JPH11243062A - プラズマcvd方法及びプラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd方法及びプラズマcvd装置Info
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Abstract
極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速
度で安定に形成し、効率よく半導体デバイスを形成する
プラズマCVD方法及びプラズマCVD装置を提供する
ことを目的としている。 【解決手段】減圧可能な反応容器、該反応容器内に配さ
れた基体保持手段、該反応容器内にプラズマCVDの原
料ガスを供給する原料ガス供給手段、高周波電源によっ
て発振周波数が30〜600MHzの範囲にある高周波
電力をプラズマ発生用高周波電極に供給する高周波電力
供給手段、該反応容器内の反応後のガスを排気する排気
手段とを有し、該高周波電源で発生させた高周波電力を
該プラズマ発生用高周波電極に供給し、該基体保持手段
により保持される基体と該プラズマ発生用高周波電極と
の間にプラズマを発生させて基体に堆積膜を形成する高
周波プラズマCVD装置において、前記プラズマ発生用
高周波電極に、該電極の給電点の反対側の部分で反射電
力の位相を調整するものである。
Description
電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサ
ー、フラットパネルディスプレイ、撮像デバイス、光起
電力デバイス等の製造に用いられ得る、高周波を用いた
プラズマCVD方法及びプラズマCVD装置に関するも
のである。
においては、プラズマCVD装置及びプラズマCVD法
が工業的に実用化されている。特に13.56MHzの
高周波を用いたプラズマCVD装置は基板材料、堆積膜
材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理できるので広く
用いられている。従来のプラズマ発生用高周波電極及び
該高周波電極を用いたプラズマCVD装置及びプラズマ
CVD法の一例として、平行平板型の装置について図9
を参照しながら説明する。反応容器101に絶縁性の高
周波電極支持台102を介して高周波電極103が配置
されている。高周波電極103は、対向電極105と平
行に配された平板であり、この電極間の静電容量で決ま
る電界によりプラズマを発生させる。プラズマが発生す
ると、実質的に導電体であるプラズマと、プラズマと両
電極や反応容器壁との間の等価的に主にコンデンサとし
て働くシースが電極間に発生してプラズマ発生前とは大
きくインピーダンスが異なる場合が多い。高周波電極1
03の回りには、高周波電極103の側部と反応容器1
01との間で放電が発生しないようにアースシールド1
04が配置されている。高周波電極103には整合回路
109と高周波電力供給線110を介して高周波電源1
11が接続されている。高周波電極と平行に配された対
向電極105にはプラズマCVDを行うための平板状の
被成膜基体106が配置され、被処理基体106は、基
体温度制御手段(図示せず)により所望する温度に保た
れる。
は以下のように行われる。反応容器101を真空排気手
段107によって高真空まで排気した後、ガス供給手段
108によって反応ガスを反応容器101内に導入し、
所定の圧力に維持する。高周波電源111より高周波電
力を高周波電極103に供給して高周波電極と対向電極
との間にプラズマを発生させる。こうすることにより、
反応ガスがプラズマにより分解、励起され被成膜基体1
06上に堆積膜を形成する。高周波電力としては、1
3.56MHzの高周波電力を用いるのが一般的であ
る。放電周波数が13.56MHzの場合、放電条件の
制御が比較的容易であり、得られる膜の膜質が優れてい
るといった利点を有するが、ガスの利用効率が低く、堆
積膜の形成速度が比較的小さい。
0MHz程度の高周波を用いたプラズマCVD法につい
ての検討がなされている。例えばPlasma Che
mistry and Plasma Process
ing Vol 7,No3,(1987)p267−
273(以下、「文献1」という。)には、平行平板型
のグロー放電分解装置を使用して原料ガス(シランガ
ス)を周波数25〜150MHzの高周波電力で分解し
てアモルファスシリコン(a−Si)膜を形成すること
が記載されている。具体的には、文献1には、周波数を
25MHz〜150MHzの範囲で変化させてa−Si
膜の形成を行い、70MHzを使用した場合、膜堆積速
度が、2.1nm/secと最も大きくなり、これは上
述の13.56MHzを用いたプラズマCVD法の場合
の5〜8倍程度の形成速度であること、及び得られるa
−Si膜の欠陥密度、光バンドギャップ及び導電率は、
励起周波数によってはあまり影響を受けないことが記載
されている。
処理するのに適したプラズマCVD装置の例が示されて
いる。大型の生産規模の被成膜基体(たとえば円筒状
の)の表面上に堆積膜を形成するのに適したプラズマC
VD装置の一例としては、たとえば米国特許第5540
781号明細書(以下、「文献2」という。)に記載さ
れている。この文献2には、周波数60MHz〜300
MHzの所謂VHF帯の高周波を用いたプラズマCVD
法及びプラズマCVD装置が開示されている。文献2に
示されるようなVHFプラズマCVD装置を図面を参照
しながら説明する。図10に示すプラズマCVD装置
は、文献2に記載されているVHFプラズマCVD装置
である。図10において、200は反応容器を示す。反
応容器200は、ベースプレート201と、絶縁部材2
02A、カソード電極203C、絶縁部材221B、カ
ソード電極203B、絶縁部材221A、カソード電極
203A、絶縁部材202B、及び上蓋215を有す
る。205Aは基体ホルダーであり、該基体ホルダーは
内部にヒーター支柱205A’を有している。205
A”は、ヒーター支柱205A’に取り付けられた基体
加熱用ヒーターである。206は基体ホルダー205A
上に配設された円筒状の被成膜基体である。205Bは
円筒状の被成膜基体206の補助保持部材である。基体
ホルダー205Aは、その底部にモーターに連結した回
転機構(図示せず)を備えていて、必要により回転でき
るようにされている。207は、排気バルブを備えた排
気パイプであり、該排気パイプは、真空ポンプを備えた
排気機構207’に連通している。208は、ガスボン
ベ、マスフローコントローラー、バルブ等で構成された
原料ガス供給系である。原料ガス供給系208は、ガス
供給パイプ217を介して複数のガス放出孔を備えたガ
ス放出パイプ216と接続している。原料ガスはガス放
出パイプ216の複数のガス放出孔を介して反応容器内
に供給される。211は高周波電源であり、ここで発生
した高周波電力は高周波電力供給線218及び整合回路
209を介してカソード電極203に供給される。図1
0に示したプラズマCVD装置においては、カソード電
極が円筒状の被成膜基体の軸方向に203A、203
B、203Cの3つに電気的に分割されて構成されてい
る。高周波電源211で発生した高周波電力は、高周波
電力分割手段220により3分割され、整合回路209
A、209B、209Cを介して、カソード電極203
A、203B、203Cに供給される。
を用いたプラズマCVD法についても記述されている。
即ち、図10において、円筒状の被成膜基体206を基
体ホルダー205Aにセットした後、反応容器200内
を排気機構207’を作動させて排気し、反応容器内を
所定の圧力に減圧する。ついで、ヒーター205A”に
通電して基体206を所望の温度に加熱保持する。次
に、原料ガス供給系208からガス供給パイプ217及
びガス放出パイプ216を介して、原料ガスを反応容器
200内に導入し、該反応容器内を所望の圧力に調整す
る。こうしたところで、高周波電源211により周波数
60MHz乃至300MHzの範囲の高周波を発生さ
せ、高周波電力を高周波電力分配器220で分割し、整
合回路209A、209B、209Cを介して、それぞ
れカソード電極203A、203B、203Cに供給す
る。かくして円筒状の被成膜基体206とカソード電極
に囲まれた空間において、原料ガスは高周波エネルギー
により分解され活性種を生起し、円筒状の被成膜基体2
06上に堆積膜を形成する。文献2においては、上述の
ような60MHz乃至300MHzの範囲の波長の高周
波電力を用いたプラズマCVD装置において、円筒状カ
ソード電極を分割することにより、VHF領域の高周波
プラズマCVDでの利点である高い膜堆積速度を維持し
たまま大面積の円筒状の被成膜基体上に均一性の高い膜
堆積を達成できるとされている。
に記載の平行平板型装置での周波数25〜150MHz
の高周波電力による成膜は実験室規模のものであり、大
面積の膜の形成においてこうした効果が期待できるか否
かについて全く触れるところはない。一般に、励起周波
数が高くなるにしたがって、高周波電極上の定在波の影
響が顕著になり、特に平板電極では2次元の複雑な定在
波が生じてくる。この為、大面積の膜を均一に形成する
ことが困難になることが予想される。従来例の文献2に
記載のプラズマCVD法及びプラズマCVD装置におい
ては、円筒状の大面積の堆積膜の形成において、高堆積
速度且つ高均一性での堆積膜の形成が期待できるが、円
筒状の被成膜基体の径が大きくなると、ひとつのカソー
ド電極に複数の給電点が必要になり煩雑になってくるこ
と、及び平板状基体への対応が困難であるといったこと
が予想される。
課題を解決し、任意形状の大面積の基体上に膜厚が極め
て均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で
安定に形成し、効率よく半導体デバイスを形成し得る高
周波を用いるプラズマCVD方法及びプラズマCVD装
置を提供することにある。
成するため、プラズマCVD方法及びプラズマCVD装
置を、つぎのように構成したことを特徴とするものであ
る。すなわち、本発明のプラズマCVD装置は、減圧可
能な反応容器、該反応容器内に配された基体保持手段、
該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原
料ガス供給手段、高周波電源によって発振周波数が30
〜600MHzの範囲にある高周波電力をプラズマ発生
用高周波電極に供給する高周波電力供給手段、該反応容
器内の反応後のガスを排気する排気手段とを有し、該高
周波電源で発生させた高周波電力を該プラズマ発生用高
周波電極に供給し、該基体保持手段により保持される基
体と該プラズマ発生用高周波電極との間にプラズマを発
生させて基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD装置
において、前記プラズマ発生用高周波電極には、該プラ
ズマ発生用高周波電極へ該高周波電力を供給するための
給電点の反対側の先端部分に反射電力の位相を調整する
位相調整回路が接続されていることを特徴としている。
また、本発明のプラズマCVD装置は、前記位相調整回
路が、LC回路により構成されていることを特徴として
いる。また、本発明のプラズマCVD装置は、前記プラ
ズマ発生用高周波電極には、該電極の給電側に補助整合
回路が配され、該補助整合回路によって前記プラズマ発
生用高周波電極の数よりも少ない数の高周波電源から分
岐して、各々の高周波電極に供給される高周波電力を制
御するように構成されていることを特徴としている。ま
た、本発明のプラズマCVD装置は、前記補助整合回路
が、LC回路で構成されていることを特徴としている。
また、本発明のプラズマCVD装置は、前記高周波電源
の発振周波数は、60〜300MHzの範囲にあること
を特徴としている。また、本発明のプラズマCVD装置
は、前記プラズマ発生用高周波電極とプラズマ発生空間
との間には、誘電体部材が配されていることを特徴とし
ている。また、本発明のプラズマCVD装置は、前記プ
ラズマ発生用高周波電極は、複数のプラズマ発生用高周
波電極からなり、該複数のプラズマ発生用高周波電極
が、少なくとも一部が誘電体部材からなる反応容器外
に、該反応容器を取り囲むように配列されていることを
特徴としている。また、本発明のプラズマCVD装置
は、前記プラズマ発生用高周波電極を、複数有し、該複
数のプラズマ発生用高周波電極が、反応容器内に、配置
される被成膜基体を取り囲むように配列されていること
を特徴としている。また、本発明のプラズマCVD装置
は、前記プラズマ発生用高周波電極を、複数有し、該複
数のプラズマ発生用高周波電極が、反応容器の反応容器
内若しくは反応容器外に、配置される被成膜基体を取り
囲むように配列されていることを特徴としている。ま
た、本発明のプラズマCVD装置は、前記被成膜基体を
回転するための回転機構を有することを特徴としてい
る。また、本発明のプラズマCVD装置は、前記基体が
平板状基体であり、配される平板状基体に対して平行に
なるよう複数の前記プラズマ発生用高周波電極が配列さ
れていることを特徴としている。また、本発明のプラズ
マCVD装置は、前記基体が成膜時に保持ロールより送
り出され、巻き取りロールにより巻き取られるシート状
基体であり、供給されるシート状基体に対して平行に複
数の前記プラズマ発生用高周波電極が配列されているこ
とを特徴としている。また、本発明のプラズマCVD装
置は、前記プラズマ発生用高周波電極は棒状もしくは板
状の導電性部材を有することを特徴としている。また、
本発明のプラズマCVD装置は、前記プラズマ発生用高
周波電極を複数有し、該位相調整回路は夫々のプラズマ
発生用高周波電極に対して設けられていることを特徴と
している。また、本発明のプラズマCVD装置は、更に
アースに直接接続されたプラズマ発生用高周波電極を有
することを特徴としている。
圧下の反応容器内に成膜用の原料ガスを供給し、前記原
料ガスを30MHz〜600MHzの範囲の周波数の高
周波電力によりプラズマ化して分解し、反応容器内に配
された基体表面上に堆積膜を形成するプラズマCVD方
法において、前記高周波電力によってプラズマを生成す
るために、複数の棒状若しくは板状の導電性のプラズマ
発生用高周波電極を用い、該高周波電極の給電点の反対
側の部分において反射電力の位相を調整して、プラズマ
を生成することを特徴としている。また、本発明のプラ
ズマCVD方法は、前記高周波電力は、60MHz〜3
00MHzの範囲であることを特徴としている。また、
本発明のプラズマCVD方法は、前記反応容器内に配さ
れた基体は、円筒状基体で構成され、該円筒状基体の周
囲に複数の前記プラズマ発生用高周波電極をその中心軸
が実質的に同一円周上に立設するように配列し、該円筒
状基体と該複数の前記プラズマ発生用高周波電極との間
にプラズマを発生させて円筒状基体の表面上に堆積膜を
形成することを特徴としている。また、本発明のプラズ
マCVD方法は、前記反応容器は一部が誘電体部材から
なり、前記複数のプラズマ発生用高周波電極が、前記一
部が誘電体部材からなる反応容器外に配列されているこ
とを特徴としている。また、本発明のプラズマCVD方
法は、前記複数のプラズマ発生用高周波電極は、反応容
器内に配列され、それぞれの電極が誘電体部材によりカ
バーされていることを特徴としている。また、本発明の
プラズマCVD方法は、前記基体が円筒状基体であり、
前記反応容器内に同一円周上に配された複数の円筒状基
体の周囲に、複数の前記プラズマ発生用高周波電極をそ
の中心軸が実質的に同一円周上に立設するように配列
し、円筒状基体と複数の前記プラズマ発生用高周波電極
との間にプラズマを発生させて円筒状基体の表面上に堆
積膜を形成することを特徴としている。また、本発明の
プラズマCVD方法は、前記基体を回転させながら円筒
状基体の表面上に堆積膜を形成することを特徴としてい
る。また、本発明のプラズマCVD方法は、前記基体が
平板状基体であり、平板状基体に対して平行に前記複数
のプラズマ発生用高周波電極を配列し、前記プラズマ発
生用高周波電極と平板状基体との間にプラズマを発生さ
せて平板状基体の表面上に堆積膜を形成することを特徴
としている。また、本発明のプラズマCVD方法は、前
記基体が成膜時に保持ロールより送り出され、巻き取り
ロールにより巻き取られるシート状基体であり、シート
状基体に対して平行に前記複数のプラズマ発生用高周波
電極を配列し、高周波電極とシート状基体との間にプラ
ズマを発生させてシート状基体の表面上に堆積膜を形成
することを特徴としている。また、本発明のプラズマC
VD方法は、前記堆積膜は、シリコン、ゲルマニウム、
カーボン又はそのいずれかの合金であることを特徴とし
ている。また、本発明のプラズマCVD方法は、前記堆
積膜は、電子写真感光体用のものであることを特徴とし
ている。また、本発明のプラズマCVD方法は、前記堆
積膜は、太陽電池用のものであることを特徴としてい
る。また、本発明のプラズマCVD方法は、前記堆積膜
は、薄膜トランジスタ用のものであることを特徴として
いる。また、本発明のプラズマCVD方法は、前記複数
の高周波電極の少なくとも隣り合う高周波電極の反射波
の位相が異なるように調整されることを特徴としてい
る。
電極の給電点の反対側における反射電力の位相を調整
し、前述した本発明の課題を達成するようにしたもので
あるが、それは、本発明者らのつぎのような検討結果に
基づくものである。本発明者らは鋭意検討を行った結
果、高周波電力の周波数を30MHz以上にすると、気
相での重合反応が起こりにくい高真空領域での放電が可
能となり、非常に優れた膜特性を得ることができ、堆積
速度も13.56MHzの場合に比べて向上するが、ま
だ高真空領域での放電の安定性に問題があったり膜質と
堆積速度の分布は悪化する知見を得た。そこで、本発明
者らは、高周波電力の周波数を30MHz以上にすると
偏在的に膜質の悪化や堆積速度の低下が発生する原因を
解明すべく鋭意検討を行った。その結果、プラズマ電位
と偏在的な膜質悪化に強い相関があり、プラズマ中の電
子密度と堆積速度にも強い相関があることが判明した。
即ち、円筒状の被成膜基体の軸方向に亘ってラングミュ
アプローブ法によりプラズマ電位を測定したところ、偏
在的に膜質が悪化する位置に対応する箇所においてプラ
ズマ電位の低下が見られた。
度分布の悪化は、高周波電極上に発生する定在波および
高周波電極上での高周波電力の減衰に起因するものと推
察された。一般に高周波電極と対向電極間に高周波電力
を印加することによってプラズマを生成する場合、電極
に印加した高周波電力の周波数と電極の大きさとの関係
から電極上に無視できない定在波が発生する場合があ
る。即ち、高周波電力の周波数が高くなる場合や高周波
電極の面積が大きくなる場合に定在波が発生し易くな
り、この定在波が大きいと、高周波電極内での電界分布
が悪くなり、電極間のプラズマ密度、プラズマ電位、電
子温度などのプラズマ分布が乱れ、プラズマCVDの成
膜品質に悪影響を及ぼす。上述した実験においては、高
周波電極の先端で高周波電極上に反射波が発生し、入射
波との干渉により30MHz以上の周波数において膜
質、堆積速度に影響を与える定在波が発生したものと考
えられる。特に、定在波の節の位置では電界が弱くな
り、偏在的なプラズマ電位の低下を引き起こして偏在的
に膜質が低化したものと考えられる。
するに至ったものである。以下、図面を参照しながら本
発明を説明する。まず、本発明の高周波プラズマCVD
装置に用いるプラズマ発生用高周波電極について図1
(A)及び図1(B)を用いて説明する。説明を単純化
する為に、プラズマ発生用高周波電極3は、円柱形の棒
状のものを用いて、その周りに円柱状の誘電体部材4を
設置した。誘電体の周囲にプラズマ(図示せず)が発生
するど内部導体がプラズマ発生用高周波電極3、外部導
体がプラズマ、誘電体部材4が伝送媒体となる同軸導波
管となる。プラズマ発生用高周波電極の長さは、同軸導
波管内での使用する高周波の周波数での同軸導波管内の
波長λの1/2とする。高周波電源11で発生した高周
波電力は、負荷に効率よく高周波電力を供給するように
整合回路10を介して2分割して、それぞれさらに補助
整合回路2を介して各々の高周波電極3の個体差による
整合条件の違いに対応して、各々の高周波電極3に供給
される。左側の高周波電極3の先端の位相調整回路1を
開放端にして、右側の高周波電極3の先端の位相調整回
路1の先端を閉端にした場合に発生する定在波の電界エ
ネルギー分布も図1(A)に示している(たて軸は電極
位置、横軸は電界エネルギー(任意単位))。プラズマ
発生用高周波電極からプラズマに供給するエネルギー
が、高周波の電界エネルギーに比例するとすれば、プラ
ズマの均一性は1つの高周波電極を用いるよりも、図1
(A)及び図1(B)に示した2つの高周波電極を用い
た方が、Z方向のプラズマの均一性は飛躍的に良くな
る。実際には、プラズマは理想的な同軸の外部導体では
なくかなりの高周波電力の吸収体であり、またプラズマ
の拡散等も考慮する必要があり、適度な位相調整により
均一なプラズマの形成が可能であり、また状況に応じて
プラズマ発生用高周波電極の数を増やして適宜位相調整
する方法も有効である。位相の調整を行う位相調整回路
は所謂LC回路が適用でき、簡単にはコンデンサを介し
てアースに接続するようにしてもよい。プラズマのイン
ピーダンス変化が大きい場合には、図1(B)に示して
いる位相調整回路のように、可変コンデンサや可変コイ
ルを用いたほうが良い。図1(A)及び図1(B)に示
した位相調整回路は可変の直列LC回路になっている
が、並列LC回路も適用可能である。また、位相調整回
路のインピーダンスの値によっては各々の高周波電極に
投入される電力量に偏りが生じる場合がある。この場
合、プラズマの不均一を引き起こすことがあり、その場
合には、補助整合回路2のインピーダンスを調整するこ
とにより、各々の高周波電極に投入される電力量の比を
調整することが可能となる。この補助整合回路もLC回
路が適用できる。プロセスによりプラズマのインピーダ
ンスの変化が小さい場合は、位相調整回路、補助整合回
路共に固定のLC回路を用いても問題はない。本発明の
プラズマ発生用高周波電極は、使用する高周波電力の周
波数が30〜600MHzの範囲にあることがより好ま
しい。
電極を用いたプラズマCVD装置及びプラズマCVD法
においては、以上に述べたように均一なプラズマを形成
できるプラズマ発生用高周波電極を用いている為、極め
て均一性の良い膜質及び膜厚の堆積膜を形成できる。以
下に詳しく説明する。図2及び図3に示したプラズマC
VD装置は本発明のプラズマCVD装置の好適な一例を
示すものである。尚、図3は図2のX−X’断面図であ
る。図2及び図3において、12は反応容器を示す。反
応容器12内には、1個の基体ホルダー6Aが反応容器
中心に置かれている。5は基体ホルダー6A上に配され
た成膜用の円筒状の被成膜基体である。それぞれの基体
ホルダー6Aの内部にはヒーター7が設けられていて円
筒状の被成膜基体5を内側より加熱できるようにされて
いる。また、それぞれの基体ホルダー6Aは、モーター
(図示せず)に連結したシャフト(図示せず)に接続し
ており、回転できるようにされている。
ルダーである。3はプラズマ生起領域の中心に位置した
高周波電力投入用の高周波電極である。高周波電力は、
高周波電源11で発生し、整合回路10を介して分割さ
れ、補助整合回路2を介して高周波電極3の一端に供給
される。高周波電極3は、反応容器12の一部を構成し
ている誘電体部材4を介して放電空間と隔離されてお
り、給電点と反対側の先端に位相調整回路1を介して接
地されている。ガスの排気は、排気バルブを備えた排気
パイプを介して、真空ポンプを備えた真空排気手段9に
よって行われる。8は、ガスボンベ、マスフローコント
ローラ、バルブ等で構成された原料ガス供給系であり、
ガス供給パイプを介して複数のガス放出孔を備えたガス
放出パイプに接続される。
は以下のように行われる。反応容器12を排気機構9に
よって高真空まで排気した後、ガス供給手段8からガス
供給パイプ及びガス放出パイプを介して原料ガスを反応
容器12内に導入し、所定の圧力に維持する。こうした
ところで、高周波電源11より高周波電力を整合回路1
0を介して分割した後補助整合回路2を介して、高周波
電極3に供給して高周波電極と円筒状の被成膜基体5と
の間にプラズマを発生させる。こうすることにより、原
料ガスがプラズマにより分解、励起され円筒状の被成膜
基体5上に堆積膜が形成される。
誘電体材料は任意の公知のものを選択できるが、誘電損
の小さい材料が好ましく、誘電正接が0.01以下であ
るものが好ましく、より好ましくは0.001以下がよ
い。高分子誘電体材料ではポリ四フッ化エチレン、ポリ
三フッ化塩化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピレ
ン、ポリイミドなどが好ましく、ガラス材料では、石英
ガラス、ホウケイ酸ガラスなどが好ましく、磁器材料で
は窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化アルミニウム、など
や酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素な
どの元素酸化物の中の単数または複数の元素酸化物を主
成分とする磁器が好ましい。
柱状、円筒状、多角柱状などの棒状のもの、長板状のも
のが好ましい。本発明において、高周波電源11の周波
数は好ましくは30〜600MHz、更に好適には60
〜300MHzの範囲とするのが望ましい。本発明にお
いて、装置構成は図4及び図5に示すように、円筒状の
被成膜基体5の周囲の反応容器12内に貫通した複数の
高周波電極3を配置したものでもよい。すなわち、図4
及び図5に示される装置においては、被成膜基体5の周
囲に高周波電力導入手段として誘電体部材4で覆われた
高周波電極3が配されている。本例では4つの高周波電
力導入手段が等間隔で配されている。ガス放出パイプ1
4は、それら高周波電力導入手段の間に配されている。
また、本発明において、装置構成は、図6に示すよう
に、複数の円筒状の被成膜基体5を、同一円周上に配列
したものでも良い。
心に誘電体部材4で覆われた高周波電極3と該反応容器
12を構成する誘電体部材4の外側、すなわち反応容器
12の外側周囲に高周波電極3を有する。被成膜基体5
は反応容器12の中心に設けられた高周波電極3を取り
囲むように配されており、ガス放出パイプ14は被成膜
基体5の間に位置するように配置されている。反応容器
12の外側の高周波電極3はまた被成膜基体5の間、図
では隣接する被成膜基体5に等距離の位置に配される。
外側の高周波電極3の周囲をアースシールド13が取り
囲み、高周波の外部への漏洩を防止している。本発明に
おいて、装置構成は図7に示すように平板状の被成膜基
体5に対して平行に複数の高周波電極3を配置したもの
でもよい。こうすることにより、大面積平板状の被成膜
基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質
な堆積膜を高速度で形成することができる。本発明にお
いて、装置構成は図8に示すように成膜時に保持ロール
15より送り出され、巻き取りロール16に巻き取られ
るシート状の被成膜基体5に対して平行に複数の高周波
電極3を配置したものでもよい。こうすることにより、
大面積のシート状基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質
膜質である高品質な堆積膜を高速度で形成することがで
きる。
際して、使用するガスについては、形成する堆積膜の種
類に応じて公知の成膜に寄与する原料ガスを適宜選択使
用される。例えば、a−Si系の堆積膜を形成する場合
であれば、シラン、ジシラン、高ジシラン等あるいはそ
れらの混合ガスが好ましい原料ガスとして挙げらる。他
の堆積膜を形成する場合であれば、例えば、ゲルマン、
メタン、エチレン等の原料ガスまたはそれらの混合ガス
が挙げられる。いずれの場合にあっても、成膜用の原料
ガスはキャリアーガスと共に反応容器内に導入すること
ができる。キャリアーガスとしては、水素ガス、及びア
ルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスを挙げること
ができる。
性改善用ガスを使用することもできる。そうしたガスと
しては、例えば、窒素、アンモニア等の窒素原子を含む
ガス、酸素、酸化窒素、酸化二窒素等の酸素原子を含む
ガス、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパ
ン等の炭化水素ガス、四フッ化珪素、六フッ化二珪素、
四フッ化ゲルマニウム等のガス状フッ素化合物またはこ
れらの混合ガス等が挙げられる。形成される堆積膜をド
ーピングするについてドーパントガスを使用することも
できる。そうしたドーピングガスとしては、例えば、ガ
ス状のジボラン、フッ化ホウ素、ホスフィン、フッ化リ
ン等が挙げられる。堆積膜形成時の基体温度は、適宜設
定できるが、アモルファスシリコン系の堆積膜を形成す
る場合には、好ましくは60℃〜400℃、より好まし
くは100℃〜350℃とするのが望ましい。
極の反射波の位相が異なるように調整することは好まし
い。特に隣接する高周波電極の周辺の電界エネルギー分
布の強弱を補うように調整することが望ましい。また、
本発明において、プラズマ発生用高周波電極には、該電
極の給電側に補助整合回路が配され、該補助整合回路に
よって前記プラズマ発生用高周波電極の数よりも少ない
数の高周波電源から分岐して、各々の高周波電極に供給
される高周波電力を制御するように構成してもよい。こ
の場合、補助整合回路は、LC回路で構成することがで
きる。なお、プラズマ発生用高周波電極とプラズマ発生
空間との間には、誘電体部材が配されていることは好ま
しい。また、プラズマ発生用高周波電極を、複数有し、
該複数のプラズマ発生用高周波電極が、被成膜基体が配
された、少なくとも一部が誘電体部材からなる反応容器
外に、該反応容器を取り囲むように実質的に同一円周上
に立設するように配列してもよい。また、プラズマ発生
用高周波電極を、複数有し、該複数のプラズマ発生用高
周波電極が、被成膜基体が配された反応容器内に、該被
成膜基体を取り囲むように実質的に同一円周上に立設す
るように配列してもよい。また、プラズマ発生用高周波
電極を、複数有し、該複数のプラズマ発生用高周波電極
が、複数の被成膜基体が配された反応容器の反応容器内
若しくは反応容器外に、該複数の被成膜基体を取り囲む
ように実質的に同一円周上に立設するように配列するこ
とは好ましい。また、被成膜基体が、回転機構によって
回転可能に構成することは望ましい。この場合、被成膜
基体は円筒形状とするのが望ましい。
本発明はこれらによって限定されるものではない。 [実施例1]本実施例に使用したプラズマCVD装置の
模式図を図2に示す。図3は、図2のX−X’で示した
位置での断面図である。高周波電源11として周波数1
3.56MHz〜650MHzの範囲の周波数を有する
電力を出力することができる電源を使用した。高周波電
極3は、円柱状のものを用い、反応容器12外に配置し
ており、アルミナセラミックス製の誘電体部材4を介し
て放電空間と隔離されている。高周波電極は、その一端
を高周波電力の給電点とし反対側の一端に位相調整回路
1を介して接地した構成のものである。位相調整回路1
はアースとのリアクタンスを調整可能なものを用いた。
本実施例では、4つの位相調整回路1のうち対向する1
組の高周波電極3については反応容器12の内部で高周
波電極3を直接アースに短絡し、残りの対向する1組は
アースに接続せずに位相調整回路1内の浮遊容量のみの
ほぼ開放端とした。
mm、厚さ5mmのAl製円筒状の被成膜基体を反応容
器12内に設置して基体は回転させながら成膜実験を行
った。高周波電極3には、Al製の直径20mm、長さ
450mm、の円柱状のものを用いた。膜質の評価用と
して、電気特性評を価用するためのCr製の250μm
ギャップの櫛形電極を蒸着したコーニング#7059ガ
ラス基板を電気特性評価基板として円筒状被成膜基体表
面上の軸方向の長さ358mmに亘って設置し、以下の
手順で実験を行った。まず反応容器12内を排気機構9
を作動して排気し、反応容器12内を1×10-6Tor
rの圧力に調整した。ついで、基板加熱ヒーター7に通
電して円筒状の被成膜基体5を250℃の温度に加熱保
持した。ついで以下の手順で成膜を行った。即ち、原料
ガス供給手段8からガス放出パイプ14を介して、Si
H4ガスを500sccmの流量で反応容器12内に導
入し、該反応容器内を10mTorrの圧力に調整し
た。こうしたところで、高周波電源11により周波数1
3.56MHz乃至650MHzの高周波を1KW発生
させ、該高周波を整合回路10を介して4つに分割し、
補助整合回路2を介して均等に高周波電極3に供給し
た。ここで高周波電源11としては上述した範囲の周波
数が与えられるよう、所定の高周波電源を用いた。整合
回路10は、当該高周波電源の周波数に応じて適宜調整
した。かくして円筒状の被成膜基体5上及び前記の電気
特性評価基板上にアモルファスシリコン膜が形成され
た。
リコン膜の膜質および膜質分布、並びに堆積速度および
堆積速度分布を以下の方法で評価した。膜質及び膜質分
布は電気特性評価基板の上端から下端までに亘って約2
0mmおきの18箇所の位置で明/暗導電率比((光導
電率σp)/(暗音導電率σd))を測定することによ
り評価した。ここでは、光導電率σpは、1mW/cm
2の強度のHe−Neレーザー(波長632.8nm)
の照射時の導電率により評価している。本発明者らのこ
れまでの電子写真感光体作製からの知見によると、上記
の方法による明/暗導電率比が103以上の品質の堆積
膜を得られる条件を基に最適化して作製した電子写真感
光体において実用に値する画像が得られる。しかし、近
年の画像の高コントラスト化を考えると、上述の明/暗
導電率比が104以上のものが好ましくなってきてお
り、更に近い将来105以上の明/暗導電率比が求めら
れることが予想される。このような観点から、今回の実
験では明/暗導電率比の値を下記の基準で評価した。 ◎:明/暗導電率比が105以上であり、非常に優れた
膜特性である。 ○:明/暗導電率比が104以上であり、良好な膜特性
である。 △:明/暗導電率比が103以上であり、実用上問題な
し。 ×:明/暗導電率比が103未満であり、実用に適さな
い場合がある。
Si膜を形成した円筒状の被成膜基体の軸方向に亘って
上述した明/暗導電率比の測定位置と同様に約20mm
おきの18箇所について渦電流式膜厚計(Kett科学
研究所製)を使用して膜厚を測定することにより評価し
た。堆積速度は18箇所における膜厚に基づいて算出
し、得られた値の平均値を平均堆積速度とした。堆積速
度分布の評価は次のようにして行った。即ち、軸方向の
堆積速度分布については、軸方向18箇所における堆積
速度の最大値と最小値との差を求め、該差を18箇所の
平均堆積速度で割り、堆積速度分布{(最大値−最小
値)/平均値}を求め、これを軸方向の堆積速度分布と
して百分率で表した。成膜した試料の明/暗導電率比、
平均堆積速度及び堆積速度分布の評価結果を表1に示
す。
しなかった為評価できなかった。30MHzの周波数を
持つ高周波電力により成膜したものは、全ての試料にお
いて明/暗導電率比が1×104〜3×104の範囲にあ
り良好な膜特性(〇)であった。平均堆積速度は2.0
nm/sであり堆積速度分布は3%であった。60MH
z〜300MHzの周波数を持つ高周波電力により成膜
したものは全ての試料において明/暗導電率比が1×1
05〜5×105であり非常に優れた膜特性(◎)であっ
た(表1)。平均堆積速度は4.0〜7.1nm/sで
あり、堆積速度分布は4〜5%であった。400MHz
〜600MHzの周波数を持つ高周波電力による試料に
おいては、明/暗導電率比が5×104〜8×104であ
り良好な膜特性(〇)であった(表1)。平均堆積速度
は2.0〜2.8nm/sであり、堆積速度分布は6〜
7%であった。650MHzの場合は、放電が不安定に
なり堆積膜の形成はできなかった。以上のように本実施
例においては、30MHz乃至600MHzの放電周波
数条件で、明/暗導電率比、平均堆積速度分布共に良好
なアモルファスシリコン膜が得られており、60MHz
乃至300MHzにおいては特に優れたアモルファスシ
リコン膜が得られた。
べての位相調整回路(1)をはずして、全てのカソード
電極(3)の先端を開放端にしたものについても検討を
行い、実施例1と同様の評価を行った。評価結果を表2
に示す。表1の実施例1の結果に比べて、全ての放電周
波数で、明/暗導電率比の落ち込みや堆積速度分布の不
均一性が大きい。
で明/暗導電率比105以上の値が得られた条件、即
ち、電源周波数60MHz、100MHz、200MH
z、300MHzの各々の条件で、電子写真感光体を作
製した。尚、位相調整回路1は実施例1で用いたものと
同様のものを用いた。高周波電極3の給電点と反対側は
実施例1と同様に調整した。電子写真感光体は、表3に
示す成膜条件でAl製の円筒状の被成膜基体上に、電荷
注入阻止層、光導電層及び表面保護層をこの順序で形成
した。各々の電源周波数の条件で得られた試料につい
て、帯電能、画像濃度、画像欠陥について評価した。そ
の結果、いずれの電子写真感光体もこれらの評価項目に
ついて電子写真感光体全面に亘って非常に優れた結果を
示した。このことからいずれの電子写真感光体も電子写
真特性に優れたものであることが判った。
08mm、長さ358mm、厚さ5mmのAl製円筒状
の被成膜基体5を反応容器12内に配置して成膜を行っ
た。高周波電極3は実施例1と同様のものを反応容器内
に入れ、円筒形の誘電体部材4によりカバーしたものを
用いた。図5に示すように4本の高周波電極を反応容器
に配置した。高周波電源の周波数は100MHzのもの
を用い、実施例1と同様の成膜条件で円筒状の被成膜基
体上にアモルファスシリコン膜を形成し、実施例1と同
様の手順で明/暗導電率比、堆積速度及び堆積速度分布
の評価を行った。高周波電極3の給電点と反対側は実施
例1と同様に設定した。その結果、明/暗導電率は全て
の位置で1×105〜3×105であり、平均堆積速度は
6.7nm/s、堆積速度分布は4%となり、均一で優
れた特性のアモルファスシリコン膜が得られた。
構成で、電子写真感光体を作製した。
示す成膜条件でAl製の円筒状の被成膜基体上に、電荷
注入阻止層、光導電層及び表面保護層をこの順序で形成
した。得られた試料について、帯電能、画像濃度、画像
欠陥について評価した。その結果、いずれの電子写真感
光体もこれらの評価項目について電子写真感光体全面に
亘って非常に優れた結果を示した。このことからいずれ
の電子写真感光体も電子写真特性に優れたものであるこ
とが判った。
径108mm、長さ358mm、厚さ5mmの6本のA
l製円筒状の被成膜基体5を反応容器12内に配置して
成膜を行った。高周波電極3の構成は実施例1と同様の
ものを、図6に示すように7本の高周波電極3のうち6
本を反応容器12外に配置し、1本を反応容器内の中央
に配置した。反応容器12の一部は誘電体部材4により
構成されており、反応容器外の高周波電極からの高周波
電力を反応容器内に供給できるようになっている。反応
容器中央に挿入した高周波電極3は誘電体部材6により
被覆されている。中央の高周波電極に接続している位相
調整回路(図示せず)はアースに短絡して、周囲の6本
の高周波電極3に接続した位相調整回路(図示せず)
は、内部で20pFの静電容量を持つコンデンサを介し
てアースに接続されている。コンデンサはセラミックコ
ンデンサ、真空コンデンサ等の任意のものが使用でき
る。高周波電源の周波数は100MHzのものを用い
た。成膜条件は、高周波電力4(kW)、SiH4流量
1500(cc)、成膜圧力10(mTorr)、基体
温度250(℃)として、6本の円筒状の被成膜基体上
にアモルファスシリコン膜を形成し、実施例1と同様の
手順で明/暗導電率比、堆積速度及び堆積速度分布の評
価を行った。
×105〜3×105であり、平均堆積速度は6.2nm
/s、堆積速度分布は5%となり、均一で優れた特性の
アモルファスシリコン膜が得られた。
構成で、電子写真感光体を作製した。電子写真感光体
は、表4に示す成膜条件で6本のAl製の円筒状の被成
膜基体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面保護層
をこの順序で形成した。得られた試料について、帯電
能、画像濃度、画像欠陥について評価した。その結果、
いずれの電子写真感光体もこれらの評価項目について電
子写真感光体全面に亘って非常に優れた結果を示した。
このことからいずれの電子写真感光体も電子写真特性に
優れたものであることが判った。
横500mm、厚さ1mmのガラス製の平板状の被成膜
基体5を反応容器に配置して成膜を行った。図7に示す
ように4本の高周波電極3を配置した。高周波電極の一
端は補助整合回路2を介してまとめられた後、整合回路
10を介して200MHzの発信周波数をもつ高周波電
源11に繋げられている。高周波電極の他端は、位相調
整回路1により反射電力の位相を調整するが、今回は4
つの位相調整回路を開放端、短絡端、開放端、短絡端の
順に設定した。高周波電力4kW、SiH4流量100
0sccm、成膜圧力10mTorr、基体温度250
℃の成膜条件で平板状基体上にアモルファスシリコン膜
を形成し、以下の手順で堆積速度及び堆速度分布を評価
した。アモルファスシリコン膜を形成した平板状基体縦
方向に約30mmおきに線を引き、横方向にも約30m
mおきに線を引いた場合の交点256箇所について実施
例1と同様に膜厚を測定し各測定箇所における堆積速度
を算出し、得られた値の平均値を平均堆積速度とした。
得られた平均堆積速度は7.4nm/sであった。堆積
速度分布は、測定点256箇所における堆積速度の最大
値と最小値との差を求め、該差を平均堆積速度で割り堆
積速度分布として100分率で表した。得られた堆積速
度分布は7%であった。明/暗導電率比も同様に評価し
て、全測定点において、1×105〜3×105であり、
均一で優れた特性のアモルファスシリコン膜が得られ
た。
500mm、厚さ0.1mmのステンレス製のシート状
の基体5を反応容器に配置して、保持ロール15から送
り出し、巻き取りロール16に巻き取りながら成膜を行
った。高周波電極の構成はAl製の断面が40mm×1
0mm角で長さ600mmの長板状の高周波電極3に、
厚み5mmのアルミナセラミックス製の誘電体部材4を
覆ったものを用い、2本の板状の高周波電極を反応容器
に配置した。高周波電源の周波数は300MHzのもの
を用い、高周波電力2kW、SiH4流量750cc、
成膜圧力10mTorr、基体温度250℃の成膜条件
でシート状基体上にアモルファスシリコン膜を形成し
た。又、高周波電極3の一端に接続された位相調整用回
路は開放端、短絡端と設定し、反射電力の位相を調整し
た。長さ500mmのシート状基体を切り出して実施例
6と同様の手順で明/暗導電率比、堆積速度及び堆速度
分布を評価した。明/暗導電率比は全測定点で1×10
5〜3×105、平均堆積速度は4.5nm/s、堆積速
度分布は5%であり、優れた特性のアモルファスシリコ
ン膜を均一に形成することができた。
用高周波電極の給電点の反対側の先端部分に反射電力の
位相を調整する位相調整回路を接続するように構成する
ことにより、種々の形状の大面積基体、即ち、円筒状の
被成膜基体、平板状基体、シート状基体などに膜厚が極
めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度
で形成できる。したがって、本発明によれば大面積高品
質の半導体デバイスを効率的に作製することができ、特
に、電子写真特性に優れた大面積堆積膜を安定して量産
することが可能となる。尚、給電点の反対側に接続され
た位相調整回路による位相の調整は開放、短絡に限定さ
れない。リアクタンスなどの調整によって適宜所望の状
態に設定し、定在波を制御するようにしても良い。
高周波電極への給電と位相調整回路の接続例を説明する
ための概略的構成図である。
適な一例を説明するための模式的断面図である。
適な一例を説明するための模式的断面図である。
適な一例を説明するための模式的断面図である。
適な一例を説明するための模式的断面図である。
適な一例を説明するための模式的断面図である。
適な一例を説明するための模式的斜視図である。
適な一例を説明するための模式的斜視図である。
例を示す模式的断面図である。
るプラズマCVD装置の一例を示す模式的断面図であ
る。
Claims (29)
- 【請求項1】減圧可能な反応容器、該反応容器内に配さ
れた基体保持手段、該反応容器内にプラズマCVDの原
料ガスを供給する原料ガス供給手段、高周波電源によっ
て発振周波数が30〜600MHzの範囲にある高周波
電力をプラズマ発生用高周波電極に供給する高周波電力
供給手段、該反応容器内の反応後のガスを排気する排気
手段とを有し、該高周波電源で発生させた高周波電力を
該プラズマ発生用高周波電極に供給し、該基体保持手段
により保持される基体と該プラズマ発生用高周波電極と
の間にプラズマを発生させて基体上に堆積膜を形成する
プラズマCVD装置において、 前記プラズマ発生用高周波電極には、該プラズマ発生用
高周波電極へ該高周波電力を供給するための給電点の反
対側の先端部分に反射電力の位相を調整する位相調整回
路が接続されているプラズマCVD装置。 - 【請求項2】前記位相調整回路が、LC回路により構成
されている請求項1に記載のプラズマCVD装置。 - 【請求項3】前記プラズマ発生用高周波電極には、該電
極の給電側に補助整合回路が配され、該補助整合回路に
よって前記プラズマ発生用高周波電極の数よりも少ない
数の高周波電源から分岐して、各々の高周波電極に供給
される高周波電力を制御するように構成されている請求
項1又は2に記載のプラズマCVD装置。 - 【請求項4】前記補助整合回路が、LC回路で構成され
ている請求項3に記載のプラズマCVD装置。 - 【請求項5】前記高周波電源の発振周波数は、60〜3
00MHzの範囲にある請求項1〜4のいずれかに記載
のプラズマCVD装置。 - 【請求項6】前記プラズマ発生用高周波電極とプラズマ
発生空間との間には、誘電体部材が配されている請求項
1〜5のいずれかに記載のプラズマCVD装置。 - 【請求項7】前記プラズマ発生用高周波電極は、複数の
プラズマ発生用高周波電極からなり、該複数のプラズマ
発生用高周波電極が、少なくとも一部が誘電体部材から
なる反応容器外に、該反応容器を取り囲むように配列さ
れている請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマCV
D装置。 - 【請求項8】前記プラズマ発生用高周波電極を、複数有
し、該複数のプラズマ発生用高周波電極が、反応容器内
に、配置される被成膜基体を取り囲むように配列されて
いる請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマCVD装
置。 - 【請求項9】前記プラズマ発生用高周波電極を、複数有
し、該複数のプラズマ発生用高周波電極が、反応容器の
反応容器内若しくは反応容器外に、配置される被成膜基
体を取り囲むように配列されている請求項1〜6のいず
れかに記載のプラズマCVD装置。 - 【請求項10】前記被成膜基体を回転するための回転機
構を有する請求項1〜9のいずれかに記載のプラズマC
VD装置。 - 【請求項11】前記基体が平板状基体であり、配される
平板状基体に対して平行になるよう複数の前記プラズマ
発生用高周波電極が配列されている請求項1〜6のいず
れかに記載のプラズマCVD装置。 - 【請求項12】前記基体が成膜時に保持ロールより送り
出され、巻き取りロールにより巻き取られるシート状基
体であり、供給されるシート状基体に対して平行に複数
の前記プラズマ発生用高周波電極が配列されている請求
項1〜6のいずれかに記載のプラズマCVD装置。 - 【請求項13】前記プラズマ発生用高周波電極は棒状も
しくは板状の導電性部材を有する請求項1〜12のいず
れかに記載のプラズマCVD装置。 - 【請求項14】前記プラズマ発生用高周波電極を複数有
し、該位相調整回路は夫々のプラズマ発生用高周波電極
に対して設けられている請求項1〜12のいずれかに記
載のプラズマCVD装置。 - 【請求項15】更にアースに直接接続されたプラズマ発
生用高周波電極を有する請求項1〜12のいずれかに記
載のプラズマCVD装置。 - 【請求項16】減圧下の反応容器内に成膜用の原料ガス
を供給し、前記原料ガスを30MHz〜600MHzの
範囲の周波数の高周波電力によりプラズマ化して分解
し、反応容器内に配された基体表面上に堆積膜を形成す
るプラズマCVD方法において、 前記高周波電力によってプラズマを生成するために、複
数の棒状若しくは板状の導電性のプラズマ発生用高周波
電極を用い、該高周波電極の給電点の反対側の部分にお
いて反射電力の位相を調整して、プラズマを生成するプ
ラズマCVD方法。 - 【請求項17】前記高周波電力は、60MHz〜300
MHzの範囲である請求項16に記載のプラズマCVD
方法。 - 【請求項18】前記反応容器内に配された基体は、円筒
状基体で構成され、該円筒状基体の周囲に複数の前記プ
ラズマ発生用高周波電極をその中心軸が実質的に同一円
周上に立設するように配列し、該円筒状基体と該複数の
前記プラズマ発生用高周波電極との間にプラズマを発生
させて円筒状基体の表面上に堆積膜を形成する請求項1
6又は17に記載のプラズマCVD方法。 - 【請求項19】前記反応容器は一部が誘電体部材からな
り、前記複数のプラズマ発生用高周波電極が、前記一部
が誘電体部材からなる反応容器外に配列されている請求
項16に記載のプラズマCVD方法。 - 【請求項20】前記複数のプラズマ発生用高周波電極
は、反応容器内に配列され、それぞれの電極が誘電体部
材によりカバーされている請求項16に記載のプラズマ
CVD方法。 - 【請求項21】前記基体が円筒状基体であり、前記反応
容器内に同一円周上に配された複数の円筒状基体の周囲
に、複数の前記プラズマ発生用高周波電極をその中心軸
が実質的に同一円周上に立設するように配列し、円筒状
基体と複数の前記プラズマ発生用高周波電極との間にプ
ラズマを発生させて円筒状基体の表面上に堆積膜を形成
する請求項16〜20のいずれかに記載のプラズマCV
D方法。 - 【請求項22】前記基体を回転させながら円筒状基体の
表面上に堆積膜を形成する請求項16〜21のいずれか
に記載のプラズマCVD方法。 - 【請求項23】前記基体が平板状基体であり、平板状基
体に対して平行に前記複数のプラズマ発生用高周波電極
を配列し、前記プラズマ発生用高周波電極と平板状基体
との間にプラズマを発生させて平板状基体の表面上に堆
積膜を形成する請求項16,19,20のいずれかに記
載のプラズマCVD方法。 - 【請求項24】前記基体が成膜時に保持ロールより送り
出され、巻き取りロールにより巻き取られるシート状基
体であり、シート状基体に対して平行に前記複数のプラ
ズマ発生用高周波電極を配列し、高周波電極とシート状
基体との間にプラズマを発生させてシート状基体の表面
上に堆積膜を形成する請求項16,19,20のいずれ
かに記載のプラズマCVD方法。 - 【請求項25】前記堆積膜は、シリコン、ゲルマニウ
ム、カーボン又はそのいずれかの合金である請求項16
〜24のいずれかに記載のプラズマCVD方法。 - 【請求項26】前記堆積膜は、電子写真感光体用のもの
である請求項25に記載のプラズマCVD方法。 - 【請求項27】前記堆積膜は、太陽電池用のものである
請求項25に記載のプラズマCVD方法。 - 【請求項28】前記堆積膜は、薄膜トランジスタ用のも
のである請求項25に記載のプラズマCVD方法。 - 【請求項29】前記複数の高周波電極の少なくとも隣り
合う高周波電極の反射波の位相が異なるように調整され
る請求項16〜28のいずれかに記載のプラズマCVD
方法。
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