JPH11249308A - フォトレジスト組成物を調整する方法 - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 68
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 104
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 25
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 13
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 9
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims description 7
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010533 azeotropic distillation Methods 0.000 claims description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 3
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical group CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 claims description 2
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 claims description 2
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical group CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005580 one pot reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- -1 ion compound Chemical class 0.000 description 18
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 13
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 12
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RLUCXJBHKHIDSP-UHFFFAOYSA-N propane-1,2-diol;propanoic acid Chemical compound CCC(O)=O.CC(O)CO RLUCXJBHKHIDSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- 229960003742 phenol Drugs 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 4
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000692259 Homo sapiens Phosphoprotein associated with glycosphingolipid-enriched microdomains 1 Proteins 0.000 description 3
- 102100026066 Phosphoprotein associated with glycosphingolipid-enriched microdomains 1 Human genes 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical class COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ODCCJTMPMUFERV-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC(C)(C)C ODCCJTMPMUFERV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical class C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHMVQKOXILNZQR-UHFFFAOYSA-N 1-methoxyprop-1-ene Chemical compound COC=CC QHMVQKOXILNZQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 2,5-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1 NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical class CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 3,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 3,5-xylenol Chemical compound CC1=CC(C)=CC(O)=C1 TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N DDT Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(C(Cl)(Cl)Cl)C1=CC=C(Cl)C=C1 YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Natural products OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229930005346 hydroxycinnamic acid Natural products 0.000 description 2
- 235000010359 hydroxycinnamic acids Nutrition 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002189 poly(glycerol 1-O-monomethacrylate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N tert-butoxycarbonyl anhydride Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC(=O)OC(C)(C)C DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- MGSRCZKZVOBKFT-UHFFFAOYSA-N thymol Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1O MGSRCZKZVOBKFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGSWKAQJJWESNS-ZZXKWVIFSA-N trans-4-coumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 NGSWKAQJJWESNS-ZZXKWVIFSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- DLDWUFCUUXXYTB-UHFFFAOYSA-N (2-oxo-1,2-diphenylethyl) 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OC(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=CC=CC=C1 DLDWUFCUUXXYTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAKOZHOLGAGEJT-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloro-2,2-bis(p-methoxyphenyl)-Ethane Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(C(Cl)(Cl)Cl)C1=CC=C(OC)C=C1 IAKOZHOLGAGEJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTQHJCOHNAFHRE-UHFFFAOYSA-N 1,10-dibromodecane Chemical compound BrCCCCCCCCCCBr GTQHJCOHNAFHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHRJZRDFSQHIFI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1C=C CHRJZRDFSQHIFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZUPFZNVGSWLQC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(2,3-dibromopropyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound BrCC(Br)CN1C(=O)N(CC(Br)CBr)C(=O)N(CC(Br)CBr)C1=O NZUPFZNVGSWLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZUPZGFPHUVJKC-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-methoxyethane Chemical compound COCCBr YZUPZGFPHUVJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- DXUMYHZTYVPBEZ-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical class ClC(Cl)(Cl)C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 DXUMYHZTYVPBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 2,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1 KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOWQWFMSQCOSBA-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropene Chemical compound COC(C)=C YOWQWFMSQCOSBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical group CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical group OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFKYBIIEJYEEAX-UHFFFAOYSA-N C1CC(C(CCC(C(C(C1)(Br)Br)Br)Br)Br)Br Chemical compound C1CC(C(CCC(C(C(C1)(Br)Br)Br)Br)Br)Br RFKYBIIEJYEEAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100039201 Constitutive coactivator of peroxisome proliferator-activated receptor gamma Human genes 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHJKRLASYNVKDZ-UHFFFAOYSA-N DDD Chemical compound C=1C=C(Cl)C=CC=1C(C(Cl)Cl)C1=CC=C(Cl)C=C1 AHJKRLASYNVKDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000813317 Homo sapiens Constitutive coactivator of peroxisome proliferator-activated receptor gamma Proteins 0.000 description 1
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 101000987219 Sus scrofa Pregnancy-associated glycoprotein 1 Proteins 0.000 description 1
- 239000005844 Thymol Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- VUEDNLCYHKSELL-UHFFFAOYSA-N arsonium Chemical class [AsH4+] VUEDNLCYHKSELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003935 benzaldehydes Chemical class 0.000 description 1
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzenecarboxaldehyde Natural products O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- QILSFLSDHQAZET-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanol Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C1=CC=CC=C1 QILSFLSDHQAZET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QARBMVPHQWIHKH-UHFFFAOYSA-N methanesulfonyl chloride Chemical compound CS(Cl)(=O)=O QARBMVPHQWIHKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- MCSLBZGLEIGWTI-UHFFFAOYSA-N n-[2,2,2-trichloro-1,1-bis(4-chlorophenyl)ethyl]acetamide Chemical compound C=1C=C(Cl)C=CC=1C(C(Cl)(Cl)Cl)(NC(=O)C)C1=CC=C(Cl)C=C1 MCSLBZGLEIGWTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- DCUJJWWUNKIJPH-UHFFFAOYSA-N nitrapyrin Chemical compound ClC1=CC=CC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 DCUJJWWUNKIJPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003170 phenylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical class [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005537 sulfoxonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- KUYMVWXKHQSIAS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-chloroacetate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)CCl KUYMVWXKHQSIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229960000790 thymol Drugs 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005147 toluenesulfonyl group Chemical group C=1(C(=CC=CC1)S(=O)(=O)*)C 0.000 description 1
- YBNLWIZAWPBUKQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichloromethylsulfonyl)methane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)S(=O)(=O)C(Cl)(Cl)Cl YBNLWIZAWPBUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- JLYXXMFPNIAWKQ-UHFFFAOYSA-N γ Benzene hexachloride Chemical compound ClC1C(Cl)C(Cl)C(Cl)C(Cl)C1Cl JLYXXMFPNIAWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
ォトレジストを調製する方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、種々の成分を単離すること無
く、フォトレジストを調製する方法、例えば、「ワン−
ポット」製法に関する。本発明の好ましいワンポット製
法は、選択されたフォトレジスト溶媒中でフォトレジス
ト樹脂バインダーを調製する工程、当該溶媒中から樹脂
バインダーを分離することなく、感光性成分及び他の成
分を当該樹脂バインダー混合物中に添加して、樹脂バイ
ンダーが調製された溶媒中でフォトレジスト組成物を調
製する方法を包含している。また、本発明は、フォトレ
ジスト樹脂バインダー、特に、酸不安定基又は不活性ブ
ロッキング基などの基と共有結合することができるフェ
ノール性−OH基を含有するフェノール性ポリマー、の
新規な製造方法に関する。
Description
成物の製造方法、より詳細には、他の改良されたレジス
ト製品と同様の1つのポットでの製造(one−pot
procedure)におけるフォトレジストの生成
に関する。
するために使用される感光性フィルムである。フォトレ
ジストの塗膜層を基板上に形成し、次にフォトマスクを
介してフォトレジスト層を活性化放射線源で露光する。
フォトマスクは、活性化放射線を透過しない領域及び活
性化放射線を透過する他の領域を有する。活性化放射線
で露光するとフォトレジスト塗膜が光誘起化学変化を起
こし、それによってフォトマスクのパターンがフォトレ
ジストを塗布した基板に転写される。露光の後、フォト
レジストを現像してレリーフ画像を形成すると基板の選
択的処理が可能となる。フォトレジストの用法について
は、デフォレスト著(Deforest)の「フォトレ
ジスト材料及び方法」(Photoresist Ma
terialsand Processes;McGr
aw Hill Book Company,New
york,1975)、及びモロー著(Moreau)
の「半導体リトソグラフィー、原理、実用及び材料」
(SemiconductorLithograph
y,Principles,Practices an
dMaterials;Plenum Press,N
ew york 1988)に記載がある。
るものは、他段階工程により調製されているフォトレジ
ストとその組成物である。例えば、樹脂バインダー成分
や光活性成分(photoactive compon
ent)等のフォトレジスト組成物の各成分は、別々に
調製され、単離されてから、液状コーティング組成物を
調製するために、フォトレジスト溶媒中に混ぜ合わされ
る。このように、現在の実用では、樹脂バインダー成分
を合成してから反応溶媒より単離している。単離した固
体樹脂原料を、一般的には、その後水などの非溶媒で洗
浄し、レジスト生成物を調製するためのフォトレジスト
溶媒中に溶解する前に乾燥する。このような他段階工程
は、著しい欠点を呈する。例えば、他段階工程はエンジ
ニアリングにおける重要な課題を提供している。特に、
大きいスケールのフォトレジスト製造物において製造費
用に負担が増加する。
在も、現在、問題となっている。例えば、水分(moi
sture)のような溶解性の不純物は、レジスト組成
物の製造物や包装用容器(package conta
iners)または調製タンクから、もたらされるかも
しれない。これらの不純物は、集積回路の製造にとって
ダメージを与えるなどの所望の目的には不適切なフォト
レジストを提供することになる。以上のことより、フォ
トレジスト組成物の製造にかかる新たな方法が望まれて
きた。詳細には、レジストの製造に要求される工程を減
らすような新たな製造方法が望まれてきた。さらには、
純度が高くなったフォトレジストの新たな製造方法が望
まれてきた。そこで、発明者らは新規で極めて好都合の
フォトレジスト組成物の調製方法を発見した。
い態様として、種々の成分の単離をせずにフォトレジス
トを調製する方法、例えば「ワン・ポット」の工程(o
ne−pot procedure)を提供している。
好ましくは、本発明のワン・ポット調製方法は、選ばれ
たフォトレジスト溶媒中のフォトレジスト樹脂バインダ
ーの調製、これは溶媒からの樹脂バインダーの単離をし
ない、及び、光活性成分と他の所望のフォトレジスト原
料(例えば、ネガ型レジストのための架橋剤、染料、そ
の他)を樹脂バインダーをその中で調製する溶媒中の液
状フォトレジスト組成物を提供するために溶液中の該樹
脂バインダーに加えることを含んでなる。
はフェノール性ポリマー(「樹脂バインダー前駆体(r
esin binder precursor)」)を
該樹脂バインダー前駆体の有効なフェノールのOH部位
をより機能化する化合物(「添加される化合物(add
ition compound)」)に縮合する。詳細
には、酸不安定(acid labile grou
p)または不活性なブロッキング基(inert bl
ocking group)が、ポリビニルフェノール
やノボラックのようなフェノール樹脂の懸吊(pend
ant)状OH部位に共有架橋され(covalent
ly linked)得る。好適な酸不安定基と不活性
なブロッキング基は、シンタらの米国特許第5,25
8,257号及びサッカレーらの同第5,514,52
0号にそれぞれ開示されている。さらに、製造における
時間と費用を節約することは、本発明のワン・ポット調
製方法は、多段階工程により調製された比較生成物に比
べて室温での耐用年数(shelf life)が著し
く改善されたことを示すレジスト生成物を提供する。さ
らに、本発明はレジスト樹脂バインダー、特に他の部
位、例えば上記の酸不安定基又は不活性なブロッキング
基など、に共有結合したフェノールの水酸基を含有する
フェノール性ポリマーの合成のための方法を提供する。
ダー前駆体と無水条件下、例えば1wt%以下の水、よ
り好ましくは0.8又は0.5wt%の水、または約
0.2または0.1wt%の水分(反応混合物の全重量
に基づく)、で該前駆体と反応する添加される化合物と
の反応からなるものである。該無水反応条件は上記の本
発明のワン・ポット調製方法と同様に多段階レジスト調
製工程に適用しても良い。無水反応混合物などを提供す
るため、種々のアプローチを適用できる。好ましい方法
は、溶媒中の樹脂バインダー前駆体の混合物が、添加さ
れる化合物との反応前にモレキュラーシーブで処理され
る。代わりに、該樹脂バインダー前駆体の溶液を添加さ
れる化合物との反応の前に共沸混合してもよい。
がもたらされた。詳細には、該水分除去が、該樹脂バイ
ンダーと該添加される化合物との反応の効率が実質的に
増加した。例えば、比較のための研究で、水分除去を施
さずに同じ添加される化合物と反応させた同じ樹脂バイ
ンダー前駆体に比べ、本明細書に開示の無水条件下での
添加される化合物により樹脂バインダー前駆体に50%
以上の置換が見られた。さらに、水分除去は、該樹脂バ
インダー前駆体と添加される化合物との反応の間に生成
される所望でない高分子量ポリマー原料を減少させるこ
とが見出された。これらの高分子量原料は不安定であ
り、該原料を含有するフォトレジストの貯蔵期間(sh
elf life)を短くしてしまうことがある。
ー合成の他の方法も提供する。この合成は、該樹脂バイ
ンダーを含有するフォトレジストの貯蔵期間を著しく強
化することができる。これらの方法は、イオン交換原料
を懸吊した酸不安定基又は不活性なブロッキング基を有
するフェノール樹脂バインダーに、該樹脂バインダーを
合成した後すぐに、接触させることを含む。該樹脂バイ
ンダーを酸介在縮合(acidic−mediated
condensation)により合成した際は塩基
性イオン交換原料を用い、該樹脂バインダーをアルカリ
介在縮合(alkaline−mediated co
ndensation)により合成した際は酸性イオン
交換原料を用いる。一般的には、懸吊酸不安定基又は不
活性なブロッキング基上に挿入する(graftin
g)反応が完了してすぐ、いかなる該樹脂バインダーの
単離又は他の工程にも先がけて、該イオン交換原料をフ
ェノール樹脂バインダーに接触させる。該イオン交換原
料は酸性又は塩基性の触媒残留物(catalyst
residue)を除去し、該ポリマーと該ポリマーを
含有するレジスト組成物の貯蔵期間を強化することが見
出された。このようなイオン交換原料の使用は、多段階
レジスト調製工程にも適用してもよく、あるいは、より
好ましくは、上述の本発明のワン・ポット工程にも適用
してもよい。
(resin binder precursor)」
という用語は、ここでは、フォトレジスト組成物に用い
られるポリマー樹脂バインダーを提供する付加反応の前
のオリゴマー又はポリマーを指す。例えば、該ポリマー
の水酸基上に挿入された懸吊酸不安定基又は不活性なブ
ロッキング基フォトレジスト樹脂バインダーを有するフ
ェノール性ポリマーであるフォトレジスト樹脂バインダ
ーにとっては、樹脂バインダー前駆体はフェノール性O
H基を懸吊酸不安定基又は不活性なブロッキング基でよ
り機能化する付加反応の前のフェノール性ポリマーであ
る。また、「添加される化合物(addition c
ompound)」は、ここでは、フォトレジスト組成
物に用いる樹脂バインダーを提供する樹脂バインダー前
駆体と反応する化合物を指す。例えば、フェノール樹脂
バインダー前駆体の場合では、添加される化合物は、酸
不安定基(添加される化合物は、ジ−t−ブチルカルボ
ネートまたはt−ブチルクロロアセテートのような遊離
基に酸不安定部位を含有しうる)又は不活性なブロッキ
ング基(添加される化合物は、塩化メタンスルホン酸な
どの遊離基に不活性部位を含有しうる)該前駆体に所望
の機能を提供するために該前駆体と反応する化合物であ
る。本発明の他の態様については、以下に述べる。
はワン・ポットのフォトレジスト製造のための方法を提
供している。該ワン・ポット方法は、調製されたフォト
レジスト組成物に用いるために、フォトレジスト樹脂バ
インダーを溶媒中で生成することを含む。好ましい態様
として、該樹脂バインダーは、シンタらの米国特許第
5,258,257号に開示の酸不安定基又はサッカレ
ーらの同5,514,520号に開示の不活性なブロッ
キング基のような他の部位に結合しているフェノール性
OH部位を含有するフェノール樹脂バインダーである。
好ましいフェノール樹脂にはノボラック及びポリ(ビニ
ルフェノール)樹脂が含まれる。これらのフェノール樹
脂の調製は公知である。フェノールを含有するノボラッ
ク樹脂の生成のためのアルデヒドとの縮合、特にホルム
アルデヒドとの縮合に好適なフェノールの例としては、
m−クレゾール、o−クレゾール、p−クレゾール、
2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4
−キシレノール、3,5−キシレノール、チモール、及
びこれらの混合物である。酸触媒による縮合反応は、や
く500〜100,000ダルトンの範囲の分子量の好
適なノボラック樹脂の生成をもたらす。ポリ(ビニルフ
ェノル)は、米国特許第4,439,516号のように
調製されてもよい。好ましい樹脂とその調製方法は、さ
らに、米国特許第5,128,230号にある。
対応モノマーの保護重合(block polymer
ization)、乳化重合(emulsion po
lymerization)、又は溶液重合(solu
tion polymerization)により生成
してよい。ポリビニルフェノール樹脂の製造に有用なビ
ニルフェノールは、例えば、ヒドロキシケイ皮酸をもた
らす脱炭酸に続く、市販で入手可能なクマリン(cou
marin)又は置換クマリンの加水分解により生成し
てよい。有用なビニルフェノールは、さらに、対応する
ヒドロキシアルキルフェノールの脱水により、または、
置換または非置換ベンズアルデヒドとマロン酸との反応
より生成されたヒドロキシケイ皮酸の脱炭酸により、調
製されてもよい。このようなビニルフェノールより調製
された好ましいポリビニルフェノール樹脂は、約2,0
00〜約60,000ダルトンの範囲の分子量を有す
る。
有するコポリマーも、好ましい樹脂バインダー前駆体で
あり、ノボラックまたはポリ(ビニルフェノール)樹脂
の部分的な水素添加により、好適に調製される。これら
のコポリマー及びフォトレジスト組成物におけるその使
用については、米国特許第5,128,232号に開示
されている。
ビスヒドロキシメチル化合物より生成された樹脂及び保
護ノボラック樹脂を含有する。このような樹脂とフォト
レジスト組成物における使用が開示されている米国特許
第5,130,410号及び第5,128,230号を
参照されたい。さらに、同様の又は異なる組成物の2種
以上の樹脂を混合したり、結合したりして、フォトレジ
スト組成物のリトグラフィー特性の付加的な制御を与え
ることも可能である。例えば、樹脂の混合は、露光速度
及び温度特性を調整したり、現像液中のレジストの溶解
特性を制御したりが可能である。
ールOH部位をより機能化するための好ましい酸不安定
基に、アセテート基がある。このような基を提供するた
めに、フェノール樹脂バインダー前駆体を、一般式、 L−CR1R2C(=O)−O−R3 の好適な添加される化合物で縮合してもよい。式中、L
はBrやClなどの遊離基であり、R1及びR2はそれ
ぞれ独立して、水素、ハロゲン(例えばF、Clまたは
Br)のような電子吸引基、又は置換されていてもよい
炭素原子数1〜10のアルキル基、R3は、置換されて
いてもよい炭素原子数1〜10のアルキル基、又は、フ
ェニル基またはベンジル基のようなアラルキル基などの
置換されていてもよいアリール基である。
脂バインダーの骨格に懸吊し、該樹脂の有用な水酸基上
に挿入されている基 −R1R2C(=O)−O−R3 を提供する。露光時及び/又は露光後の加熱の間これら
の基の光酸デグラデーション(photoacid d
egradation)は、該樹脂バインダーの骨格に
懸吊している酢酸エーテルの極性部位を提供する。樹脂
バインダーの骨格に懸吊している他の好ましい酸不安定
基は、下記式であるオキシカルボニル基を含有する。 C(=O)−O−R3 式中、R3は上記、及び、好ましくはt−ブチル基また
はベンジル基である。これらの基は、樹脂バインダー前
駆体と、ジ−t−ブチル−ジカルボネートのようなジ−
アルキル−ジカルボネートなどの好適な添加される化合
物との反応により、提供される。酸不安定基について
は、米国特許第5,258,257号や他の文献を参照
されたい。
ール性OH部位をより機能化する好ましい不活性なブロ
ッキング基としては、米国特許第5,514,520号
に開示されている。該特許に特定され、ここにも参照さ
れているように、不活性なブロッキング基は樹脂に懸吊
している基であり、フォトレジスト組成物の露光や焼成
により発生する酸または塩基に化学的に不活性である。
樹脂バインダーの有用な水酸基上に挿入された好ましい
不活性なブロッキング基は、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル
基などのようなアルキル基(−O−アルキル懸吊基を提
供するため);アルカノイル基(RCOO−懸吊基を提
供するため、Rは好ましくは炭素原子数1〜4のアルキ
ル基);メタンスルホニルエステル、エタンスルホニル
エステル、プロパンスルホニルエステル、ベンゼンスル
ホニルエステル、トルエンスルホニルエステルなどのス
ルホン酸エステル等を含む。これらの基は、フェノール
樹脂のような好適な樹脂バインダー前駆体上に、好適な
添加される化合物とのアルカリ性又は酸性の縮合反応に
より挿入されてよい。例えば、アルカリ性縮合の場合水
酸化ナトリウムのような好適な触媒の存在下でスルホン
酸ハロゲン化物または他の化合物と好適な遊離基及びフ
ェノール性ポリマーとの反応あがる。反応工程について
は、米国特許第5,514,520号を参照されたい。
付加原料との反応は、エチルエトキシプロピオネート
(EEP)のようなプロピオネート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)のよ
うなグリコールエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル(PMA)のようなグリコール
エーテル、またはメチルラクテートやエチルラクテート
のようなラクテートなどの選ばれた溶媒中で処理され
る。他の好適な溶媒は、他の2−メトキシエチルエーテ
ル(diglyme)、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、及
びそれに類するもの;メチルセロソルブアセテートのよ
うなセロソルブエステル;トルエン又はキシレンのよう
な芳香族炭化水素;又は、メチルエチルケトンのような
ケトン類を含む。
は、所望しない副反応や副生成物を最小限にしたり除去
する条件下で処理される。例えば、重合反応は、副生成
物の生成を促進する著しい温度変化を呈するべきではな
い。好ましくは、該反応は室温又は約40℃までのごく
わずかな温度上昇において、2〜3時間以上、行なわれ
る。さらに、好ましくは該反応は、実質的に完了までこ
のような条件で行われる。例えば、該反応は未反応の出
発原料が約5モル%以下になるまで行われるか、より好
ましくは約2モル%以下、さらに好ましくは約1または
0.5モル%になるまで行われる。
完了するよう処理させるものが用いられるべきである。
懸吊酸不安定基を提供するための酸触媒縮合の場合、シ
ュウ酸又はマロン酸のような穏やかな強さの(mode
rate strengtth)触媒が、ごくわずかな
反応温度の変化を伴う十分な反応率を与えうることが見
出された。p−トルエンスルホン酸のようなより強い触
媒は、著しい反応熱をもたらし、所望しない副生成物の
生成を引き起こす。同様に、p−ヒドロキシベンゼン酸
のようなより弱い触媒は、望ましい反応温度において不
適当な反応率を呈するため、あまり好ましくない。一般
的に、約1〜4のpKa(25℃の水中で測定)を有す
る酸性触媒が好ましいといえる。塩基触媒は、塩基触媒
縮合反応において、用いられる。水素化ナトリウム又は
水酸化ナトリウムなどの無機塩基、又は、N,N−ジメ
チルアミノピリジンのような有機塩基はフェーノールポ
リマーの有用な水酸基に懸吊酸不安定基又は不活性なブ
ロッキング基を挿入するために用いられ得る。
インダーを合成するための改良された方法を提供し、そ
れは多段階レジスト調製工程と同様に本発明のワン・ポ
ットのレジスト調製方法に用いてもよい。より詳細に
は、これらの方法は、実質的な無水条件下、好ましくは
水分が約1.0wt%以下、より好ましくは約0.5w
t%以下、での該樹脂バインダー前駆体と添加される化
合物との反応を含む。
て提供されうる。好ましい方法は、添加される化合物と
の反応前に溶液中の樹脂バインダー前駆体がモレキュラ
ーシーブで処理されることを含む。好適なモレキュラー
シーブは市販され入手可能であり、好ましくは約10オ
ングストローム以下の孔径を有する。好ましいモレキュ
ラーシーブの重量%は、約5〜10%(溶媒の重量に基
づく)で、所望の脱水効果のために樹脂バインダー前駆
体に加えられる。後述の本発明の実施例3を参照された
い。
は、実質的無水条件とするために、添加される化合物と
の反応の前に、共沸混合される。本発明のこの態様のた
めに、樹脂バインダー前駆体を溶かしている溶媒は水と
共沸混合物を生成するか、トルエン又はキシレンのよう
な芳香族溶媒等の100℃を越える沸点を有する。プロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテートが水と好適
な共沸混合を生成する。脱水蒸留が、加熱しながら、減
圧下で、例えば、約15〜70 mmHgで、好ましく
実施される。好適な温度は蒸留圧に基づいて変化し、溶
媒の沸点は約30〜60℃でよい。
されたら、該樹脂バインダーは、樹脂バインダーの合成
後すぐ、該樹脂の次の処理の前に、イオン交換物質で処
理される。ワン・ポット合成の場合は光活性成分の添加
の前に、多段階合成の場合は樹脂バインダーの単離又は
いかなる精製の前に、処理される。もし樹脂バインダー
が酸介在反応で調製されれば、塩基性イオン交換物質が
触媒の影響(trace)を除去するために用いられ
る。もし、樹脂バインダーがアルカリ介在反応で調製さ
れたら、酸性イオン交換物質が触媒の影響を除去するた
めに用いられる。好適なイオン交換物質は市販されて入
手可能で、文献にも期さされている。例えば、カーク−
オスマーの「エンサイクロペディア オブ ケミカルテ
クノロジー」第14巻(第4版)、1995年、第73
7〜783頁、特に第737〜749頁など。好適な酸
性イオン交換樹脂は、アンバーリスト15、アンバージ
ェット200H、アンバーライト IRN77、ダイア
イオン SAN1、DOWEX 50WX2、Dowe
x 50WX4、同50WX8 樹脂等のスチレン−ジ
ビニルベンゼンスルホン酸陽イオン樹脂を含む。好適な
塩基陰イオン交換樹脂は、アミン置換基を有するスチレ
ン−ジビニルベンゼン樹脂で、Dowex SBR、同
N−196、アンバーライトIRA400(OH)、
アンバーリストA260H、アンバーライトIRN−7
8樹脂バインダーなどを含む。他の好適な塩基性交換樹
脂には、アンバーライトIRA−42、同IRA−9
6、Diaion WA21J、同 WA30、Dow
ex WBR−2、同、N−283、同、66 MWA
−1、及びDuolite A378樹脂がなどがあ
る。
了後、所望のフォトレジスト組成物を提供するための、
引き続き処理、例えばイオン交換物質や光活性成分の溶
液への添加、が行われる。好ましくは、光酸発生剤が光
活性成分として用いられ、コーティング層の潜像を発生
させるために十分な量でレジスト組成物に存在すること
になる。種々の光酸発生剤は用いられる。例えば、スル
ホネート化合物は好ましいPAGsであり、より好まし
くは、スルホン化塩がある。2種の特に好ましい試薬は
下記式1及び2である。
ッパ特許出願第96118111.2号(同公開第07
83136号)に開示されているように、調製すること
ができる。つまり、PAG1はヨウ化カリウム、t−ブ
チルベンゼン及び無水酢酸のの混合物と氷冷しながら混
合物へ滴下する硫酸との反応により調製できる。反応混
合物をその後約22時間室温で撹拌し、水を加えて約5
〜10℃まで冷却し、ヘキサンで洗浄する。硫酸水素ジ
アリルヨウ素水溶液を、その後5〜10℃に冷却し、
(+/−)−10−ショウノウ−硫酸を加えて続いて水
酸化アンモニウムで中和した。上記のスルホネートPA
G2は、同様の方法で調製できるが、t−ブチルベンゼ
ンのモル当量が異なり、ベンゼンが無水酢酸とKIO3
と第1工程で一緒に反応する。
ャーナル オブ フォトポリマーサイエンス アンド
テクノロジー」(第4巻、第3,337号−340、1
991年)に報告されている。これには、ベンゾイント
シレート、t−ブチルフェニル α−(p−トルエンス
ルホニルオキシ)−アセテートが含まれる。好ましいP
AGsはさらに、米国特許第5,334,742号にも
開示されている。
ジストのための好ましい酸発生剤である。オニウム塩は
弱い求核性のアニオンで、特に好適であることが見出さ
れた。このような陰イオンの例として、2価〜7価の金
属又は非金属、例えばSb、Sn、Fe、Bi、Al、
Ga、In、Ti、Zr、Sc、D、Cr、Hf、及
び、Cu、同様に、B、P、及びAs、のハロゲン錯体
アニオンである。好適なオニウム塩の例はジアリル−ジ
アゾニウム塩及び第Va族とB、第VIa族とBとIの
オニウム塩(例えば、ハロニウム塩、第四級アンモニウ
ム塩、ホスホニウム塩及びアルソニウム塩、芳香族スル
ホニウム塩及びスルホキソニウム塩又はセレニウム塩)
が挙げられる。好適な好ましいオニウム塩の例が、米国
特許第4,442,197号、同第4,603,101
号、及び同第4,624,912号中に見られる。
ジルエステル及びs−トリアジン誘導体の系統が挙げら
れる。好適なs−トリアジン酸発生剤が、例えば米国特
許第4,189,323号に開示されている。ハロゲン
化非イオン性光酸発生化合物もまた好適である。例え
ば、1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2,2
−トリクロロエタン(DDT);1,1−ビス[p−メ
トキシフェニル]−2,2,2−トリクロロエタン;
1,2,5,6,9,10−ヘキサブロモシクロデカ
ン;1,10−ジブロモデカン;1,1−ビス[p−ク
ロロフェニル]−2,2−ジクロロエタン;4,4−ジ
クロロ−2−(トリクロロメル)ベンズヒドロール(ケ
ルセン);ヘキサクロロジメチルスルホン;2−クロロ
−6−(トリクロロメチル)ピリジン;o,o−ジエチ
ル−o−(3,5,6−トリクロロ−2−ピリジル)ホ
スホロチオネート;1,2,3,4,5,6−ヘキサク
ロロシクロヘキサン;N(1,1−ビス[p−クロロフ
ェニル]−2,2,2−トリクロロエチル)アセトアミ
ド;トリス[2,3−ジブロモプロピル]イソシアヌレ
ート;2,2−ビス[p−クロロフェニルル]−1,1
−ジクロロエチレン;トリス[トリクロロメチル]s−
トリアジン;並びにそれらの異性体、類似体、同族体残
留組成物などが挙げられる。好適な光酸発生剤はまた、
ヨーロッパ特許出願第0164248号及び同第023
2972号に開示されている。
例えば染料化合物等を、含んでもよい。他に選んだフォ
トレジスト物質には、皺発生防止剤、可塑剤、スピード
増強剤などが挙げられる。こうした補助的添加剤は、典
型的にはフォトレジスト組成物中に少量存在するが、例
外的に、充填剤及び色素は比較的高濃度、例えば、レジ
スト乾燥成分の全重量の約5〜30重量%で存在する。
調製することができる。例えば、本発明のフォトレジス
ト組成物は、好適な溶剤(例えば、乳酸エチル、グリコ
ールエーテル(例えば、2−メトキルエチルエーテル
(ジグライム)、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル)、セロソルブエステ
ル、メチルエチルケトン、3−エトキシプロピオン酸エ
チルなど)にフォトレジスト成分を溶解させることによ
って調製できる。典型的には、組成物の固体含有量は、
フォトレジスト組成物の全重量の約5〜35重量%であ
る。樹脂バインダー及びPAG成分は、フィルム塗膜層
並びに質の良い潜像及びレリーフ画像を形成するのに十
分な量で存在させる必要がある。
る前に濾過してもよいし、またはレジスト樹脂バインダ
ーの溶液をレジストを生成する間光活性成分または他の
添加物を添加する前に濾過してもよい。
順に従って使用される。本発明の液体塗布組成物は、ス
ピン塗布、ディップ塗布、ローラ塗布、又は他の従来の
塗布技術により基板上に塗布される。スピン塗布する場
合は、利用する特定のスピン塗布装置、溶液の粘度、ス
ピン塗布機の速度、及びスピン塗布に要する時間に基づ
いて塗布液の固体含有量を調節することにより、所望の
フィルム厚が得られる。
トの塗布を含む工程で従来から使用されてきた基板上に
好適に塗布される。例えば、該組成物は、マイクロプロ
セッサ用及び他の集積回路コンポーネント用のシリコン
ウェーハ又は二酸化珪素ウェーハ上に塗布してもよい。
酸化アルミニウム、砒化ガリウム、セラミック、石英、
又は銅の基板を利用してもよい。液晶ディスプレイ用及
び他のフラットパネルディスプレイ用に使用される基板
(例えば、ガラス基板、酸化スズインジウムをコーティ
ングした基板など)もまた、好適に利用される。フォト
レジストを表面へ塗布した後、好ましくはフォトレジス
ト塗膜の粘着性がなくなるまで加熱乾燥し、溶剤を除去
する。その次に、従来の方法によってマスクを介して画
像を形成させる。フォトレジスト系の光活性成分を効果
的に活性化するのに十分な量の露光を行って、レジスト
塗膜層にパターン化された画像を形成させる。より具体
的には、露光エネルギーは、露光装置及びフォトレジス
ト組成物の成分によって変わるが、典型的には約1〜3
00mJ/cm2の範囲である。
を約70℃〜約160℃の範囲の温度でベーキングす
る。その次に、フィルムを現像する。露光されたレジス
トフィルムは極性現像剤、好ましくは水性現像剤を用い
てポジ型に機能させる。水性現像剤としては、例えば、
無機アルカリ(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、珪酸ナトリ
ウム、メタ珪酸ナトリウム)、第四級水酸化アンモニウ
ム溶液(例えば、水酸化テトラアルキルアンモニウム溶
液)、種々のアミン溶液(例えば、エチルアミン、n−
プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルア
ミン、トリエチルアミン、又はメチルジエチルアミ
ン)、アルコールアミン(例えば、ジエタノールアミン
又はトリエタノールアミン)、環状アミン(例えば、ピ
ロール、ピリジン)などが挙げられる。一般的には、当
該技術分野で認められた手順に従って現像を行う。
により組み入れられている。以下の非限定的実施例は本
発明を説明するものである。
kgを加える。これに、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル12kgを加え、ポリマーが完全に溶解する
ように終夜撹拌した。この溶液に酸触媒としてマロン酸
2.4kgを加え、この混合物をさらに30分間撹拌し
た。この時点で、メトキシプロペン1113.2gを加
え、混合物をさらに2日間撹拌した。このじてんで、サ
ンプルを取り出し酸化アルミニウムで反応を停止させ
て、当該サンプルをNMRにかけて、反応が完了してい
ることを確認した。反応が完了していることが確認でき
たら、反応混合物中に酸化アルミニウムを添加して反応
を停止させる。得られた反応混合物に適当な感光性化合
物を添加することにより、樹脂バインダー成分を分離す
ること無く、目的のフォトレジスト組成物を調製するこ
とができる。
403g、45.03モル)、及び、プロピレングリコ
ールモノメチル酢酸エステル(PMA)20kgを加
え、ポリマーが完全に溶解するまで、3〜5時間撹拌し
た。この混合物に、炭酸ジ−tert−ブチルエステル
(1890g、8.668モル)のPMA1890g溶
液を加え、次いで、N,N−ジメチルアミノピリジン
0.214gのPMA800g溶液を加えた。反応混合
物から50gのサンプルを取り出し、溶解速度を測定す
ると共に、炭酸ジ−tert−ブチルエステルの消費を
赤外線スペクトルで追跡して、反応をモニターした。目
的のフォトレジスト組成物を調製するのに必要なポリマ
ー溶液を、当該ポリマーを単離すること無く、直接調製
することができた。このポリマー溶液に光活性成分及び
他のレジスト成分を添加することにより、目的のフォト
レジスト組成物を調製することができる。
の除去) 反応容器にプロピレングリコールモノメチル酢酸エステ
ル(PMA)150g、及び、水素化ポリ(ビニルフェ
ノール)(マルゼンPHM−Cグレイド)50g(0.
417モル)を加え、撹拌した。ポリマーが溶解した
後、4オングストロームのモレキュラーシーブ10gを
加え、1時間撹拌した。このモレキュラーシーブを濾別
した後、マロン酸30mgを加え、完全に溶解するまで
撹拌した(約30分を要した。)。次いで、この混合物
にメトキシプロペン12.01g(0.167モル)を
一度に加えた。室温で18時間撹拌し、PMA中の塩基
性イオン交換樹脂ビーズ(ローム&ハス社製、A26−
OH)4gを加え、さらに3時間撹拌した。このビーズ
を0.2μのフィルターを用いて濾別し、室温でこの溶
液を貯蔵した。ポリマーの置換度は、30%であった。
対照として、乾燥剤を使用せずに調製されたものの置換
度は20%であった。
00)(52.33g、0.436モル)のプロピレン
グリコールモノメチルエーテル酢酸エステル(PGM
A)165gの溶液をフラスコに取り、これに減圧蒸留
装置を取り付けた。ポリマー溶液を乾燥させるために、
減圧下で、(共沸蒸留による)PGMA/水溶液の除去
を行った。フラスコを冷却し、エチルビニルエーテル
7.85g(0.109モル)のPGMA溶液を滴下し
た後、100mgのトリフルオロ酢酸を添加し、16時
間撹拌した。反応の終了時に、18gの塩基性アルミナ
を添加し、2時間撹拌した後、1μのパンケーキフィル
ターで濾過した。1H−NMRによる測定結果によると
24%の1−エトキシ−1−エチル部分が含有されてい
た。この値は理論値25%(原料添加量による)に極め
て近い値である。
(PMA)150g、及び、水素化ポリ(ビニルフェノ
ール)(マルゼンPHM−Cグレイド)50g(0.4
17モル)を加え、撹拌した。ポリマーが溶解した後、
マロン酸30mgを加え、完全に溶解するまで撹拌した
(約30分を要した。)。次いで、この混合物に2−メ
トキシプロペン12.01g(0.167モル)を一度
に加えた。室温で18時間撹拌し、PMA中の塩基性イ
オン交換樹脂ビーズ(ローム&ハス社製、A26−O
H)4gを加え、さらに3時間撹拌した。このビーズを
0.2μのフィルターを用いて濾別し、室温でこの溶液
を貯蔵した。室温で10日後においても、ポリマーを含
有するフォトレジストにおいて、溶解速度に何等の変化
も観察されなかった。一方、対照として、イオン交換樹
脂を用いずに同様な方法で調製されたポリマーを樹脂バ
インダーとして含有するフォトレジストは、レジストを
調製してから10日後には溶解速度が10倍になった。
って、特許請求の範囲で説明される発明の意図や範囲か
ら逸脱することなく、変更と修正が可能であることを理
解されたい。
法
Claims (17)
- 【請求項1】 (a)選択されたフォトレジスト溶媒中
でフォトレジスト樹脂バインダーを調製する工程、
(b)当該溶媒中から樹脂バインダーを分離することな
く、光活性成分を当該樹脂バインダー混合物中に添加し
て溶媒中でフォトレジスト組成物を調製する工程、から
なるフォトレジスト組成物の調製方法。 - 【請求項2】 樹脂バインダーが、酸不安定基が懸垂さ
れているフェノール性ポリマーである請求項1に記載の
方法。 - 【請求項3】 樹脂バインダーが、不活性なブロッキン
グ基が懸垂されているフェノール性ポリマーである請求
項1に記載の方法。 - 【請求項4】 前記工程(a)が、ポリマーの水酸基と
共有結合を形成することができる化合物と、ポリマーと
の反応を包含している請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】 溶媒中の樹脂バインダー前駆体の混合物
が、添加される化合物との反応前には実質的に無水の状
態で処理される請求項1に記載の方法。 - 【請求項6】 溶媒中の樹脂バインダー前駆体の混合物
が、添加される化合物との反応前には水分含有量が約1
重量%又はそれ以下である請求項1に記載の方法。 - 【請求項7】 溶媒中の樹脂バインダー前駆体の混合物
が、添加される化合物との反応前にモレキュラーシーブ
で処理される請求項5に記載の方法。 - 【請求項8】 溶媒中の樹脂バインダー前駆体の混合物
が、添加される化合物との反応前に共沸蒸留で処理され
る請求項5に記載の方法。 - 【請求項9】 樹脂バインダー前駆体と、添加される化
合物とが酸触媒の存在下に反応させられ、当該反応の後
に塩基性イオン交換樹脂が樹脂バインダー中に添加され
る請求項1に記載の方法。 - 【請求項10】 樹脂バインダー前駆体と、添加される
化合物とが塩基触媒の存在下に反応させられ、当該反応
の後に酸性イオン交換樹脂が樹脂バインダー中に添加さ
れる請求項1に記載の方法。 - 【請求項11】 溶媒が、プロピオネート、グリコール
エーテル又はラクテートである請求項1に記載の方法。 - 【請求項12】 溶媒が、エチルエトキシプロピオネー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル酢酸エステル、乳酸
メチル又は乳酸エチルである請求項1に記載の方法。 - 【請求項13】 (a)樹脂バインダー前駆体と溶媒と
の混合物を実質的に無水の状態で処理する工程、(b)
溶媒中の樹脂バインダー前駆体と、添加される化合物と
を反応させて、フォトレジスト樹脂バインダーを調製す
る工程、及び、(c)当該樹脂バインダーに、光活性成
分を混合してフォトレジスト組成物を調製する工程、か
らなるフォトレジスト組成物の調製方法。 - 【請求項14】 樹脂バインダーが、酸不安定基又は不
活性なブロッキング基が懸垂されているフェノール性ポ
リマーである請求項13に記載の方法。 - 【請求項15】 溶媒と樹脂バインダー前駆体との混合
物が、添加される化合物との反応前には水分含有量が約
1重量%又はそれ以下である請求項13に記載の方法。 - 【請求項16】 溶媒と樹脂バインダー前駆体との混合
物が、添加される化合物との反応前にモレキュラーシー
ブで処理される請求項13に記載の方法。 - 【請求項17】 溶媒と樹脂バインダー前駆体との混合
物が、添加される化合物との反応前に共沸蒸留で処理さ
れる請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US961112 | 1992-10-14 | ||
US08/961,112 US5919597A (en) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | Methods for preparing photoresist compositions |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008202035A Division JP4531829B2 (ja) | 1997-10-30 | 2008-08-05 | フォトレジスト組成物を調製する方法 |
JP2008202040A Division JP4354511B2 (ja) | 1997-10-30 | 2008-08-05 | フォトレジスト組成物を調製する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11249308A true JPH11249308A (ja) | 1999-09-17 |
JP4242490B2 JP4242490B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=25504074
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34775098A Expired - Lifetime JP4242490B2 (ja) | 1997-10-30 | 1998-10-30 | フォトレジスト組成物を調整する方法 |
JP2008202035A Expired - Lifetime JP4531829B2 (ja) | 1997-10-30 | 2008-08-05 | フォトレジスト組成物を調製する方法 |
JP2008202040A Expired - Lifetime JP4354511B2 (ja) | 1997-10-30 | 2008-08-05 | フォトレジスト組成物を調製する方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008202035A Expired - Lifetime JP4531829B2 (ja) | 1997-10-30 | 2008-08-05 | フォトレジスト組成物を調製する方法 |
JP2008202040A Expired - Lifetime JP4354511B2 (ja) | 1997-10-30 | 2008-08-05 | フォトレジスト組成物を調製する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5919597A (ja) |
JP (3) | JP4242490B2 (ja) |
KR (1) | KR100601737B1 (ja) |
TW (1) | TW588224B (ja) |
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- 1997-10-30 US US08/961,112 patent/US5919597A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-26 TW TW087117681A patent/TW588224B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-30 JP JP34775098A patent/JP4242490B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-30 KR KR1019980046022A patent/KR100601737B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-08-05 JP JP2008202035A patent/JP4531829B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2008-08-05 JP JP2008202040A patent/JP4354511B2/ja not_active Expired - Lifetime
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---|---|
JP2008276264A (ja) | 2008-11-13 |
JP4531829B2 (ja) | 2010-08-25 |
KR19990037508A (ko) | 1999-05-25 |
JP4354511B2 (ja) | 2009-10-28 |
JP4242490B2 (ja) | 2009-03-25 |
TW588224B (en) | 2004-05-21 |
US5919597A (en) | 1999-07-06 |
JP2008276265A (ja) | 2008-11-13 |
KR100601737B1 (ko) | 2006-12-01 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
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R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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