射されることにより、金属酸化物におけ
るＭ−Ｏ（金属−酸素）結合の開裂が進んで還元反応が
進行するためであると考えられる。そして、同時に、前
駆体ゲル膜中に残存する有機物のＯ−Ｃ（酸素−炭素）
結合も切断される。この結果として、残留有機物量が少
なく金属Ｉｎおよび／または金属Ｓｎの微粒子が分散し
たゲル膜が得られることとなる。
【０００８】請求項３に係る発明は、インジウムアルコ
キシドまたはインジウム金属塩および錫アルコキシドま
たは錫金属塩を含む溶液から得られるゾルを基体の表面
に塗布して、基体表面にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲ
ル膜を形成し、その前駆体ゲル膜に対して波長が２８０
ｎｍ以下である紫外光を照射して、金属インジウムおよ
び／または金属錫の微粒子が分散したゲル膜を得た後、
その金属分散ゲル膜に対して波長が６００ｎｍ以下であ
るレーザ光を照射して、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を得
ることを特徴とする。
キシドまたはインジウム金属塩および錫アルコキシドま
たは錫金属塩を含む溶液から得られるゾルを基体の表面
に塗布して、基体表面にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲ
ル膜を形成し、その前駆体ゲル膜に対して波長が２８０
ｎｍ以下である紫外光を照射して、金属インジウムおよ
び／または金属錫の微粒子が分散したゲル膜を得た後、
その金属分散ゲル膜に対して波長が６００ｎｍ以下であ
るレーザ光を照射して、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を得
ることを特徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明の製造方法によると、
金属Ｉｎおよび／または金属Ｓｎの微粒子が分散したゲ
ル膜が、波長が６００ｎｍ以下であるレーザ光を吸収す
ることにより、ゲル膜中のＩｎおよび／またはＳｎが再
酸化され、ゲル膜が結晶化する。ここで、通常のゲル膜
は、６００ｎｍ〜２８０ｎｍの長波長域ではレーザ光の
吸収が起こらないが、ゲル膜中に金属Ｉｎや金属Ｓｎが
生成していることにより、６００ｎｍ〜２８０ｎｍの長
波長域でもレーザ光がゲル膜に吸収され、そのエネルギ
ーによってＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２相の結晶化が進行する
ことになる。また、この場合、ゲル膜中に分散した金属
Ｉｎや金属Ｓｎの微粒子の粒径が１００ｎｍより大きい
と、ゲル膜へのレーザ光の照射後に、薄膜中に金属が残
存して、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の透過率が低下する
ことになる。したがって、透明性の高いＩｎ２Ｏ３−Ｓ
ｎＯ２薄膜を得るためには、請求項１に係る発明の金属
分散ゲル膜のように、ゲル膜中に分散した金属Ｉｎや金
属Ｓｎの微粒子の粒径は１００ｎｍ以下であることが好
ましい。このように、請求項３に係る発明の方法を実施
することにより、加熱処理を行わなくても、結晶性の透
明導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られることとな
る。
金属Ｉｎおよび／または金属Ｓｎの微粒子が分散したゲ
ル膜が、波長が６００ｎｍ以下であるレーザ光を吸収す
ることにより、ゲル膜中のＩｎおよび／またはＳｎが再
酸化され、ゲル膜が結晶化する。ここで、通常のゲル膜
は、６００ｎｍ〜２８０ｎｍの長波長域ではレーザ光の
吸収が起こらないが、ゲル膜中に金属Ｉｎや金属Ｓｎが
生成していることにより、６００ｎｍ〜２８０ｎｍの長
波長域でもレーザ光がゲル膜に吸収され、そのエネルギ
ーによってＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２相の結晶化が進行する
ことになる。また、この場合、ゲル膜中に分散した金属
Ｉｎや金属Ｓｎの微粒子の粒径が１００ｎｍより大きい
と、ゲル膜へのレーザ光の照射後に、薄膜中に金属が残
存して、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の透過率が低下する
ことになる。したがって、透明性の高いＩｎ２Ｏ３−Ｓ
ｎＯ２薄膜を得るためには、請求項１に係る発明の金属
分散ゲル膜のように、ゲル膜中に分散した金属Ｉｎや金
属Ｓｎの微粒子の粒径は１００ｎｍ以下であることが好
ましい。このように、請求項３に係る発明の方法を実施
することにより、加熱処理を行わなくても、結晶性の透
明導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られることとな
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について説明する。
について説明する。
【００１１】この発明に係るＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜
の製造方法では、まず、粒径が１００ｎｍ以下である金
属Ｉｎおよび／または金属Ｓｎの微粒子が分散したゲル
膜（以下、「Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜」という）を基体の
表面に薄膜状に形成する。Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜は、Ｉ
ｎアルコキシドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキシ
ドまたはＳｎ金属塩を主原料として得られるＩｎ２Ｏ３
−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜に、波長が２８０ｎｍ以下であ
る紫外光を照射することにより得られる。Ｉｎ ２Ｏ３−
ＳｎＯ２前駆体ゲル膜は、ＩｎアルコキシドまたはＩｎ
金属塩およびＳｎアルコキシドまたはＳｎ金属塩を含む
溶液から得られるゾルを基体の表面に塗布することによ
り、基体表面に形成される。そして、Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲ
ル膜に対し、波長が６００ｎｍ以下であるレーザ光を照
射することにより、加熱処理することなく結晶性の透明
導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られる。
の製造方法では、まず、粒径が１００ｎｍ以下である金
属Ｉｎおよび／または金属Ｓｎの微粒子が分散したゲル
膜（以下、「Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜」という）を基体の
表面に薄膜状に形成する。Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜は、Ｉ
ｎアルコキシドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキシ
ドまたはＳｎ金属塩を主原料として得られるＩｎ２Ｏ３
−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜に、波長が２８０ｎｍ以下であ
る紫外光を照射することにより得られる。Ｉｎ ２Ｏ３−
ＳｎＯ２前駆体ゲル膜は、ＩｎアルコキシドまたはＩｎ
金属塩およびＳｎアルコキシドまたはＳｎ金属塩を含む
溶液から得られるゾルを基体の表面に塗布することによ
り、基体表面に形成される。そして、Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲ
ル膜に対し、波長が６００ｎｍ以下であるレーザ光を照
射することにより、加熱処理することなく結晶性の透明
導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られる。
【００１２】Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜中に分散したＩｎお
よびＳｎの混合比率は、特に限定されないが、より低抵
抗の導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２膜を得るためには、Ｉ
ｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に対しＩｎおよびＳｎがＩｎ２Ｏ３
換算で１重量％〜２０重量％含まれることが好ましい。
また、ゲル膜中に分散したＩｎおよび／またはＳｎの粒
径は、１００ｎｍ以下であることが好ましい。ＩｎやＳ
ｎの粒径が１００ｎｍより大きいと、Ｉｎ２Ｏ３−Ｓｎ
Ｏ２の前駆体としてＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜を使用した場
合に、ゲル膜へのレーザ光の照射後において薄膜中に金
属が残存し、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の透過率が低下
することになる。
よびＳｎの混合比率は、特に限定されないが、より低抵
抗の導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２膜を得るためには、Ｉ
ｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に対しＩｎおよびＳｎがＩｎ２Ｏ３
換算で１重量％〜２０重量％含まれることが好ましい。
また、ゲル膜中に分散したＩｎおよび／またはＳｎの粒
径は、１００ｎｍ以下であることが好ましい。ＩｎやＳ
ｎの粒径が１００ｎｍより大きいと、Ｉｎ２Ｏ３−Ｓｎ
Ｏ２の前駆体としてＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜を使用した場
合に、ゲル膜へのレーザ光の照射後において薄膜中に金
属が残存し、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の透過率が低下
することになる。
【００１３】Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜を形成するための塗
布液（ゾル）の調製方法は、特に限定されないが、以下
に、代表的な調製方法を説明する。
布液（ゾル）の調製方法は、特に限定されないが、以下
に、代表的な調製方法を説明する。
【００１４】出発原料として使用されるＩｎアルコキシ
ドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキシドまたはＳｎ
金属塩は、均質な塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）
を調製することが可能であれば、その種類は特に限定さ
れないが、例えば、Ｉｎ原料としては、Ｉｎアルコキシ
ドのほか、硝酸インジウム、酢酸インジウム、塩化イン
ジウムなどの金属塩や水酸化インジウムが使用される。
Ｓｎ原料としては、Ｓｎアルコキシドのほか、硝酸錫や
塩化錫などが使用される。なお、Ｎａなどの不純物の量
が少ない原料を用いることが、高い導電性のＩｎ２Ｏ３
−ＳｎＯ２薄膜を得るためには好ましい。
ドまたはＩｎ金属塩およびＳｎアルコキシドまたはＳｎ
金属塩は、均質な塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）
を調製することが可能であれば、その種類は特に限定さ
れないが、例えば、Ｉｎ原料としては、Ｉｎアルコキシ
ドのほか、硝酸インジウム、酢酸インジウム、塩化イン
ジウムなどの金属塩や水酸化インジウムが使用される。
Ｓｎ原料としては、Ｓｎアルコキシドのほか、硝酸錫や
塩化錫などが使用される。なお、Ｎａなどの不純物の量
が少ない原料を用いることが、高い導電性のＩｎ２Ｏ３
−ＳｎＯ２薄膜を得るためには好ましい。
【００１５】出発原料として使用されるＩｎアルコキシ
ドおよびＳｎアルコキシドとしては、含有酸化物濃度、
入手の容易さなどから、それぞれアルコキシル基の炭素
数が１〜４であるものが好ましい。例えば、Ｉｎアルコ
キシドとしては、Ｉｎメトキシド、Ｉｎエトキシド、Ｉ
ｎプロポキシドおよびＩｎブトキシドが使用される。ま
た、Ｓｎアルコキシドとしては、Ｓｎメトキシド、Ｓｎ
エトキシド、ＳｎプロポキシドおよびＳｎブトキシドが
使用される。ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシド
はそれぞれ、１種類のものを使用するようにしてもよい
し、２種以上のものを組み合わせて使用するようにして
もよい。アルコキシドのうちのＩｎアルコキシドとＳｎ
アルコキシドとの含有割合は、得ようとするＩｎ２Ｏ３
−ＳｎＯ ２のうちの酸化インジウムと酸化錫との割合に
合わせ、Ｉｎアルコキシド／Ｓｎアルコキシドの混合モ
ル比を、例えば９７／３〜８０／２０の範囲とする。ま
た、Ｉｎ金属塩としては、酢酸インジウムなどの有機塩
や、塩化物、硝酸塩などの無機塩が使用されるが、酢酸
塩が特に好ましい。また、Ｓｎ金属塩についても同様で
ある。そして、アルコキシドと金属塩とを組み合わせて
使用することも可能である。
ドおよびＳｎアルコキシドとしては、含有酸化物濃度、
入手の容易さなどから、それぞれアルコキシル基の炭素
数が１〜４であるものが好ましい。例えば、Ｉｎアルコ
キシドとしては、Ｉｎメトキシド、Ｉｎエトキシド、Ｉ
ｎプロポキシドおよびＩｎブトキシドが使用される。ま
た、Ｓｎアルコキシドとしては、Ｓｎメトキシド、Ｓｎ
エトキシド、ＳｎプロポキシドおよびＳｎブトキシドが
使用される。ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシド
はそれぞれ、１種類のものを使用するようにしてもよい
し、２種以上のものを組み合わせて使用するようにして
もよい。アルコキシドのうちのＩｎアルコキシドとＳｎ
アルコキシドとの含有割合は、得ようとするＩｎ２Ｏ３
−ＳｎＯ ２のうちの酸化インジウムと酸化錫との割合に
合わせ、Ｉｎアルコキシド／Ｓｎアルコキシドの混合モ
ル比を、例えば９７／３〜８０／２０の範囲とする。ま
た、Ｉｎ金属塩としては、酢酸インジウムなどの有機塩
や、塩化物、硝酸塩などの無機塩が使用されるが、酢酸
塩が特に好ましい。また、Ｓｎ金属塩についても同様で
ある。そして、アルコキシドと金属塩とを組み合わせて
使用することも可能である。
【００１６】アルコキシドまたは金属塩を溶解させる溶
剤としては、出発原料および加水分解に用いる水が可溶
であれば、単一溶剤でも混合溶剤でもよく、特に限定さ
れず、例えば極性溶剤と非極性溶剤との組合せでも使用
可能である。水を添加する温度域での粘度や除去の容易
さから、アルコールやアミド類などが用いられる。ま
た、トルエンや炭化水素などの非極性溶剤の併用も可能
である。例えば、アルコールとしては、炭素数が１〜５
であるメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ールなどの１級アルコール、エチレングリコールやプロ
ピレンアルコールなどの２級アルコール、２−メトキシ
エタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエ
タノール、１−メトキシ−２−プロパノールなどのアル
コキシアルコキシドが用いられる。また、酸アミド類と
しては、ホルムアミドやＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）などが用いられる。そのほか、トルエンなど
の芳香族、ヘキサンやシクロヘキサンなどの炭化水素、
酢酸メチルや酢酸エチルなどのエステル類、アセトニト
リルなどが用いられる。
剤としては、出発原料および加水分解に用いる水が可溶
であれば、単一溶剤でも混合溶剤でもよく、特に限定さ
れず、例えば極性溶剤と非極性溶剤との組合せでも使用
可能である。水を添加する温度域での粘度や除去の容易
さから、アルコールやアミド類などが用いられる。ま
た、トルエンや炭化水素などの非極性溶剤の併用も可能
である。例えば、アルコールとしては、炭素数が１〜５
であるメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ールなどの１級アルコール、エチレングリコールやプロ
ピレンアルコールなどの２級アルコール、２−メトキシ
エタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエ
タノール、１−メトキシ−２−プロパノールなどのアル
コキシアルコキシドが用いられる。また、酸アミド類と
しては、ホルムアミドやＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）などが用いられる。そのほか、トルエンなど
の芳香族、ヘキサンやシクロヘキサンなどの炭化水素、
酢酸メチルや酢酸エチルなどのエステル類、アセトニト
リルなどが用いられる。
【００１７】また、塗布液（ゾル）の安定性を向上させ
るために、アルコキシドまたは金属塩を含む溶液にモノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミンなどのアルカノールアミン、アセチルアセト
ン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチルなどのβ−ジ
ケトン類などを添加するようにしてもよい。また、アル
コキシドを含む溶液の加水分解には、例えばアルコキシ
ドの０．０５モル倍〜２モル倍の水が用いられ、より好
ましくは０．５モル倍〜１．５モル倍の水が用いられ
る。この加水分解には、酸触媒および／または塩基触媒
を用いるようにしてもよく、好ましくは、塩酸などの鉱
酸や酢酸などの有機酸が用いられる。なお、金属塩を使
用する場合には、加水分解しなくてもよい。
るために、アルコキシドまたは金属塩を含む溶液にモノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミンなどのアルカノールアミン、アセチルアセト
ン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチルなどのβ−ジ
ケトン類などを添加するようにしてもよい。また、アル
コキシドを含む溶液の加水分解には、例えばアルコキシ
ドの０．０５モル倍〜２モル倍の水が用いられ、より好
ましくは０．５モル倍〜１．５モル倍の水が用いられ
る。この加水分解には、酸触媒および／または塩基触媒
を用いるようにしてもよく、好ましくは、塩酸などの鉱
酸や酢酸などの有機酸が用いられる。なお、金属塩を使
用する場合には、加水分解しなくてもよい。
【００１８】塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）が調
製されると、その塗布液を基板の表面に塗布し、それを
乾燥させて基板表面にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル
膜を形成する。塗布液の塗布方法は、特に限定されず、
通常行われるディップコート法、スピンコート法、フロ
ーコート法、スプレイコート法などが用いられる。
製されると、その塗布液を基板の表面に塗布し、それを
乾燥させて基板表面にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル
膜を形成する。塗布液の塗布方法は、特に限定されず、
通常行われるディップコート法、スピンコート法、フロ
ーコート法、スプレイコート法などが用いられる。
【００１９】Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜への光
照射には、２８０ｎｍ以下の波長の光を含む光源が用い
られる。波長が２８０ｎｍより長い光のみでは、目的と
するＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜を得ることができない。この
ため、低圧水銀ランプ、２８０ｎｍ以下の波長の紫外光
を放出可能であるエキシマランプやエキシマレーザなど
が使用される。光照射強度や照射時間は、塗布液の種
類、Ｉｎ／Ｓｎ比、前駆体ゲル膜の厚みなどにより適宜
決定されるが、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を得るために
は、照射後におけるゲル膜の透過率が２０％以上となる
ことが好ましい。また、照射後におけるゲル膜の透過率
が２０％未満となると、次の工程でＩｎ／Ｓｎ分散ゲル
膜へレーザ光を照射した後に金属が残存し、Ｉｎ２Ｏ３
−ＳｎＯ２薄膜の透過率が低下することになるため、照
射後におけるＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜の透過率は３０％〜
６０％であることがより好ましい。
照射には、２８０ｎｍ以下の波長の光を含む光源が用い
られる。波長が２８０ｎｍより長い光のみでは、目的と
するＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜を得ることができない。この
ため、低圧水銀ランプ、２８０ｎｍ以下の波長の紫外光
を放出可能であるエキシマランプやエキシマレーザなど
が使用される。光照射強度や照射時間は、塗布液の種
類、Ｉｎ／Ｓｎ比、前駆体ゲル膜の厚みなどにより適宜
決定されるが、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を得るために
は、照射後におけるゲル膜の透過率が２０％以上となる
ことが好ましい。また、照射後におけるゲル膜の透過率
が２０％未満となると、次の工程でＩｎ／Ｓｎ分散ゲル
膜へレーザ光を照射した後に金属が残存し、Ｉｎ２Ｏ３
−ＳｎＯ２薄膜の透過率が低下することになるため、照
射後におけるＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜の透過率は３０％〜
６０％であることがより好ましい。
【００２０】基板表面にＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜が形成さ
れると、そのゲル膜に対してレーザ光を照射する。この
場合の光源としては、波長が６００ｎｍ以下である光を
照射するものが使用される。波長が６００ｎｍより長い
光を基板上のＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に照射すると、基板
が加熱されることになるため、プラスチックスなどの耐
熱性に劣る基板の表面にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形
成することができなくなる。光源としては、ＡｒＦエキ
シマレーザ、ＫｒＣｌエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマ
レーザ、ＸｅＣｌエキシマレーザ、ＸｅＦエキシマレー
ザ、Ａｒレーザ（４８８ｎｍ、５１５ｎｍなど）、Ｋｒ
レーザなどの気体レーザ、ＹＡＧレーザの２倍波（５３
０ｎｍ）、３倍波（３５３ｎｍ）および４倍波（２６６
ｎｍ）などの高調波、ルビーレーザの２倍波、３倍波お
よび４倍波などの高調波などの固体レーザなどが使用さ
れる。また、これらの光源のうちの２つもしくはそれ以
上のものを組み合わせて使用することも可能である。レ
ーザ光の照射出力や照射時間（ショット数）は、ゲル膜
やレーザの種類により適宜選定される。そして、Ｉｎ／
Ｓｎ分散ゲル膜に対してレーザ光が照射されることによ
り、ゲル膜中のＩｎおよび／またはＳｎが再酸化され、
ゲル膜が結晶化して、基板の表面に結晶性の透明導電性
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が形成される。
れると、そのゲル膜に対してレーザ光を照射する。この
場合の光源としては、波長が６００ｎｍ以下である光を
照射するものが使用される。波長が６００ｎｍより長い
光を基板上のＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に照射すると、基板
が加熱されることになるため、プラスチックスなどの耐
熱性に劣る基板の表面にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を形
成することができなくなる。光源としては、ＡｒＦエキ
シマレーザ、ＫｒＣｌエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマ
レーザ、ＸｅＣｌエキシマレーザ、ＸｅＦエキシマレー
ザ、Ａｒレーザ（４８８ｎｍ、５１５ｎｍなど）、Ｋｒ
レーザなどの気体レーザ、ＹＡＧレーザの２倍波（５３
０ｎｍ）、３倍波（３５３ｎｍ）および４倍波（２６６
ｎｍ）などの高調波、ルビーレーザの２倍波、３倍波お
よび４倍波などの高調波などの固体レーザなどが使用さ
れる。また、これらの光源のうちの２つもしくはそれ以
上のものを組み合わせて使用することも可能である。レ
ーザ光の照射出力や照射時間（ショット数）は、ゲル膜
やレーザの種類により適宜選定される。そして、Ｉｎ／
Ｓｎ分散ゲル膜に対してレーザ光が照射されることによ
り、ゲル膜中のＩｎおよび／またはＳｎが再酸化され、
ゲル膜が結晶化して、基板の表面に結晶性の透明導電性
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が形成される。
【００２１】
【実施例】次に、この発明を具体的に適用した実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２２】〔実施例１−Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜の形
成〕トリ-ｔ-ブトキシインジウムとテトラ-ｓ-ブトキシ
錫とを、その混合モル比が９：１となるように２−ブタ
ノール−ＤＭＦ（１：１）混合溶剤に溶解させた後、そ
の溶液に添加したときにＩｎ２Ｏ３およびＳｎＯ２の固
形分濃度が５重量％となるように０．１Ｎ塩酸−２−ブ
タノール混合液（Ｈ2Ｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．７（モ
ル比））を調製し、その塩酸−２−ブタノール混合液を
アルコキシドの溶液に添加した。これにより、均質で透
明な塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を得た。この
得られた塗布液をスピンコータ（５００ｒｐｍ×１０秒
→２，０００ｒｐｍ×３０秒）によりシリカガラス上に
塗布した後、１００℃の温度で１時間乾燥させ、得られ
たＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜に、１１０Ｗの低
圧水銀ランプを用いて光源から３ｃｍ離れた位置で紫外
光を３時間照射した。
成〕トリ-ｔ-ブトキシインジウムとテトラ-ｓ-ブトキシ
錫とを、その混合モル比が９：１となるように２−ブタ
ノール−ＤＭＦ（１：１）混合溶剤に溶解させた後、そ
の溶液に添加したときにＩｎ２Ｏ３およびＳｎＯ２の固
形分濃度が５重量％となるように０．１Ｎ塩酸−２−ブ
タノール混合液（Ｈ2Ｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．７（モ
ル比））を調製し、その塩酸−２−ブタノール混合液を
アルコキシドの溶液に添加した。これにより、均質で透
明な塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を得た。この
得られた塗布液をスピンコータ（５００ｒｐｍ×１０秒
→２，０００ｒｐｍ×３０秒）によりシリカガラス上に
塗布した後、１００℃の温度で１時間乾燥させ、得られ
たＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜に、１１０Ｗの低
圧水銀ランプを用いて光源から３ｃｍ離れた位置で紫外
光を３時間照射した。
【００２３】紫外光の照射によりシリカガラス上のゲル
膜は黒化し、５５０ｎｍの波長の光に対するゲル膜の透
過率は３２％であった。得られたゲル膜には、図１に示
すように、薄膜Ｘ線回折により金属Ｉｎおよび金属Ｓｎ
の生成が確認された。なお、図１には、低圧水銀ランプ
による紫外光の照射時間を３時間としたものの他、照射
時間を０時間したもの（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲ
ル膜）、１時間としたもの、６時間としたものおよび１
２時間としたものも併せて示した。図１中、下から順番
に、照射時間を０時間、１時間、３時間、６時間および
１２時間としたそれぞれのゲル膜の薄膜Ｘ線回折パター
ンである。また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観
察の結果、インジウムの粒径は１０ｎｍ〜２０ｎｍであ
った。
膜は黒化し、５５０ｎｍの波長の光に対するゲル膜の透
過率は３２％であった。得られたゲル膜には、図１に示
すように、薄膜Ｘ線回折により金属Ｉｎおよび金属Ｓｎ
の生成が確認された。なお、図１には、低圧水銀ランプ
による紫外光の照射時間を３時間としたものの他、照射
時間を０時間したもの（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲ
ル膜）、１時間としたもの、６時間としたものおよび１
２時間としたものも併せて示した。図１中、下から順番
に、照射時間を０時間、１時間、３時間、６時間および
１２時間としたそれぞれのゲル膜の薄膜Ｘ線回折パター
ンである。また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観
察の結果、インジウムの粒径は１０ｎｍ〜２０ｎｍであ
った。
【００２４】〔実施例２〜実施例５−Ｉｎ２Ｏ３−Ｓｎ
Ｏ２薄膜の形成〕上記した実施例１で得られたＩｎ／Ｓ
ｎ分散ゲル膜に、各種のレーザ光を照射した。これによ
り、結晶性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られた。レ
ーザ光の照射条件と得られた結果とを表１にまとめて示
す。表１中、「比抵抗」の値は、４探針法により測定し
た（三菱化学製、ロレスタ・ＭＰ、ＭＣＰ−Ｔ３５０を
使用）シート抵抗値と膜厚とから算出し、「透過率」
は、石英基板をレファレンスとして５５０ｎｍの波長の
光で測定した。
Ｏ２薄膜の形成〕上記した実施例１で得られたＩｎ／Ｓ
ｎ分散ゲル膜に、各種のレーザ光を照射した。これによ
り、結晶性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られた。レ
ーザ光の照射条件と得られた結果とを表１にまとめて示
す。表１中、「比抵抗」の値は、４探針法により測定し
た（三菱化学製、ロレスタ・ＭＰ、ＭＣＰ−Ｔ３５０を
使用）シート抵抗値と膜厚とから算出し、「透過率」
は、石英基板をレファレンスとして５５０ｎｍの波長の
光で測定した。
【００２５】
【表１】
【００２６】また、得られたそれぞれのＩｎ２Ｏ３−Ｓ
ｎＯ２薄膜の膜厚を段差計により測定したところ、いず
れの膜厚も約１００ｎｍであった。さらに、いずれの薄
膜においても、薄膜Ｘ線回折によりＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ
２相の結晶化が確認され、導電性が発現した。実施例２
により得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の薄膜Ｘ線回
折パターンを図２に示す。
ｎＯ２薄膜の膜厚を段差計により測定したところ、いず
れの膜厚も約１００ｎｍであった。さらに、いずれの薄
膜においても、薄膜Ｘ線回折によりＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ
２相の結晶化が確認され、導電性が発現した。実施例２
により得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の薄膜Ｘ線回
折パターンを図２に示す。
【００２７】〔実施例６〕上記した実施例１において調
製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用い、
実施例１と同じ条件でＰＥＴ上にＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜
を形成した。そして、得られたＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に
ＡｒＦエキシマレーザ光を照射した。これにより、結晶
性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られ、その薄膜の比
抵抗値は、６×１０−２Ωｃｍであった。
製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用い、
実施例１と同じ条件でＰＥＴ上にＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜
を形成した。そして、得られたＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に
ＡｒＦエキシマレーザ光を照射した。これにより、結晶
性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られ、その薄膜の比
抵抗値は、６×１０−２Ωｃｍであった。
【００２８】〔比較例１〕上記した実施例１において調
製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用いて
シリカガラス上に形成された塗布膜を加熱処理により結
晶化させたところ、その結晶化には、２８０℃の温度で
１時間の焼成が必要であった。また、その条件での焼成
により得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の比抵抗値
は、５×１０ −１Ωｃｍであった。また、上記した各実
施例による場合と同レベルの比抵抗値を有するＩｎ２Ｏ
３−ＳｎＯ２薄膜を得るためには、６００℃の温度での
焼成が必要であった。
製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用いて
シリカガラス上に形成された塗布膜を加熱処理により結
晶化させたところ、その結晶化には、２８０℃の温度で
１時間の焼成が必要であった。また、その条件での焼成
により得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の比抵抗値
は、５×１０ −１Ωｃｍであった。また、上記した各実
施例による場合と同レベルの比抵抗値を有するＩｎ２Ｏ
３−ＳｎＯ２薄膜を得るためには、６００℃の温度での
焼成が必要であった。
【００２９】〔実施例７−Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜の形
成〕トリ-ｔ-ブトキシインジウムとテトラ-ｓ-ブトキシ
錫とを、その混合モル比が９：１となるように２−ブタ
ノール−ＤＭＦ（１：１）混合溶剤に溶解させ、さらに
インジウムと等モルのアセチルアセトンを添加した後、
その溶液に添加したときにＩｎ２Ｏ３およびＳｎＯ２の
固形分濃度が５重量％となるように１Ｎ塩酸−２−ブタ
ノール混合液（Ｈ２Ｏ／Ｉｎ＝０．６（モル比））を調
製し、その塩酸−２−ブタノール混合液をアルコキシド
の溶液に添加した。これにより、均質で透明な塗布液
（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を得た。この得られた塗
布液をスピンコータ（５００ｒｐｍ×５秒→２，０００
ｒｐｍ×１５秒）によりシリカガラス上に塗布した後、
１１０℃の温度で３０分間乾燥させ、これにより、割れ
の無いＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜が得られた。
得られたゲル膜に、低圧水銀ランプ（１０ｍＷ／ｃ
ｍ２）を用いて紫外光を５時間照射した。紫外光の照射
によりシリカガラス上のゲル膜は黒化した。得られたゲ
ル膜のＸ線回折パターンを図３に示す。
成〕トリ-ｔ-ブトキシインジウムとテトラ-ｓ-ブトキシ
錫とを、その混合モル比が９：１となるように２−ブタ
ノール−ＤＭＦ（１：１）混合溶剤に溶解させ、さらに
インジウムと等モルのアセチルアセトンを添加した後、
その溶液に添加したときにＩｎ２Ｏ３およびＳｎＯ２の
固形分濃度が５重量％となるように１Ｎ塩酸−２−ブタ
ノール混合液（Ｈ２Ｏ／Ｉｎ＝０．６（モル比））を調
製し、その塩酸−２−ブタノール混合液をアルコキシド
の溶液に添加した。これにより、均質で透明な塗布液
（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を得た。この得られた塗
布液をスピンコータ（５００ｒｐｍ×５秒→２，０００
ｒｐｍ×１５秒）によりシリカガラス上に塗布した後、
１１０℃の温度で３０分間乾燥させ、これにより、割れ
の無いＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜が得られた。
得られたゲル膜に、低圧水銀ランプ（１０ｍＷ／ｃ
ｍ２）を用いて紫外光を５時間照射した。紫外光の照射
によりシリカガラス上のゲル膜は黒化した。得られたゲ
ル膜のＸ線回折パターンを図３に示す。
【００３０】〔実施例８〜実施例１４−Ｉｎ２Ｏ３−Ｓ
ｎＯ２薄膜の形成〕上記した実施例７で得られたＩｎ／
Ｓｎ分散ゲル膜に、各種のレーザ光を照射した。これに
より、結晶性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られた。
レーザ光の照射条件と得られた結果とを表２にまとめて
示す。表２中、「比抵抗値」は、４探針法により測定し
た（三菱化学製、ロレスタ・ＭＰ、ＭＣＰ−Ｔ３５０を
使用）シート抵抗値と膜厚とから算出し、「透過率」
は、石英基板をレファレンスとして５５０ｎｍの波長の
光で測定した。
ｎＯ２薄膜の形成〕上記した実施例７で得られたＩｎ／
Ｓｎ分散ゲル膜に、各種のレーザ光を照射した。これに
より、結晶性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られた。
レーザ光の照射条件と得られた結果とを表２にまとめて
示す。表２中、「比抵抗値」は、４探針法により測定し
た（三菱化学製、ロレスタ・ＭＰ、ＭＣＰ−Ｔ３５０を
使用）シート抵抗値と膜厚とから算出し、「透過率」
は、石英基板をレファレンスとして５５０ｎｍの波長の
光で測定した。
【００３１】
【表２】
【００３２】〔比較例２〕上記した実施例７において調
製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用いて
シリカガラス上に形成された塗布膜を加熱処理により結
晶化させたところ、その結晶化には、３５０℃以上の温
度で１時間の焼成が必要であった。また、６００℃の温
度で塗布膜を焼成したときに最も低い比抵抗値の３．８
×１０− ２Ωｃｍとなった。
製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用いて
シリカガラス上に形成された塗布膜を加熱処理により結
晶化させたところ、その結晶化には、３５０℃以上の温
度で１時間の焼成が必要であった。また、６００℃の温
度で塗布膜を焼成したときに最も低い比抵抗値の３．８
×１０− ２Ωｃｍとなった。
【００３３】〔実施例１５−Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜の形
成〕水酸化インジウムを酢酸と無水酢酸との混合溶液中
に添加し、その溶液を２４時間還流させた後、溶液を濾
過して、酢酸インジウムを得た。得られた酢酸インジウ
ムを１−プロパノール中に分散させ、その溶液にインジ
ウムと等モルのジエタノールアミンとテトラ-ｔ-ブトキ
シ錫とを添加し、さらに、最終的な酸化物濃度が５重量
％となるように溶液を調製した後、その溶液を１時間還
流させて、透明な塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）
を得た。この得られた塗布液をスピンコータ（５００ｒ
ｐｍ×５秒→２，０００ｒｐｍ×１５秒）によりシリカ
ガラス上に塗布した後、１１０℃の温度で３０分間乾燥
させ、これにより、割れの無い塗布膜が得られた。続い
て、得られた塗布膜に低圧水銀ランプ（１０ｍＷ／ｃｍ
２）を用いて、紫外光を５時間照射した。低圧水銀ラン
プからの紫外光の照射により、上記した実施例７におけ
る場合と同様に、塗布膜中に金属インジウムが生成し、
膜は黒化した。
成〕水酸化インジウムを酢酸と無水酢酸との混合溶液中
に添加し、その溶液を２４時間還流させた後、溶液を濾
過して、酢酸インジウムを得た。得られた酢酸インジウ
ムを１−プロパノール中に分散させ、その溶液にインジ
ウムと等モルのジエタノールアミンとテトラ-ｔ-ブトキ
シ錫とを添加し、さらに、最終的な酸化物濃度が５重量
％となるように溶液を調製した後、その溶液を１時間還
流させて、透明な塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）
を得た。この得られた塗布液をスピンコータ（５００ｒ
ｐｍ×５秒→２，０００ｒｐｍ×１５秒）によりシリカ
ガラス上に塗布した後、１１０℃の温度で３０分間乾燥
させ、これにより、割れの無い塗布膜が得られた。続い
て、得られた塗布膜に低圧水銀ランプ（１０ｍＷ／ｃｍ
２）を用いて、紫外光を５時間照射した。低圧水銀ラン
プからの紫外光の照射により、上記した実施例７におけ
る場合と同様に、塗布膜中に金属インジウムが生成し、
膜は黒化した。
【００３４】〔実施例１６、実施例１７−Ｉｎ２Ｏ３−
ＳｎＯ２薄膜の形成〕上記した実施例１５で得られたＩ
ｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に、各種のレーザ光を照射した。こ
れにより、結晶性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られ
た。レーザ光の照射条件と得られた結果とを表２にまと
めて示す。
ＳｎＯ２薄膜の形成〕上記した実施例１５で得られたＩ
ｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に、各種のレーザ光を照射した。こ
れにより、結晶性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られ
た。レーザ光の照射条件と得られた結果とを表２にまと
めて示す。
【００３５】〔比較例３〕上記した実施例１５において
調製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用い
てシリカガラス上に形成された塗布膜を加熱処理により
結晶化させたところ、その結晶化には、３００℃以上の
温度で１時間の焼成が必要であった。また、６００℃の
温度で塗布膜を焼成したときに最も低い比抵抗値の８．
８×１０ −３Ωｃｍとなった。
調製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用い
てシリカガラス上に形成された塗布膜を加熱処理により
結晶化させたところ、その結晶化には、３００℃以上の
温度で１時間の焼成が必要であった。また、６００℃の
温度で塗布膜を焼成したときに最も低い比抵抗値の８．
８×１０ −３Ωｃｍとなった。
【００３６】〔実施例１８−Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜の形
成〕硝酸インジウム無水物とテトラ-ｔ-ブトキシ錫とを
２−エトキシエタノール中に添加し、その混合溶液を室
温で２０時間撹拌することにより、透明な溶液が得られ
た。得られた溶液を濾過した後、その溶液（塗布液）を
スピンコータ（５００ｒｐｍ×５秒→２，０００ｒｐｍ
×１５秒）によりシリカガラス上に塗布した後、１１０
℃の温度で３０分間乾燥させ、これにより、割れの無い
塗布膜が得られた。続いて、得られた塗布膜に低圧水銀
ランプ（１０ｍＷ／ｃｍ２）を用いて、紫外光を２０分
間照射した。低圧水銀ランプからの紫外光の照射によ
り、上記した実施例７における場合と同様に、塗布膜中
に金属インジウムが生成し、膜は黒化した。そして、本
実施例の方法では、上記した実施例１、７、１５におけ
る場合に比べて短時間の紫外光照射により、Ｉｎ／Ｓｎ
の生成による膜の黒化が達成された。
成〕硝酸インジウム無水物とテトラ-ｔ-ブトキシ錫とを
２−エトキシエタノール中に添加し、その混合溶液を室
温で２０時間撹拌することにより、透明な溶液が得られ
た。得られた溶液を濾過した後、その溶液（塗布液）を
スピンコータ（５００ｒｐｍ×５秒→２，０００ｒｐｍ
×１５秒）によりシリカガラス上に塗布した後、１１０
℃の温度で３０分間乾燥させ、これにより、割れの無い
塗布膜が得られた。続いて、得られた塗布膜に低圧水銀
ランプ（１０ｍＷ／ｃｍ２）を用いて、紫外光を２０分
間照射した。低圧水銀ランプからの紫外光の照射によ
り、上記した実施例７における場合と同様に、塗布膜中
に金属インジウムが生成し、膜は黒化した。そして、本
実施例の方法では、上記した実施例１、７、１５におけ
る場合に比べて短時間の紫外光照射により、Ｉｎ／Ｓｎ
の生成による膜の黒化が達成された。
【００３７】〔実施例１９、実施例２０−Ｉｎ２Ｏ３−
ＳｎＯ２薄膜の形成〕上記した実施例１８で得られたＩ
ｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に、各種のレーザ光を照射した。こ
れにより、結晶性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られ
た。レーザ光の照射条件と得られた結果とを表２にまと
めて示す。
ＳｎＯ２薄膜の形成〕上記した実施例１８で得られたＩ
ｎ／Ｓｎ分散ゲル膜に、各種のレーザ光を照射した。こ
れにより、結晶性のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られ
た。レーザ光の照射条件と得られた結果とを表２にまと
めて示す。
【００３８】〔比較例４〕上記した実施例１８において
調製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用い
てシリカガラス上に形成された塗布膜を加熱処理により
結晶化させたところ、その結晶化には、３００℃以上の
温度で１時間の焼成が必要であった。また、４５０℃〜
６００℃の温度での焼成により得られたＩｎ２Ｏ３−Ｓ
ｎＯ２薄膜の比抵抗値は、約８×１０−３Ωｃｍであっ
た。
調製された塗布液（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾル）を用い
てシリカガラス上に形成された塗布膜を加熱処理により
結晶化させたところ、その結晶化には、３００℃以上の
温度で１時間の焼成が必要であった。また、４５０℃〜
６００℃の温度での焼成により得られたＩｎ２Ｏ３−Ｓ
ｎＯ２薄膜の比抵抗値は、約８×１０−３Ωｃｍであっ
た。
【００３９】以上のとおり、それぞれの実施例において
得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜は、金属分散ゲル膜
に対して照射されたレーザ光の波長に関係なく、全ての
場合において明確なＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２相の結晶化が
認められ、導電性が発現した。そして、薄膜の比抵抗値
は、レーザ光の波長よりも出発原料に依存し、実施例８
〜１４においてアルコキシドを出発原料として得られた
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜では、比抵抗値が５〜８×１
０−３Ωｃｍとなったのに対し、実施例１６および実施
例１７において水酸化インジウムを出発原料として得ら
れたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜、ならびに、実施例１９
および実施例２０において硝酸インジウムを出発原料と
して得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜では、比抵抗値
が２〜４×１０−３Ωｃｍとなった。また、得られたＩ
ｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の透過率は、何れも９０％前後
であった。
得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜は、金属分散ゲル膜
に対して照射されたレーザ光の波長に関係なく、全ての
場合において明確なＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２相の結晶化が
認められ、導電性が発現した。そして、薄膜の比抵抗値
は、レーザ光の波長よりも出発原料に依存し、実施例８
〜１４においてアルコキシドを出発原料として得られた
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜では、比抵抗値が５〜８×１
０−３Ωｃｍとなったのに対し、実施例１６および実施
例１７において水酸化インジウムを出発原料として得ら
れたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜、ならびに、実施例１９
および実施例２０において硝酸インジウムを出発原料と
して得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜では、比抵抗値
が２〜４×１０−３Ωｃｍとなった。また、得られたＩ
ｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の透過率は、何れも９０％前後
であった。
【００４０】以上のように、この発明に係る方法によれ
ば、加熱処理を行わなくても結晶性のＩｎ２Ｏ３−Ｓｎ
Ｏ２薄膜を製造することが可能であり、耐熱性に劣るプ
ラスチックス基板上にも、結晶性の導電性Ｉｎ２Ｏ３−
ＳｎＯ２薄膜を形成することが可能になる。
ば、加熱処理を行わなくても結晶性のＩｎ２Ｏ３−Ｓｎ
Ｏ２薄膜を製造することが可能であり、耐熱性に劣るプ
ラスチックス基板上にも、結晶性の導電性Ｉｎ２Ｏ３−
ＳｎＯ２薄膜を形成することが可能になる。
【００４１】〔実施例２１〕上記した実施例１の操作に
従い、図４の（ａ）に部分拡大縦断面図を示すように、
シリカガラス１上にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜
２を形成した後、図４の（ｂ）に示すように、前駆体ゲ
ル膜２に紫外光３を照射し、図４の（ｃ）に示すよう
に、得られたＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜４に、パターニング
用フォトマスク５を通してＡｒＦエキシマレーザ光６を
照射した。これにより、図４の（ｄ）に示すように、レ
ーザ光６が照射された部分７だけが透明となり導電性Ｉ
ｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２がパターニングされた薄膜８が得ら
れた。さらに、薄膜８を１８０℃の温度で２４時間加熱
処理することにより、図４の（ｅ）に示すように、薄膜
８の、レーザ光が照射されていない部分９も透明となっ
た薄膜１０が得られた。但し、薄膜１０の、レーザ光が
照射されていない部分９では、導電性は発現しなかっ
た。
従い、図４の（ａ）に部分拡大縦断面図を示すように、
シリカガラス１上にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜
２を形成した後、図４の（ｂ）に示すように、前駆体ゲ
ル膜２に紫外光３を照射し、図４の（ｃ）に示すよう
に、得られたＩｎ／Ｓｎ分散ゲル膜４に、パターニング
用フォトマスク５を通してＡｒＦエキシマレーザ光６を
照射した。これにより、図４の（ｄ）に示すように、レ
ーザ光６が照射された部分７だけが透明となり導電性Ｉ
ｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２がパターニングされた薄膜８が得ら
れた。さらに、薄膜８を１８０℃の温度で２４時間加熱
処理することにより、図４の（ｅ）に示すように、薄膜
８の、レーザ光が照射されていない部分９も透明となっ
た薄膜１０が得られた。但し、薄膜１０の、レーザ光が
照射されていない部分９では、導電性は発現しなかっ
た。
【００４２】従来の一般的なＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜
の形成方法では、図５に部分拡大縦断面図を示すよう
に、シリカガラス１上に段差の有るＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ
２１１のパターニングしかできなかったが、この発明に
係る方法を応用すると、図４の（ｅ）に示したように、
段差の無いＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２のパターニングが可能
になる。また、この発明に係る方法において得られるＩ
ｎ／Ｓｎ分散ゲル膜は、ブラックマスク等としての利用
も可能である。
の形成方法では、図５に部分拡大縦断面図を示すよう
に、シリカガラス１上に段差の有るＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ
２１１のパターニングしかできなかったが、この発明に
係る方法を応用すると、図４の（ｅ）に示したように、
段差の無いＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２のパターニングが可能
になる。また、この発明に係る方法において得られるＩ
ｎ／Ｓｎ分散ゲル膜は、ブラックマスク等としての利用
も可能である。
【００４３】
【発明の効果】請求項１に係る発明の金属分散ゲル膜を
使用すると、そのゲル膜に対して波長が６００ｎｍ以下
であるレーザ光を照射することにより、加熱処理を行わ
なくても、結晶性の透明導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄
膜を得ることができ、プラスチックスなどの耐熱性の低
い基体上にも、導電性を有するＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄
膜を形成することができる。また、請求項１に係る発明
は、段差の無いＩｎ２Ｏ ３−ＳｎＯ２のパターニングへ
の応用も可能である。さらに、請求項１に係る発明の金
属分散ゲル膜は、ブラックマスク等としての利用も可能
である。
使用すると、そのゲル膜に対して波長が６００ｎｍ以下
であるレーザ光を照射することにより、加熱処理を行わ
なくても、結晶性の透明導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄
膜を得ることができ、プラスチックスなどの耐熱性の低
い基体上にも、導電性を有するＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄
膜を形成することができる。また、請求項１に係る発明
は、段差の無いＩｎ２Ｏ ３−ＳｎＯ２のパターニングへ
の応用も可能である。さらに、請求項１に係る発明の金
属分散ゲル膜は、ブラックマスク等としての利用も可能
である。
【００４４】請求項２に係る発明の製造方法によると、
普通に考えられる方法では得ることができない、請求項
１に係る発明の金属分散ゲル膜を得ることができる。
普通に考えられる方法では得ることができない、請求項
１に係る発明の金属分散ゲル膜を得ることができる。
【００４５】請求項３に係る発明の製造方法によると、
加熱処理を行わなくても、結晶性の透明導電性Ｉｎ２Ｏ
３−ＳｎＯ２薄膜を得ることができ、プラスチックスな
どの耐熱性の低い基体上にも、導電性を有するＩｎ２Ｏ
３−ＳｎＯ２薄膜を形成することができる。また、請求
項３に係る発明は、段差の無いＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の
パターニングへの応用も可能である。
加熱処理を行わなくても、結晶性の透明導電性Ｉｎ２Ｏ
３−ＳｎＯ２薄膜を得ることができ、プラスチックスな
どの耐熱性の低い基体上にも、導電性を有するＩｎ２Ｏ
３−ＳｎＯ２薄膜を形成することができる。また、請求
項３に係る発明は、段差の無いＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の
パターニングへの応用も可能である。
【図１】この発明に係る製造方法において得られたＩｎ
／Ｓｎ分散ゲル膜の薄膜Ｘ線回折パターンの変化を示す
図である。
／Ｓｎ分散ゲル膜の薄膜Ｘ線回折パターンの変化を示す
図である。
【図２】この発明に係る製造方法によって得られたＩｎ
２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の薄膜Ｘ線回折パターンを示す図
である。
２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の薄膜Ｘ線回折パターンを示す図
である。
【図３】この発明に係る製造方法によって得られた金属
分散Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜のＸ線回折パタ
ーンを示す図である。
分散Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜のＸ線回折パタ
ーンを示す図である。
【図４】この発明を応用した実施例を説明するための部
分拡大縦断面図である。
分拡大縦断面図である。
【図５】従来の一般的なＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２のパター
ニングの状態を示す部分拡大縦断面図である。
ニングの状態を示す部分拡大縦断面図である。
１ シリカガラス ２ Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜 ３ 紫外光 ４ Ｉｎ／Ｓｎ分散ゲル膜 ５ パターニング用フォトマスク ６ ＡｒＦエキシマレーザ光 ７ レーザ光の照射部分 ８ 導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２がパターニングされた
薄膜 ９ レーザ光の非照射部分 １０ パターニングされたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜
薄膜 ９ レーザ光の非照射部分 １０ パターニングされたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 インジウムアルコキシドまたはインジウ
ム金属塩および錫アルコキシドまたは錫金属塩を出発原
料として得られ、基体の表面に薄膜状に形成されて、粒
径が１００ｎｍ以下である金属インジウムおよび／また
は金属錫の微粒子が分散してなることを特徴とする金属
分散ゲル膜。 - 【請求項２】 インジウムアルコキシドまたはインジウ
ム金属塩および錫アルコキシドまたは錫金属塩を含む溶
液から得られるゾルを基体の表面に塗布して、基体表面
にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜を形成し、その前
駆体ゲル膜に対して波長が２８０ｎｍ以下である紫外光
を照射して、金属インジウムおよび／または金属錫の微
粒子が分散したゲル膜を得ることを特徴とする、金属分
散ゲル膜の製造方法。 - 【請求項３】 インジウムアルコキシドまたはインジウ
ム金属塩および錫アルコキシドまたは錫金属塩を含む溶
液から得られるゾルを基体の表面に塗布して、基体表面
にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体ゲル膜を形成し、その前
駆体ゲル膜に対して波長が２８０ｎｍ以下である紫外光
を照射して、金属インジウムおよび／または金属錫の微
粒子が分散したゲル膜を得た後、その金属分散ゲル膜に
対して波長が６００ｎｍ以下であるレーザ光を照射する
ことを特徴とする、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18720898A JP4080065B2 (ja) | 1997-12-29 | 1998-07-02 | 金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-368040 | 1997-12-24 | ||
| JP36804097 | 1997-12-29 | ||
| JP18720898A JP4080065B2 (ja) | 1997-12-29 | 1998-07-02 | 金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250733A true JPH11250733A (ja) | 1999-09-17 |
| JP4080065B2 JP4080065B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=26504212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18720898A Expired - Fee Related JP4080065B2 (ja) | 1997-12-29 | 1998-07-02 | 金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4080065B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11297138A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-10-29 | Hoya Corp | 透明導電膜の形成方法 |
| KR100374894B1 (ko) * | 2000-06-22 | 2003-03-06 | 이영춘 | 이온빔 보조 전자빔 진공증착기를 이용하여 수지계기판에투명 아이티오 도전박막을 형성하는 방법 |
| JP2010097728A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Osaka Univ | 透明導電膜の形成方法 |
| JP2022507747A (ja) * | 2018-12-28 | 2022-01-18 | セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド | 見込み生産のパターン化された透明導電層 |
| WO2023136363A1 (ja) * | 2022-01-17 | 2023-07-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 導電性部材及び該導電性部材の製造方法 |
-
1998
- 1998-07-02 JP JP18720898A patent/JP4080065B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11297138A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-10-29 | Hoya Corp | 透明導電膜の形成方法 |
| JP4503110B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2010-07-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| KR100374894B1 (ko) * | 2000-06-22 | 2003-03-06 | 이영춘 | 이온빔 보조 전자빔 진공증착기를 이용하여 수지계기판에투명 아이티오 도전박막을 형성하는 방법 |
| JP2010097728A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Osaka Univ | 透明導電膜の形成方法 |
| JP2022507747A (ja) * | 2018-12-28 | 2022-01-18 | セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド | 見込み生産のパターン化された透明導電層 |
| US11460748B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-10-04 | Sage Electrochromics, Inc. | Made-to-stock patterned transparent conductive layer |
| US12013622B2 (en) | 2018-12-28 | 2024-06-18 | Sage Electrochromics, Inc. | Made-to-stock patterned transparent conductive layer |
| WO2023136363A1 (ja) * | 2022-01-17 | 2023-07-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 導電性部材及び該導電性部材の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4080065B2 (ja) | 2008-04-23 |
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